JPH112817A - 液晶素子の製造方法及び微粒子散布装置 - Google Patents
液晶素子の製造方法及び微粒子散布装置Info
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- JPH112817A JPH112817A JP15421797A JP15421797A JPH112817A JP H112817 A JPH112817 A JP H112817A JP 15421797 A JP15421797 A JP 15421797A JP 15421797 A JP15421797 A JP 15421797A JP H112817 A JPH112817 A JP H112817A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶素子
の製造方法において、セルギャップを保持するためのス
ペーサー及び上下基板を点接着するための接着剤粒子と
いった微粒子を大気圧等の変動による影響を防止して均
一に基板上に散布する。 【解決手段】 微粒子を揮発性分散媒に分散してなる分
散液１０をスプレー散布する装置に、大気圧測定装置２
１及び分散液の液温測定装置２３を配備し、これらの装
置による測定結果に基づいて上記分散液の散布条件、例
えばスプレーノズル１１の移動速度や移動パターンを補
正する。
の製造方法において、セルギャップを保持するためのス
ペーサー及び上下基板を点接着するための接着剤粒子と
いった微粒子を大気圧等の変動による影響を防止して均
一に基板上に散布する。 【解決手段】 微粒子を揮発性分散媒に分散してなる分
散液１０をスプレー散布する装置に、大気圧測定装置２
１及び分散液の液温測定装置２３を配備し、これらの装
置による測定結果に基づいて上記分散液の散布条件、例
えばスプレーノズル１１の移動速度や移動パターンを補
正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カラーテレビ、パ
ーソナルコンピュータ、パチンコ遊戯台等に使用される
液晶素子の製造方法、特に基板間の距離を制御するため
のスペーサーや上下基板を接着するための接着剤ビーズ
等を散布する工程、及び該工程において用いられる微粒
子散布装置に関する発明である。
ーソナルコンピュータ、パチンコ遊戯台等に使用される
液晶素子の製造方法、特に基板間の距離を制御するため
のスペーサーや上下基板を接着するための接着剤ビーズ
等を散布する工程、及び該工程において用いられる微粒
子散布装置に関する発明である。
【０００２】
【従来の技術】ディスプレイとして広く用いられている
液晶素子は、基本的に一対の基板間に液晶を挟持してな
るが、該基板間の間隔（セルギャップ）を保持するため
には、通常、ガラスファイバー、アルミナビーズ、プラ
スチックビーズ、シリカビーズ等のスペーサーを基板間
に介在せしめている。
液晶素子は、基本的に一対の基板間に液晶を挟持してな
るが、該基板間の間隔（セルギャップ）を保持するため
には、通常、ガラスファイバー、アルミナビーズ、プラ
スチックビーズ、シリカビーズ等のスペーサーを基板間
に介在せしめている。
【０００３】一方、近年液晶素子の大面積化に対する要
求が高く、セルギャップの均一性が重要視される中で、
均一なセルギャップを実現させるため、例えばエポキシ
樹脂からなる接着剤ビーズを基板上に散布して上下基板
を接着させている。
求が高く、セルギャップの均一性が重要視される中で、
均一なセルギャップを実現させるため、例えばエポキシ
樹脂からなる接着剤ビーズを基板上に散布して上下基板
を接着させている。
【０００４】上記スペーサーや接着剤ビーズといった微
粒子を基板間に介在させる方法としては、上下基板を貼
り合わせる前に、一方の基板にスピンコート法やスプレ
ー散布法等により散布させる方法が一般的である。中で
も、量産性及び大型の基板に対する難易度の面からスプ
レー散布法が広く行なわれている。
粒子を基板間に介在させる方法としては、上下基板を貼
り合わせる前に、一方の基板にスピンコート法やスプレ
ー散布法等により散布させる方法が一般的である。中で
も、量産性及び大型の基板に対する難易度の面からスプ
レー散布法が広く行なわれている。
【０００５】このスプレー散布法とは、上記微粒子をア
ルコールやフロン等の揮発性分散媒に所定の割合で混合
してなる分散液を、スプレーを用いて基板上に噴霧し、
その後、揮発性分散媒を蒸発させることにより、上記微
粒子のみを基板上に存在せしめる方法である。特に、上
