JP2001194799A - 乱反射防止膜用化合物とその製造方法 - Google Patents
乱反射防止膜用化合物とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １Ｇ、４Ｇ ＤＲＡＭの超微細バターンの形
成時に使用でき、製品の収率を増大させることができる
乱反射防止膜用化合物とその製造方法を提供する。 【解決手段】 反射防止膜に使用される場合、波長１９
３ｎｍの光を吸収できるように、化合物が吸光度の高い
フェニル基を含有するように設計し、また、有機反射防
止膜に成形性、気密性、耐溶解性などを付与するため、
コーティング後、ハードベイク時に、エポキシ構造の開
環反応で架橋させるメカニズムを導入した。本発明の反
射防止膜用樹脂は、ハイドロカーボン系の全ての溶媒に
対して溶解性が優れ、しかも、ハードベイク後にはどん
な溶媒にも溶解されない耐溶解性を有しているので、感
光膜の塗布時、何らの問題も発生せず、また、パターン
形成時、アンダーカッティング及びフッティングが発生
しない。
成時に使用でき、製品の収率を増大させることができる
乱反射防止膜用化合物とその製造方法を提供する。 【解決手段】 反射防止膜に使用される場合、波長１９
３ｎｍの光を吸収できるように、化合物が吸光度の高い
フェニル基を含有するように設計し、また、有機反射防
止膜に成形性、気密性、耐溶解性などを付与するため、
コーティング後、ハードベイク時に、エポキシ構造の開
環反応で架橋させるメカニズムを導入した。本発明の反
射防止膜用樹脂は、ハイドロカーボン系の全ての溶媒に
対して溶解性が優れ、しかも、ハードベイク後にはどん
な溶媒にも溶解されない耐溶解性を有しているので、感
光膜の塗布時、何らの問題も発生せず、また、パターン
形成時、アンダーカッティング及びフッティングが発生
しない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の製造工
程において、乱反射防止膜として使用できる重合体とそ
の製造方法に関するもので、より詳しくは、半導体素子
の製造工程中、１９３ｎｍＡｒＦレーザーを用いるリソ
グラフィー用フォトレジストを使用する超微細パターン
形成工程において、下部膜層の反射を防止し、ＡｒＦ光
及びフォトレジスト自体の厚さ変化による定在波を除去
し得る反射防止用有機物質に関するもので、１Ｇ、４Ｇ
ＤＲＡＭの超微細バターンの形成時に使用できる有機
乱反射防止重合体及びその製造方法に関するものであ
る。また、本発明はこのような有機乱反射防止重合体を
含有する乱反射防止組成物、これを用いた反射防止膜及
びその製造方法に関するものである。
程において、乱反射防止膜として使用できる重合体とそ
の製造方法に関するもので、より詳しくは、半導体素子
の製造工程中、１９３ｎｍＡｒＦレーザーを用いるリソ
グラフィー用フォトレジストを使用する超微細パターン
形成工程において、下部膜層の反射を防止し、ＡｒＦ光
及びフォトレジスト自体の厚さ変化による定在波を除去
し得る反射防止用有機物質に関するもので、１Ｇ、４Ｇ
ＤＲＡＭの超微細バターンの形成時に使用できる有機
乱反射防止重合体及びその製造方法に関するものであ
る。また、本発明はこのような有機乱反射防止重合体を
含有する乱反射防止組成物、これを用いた反射防止膜及
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程における超微細パターン
形成工程においては、ウェーハ上の下部膜層の光学的性
質及び感光膜の厚さの変動による定在波（standing wav
e）、反射ノッチング（reflective notching）と下部膜
からの回折光及び反射光によるＣＤ（Critical Dimensi
on）の変動が不可避に起こる。したがって、露光源とし
て使用する光の波長帯で光吸収が良好な有機物質膜層を
導入して、下部膜層での反射を防ぐようにしようという
提案があり、この膜が反射防止膜である。
形成工程においては、ウェーハ上の下部膜層の光学的性
質及び感光膜の厚さの変動による定在波（standing wav
e）、反射ノッチング（reflective notching）と下部膜
からの回折光及び反射光によるＣＤ（Critical Dimensi
on）の変動が不可避に起こる。したがって、露光源とし
て使用する光の波長帯で光吸収が良好な有機物質膜層を
導入して、下部膜層での反射を防ぐようにしようという
提案があり、この膜が反射防止膜である。
【０００３】このような反射防止膜は、使用される物質
の種類によって大きくは無機系反射防止膜と有機系反射
防止膜に区分される。また、反射防止メカニズムによっ
て吸収系反射防止膜と干渉系反射防止膜に分けられる。
波長３６５ｎｍのＩ線（I-line）を用いる微細パターン
形成工程では主として無機系反射防止膜が使用されてお
り、吸収系反射防止膜としては主としてＴｉＮ及び非晶
形カーボン（Amorphous C）が、干渉系反射防止膜とし
ては主としてＳｉＯＮが使用されている。
の種類によって大きくは無機系反射防止膜と有機系反射
防止膜に区分される。また、反射防止メカニズムによっ
て吸収系反射防止膜と干渉系反射防止膜に分けられる。
波長３６５ｎｍのＩ線（I-line）を用いる微細パターン
形成工程では主として無機系反射防止膜が使用されてお
り、吸収系反射防止膜としては主としてＴｉＮ及び非晶
形カーボン（Amorphous C）が、干渉系反射防止膜とし
ては主としてＳｉＯＮが使用されている。
【０００４】ＫｒＦ光を用いる超微細パターン形成工程
では、主として無機系反射防止膜であるＳｉＯＮが使用
されてきたが、最近、反射防止膜に有機系化合物も使用
されるようになってきた。例えば、ＡｒＦ光を用いる超
微細パターンの形成においても、有機反射防止膜を使用
することが有効であることが認識されてきた。現在まで
に得られた知見からすると、有機反射防止膜には次のよ
うな基本条件が備えられていることが望ましい。
では、主として無機系反射防止膜であるＳｉＯＮが使用
されてきたが、最近、反射防止膜に有機系化合物も使用
されるようになってきた。例えば、ＡｒＦ光を用いる超
微細パターンの形成においても、有機反射防止膜を使用
することが有効であることが認識されてきた。現在まで
に得られた知見からすると、有機反射防止膜には次のよ
