JP2001194783A - アルカリ現像可能な感光性ポリイミド前駆体組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】アルカリ現像液によって良好なパターンが得ら
れるネガ型感光性ポリイミド前駆体組成物を得ることが
できる。 【解決手段】２種類の有機基−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ¹
を含み、かつ、厚さ１０μｍのプリベーク膜中の−ＣＯ
ＯＨのモル分率−ＣＯＯＨ／｛（−ＣＯＯＨ）＋（−Ｃ
ＯＯＲ¹）｝の値が０．１０〜０．７５であるポリマー
を主成分とすることを特徴とする感光性ポリイミド前駆
体組成物である。 （Ｒ¹は炭素数１〜３０の有機基を表し、うち５０〜１
００モル％は光感応性基を含んだ有機基を表す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス、
多層配線基板などの電気、電子材料の製造に有用なポリ
イミド前駆体組成物に関するものであり、さらに詳しく
は、アルカリ現像液によって良好なパターンが得られる
ネガ型感光性ポリイミド前駆体組成物に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】ポリイミドはその優れた耐熱性、電気特
性、機械特性のため、半導体チップや配線の保護膜、多
層配線基板の層間絶縁膜、ストレスバッファーコートな
どに広く実用化されている。さらに、感光性ポリイミド
については自身がパターン加工性を有するため、通常の
非感光性ポリイミドをレジスト等を用いてパターン加工
する場合と比べて、プロセスの簡略化が可能である。近
年は、製造コストや排水処理コスト、及び、環境への影
響も考慮され、感光性ポリイミドの現像液が従来の有機
溶剤から汎用的なアルカリ水溶液に変わりつつある。

【０００３】例えば、特公昭５５−４１４２２号公報に
記載されているように、ポリアミド酸の側鎖のカルボキ
シル基にメタクリル酸−２−ヒドロキシエチルといっ
た、光感応基を含んだアルコールを縮合させてエステル
としたポリマーを主成分とした組成物などは、良好なパ
ターン加工性を有し、組成物の保存安定性も良好であ
る。しかしこれらのポリマーは、アルカリ水溶液には不
溶であるため有機溶剤でしか現像できないという問題が
ある。

【０００４】他方、特公昭５９−５２８２２号公報に記
載されているように、ポリアミド酸に光感応基を有する
アミン化合物を添加して感光性ポリイミド前駆体とした
組成物などは、ポリアミド酸のアルカリ水溶液への溶解
性があまりにも高いため、現像時の膜べりが非常に大き
いといった問題がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の諸欠点に鑑み創案されたもので、本発明の目的はア
ルカリ水溶液で現像可能であり、かつ、現像時の膜べり
の少ない感光性ポリイミド前駆体組成物を提供すること
にある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、２種類の有機
基−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ¹を含み、かつ、厚さ１０μ
ｍのプリベーク膜中の−ＣＯＯＨのモル分率−ＣＯＯＨ
／｛（−ＣＯＯＨ）＋（−ＣＯＯＲ¹）｝の値が０．１
〜０．７５であるポリマーを主成分とすることを特徴と
するアルカリ現像用感光性ポリイミド前駆体組成物であ
る。（Ｒ¹は炭素数１〜３０の有機基を表し、うち５０
〜１００モル％は光感応性基を含んだ有機基を表す。）

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明は、アルカリ現像液に可溶
なカルボキシル基とアルカリ現像液に不溶なエステル基
との割合を、厚さ１０μｍのプリベーク膜中のカルボキ
シル基のモル分率の値、カルボキシル基／（カルボキシ
基＋エステル基）が０．１〜０．７５になるようにし、
かつ、エステル基の５０〜１００モル％に光感応性基を
導入することによって得たアルカリ現像用感光性ポリイ
ミド前駆体組成物である。

【０００８】ここでいう「厚さ１０μｍのプリベーク
膜」とは、組成物をシリコン基板に塗布後、４０〜１５
０℃で加熱処理して形成された厚さ１０ミクロンのプリ
ベーク膜をいう。このときの加熱時間は加熱温度に併せ
て１分〜数時間の間で適宜選択されるものとする。より
好ましい温度としては６０〜１３０℃、最も好ましい温
度としては８０〜１２０℃である。この範囲より小さい
と組成物が十分に乾燥せず、この範囲より大きいとイミ
ド化率の上昇によるアルカリ現像液への溶解性低下を引
き起こす恐れがあるため注意が必要である。

【０００９】本発明の好ましいカルボキシル基のモル分
率は０．１〜０．７５である。この範囲より小さいと、
アルカリ現像液への溶解性がほとんどなく、この範囲よ
り大きいと現像時の膜べりが大きくなるので注意を要す
る。より好ましいカルボキシル基のモル分率は０．２〜
０．７であり、最も好ましくは０．３〜０．６５であ
る。

【００１０】上記エステル構造中、Ｒ¹は炭素数１〜３
０の有機基を表し、うち５０〜１００モル％は光感応基
を含んだ有機基を表す。この量より小さいと、現像時の
膜べりが大きくなったり、パターン精度が悪くなったり
するので注意が必要である。より好ましくは８０〜１０
０モル％であり、最も好ましくは９５〜１００モル％で
ある。炭素数１〜３０の有機基としては脂肪族有機基が
好ましく、含有される有機基としては、炭化水素基、水
酸基、カルボニル基、カルボキシル基、ウレタン基、ウ
レア基、アミド基、エーテル基などが挙げられるがこれ
らに限定されない。好ましい具体例としては、下記構造
式で表されるものが挙げられるがこれらに限定されな
い。

【００１１】

【化５】

【００１２】本発明におけるポリイミド前駆体は、Ｒ¹
がこれらのうち１種から構成されていても良いし、２種
以上から構成されても構わない。

【００１３】本発明のポリイミド前駆体は、加熱あるい
は適当な触媒によりイミド環や、その他環状構造を有す
るポリマー（以後、「ポリイミド系ポリマー」と呼ぶ）
となり得るものをあげることができる。好ましい構造と
しては、一般式（１）で表される構造単位を有するもの
が挙げられる。

