JP2001281678A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、滴下注入法を用いた液晶表示装置の
製造方法に関し、基板毎に最適な滴下量で液晶を滴下で
きる液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】滴下注入工程において、１枚のガラス基板
８０から２枚の液晶表示パネルを作製する２面取りの場
合、例えば柱状スペーサが形成された２枚のＣＦ基板８
２を図示のようにＡ面、Ｂ面として、Ａ面とＢ面のそれ
ぞれで、複数点（図示例では数字１〜数字５の５箇所）
の支柱高さをレーザ変位計８４で測定して平均値を求め
る。このようにして柱状スペーサの支柱高さを予め測定
し、測定値に基づいて液晶滴下量を制御する。
製造方法に関し、基板毎に最適な滴下量で液晶を滴下で
きる液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】滴下注入工程において、１枚のガラス基板
８０から２枚の液晶表示パネルを作製する２面取りの場
合、例えば柱状スペーサが形成された２枚のＣＦ基板８
２を図示のようにＡ面、Ｂ面として、Ａ面とＢ面のそれ
ぞれで、複数点（図示例では数字１〜数字５の５箇所）
の支柱高さをレーザ変位計８４で測定して平均値を求め
る。このようにして柱状スペーサの支柱高さを予め測定
し、測定値に基づいて液晶滴下量を制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置の製
造方法に関し、特に、滴下注入法を用いて２枚の基板間
に液晶を封止する液晶表示装置の製造方法に関する。
造方法に関し、特に、滴下注入法を用いて２枚の基板間
に液晶を封止する液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置のなかでも、薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子として用いたアクテ
ィブマトリクス型のカラー液晶表示装置はフラットパネ
ルディスプレイの主流として注目され、高品質で大量生
産できる製造方法が要求されている。
スタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子として用いたアクテ
ィブマトリクス型のカラー液晶表示装置はフラットパネ
ルディスプレイの主流として注目され、高品質で大量生
産できる製造方法が要求されている。
【０００３】液晶表示装置の製造工程は大別すると、ガ
ラス基板上に配線パターンや薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）等のスイッチング素子（アクティブマトリクス型の
場合）等を形成するアレイ工程と、配向処理やスペーサ
の配置、及び対向するガラス基板間に液晶を封入するセ
ル工程と、ドライバＩＣの取付けやバックライト装着な
どを行うモジュール工程とからなる。
ラス基板上に配線パターンや薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）等のスイッチング素子（アクティブマトリクス型の
場合）等を形成するアレイ工程と、配向処理やスペーサ
の配置、及び対向するガラス基板間に液晶を封入するセ
ル工程と、ドライバＩＣの取付けやバックライト装着な
どを行うモジュール工程とからなる。
【０００４】このうちセル工程で行われるスペーサの配
置プロセスでは、ビーズ状の多数の球状粒子を基板面に
散布する方法と、球状粒子に代えて、対向するガラス基
板の一方または双方に柱状スペーサを形成する方法のい
ずれかが用いられる。これらの方法で形成されるスペー
サは、対向するガラス基板間のセルギャップ（セル厚）
を一定に保つために用いられる。
置プロセスでは、ビーズ状の多数の球状粒子を基板面に
散布する方法と、球状粒子に代えて、対向するガラス基
板の一方または双方に柱状スペーサを形成する方法のい
ずれかが用いられる。これらの方法で形成されるスペー
サは、対向するガラス基板間のセルギャップ（セル厚）
を一定に保つために用いられる。
【０００５】また、液晶注入プロセスでは、ＴＦＴが形
成されたアレイ基板と、それに対向してカラーフィルタ
（ＣＦ）等が形成された対向基板とをシール剤を介して
貼り合わせた後シール剤を硬化させ、次いで液晶と基板
とを真空槽に入れてシール剤に開口した注入口を液晶に
浸けてから槽内を大気圧に戻すことにより基板間に液晶
を封入する方法（真空注入法）が用いられている。
成されたアレイ基板と、それに対向してカラーフィルタ
（ＣＦ）等が形成された対向基板とをシール剤を介して
貼り合わせた後シール剤を硬化させ、次いで液晶と基板
とを真空槽に入れてシール剤に開口した注入口を液晶に
浸けてから槽内を大気圧に戻すことにより基板間に液晶
を封入する方法（真空注入法）が用いられている。
【０００６】それに対し近年、例えばアレイ基板周囲に
枠状に形成したメインシールの枠内の基板面上に規定量
の液晶を滴下し、真空中でアレイ基板と対向基板とを貼
り合せて液晶封入を行う滴下注入法が注目されている。
この滴下注入法は、従来の液晶表示パネルの製造に広く
用いられてきた真空注入法と比較して、第１に液晶材料
の使用量を大幅に低減できること、第２に液晶注入時間
を短縮できること等から、液晶表示パネル製造のコスト
を低減し量産性を向上させる可能性を有しているため、
液晶表示パネル製造工程での適用が強く望まれている。
枠状に形成したメインシールの枠内の基板面上に規定量
の液晶を滴下し、真空中でアレイ基板と対向基板とを貼
り合せて液晶封入を行う滴下注入法が注目されている。
この滴下注入法は、従来の液晶表示パネルの製造に広く
用いられてきた真空注入法と比較して、第１に液晶材料
の使用量を大幅に低減できること、第２に液晶注入時間
を短縮できること等から、液晶表示パネル製造のコスト
を低減し量産性を向上させる可能性を有しているため、
液晶表示パネル製造工程での適用が強く望まれている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】滴下注入法では、液晶
滴下注入装置（ディスペンサ）を用いて所定量の液晶を
基板上に滴下する。ところが、ディスペンサの滴下精度
やセルギャップのばらつきにより、貼り合わせる２枚の
基板間に封止される液晶量に過不足が生じるという問題
がある。封止された液晶量が不足しているといわゆる気