うな基本条件が備えられていることが望ましい。
【０００５】（１）工程の適用時、フォトレジストが溶
媒により溶解されて剥ける現象があってはならない。こ
のためには、成形膜が架橋構造をなし得るように設計さ
れなければならず、この際に、副産物として化学物質が
発生してはならない。
媒により溶解されて剥ける現象があってはならない。こ
のためには、成形膜が架橋構造をなし得るように設計さ
れなければならず、この際に、副産物として化学物質が
発生してはならない。
【０００６】（２）反射防止膜からの酸又はアミンなど
の化学物質の出入があってはならない。仮に、反射防止
膜から酸が移行（migration）すると、パターンの下部
にアンダーカッティング（undercutting）が発生し、ア
ミンなどの塩基が移行しながらフッティング（footin
g）現象を誘発する傾向があるためである。
の化学物質の出入があってはならない。仮に、反射防止
膜から酸が移行（migration）すると、パターンの下部
にアンダーカッティング（undercutting）が発生し、ア
ミンなどの塩基が移行しながらフッティング（footin
g）現象を誘発する傾向があるためである。
【０００７】（３）反射防止膜は上部の感光膜に比べて
相対的に速いエッチング速度を有しなければならない
が、このことは、エッチング時、感光膜をマスクとして
円滑なエッチング工程を行えるようにするためである。
相対的に速いエッチング速度を有しなければならない
が、このことは、エッチング時、感光膜をマスクとして
円滑なエッチング工程を行えるようにするためである。
【０００８】（４）したがって、反射防止膜はできるだ
け薄い厚さで十分に反射防止膜としての機能を発揮でき
なければならない。
け薄い厚さで十分に反射防止膜としての機能を発揮でき
なければならない。
【０００９】一方、ＡｒＦ光を使用する超微細パターン
形成工程においては、満足し得る反射防止膜が開発され
ていないのが実情である。無機系反射防止膜の場合に
は、光源である１９３ｎｍでの干渉現象を制御できる物
質が未だ発表されておらず、最近、有機系反射防止膜を
使用しようとする努力が続いている。
形成工程においては、満足し得る反射防止膜が開発され
ていないのが実情である。無機系反射防止膜の場合に
は、光源である１９３ｎｍでの干渉現象を制御できる物
質が未だ発表されておらず、最近、有機系反射防止膜を
使用しようとする努力が続いている。
【００１０】したがって、全ての感光膜においては、露
光時に発生する定在波を防止し、下部層からの後面回折
及び反射光の影響を除去するため、特定波長に対する吸
収度が高い有機乱反射防止物質の使用が必須であり、こ
のような物質の開発が急を要する課題となっている。
光時に発生する定在波を防止し、下部層からの後面回折
及び反射光の影響を除去するため、特定波長に対する吸
収度が高い有機乱反射防止物質の使用が必須であり、こ
のような物質の開発が急を要する課題となっている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、前記反射防止膜として備えるべき条件を全て満
足するとともに、半導体素子の製造工程中、１９３ｎｍ
ＡｒＦ光を用いる超微細パターン形成工程において、反
射防止膜として使用し得る新規の有機化合物とその製造
方法を提供することにある。
目的は、前記反射防止膜として備えるべき条件を全て満
足するとともに、半導体素子の製造工程中、１９３ｎｍ
ＡｒＦ光を用いる超微細パターン形成工程において、反
射防止膜として使用し得る新規の有機化合物とその製造
方法を提供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、このような乱反射防
止膜用化合物を含有する乱反射防止組成物及びその製造
方法を提供することにある。
止膜用化合物を含有する乱反射防止組成物及びその製造
方法を提供することにある。
【００１３】本発明の更に他の目的は、このような乱反
射防止組成物を使用して形成された乱反射防止膜及びそ
の形成方法を提供することにある。
射防止組成物を使用して形成された乱反射防止膜及びそ
の形成方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】すべての感光膜において
は、露光時に発生する定在波及び反射ノッチングと下部
膜からの後面回折及び反射による光の干渉を除去するた
めの乱反射防止物質の使用が必須であり、乱反射防止物
質は必ず特定波長に対する吸収度が高い場合にだけ反射
防止膜として使用できる。本発明では、波長１９３ｎｍ
の光を吸収できるように、重合体に吸光度の高いフェニ
ル基を含有するように設計し、また、有機反射防止膜に
成形性、気密性、耐溶解性などを付与するため、コーテ
ィング後、ハードベイク時に架橋反応が起こるように、
樹脂内のエポキシ構造の開環反応で架橋させるメカニズ
ムを導入した。特に、本発明の反射防止膜樹脂は、ハイ
ドロカーボン系の全ての溶媒に対して溶解性が優秀であ
り、しかもハードベイク後にはどんな溶媒にも溶解され
ない耐溶解性を有している。したがって、感光膜の塗布
時、何らの問題も発生しないだけでなく、パターン形成
時、アンダーカッティング及びフッティングが発生せ
ず、特に架橋鎖の結合がＣ−Ｏ結合からなっていること
により、エッチング時、ＡｒＦ感光膜に比べて優れたエ
ッチング速度を有するので、エッチング選択比が著しく
向上された。
は、露光時に発生する定在波及び反射ノッチングと下部
膜からの後面回折及び反射による光の干渉を除去するた
めの乱反射防止物質の使用が必須であり、乱反射防止物
質は必ず特定波長に対する吸収度が高い場合にだけ反射
防止膜として使用できる。本発明では、波長１９３ｎｍ
の光を吸収できるように、重合体に吸光度の高いフェニ
ル基を含有するように設計し、また、有機反射防止膜に
成形性、気密性、耐溶解性などを付与するため、コーテ
ィング後、ハードベイク時に架橋反応が起こるように、
樹脂内のエポキシ構造の開環反応で架橋させるメカニズ
ムを導入した。特に、本発明の反射防止膜樹脂は、ハイ
ドロカーボン系の全ての溶媒に対して溶解性が優秀であ
り、しかもハードベイク後にはどんな溶媒にも溶解され
ない耐溶解性を有している。したがって、感光膜の塗布
時、何らの問題も発生しないだけでなく、パターン形成
