JP2001298748A - 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラシステム - Google Patents

固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラシステム

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 固体撮像素子から画素情報を全画素分読み出
した後、外部の信号処理系で画素情報の間引き処理を行
った場合、間引き処理によって情報量を減らしているに
もかかわらず、駆動周波数は不変であるので、消費電力
を低減できることにはならず、逆に、後段の信号処理系
に負荷をかける結果となる。 【解決手段】 ２行２列を単位とし、その単位の繰り返
し（垂直２×水平２繰り返し）のカラーコーディングを
持つカラーフィルタ２７が配されたＸＹアドレス型固体
撮像素子（例えば、ＭＯＳ型イメージセンサ）を用い、
間引き読み出しモードが指定されたとき、システムのク
ロック周波数を１／９に変換し、その変換されたクロッ
ク周波数に基づいて行方向にも列方向にも２画素ずつ飛
ばしながら画素を選択して順に画素信号を読み出すよう
にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置およ
びその駆動方法並びにカメラシステムに関し、特にＭＯ
Ｓ型イメージセンサに代表されるＸＹアドレス型固体撮
像素子を用いた固体撮像装置およびその駆動方法、並び
にＸＹアドレス型固体撮像素子を撮像デバイスとして用
いたデジタルスチルカメラなどのカメラシステムに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】デジタルスチルカメラに代表される静止
画の撮像技術では、撮像デバイスとして多画素の固体撮
像素子を用い、全画素の画素情報を独立に読み出すこと
によって静止画を得るようにしている。例えばデジタル
スチルカメラでは、シャッターを切って撮り込んだ静止
画には高精細化が要求されるため、より多画素の固体撮
像素子が用いられる。
【０００３】一方、静止画を撮り込む前には、通常、小
画面の例えば液晶モニタに動画（被写体画像）を映し出
して被写体を確認（モニタリング）する作業が行われ
る。この被写体を確認している段階（モニタリングモー
ド）では、液晶モニタの画素数に応じた荒い画像（低解
像度の画像）で良い。
【０００４】また、デジタルスチルカメラ等の携帯機器
における画像伝送では、送信のデータレートが限られて
いる。したがって、静止画については高精細な画像を得
るために全画素の画素情報を伝送し、動画については画
素情報を間引きすることによって情報量を減少させて伝
送するようにしている。
【０００５】これまでは、単板式カラーカメラ用の撮像
デバイスとして、電荷転送型固体撮像素子、例えばＣＣ
Ｄ(Charge Coupled Device)型イメージセンサを用いる
のが一般的であった。これに対して、近年、低消費電力
化やシステムの小型化の点でＣＣＤ型イメージセンサよ
りも有利なＸＹアドレス型固体撮像素子、例えばＭＯＳ
型イメージセンサが用いられるようになってきた。
【０００６】ところで、単板式カラーカメラにおいて、
撮像デバイスとしてＣＣＤ型イメージセンサを用いた場
合の画素情報の間引き処理では、例えば、当該イメージ
センサから画素情報を全画素分読み出した後、外部の信
号処理系で画素情報を間引く方法が採られていた。ま
た、撮像デバイスとして例えばＭＯＳ型イメージセンサ
を用いたカラーカメラにおいても、ＣＣＤ型イメージセ
ンサでの間引き読み出し方法にならっていた。
【０００７】このように、画素情報を全画素分イメージ
センサから読み出した後、外部の信号処理系で画素情報
の間引きを行う間引き読み出し方法を採っていたのは、
次の理由による。
【０００８】その理由としては、カラーフィルタの色
の空間配置と出力順序を保って画素情報を間引くことが
できなかったこと、画素を選択する選択手段として用
いる通常のシフトレジスタでは画素が順に選択されてし
まうこと、ＣＣＤ型イメージセンサでは画素からの信
号電荷の読み出しが順番にしか行えなったこと、などが
挙げられる。
【０００９】一例として、１画素おきに画素情報を間引
く場合を考えると、色の区別がなければ、縦（垂直）横
（水平）それぞれの方向に情報量を１／２に圧縮でき
る。しかし、図９に示すように、各画素に色の区別があ
る場合は、１画素おきに画素情報を間引くと、斜線部の
画素のみから画素情報を読み出すことになり、例えばＢ
（青)の画素情報しか読み出せないため、カラー画像を
得ることができない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このような理由から、
ＣＣＤ型イメージセンサあるいはＭＯＳ型イメージセン
サを撮像デバイスとして用いた単板式カラーカメラで
は、イメージセンサから画素情報を全画素分読み出した
後、外部の信号処理系で画素情報の間引き処理を行うよ
うにしていた。しかしながら、この場合、間引き処理に
よって情報量を減らしているにもかかわらず、イメージ
センサの駆動周波数は不変であるので、消費電力を低減
できることにはならず、逆に、後段の信号処理系に負荷
をかける結果となっていた。
【００１１】特に、ＭＯＳ型イメージセンサを撮像デバ
イスとして用いた単板式カラーカメラにあっては、ＣＣ
Ｄ型イメージセンサに対する優位性が、先述したよう
に、低消費電力化とシステムの小型化にあるので、画素
情報量を減らした場合には、それに応じて後段の信号処
理系に負荷をかけずに消費電力を低減できれば、その意
義は非常に大きいと言える。
【００１２】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、画素情報の間引き処
理を行う場合に後段の信号処理系に負荷をかけずに、消
費電力の低減を可能とした固体撮像装置およびその駆動
方法並びにカメラシステムを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、行列状に配列された各画素に対して所
定のカラーコーディングを持つカラーフィルタが形成さ
れてなるＸＹアドレス型固体撮像素子を用い、この固体
撮像素子に対して間引き読み出しが指定されたとき、シ
ステムのクロック周波数を変換し、その変換されたクロ
ック周波数に基づいてカラーコーディングに対応した順
番で画素を選択して画素信号を読み出すようにする。
【００１４】ＸＹアドレス型固体撮像素子では、任意の
アドレス位置の画素を選択して、その画素信号を画素単
位で読み出すことができる。そこで、間引き読み出しが
指定されたら、先ず、システムのクロック周波数を変換