泡ができてしまう。また封止液晶量が多いと表示むらを
生じる。これら気泡や表示むらを生じているパネルはい
ずれも不良品となる。
滴下注入装置（ディスペンサ）を用いて所定量の液晶を
基板上に滴下する。ところが、ディスペンサの滴下精度
やセルギャップのばらつきにより、貼り合わせる２枚の
基板間に封止される液晶量に過不足が生じるという問題
がある。封止された液晶量が不足しているといわゆる気
泡ができてしまう。また封止液晶量が多いと表示むらを
生じる。これら気泡や表示むらを生じているパネルはい
ずれも不良品となる。
【０００８】セルギャップを柱状スペーサで確保する方
法では、基板上に数ミクロンの高さの樹脂製支柱を形成
するため、基板間で支柱高さ（膜厚）にばらつきが生じ
易い。基板間での支柱高さのばらつきが大きいと、ある
基板用に設定した液晶滴下量を他の基板にそのまま適用
すると、液晶量が多過ぎたり少な過ぎたりする事態を生
じる。１枚のガラス基板から複数の液晶表示パネルを形
成する多面取り用基板でも、各表示パネル形成領域間で
支柱高さにばらつきを生じる可能性がある。このため、
多面取りガラス基板内の最適液晶滴下量は各表示パネル
形成領域毎に異なる場合が生じる。
法では、基板上に数ミクロンの高さの樹脂製支柱を形成
するため、基板間で支柱高さ（膜厚）にばらつきが生じ
易い。基板間での支柱高さのばらつきが大きいと、ある
基板用に設定した液晶滴下量を他の基板にそのまま適用
すると、液晶量が多過ぎたり少な過ぎたりする事態を生
じる。１枚のガラス基板から複数の液晶表示パネルを形
成する多面取り用基板でも、各表示パネル形成領域間で
支柱高さにばらつきを生じる可能性がある。このため、
多面取りガラス基板内の最適液晶滴下量は各表示パネル
形成領域毎に異なる場合が生じる。
【０００９】また、セルギャップをビーズ散布により確
保する方法では、大きさのほぼ揃った球状粒子が使用さ
れるが、ビーズの散布数（散布密度）により貼り合わせ
る２枚の基板間に封止される最適液晶量が異なるので上
記と同様に滴下液晶量の過不足が生じる場合がある。
保する方法では、大きさのほぼ揃った球状粒子が使用さ
れるが、ビーズの散布数（散布密度）により貼り合わせ
る２枚の基板間に封止される最適液晶量が異なるので上
記と同様に滴下液晶量の過不足が生じる場合がある。
【００１０】本発明の目的は、滴下注入法において、基
板毎に最適な滴下量で液晶を滴下できる液晶表示装置の
製造方法を提供することにある。
板毎に最適な滴下量で液晶を滴下できる液晶表示装置の
製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的は、基板上に液
晶を滴下し、前記基板の液晶滴下面側を対向基板に対向
させて真空中で貼り合わせから大気圧に戻すことにより
液晶注入を行う液晶表示装置の製造方法において、液晶
を滴下する基板の状態に基づいて、貼り合わせる２枚の
基板間に封止される最適液晶量を予測し、予測値に基づ
いて滴下液晶量を制御することを特徴とする液晶表示装
置の製造方法により達成される。
晶を滴下し、前記基板の液晶滴下面側を対向基板に対向
させて真空中で貼り合わせから大気圧に戻すことにより
液晶注入を行う液晶表示装置の製造方法において、液晶
を滴下する基板の状態に基づいて、貼り合わせる２枚の
基板間に封止される最適液晶量を予測し、予測値に基づ
いて滴下液晶量を制御することを特徴とする液晶表示装
置の製造方法により達成される。
【００１２】上記本発明の液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記最適液晶量は、前記２枚の基板間のセル厚を
決定するために設けられた柱状スペーサの高さを測定し
て予測することを特徴とする。
いて、前記最適液晶量は、前記２枚の基板間のセル厚を
決定するために設けられた柱状スペーサの高さを測定し
て予測することを特徴とする。
【００１３】上記本発明の液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記最適液晶量は、前記２枚の基板間のセル厚を
決定するために散布された球状粒子の散布密度を測定し
て予測することを特徴とする。
いて、前記最適液晶量は、前記２枚の基板間のセル厚を
決定するために散布された球状粒子の散布密度を測定し
て予測することを特徴とする。
【００１４】上記本発明の液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記最適液晶量の予測は、多面取り基板にあって
はパネル形成領域毎に行うことを特徴とする。
いて、前記最適液晶量の予測は、多面取り基板にあって
はパネル形成領域毎に行うことを特徴とする。
【００１５】上記本発明の液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記最適液晶量の予測は、前記２枚の基板の一方
にメインシールを形成する工程と並行に行われることを
特徴とする。
いて、前記最適液晶量の予測は、前記２枚の基板の一方
にメインシールを形成する工程と並行に行われることを
特徴とする。
【００１６】上記本発明の液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記最適液晶量の予測は、前記液晶を滴下する基
板ステージ上で行うことを特徴とする。
いて、前記最適液晶量の予測は、前記液晶を滴下する基
板ステージ上で行うことを特徴とする。
【００１７】本発明によれば、滴下注入法を用いる液晶
表示装置の製造方法において、柱状スペーサの支柱高さ
を測定し、その測定値に基づいて最適液晶量を滴下する
ことができる。また、球状粒子を散布する場合は、その
散布密度を測定してそれに基づいて最適液晶量を滴下す
ることができる。したがって、本発明によれば、液晶表
示パネル毎に最適な液晶量を滴下でき、液晶量の不足に
よるいわゆる気泡や液晶量の過多による表示むらをなく
すことができ、安定した量産が可能となる。
表示装置の製造方法において、柱状スペーサの支柱高さ
を測定し、その測定値に基づいて最適液晶量を滴下する
ことができる。また、球状粒子を散布する場合は、その
散布密度を測定してそれに基づいて最適液晶量を滴下す
ることができる。したがって、本発明によれば、液晶表
示パネル毎に最適な液晶量を滴下でき、液晶量の不足に
よるいわゆる気泡や液晶量の過多による表示むらをなく
すことができ、安定した量産が可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態による液晶