記分散液の取り込みがサクション方式である二流体スプ
レーノズルにマスフローコントローラーを介してＮ2 ガ
スを定量供給し、定位置に設置した容器から微粒子の分
散液を吸い上げて噴霧する方法が多く採用されている。
スプレー散布方法では、分散液中の微粒子濃度を均一に
保つため、該分散液の撹拌が必要となり、スターラー撹
拌もしくは超音波洗浄を用いた超音波撹拌等の撹拌手段
が散布装置に装備されている。
ルコールやフロン等の揮発性分散媒に所定の割合で混合
してなる分散液を、スプレーを用いて基板上に噴霧し、
その後、揮発性分散媒を蒸発させることにより、上記微
粒子のみを基板上に存在せしめる方法である。特に、上
記分散液の取り込みがサクション方式である二流体スプ
レーノズルにマスフローコントローラーを介してＮ2 ガ
スを定量供給し、定位置に設置した容器から微粒子の分
散液を吸い上げて噴霧する方法が多く採用されている。
スプレー散布方法では、分散液中の微粒子濃度を均一に
保つため、該分散液の撹拌が必要となり、スターラー撹
拌もしくは超音波洗浄を用いた超音波撹拌等の撹拌手段
が散布装置に装備されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記した従来のスプレ
ー散布方法においては、工程中の大気圧変動及び分散液
の液温変動により、微粒子の散布密度が変動するという
問題があった。この問題は、スプレーノズルの先端部の
高さと、分散液の液面の高さを相対的に一定に保つため
に該液面の高さを制御する手段を備えた散布装置におい
ても生じていた。
ー散布方法においては、工程中の大気圧変動及び分散液
の液温変動により、微粒子の散布密度が変動するという
問題があった。この問題は、スプレーノズルの先端部の
高さと、分散液の液面の高さを相対的に一定に保つため
に該液面の高さを制御する手段を備えた散布装置におい
ても生じていた。
【０００７】本発明は、上記問題を解決し、大気圧や分
散液の液温変動による微粒子の散布密度変動を防止し、
微粒子の均一なスプレー分散を実現することにある。
散液の液温変動による微粒子の散布密度変動を防止し、
微粒子の均一なスプレー分散を実現することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第一は、一対の
基板間に液晶を挟持してなる液晶素子の製造方法であっ
て、一方の基板上にスペーサー及び／又は接着剤ビーズ
を揮発性分散媒に分散してなる分散液をスプレー散布す
る工程を有し、該工程において、大気圧及び分散液の液
温を測定し、その測定結果によって上記分散液の散布条
件を補正することを特徴とする液晶素子の製造方法であ
る。
基板間に液晶を挟持してなる液晶素子の製造方法であっ
て、一方の基板上にスペーサー及び／又は接着剤ビーズ
を揮発性分散媒に分散してなる分散液をスプレー散布す
る工程を有し、該工程において、大気圧及び分散液の液
温を測定し、その測定結果によって上記分散液の散布条
件を補正することを特徴とする液晶素子の製造方法であ
る。
【０００９】また本発明の第二は、一対の基板間に液晶
を挟持してなる液晶素子の製造工程において、一方の基
板上にスペーサー及び／又は接着剤ビーズを揮発性分散
媒に分散してなる分散液をスプレー散布する微粒子散布
装置であって、大気圧測定手段及び上記分散液の液温測
定手段を備え、該手段における測定結果によって上記分
散液の散布条件を補正する手段を備えたことを特徴とす
る微粒子散布装置である。
を挟持してなる液晶素子の製造工程において、一方の基
板上にスペーサー及び／又は接着剤ビーズを揮発性分散
媒に分散してなる分散液をスプレー散布する微粒子散布
装置であって、大気圧測定手段及び上記分散液の液温測
定手段を備え、該手段における測定結果によって上記分
散液の散布条件を補正する手段を備えたことを特徴とす
る微粒子散布装置である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明を具体
的に示す。
的に示す。
【００１１】図１は本発明の微粒子散布装置の一実施形
態を示す模式図である。図中、１０はスペーサー及び／
又は接着剤ビーズの微粒子を揮発性分散媒（例えばイソ
プロピルアルコール）に分散させてなる揮発性の分散
液、１１は分散液の取り込みがサクション方式である二
流体スプレーノズル、１２は分散液を入れた容器、１３
は容器１２内の液面を検出する手段である、高さが固定
された光電センサー、１４は容器１２内の液面を一定に
保つ手段である昇降機の駆動部、１５は微粒子を散布す