する。そして、その周波数変換されたクロック周波数に
基づいて、カラーフィルタのカラーコーディングに対応
した順番で画素を選択して画素信号を読み出すことで、
画素から画素情報を読み出す段階で間引き処理を行う。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明が適
用されるカメラシステムの構成の一例を示すブロック図
である。
【００１６】図１において、本システムでは、撮像デバ
イスとして、ＸＹアドレス型固体撮像素子１１、例えば
ＭＯＳ型イメージセンサが用いられている。この固体撮
像素子１１の撮像面上には、結像レンズなどを含む光学
系（図示せず）を通して被写体からの入射光（像光）が
結像される。また、本システムには、システム動作の基
準となるクロックが入力される。
【００１７】このクロックは、本システムの動作モード
（全画素読み出しモード／間引き読み出しモード）を選
択するモード選択信号と共に分周回路１２に入力され
る。モード選択信号は、動作モード設定部１３から出力
される。分周回路１２は、入力されたクロックの周波数
をモード選択信号に応じて変換し、タイミング発生器１
４および後述する固体撮像素子１１の信号処理系に供給
される。
【００１８】タイミング発生器１４は、分周回路１２か
ら入力される動作モードに応じた周波数のクロックに基
づいて、ＸＹアドレス型固体撮像素子１１の駆動に必要
な各種の駆動パルスを発生し、これら駆動パルスを固体
撮像素子１１に供給する。固体撮像素子１１の後段に
は、ＡＧＣ（自動利得制御）回路１５、ＡＤ（アナログ
−デジタル）コンバータ１６およびカメラ信号処理回路
１７が設けられている。これらの回路１５，１６，１７
には、分周回路１２から動作モードに応じた周波数のク
ロックが供給される。
【００１９】ＡＧＣ回路１５は、固体撮像素子１１の出
力信号に対してその信号レベルを一定するためのＡＧＣ
処理を行う。ＡＤコンバータ１６は、このＡＧＣ回路１
５の出力信号をＡＤ変換してカメラ信号処理回路１７に
供給する。これにより、カメラ信号処理回路１７は、デ
ジタル信号処理（ＤＳＰ）構成となっている。このカメ
ラ信号処理回路１７では、入力される撮像データ（映像
データ）から輝度信号および色差信号を生成するカメラ
信号処理や、自動露光、オートフォーカス、オートホワ
イトバランス等の検出処理などの信号処理が行われる。
【００２０】図２は、ＭＯＳ型イメージセンサの一例を
示す概略構成図である。本ＭＯＳ型イメージセンサは、
画素部２１、垂直走査系２２および水平走査系２３を有
する構成となっている。
【００２１】画素部２１は、例えばフォトダイオードＰ
Ｄおよび選択トランジスタＴｒからなる単位画素２４が
多数、行列状に配列された構成となっている。ここで
は、図面の簡略化のために、６行６列分の画素配列を示
している。そして、図２において、単位画素２４の各々
には、画素位置を示すアドレスＸＹを添え字で付すもの
とする。例えば、１行１列目の画素を画素２４11と記
す。
【００２２】この画素部２１の各画素に対して、垂直選
択線２５-1〜２５-6および垂直信号線２６-1〜２６-6が
マトリクス状に配線されている。そして、垂直選択線２
５-1〜２５-6には単位画素４の各々における選択トラン
ジスタＴｒの制御電極が、垂直信号線２６-1〜２６-6に
は選択トランジスタＴｒの出力電極が各画素ごとに接続
されている。
【００２３】垂直走査系２２は、Ｖ（垂直）デコーダ２
２１によって構成されている。このＶデコーダ２２１
は、図１のタイミング発生器１３から入力されるＶ選択
信号に応答して行選択パルスＶ１〜Ｖ６を順次出力し、
垂直選択線２５-1〜２５-6の各々に印加する。
【００２４】水平走査系２３は、水平選択トランジスタ
２３１-1〜２３２-6、Ｈ（水平）デコーダ２３２および
出力アンプ２３３を有する構成となっている。水平選択
トランジスタ２３１-1〜２３２-6は、垂直信号線２６-1
〜２６-6の各出力端と水平信号線２３４との間にそれぞ
れ接続されている。Ｈデコーダ２３２は、タイミング発
生器１３から入力されるＨ選択信号に応答して水平選択
パルスＨ１〜Ｈ６を順次出力し、水平選択トランジスタ
２３１-1〜２３２-6の各制御電極に与える。
【００２５】出力アンプ２３３は、水平信号線２３４の
一端（出力端）に接続されており、画素部２１から水平
選択トランジスタ２３１-1〜２３２-6を通して水平信号
線２３４に順次出力される画素信号を出力信号ＶＯＵＴ
として導出する。なお、水平信号線２３４の他端には、
クランプトランジスタ２３５が接続されている。このク
ランプトランジスタ２３５は、タイミング発生器１３か
ら入力されるクランプパルスＣＬＰに応答して水平信号
線２３４の電位を、ある一定の電圧（定電圧）にクラン
プする。
【００２６】次に、上記構成のＭＯＳ型イメージセンサ
において、画素部２１の全画素の画素信号を読み出す全
画素読み出し時の動作について、図３のタイミングチャ
ートを用いて説明する。ここでは、行選択パルスＶ１，
Ｖ２、水平選択パルスＨ１〜Ｈ６、クランプパルスＣＬ
Ｐおよび出力信号ＶＯＵＴのタイミング関係を示してい
る。
【００２７】先ず、Ｖデコーダ２２１から高電位の行選
択パルスＶ１が出力され、垂直選択線２５-1に印加され
ると、１行目の画素２４11〜２４16の信号が垂直信号線
２６-1〜２６-6にそれぞれ読み出される。この状態にお
いて、Ｈデコーダ２３２から高電位の水平選択パルスＨ
１が出力されると、水平選択スイッチ２３１-1がオン状
態になる。すると、垂直信号線２６-1に読み出された画
素２４11の信号が、水平選択スイッチ２３１-1を通して
水平信号線２３４に出力される。
【００２８】このとき、水平信号線２３４では、画素２
４11の信号に応じた電位変動が生じる。そして、この水
平信号線２３４の電位変動が出力アンプ２３３によって
増幅され、画素２４11の画素信号として出力される。こ
こで、クランプパルスＣＬＰに応答してクランプトラン
ジスタ２３５がオンすると、水平信号線２３４および垂
直信号線２６-1がある定電圧にリセットされる。
【００２９】次に、水平選択パルスＨ１およびクランプ
パルスＣＬＰが消滅し、代わってＨデコーダ２３２から
高電位の水平選択パルスＨ２が出力されると、画素２４
11の場合と同様にして画素２４12の画素信号が出力され
る。以降、この読み出し動作を繰り返すことにより、画
素２４11から画素２４16までの１行目の全画素信号が順
に読み出される。
【００３０】次に、垂直選択パルスＶ１が消滅し、代わ
ってＶデコーダ２２１から高電位の垂直選択パルスＶ２
が出力され、垂直選択線２５-2に印加されると２行目の
各画素２４21〜２４26が選択される。そして、１行目と
同様にして列選択の動作を繰り返し、以降、６行目まで