表示装置の製造方法を図１乃至図１１を用いて説明す
る。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の製造方
法で用いるＣＦ基板の構成例であって、ＭＶＡ方式（Ｍ
ｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇ
ｎｍｅｎｔ）液晶表示装置で用いられるＣＦ基板を示し
ている。このＣＦ基板は、樹脂重ねによりブラックマト
リクス（ＢＭ）を形成する際に、さらに突起構造を重ね
てスペーサを兼ねる支柱を設けたスペーサレスＣＦの一
例である。
表示装置の製造方法を図１乃至図１１を用いて説明す
る。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の製造方
法で用いるＣＦ基板の構成例であって、ＭＶＡ方式（Ｍ
ｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇ
ｎｍｅｎｔ）液晶表示装置で用いられるＣＦ基板を示し
ている。このＣＦ基板は、樹脂重ねによりブラックマト
リクス（ＢＭ）を形成する際に、さらに突起構造を重ね
てスペーサを兼ねる支柱を設けたスペーサレスＣＦの一
例である。
【００１９】図１（ａ）において、斜線を付した部分は
それぞれ色樹脂Ｒ、Ｇ、Ｂが形成されてカラーフィルタ
として機能する部分である。それ以外の部分は色樹脂が
重ね合わされてブラックマトリクスＢＭとして機能す
る。その上に突起２０、２０ｃが形成される。図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図であ
る。図１（ｂ）より、ガラス基板２２上に色樹脂Ｒ、
Ｇ、Ｂが形成されるが、横方向の各画素間では２色の色
樹脂が重ね合わされてブラックマトリクスＢＭが形成さ
れている。また、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ’線
における断面図である。格子点を除く部分は２色の樹脂
が重ね合わされてブラックマトリクスＢＭとなっている
が、格子点においては、３色の色樹脂が重ね合わされ、
さらに、突起２０の一部である突起２０ｃが重ね合わさ
れ、その部分が柱状スペーサ（支柱）として機能してい
る。
それぞれ色樹脂Ｒ、Ｇ、Ｂが形成されてカラーフィルタ
として機能する部分である。それ以外の部分は色樹脂が
重ね合わされてブラックマトリクスＢＭとして機能す
る。その上に突起２０、２０ｃが形成される。図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図であ
る。図１（ｂ）より、ガラス基板２２上に色樹脂Ｒ、
Ｇ、Ｂが形成されるが、横方向の各画素間では２色の色
樹脂が重ね合わされてブラックマトリクスＢＭが形成さ
れている。また、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ’線
における断面図である。格子点を除く部分は２色の樹脂
が重ね合わされてブラックマトリクスＢＭとなっている
が、格子点においては、３色の色樹脂が重ね合わされ、
さらに、突起２０の一部である突起２０ｃが重ね合わさ
れ、その部分が柱状スペーサ（支柱）として機能してい
る。
【００２０】次に、本実施の形態による液晶表示装置の
製造方法で用いるフランジャーポンプ式のディスペンサ
の概略の構成について図２を用いて説明する。図２にお
いて、ディスペンサ３０は、中空の円筒形状の筐体３２
を有しており、円筒形状の中心軸をほぼ鉛直方向に向け
て使用するようになっている。筐体３２内には、円筒形
状の中心軸に沿って細長い棒状のピストン３４が鉛直方
向に移動可能に支持されている。ピストン３４の先端部
は、筐体３２の鉛直下方端に設けられたノズル３６内方
を移動することができるようになっている。筐体３２の
ノズル３６近傍の側壁の開口からは、液晶収納容器３８
内の液晶が供給管４０を介して図示の矢印に沿ってノズ
ル３６にまで流入できるようになっている。ノズル３６
内に達した液晶は、ノズル３６でのピストン３４先端の
移動量に依存してノズル３６から滴下するようになって
おり、外力を受けない限り液晶自身の表面張力によりノ
ズル３６から吐出しないようになっている。
製造方法で用いるフランジャーポンプ式のディスペンサ
の概略の構成について図２を用いて説明する。図２にお
いて、ディスペンサ３０は、中空の円筒形状の筐体３２
を有しており、円筒形状の中心軸をほぼ鉛直方向に向け
て使用するようになっている。筐体３２内には、円筒形
状の中心軸に沿って細長い棒状のピストン３４が鉛直方
向に移動可能に支持されている。ピストン３４の先端部
は、筐体３２の鉛直下方端に設けられたノズル３６内方
を移動することができるようになっている。筐体３２の
ノズル３６近傍の側壁の開口からは、液晶収納容器３８
内の液晶が供給管４０を介して図示の矢印に沿ってノズ
ル３６にまで流入できるようになっている。ノズル３６
内に達した液晶は、ノズル３６でのピストン３４先端の
移動量に依存してノズル３６から滴下するようになって
おり、外力を受けない限り液晶自身の表面張力によりノ
ズル３６から吐出しないようになっている。
【００２１】筐体３２内の空気室の側壁には、鉛直方向
に離れて設けられた２つの空気流入口４２、４４が取り
付けられている。ピストン３４には、空気室内を２つに
分離する隔壁４６が固定されている。隔壁４６は、ピス
トン３４と共に、空気流入口４２、４４の間の空気室内
壁を摺動することができるようになっている。したがっ
て、隔壁４６は、空気流入口４２から空気室内に空気が
流入すると鉛直下方に圧力を受けて下方に移動し、空気
流入口４４から空気室内に空気が流入すると鉛直上方に
圧力を受けて上方に移動する。これにより、ピストン３
４を鉛直方向に所定量移動させることができるようにな
っている。
に離れて設けられた２つの空気流入口４２、４４が取り
付けられている。ピストン３４には、空気室内を２つに
分離する隔壁４６が固定されている。隔壁４６は、ピス
トン３４と共に、空気流入口４２、４４の間の空気室内
壁を摺動することができるようになっている。したがっ
て、隔壁４６は、空気流入口４２から空気室内に空気が
流入すると鉛直下方に圧力を受けて下方に移動し、空気
流入口４４から空気室内に空気が流入すると鉛直上方に
圧力を受けて上方に移動する。これにより、ピストン３