る基板、１６はスプレーノズルから噴霧された微粒子、
１７はスプレーノズル１１にＮ2 ガスを送る配管、１８
はスプレーノズル１７に分散液１０を送る配管、１９は
昇降機の制御部、２０はスプレーノズル１７にＮ2 ガス
を定量供給するマスフローコントローラー、２１は大気
圧測定装置、２２はＮＣ制御部、２３は分散液の液温測
定装置である。
態を示す模式図である。図中、１０はスペーサー及び／
又は接着剤ビーズの微粒子を揮発性分散媒（例えばイソ
プロピルアルコール）に分散させてなる揮発性の分散
液、１１は分散液の取り込みがサクション方式である二
流体スプレーノズル、１２は分散液を入れた容器、１３
は容器１２内の液面を検出する手段である、高さが固定
された光電センサー、１４は容器１２内の液面を一定に
保つ手段である昇降機の駆動部、１５は微粒子を散布す
る基板、１６はスプレーノズルから噴霧された微粒子、
１７はスプレーノズル１１にＮ2 ガスを送る配管、１８
はスプレーノズル１７に分散液１０を送る配管、１９は
昇降機の制御部、２０はスプレーノズル１７にＮ2 ガス
を定量供給するマスフローコントローラー、２１は大気
圧測定装置、２２はＮＣ制御部、２３は分散液の液温測
定装置である。
【００１２】上記装置において、スプレーノズル１１は
Ｎ2 ガスの供給により生じた負圧で容器１２内の分散液
２０を取り込み、基板１５に向かって噴霧する。分散液
の噴霧に伴って、容器１２内の液面は次第に低下する
が、常に光電センサー１３により容器１２内の液面を検
出し、昇降機で容器１２内の液面の高さを補正制御する
ことにより、スプレーノズル１１の先端の高さ（Ｈ2 ）
と前記分散液１０の液面の高さ（Ｈ1 ）との差ΔＨ＝Ｈ
2 −Ｈ1 が±（１／２）ｄの精度で一定となる（通常は
Ｈ2 ＞Ｈ1 であり、またｄは一対の光電センサー間隔で
ある）。従って、容器１２内の液面が低下しても、スプ
レーノズル１１が吸い上げる分散液１０の分量が減少せ
ず、基板１５上の微粒子１６の散布密度の変動が抑制さ
れる。
Ｎ2 ガスの供給により生じた負圧で容器１２内の分散液
２０を取り込み、基板１５に向かって噴霧する。分散液
の噴霧に伴って、容器１２内の液面は次第に低下する
が、常に光電センサー１３により容器１２内の液面を検
出し、昇降機で容器１２内の液面の高さを補正制御する
ことにより、スプレーノズル１１の先端の高さ（Ｈ2 ）
と前記分散液１０の液面の高さ（Ｈ1 ）との差ΔＨ＝Ｈ
2 −Ｈ1 が±（１／２）ｄの精度で一定となる（通常は
Ｈ2 ＞Ｈ1 であり、またｄは一対の光電センサー間隔で
ある）。従って、容器１２内の液面が低下しても、スプ
レーノズル１１が吸い上げる分散液１０の分量が減少せ
ず、基板１５上の微粒子１６の散布密度の変動が抑制さ
れる。
【００１３】分散液１０の液面を検出する手段として
は、上記の光電センサー１３の他にフロートセンサーや
超音波センサー等を適用することができ、また、容器１
２を上下させる手段としてはボールねじやナット等を用
いることができる。
は、上記の光電センサー１３の他にフロートセンサーや
超音波センサー等を適用することができ、また、容器１
２を上下させる手段としてはボールねじやナット等を用
いることができる。
【００１４】さらに、本実施形態の装置においては、分
散液１０を入れた容器１２を上下移動させることによっ
て、分散液１０の液面とスプレーノズル１１の先端の高
さを相対的に一定に保っているが、消費された分散液１
０に相当する量を他の供給系から容器１２内に供給する
ことにより、同様の作用を行なうものであっても良い。
散液１０を入れた容器１２を上下移動させることによっ
て、分散液１０の液面とスプレーノズル１１の先端の高
さを相対的に一定に保っているが、消費された分散液１
０に相当する量を他の供給系から容器１２内に供給する
ことにより、同様の作用を行なうものであっても良い。
【００１５】しかしながら、前記したように、容器１２
内の分散液１０の液面の高さを制御し得る上記装置にお
いても、分散液１０の液温や大気圧の影響による微粒子
の散布密度の変動は避けられなかった。本発明の装置に
おいては、上記システムに加えて、大気圧測定装置２１
と分散液１０の液温測定装置２３を備え、これらの装置
の測定結果により分散液の散布条件を補正し、基板１５
に散布される微粒子１６の散布密度を均一化する。本実
施形態においては、ＮＣ制御部１２によりスプレーノズ
ル１１の移動速度を制御し、これにより微粒子１６の散
布密度を制御する。
内の分散液１０の液面の高さを制御し得る上記装置にお
いても、分散液１０の液温や大気圧の影響による微粒子