時、アンダーカッティング及びフッティングが発生せ
ず、特に架橋鎖の結合がＣ−Ｏ結合からなっていること
により、エッチング時、ＡｒＦ感光膜に比べて優れたエ
ッチング速度を有するので、エッチング選択比が著しく
向上された。
【００１５】本発明の有機反射防止膜として用いられる
樹脂の基本式は下記の化学式（１）、化学式（２）及び
化学式（３）となっている。
樹脂の基本式は下記の化学式（１）、化学式（２）及び
化学式（３）となっている。
【００１６】
【化７】
【化８】
【化９】 前記式において、Ｒa、Ｒb、Ｒc及びＲdはそれぞれ水素
又はメチル基を、Ｒ1ないしＲ4はそれぞれ水素、又は炭
素数１〜５の置換されているか又は置換されていない直
鎖又は側鎖アルキルであるか、アルコキシアルキルを、
Ｒ5は−Ｈ、−ＯＨ、−ＣＯＣＨ3又は炭素数１〜４の置
換されているか又は置換されていない直鎖又は側鎖アル
キル、シクロアルキルであるか、アルコキシアルキル、
シクロアルコキシアルキルを、ｗ、ｘ、ｙ、ｚはそれぞ
れ０．１〜０．９のモル分率を、ｌ、ｍ、ｎ、ｐはそれ
ぞれ１〜３の整数を示す。
又はメチル基を、Ｒ1ないしＲ4はそれぞれ水素、又は炭
素数１〜５の置換されているか又は置換されていない直
鎖又は側鎖アルキルであるか、アルコキシアルキルを、
Ｒ5は−Ｈ、−ＯＨ、−ＣＯＣＨ3又は炭素数１〜４の置
換されているか又は置換されていない直鎖又は側鎖アル
キル、シクロアルキルであるか、アルコキシアルキル、
シクロアルコキシアルキルを、ｗ、ｘ、ｙ、ｚはそれぞ
れ０．１〜０．９のモル分率を、ｌ、ｍ、ｎ、ｐはそれ
ぞれ１〜３の整数を示す。
【００１７】本発明による前記化学式（１）の重合体
は、下記の化学式（４）の構造を有する４−（４−ヒド
ロキシフェノキシ）アセトキシアルコールアクリル系単
量体、ヒドロキシアルキルアクリラート系単量体、アル
キルアクリラート系単量体及びグリシジルアクリラート
系単量体を溶媒中で開始剤とともに重合反応させること
で製造することができ、この際に、各単量体は０．１〜
０．９のモル分率を有する。
は、下記の化学式（４）の構造を有する４−（４−ヒド
ロキシフェノキシ）アセトキシアルコールアクリル系単
量体、ヒドロキシアルキルアクリラート系単量体、アル
キルアクリラート系単量体及びグリシジルアクリラート
系単量体を溶媒中で開始剤とともに重合反応させること
で製造することができ、この際に、各単量体は０．１〜
０．９のモル分率を有する。
【００１８】また、前記化学式（２）の重合体は、下記
の化学式（５）の構造を有する４−（４−ヒドロキシフ
ェニル）ピルビンアルコールアクリラート系単量体、ヒ
ドロキシアルキルアクリラート系単量体、アルキルアク
リラート系単量体及びグリシジルアクリラート系単量体
開始剤とともに溶媒中で重合反応させることで製造する
ことができ、この際に、各単量体は０．１〜０．９モル
分率を有する。
の化学式（５）の構造を有する４−（４−ヒドロキシフ
ェニル）ピルビンアルコールアクリラート系単量体、ヒ
ドロキシアルキルアクリラート系単量体、アルキルアク
リラート系単量体及びグリシジルアクリラート系単量体
開始剤とともに溶媒中で重合反応させることで製造する
ことができ、この際に、各単量体は０．１〜０．９モル
分率を有する。
【００１９】また、前記の化学式（３）の重合体は下記
の化学式（６）のビニール４−ベンゾエートケトン系単
量体、ヒドロキシアルキルアクリラート系単量体、アル
キルアクリラート系単量体及びグリシジルアクリラート
系単量体開始剤とともに溶媒中で重合反応させることで
製造することができ、この際に、各単量体は０．１〜
０．９モル分率を有する。
の化学式（６）のビニール４−ベンゾエートケトン系単
量体、ヒドロキシアルキルアクリラート系単量体、アル
キルアクリラート系単量体及びグリシジルアクリラート
系単量体開始剤とともに溶媒中で重合反応させることで
製造することができ、この際に、各単量体は０．１〜
０．９モル分率を有する。
【００２０】
【化１０】
【化１１】
【化１２】 前記化学式（４）ないし（６）において、Ｒaは水素又
はメチル基を、Ｒ1ないしＲ4はそれぞれ水素、又は炭素
数１〜５の置換されているか又は置換されていない直鎖
又は側鎖アルキルであるか、アルコキシアルキルを、Ｒ
5は−Ｈ、−ＯＨ、−ＣＯＣＨ3又は炭素数１〜４の置換
されているか又は置換されていない直鎖又は側鎖アルキ
ル、シクロアルキルであるか、アルコキシアルキル、シ
クロアルコキシアルキルを、ｌ、ｐは１〜３の整数をそ
れぞれ示す。
はメチル基を、Ｒ1ないしＲ4はそれぞれ水素、又は炭素
数１〜５の置換されているか又は置換されていない直鎖
又は側鎖アルキルであるか、アルコキシアルキルを、Ｒ
5は−Ｈ、−ＯＨ、−ＣＯＣＨ3又は炭素数１〜４の置換
されているか又は置換されていない直鎖又は側鎖アルキ
ル、シクロアルキルであるか、アルコキシアルキル、シ
クロアルコキシアルキルを、ｌ、ｐは１〜３の整数をそ
れぞれ示す。
【００２１】本発明による前記化学式１、２及び３の重
合体を製造するために使用する開始剤としては、一般的
なラジカル開始剤を使用することができ、好ましくは、
２，２−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、ア
セチルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、ｔ−
ブチルパーオキサイドからなるグループから選択された
ものを使用することができ、また、重合体反応時の溶媒
としては、一般的な有機溶媒を使用することができ、好
ましくは、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、
メチルエチルケトン又はジオキサンからなるグループか
ら選択されたものを使用することができる。
合体を製造するために使用する開始剤としては、一般的
なラジカル開始剤を使用することができ、好ましくは、
２，２−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、ア
セチルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、ｔ−
ブチルパーオキサイドからなるグループから選択された
ものを使用することができ、また、重合体反応時の溶媒
としては、一般的な有機溶媒を使用することができ、好