４を鉛直方向に所定量移動させることができるようにな
っている。
【００２２】空気流入口４２、４４は、ポンプコントロ
ーラ４８に接続されている。ポンプコントローラ４８
は、空気を吸入して所定のタイミングで空気流入口４
２、４４のいずれかに空気を送り込むようになってい
る。
ーラ４８に接続されている。ポンプコントローラ４８
は、空気を吸入して所定のタイミングで空気流入口４
２、４４のいずれかに空気を送り込むようになってい
る。
【００２３】以上説明した構成のディスペンサ３０は、
１ショット当り５ｍｇの液晶５０を滴下するようになっ
ている。なお、この１ショット当りの液晶滴下量は、筐
体３２上方に突出したピストン３４に固定されたマイク
ロゲージ５２を用いて、ピストン３４の鉛直方向の移動
量を制御することにより調整するこができるようになっ
ている。
１ショット当り５ｍｇの液晶５０を滴下するようになっ
ている。なお、この１ショット当りの液晶滴下量は、筐
体３２上方に突出したピストン３４に固定されたマイク
ロゲージ５２を用いて、ピストン３４の鉛直方向の移動
量を制御することにより調整するこができるようになっ
ている。
【００２４】次に、本発明の実施の形態による液晶表示
装置の製造方法で用いる滴下注入法の概要を図３を用い
て説明する。まず、図３（ａ）に示すように、例えば、
ＴＦＴ等のスイッチング素子が形成されたアレイ基板６
０の基板面上の複数箇所に、ディスペンサ３０（図示せ
ず）から液晶６２を滴下する。次いで、表示領域内に共
通（コモン）電極やカラーフィルタが形成され、表示領
域外周囲に紫外線（ＵＶ）照射で硬化するＵＶシール剤
６４が塗布された対向基板であるＣＦ基板６６を位置合
わせしてアレイ基板６０に貼り付ける。この工程は真空
中で行われる。次いで、貼り合わせた基板を大気中に戻
すと図３（ｂ）に示すように、貼り合わされたアレイ基
板６０とＣＦ基板６６間の液晶６２が大気圧により拡散
する。次に、図３（ｃ）に示すように、シール剤６４の
塗布領域（メインシール）に沿う移動方向６８でＵＶ光
源７０を移動させながらＵＶ光７２をシール剤６４に照
射し、シール剤６４を硬化させる。これにより、アレイ
基板６０とＣＦ基板６６との間のセルギャップ（セル
厚）が、図１で示した複数の支柱２０ｃにより確保され
た液晶表示パネルができあがる。
装置の製造方法で用いる滴下注入法の概要を図３を用い
て説明する。まず、図３（ａ）に示すように、例えば、
ＴＦＴ等のスイッチング素子が形成されたアレイ基板６
０の基板面上の複数箇所に、ディスペンサ３０（図示せ
ず）から液晶６２を滴下する。次いで、表示領域内に共
通（コモン）電極やカラーフィルタが形成され、表示領
域外周囲に紫外線（ＵＶ）照射で硬化するＵＶシール剤
６４が塗布された対向基板であるＣＦ基板６６を位置合
わせしてアレイ基板６０に貼り付ける。この工程は真空
中で行われる。次いで、貼り合わせた基板を大気中に戻
すと図３（ｂ）に示すように、貼り合わされたアレイ基
板６０とＣＦ基板６６間の液晶６２が大気圧により拡散
する。次に、図３（ｃ）に示すように、シール剤６４の
塗布領域（メインシール）に沿う移動方向６８でＵＶ光
源７０を移動させながらＵＶ光７２をシール剤６４に照
射し、シール剤６４を硬化させる。これにより、アレイ
基板６０とＣＦ基板６６との間のセルギャップ（セル
厚）が、図１で示した複数の支柱２０ｃにより確保され
た液晶表示パネルができあがる。
【００２５】ここで、セル厚と最適滴下量との関係は、
例えば図４に示すようになっている。図４は、額縁部対
角の長さが１５インチでセル厚が５μｍの液晶表示パネ
ルについて示している。これ以降の各図においても当該
液晶表示パネルを例にとって説明するものとする。図４
は、横軸に液晶の滴下量（ｍｇ）をとって最適滴下量の
範囲及び液晶量の過不足について示しており、図中ほぼ
中央に示す２５０ｍｇが最適滴下量であることを示して
いる。なお、当該液晶表示パネルでの滴下量マージン
（最適滴下量の範囲）２００は、最適滴下量の±２．０
％であり、２４５ｍｇ〜２５５ｍｇの範囲となる。滴下
量が２４５ｍｇ以下の範囲２０２では液晶量が不足し、
いわゆる気泡が生じて不良パネルとなる。また、滴下量
が２５５ｍｇを超える範囲２０４では余分の液晶が周囲
の額縁部分に押しやられ、額縁部分のセル厚の増加によ
る表示むらが生じて不良パネルとなる。
例えば図４に示すようになっている。図４は、額縁部対
角の長さが１５インチでセル厚が５μｍの液晶表示パネ
ルについて示している。これ以降の各図においても当該
液晶表示パネルを例にとって説明するものとする。図４
は、横軸に液晶の滴下量（ｍｇ）をとって最適滴下量の
範囲及び液晶量の過不足について示しており、図中ほぼ
中央に示す２５０ｍｇが最適滴下量であることを示して
いる。なお、当該液晶表示パネルでの滴下量マージン
（最適滴下量の範囲）２００は、最適滴下量の±２．０
％であり、２４５ｍｇ〜２５５ｍｇの範囲となる。滴下
量が２４５ｍｇ以下の範囲２０２では液晶量が不足し、
いわゆる気泡が生じて不良パネルとなる。また、滴下量
が２５５ｍｇを超える範囲２０４では余分の液晶が周囲
の額縁部分に押しやられ、額縁部分のセル厚の増加によ
る表示むらが生じて不良パネルとなる。
【００２６】図５は、液晶表示パネルの柱状スペーサの
支柱高さと最適液晶量との関係を示している。図５にお
いて、横軸は支柱高さ（μｍ）を表し、縦軸は最適液晶
量（ｍｇ）を表している。図５に示すように、支柱高さ
が５μｍを中心に±０．２μｍの範囲内でばらつくと、
最適液晶量は２５０ｍｇを中心に±１０ｍｇの範囲内で
ばらつく。
支柱高さと最適液晶量との関係を示している。図５にお
いて、横軸は支柱高さ（μｍ）を表し、縦軸は最適液晶
量（ｍｇ）を表している。図５に示すように、支柱高さ
が５μｍを中心に±０．２μｍの範囲内でばらつくと、
最適液晶量は２５０ｍｇを中心に±１０ｍｇの範囲内で
ばらつく。
【００２７】図４との比較から分かるように、１５イン
チパネルの場合、セル厚が５μｍであると、最適滴下量
の範囲は、支柱高さが５±０．１μｍの範囲内にある場
合に得られる。実際、支柱高さのばらつきは同一ロット
であればほぼ±０．１μｍ以内に収まっている。ところ
が、成膜条件などにより異なるロット同士の場合には、
±０．２μｍのばらつきが生じ得る。また、１枚のガラ
ス基板から複数のパネルを形成する多面取りの場合、ガ
ラス基板上の各パネル形成領域に形成される柱状スペー
サの支柱高さが各パネル形成領域間で±０．１μｍ程度