【００１４】上記一般式（１）中、Ｒ²は少なくとも２
個以上の炭素原子を有する３価または４価の有機基であ
り、ポリイミド系ポリマーの耐熱性から、芳香族環また
は芳香族複素環を含有し、かつ炭素数６〜３０の４価の
基が好ましい。Ｒ²の好ましい具体的な例としては、
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、
３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボ
ン酸、３，３’，４，４’−ジフェニルヘキサフルオロ
プロパンテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸、ピロメリット酸、
ブタンテトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボ
ン酸などの残基が挙げられるが、これらに限定されな
い。ポリイミド系ポリマーの耐熱性の点から、特に好ま
しい具体例としては、３，３’，４，４’−ビフェニル
テトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ジフェニルエ
ーテルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ジフェ
ニルヘキサフルオロプロパンテトラカルボン酸、３，
３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、
３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸、ピロメリット酸、などの残基が挙げられる。

【００１５】本発明におけるポリイミド前駆体は、Ｒ²
が１種であっても良いし、２種以上から構成される共重
合体であっても構わない。

【００１６】上記一般式（１）中、Ｒ³は少なくとも２
個以上の炭素原子を有する２価の有機基である。ポリイ
ミド系ポリマーの耐熱性の点から、Ｒ³は芳香族環また
は芳香族複素環を含有し、かつ炭素数６〜３０の２価の
基が好ましい。Ｒ³の好ましい具体的な例としては、パ
ラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、メチ
ルパラフェニレンジアミン、メチルメタフェニレンジア
ミン、ジメチルパラフェニレンジアミン、ジメチルメタ
フェニレンジアミン、トリメチルパラフェニレンジアミ
ン、トリメチルメタフェニレンジアミン、テトラメチル
パラフェニレンジアミン、テトラメチルメタフェニレン
ジアミン、トリフルオロメチルパラフェニレンジアミ
ン、トリフルオロメチルメタフェニレンジアミン、ビス
（トリフルオロメチル）パラフェニレンジアミン、ビス
（トリフルオロメチル）メタフェニレンジアミン、メト
キシパラフェニレンジアミン、メトキシメタフェニレン
ジアミン、トリフルオロメトキシパラフェニレンジアミ
ン、トリフルオロメトキシメタフェニレンジアミン、フ
ルオロパラフェニレンジアミン、フルオロメタフェニレ
ンジアミン、クロロパラフェニレンジアミン、クロロメ
タフェニレンジアミン、ブロモパラフェニレンジアミ
ン、ブロモメタフェニレンジアミン、カルボキシパラフ
ェニレンジアミン、カルボキシメタフェニレンジアミ
ン、メトキシカルボニルパラフェニレンジアミン、メト
キシカルボニルメタフェニレンジアミン、ジアミノジフ
ェニルメタン、ビス（アミノメチルフェニル）メタン、
ビス（アミノトリフルオロメチルフェニル）メタン、ビ
ス（アミノエチルフェニル）メタン、ビス（アミノクロ
ロフェニル）メタン、ビス（アミノジメチルフェニル）
メタン、ビス（アミノジエチルフェニル）メタン、ジア
ミノジフェニルプロパン、ビス（アミノメチルフェニ
ル）プロパン、ビス（アミノトリフルオロメチルフェニ
ル）プロパン、ビス（アミノエチルフェニル）プロパ
ン、ビス（アミノクロロフェニル）プロパン、ビス（ア
ミノジメチルフェニル）プロパン、ビス（アミノジエチ
ルフェニル）プロパン、ジアミノジフェニルヘキサフル
オロプロパン、ビス（アミノメチルフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、ビス（アミノトリフルオロメチルフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（アミノエチルフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（アミノクロロ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（アミノジメ
チルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（アミノ
ジエチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ジアミノ
ジフェニルスルホン、ビス（アミノメチルフェニル）ス
ルホン、ビス（アミノエチルフェニル）スルホン、ビス
（アミノトリフルオロメチルフェニル）スルホン、ビス
（アミノジメチルフェニル）スルホン、ビス（アミノジ
エチルフェニル）スルホン、ジアミノジフェニルエーテ
ル、ビス（アミノメチルフェニル）エーテル、ビス（ア
ミノトリフルオロメチルフェニル）エーテル、ビス（ア
ミノエチルフェニル）エーテル、ビス（アミノジメチル
フェニル）エーテル、ビス（アミノジエチルフェニル）
エーテル、ジメチルベンジジン、ビス（トリフルオロメ
チル）ベンジジン、ジクロロベンジジン、ビス（アミノ
フェノキシ）ベンゼン、ビス（アミノフェノキシフェニ
ル）プロパン、ビス（アミノフェノキシフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン、ビス（アミノフェノキシフェニ
ル）エーテル、ビス（アミノフェノキシフェニル）メタ
ン、ビス（アミノフェノキシフェニル）スルホン、３，
５−ジアミノ安息香酸メタクロイルエチルエステル、
３，５−ジアミノ安息香酸アクロイルエチルエステル、
２，４−ジアミノ安息香酸メタクロイルエチルエステ
ル、２，４−ジアミノ安息香酸アクロイルエチルエステ
ルなどの残基及びその水添化合物の残基などが挙げられ
るが、これらに限定されない。

【００１７】本発明におけるポリイミド前駆体は、Ｒ³
がこれらのうち１種から構成されていても良いし、２種
以上から構成される共重合体であっても構わない。

【００１８】さらに、ポリイミド系ポリマーの接着性を
向上させるため、耐熱性を低下させない範囲でＲ³とし
て、シロキサン結合を有する脂肪族性の基を共重合する
ことも可能である。好ましい具体例としては、ビス（３
−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンなどが挙
げられるが、これに限定されない。

【００１９】上記一般式（１）中、Ｒ⁴は−ＣＯＯＨ、
−ＣＯＯＲ¹から選ばれた少なくとも１種の構造を表
し、かつ、厚さ１０μｍのプリベーク膜中の−ＣＯＯＨ
のモル分率−ＣＯＯＨ／｛（−ＣＯＯＨ）＋（−ＣＯＯ
Ｒ¹）｝の値が０．１〜０．７５である。この範囲より
小さいとアルカリ現像液への溶解性がほとんどなく、こ
の範囲より大きいと現像時の膜べりが大きくなるので注
意が必要である。より好ましくは０．２〜０．７であ
り、最も好ましくは０．３〜０．６５である。