ましくは、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、
メチルエチルケトン又はジオキサンからなるグループか
ら選択されたものを使用することができる。
【００２２】本発明による前記化学式（１）、（２）及
び（３）の重合体の製造方法において、重合反応の温度
は５０〜８０℃にすることが好ましい。
び（３）の重合体の製造方法において、重合反応の温度
は５０〜８０℃にすることが好ましい。
【００２３】また、本発明は前記化学式（１）、（２）
又は（３）の重合体を有機溶媒に溶解させて反射防止膜
用組成物を製造する方法を提供する。この際に、有機溶
媒としては、通常の有機溶媒を使用することができ、好
ましくは、エチル３−エトキシプロピオネート、メチル
３−メトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、プロ
ピレングリコールメチルエーテルアセテートなどを使用
することができる。ここで、溶媒の量は２００〜５００
０重量％にすることが好ましい。
又は（３）の重合体を有機溶媒に溶解させて反射防止膜
用組成物を製造する方法を提供する。この際に、有機溶
媒としては、通常の有機溶媒を使用することができ、好
ましくは、エチル３−エトキシプロピオネート、メチル
３−メトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、プロ
ピレングリコールメチルエーテルアセテートなどを使用
することができる。ここで、溶媒の量は２００〜５００
０重量％にすることが好ましい。
【００２４】また、本発明は、前記化学式（１）、
（２）、（３）のいずれか一つの化合物を有機溶媒に溶
解させた溶液をウェーハに塗布し、ハードベイクする段
階を含んでなる反射防止膜の形成方法を提供する。この
ときに使用される有機溶媒としては、通常の有機溶媒を
使用することができ、特に、エチル３−エトキシプロピ
オネート、メチル３−メトキシプロピオネート、シクロ
ヘキサノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テートからなるグループから選択されたものを使用する
ことが好ましく、有機溶媒の量は使用された反射防止膜
樹脂の２００〜５０００重量％にすることが好ましい。
（２）、（３）のいずれか一つの化合物を有機溶媒に溶
解させた溶液をウェーハに塗布し、ハードベイクする段
階を含んでなる反射防止膜の形成方法を提供する。この
ときに使用される有機溶媒としては、通常の有機溶媒を
使用することができ、特に、エチル３−エトキシプロピ
オネート、メチル３−メトキシプロピオネート、シクロ
ヘキサノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テートからなるグループから選択されたものを使用する
ことが好ましく、有機溶媒の量は使用された反射防止膜
樹脂の２００〜５０００重量％にすることが好ましい。
【００２５】また、ハードベイクは１００〜３００℃の
温度で１０〜１０００秒間行うことが好ましく、ハード
ベイクにより反射防止膜樹脂を架橋させて成膜する。
温度で１０〜１０００秒間行うことが好ましく、ハード
ベイクにより反射防止膜樹脂を架橋させて成膜する。
【００２６】また、前記方法により製造された化学式
（１）、（２）又は（３）の重合体は、１９３ｎｍＡｒ
Ｆ及び１５７ｎｍＦ2レーザーを使用する超微細パター
ン形成工程の有機反射防止膜としても優れた性能を表す
ことが確認された。
（１）、（２）又は（３）の重合体は、１９３ｎｍＡｒ
Ｆ及び１５７ｎｍＦ2レーザーを使用する超微細パター
ン形成工程の有機反射防止膜としても優れた性能を表す
ことが確認された。
【００２７】また、本発明は前記化学式（１）ないし
（３）の構造を有する化合物のいずれか一つを含んでな
ることを特徴とする反射防止膜用組成物を提供し、前記
反射防止膜用組成物を用いて製造した反射防止膜を含む
半導体素子を提供する。
（３）の構造を有する化合物のいずれか一つを含んでな
ることを特徴とする反射防止膜用組成物を提供し、前記
反射防止膜用組成物を用いて製造した反射防止膜を含む
半導体素子を提供する。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施例に
基づいて本発明をより具体的に説明する。しかし、下記
の実施例は、本発明の権利範囲を限定するものではな
く、ただ例示するためのものである。
基づいて本発明をより具体的に説明する。しかし、下記
の実施例は、本発明の権利範囲を限定するものではな
く、ただ例示するためのものである。
【００２９】（実施例１）４−（４−ヒドロキシフェノ
キシ）アセトキシイソプロパノールメタクリレート単量
体の合成 ４−ヒドロキシフェニルアセト酸０．３５モルをテトラ
ヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｇに入れ、完全に溶かし
て混ぜ合わせた後、ｐ−トルエンスルホン酸０．３５モ
ルを溶かしたＴＨＦ １００ｇを加え、その後、窒素雰
囲気でグリシジルメタクリレート（重合防止剤として４
−メトキシフェノール０．０３モル含み）０．３モルを
徐々に加えてから２４時間反応させた。反応中、ＴＬＣ
で反応度を点検し、反応が完了すると、脱イオン水で洗
浄し、有機溶媒層の反応物を抽出した後、ＭｇＳＯ4で
有機溶媒内の水を除去し、減圧蒸留することにより、下
記化学式（７）の単量体を得た。このときの収率は８５
〜９０％であった。
キシ）アセトキシイソプロパノールメタクリレート単量
体の合成 ４−ヒドロキシフェニルアセト酸０．３５モルをテトラ
ヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｇに入れ、完全に溶かし
て混ぜ合わせた後、ｐ−トルエンスルホン酸０．３５モ
ルを溶かしたＴＨＦ １００ｇを加え、その後、窒素雰
囲気でグリシジルメタクリレート（重合防止剤として４
−メトキシフェノール０．０３モル含み）０．３モルを
徐々に加えてから２４時間反応させた。反応中、ＴＬＣ
で反応度を点検し、反応が完了すると、脱イオン水で洗
浄し、有機溶媒層の反応物を抽出した後、ＭｇＳＯ4で
有機溶媒内の水を除去し、減圧蒸留することにより、下