の散布密度の変動は避けられなかった。本発明の装置に
おいては、上記システムに加えて、大気圧測定装置２１
と分散液１０の液温測定装置２３を備え、これらの装置
の測定結果により分散液の散布条件を補正し、基板１５
に散布される微粒子１６の散布密度を均一化する。本実
施形態においては、ＮＣ制御部１２によりスプレーノズ
ル１１の移動速度を制御し、これにより微粒子１６の散
布密度を制御する。
【００１６】本実施形態の装置において、大気圧及び液
温の変動に対応するスプレーノズル移動速度の補正手順
を図７〜１０により説明する。図７は大気圧変動に対す
る接着剤ビーズの散布密度とスプレーノズルの速度（Ｎ
Ｃアーム速度）の補正量との関係を示す図であり、図８
は分散液の液温変動量に対する接着剤ビーズの散布密度
とスプレーノズルの速度の補正量との関係を示す図であ
り、図９は大気圧変動に対するスペーサーの散布密度と
スプレーノズルの速度の補正量との関係を示す図であ
り、図１０は分散液の液温変動量に対するスペーサーの
散布密度とスプレーノズルの速度の補正量との関係を示
す図である。尚、各関係は一例であり、用いるビーズや
分散液の種類等により変化しうるものである。
温の変動に対応するスプレーノズル移動速度の補正手順
を図７〜１０により説明する。図７は大気圧変動に対す
る接着剤ビーズの散布密度とスプレーノズルの速度（Ｎ
Ｃアーム速度）の補正量との関係を示す図であり、図８
は分散液の液温変動量に対する接着剤ビーズの散布密度
とスプレーノズルの速度の補正量との関係を示す図であ
り、図９は大気圧変動に対するスペーサーの散布密度と
スプレーノズルの速度の補正量との関係を示す図であ
り、図１０は分散液の液温変動量に対するスペーサーの
散布密度とスプレーノズルの速度の補正量との関係を示
す図である。尚、各関係は一例であり、用いるビーズや
分散液の種類等により変化しうるものである。
【００１７】接着ビーズ散布の場合を図７、図８を用い
て説明する。先ず、２５℃の液温で、大気圧が１０００
ＨＰａの場合に、散布密度が８０個／ｍｍ2になるＮＣ
アーム速度を１００％とする。この条件を基準とし、後
日、大気圧が１０１０ＨＰａに変動した時（即ち＋１０
ＨＰａの変動）、図７に示すように散布密度は＋１０個
／ｍｍ2変動して９０個／ｍｍ2となる。この時の補正
は、図７よりＮＣ補正量＝１％で、ＮＣアーム速度を１
０１％に設定して散布することにより、８０個／ｍｍ2
の散布密度で接着ビーズを散布することができる。
て説明する。先ず、２５℃の液温で、大気圧が１０００
ＨＰａの場合に、散布密度が８０個／ｍｍ2になるＮＣ
アーム速度を１００％とする。この条件を基準とし、後
日、大気圧が１０１０ＨＰａに変動した時（即ち＋１０
ＨＰａの変動）、図７に示すように散布密度は＋１０個
／ｍｍ2変動して９０個／ｍｍ2となる。この時の補正
は、図７よりＮＣ補正量＝１％で、ＮＣアーム速度を１
０１％に設定して散布することにより、８０個／ｍｍ2
の散布密度で接着ビーズを散布することができる。
【００１８】上記手順と同様にして、図８より、液温の
変動に対しても補正を行うことにより、常に一定の散布
密度で散布することができる。
変動に対しても補正を行うことにより、常に一定の散布
密度で散布することができる。
【００１９】さらに、スペーサービーズについても、同
様にして図９、図１０を用いて補正しながら散布を行
う。尚、スペーサービーズの散布条件の基準は、液温が
２５℃、大気圧が１０００ＨＰａ、散布密度が３００個
／ｍｍ2でＮＣアーム速度が１００％である。
様にして図９、図１０を用いて補正しながら散布を行
う。尚、スペーサービーズの散布条件の基準は、液温が
２５℃、大気圧が１０００ＨＰａ、散布密度が３００個
／ｍｍ2でＮＣアーム速度が１００％である。
【００２０】スペーサービーズと接着ビーズは同時散布
しても良いが、異なる基板にそれぞれ散布した方が、よ
り安定した散布密度が得られる。
しても良いが、異なる基板にそれぞれ散布した方が、よ
り安定した散布密度が得られる。
【００２１】本発明において、大気圧や液温の変動によ
り補正される散布条件としては、スプレーノズルの移動
速度の他に、スプレーノズルの移動パターンや、容器１
２内の分散液１０の液面の高さ、配管１７を介して送ら
れるＮ2 ガスの流量等が挙げられる。また、上記Ｎ2 ガ
スは空気でも構わない。
り補正される散布条件としては、スプレーノズルの移動
速度の他に、スプレーノズルの移動パターンや、容器１
２内の分散液１０の液面の高さ、配管１７を介して送ら
れるＮ2 ガスの流量等が挙げられる。また、上記Ｎ2 ガ