【００２０】本発明におけるモル分率は以下のように算
出される。モル分率をＷａ、ポリイミド前駆体組成物の
イミド化率、カルボキシル基率、エステル基率をそれぞ
れＩａ、Ｃａ、Ｅａとおき、Ｅａを次式（ａ）で定義す
る。 Ｅａ＝１−Ｉａ−Ｃａ これより、Ｗａは以下の次式（ｂ）で表される。 Ｗａ＝Ｃａ／（Ｃａ＋Ｅａ）＝Ｃａ／（１−Ｉａ） 以下、Ｉａ、Ｃａの求め方について述べる。

【００２１】イミド化率Ｉａの値は、透過赤外スペクト
ル（ＩＲ）測定によって、試料となるポリイミド前駆体
組成物（以下試料ワニスと称する）のイミド基に起因す
る波数における吸光度を求め、これより算出する。吸光
度測定に用いるイミド基に起因する振動波数としては、
通常、１７５０〜１８００ｃｍ^-1または１３５０〜１４
００ｃｍ^-1の波数を用い、Ｉａの算出を行う。以下、算
出法の詳細ついて述べる。

【００２２】まず、試料ワニスをスピンコート法により
シリコンウェハー上に塗布する。ついで、所定の温度で
厚さ１０μｍのプリベーク膜とし、ＩＲ測定により、イ
ミド基の吸光度Ｉを求める。次に、この膜をオーブンに
て窒素気流下３５０℃で２時間熱処理（キュア）してイ
ミド化を１００％進行させる。この、１００％イミド化
させた試料についてＩＲ測定を行い、イミド基に起因す
る波数の吸光度Ｉ₁を求める。

【００２３】このときの、イミド基の吸光度Ｉとイミド
化率Ｉａの関係を示す式（ｃ）は、Ｉａ＝Ｉ／Ｉ₁とな
る。

【００２４】イミド基に起因するピークについての吸光
度の測定は、図１のように、求めるピークの両端を結ん
で補助線を引き、ピークの頂点からＩＲスペクトルの横
軸に垂直に降ろした線との交点を求め、その交点とピー
クの頂点との長さＸを吸光度とする。

【００２５】カルボキシル基率Ｃａの測定は、まず、試
料ワニスをスピンコート法によりシリコンウェハー上に
塗布する。ついで、所定の温度で厚さ１０μｍのプリベ
ーク膜を作製し、この膜の重量Ｃ１を測定する。つい
で、この膜をオーブンにて窒素気流下３５０℃で２時間
熱処理（キュア）してイミド化を１００％進行させる。
この、１００％イミド化させた試料についての重量Ｃ２
を測定する。次にキュア用サンプルと同じ塗布回転数、
同じ温度にてプリベーク膜を再度作製し、膜を削りだし
て、ポリマーが０．００２モル含まれるように計量を行
う。このときの必要計量値は、組成物を１００％イミド
化させたときのポリイミド構造単位の分子量Ｍを用いて
下式（ｄ）で表される。 （０．００２×Ｍ×Ｃ１）／Ｃ２。

【００２６】削りだした膜を計量後、ＮＭＰで希釈して
測定溶液とする。この溶液をＮ／１０テトラブチルアン
モニウムヒドロキシドアルコール溶液で適定してポリマ
ー中の遊離カルボキシル基含有量Ｃｂ（モル）を求め
る。次に次式（ｅ）を用いてＣａ＝Ｃｂ／（０．００２
×２）より、カルボキシル基率Ｃａを求める。

【００２７】本発明におけるポリイミド前駆体は、一般
式（１）で表される構造単位のみから成るものであって
も良いし、他の構造単位との共重合体あるいはブレンド
体であっても良い。その際、一般式（１）で表される構
造単位を８０％以上含有していることが好ましい。共重
合またはブレンドに用いられる構造単位の種類、量は最
終加熱処理によって得られるポリイミド系ポリマーの耐
熱性を著しく損なわない範囲で選択するのが好ましい。

【００２８】これらのポリイミド前駆体は公知の方法を
経由して合成される。すなわち、テトラカルボン酸二無
水物とジアミンとを選択的に組み合わせる、あるいは、
テトラカルボン酸二無水物とアルコール化合物と反応さ
せた後、塩化チオニル等を用いて酸塩化物を合成した後
に適当なジアミンとを選択的に組み合わせるか、ジシク
ロヘキシルカルボジイミド等の適当な脱水剤を用いてジ
アミンとを選択的に組み合わせるなど、公知の方法を経
由して合成される。

【００２９】重合溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチ
ルホスホロトリアミドなどを主成分とする極性溶媒や、
γ−ブチロラクトンを主成分とする溶媒などが好ましく
用いられる。

【００３０】上記一般式（２）中Ｒ⁵は水素またはメチ
ル基を表す。本発明におけるＲ⁵はこれらのうち１種か
ら構成されていても良いし、２種の混合でも構わない。
上記一般式（２）中Ｒ⁶は１〜３０の有機基を表し、う
ち５０〜１００モル％は光感応基を含む有機基を表す。
炭素数１〜３０の有機基としては脂肪族有機基が好まし
く、含有される有機基としては、炭化水素基、水酸基、
カルボニル基、カルボキシル基、ウレタン基、ウレア
基、アミド基などが挙げられるがこれらに限定されな
い。好ましい一般式（２）の化合物の具体例としては下
記構造式で表されるものなどが挙げられるがこれらに限
定されない。

【００３１】

【化６】

【００３２】上記一般式（３）中Ｒ⁷は１〜３０の有機
基を表し、うち５０〜１００モル％は光感応基を含む有
機基を表す。炭素数１〜３０の有機基としては脂肪族有
機基が好ましく、含有される有機基としては、炭化水素
基、水酸基、カルボニル基、カルボキシル基、ウレタン
基、ウレア基、アミド基などが挙げられるがこれらに限
定されない。好ましい一般式（３）で表される化合物の
具体例としては下記構造式で表されるものなどが挙げら
れるがこれらに限定されない。