記化学式（７）の単量体を得た。このときの収率は８５
〜９０％であった。
【００３０】
【化１３】 （実施例２）４−（４−ヒドロキシフェニル）ピルビン
イソプロパノールメタクリレート単量体の合成 ４−ヒドロキシフェニルピルビン酸０．３５モルをテト
ラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｇに入れ、完全に溶か
して混ぜ合わせた後、ｐ−トルエンスルホン酸０．３５
モルを溶かしたＴＨＦ １００ｇを加え、その後、窒素
雰囲気でグリシジルメタクリレート（重合防止剤として
４−メトキシフェノール０．０３モル含み）０．３モル
を徐々に加えてから２４時間反応させた。反応中、ＴＬ
Ｃで反応度を点検し、反応が完了すると、脱イオン水で
洗浄し、有機溶媒層の反応物を抽出した後、ＭｇＳＯ4
で有機溶媒内の水を除去し、減圧蒸留することにより、
下記化学式（８）の単量体を得た。このときの収率は８
０〜８５％であった。
イソプロパノールメタクリレート単量体の合成 ４−ヒドロキシフェニルピルビン酸０．３５モルをテト
ラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｇに入れ、完全に溶か
して混ぜ合わせた後、ｐ−トルエンスルホン酸０．３５
モルを溶かしたＴＨＦ １００ｇを加え、その後、窒素
雰囲気でグリシジルメタクリレート（重合防止剤として
４−メトキシフェノール０．０３モル含み）０．３モル
を徐々に加えてから２４時間反応させた。反応中、ＴＬ
Ｃで反応度を点検し、反応が完了すると、脱イオン水で
洗浄し、有機溶媒層の反応物を抽出した後、ＭｇＳＯ4
で有機溶媒内の水を除去し、減圧蒸留することにより、
下記化学式（８）の単量体を得た。このときの収率は８
０〜８５％であった。
【００３１】
【化１４】 （実施例３）ビニール４−（２−ブタノン）ベンゾエー
ト単量体の合成 トリエチルアミン０．３５モルに４−（４−ヒドロキシ
フェニル）−２−ブタノン０．３５モルを入れ、完全に
溶かして混ぜ合わせた後、窒素雰囲気でアクリロイルク
ロライド０．３３モルを加え、徐々に反応させた。この
際に、熱が発生するので、冷却させながら反応を２４時
間以上持続させた。反応中、ＴＬＣで反応度を点検し、
反応が完了すると、１Ｎの硫酸水溶液で中和させた後、
脱イオン水で洗浄を行い、有機溶媒層の反応物を抽出
し、ＭｇＳＯ4で有機溶媒内の水を除去することで、下
記化学式（９）の単量体を得た。収率は９０〜９５％で
あった。
ト単量体の合成 トリエチルアミン０．３５モルに４−（４−ヒドロキシ
フェニル）−２−ブタノン０．３５モルを入れ、完全に
溶かして混ぜ合わせた後、窒素雰囲気でアクリロイルク
ロライド０．３３モルを加え、徐々に反応させた。この
際に、熱が発生するので、冷却させながら反応を２４時
間以上持続させた。反応中、ＴＬＣで反応度を点検し、
反応が完了すると、１Ｎの硫酸水溶液で中和させた後、
脱イオン水で洗浄を行い、有機溶媒層の反応物を抽出
し、ＭｇＳＯ4で有機溶媒内の水を除去することで、下
記化学式（９）の単量体を得た。収率は９０〜９５％で
あった。
【００３２】
【化１５】 （実施例４）ビニール４−（３−メトキシ）ベンゾエー
トアセトン単量体の合成 トリエチルアミン０．３５モルに４−ヒドロキシ−３−
メトキシフェニルアセトン０．３５ｇを入れ、完全に溶
かして混ぜ合わせた後、窒素雰囲気でアクリロイルクロ
ライド０．３３モルを加え、徐々に反応させた。この際
に、熱が発生するので、冷却させながら反応を２４時間
以上持続させた。反応中、ＴＬＣで反応度を点検し、反
応が完了すると、１Ｎの硫酸水溶液で中和させた後、脱
イオン水で洗浄を行い、有機溶媒層の反応物を抽出し、
ＭｇＳＯ4で有機溶媒内の水を除去することで、下記化
学式（１０）の単量体を得た。収率は９０〜９５％であ
った。
トアセトン単量体の合成 トリエチルアミン０．３５モルに４−ヒドロキシ−３−
メトキシフェニルアセトン０．３５ｇを入れ、完全に溶
かして混ぜ合わせた後、窒素雰囲気でアクリロイルクロ
ライド０．３３モルを加え、徐々に反応させた。この際
に、熱が発生するので、冷却させながら反応を２４時間
以上持続させた。反応中、ＴＬＣで反応度を点検し、反
応が完了すると、１Ｎの硫酸水溶液で中和させた後、脱
イオン水で洗浄を行い、有機溶媒層の反応物を抽出し、
ＭｇＳＯ4で有機溶媒内の水を除去することで、下記化
学式（１０）の単量体を得た。収率は９０〜９５％であ
った。
【００３３】
【化１６】 （実施例５）ポリ［４−（４−ヒドロキシフェノキシ）
アセトキシイソプロパノールメタクリレート−ヒドロキ
シエチルメタクリレート−メチルメタクリレート−グリ
シジルメタクリレート］４元共重合体の合成 ４−（４−ヒドロキシフェノキシ）アセトキシイソプロ
パノールメタクリレート０．３モル、ヒドロキシエチル
アクリラート０．２５モル、メチルメタクリレート０．
１モル、グリシジルメタクリレート０．３モルを５００
ｍｌの円形フラスコに入れ、撹拌しながら、予め用意し
たＴＨＦ ３００ｇを加え、よく混ぜ合わせた後、２，
２′−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＢＩＮ）０．１
〜３．０ｇを加え、その後、窒素雰囲気で、かつ６０℃
〜７５℃の温度で５〜２０時間反応させた。反応の完了
後、この溶液をエチルエーテル又はノルマルヘキサン溶
液に沈殿させ、その後、濾過し乾燥させることで、下記
化学式（１１）に示すようなポリ［４−（４−ヒドロキ
シフェノキシ）アセトキシイソプロパノールメタクリレ
ート−ヒドロキシエチルメタクリレート−メチルメタク
リレート−グリシジルメタクリレート］樹脂を得た。こ
の際に、収率は６５〜７０％であった。
アセトキシイソプロパノールメタクリレート−ヒドロキ
シエチルメタクリレート−メチルメタクリレート−グリ
シジルメタクリレート］４元共重合体の合成 ４−（４−ヒドロキシフェノキシ）アセトキシイソプロ
パノールメタクリレート０．３モル、ヒドロキシエチル
アクリラート０．２５モル、メチルメタクリレート０．
１モル、グリシジルメタクリレート０．３モルを５００
ｍｌの円形フラスコに入れ、撹拌しながら、予め用意し
たＴＨＦ ３００ｇを加え、よく混ぜ合わせた後、２，
２′−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＢＩＮ）０．１