行選択および列選択を繰り返すことにより、画素部２１
における全画素の画素信号が順に読み出されることにな
る。
【００３１】上述した全画素読み出しの動作において重
要なことは、垂直選択パルスＶ１〜Ｖ６と水平選択パル
スＨ１〜Ｈ６を適当なタイミングで適宜出力できれば、
任意の画素の画素信号を選択的に読み出せることであ
る。これは、各画素から信号を読み出す段階で、画素情
報の間引き処理を行えることを意味する。そして、ここ
では、行の選択手段と列の選択手段として、自由度を持
たせるためにデコーダを用いた構成を採っている。
【００３２】ところで、カラー対応のカメラシステムの
場合は、画素部２１にはカラーフィルタが画素単位で例
えばオンチップにて設けられることになる。ここで、図
４に示すように、カラーフィルタ２７として、垂直２×
水平２（２行２列）を単位とし、その繰り返しの原色カ
ラーコーティングを持つフィルタを搭載したＭＯＳ型イ
メージセンサにおいて、画素情報を間引いて読み出す間
引き読み出し処理を実現する場合の動作について説明す
る。
【００３３】このように、垂直２×水平２繰り返しの原
色カラーコーティングを持つカラーフィルタ２７を用い
た場合において、間引き読み出しの第１例として、図４
に斜線で示すように、２行／２列ずつスキップしなが
ら、つまり３行／３列ごとに１画素ずつ画素信号を読み
出すようにする。
【００３４】この間引き読み出しを実現するために、図
１の分周回路１２は、間引き読み出しモードを選択する
モード選択信号が動作モード設定部１３から与えられる
ことにより、入力されるクロックの周波数を１／９に分
周する。この間引き読み出し時のタイミングチャートを
図５に示す。
【００３５】なお、図５の横軸（時間軸）は、図３の場
合とはスケールが異なっており、実際は図３の場合の９
倍となるところを、紙面の関係上、３倍として描いたも
のである。また、図４には、８行８列の画素配列に対応
したカラーコーティングが示されているのに対して、図
５には、図２の６行６列の画素配列に対応したタイミン
グ関係が示されている。
【００３６】この間引き読み出しモードでは、先ず、Ｖ
デコーダ２２１から高電位の行選択パルスＶ１が出力さ
れ、垂直選択線２５-1に印加されると、１行目の画素２
４11〜２４16の各信号が垂直信号線２６-1〜２６-6に読
み出される。この状態において、Ｈデコーダ２３２から
高電位の水平選択パルスＨ１が出力されると、水平選択
スイッチ２３１-1がオン状態となり、画素２４11の信号
が垂直信号線２６-1から水平選択スイッチ２３１-1を通
して水平信号線２３４に出力される。
【００３７】このとき、水平信号線２３４では、画素２
４11の信号に応じた電位変動が生じる。そして、この水
平信号線２３４の電位変動が出力アンプ２３３によって
増幅され、画素２４11の画素信号として出力される。こ
こで、クランプパルスＣＬＰに応答してクランプトラン
ジスタ２３５がオンすると、水平信号線２３４および垂
直信号線２６-1がある定電圧にリセットされる。
【００３８】次に、水平選択パルスＨ１およびクランプ
パルスＣＬＰが消滅し、代わってＨデコーダ２３２から
高電位の水平選択パルスＨ４が出力される。すると、画
素２４11の場合と同様にして、画素２４14の信号が垂直
信号線２６-4に読み出され、水平選択トランジスタ２３
１-4、水平信号線２３４および出力アンプ２３３を通し
て出力される。これにより、画素２４12，２４13につい
ての各信号は読み出されず、間引かれたことになる。
【００３９】次に、図５のタイミングチャートには示し
ていないが、垂直選択パルスＶ１に代わってＶデコーダ
２２１から高電位の垂直選択パルスＶ４が出力され、垂
直選択線２５-4に印加されると４行目の画素２４41〜２
４46が選択される。そして、１行目と同様にして列選択
の動作を２列おきに繰り返すことにより、２行／２列ず
つスキップしながら１画素ずつ画素信号が読み出される
ことになる。
【００４０】上述した第１例に係る間引き読み出しによ
れば、次のような利点が得られる。すなわち、画素信号
の順序、空間的な位置関係共に全画素読み出しと同じま
ま、画素情報量を１／９に圧縮できる。しかも、後段の
信号処理系のシーケンスは全く変更しなくても良いた
め、信号処理系に負荷をかけることもない。また、シス
テムのクロック周波数が１／９になるので、消費電力も
１／９に低減できる。さらに、１秒間に出力できる画像
の枚数、即ちフレームレートを一定にできる。
【００４１】続いて、第１例と同様に、垂直２×水平２
繰り返しのカラーコーディングを持つカラーフィルタを
用いた場合を前提とした間引き読み出しの第２例、第３
例について述べる。
【００４２】先ず、第２例に係る間引き読み出しでは、
図６に斜線で示すように、垂直２×水平２を単位とし、
その単位を行方向にも列方向にも１単位ずつ飛ばしなが
ら順に画素信号を読み出す。また、この間引き読み出し
を実現するために、図１の分周回路１２ではクロック周
波数を１／４に分周する。
【００４３】この第２例に係る間引き読み出しによれ
ば、次のような利点が得られる。すなわち、画素信号の
順序を全画素読み出しと同じまま、画素情報量を１／４
に圧縮できる。しかも、後段の信号処理系のシーケンス
は、色の空間的な位置関係が変化することの対応のみで
良いため、信号処理系の負荷が少なくて済む。また、シ
ステムのクロック周波数が１／４になるので消費電力も
１／４に低減でき、さらにフレームレートを一定にでき
る。
【００４４】次に、第３例に係る間引き読み出しでは、
垂直２×水平２の単位をさらに２×２の４個ずつまと
め、その単位中における左下の画素同士の加算信号、右
下の画素同士の加算信号、左上の画素同士の加算信号、
右上の画素同士の加算信号を、図７に矢印で示すよう
に、走査しながら読み出す。また、この間引き読み出し
を実現するために、図１の分周回路１２ではクロック周
波数を１／４に分周する。
【００４５】この第３例に係る間引き読み出しによれ
ば、次のような利点が得られる。すなわち、画素信号の
順序を全画素読み出しと同じまま、画素情報量を１／４
に圧縮できるとともに、加算読み出しによって感度が４
倍になる。しかも、後段の信号処理系のシーケンスは、
色の重心の空間的な位置関係が変化することの対応のみ
で良いため、信号処理系の負荷が少なくて済む。なお、
色の重心の空間的な位置関係は、第２例に係る間引き読
み出しの場合と同じである。また、システムのクロック
周波数が１／４になるので消費電力も１／４に低減で
き、さらにフレームレートを一定にできる。
【００４６】図８は、同一列では同一色で、行方向に３
色の繰り返しの原色カラーコーディングを示す図であ
る。ここで、このカラーコーティングを持つカラーフィ
ルタ２７´を用いた場合の間引き読み出しについて、第