相違することがあり得る。
チパネルの場合、セル厚が５μｍであると、最適滴下量
の範囲は、支柱高さが５±０．１μｍの範囲内にある場
合に得られる。実際、支柱高さのばらつきは同一ロット
であればほぼ±０．１μｍ以内に収まっている。ところ
が、成膜条件などにより異なるロット同士の場合には、
±０．２μｍのばらつきが生じ得る。また、１枚のガラ
ス基板から複数のパネルを形成する多面取りの場合、ガ
ラス基板上の各パネル形成領域に形成される柱状スペー
サの支柱高さが各パネル形成領域間で±０．１μｍ程度
相違することがあり得る。
【００２８】支柱高さの相違に対する最適滴下量の範囲
は例えば図６に示すようになる。図６の横軸は滴下量
（ｍｇ）を表している。図６において、支柱高さが５μ
ｍの場合の最適滴下範囲２１０は、２４５ｍｇ〜２５５
ｍｇである。これは、図４に示した最適滴下量の範囲２
００と同一である。これに対し支柱高さが４．９μｍの
場合の最適滴下範囲２１２は２４０〜２５０ｍｇであ
る。また、支柱高さが５．１μｍの場合の最適滴下範囲
２１４は２５０〜２６０ｍｇである。
は例えば図６に示すようになる。図６の横軸は滴下量
（ｍｇ）を表している。図６において、支柱高さが５μ
ｍの場合の最適滴下範囲２１０は、２４５ｍｇ〜２５５
ｍｇである。これは、図４に示した最適滴下量の範囲２
００と同一である。これに対し支柱高さが４．９μｍの
場合の最適滴下範囲２１２は２４０〜２５０ｍｇであ
る。また、支柱高さが５．１μｍの場合の最適滴下範囲
２１４は２５０〜２６０ｍｇである。
【００２９】液晶の滴下量が支柱高さ５μｍ用に設定し
てあるとして、実際に液晶滴下する基板の支柱高さが、
図６に示すように４．９μｍであったり５．１μｍであ
ったりすると次のような問題が生じる。すなわち、最適
滴下範囲２１２の基板に最大許容滴下量の２５０ｍｇを
越える範囲（矢印２１６で示す）の液晶が滴下されると
液晶過多が生じる。あるいは、最適滴下範囲２１４の基
板に最小許容滴下量の２５０ｍｇより少ない範囲（矢印
２１８で示す）の液晶が滴下されると液晶不足が生じ
る。
てあるとして、実際に液晶滴下する基板の支柱高さが、
図６に示すように４．９μｍであったり５．１μｍであ
ったりすると次のような問題が生じる。すなわち、最適
滴下範囲２１２の基板に最大許容滴下量の２５０ｍｇを
越える範囲（矢印２１６で示す）の液晶が滴下されると
液晶過多が生じる。あるいは、最適滴下範囲２１４の基
板に最小許容滴下量の２５０ｍｇより少ない範囲（矢印
２１８で示す）の液晶が滴下されると液晶不足が生じ
る。
【００３０】このように、支柱高さに対して滴下量が
２．０％以上違うと不良が発生する。換言すれば、支柱
高さが０．１μｍ違うとすれば、５μｍのセル厚に対し
２％の狂いが生じる。セル厚が５μｍであると仮定して
液晶の滴下量を固定してしまうと、基板毎の支柱高さの
ばらつきを吸収できるマージンが全くないためディスペ
ンサ等の他の要素が原因で液晶滴下量がばらついたらパ
ネル不良が生じてしまう。
２．０％以上違うと不良が発生する。換言すれば、支柱
高さが０．１μｍ違うとすれば、５μｍのセル厚に対し
２％の狂いが生じる。セル厚が５μｍであると仮定して
液晶の滴下量を固定してしまうと、基板毎の支柱高さの
ばらつきを吸収できるマージンが全くないためディスペ
ンサ等の他の要素が原因で液晶滴下量がばらついたらパ
ネル不良が生じてしまう。
【００３１】そこで、本実施の形態では、図３を用いて
説明した滴下注入工程において、柱状スペーサの支柱高
さを予め測定し、測定値に基づいて液晶滴下量を制御で
きるようにしている。
説明した滴下注入工程において、柱状スペーサの支柱高
さを予め測定し、測定値に基づいて液晶滴下量を制御で
きるようにしている。
【００３２】図７は、支柱高さを測定する方法を例示し
ている。図７は、１枚のガラス基板８０から２枚の液晶
表示パネル８２を作製する２面取りの場合を示してい
る。例えば柱状スペーサが形成された２枚のＣＦ基板８
２を図示のようにＡ面、Ｂ面として、Ａ面とＢ面のそれ
ぞれで、複数点（図示例では数字１〜数字５の５箇所）
の支柱高さをレーザ変位計８４で測定して平均値を求め
る。なお、ＣＦ基板面は所定の配向処理等が既に施され
ている。
ている。図７は、１枚のガラス基板８０から２枚の液晶
表示パネル８２を作製する２面取りの場合を示してい
る。例えば柱状スペーサが形成された２枚のＣＦ基板８
２を図示のようにＡ面、Ｂ面として、Ａ面とＢ面のそれ
ぞれで、複数点（図示例では数字１〜数字５の５箇所）
の支柱高さをレーザ変位計８４で測定して平均値を求め
る。なお、ＣＦ基板面は所定の配向処理等が既に施され
ている。
【００３３】次に、配向処理後のＴＦＴ基板側には熱併
用型のＵＶシール剤を塗布する。次いで、図７に示した
方法で予め測定されたＣＦ基板側の支柱高さに基づい
て、ＴＦＴ基板側に滴下する液晶の量を制御する。
用型のＵＶシール剤を塗布する。次いで、図７に示した
方法で予め測定されたＣＦ基板側の支柱高さに基づい
て、ＴＦＴ基板側に滴下する液晶の量を制御する。
【００３４】液晶滴下には、図８に示すように、ディス
ペンサを２台用意する。一方のディスペンサ９０は、図
２で説明したものと同一であり、１ショット当たり５ｍ
ｇの液晶を滴下するように調整されている。他方のディ
スペンサ９２は、ディスペンサ９０と同一構造を有して
いるが、マイクロゲージ５２を調節して１ショット当た
り２ｍｇの液晶を滴下するように調整されている。
ペンサを２台用意する。一方のディスペンサ９０は、図
２で説明したものと同一であり、１ショット当たり５ｍ
ｇの液晶を滴下するように調整されている。他方のディ
スペンサ９２は、ディスペンサ９０と同一構造を有して
いるが、マイクロゲージ５２を調節して１ショット当た
り２ｍｇの液晶を滴下するように調整されている。
【００３５】図８に示すように、ＴＦＴ基板を形成する
ガラス基板９４も、ＣＦ基板形成用のガラス基板８０
（図７参照）と同様に、２枚のＴＦＴ基板９６を得る２
面取りの構成になっている。各ＴＦＴ基板形成する領域
８２には、外周囲に枠状に塗布したＵＶシール剤により
メインシール９８が形成されている。
ガラス基板９４も、ＣＦ基板形成用のガラス基板８０
（図７参照）と同様に、２枚のＴＦＴ基板９６を得る２
面取りの構成になっている。各ＴＦＴ基板形成する領域
８２には、外周囲に枠状に塗布したＵＶシール剤により
メインシール９８が形成されている。
【００３６】まず、ＵＶシール剤９８の枠内のＴＦＴ基
板９６を形成する面上に、１ショット５ｍｇに調整した