〜３．０ｇを加え、その後、窒素雰囲気で、かつ６０℃
〜７５℃の温度で５〜２０時間反応させた。反応の完了
後、この溶液をエチルエーテル又はノルマルヘキサン溶
液に沈殿させ、その後、濾過し乾燥させることで、下記
化学式（１１）に示すようなポリ［４−（４−ヒドロキ
シフェノキシ）アセトキシイソプロパノールメタクリレ
ート−ヒドロキシエチルメタクリレート−メチルメタク
リレート−グリシジルメタクリレート］樹脂を得た。こ
の際に、収率は６５〜７０％であった。
【００３４】
【化１７】 （実施例６）ポリ［４−（４−ヒドロキシフェニル）ピ
ルビンイソプロパノールメタクリレート−ヒドロキシエ
チルメタクリレート−メチルメタクリレート−グリシジ
ルメタクリレート］４元共重合体の合成 ４−（４−ヒドロキシフェニル）ピルビンイソプロパノ
ールメタクリレート０．３モル、ヒドロキシエチルアク
リラート０．２モル、メチルメタクリレート０．１５モ
ル、グリシジルメタクリレート０．３モルを５００ｍｌ
の円形フラスコに入れ、撹拌しながら、予め用意したＴ
ＨＦ ３００ｇを加え、よく混ぜ合わせた後、２，２′
−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＢＩＮ）０．１〜
３．０ｇを加え、その後、窒素雰囲気で、かつ６０℃〜
７５℃の温度で５〜２０時間反応させた。反応の完了
後、この溶液をエチルエーテル又はノルマルヘキサン溶
液に沈殿させ、その後、濾過し乾燥させることで、下記
化学式（１２）に示すようなポリ［４−（４−ヒドロキ
シフェニル）ピルビンイソプロパノールメタクリレート
−ヒドロキシエチルメタクリレート−メチルメタクリレ
ート−グリシジルメタクリレート］樹脂を得た。この際
に、収率は６５〜７０％であった。
ルビンイソプロパノールメタクリレート−ヒドロキシエ
チルメタクリレート−メチルメタクリレート−グリシジ
ルメタクリレート］４元共重合体の合成 ４−（４−ヒドロキシフェニル）ピルビンイソプロパノ
ールメタクリレート０．３モル、ヒドロキシエチルアク
リラート０．２モル、メチルメタクリレート０．１５モ
ル、グリシジルメタクリレート０．３モルを５００ｍｌ
の円形フラスコに入れ、撹拌しながら、予め用意したＴ
ＨＦ ３００ｇを加え、よく混ぜ合わせた後、２，２′
−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＢＩＮ）０．１〜
３．０ｇを加え、その後、窒素雰囲気で、かつ６０℃〜
７５℃の温度で５〜２０時間反応させた。反応の完了
後、この溶液をエチルエーテル又はノルマルヘキサン溶
液に沈殿させ、その後、濾過し乾燥させることで、下記
化学式（１２）に示すようなポリ［４−（４−ヒドロキ
シフェニル）ピルビンイソプロパノールメタクリレート
−ヒドロキシエチルメタクリレート−メチルメタクリレ
ート−グリシジルメタクリレート］樹脂を得た。この際
に、収率は６５〜７０％であった。
【００３５】
【化１８】 （実施例７）ポリ［ビニール４−（２−ブタノン）ベン
ゾエート−ヒドロキシプロピルアクリラート−メチルメ
タクリレート−グリシジルメタクリレート］４元共重合
体の合成 ビニール４−（２−ブタノン）ベンゾエート０．３モ
ル、ヒドロキシプロピルアクリラート０．２５モル、メ
チルメタクリレート０．１モル、グリシジルメタクリレ
ート０．３モルを５００ｍｌの円形フラスコに入れ、撹
拌しながら、予め用意したＴＨＦ ３００ｇを加え、よ
く混ぜ合わせた後、２，２′−アゾビスイソブチロニト
リル（ＡＢＩＮ）０．１〜３．０ｇを加え、その後、窒
素雰囲気で、かつ６０℃〜７５℃の温度で５〜２０時間
反応させた。反応の完了後、この溶液をエチルエーテル
又はノルマルヘキサン溶液に沈殿させ、その後、濾過し
乾燥させることで、下記化学式（１３）に示すようなポ
リ［ビニール４−（２−ブタノン）ベンゾエート−ヒド
ロキシプロピルアクリラート−メチルメタクリレート−
グリシジルメタクリレート］樹脂を得た。この際に、収
率は６５〜７０％であった。
ゾエート−ヒドロキシプロピルアクリラート−メチルメ
タクリレート−グリシジルメタクリレート］４元共重合
体の合成 ビニール４−（２−ブタノン）ベンゾエート０．３モ
ル、ヒドロキシプロピルアクリラート０．２５モル、メ
チルメタクリレート０．１モル、グリシジルメタクリレ
ート０．３モルを５００ｍｌの円形フラスコに入れ、撹
拌しながら、予め用意したＴＨＦ ３００ｇを加え、よ
く混ぜ合わせた後、２，２′−アゾビスイソブチロニト
リル（ＡＢＩＮ）０．１〜３．０ｇを加え、その後、窒
素雰囲気で、かつ６０℃〜７５℃の温度で５〜２０時間
反応させた。反応の完了後、この溶液をエチルエーテル
又はノルマルヘキサン溶液に沈殿させ、その後、濾過し
乾燥させることで、下記化学式（１３）に示すようなポ
リ［ビニール４−（２−ブタノン）ベンゾエート−ヒド
ロキシプロピルアクリラート−メチルメタクリレート−
グリシジルメタクリレート］樹脂を得た。この際に、収
率は６５〜７０％であった。
【００３６】
【化１９】 （実施例８）ポリ［ビニール４−（３−メトキシ）ベン
ゾエートアセトン−ヒドロキシプロピルメタクリレート
−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート］
４元共重合体の合成 ビニール４−（３−メトキシ）ベンゾエートアセトン
０．３モル、ヒドロキシプロピルメタクリレート０．２
３モル、メチルメタクリレート０．１モル、グリシジル
メタクリレート０．３モルを５００ｍｌの円形フラスコ
に入れ、撹拌しながら、予め用意したＴＨＦ ３００ｇ
を加え、よく混ぜ合わせた後、２，２′−アゾビスイソ
ブチロニトリル（ＡＢＩＮ）０．１〜３．０ｇを加え、
その後、窒素雰囲気で、かつ６０℃〜７５℃の温度で５
〜２０時間反応させた。反応の完了後、この溶液をエチ
ルエーテル又はノルマルヘキサン溶液に沈殿させ、その
後、濾過し乾燥させることで、下記化学式（１４）に示
すようなポリ［ビニール４−（３−メトキシ）ベンゾエ
ートアセトン−ヒドロキシプロピルアクリラート−メチ
ルメタクリレート−グリシジルメタクリレート］樹脂を
得た。この際に、収率は６５〜７０％であった。
ゾエートアセトン−ヒドロキシプロピルメタクリレート
−メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート］
４元共重合体の合成 ビニール４−（３−メトキシ）ベンゾエートアセトン
０．３モル、ヒドロキシプロピルメタクリレート０．２
３モル、メチルメタクリレート０．１モル、グリシジル
メタクリレート０．３モルを５００ｍｌの円形フラスコ
に入れ、撹拌しながら、予め用意したＴＨＦ ３００ｇ
を加え、よく混ぜ合わせた後、２，２′−アゾビスイソ
ブチロニトリル（ＡＢＩＮ）０．１〜３．０ｇを加え、
その後、窒素雰囲気で、かつ６０℃〜７５℃の温度で５
〜２０時間反応させた。反応の完了後、この溶液をエチ
ルエーテル又はノルマルヘキサン溶液に沈殿させ、その
後、濾過し乾燥させることで、下記化学式（１４）に示
すようなポリ［ビニール４−（３−メトキシ）ベンゾエ
ートアセトン−ヒドロキシプロピルアクリラート−メチ
ルメタクリレート−グリシジルメタクリレート］樹脂を
得た。この際に、収率は６５〜７０％であった。
【００３７】
【化２０】 （実施例９）反射防止膜の製造 前記化学式（１）、（２）及び（３）を基本構造とする
実施例５ないし８のような樹脂をプロピレングリコール
メチルエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶かした溶液
をウェーハに塗布し、１００〜３００℃で１０〜１００
０秒間ハードベイクを行った。その後、感光膜を塗布
し、微細パターン形成工程を行った。
実施例５ないし８のような樹脂をプロピレングリコール
メチルエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶かした溶液
をウェーハに塗布し、１００〜３００℃で１０〜１００
０秒間ハードベイクを行った。その後、感光膜を塗布
し、微細パターン形成工程を行った。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による前記
化学式（１）、（２）及び（３）を基本構造とする重合
体は、吸光度の高いフェニル基を樹脂自体に含有してい
るばかりでなく、本発明による反射防止膜樹脂はハイド
ロカーボン系の全ての溶媒に対する溶解性に優れ、ハー
ドベイク後にはどんな溶媒にも溶解されない耐溶解性を
有するので、感光膜の塗布時、何らの問題も発生しない
だけでなく、パターンの形成時、アンダーカッティング
及びフッティングが発生しない優れた効果を表す。
化学式（１）、（２）及び（３）を基本構造とする重合
体は、吸光度の高いフェニル基を樹脂自体に含有してい
るばかりでなく、本発明による反射防止膜樹脂はハイド
ロカーボン系の全ての溶媒に対する溶解性に優れ、ハー
ドベイク後にはどんな溶媒にも溶解されない耐溶解性を
有するので、感光膜の塗布時、何らの問題も発生しない
だけでなく、パターンの形成時、アンダーカッティング
及びフッティングが発生しない優れた効果を表す。
【００３９】特に、架橋鎖の結合がＣ−Ｏ結合からなっ
ているため、エッチング時、ＡｒＦ感光膜に比べて優れ
たエッチング速度を有して、エッチング選択比が著しく
向上する効果がある。
ているため、エッチング時、ＡｒＦ感光膜に比べて優れ
たエッチング速度を有して、エッチング選択比が著しく
向上する効果がある。
【００４０】したがって、本発明による重合体を、半導
体製造工程の超微細パターン形成工程における反射防止
膜として使用することにより、半導体製造工程のリソグ
ラフィー工程における下部膜層の反射を防止するだけで
なく、光及びフォトレジスト自体の厚さ変化による定在
波を除去して、１Ｇ、４Ｇ、１６Ｇ ＤＲＡＭの安定し
た超微細パターンを形成することができるので、製品の
収率を増大することができる。
体製造工程の超微細パターン形成工程における反射防止
膜として使用することにより、半導体製造工程のリソグ
ラフィー工程における下部膜層の反射を防止するだけで
なく、光及びフォトレジスト自体の厚さ変化による定在
波を除去して、１Ｇ、４Ｇ、１６Ｇ ＤＲＡＭの安定し
た超微細パターンを形成することができるので、製品の
収率を増大することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７４ (72)発明者 ミン ホ ジョン 大韓民国 ギュンギ ド イチェオン シ ジェウンポ ドン スンキュン アパー トメント 205−1102 (72)発明者 キ ホ バイク 大韓民国 ギュンギ ド イチェオン シ ジェウンポ ドン デエウ アパートメ ント 203−402
Claims (20)
- 【請求項１】 下記構造を有する乱反射防止膜用化合
物。 【化１】 ここで、Ｒa、Ｒb、Ｒc及びＲdはそれぞれ水素又はメチ
ル基を、Ｒ1ないしＲ4はそれぞれ水素、又は炭素数１〜
５の置換されているか又は置換されていない直鎖又は側
鎖アルキルであるか、アルコキシアルキルを、また、
ｗ、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ０．１〜０．９のモル分率
を、ｌ、ｍ、ｎ、ｐはそれぞれ１〜３の整数を示す。 - 【請求項２】 Ｒa、Ｒb、Ｒc及びＲdはそれぞれメチル
基であり、ｌ、ｎ、ｐはそれぞれ１、ｍは２であり、Ｒ
1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙ：ｚは
０．３：０．２５：０．１：０．３であることを特徴と
する請求項１記載のポリ［４−（４−ヒドロキシフェノ
キシ）アセトキシイソプロパノールメタクリレート−ヒ
ドロキシエチルメタクリレート−メチルメタクリレート
−グリシジルメタクリレート］ 。 - 【請求項３】 下記構造を有する単量体、ヒドロキシア
ルキルアクリラート系単量体、アルキルアクリラート系
単量体及びグリシジルアクリラート系単量体を溶媒中で
開始剤とともに重合反応させて請求項１または請求項２
記載の化合物を製造する方法。 【化２】 ここで、Ｒaは水素又はメチル基を、Ｒ1ないしＲ4はそ
れぞれ水素、又は炭素数１〜５の置換されているか又は
置換されていない直鎖又は側鎖アルキルであるか、アル
コキシアルキルを、ｐは１〜３の整数をそれぞれ示す。 - 【請求項４】 下記構造を有する乱反射防止膜用化合
物。 【化３】 ここで、Ｒa、Ｒb、Ｒc及びＲdはそれぞれ水素又はメチ
ル基を、Ｒ1ないしＲ4はそれぞれ水素、又は炭素数１〜