４例として説明する。
【００４７】この第４例に係る間引き読み出しでは、図
８に斜線で示すように、行方向にも列方向にも１画素ず
つ飛ばしながら１画素ずつ画素信号を読み出す。また、
この間引き読み出しを実現するために、図１の分周回路
１２ではクロック周波数を１／４に分周する。
【００４８】この第４例に係る間引き読み出しによれ
ば、次のような利点が得られる。すなわち、画素信号の
順序、位置関係共に２つの色の定義を入れ替える以外は
全画素読み出しと同じで、画素情報量を１／４に圧縮で
きる。しかも、後段の信号処理系のシーケンスは、２つ
の色の定義を入れ替えるだけで良いため、信号処理系の
負荷が少なくて済む。また、システムのクロック周波数
が１／４になるので消費電力も１／４に低減でき、さら
にフレームレートを一定にできる。
【００４９】上述した各例に係る間引き読み出し動作で
重要なことは、垂直方向と水平方向とを適当に選択でき
れば、任意の位置の画素信号を選択的に読み出せること
である。したがって、ＸＹアドレス型固体撮像素子１１
としては、図２に示したパッシブ（Ｐａｓｓｉｖｅ）型
のＭＯＳ型イメージセンサに限られるものではなく、Ｍ
ＯＳフォトトランジスタで画素を構成したＣＭＤ(Charg
e Modulation Device）型イメージセンサや増幅型イメ
ージセンサなど、行と列を選択して画素信号を読み出す
方式のものならいずれでも構わない。
【００５０】なお、上記実施形態では、行の選択手段お
よび列の選択手段として、自由度を持たせるためにデコ
ーダを用いた構成としたが、デコーダ以外でも、全画素
読み出し用と間引き読み出し用の２個のシフトレジスタ
を用いる構成を採ることも可能であり、要は、同様の駆
動が行えるのであればその構成は問わない。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＸＹアドレス型固体撮像素子に対して間引き読み出しが
指定されたとき、システムのクロック周波数を変換し、
その変換されたクロック周波数に基づいて、カラーフィ
ルタのカラーコーディングに対応した順番で画素を選択
して画素信号を読み出すようにしたことにより、画素か
ら画素情報を読み出す段階で間引き処理を行えるので、
画素情報の順序、空間的な位置関係共に全画素読み出し
と同じまま、信号処理系に負荷をかけることなく画素情
報量を圧縮することができ、しかもシステムのクロック
周波数の変換に伴って消費電力を低減できるとともに、
動作モードを変えてもフレームレートを一定にできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用されるカメラシステムの構成の一
例を示すブロック図である。
【図２】ＭＯＳ型イメージセンサの一例を示す概略構成
図である。
【図３】全画素読み出しの動作説明のためのタイミング
チャートである。
【図４】第１例に係る間引き読み出しの動作説明のため
の概念図である。
【図５】第１例に係る間引き読み出しの動作説明のため
のタイミングチャートである。
【図６】第２例に係る間引き読み出しの動作説明のため
の概念図である。
【図７】第３例に係る間引き読み出しの動作説明のため
の概念図である。
【図８】第４例に係る間引き読み出しの動作説明のため
の概念図である。
【図９】垂直２×水平２繰り返しの原色カラーコーディ
ングを示す図である。
【符号の説明】
１１…ＸＹアドレス型固体撮像素子、１２…分周回路、
１４…タイミング発生器、１７…カメラ信号処理回路、
２１…画素部、２２…垂直走査系、２３…水平走査系、
２４…単位画素、２７，２７´…カラーフィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M118 AA04 AA10 AB01 BA06 BA14 CA02 DB01 FA06 GC08 GC14 5C024 CY12 GY31 HX02 HX13 JX41 5C065 AA03 BB30 BB48 CC01 CC08 DD15 EE06 GG11

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 画素が行列状に配列されるとともに、各
    画素に所定のカラーコーディングを持つカラーフィルタ
    が形成されてなるＸＹアドレス型固体撮像素子と、 前記固体撮像素子に対して間引き読み出しが指定された
    とき、システムのクロック周波数を変換する周波数変換
    手段と、 前記周波数変換手段によって変換されたクロック周波数
    に基づいて前記カラーコーディングに対応した順番で画
    素を選択して画素信号を読み出す駆動手段とを備えたこ
    とを特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項２】 前記カラーコーディングが２行２列を単
    位とし、その単位の繰り返しであり、 前記駆動手段は、行方向にも列方向にも２画素ずつ飛ば
    しながら順に画素信号を読み出すことを特徴とする請求
    項１記載の固体撮像装置。
  3. 【請求項３】 前記カラーコーディングが２行２列を単
    位とし、その単位の繰り返しであり、 前記駆動手段は、２行２列の単位を行方向にも列方向に
    も１単位ずつ飛ばしながら順に画素信号を読み出すこと
    を特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
  4. 【請求項４】 前記カラーコーディングが２行２列を単
    位とし、その単位の繰り返しであり、 前記駆動手段は、２行２列の単位をさらに２×２の４個
    ずつまとめ、その単位中左下の画素同士の加算信号、右
    下の画素同士の加算信号、左上の画素同士の加算信号、
    右上の画素同士の加算信号を順に読み出すことを特徴と
    する請求項１記載の固体撮像装置。
  5. 【請求項５】 前記カラーコーディングが同一列では同
    一色で、行方向に３色の繰り返しであり、 前記駆動手段は、行方向にも列方向にも１画素ずつ飛ば
    しながら順に画素信号を読み出すことを特徴とする請求
    項１記載の固体撮像装置。
  6. 【請求項６】 画素が行列状に配列されるとともに、各
    画素に所定のカラーコーディングを持つカラーフィルタ
    が形成されてなるＸＹアドレス型固体撮像素子と、 前記固体撮像素子に対して間引き読み出しが指定された
    とき、前記カラーコーディングの配列順を保つように特
    定の画素のみを選択して画素信号を読み出す駆動手段と
    を備えたことを特徴とする固体撮像装置。
  7. 【請求項７】 画素が行列状に配列されるとともに、各
    画素に所定のカラーコーディングを持つカラーフィルタ