スは空気でも構わない。
【００２２】図２は図１に示した散布装置のスプレーノ
ズル移動機構の構成例を模式的に示した平面図である。
図中、２６はスプレーノズル取り付け軸、２７ａ，２７
ｂはそれぞれＸ方向及びＹ方向にスプレーノズルを移動
させるためのＮＣ駆動装置、２８はＮＣ駆動装置とスプ
レーノズル取り付け軸２６を固定するための固定軸、２
９は基板を支えるためのステージ、３０は基板、３１は
散布装置全体を囲むブースである。
ズル移動機構の構成例を模式的に示した平面図である。
図中、２６はスプレーノズル取り付け軸、２７ａ，２７
ｂはそれぞれＸ方向及びＹ方向にスプレーノズルを移動
させるためのＮＣ駆動装置、２８はＮＣ駆動装置とスプ
レーノズル取り付け軸２６を固定するための固定軸、２
９は基板を支えるためのステージ、３０は基板、３１は
散布装置全体を囲むブースである。
【００２３】図３は図２の移動機構にスプレーノズルを
取り付け、基板に対して微粒子を散布する様子を模式的
に示した側面図である。図中、３２はスプレーノズル、
３３はスプレーノズルに分散液を供給するためのチュー
ブ、３４は分散液を入れる容器、３５は分散液、３６は
分散液３５中の微粒子の分散性を保つための超音波発生
装置、３７は超音波発生装置３６を支えるための架台、
３８はスプレーノズル３２より噴霧された円錐状の分散
液である。
取り付け、基板に対して微粒子を散布する様子を模式的
に示した側面図である。図中、３２はスプレーノズル、
３３はスプレーノズルに分散液を供給するためのチュー
ブ、３４は分散液を入れる容器、３５は分散液、３６は
分散液３５中の微粒子の分散性を保つための超音波発生
装置、３７は超音波発生装置３６を支えるための架台、
３８はスプレーノズル３２より噴霧された円錐状の分散
液である。
【００２４】上記装置において、スプレーノズル取り付
け軸２６に固定されたスプレーノズル３２は、ＸＹ方向
ＮＣ駆動装置２７ａ，２７ｂにより基板３０上方の基板
３０表面と平行な面内で移動しながら、分散液３５を基
板３０の表面に散布することができる。この時のスプレ
ーノズル３２の移動パターンは任意に決めることがで
き、基板３０に上記微粒子を均一な密度で配設すること
ができるパターンであればどのようなパターンでも適用
できる。図５はその一例であり、図中、５１がスプレー
ノズルの移動パターン、５２はパターンの開始点、５３
が終了点である。
け軸２６に固定されたスプレーノズル３２は、ＸＹ方向
ＮＣ駆動装置２７ａ，２７ｂにより基板３０上方の基板
３０表面と平行な面内で移動しながら、分散液３５を基
板３０の表面に散布することができる。この時のスプレ
ーノズル３２の移動パターンは任意に決めることがで
き、基板３０に上記微粒子を均一な密度で配設すること
ができるパターンであればどのようなパターンでも適用
できる。図５はその一例であり、図中、５１がスプレー
ノズルの移動パターン、５２はパターンの開始点、５３
が終了点である。
【００２５】また、分散液の分散性を保つ手段の別の例
として、低周波振動撹拌システムの模式図を図６に示
す。図中、６１は分散液、６２は分散液６１を噴霧する
スプレーノズルに接続されたテフロンチューブ、６３は
分散液６１を入れた容器、６４は容器６３に振動を与え
る振動発生機、６５はその発信増幅器である。さらに、
容器６３上部には、振動の加速度を検知する加速度ピッ
クアップ６６が設置してあり、振動を制御する自動振動
制御器６７に接続されている。
として、低周波振動撹拌システムの模式図を図６に示
す。図中、６１は分散液、６２は分散液６１を噴霧する
スプレーノズルに接続されたテフロンチューブ、６３は
分散液６１を入れた容器、６４は容器６３に振動を与え
る振動発生機、６５はその発信増幅器である。さらに、
容器６３上部には、振動の加速度を検知する加速度ピッ
クアップ６６が設置してあり、振動を制御する自動振動
制御器６７に接続されている。
【００２６】自動振動制御器６７は振動数、変位量、加
速度を制御でき、例えば振動数を低周波（１０〜５０Ｈ
ｚ）とし、加速度を分散液６１の微粒子濃度を均一に保
つに足る値（０．２〜１．５Ｇ）とする。それ以上の加
速度値にすると、分散液６１のはね上がりを生じ、その
液滴が容器内壁面上部、容器蓋部に付着し、乾燥した
際、微粒子の凝集の原因となるため好ましくない。
速度を制御でき、例えば振動数を低周波（１０〜５０Ｈ
ｚ）とし、加速度を分散液６１の微粒子濃度を均一に保
つに足る値（０．２〜１．５Ｇ）とする。それ以上の加
速度値にすると、分散液６１のはね上がりを生じ、その