【００３３】

【化７】

【００３４】これら一般式（２）で表されるジアセター
ル化合物、または一般式（３）で表されるエポキシ化合
物は一般式（１）で表されるポリマーが生成した後に加
えて反応させるのが好ましい方法である。加える量とし
て好ましい量とは、一般式（１）の構造単位に対して２
０〜４００モル％であり、この量より多いと、硬化後の
ポリイミド膜の機械物性の低下を招き、この量より少な
いと十分なパターン加工性能が得られないので注意を要
する。さらに好ましい量としては４０〜３００モル％、
最も好ましい量としては１００〜２５０モル％である。

【００３５】一般式（２）で表されるジアセタール化合
物、または一般式（３）で表されるエポキシ化合物と、
ポリマー（１）とを溶液中で反応させる場合、反応時の
温度は０〜８０℃であり、この範囲より高いと、光感応
性基の変性が起こってワニスがゲル化したり、イミド化
の進行が起こってアルカリ現像液への溶解性が低下する
恐れがあるので注意を要する。逆にこの範囲より小さい
と、反応が十分に進行しないので注意が必要である。よ
り好ましくは１０〜６０℃、最も好ましくは２０〜５５
℃である。反応時間は反応温度によって、１時間〜２４
０時間の間で選択されるのが好ましい。また、必ずしも
溶液中でエステル化を完結させる必要はなく、溶液を基
材に塗布してプリベークする際の乾燥温度や乾燥時間を
適正にすることで製膜工程中にエステル化をさらに進行
させることもできる。この乾燥温度の好ましい範囲とし
ては４０〜１５０℃であり、このときの乾燥時間は乾燥
温度に併せて１分〜数時間の間で適宜選択される。

【００３６】特に、一般式（３）で表されるエポキシ化
合物の場合は、これら化合物を室温以下でポリアミド酸
を主成分とした溶液に単に添加し、適正な条件でプリベ
ークすることで本発明の−ＣＯＯＨ基のモル分率範囲の
組成物とすることもできる。

【００３７】さらに現像後の膜厚保持率、パターン解像
度を向上させる点から、感光性ポリイミド前駆体組成物
は一般式（４）で表されるアミン化合物を含んでいても
良い一般式（４）のＲ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰は炭素数１〜３０の
有機基であり、うち、少なくとも１つは光感応基を含む
有機基である。炭素数１〜３０の有機基としては脂肪族
有機基が好ましく、含有される有機基としては、炭化水
素基、水酸基、カルボニル基、カルボキシル基、ウレタ
ン基、ウレア基、アミド基などが挙げられるがこれらに
限定されない。このときの含有量は一般式（１）で表さ
れるポリマーの構造単位に対して２０〜２００モル％で
あることが好ましい。この範囲より小さいと現像後の膜
厚保持率の低下を招き、この範囲を越えると解像度の低
下、加熱硬化後のポリイミド膜の伸度低下を招くので注
意を要する。より好ましくは３０〜１５０モル％の範囲
にあり、さらに好ましくは４０〜１００モル％の範囲に
あることである。

【００３８】一般式（４）の好ましい具体例としては、
アクリル酸ジメチルアミノエチル、アクリル酸ジエチル
アミノエチル、メタクリル酸ジメチルアミノエチル、メ
タクリル酸ジエチルアミノエチル、メタクリル酸ジメチ
ルアミノプロピル、メタクリル酸ジメチルアミノブチ
ル、メタクリル酸ジメチルアミノヘキシル、Ｎ−（２−
ジメチルアミノエチル）メタクリルアミド、Ｎ−（３−
ジメチルアミノプロピル）メタクリルアミド、Ｎ−（２
−ジエチルアミノエチル）メタクリルアミド、Ｎ−（３
−ジエチルアミノプロピル）アクリルアミド、Ｎ−（２
−ジメチルアミノエチル）アクリルアミド、Ｎ−（３−
ジメチルアミノプロピル）アクリルアミド、Ｎ−（２−
ジエチルアミノエチル）アクリルアミド、Ｎ−（３−ジ
エチルアミノプロピル）アクリルアミド、アクリロイル
モルホリン、メタクリロイルモルホリン、アクリロイル
ピペリジン、メタクリロイルピペリジン、アリルアミ
ン、ジアリルアミン、トリアリルアミン、メタリルアミ
ン、ビニルピリジン、メタクリル酸エチルトリメチルア
ンモニウム塩、メタクリル酸−２−ヒドロキシプロピル
トリメチルアンモニウム塩、パラ（またはメタ）アジド
安息香酸ジメチルアミノエチルエステル、パラ（または
メタ）アジド安息香酸ジエチルアミノエチルエステル、
パラ（またはメタ）アジド安息香酸ジメチルアミノプロ
ピルエステル、パラ（またはメタ）アジド安息香酸ジエ
チルアミノプロピルエステル、パラ（またはメタ）アジ
ドスルホニル安息香酸ジメチルアミノエチルエステル、
パラ（またはメタ）アジドスルホニル安息香酸ジエチル
アミノエチルエステル、パラ（またはメタ）アジドスル
ホニル安息香酸ジメチルアミノプロピルエステル、パラ
（またはメタ）アジドスルホニル安息香酸ジエチルアミ
ノプロピルエステル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエ
チル、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ト
リメチロールプロパントリアクリレート、エチレングリ
コールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタ
クリレート、トリエチレングリコールジメタクリレー
ト、テトラエチレングリコールジメタクリレート、プロ
ピレングリコールジメタクリレート、メチレンビスメタ
クリルアミド、メチレンビスアクリルアミドに示される
化合物などが挙げられるが、これらに限定されない。上
記添加化合物は単独種であっても良いし、２種以上の混
合であっても良い。

【００３９】また、厚さ１０μｍのプリベーク膜におけ
るポリマーのイミド化率Ｉａは０〜０．４であることが
好ましい、これより大きいと組成物のアルカリ現像液へ
の溶解性が著しく低下するため好ましくない。より好ま
しくは０〜０．３であり、最も好ましくは０〜０．２で
ある。