    が形成されてなるＸＹアドレス型固体撮像素子と、 少なくとも１画素は他の画素と隣接しない複数の画素を
    選択して該複数の画素の各々に対応する画素信号を加算
    して読み出す駆動手段とを備えたことを特徴とする固体
    撮像装置。
  8. 【請求項８】 画素が行列状に配列されるとともに、各
    画素に所定のカラーコーディングを持つカラーフィルタ
    が形成されてなるＸＹアドレス型固体撮像素子を用いた
    固体撮像装置の駆動方法であって、 前記固体撮像素子に対して間引き読み出しが指定された
    とき、システムのクロック周波数を変換し、 その変換されたクロック周波数に基づいて前記カラーコ
    ーディングに対応した順番で画素を選択して画素信号を
    読み出すことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
  9. 【請求項９】 前記カラーコーディングが２行２列を単
    位とし、その単位の繰り返しであり、 行方向にも列方向にも２画素ずつ飛ばしながら順に画素
    信号を読み出すことを特徴とする請求項８記載の固体撮
    像装置の駆動方法。
  10. 【請求項１０】 前記カラーコーディングが２行２列を
    単位とし、その単位の繰り返しであり、 ２行２列の単位を行方向にも列方向にも１単位ずつ飛ば
    しながら順に画素信号を読み出すことを特徴とする請求
    項８記載の固体撮像装置の駆動方法。
  11. 【請求項１１】 前記カラーコーディングが２行２列を
    単位とし、その単位の繰り返しであり、 ２行２列の単位をさらに２×２の４個ずつまとめ、その
    単位中左下の画素同士の加算信号、右下の画素同士の加
    算信号、左上の画素同士の加算信号、右上の画素同士の
    加算信号を順に読み出すことを特徴とする請求項８記載
    の固体撮像装置の駆動方法。
  12. 【請求項１２】 前記カラーコーディングが同一列では
    同一色で、行方向に３色の繰り返しであり、 行方向にも列方向にも１画素ずつ飛ばしながら順に画素
    信号を読み出すことを特徴とする請求項８記載の固体撮
    像装置の駆動方法。
  13. 【請求項１３】 画素が行列状に配列されるとともに、
    各画素に所定のカラーコーディングを持つカラーフィル
    タが形成されてなるＸＹアドレス型固体撮像素子と、 前記固体撮像素子に対して全画素読み出しモードと間引
    き読み出しモードとを選択的に設定する動作モード設定
    手段と、 前記間引き読み出しモードが設定されたとき、システム
    のクロック周波数を変換する周波数変換手段と、 前記間引き読み出しモードが設定されたとき、前記周波
    数変換手段によって変換されたクロック周波数に基づい
    て前記カラーコーディングに対応した順番で画素を選択
    して画素信号を読み出す駆動手段と、 前記間引き読み出しモードが設定されたとき、前記周波
    数変換手段によって変換されたクロック周波数に基づい
    て前記固体撮像素子の出力信号を処理する信号処理手段
    とを備えたことを特徴とするカメラシステム。
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TW90108453A TW513808B (en) 2000-04-13 2001-04-09 Solid-state image pickup apparatus, its driving method, and camera system
EP20100010104 EP2262223A1 (en) 2000-04-13 2001-04-11 Solid-state image pickup apparatus and its driving method
EP20010109061 EP1148712B1 (en) 2000-04-13 2001-04-11 Solid-state image pickup apparatus
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US11/341,104 US7545411B2 (en) 2000-04-13 2006-01-27 Solid-state image pickup apparatus, its driving method, and camera system
US12/363,249 US8194163B2 (en) 2000-04-13 2009-01-30 Solid-state pickup apparatus, its driving method and camera system
US13/450,236 US8934038B2 (en) 2000-04-13 2012-04-18 Solid-state pickup apparatus, its driving method and camera system
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100460774B1 (ko) * 2002-10-10 2004-12-09 매그나칩 반도체 유한회사 어드레스 서브샘플링 장치 및 그 방법과 이미지센서 및이미지센서의 어드레스 서브샘플링 방법
US7333139B2 (en) 2002-03-29 2008-02-19 Fujifilm Corporation Digital camera having correction of center positions of color pixels generated by mixing of pixels of the same color
JP2008078794A (ja) * 2006-09-19 2008-04-03 Pentax Corp 撮像素子駆動装置
US7456866B2 (en) 2002-10-24 2008-11-25 Canon Kabushiki Kaisha Correction of barycenters of signals obtained by adding and reading charges accumulated in solid-state image sensing device
JP2009518913A (ja) * 2005-12-07 2009-05-07 ノキア コーポレイション カメラユニットならびにカメラユニットの画像センサを制御する方法
US7623172B2 (en) 2003-02-21 2009-11-24 Sony Corporation Solid-state image pickup device and drive method thereof