５の置換されているか又は置換されていない直鎖又は側
鎖アルキルであるか、アルコキシアルキルを、また、
ｗ、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ０．１〜０．９のモル分率
を、ｌ、ｍ、ｎ、ｐはそれぞれ１〜３の整数を示す。 - 【請求項５】 Ｒa、Ｒc及びＲdはそれぞれメチル基で
あり、Ｒbは水素であり、 ｌ、ｎ、ｐはそれぞれ１、ｍ
は２であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ水素、
ｗ：ｘ：ｙ：ｚは０．３：０．２５：０．１：０．３で
あることを特徴とする請求項４記載のポリ［４−（４−
ヒドロキシフェニル）ピルビンシイソプロパノールメタ
クリレート−ヒドロキシエチルメタクリレート−メチル
メタクリレート−グリシジルメタクリレート］ 。 - 【請求項６】 下記構造を有する単量体、ヒドロキシア
ルキルアクリラート系単量体、アルキルアクリラート系
単量体及びグリシジルアクリラート系単量体を溶媒中で
開始剤とともに重合反応させて請求項４または請求項５
記載の化合物を製造する方法。 【化４】 ここで、Ｒaは水素又はメチル基を、Ｒ1ないしＲ4はそ
れぞれ水素、又は炭素数１〜５の置換されているか又は
置換されていない直鎖又は側鎖アルキルであるか、アル
コキシアルキルを、ｐは１〜３の整数をそれぞれ示す。 - 【請求項７】 下記構造を有する乱反射防止膜用化合
物。 【化５】 ここで、Ｒa、Ｒb、Ｒc及びＲdはそれぞれ水素又はメチ
ル基を、Ｒ1ないしＲ4はそれぞれ水素、又は炭素数１〜
５の置換されているか又は置換されていない直鎖又は側
鎖アルキルであるか、アルコキシアルキルを、Ｒ5は−
Ｈ、−ＯＨ、−ＣＯＣＨ3又は炭素数１〜４の置換され
ているか又は置換されていない直鎖又は側鎖アルキル、
シクロアルキルであるか、アルコキシアルキル、シクロ
アルコキシアルキルを、ｗ、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ０．
１〜０．９のモル分率を、ｌ、ｍ、ｎ、ｐはそれぞれ１
〜３の整数を示す。 - 【請求項８】 Ｒa、Ｒc及びＲdはそれぞれメチル基で
あり、Ｒbは水素であり、 ｌは２、ｍは３、ｎは１であ
り、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ水素、Ｒ5は−Ｃ
ＯＣＨ3、ｗ：ｘ：ｙ：ｚは０．３：０．２５：０．
１：０．３であることを特徴とする請求項７記載のポリ
［ビニール４−（２−ブタノン）ベンゾエート−ヒドロ
キシプロピルアクリラート−メチルメタクリレート−グ
リシジルメタクリレート］ 。 - 【請求項９】 Ｒa、Ｒb、Ｒc及びＲdはそれぞれメチル
基であり、ｌは１、ｍは３、ｎは１であり、Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3はそれぞれ水素、Ｒ4は−ＯＣＨ3、Ｒ5は−ＣＯＣＨ
3、ｗ：ｘ：ｙ：ｚは０．３：０．２３：０．１：０．
３であることを特徴とする請求項７記載のポリ［ビニー
ル４−（３−メトキシ）ベンゾエートアセトン−ヒドロ
キシプロピルメタクリレート−メチルメタクリレート−
グリシジルメタクリレート］ 。 - 【請求項１０】 下記構造を有する単量体、ヒドロキシ
アルキルアクリラート系単量体、アルキルアクリラート
系単量体及びグリシジルアクリラート系単量体を溶媒中
で開始剤とともに重合反応させて請求項７から請求項９
のいずれか１項記載の化合物を製造する方法。 【化６】 ここで、Ｒaは水素又はメチル基を、Ｒ1ないしＲ4はそ
れぞれ水素、又は炭素数１〜５の置換されているか又は
置換されていない直鎖又は側鎖アルキルであるか、アル
コキシアルキルを、Ｒ5は−Ｈ、−ＯＨ、−ＣＯＣＨ3又
は炭素数１〜４の置換されているか又は置換されていな
い直鎖又は側鎖アルキル、シクロアルキルであるか、ア
ルコキシアルキル、シクロアルコキシアルキルを、ｌは
１〜３の整数をそれぞれ示す。 - 【請求項１１】 前記開始剤としては、２，２−アゾビ
スイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、アセチルパーオキ
サイド、ラウリルパーオキサイド及びｔ−ブチルパーオ
キサイドからなるグループから選択されたものを使用す
ることを特徴とする請求項３、６及び１０のいずれか１
項記載の方法。 - 【請求項１２】 前記溶媒としては、テトラヒドロフラ
ン、トルエン、ベンゼン、メチルエチルケトン及びジオ
キサンからなるグループから選択されたものを使用する
ことを特徴とする請求項３、６及び１０のいずれか１項
記載の方法。 - 【請求項１３】 前記重合反応は５０℃〜８０℃の温度
で行われることを特徴とする請求項３、６及び１０のい
ずれか１項記載の方法。 - 【請求項１４】 各単量体のモル比はそれぞれ０．１〜
０．９であることを特徴とする請求項３、６及び１０の
いずれか１項記載の方法。 - 【請求項１５】 請求項１、２、４、５、７、８、及び
９のいずれか１項記載の化合物を有機溶媒に溶解させた
溶液をウェーハに塗布し、ハードベイクする段階を含ん
でなることを特徴とする反射防止膜の形成方法。 - 【請求項１６】 前記有機溶媒としては、エチル３−エ
トキシプロピオネート、メチル３−メトキシプロピオネ
ート、シクロヘキサノン、プロピレングリコールメチル
エーテルアセテートからなるグループから選択されたも
のを使用することを特徴とする請求項１５記載の方法。 - 【請求項１７】 前記有機溶媒の量は、請求項１、２、
４、５、７、８、及び９のいずれか１項記載の化合物の
量の２００〜５０００重量％であることを特徴とする請
求項１５記載の方法。 - 【請求項１８】 前記ハードベイクは１００〜３００℃
の温度で１０〜１０００秒間行うことを特徴とする請求
項１５記載の方法。 - 【請求項１９】 請求項１、２、４、５、７、８、及び
９のいずれか１項記載の化合物の一つを含んでなること
を特徴とする半導体素子の製造工程に使用される反射防
止膜用組成物。 - 【請求項２０】 請求項１９の反射防止膜用組成物を含
有した反射防止膜を含んでなることを特徴とする半導体
素子。
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