ディスペンサ９０を用い、予め測定したＣＦ基板側に配
置した柱状スペーサの支柱高さの平均値に基づいて所定
量の液晶１００を滴下する。例えばＣＦ基板のできあが
りの寸法測定（抜き取り）でＡ面が平均５μｍ、Ｂ面が
平均５．１μｍの支柱高さを有している場合を例にとっ
て説明する。
板９６を形成する面上に、１ショット５ｍｇに調整した
ディスペンサ９０を用い、予め測定したＣＦ基板側に配
置した柱状スペーサの支柱高さの平均値に基づいて所定
量の液晶１００を滴下する。例えばＣＦ基板のできあが
りの寸法測定（抜き取り）でＡ面が平均５μｍ、Ｂ面が
平均５．１μｍの支柱高さを有している場合を例にとっ
て説明する。
【００３７】Ａ面に対向するＴＦＴ基板が形成される面
では、標準としてディスペンサ９０により１ショット５
ｍｇの液晶を５０ショット滴下する。例えば基板毎ある
いは所定間隔での抜き取りにより柱状スペーサの支柱高
さを測定し、０．１μｍの増減ばらつきで１ショット増
加、もしくは１ショット減の制御をする。
では、標準としてディスペンサ９０により１ショット５
ｍｇの液晶を５０ショット滴下する。例えば基板毎ある
いは所定間隔での抜き取りにより柱状スペーサの支柱高
さを測定し、０．１μｍの増減ばらつきで１ショット増
加、もしくは１ショット減の制御をする。
【００３８】Ｂ面に対向するＴＦＴ基板が形成される面
では、標準としてディスペンサ９０により１ショット５
ｍｇの液晶を５１ショット滴下する。例えば基板毎ある
いは所定間隔での抜き取りにより柱状スペーサの支柱高
さを測定し、０．１μｍの増減ばらつきで１ショット増
加、もしくは１ショット減の制御をする。
では、標準としてディスペンサ９０により１ショット５
ｍｇの液晶を５１ショット滴下する。例えば基板毎ある
いは所定間隔での抜き取りにより柱状スペーサの支柱高
さを測定し、０．１μｍの増減ばらつきで１ショット増
加、もしくは１ショット減の制御をする。
【００３９】ディスペンサ９０は滴下量について±１％
のばらつきを有しているので、滴下量マージン内で滴下
するには、図６で説明した支柱高さ毎の最適滴下範囲の
中央部近くへ滴下量を制御しないと不良が発生する可能
性がある。また、１ショットの滴下量設定値が大きくて
微細な調整に不具合が生じる場合がある。そのような場
合には、滴下量の少ないディスペンサ９２で調整分の液
晶１０１を滴下して微調整する。
のばらつきを有しているので、滴下量マージン内で滴下
するには、図６で説明した支柱高さ毎の最適滴下範囲の
中央部近くへ滴下量を制御しないと不良が発生する可能
性がある。また、１ショットの滴下量設定値が大きくて
微細な調整に不具合が生じる場合がある。そのような場
合には、滴下量の少ないディスペンサ９２で調整分の液
晶１０１を滴下して微調整する。
【００４０】次いで、このようにして滴下量を制御した
ガラス基板同士を、図３（ｂ）で説明したように真空中
で貼り合わせる。大気解放時面内が真空に保たれている
ため、差圧でギャップ形成が完了する。その後、シール
剤９８にＵＶ光を照射して一次硬化し、次いでオーブン
にて熱硬化を行う。貼り合わせた２枚のガラス基板の各
面の所定位置をスクライブして切断することにより、２
枚の液晶表示パネルが得られる。
ガラス基板同士を、図３（ｂ）で説明したように真空中
で貼り合わせる。大気解放時面内が真空に保たれている
ため、差圧でギャップ形成が完了する。その後、シール
剤９８にＵＶ光を照射して一次硬化し、次いでオーブン
にて熱硬化を行う。貼り合わせた２枚のガラス基板の各
面の所定位置をスクライブして切断することにより、２
枚の液晶表示パネルが得られる。
【００４１】なお、ディスペンサのショット数が、５０
回と多いため滴下される液晶の総滴下量にばらつきがで
る可能性がある。したがって、（１）必要な全重量また
は全体積に応じた液晶を予め定量後、全液晶を滴下する
方法、または（２）パネルを重量計に設置して液晶をデ
ィスペンサで滴下しつつ、積算された重量の変化量をモ
ニタして滴下量を決める方法を含めてもよい。
回と多いため滴下される液晶の総滴下量にばらつきがで
る可能性がある。したがって、（１）必要な全重量また
は全体積に応じた液晶を予め定量後、全液晶を滴下する
方法、または（２）パネルを重量計に設置して液晶をデ
ィスペンサで滴下しつつ、積算された重量の変化量をモ
ニタして滴下量を決める方法を含めてもよい。
【００４２】次に、図９乃至図１１を用いて、本実施の
形態による液晶表示装置の製造方法で用いるインライン
プロセス装置の構成例について説明する。図９は、支柱
高さ測定とシール描画を並行して行う場合の装置構成を
示している。図９において、ＣＦ基板とＴＦＴ基板は、
共に配向処理を終えて洗浄機１２５０、１２２に搬入さ
れてそれぞれ洗浄される。洗浄されたＣＦ基板は、支柱
高さ測定装置１２４に搬送される。洗浄されたＴＦＴ基
板は、シール描画装置１２６に搬送される。
形態による液晶表示装置の製造方法で用いるインライン
プロセス装置の構成例について説明する。図９は、支柱
高さ測定とシール描画を並行して行う場合の装置構成を
示している。図９において、ＣＦ基板とＴＦＴ基板は、
共に配向処理を終えて洗浄機１２５０、１２２に搬入さ
れてそれぞれ洗浄される。洗浄されたＣＦ基板は、支柱
高さ測定装置１２４に搬送される。洗浄されたＴＦＴ基
板は、シール描画装置１２６に搬送される。
【００４３】支柱高さ測定装置１２４は、例えばレーザ
変位計を備えている。ＣＦ基板に形成された柱状スペー
サの複数点の支柱高さが測定され、その平均値が支柱高
さ測定結果として液晶滴下装置１２８に与えられる。一
方、シール描画装置１２６は、図２に示したディスペン
サと同様の構造・機能を有しており、ＵＶシール剤をＴ
ＦＴ基板の外周囲に枠状に描画してメインシールを形成
する。メインシールの形成されたＴＦＴ基板は、液晶滴
下装置１２８に搬送される。
変位計を備えている。ＣＦ基板に形成された柱状スペー
サの複数点の支柱高さが測定され、その平均値が支柱高
さ測定結果として液晶滴下装置１２８に与えられる。一
方、シール描画装置１２６は、図２に示したディスペン
サと同様の構造・機能を有しており、ＵＶシール剤をＴ
ＦＴ基板の外周囲に枠状に描画してメインシールを形成
する。メインシールの形成されたＴＦＴ基板は、液晶滴
下装置１２８に搬送される。
【００４４】液晶滴下装置１２８は、図２に示したディ
スペンサを有し、ＣＦ基板での支柱高さの測定結果に基
づく所定量の液晶をＴＦＴ基板のメインシール内に滴下