JP2010028722A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Sanyo Electric Co Ltd 撮像装置及び画像処理装置
US8031259B2 (en) 2007-11-22 2011-10-04 Nikon Corporation Solid-state imaging device and electronic camera
US8665352B2 (en) 2005-11-17 2014-03-04 Sony Corporation Method of acquiring physical information and physical information acquiring device
US8687082B2 (en) 2010-07-09 2014-04-01 Sony Corporation Solid-state imaging device and camera system with pseudo-thinning-out processing
JP2014115595A (ja) * 2012-12-12 2014-06-26 Olympus Corp 顕微鏡用撮像装置
US8953074B2 (en) 2011-02-07 2015-02-10 Sony Corporation Semiconductor device, physical information acquiring apparatus, and signal reading-out method

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4616429B2 (ja) * 1999-01-29 2011-01-19 富士フイルム株式会社 画像処理装置
JP4518616B2 (ja) * 2000-04-13 2010-08-04 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラシステム
EP1308032A2 (en) * 2000-08-04 2003-05-07 Foveon, Inc. All-electronic high-resolution digital still camera
JP2002320235A (ja) * 2001-04-19 2002-10-31 Fujitsu Ltd 空間解像度の低下を抑えて縮小画像信号を生成するｃｍｏｓイメージセンサ
US7738013B2 (en) * 2001-05-29 2010-06-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Systems and methods for power conservation in a CMOS imager
AU2002305780A1 (en) * 2001-05-29 2002-12-09 Transchip, Inc. Patent application cmos imager for cellular applications and methods of using such
JP4658401B2 (ja) * 2001-07-27 2011-03-23 オリンパス株式会社 撮像装置
US20060164533A1 (en) * 2002-08-27 2006-07-27 E-Phocus, Inc Electronic image sensor
JP3947969B2 (ja) * 2002-05-15 2007-07-25 ソニー株式会社 画像処理装置、および画像処理方法、記録媒体、並びにプログラム
US8040385B2 (en) * 2002-12-02 2011-10-18 Olympus Corporation Image pickup apparatus
EP1592236A1 (en) * 2003-01-29 2005-11-02 Olympus Corporation Image sensing apparatus
JP4105967B2 (ja) 2003-03-18 2008-06-25 株式会社リコー デジタルスチルカメラ
JP3807382B2 (ja) * 2003-03-26 2006-08-09 ブラザー工業株式会社 イメージセンサ、読取装置、及び解像度設定方法
JP4338188B2 (ja) * 2003-10-21 2009-10-07 キヤノン株式会社 画像データ減少装置及び方法、プログラム、記憶媒体、及び撮像装置
EP1705902A4 (en) * 2003-12-26 2008-12-17 Olympus Corp IMAGE INPUT APPARATUS
JP2006050337A (ja) 2004-08-05 2006-02-16 Sony Corp 撮像装置、撮像方法および撮像制御プログラム
FR2880194B1 (fr) * 2004-12-24 2007-06-01 Atmel Grenoble Soc Par Actions Capteur d'image a zones de couleur globalement separees
US7570290B2 (en) * 2004-12-27 2009-08-04 Sony Corporation Drive method for solid-state imaging device, solid-state imaging device, and imaging apparatus
JP4701975B2 (ja) * 2005-10-05 2011-06-15 パナソニック株式会社 固体撮像装置および撮像装置
JP2007124295A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Pentax Corp 撮像手段駆動装置、撮像手段駆動方法、および信号処理装置
US8059174B2 (en) * 2006-05-31 2011-11-15 Ess Technology, Inc. CMOS imager system with interleaved readout for providing an image with increased dynamic range
JP5084430B2 (ja) * 2006-11-02 2012-11-28 ペンタックスリコーイメージング株式会社 撮像ユニット
US8169495B2 (en) * 2006-12-01 2012-05-01 Broadcom Corporation Method and apparatus for dynamic panoramic capturing