【００４０】現像後のパターンにおいてさらに高い感
度、高い解像度を得るために、光開始剤、光増感剤を含
有するのが好ましい。これら２つを各々用いる、あるい
は２つのいずれも同時に用いるなど、用いる方法は限定
されない。

【００４１】本発明に適した光開始剤としては、Ｎ−フ
ェニルジエタノールアミン、Ｎ−フェニルグリシン、ミ
ヒラーズケトンなどの芳香族アミン、３−フェニル−５
−イソオキサゾロンに代表される環状オキシム化合物、
１−フェニルプロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカル
ボニル）オキシムに代表される鎖状オキシム化合物、ベ
ンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、ジベン
ジルケトン、フルオレノンなどのベンゾフェノン誘導
体、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−
イソプロピルチオキサントンなどのチオキサントン誘導
体などが挙げられるがこれらに限定されない。

【００４２】本発明に適した増感剤としては、アジドア
ントラキノン、アジドベンザルアセトフェノンなどの芳
香族モノアジド、３，３’−カルボニルビス（ジエチル
アミノクマリン）などのクマリン化合物、ベンズアント
ロン、フェナントレンキノンなどの芳香族ケトンなど一
般に光硬化性樹脂に使用されるようなもの、その他電子
写真の電荷移動剤として使用されるものであれば好まし
く使用できることもある。

【００４３】光開始剤や増感剤はポリマーに対して０．
０１〜３０重量％である。この範囲を外れると感光性が
低下したり、ポリマーの機械特性が低下したりするので
注意を要する。さらに好ましくは０．１〜２０重量％添
加するのが好ましい。これらの光開始剤や増感剤は、単
独で、あるいは２種以上混合して用いることができる。

【００４４】本発明の組成物の塗膜または加熱処理後の
ポリイミド被膜と支持体との接着性を向上させるために
適宜接着助剤を用いることもできる。

【００４５】接着助剤としては、オキシプロピルトリメ
トキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−
メタクリルオキシプロピルトリメトキシシランなどの有
機珪素化合物、あるいはアルミニウムモノエチルアセト
アセテートジイソプロピレート、アルミニウムトリス
（アセチルアセトネート）などのアルミニウムキレート
化合物あるいはチタニウムビス（アセチルアセトネー
ト）などのチタニウムキレート化合物などが好ましく用
いられる。さらに、他の添加剤が基板との接着性、感
度、耐熱性が大幅に低下しない範囲で含んでいても良
い。

【００４６】次に本発明の組成物の使用方法について説
明をする。本発明の組成物は化学線を用いた周知の微細
加工技術でパターン加工が可能である。

【００４７】まず、本発明の組成物を適当な支持体の上
に塗布する。支持体の材質としては、例えば、金属、ガ
ラス、半導体、金属酸化絶縁膜、窒化ケイ素などが挙げ
られるが、これらに限定されない。

【００４８】塗布方法としては、スピンナーを用いた回
転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印
刷、ロールコーティングなどの手段が可能である。塗布
膜厚は塗布手段、組成物の固形分濃度、粘度によって調
節することができるが、通常０．１〜１５０μｍの範囲
になるように塗布される。

【００４９】次にポリイミド前駆体を塗布した基板を乾
燥して、ポリイミド前駆体組成物被膜を得る。乾燥は、
オーブン、ホットプレート、赤外線などを利用し、４０
〜１５０℃の範囲で行うのが好ましく、６０〜１２０℃
の範囲で行うのがより好ましい。乾燥時間は１分〜数時
間行うのが好ましい。

【００５０】次に、所望のパターンを有するマスクを用
い、露光を行う。露光量としては５０〜１０００ｍＪ／
ｃｍ²の範囲が好ましい。特に好ましい範囲は１００〜
６００ｍＪ／ｃｍ²である。適当な増感剤を用いること
によって、ｉ線ステッパー、ｇ線ステッパー、マスクア
ライナー、ミラープロジェクションなどの露光機を用い
て露光が可能である。

【００５１】現像時のパターンの解像度が向上したり、
現像条件の許容幅が増大する場合には、現像前にベーク
処理をする工程を取り入れても差し支えない。この温度
としては５０〜１８０℃の範囲が好ましく、特に６０〜
１５０℃の範囲がより好ましい。時間は１０秒〜数時間
が好ましい。この範囲を外れると、反応が進行しなかっ
たり、全ての領域が溶解しなくなるなどの恐れがあるの
で注意を要する。

【００５２】ついで未照射部を現像液で溶解除去するこ
とによりレリーフパターンを得る。現像液はポリイミド
前駆体の構造に合わせて適当なものを選択することがで
きるが、アンモニア、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド、ジエタノールアミンなどのアルカリ水溶
液などを好ましく使用することができる。

【００５３】現像は上記の現像液を塗膜面にそのまま、
あるいは、霧状にして放射する、現像液中に浸漬する、
あるいは浸漬しながら超音波をかけるなどの方法によっ
て行うことができる。

【００５４】ついでリンス液により、現像によって形成
したレリーフパターンを洗浄することが好ましい。リン
ス液としては水または有機溶媒が用いられるが、水が最
も好ましい。有機溶媒でリンスをする場合、現像液との
混和性の良いメタノール、エタノール、イソプロピルア
ルコール、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、メチル−３
−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキシプロ
ピオネート、２−ヘプタノン、酢酸エチルなどが好まし
く用いられる。

【００５５】上記の処理によって得られたレリーフパタ
ーンのポリマーは耐熱性を有するポリイミド系ポリマー
の前駆体であり、加熱処理によりイミド環やその他の環
状構造を有する耐熱性ポリマーとなる。熱処理温度とし
ては、１３５〜５００℃で行うのが好ましく、３００〜
４５０℃で行うのがより好ましい。熱処理は通常、段階
的にあるいは連続的に昇温しながら行われる。