液滴が容器内壁面上部、容器蓋部に付着し、乾燥した
際、微粒子の凝集の原因となるため好ましくない。
【００２７】図４は、本発明の製造方法により作製され
た液晶素子の一例の断面を模式的に示した図である。図
中、４１ａ，４１ｂは、ガラス板、プラスチック板など
からなる基板、４２ａ，４２ｂは、例えば帯状パターン
などの所定パターンで形成された透明電極で、互いに交
差している。４３ａ，４３ｂは、スパッタリング法等に
より形成された絶縁膜、４４ａ，４４ｂは、例えば印刷
法で形成された配向膜、４５は基板４１ａと４１ｂとを
シーリングするためのシール材、４６はセルギャップを
保持するためのスペーサー、４７は基板４１ａと４１ｂ
とを点接着するための接着剤ビーズ、４８は基板４１
ａ，４１ｂ間に挟持された液晶である。
た液晶素子の一例の断面を模式的に示した図である。図
中、４１ａ，４１ｂは、ガラス板、プラスチック板など
からなる基板、４２ａ，４２ｂは、例えば帯状パターン
などの所定パターンで形成された透明電極で、互いに交
差している。４３ａ，４３ｂは、スパッタリング法等に
より形成された絶縁膜、４４ａ，４４ｂは、例えば印刷
法で形成された配向膜、４５は基板４１ａと４１ｂとを
シーリングするためのシール材、４６はセルギャップを
保持するためのスペーサー、４７は基板４１ａと４１ｂ
とを点接着するための接着剤ビーズ、４８は基板４１
ａ，４１ｂ間に挟持された液晶である。
【００２８】
【実施例】厚さ１．１ｍｍの２枚のガラス基板上にＩＴ
Ｏのストライプ状電極をそれぞれ形成し、その上にスパ
ッタリング法にてＴａ2 Ｏ5 膜を１０００Åの厚さで形
成した後、ＬＱ１８０２（日立化成社製、ポリイミド系
膜材）をフレキソ印刷法によって塗布し、２７０℃の温
度で１時間焼成し、３００Åの厚さに形成した後、ラビ
ング処理を行なった。以上のようにして得られた一方の
基板にスクリーン印刷法にてシール材（三井東圧化学社
製、商品名：ストラクトボンドＸＮ−２１−Ｆ）を印刷
し、図２に示す装置の散布ブースに投入した。
Ｏのストライプ状電極をそれぞれ形成し、その上にスパ
ッタリング法にてＴａ2 Ｏ5 膜を１０００Åの厚さで形
成した後、ＬＱ１８０２（日立化成社製、ポリイミド系
膜材）をフレキソ印刷法によって塗布し、２７０℃の温
度で１時間焼成し、３００Åの厚さに形成した後、ラビ
ング処理を行なった。以上のようにして得られた一方の
基板にスクリーン印刷法にてシール材（三井東圧化学社
製、商品名：ストラクトボンドＸＮ−２１−Ｆ）を印刷
し、図２に示す装置の散布ブースに投入した。
【００２９】次に、分散液として、平均粒径１．１６μ
ｍのスペーサー（触媒化成社製、商品名：シリカマイク
ロビーズ）０．１ｇ及び平均粒径５．６μｍの接着剤ビ
ーズ（東レ社製、商品名：トレパール）０．８ｇを１リ
ットルのイソプロピルアルコール中に分散させたものを
用い、チューブを介してスプレーノズルに供給し、図５
に示したパターンで該分散液を噴霧した。ここで、散布
密度がスペーサーは３００個／ｍｍ2 、接着剤ビーズは
８０個／ｍｍ2 となるように、大気圧及び分散液の変動
に応じて該スプレーノズルの移動速度を補正しながら散
布開始点５２から終了点５３まで７０秒間でスプレーノ
ズルを移動させた。
ｍのスペーサー（触媒化成社製、商品名：シリカマイク
ロビーズ）０．１ｇ及び平均粒径５．６μｍの接着剤ビ
ーズ（東レ社製、商品名：トレパール）０．８ｇを１リ
ットルのイソプロピルアルコール中に分散させたものを
用い、チューブを介してスプレーノズルに供給し、図５
に示したパターンで該分散液を噴霧した。ここで、散布
密度がスペーサーは３００個／ｍｍ2 、接着剤ビーズは
８０個／ｍｍ2 となるように、大気圧及び分散液の変動
に応じて該スプレーノズルの移動速度を補正しながら散
布開始点５２から終了点５３まで７０秒間でスプレーノ
ズルを移動させた。
【００３０】上記散布条件で複数枚連続散布した時の接
着剤ビーズの散布密度の変動を図１１に示す。また、比
較例として、大気圧及び液温変動による補正を加えずに
一定の速度でスプレーノズルを移動させた場合の散布密
度変動も図１１に示す。本図に示される通り、本発明の
製造方法によれば、大気圧や液温変動による微粒子の散
布密度のばらつきが抑制されていることがわかる。
着剤ビーズの散布密度の変動を図１１に示す。また、比
較例として、大気圧及び液温変動による補正を加えずに
一定の速度でスプレーノズルを移動させた場合の散布密
度変動も図１１に示す。本図に示される通り、本発明の
製造方法によれば、大気圧や液温変動による微粒子の散