JP5188080B2 (ja) * 2007-03-06 2013-04-24 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像装置の駆動方法、及び読み出し装置
CN100562063C (zh) * 2007-05-22 2009-11-18 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 图像信号校正方法
JP5000395B2 (ja) * 2007-06-26 2012-08-15 オリンパス株式会社 撮像表示方法および撮像表示装置
JP5046787B2 (ja) * 2007-08-10 2012-10-10 キヤノン株式会社 撮像システム
JP2009159069A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Panasonic Corp 固体撮像装置およびカメラ
JP2012175600A (ja) 2011-02-24 2012-09-10 Sony Corp 撮像装置、および撮像装置制御方法、並びにプログラム
EP2645722A4 (en) * 2011-03-11 2014-05-14 Fujifilm Corp IMAGING APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING THEIR OPERATION
JP2012242948A (ja) 2011-05-17 2012-12-10 Sony Corp 表示制御装置および方法、並びにプログラム
CN103260499B (zh) * 2011-08-15 2016-01-20 奥林巴斯株式会社 摄像装置
EP2800376B1 (en) * 2011-12-27 2016-10-05 Fujifilm Corporation Imaging device, method for controlling imaging device, and control program
CN104025566B (zh) * 2011-12-27 2015-10-14 富士胶片株式会社 摄像装置及摄像装置的控制方法
KR20150096224A (ko) 2014-02-14 2015-08-24 삼성전자주식회사 고체 촬상 소자, 전자기기 및 오토 포커싱 방법
JP6338432B2 (ja) * 2014-04-21 2018-06-06 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその制御方法
CN106534824A (zh) * 2016-11-01 2017-03-22 安徽爱依特科技有限公司 一种具有立体视角的机器人及其图像处理方法
CN106910795B (zh) * 2017-03-15 2018-07-27 西安电子科技大学 基于铟锡氧化物透明电极的异面型光导开关及其制作方法
US20190020411A1 (en) * 2017-07-13 2019-01-17 Qualcomm Incorporated Methods and apparatus for efficient visible light communication (vlc) with reduced data rate
TWI652945B (zh) * 2017-12-20 2019-03-01 財團法人工業技術研究院 具有自動曝光偵測能力的輻射影像器以及其方法
US11463636B2 (en) 2018-06-27 2022-10-04 Facebook Technologies, Llc Pixel sensor having multiple photodiodes
US10931884B2 (en) 2018-08-20 2021-02-23 Facebook Technologies, Llc Pixel sensor having adaptive exposure time
US11956413B2 (en) 2018-08-27 2024-04-09 Meta Platforms Technologies, Llc Pixel sensor having multiple photodiodes and shared comparator
US11595602B2 (en) 2018-11-05 2023-02-28 Meta Platforms Technologies, Llc Image sensor post processing
US11218660B1 (en) 2019-03-26 2022-01-04 Facebook Technologies, Llc Pixel sensor having shared readout structure
US11910114B2 (en) * 2020-07-17 2024-02-20 Meta Platforms Technologies, Llc Multi-mode image sensor

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH027680A (ja) 1988-06-27 1990-01-11 Canon Inc 撮像装置
US5262871A (en) * 1989-11-13 1993-11-16 Rutgers, The State University Multiple resolution image sensor
JP3396038B2 (ja) 1991-10-28 2003-04-14 オリンパス光学工業株式会社 画像取込装置
DE4419198A1 (de) 1993-06-11 1994-12-15 Volkswagen Ag Kraftfahrzeugrad, insbesondere für Personenkraftfahrzeuge
US5493335A (en) * 1993-06-30 1996-02-20 Eastman Kodak Company Single sensor color camera with user selectable image record size
US5418565A (en) 1994-02-15 1995-05-23 Eastman Kodak Company CFA compatible resolution reduction in a single sensor electronic camera
US5828406A (en) * 1994-12-30 1998-10-27 Eastman Kodak Company Electronic camera having a processor for mapping image pixel signals into color display pixels