する。次いで、ＣＦ基板とＴＦＴ基板は真空貼り合わせ
装置１３０に搬送されて所定のセルギャップを保って貼
り合わされ、ＵＶ硬化装置１３２にて硬化処理を受けた
後下流装置へ搬送される。
スペンサを有し、ＣＦ基板での支柱高さの測定結果に基
づく所定量の液晶をＴＦＴ基板のメインシール内に滴下
する。次いで、ＣＦ基板とＴＦＴ基板は真空貼り合わせ
装置１３０に搬送されて所定のセルギャップを保って貼
り合わされ、ＵＶ硬化装置１３２にて硬化処理を受けた
後下流装置へ搬送される。
【００４５】次に、図１０を用いて本実施の形態による
液晶表示装置の製造方法で用いるインラインプロセス装
置の他の構成例について説明する。図１０は、支柱高さ
測定とシール描画を同一の基板でほぼ同時に行う場合の
装置構成を示している。図１０において、洗浄されたＣ
Ｆ基板は、支柱高さ測定及びシール描画装置１２５に搬
入され、支柱高さの測定とシール描画がほぼ同時に行わ
れる。シール描画は、基板面の起伏をレーザ変位計で監
視しながら行われるので、当該レーザ変位計を支柱高さ
の測定にも用いるようにしている。したがって、洗浄さ
れたＴＦＴ基板は、シール描画されることなくそのまま
液晶滴下装置１２８に挿入される。この場合には、ＣＦ
基板にシール描画が行われる。図１０の構成によれば、
ＴＦＴ基板側のシール描画装置が省略できるので、装置
の設置スペースを減らすことができる。
液晶表示装置の製造方法で用いるインラインプロセス装
置の他の構成例について説明する。図１０は、支柱高さ
測定とシール描画を同一の基板でほぼ同時に行う場合の
装置構成を示している。図１０において、洗浄されたＣ
Ｆ基板は、支柱高さ測定及びシール描画装置１２５に搬
入され、支柱高さの測定とシール描画がほぼ同時に行わ
れる。シール描画は、基板面の起伏をレーザ変位計で監
視しながら行われるので、当該レーザ変位計を支柱高さ
の測定にも用いるようにしている。したがって、洗浄さ
れたＴＦＴ基板は、シール描画されることなくそのまま
液晶滴下装置１２８に挿入される。この場合には、ＣＦ
基板にシール描画が行われる。図１０の構成によれば、
ＴＦＴ基板側のシール描画装置が省略できるので、装置
の設置スペースを減らすことができる。
【００４６】次に、図１１を用いて本実施の形態による
液晶表示装置の製造方法で用いるインラインプロセス装
置のさらに他の構成例について説明する。図１１は、支
柱高さ測定と液晶滴下をほぼ同時に行う場合の装置構成
を示している。図１１において、洗浄されたＣＦ基板
は、支柱高さ測定及び液晶滴下装置１２９に搬送され
る。また、シール描画装置１２６でシール描画がなされ
たＴＦＴ基板も支柱高さ測定及び液晶滴下装置１２９に
搬入される。
液晶表示装置の製造方法で用いるインラインプロセス装
置のさらに他の構成例について説明する。図１１は、支
柱高さ測定と液晶滴下をほぼ同時に行う場合の装置構成
を示している。図１１において、洗浄されたＣＦ基板
は、支柱高さ測定及び液晶滴下装置１２９に搬送され
る。また、シール描画装置１２６でシール描画がなされ
たＴＦＴ基板も支柱高さ測定及び液晶滴下装置１２９に
搬入される。
【００４７】支柱高さ測定及び液晶滴下装置１２９は、
ディスペンサに加え、支柱高測定用の小型のレーザ変位
計が液晶滴下のＸＹステージに組み込まれている。した
がって、支柱高さ測定及び液晶滴下装置１２９では、Ｃ
Ｆ基板上の柱状スペーサの支柱高さの測定値に基づく所
定量の液晶をＣＦ基板またはＴＦＴ基板に滴下する。図
１１の構成によっても、装置の設置スペースを減らすこ
とができる。
ディスペンサに加え、支柱高測定用の小型のレーザ変位
計が液晶滴下のＸＹステージに組み込まれている。した
がって、支柱高さ測定及び液晶滴下装置１２９では、Ｃ
Ｆ基板上の柱状スペーサの支柱高さの測定値に基づく所
定量の液晶をＣＦ基板またはＴＦＴ基板に滴下する。図
１１の構成によっても、装置の設置スペースを減らすこ
とができる。
【００４８】以上の過程で作製された液晶表示パネル
は、支柱高さに応じて液晶量が決定されている。そのた
め、液晶の不足によるいわゆる気泡や過多によるギャッ
プ不良は全く発生しないことになるので、極めて安定し
た表示品質を保つことができるようになる。また、製作
日が異なるＣＦ基板を混在してプロセス上に流すこと
は、従来では不良の発生を意味していたが、本実施の形
態によれば、その制約がなくなるだけでなく、同一ロッ
ト内での最適滴下量の変動や、多面取り用ガラス基板面
内での最適滴下量の変動を全て吸収できるので、滴下注
入法による液晶表示装置の量産に対応できるようにな
る。
は、支柱高さに応じて液晶量が決定されている。そのた
め、液晶の不足によるいわゆる気泡や過多によるギャッ
プ不良は全く発生しないことになるので、極めて安定し
た表示品質を保つことができるようになる。また、製作
日が異なるＣＦ基板を混在してプロセス上に流すこと
は、従来では不良の発生を意味していたが、本実施の形
態によれば、その制約がなくなるだけでなく、同一ロッ
ト内での最適滴下量の変動や、多面取り用ガラス基板面
内での最適滴下量の変動を全て吸収できるので、滴下注
入法による液晶表示装置の量産に対応できるようにな
る。
【００４９】本発明は、上記実施の形態に限らず種々の
変形が可能である。たとえば、上記実施の形態では柱状
スペーサをＣＦ基板側に設けているが、それに限らずＴ
ＦＴ基板側に設けてもよく、また、ＣＦ基板とＴＦＴ基
板の双方に設けるようにしてもよい。
変形が可能である。たとえば、上記実施の形態では柱状
スペーサをＣＦ基板側に設けているが、それに限らずＴ
ＦＴ基板側に設けてもよく、また、ＣＦ基板とＴＦＴ基
板の双方に設けるようにしてもよい。
【００５０】また、セル厚を柱状スペーサにより確保す
る例で説明したが、本発明はそれに限らず、片方基板に
ビーズを散布してセル厚を確保する方法にも同様に適用
可能である。ビーズ散布の場合には、従来から他目的で
測定しているビーズの散布密度を滴下量制御にフィード
バックさせ、散布密度に基づいて所定量の液晶を滴下す
るようにすれば上記実施の形態と同様の効果を得ること
ができる。
る例で説明したが、本発明はそれに限らず、片方基板に
ビーズを散布してセル厚を確保する方法にも同様に適用
可能である。ビーズ散布の場合には、従来から他目的で
測定しているビーズの散布密度を滴下量制御にフィード
バックさせ、散布密度に基づいて所定量の液晶を滴下す
るようにすれば上記実施の形態と同様の効果を得ること
ができる。
【００５１】