【００５６】

【実施例】以下に実施例を示すが、本発明はこれら実施
例に限定されない。ワニスのカルボキシル基率Ｃａ、イ
ミド化率Ｉａについては以下の（１）の方法によって測
定し、パターン加工性評価については以下の（２）の方
法に基づいて行った。また、本発明の組成物は、パター
ン寸法および膜厚保持率のいずれも良好な結果を得るも
のである。 （１）ワニスの評価方法 （１−ａ）カルボキシル基率Ｃａの算出 まず、試料ワニスをスピンコート法によりシリコンウェ
ハー上に塗布する。ついで、８０℃のホットプレートで
３分、１００℃のホットプレートで３分ベーク（装置は
大日本スクリーン製造製ＳＫＷ−６３６）し、厚さ１０
μｍのプリベーク膜を作製する。この膜の重量Ｃ１
（ｇ）を測定する。ついで、この膜をオーブンにて窒素
気流下３５０℃で２時間熱処理（キュア）してイミド化
を１００％進行させる。この、１００％イミド化させた
試料についての重量Ｃ２（ｇ）を測定する。次にキュア
用サンプルと同じ塗布回転数、同じ温度にてプリベーク
膜を再度作製し、膜を削りだして、ポリマーが０．００
２モル含まれるように計量を行う。このときの必要計量
値は、組成物を１００％イミド化させたときのポリイミ
ド構造単位の分子量Ｍを用いて下式で表される。 （０．００２×Ｍ×Ｃ１）／Ｃ２。

【００５７】削りだした膜を計量後、ＮＭＰで希釈して
測定溶液とする。この溶液を柴田科学器械工学製Ｆ７０
２型を使用してＮ／１０テトラブチルアンモニウムヒド
ロキシドアルコール溶液で適定してポリマー中の遊離カ
ルボキシル基含有量Ｃｂ（モル）を求めた。これより次
式を用いてＣａ＝Ｃｂ／（０．００２×２）より、カル
ボキシル基率Ｃａを算出した。

【００５８】（１−ｂ）イミド化率Ｉａの算出方法 まず、試料ワニスをスピンコート法によりシリコンウェ
ハー上に塗布する。ついで、８０℃のホットプレートで
３分、１００℃のホットプレートで３分ベーク（装置は
大日本スクリーン製造製ＳＫＷ−６３６）し、厚さ１０
μｍのプリベーク膜とした。ＩＲ測定（装置：堀場製作
所製、ＦＴ−７２０）により、１３５０〜１４００ｃｍ
^-1の波数にあるイミド基の吸光度Ｉを求める。次に、こ
の膜をオーブンにて窒素気流下３５０℃で２時間熱処理
（キュア）してイミド化を１００％進行させる。この、
１００％イミド化させた試料についてＩＲ測定を行い、
イミド基に起因する波数の吸光度Ｉ₁を求める。このと
きの、イミド基の吸光度Ｉとイミド化率Ｉａの関係を示
す次式、Ｉａ＝Ｉ／Ｉ₁より、イミド化率Ｉａを算出し
た。

【００５９】（１−ｃ）カルボキシル基のモル分率の算
出 上記で求められたカルボキシル基率Ｃａおよびイミド化
率Ｉａより、エステル基率Ｅａを次式Ｅａ＝１−Ｉａ−
Ｃａで定義し、モル分率Ｗａは次式で算出した。Ｗａ＝
Ｃａ／（Ｃａ＋Ｅａ）＝Ｃａ／（１−Ｉａ）。

【００６０】（２）パターン加工性能評価方法 シリコンウェハー上にワニスを回転塗布し、次いで、８
０℃のホットプレートで３分、１００℃のホットプレー
トで３分ベーク（装置は大日本スクリーン製造製ＳＫＷ
−６３６）し、最終的に厚さ１０μｍのプリベーク膜を
作製した。この膜をマスクアライナー（キヤノン製ＰＬ
Ａ−５０１Ｆ）を用いて露光した。ｉ線にて測定した露
光量は２００ｍＪ／ｃｍ²であった。

【００６１】露光後、６０℃のホットプレートで２分ベ
ーク（装置は大日本スクリーン製造製ＳＫＷ−６３６）
し、２．３８％のテトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイド水溶液で現像、次いで純水でリンスして乾燥さ
せた。乾燥後、以下の２種類の評価を行った。

【００６２】（２−ｃ）パターン寸法 現像後に１００μｍ×１００μｍのパターンの底面を観
察して、パターンが逆テーパでなく、かつ寸法が９０〜
１１０μｍの範囲に入っていれば良好である。逆テーパ
ーが認められたり、寸法が上記範囲をはずれたものは不
良である。

【００６３】（２−ｄ）現像後の膜厚保持率 現像後の膜厚／現像前の膜厚＝０．７以上なら良好、
０．７未満なら不良とした。

【００６４】合成例、実施例においてポリイミド原料の
略号を下記の要領で使用する。 ４，４’−ＤＡＥ ：４，４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル ｍ−ＢＡＰＳ：ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル］スルホン ＳｉＤＡ：ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジ
シロキサン ＰＭＤＡ：無水ピロメリット酸 ＢＴＤＡ：３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物 ＯＤＰＡ：３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテ
トラカルボン酸二無水物 ＮＰＧ ：Ｎ−フェニルグリシン ＢＯＸ ：ビス（α−イソニトロソプロピオフェノンオ
キシム）イソフタル ＮＮＡＰ：１−ニトロソ−２−ナフトール ＧＭＡ ：グリシジルメタクリレート ＧＭＥ ：グリシジルメチルエーテル ＣｍＡ ：７−ジエチルアミノ−３−ベンゾイルクマリ
ン ＤＥＭ ：メタクリル酸ジエチルアミノエチル ＨＥＭＡ：メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル ＮＭＰ ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン γ−ＢＬ：ガンマーブチロラクトン。

【００６５】合成例１（ジアセタールモノマーＤＭＦＤ
ＭＥＡの合成） 乾燥空気気流下１リットルの４つ口フラスコ内にＤＭＦ
ＤＭＡ５９．６ｇ（０．５モル）、ＮＮＡＰ０．１８ｇ
を投入し、これにＮ−メチロールメタクリルアミド１２
７ｇ（１．１モル）を加えて９０℃でメタノールを除去
しながら４時間反応させた。この溶液を減圧蒸留して目
的のジアセタールモノマーＤＭＦＤＭＥＡを得た。