JP3985275B2 (ja) 1996-03-11 2007-10-03 ソニー株式会社 撮像装置および撮像方法
JPH09247689A (ja) * 1996-03-11 1997-09-19 Olympus Optical Co Ltd カラー撮像装置
JP4229481B2 (ja) * 1996-07-31 2009-02-25 オリンパス株式会社 撮像表示システム
JPH10136244A (ja) * 1996-11-01 1998-05-22 Olympus Optical Co Ltd 電子的撮像装置
JP3907778B2 (ja) * 1997-04-08 2007-04-18 オリンパス株式会社 撮像システム
JP4161384B2 (ja) 1997-04-30 2008-10-08 ソニー株式会社 固体撮像装置、これを用いたカメラおよび固体撮像装置の駆動方法
JP3812088B2 (ja) 1997-09-26 2006-08-23 日本電気株式会社 表示装置
JPH11103407A (ja) 1997-09-29 1999-04-13 Nec Corp Ｃｃｄデータ画素補間回路およびこのｃｃｄデータ画素 補間回路を備えたデジタルスチルカメラ
US6348929B1 (en) * 1998-01-16 2002-02-19 Intel Corporation Scaling algorithm and architecture for integer scaling in video
JP4140077B2 (ja) * 1998-02-18 2008-08-27 ソニー株式会社 固体撮像素子の駆動方法及び固体撮像素子、並びにカメラ
US6144849A (en) * 1998-02-23 2000-11-07 Adc Newnet, Inc. Method and apparatus for over-the-air service provisioning of a mobile telephone
JP2000023046A (ja) * 1998-07-02 2000-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撮像装置
JP2000032480A (ja) 1998-07-09 2000-01-28 Olympus Optical Co Ltd ２次元カラー画像入力装置
JP4518616B2 (ja) * 2000-04-13 2010-08-04 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラシステム

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7333139B2 (en) 2002-03-29 2008-02-19 Fujifilm Corporation Digital camera having correction of center positions of color pixels generated by mixing of pixels of the same color
KR100460774B1 (ko) * 2002-10-10 2004-12-09 매그나칩 반도체 유한회사 어드레스 서브샘플링 장치 및 그 방법과 이미지센서 및이미지센서의 어드레스 서브샘플링 방법
US7456866B2 (en) 2002-10-24 2008-11-25 Canon Kabushiki Kaisha Correction of barycenters of signals obtained by adding and reading charges accumulated in solid-state image sensing device
US7623172B2 (en) 2003-02-21 2009-11-24 Sony Corporation Solid-state image pickup device and drive method thereof
US9113102B2 (en) 2005-11-17 2015-08-18 Sony Corporation Method of acquiring physical information and physical information acquiring device
US8665352B2 (en) 2005-11-17 2014-03-04 Sony Corporation Method of acquiring physical information and physical information acquiring device
JP2009518913A (ja) * 2005-12-07 2009-05-07 ノキア コーポレイション カメラユニットならびにカメラユニットの画像センサを制御する方法
JP2008078794A (ja) * 2006-09-19 2008-04-03 Pentax Corp 撮像素子駆動装置
US8031259B2 (en) 2007-11-22 2011-10-04 Nikon Corporation Solid-state imaging device and electronic camera
JP2010028722A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Sanyo Electric Co Ltd 撮像装置及び画像処理装置
US8687082B2 (en) 2010-07-09 2014-04-01 Sony Corporation Solid-state imaging device and camera system with pseudo-thinning-out processing
US8953074B2 (en) 2011-02-07 2015-02-10 Sony Corporation Semiconductor device, physical information acquiring apparatus, and signal reading-out method
US9398238B2 (en) 2011-02-07 2016-07-19 Sony Corporation Semiconductor device, physical information acquiring apparatus, and signal reading-out method
JP2014115595A (ja) * 2012-12-12 2014-06-26 Olympus Corp 顕微鏡用撮像装置

Also Published As

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