布密度のばらつきが抑制されていることがわかる。
【００３１】上記のようにして得られた第１の基板に、
第２の基板を貼り合わせた後、１００℃に加温しながら
圧着し、さらに１５０℃で１時間加熱硬化処理を行なっ
た後、ピリミジン系強誘電性液晶を注入して液晶素子と
した。
第２の基板を貼り合わせた後、１００℃に加温しながら
圧着し、さらに１５０℃で１時間加熱硬化処理を行なっ
た後、ピリミジン系強誘電性液晶を注入して液晶素子と
した。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
大気圧や分散液の液温変動に対応して散布条件が補正さ
れるため、微粒子の散布密度が常に一定に保たれ、基板
内及び基板毎のスペーサーや接着剤ビーズの密度にばら
つきがなく、均一なセルギャップの液晶素子を安定して
供給することができる。
大気圧や分散液の液温変動に対応して散布条件が補正さ
れるため、微粒子の散布密度が常に一定に保たれ、基板
内及び基板毎のスペーサーや接着剤ビーズの密度にばら
つきがなく、均一なセルギャップの液晶素子を安定して
供給することができる。
【図１】本発明の微粒子散布装置の一実施形態の模式図
である。
である。
【図２】図１に示した散布装置のスプレーノズル移動機
構の構成例を模式的に示した平面図である。
構の構成例を模式的に示した平面図である。
【図３】本発明にかかる微粒子を散布する様子を模式的
に示した側面図である。
に示した側面図である。
【図４】本発明の製造方法により作製された液晶素子の
一例の断面を模式的に示した図である。
一例の断面を模式的に示した図である。
【図５】本発明にかかるスプレーノズルの移動パターン
の一例を示す図である。
の一例を示す図である。
【図６】本発明に適用される低周波振動撹拌システムの
模式図である。
模式図である。
【図７】大気圧変動に対する接着剤ビーズの散布密度と
スプレーノズルの速度の補正量との関係を示す図であ
る。
スプレーノズルの速度の補正量との関係を示す図であ
る。
【図８】分散液の液温変動量に対する接着剤ビーズの散
布密度とスプレーノズルの速度の補正量との関係を示す
図である。
布密度とスプレーノズルの速度の補正量との関係を示す
図である。
【図９】大気圧変動に対するスペーサーの散布密度とス
プレーノズルの速度の補正量との関係を示す図である。
プレーノズルの速度の補正量との関係を示す図である。
【図１０】分散液の液温変動量に対するスペーサーの散
布密度とスプレーノズルの速度の補正量との関係を示す
図である。
布密度とスプレーノズルの速度の補正量との関係を示す
図である。
【図１１】本発明の実施例における接着剤ビーズの連続
散布における散布密度変動を示す図である。
散布における散布密度変動を示す図である。
１０ 分散液 １１ スプレーノズル １２ 容器 １３ 光電センサー １４ 昇降機の駆動部 １５ 基板 １６ 微粒子 １７，１８ 配管 １９ 昇降機の制御部 ２０ マスフローコントローラー ２１ 大気圧測定装置 ２２ ＮＣ制御部 ２３ 液温測定装置 ２６ スプレーノズル取り付け軸 ２７ａ，２７ｂ Ｘ，Ｙ方向ＮＣ駆動装置 ２８ 固定軸 ２９ ステージ ３０ 基板 ３１ ブース ３２ スプレーノズル ３３ チューブ ３４ 容器 ３５ 分散液 ３６ 超音波発生装置 ３７ 架台 ３８ 分散液 ４１ａ，４１ｂ 基板 ４２ａ，４２ｂ 透明電極 ４３ａ，４３ｂ 絶縁膜 ４４ａ，４４ｂ 配向膜 ４５ シール材 ４６ スペーサー ４７ 接着剤 ４８ 液晶 ５１ スプレーノズルの移動パターン ５２ 散布開始点 ５３ 散布終了点 ６１ 分散液 ６２ テフロンチューブ ６３ 容器 ６４ 振動発生機 ６５ 発信増幅器 ６６ 加速度ピックアップ ６７ 自動振動制御器
Claims (8)
- 【請求項１】 一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶
素子の製造方法であって、一方の基板上にスペーサー及
び／又は接着剤ビーズを揮発性分散媒に分散してなる分
散液をスプレー散布する工程を有し、該工程において、
大気圧及び分散液の液温を測定し、その測定結果によっ
て上記分散液の散布条件を補正することを特徴とする液
晶素子の製造方法。 - 【請求項２】 一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶
素子の製造工程において、一方の基板上にスペーサー及
び／又は接着剤ビーズを揮発性分散媒に分散してなる分
散液をスプレー散布する微粒子散布装置であって、大気