【発明の効果】以上の通り本発明によれば、液晶表示パ
ネル毎に最適な液晶量を滴下できるので、いわゆる気泡
や液晶過多によるギャップ不良をなくすことができ、安
定した量産が可能となる。したがって、本発明によれ
は、滴下注入プロセスによる不良を低減させて、現行の
真空注入プロセス並みの歩留りを達成できるようにな
る。また、滴下注入法の適用による工程の簡略化による
コスト低減を図ることができる。
ネル毎に最適な液晶量を滴下できるので、いわゆる気泡
や液晶過多によるギャップ不良をなくすことができ、安
定した量産が可能となる。したがって、本発明によれ
は、滴下注入プロセスによる不良を低減させて、現行の
真空注入プロセス並みの歩留りを達成できるようにな
る。また、滴下注入法の適用による工程の簡略化による
コスト低減を図ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の製
造方法で用いるＣＦ基板の構成例を示す図である。
造方法で用いるＣＦ基板の構成例を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の製
造方法で用いるディスペンサの説明図である。
造方法で用いるディスペンサの説明図である。
【図３】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の製
造方法で用いる滴下注入法の説明図である。
造方法で用いる滴下注入法の説明図である。
【図４】最適滴下量の範囲と液晶量の過不足の説明図で
ある。
ある。
【図５】支柱高さと最適液晶量との関係図である。
【図６】各種の支柱高さに対する最適滴下量の範囲の説
明図である。
明図である。
【図７】高さ測定の説明図である。
【図８】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の製
造方法で用いる滴下注入法における滴下量制御の説明図
である。
造方法で用いる滴下注入法における滴下量制御の説明図
である。
【図９】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の製
造方法で用いるインラインプロセス装置の構成例を示す
図である。
造方法で用いるインラインプロセス装置の構成例を示す
図である。
【図１０】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の
製造方法で用いるインラインプロセス装置の他の構成例
を示す図である。
製造方法で用いるインラインプロセス装置の他の構成例
を示す図である。
【図１１】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の
製造方法で用いるインラインプロセス装置のさらに他の
構成例を示す図である。
製造方法で用いるインラインプロセス装置のさらに他の
構成例を示す図である。
２０ 突起 ２０ｃ 突起（支柱） ３０ ディスペンサ ３２ 筐体 ３４ ピストン ３６ ノズル ３８ 液晶収容器 ４０ 供給管 ４２、４４ 空気流入口 ４６ 隔壁 ４８ ポンプコントローラ ５０ 液晶 ５２ マイクロゲージ ６０ アレイ基板（ＴＦＴ基板） ６２ 液晶 ６４ ＵＶシール剤 ６６ ＣＦ基板 ６８ 移動方向 ７０ ＵＶ光源 ７２ ＵＶ光 ８０ ガラス基板 ８２ パネル（ＣＦ基板）となる基板面 ８４ レーザ変位計 ９０、９２ ディスペンサ ９４ ガラス基板 ９６ ＴＦＴ基板となる基板面 ９８ ＵＶシール剤 １００、１０１ 液晶 １２０、１２２ 洗浄機 １２４ 支柱高さ測定装置 １２５ 支柱高さ測定及びシール描画装置 １２６ シール描画装置 １２８ 液晶滴下装置 １２９ 支柱高さ測定及び液晶滴下装置 １３０ 真空貼り合わせ装置 １３２ ＵＶ硬化装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 徳道 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 井上 弘康 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 FA09 FA11 FA20 MA16 MA17 2H089 NA22 NA32 NA33 NA42 NA44 NA45 NA55 NA60 QA16
Claims (6)
- 【請求項１】基板上に液晶を滴下し、前記基板の液晶滴
下面側を対向基板に対向させて真空中で貼り合わせから
大気圧に戻すことにより液晶注入を行う液晶表示装置の
製造方法において、 液晶を滴下する基板の状態に基づいて、貼り合わせる２
枚の基板間に封止される最適液晶量を予測し、予測値に
基づいて滴下液晶量を制御することを特徴とする液晶表
示装置の製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の液晶表示装置の製造方法に
おいて、 前記最適液晶量は、前記２枚の基板間のセル厚を決定す
るために設けられた柱状スペーサの高さを測定して予測
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３】請求項１記載の液晶表示装置の製造方法に
おいて、 前記最適液晶量は、前記２枚の基板間のセル厚を決定す
るために散布された球状粒子の散布密度を測定して予測
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液
晶表示装置の製造方法において、 前記最適液晶量の予測は、多面取り基板にあってはパネ
ル形成領域毎に行うことを特徴とする液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項５】請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液
晶表示装置の製造方法において、 前記最適液晶量の予測は、前記２枚の基板の一方にメイ
ンシールを形成する工程と並行に行われることを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液
晶表示装置の製造方法において、 前記最適液晶量の予測は、前記液晶を滴下する基板ステ
ージ上で行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方
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