【００６６】合成例２ 乾燥空気気流下、１リットルの４つ口フラスコ内で４，
４’−ＤＡＥ１９．０ｇ（０．０９５モル）、ＳｉＤＡ
１．２４ｇ（０．００５モル）をＮＭＰ１００ｇに２０
℃で溶解させた。その後、ＰＭＤＡ１０．９ｇ（０．０
５０モル）、ＢＴＤＡ１４．８ｇ（０．０４６モル）を
加え、５５℃で４時間反応させた。４時間後に溶液を１
時間で４０℃に下げてＤＭＦＤＭＥＡ２６．３ｇを添加
し、そのまま４０℃で４時間攪拌した。この溶液を室温
に戻してＢＯＸ１．４２ｇ、ＮＰＧ１．４２ｇ、ＣｍＡ
０．２４ｇ、ＮＮＡＰ０．０２ｇを添加し、ＮＭＰで希
釈して最終粘度が１５ポイズ（２５℃にて測定）のワニ
スを得た。このワニスをワニスＡとした。

【００６７】合成例３ 合成例２のＤＭＦＤＭＥＡ２６．３ｇを１３．５ｇに変
えた以外は合成例２と同様に行った。このワニスをワニ
スＢとした。

【００６８】合成例４ 乾燥空気気流下、１リットルの４つ口フラスコ内で４，
４’−ＤＡＥ１９．０ｇ（０．０９５モル）、ＳｉＤＡ
１．２４ｇ（０．００５モル）をＮＭＰ１００ｇに２０
℃で溶解させた。その後、ＰＭＤＡ６．５４ｇ（０．０
３０モル）、ＢＴＤＡ９．６７ｇ（０．０３０モル）、
ＯＤＰＡ１２．４ｇ（０．０４０モル）を加え、５５℃
で４時間反応させた。４時間後に溶液を１時間で室温に
戻して、そのまま室温で８時間攪拌した。この溶液にＢ
ＯＸ１．４７ｇ、ＮＰＧ１．４７ｇ、ＮＮＡＰ０．０２
ｇ、ＣｍＡ０．２５ｇ、ＤＥＭ３７ｇを添加し、ＮＭＰ
で希釈して最終粘度が１５ポイズ（２５℃にて測定）の
ワニスを得た。このワニスをワニスＣとした。

【００６９】合成例５ 乾燥空気気流下、２リットルの４つ口フラスコにＰＭＤ
Ａ５２．３ｇ（０．２６１モル）、ＯＤＰＡ４９．６ｇ
（０．１６モル）、ＨＥＭＡ６２．４ｇ（０．４８モ
ル）、エタノール１４．７ｇ（０．３２モル）、γ−Ｂ
Ｌ３２０ｇを入れ、氷冷下、かきまぜながらピリジン６
４．２ｇを加えた。発熱終了後室温まで放冷し１６時間
放置した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド１６６ｇ
をγ−ＢＬ１２０ｇに溶かした溶液を氷冷下、かきまぜ
ながら４０分間で加え、続いて４，４’−ＤＡＥ７４．
５ｇ（０．３７２モル）をγ−ＢＬ１５０ｇに懸濁した
ものを氷冷下、かきまぜながら６０分間で加えた。室温
で２時間かきまぜた後、エタノール３０ｇを加えて１時
間かきまぜ、ジメチルアセトアミド２５０ｇとテトラヒ
ドロフラン４００ｇを加えた後、沈殿を濾過により除い
て得られた反応液を１５リットルのエタノールに加え、
生成した沈殿を濾別した後、真空乾燥してポリマー粉末
を得た。この粉末１００ｇにＢＯＸ３．００ｇ、ＮＰＧ
３．００ｇ、ＣｍＡ０．５０ｇ、ＮＮＡＰ０．０５ｇを
添加し、ＮＭＰで希釈して最終粘度が１５ポイズ（２５
℃にて測定）のワニスを得た。このワニスをワニスＤと
した。

【００７０】合成例６ 乾燥空気気流下、１リットルの４つ口フラスコ内で４，
４’−ＤＡＥ１９．０ｇ（０．０９５モル）、ＳｉＤＡ
１．２４ｇ（０．００５モル）をＮＭＰ１００ｇに２０
℃で溶解させた。その後、ＰＭＤＡ１０．９ｇ（０．０
５０モル）、ＢＴＤＡ１４．８ｇ（０．０４６モル）を
加え、５５℃で４時間反応させた。４時間後にＧＭＡ３
５．５ｇを添加し、７０℃に昇温して８時間攪拌した。
この溶液を室温に戻して、ＢＯＸ１．４２ｇ、ＮＰＧ
１．４２ｇ、ＣｍＡ０．２４ｇ、ＮＮＡＰ０．０２ｇを
添加し、ＮＭＰで希釈して最終粘度が１５ポイズ（２５
℃にて測定）のワニスを得た。このワニスをワニスＥと
した。

【００７１】合成例７ 乾燥空気気流下、１リットルの４つ口フラスコ内で４，
４’−ＤＡＥ１９．０ｇ（０．０９５モル）、ＳｉＤＡ
１．２４ｇ（０．００５モル）をＮＭＰ１００ｇに２０
℃で溶解させた。その後、ＰＭＤＡ１０．９ｇ（０．０
５０モル）、ＢＴＤＡ１４．８ｇ（０．０４６モル）を
加え、５５℃で４時間反応させた。４時間後にＧＭＡ１
４．２ｇを添加し、７０℃に昇温して８時間攪拌した。
この溶液を室温に戻して、ＢＯＸ１．４２ｇ、ＮＰＧ
１．４２ｇ、ＣｍＡ０．２４ｇ、ＮＮＡＰ０．０２ｇを
添加し、ＮＭＰで希釈して最終粘度が１５ポイズ（２５
℃にて測定）のワニスを得た。このワニスをワニスＦと
した。