圧測定手段及び上記分散液の液温測定手段を備え、該手
段における測定結果によって上記分散液の散布条件を補
正する手段を備えたことを特徴とする微粒子散布装置。 - 【請求項３】 上記装置がスプレー散布用ノズルを基板
上に移動させて上記分散液を散布する方式であり、補正
される散布条件が、該スプレー散布用ノズルの移動速度
である請求項２記載の微粒子散布装置。 - 【請求項４】 上記装置がスプレー散布用ノズルを基板
上に移動させて上記分散液を散布する方式であり、補正
される散布条件が、該スプレー散布用ノズルの移動パタ
ーンである請求項２記載の微粒子散布装置。 - 【請求項５】 上記補正される散布条件が、装置内に配
された容器内に収納された上記分散液の液面の高さであ
る請求項２記載の微粒子散布装置。 - 【請求項６】 上記補正される散布条件が、スプレー散
布に使用する気体の流量である請求項２記載の微粒子散
布装置。 - 【請求項７】 上記気体が空気である請求項６記載の微
粒子散布装置。 - 【請求項８】 上記気体が窒素である請求項６記載の微
粒子散布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15421797A JPH112817A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 液晶素子の製造方法及び微粒子散布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15421797A JPH112817A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 液晶素子の製造方法及び微粒子散布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH112817A true JPH112817A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15579414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15421797A Withdrawn JPH112817A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 液晶素子の製造方法及び微粒子散布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH112817A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100731040B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2007-06-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
| US7316750B2 (en) * | 2000-03-29 | 2008-01-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing liquid crystal display |
| JP2009063786A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Zebiosu:Kk | 粉体散布装置 |
-
1997
- 1997-06-12 JP JP15421797A patent/JPH112817A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7316750B2 (en) * | 2000-03-29 | 2008-01-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing liquid crystal display |
| KR100731040B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2007-06-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
| JP2009063786A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Zebiosu:Kk | 粉体散布装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040907 |