【００７２】合成例８ 乾燥空気気流下、１リットルの４つ口フラスコ内で４，
４’−ＤＡＥ１９．０ｇ（０．０９５モル）、ＳｉＤＡ
１．２４ｇ（０．００５モル）をＮＭＰ１００ｇに２０
℃で溶解させた。その後、ＰＭＤＡ１０．９ｇ（０．０
５０モル）、ＢＴＤＡ１４．８ｇ（０．０４６モル）を
加え、５５℃で４時間反応させた。４時間後にＧＭＡ２
４．９ｇ、ＧＭＥ１５．４ｇを添加し、７０℃に昇温し
て８時間攪拌した。この溶液を室温に戻して、ＢＯＸ
１．４２ｇ、ＮＰＧ１．４２ｇ、ＣｍＡ０．２４ｇ、Ｎ
ＮＡＰ０．０２ｇを添加し、ＮＭＰで希釈して最終粘度
が１５ポイズ（２５℃にて測定）のワニスを得た。この
ワニスをワニスＧとした。

【００７３】合成例９ 乾燥空気気流下、１リットルの４つ口フラスコ内で４，
４’−ＤＡＥ１９．０ｇ（０．０９５モル）、ＳｉＤＡ
１．２４ｇ（０．００５モル）をＮＭＰ１００ｇに２０
℃で溶解させた。その後、ＰＭＤＡ１０．９ｇ（０．０
５０モル）、ＢＴＤＡ１４．８ｇ（０．０４６モル）を
加え、５５℃で４時間反応させた。４時間後にＧＭＡ１
４．９ｇ、ＧＭＥ２１．６ｇを添加し、７０℃に昇温し
て８時間攪拌した。この溶液を室温に戻して、ＢＯＸ
１．４２ｇ、ＮＰＧ１．４２ｇ、ＣｍＡ０．２４ｇ、Ｎ
ＮＡＰ０．０２ｇを添加し、ＮＭＰで希釈して最終粘度
が１５ポイズ（２５℃にて測定）のワニスを得た。この
ワニスをワニスＨとした。

【００７４】合成例１０ 乾燥空気気流下、１リットルの４つ口フラスコ内で４，
４’−ＤＡＥ１９．０ｇ（０．０９５モル）、ＳｉＤＡ
１．２４ｇ（０．００５モル）をＮＭＰ１００ｇに２０
℃で溶解させた。その後、ＰＭＤＡ１０．９ｇ（０．０
５０モル）、ＢＴＤＡ１４．８ｇ（０．０４６モル）を
加え、５５℃で４時間反応させた。４時間後にＧＭＡ３
５．５ｇを添加し、１００℃に昇温して８時間攪拌した
ところワニスがゲル化してしまった。このワニスをワニ
スＩとした。

【００７５】実施例１〜５、比較例１〜４ ワニスＡ〜Ｉについて上述したパターン加工性能の評価
を行った。まず、ワニスのカルボキシル基率Ｃａ、イミ
ド化率Ｉａ、カルボキシル基のモル分率Ｗａ、露光条
件、および、パターン加工評価結果を表１にそれぞれ示
す。

【００７６】

【表１】

【００７７】

【発明の効果】本発明によれば、アルカリ現像液によっ
て良好なパターンが得られるネガ型感光性ポリイミド前
駆体組成物を得ることができる。

【００７８】

【符号の説明】

１ ＩＲスペクトル

【図面の簡単な説明】

【図１】ＩＲスペクトルからイミド基に起因する吸光度
を求める方法を示す概略図。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】２種類の有機基−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ¹
   を含み、かつ、厚さ１０μｍのプリベーク膜中の−ＣＯ
   ＯＨのモル分率−ＣＯＯＨ／｛（−ＣＯＯＨ）＋（−Ｃ
   ＯＯＲ¹）｝の値が０．１〜０．７５であるポリマーを
   主成分とすることを特徴とするアルカリ現像用感光性ポ
   リイミド前駆体組成物。（Ｒ¹は炭素数１〜３０の有機
   基を表し、うち５０〜１００モル％は光感応性基を含ん
   だ有機基を表す。）
2. 【請求項２】一般式（１）で表されるポリマーを主成分
   とすることを特徴とする請求項１記載のアルカリ現像用
   感光性ポリイミド前駆体組成物。 【化１】 （Ｒ²は少なくとも２個以上の炭素原子を有する３価ま
   たは４価の有機基を表し、Ｒ³は少なくとも２個以上の
   炭素原子を有する２価の有機基を表す。Ｒ⁴は−ＣＯＯ
   Ｈ、−ＣＯＯＲ¹から選ばれる少なくとも１種類の有機
   基を示す。ｎは１または２である。）
3. 【請求項３】一般式（１）で表されるポリマーが、ポリ
   アミド酸と一般式（２）で表されるジアセタール化合物
   との反応によって得られることを特徴とする請求項１記
   載のアルカリ現像用感光性ポリイミド前駆体組成物。 【化２】 （Ｒ⁵は水素またはメチル基を表す。Ｒ⁶は炭素数１〜３
   ０の有機基を表し、うち５０〜１００モル％は光感応基
   を含んだ有機基を表す。）
4. 【請求項４】一般式（１）で表されるポリマーが、ポリ
   アミド酸と一般式（３）で表されるエポキシ化合物との
   反応によって得られることを特徴とする請求項１記載の
   アルカリ現像用感光性ポリイミド前駆体組成物。 【化３】 （Ｒ⁷は炭素数１〜３０の有機基を表し、うち５０〜１
   ００モル％は光感応基を含んだ有機基を表す。）
5. 【請求項５】一般式（４）で表されるアミン化合物を含
   むことを特徴とする請求項１記載のアルカリ現像用感光
   性ポリイミド前駆体組成物。 【化４】 （Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰は炭素数１〜３０の有機基であり、う
   ち、少なくとも１つは光感応基を含んだ有機基を表
   す。）
6. 【請求項６】厚さ１０μｍのプリベーク膜におけるポリ
   マーのイミド化率が０〜０．４であることを特徴とする
   請求項１記載のアルカリ現像用感光性ポリイミド前駆体
   組成物。