JP2001185534A - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置

Info

Publication number
JP2001185534A
JP2001185534A JP36501199A JP36501199A JP2001185534A JP 2001185534 A JP2001185534 A JP 2001185534A JP 36501199 A JP36501199 A JP 36501199A JP 36501199 A JP36501199 A JP 36501199A JP 2001185534 A JP2001185534 A JP 2001185534A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lid
chamber
vacuum processing
processing apparatus
pair
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP36501199A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3527450B2 (ja
Inventor
Kenji Amano
健次 天野
Zenshi Tanaka
善嗣 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP36501199A priority Critical patent/JP3527450B2/ja
Priority to KR10-2000-0078484A priority patent/KR100497880B1/ko
Priority to US09/739,701 priority patent/US6565662B2/en
Priority to TW089127545A priority patent/TW480592B/zh
Publication of JP2001185534A publication Critical patent/JP2001185534A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3527450B2 publication Critical patent/JP3527450B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理チャンバー内のメンテナンスや蓋体内の
重量物の取り付けおよび取り外しを容易に行うことがで
きる真空処理装置を提供すること。 【解決手段】 処理チャンバー６０と、この処理チャン
バー６０内で基板Ｓに所定の処理を施す処理機構７４，
７７，８０とを具備する真空処理装置１０であって、処
理チャンバー６０は、チャンバー本体６１と、このチャ
ンバー本体６１の上に着脱自在に設けられた蓋体６２
と、この蓋体６２を着脱する着脱機構６３とを備え、着
脱機構６３は、蓋体６２をスライドさせるスライド機構
６４ａ，６４ｂ，６５ａ，６５ｂ，６９と、蓋体６２を
水平軸を中心として回転させる回転機構７０とを有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶表示装
置（ＬＣＤ）基板のような被処理体に所定の真空処理を
施す真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、例えばＬＣＤ基板の製造工程
においては、減圧雰囲気下でＬＣＤ基板にエッチング、
アッシング、成膜等の所定の処理を施す真空処理装置を
複数備えた、いわゆるマルチチャンバー型の真空処理シ
ステムが使用されている。
【０００３】このような真空処理システムは、基板を搬
送する搬送アームを有する基板搬送機構が設けられた搬
送室と、その周囲に設けられた複数の真空処理装置とを
有しており、搬送室内の搬送アームにより、被処理基板
が各真空処理装置の処理チャンバー内に搬入されるとと
もに、処理済みの基板が各真空処理装置の処理チャンバ
ーから搬出される。
【０００４】このような真空処理システムにおいて各真
空処理装置の処理チャンバーは、内部のメンテナンスが
可能なように、開閉可能な蓋体を有している。蓋体の開
閉機構としては従来から図７に示すようなものを用いて
いる。すなわち、蓋体１０２は、その一辺に設けられた
ヒンジ１０３を介してチャンバー本体１０１に回動可能
に取り付けられており、ヒンジ１０３が回動軸となって
いる。また、ヒンジ１０３が設けられた辺に隣接する他
の辺には、シリンダ機構１０４が取り付けられており、
このシリンダ機構１０４を進出および退避させることに
より、蓋体１０２の開閉を行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、エッチング
等のガスを用いる処理では、蓋体１０２内にガスを吐出
するシャワーヘッド等の重量物が収容されるため、図示
するように蓋体１０２の重心が蓋体１０２の回動軸であ
るヒンジ１０３を超えない７０°程度の角度までしか蓋
体１０２を開けることができない。
【０００６】このため、処理チャンバー本体内のメンテ
ナンスおよび蓋体内の重量物の取り付および取り外しが
困難であるという問題点がある。特に、ＬＣＤ基板は最
近益々大型化の要求が高まっており、それにともなって
処理装置も大型化しており、蓋体内の重量物の取り付け
および取り外し等がより難しくかつより危険になってい
る。
【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、処理チャンバー内のメンテナンスや蓋体内の
重量物の取り付けおよび取り外しを容易に行うことがで
きる真空処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、処理チャンバーと、この処理チャンバ
ー内を真空にしてその中で被処理体に所定の処理を施す
処理機構とを具備する真空処理装置であって、前記処理
チャンバーは、チャンバー本体と、このチャンバー本体
の上に着脱自在に設けられた蓋体と、この蓋体を着脱す
る着脱機構とを備え、前記着脱機構は、前記蓋体を水平
方向にスライドさせるスライド機構と、前記蓋体を水平
軸を中心として回転させる回転機構とを有することを特
徴とする真空処理装置を提供する。
【０００９】本発明によれば、処理チャンバーと、この
処理チャンバー内を真空にしてその中で被処理体に所定
の処理を施す処理機構とを具備する真空処理装置におい
て、蓋体を着脱する着脱機構を、前記蓋体をスライドさ
せるスライド機構と、前記蓋体を水平軸を中心として回
転させる回転機構とを有する構成とすることにより、蓋
体を水平方向にスライドさせてチャンバー本体から外
し、その後蓋体を自由に回転させることができ、メンテ
ナンスが容易となるとともに、蓋体を１８０°回転させ
れば蓋体内の重量物の取り付けおよび取り外しを容易に
行うことができる。
【００１０】この場合に、前記蓋体の相対向する一対の
側壁を回転可能に支持する回転支持部を有し、前記回転
機構はこの回転支持部を回転軸とすることができる。
【００１１】また、前記スライド機構は、前記蓋体の対
向する一対の側壁に設けられた、スライド移動する一対
のスライド移動部と、スライド移動部を駆動して蓋体を
スライドさせる駆動部と、前記一対のスライド移動部を
ガイドする一対のガイド部材とを有する構成とすること
ができる。
【００１２】前記蓋体の相対向する一対の側壁を回転可
能に支持する回転支持部を有し、この回転支持部は前記
一対のスライド移動部に設けられ、前記回転機構はこの
回転支持部を回転軸とするように構成することができ
る。
【００１３】さらに、前記一対のスライド移動部は、前
記一対の側壁の中央部に設けられていることが好まし
い。これにより、蓋体の重心の偏よりをより少なくする
ことができ、蓋体を容易に１８０°回転させることが可
能となる。
【００１４】さらにまた、前記ガイド部材は、前記蓋体
をガイドする際に処理チャンバーから突出する突出部を
有し、この突出部は格納可能であることが好ましい。こ
のように構成することにより、実際に蓋体をガイドする
際に処理チャンバーから突出する突出部を、不要な時に
格納することができるので、蓋体を装着して処理を行っ
ている際の処理チャンバーの占有スペースを小さくする
ことができる。
【００１５】さらにまた、前記スライド機構は、前記蓋
体が前記処理チャンバーに重ならなくなる位置まで移動
可能であり、前記回転機構はこの重ならなくなる位置ま
で蓋体が移動された際に回転されることが好ましい。こ
れにより、チャンバー本体の上方には蓋体が存在しない
のでチャンバー本体内のメンテナンスが一層容易となる
とともに、チャンバー本体に妨げられることなく蓋体を
回転させることができる。
【００１６】さらにまた、前記チャンバー本体と蓋体と
の間に設けられたシール部材をさらに有することが好ま
しい。これにより、チャンバー内を確実に真空にするこ
とができる。また前記スライド機構により前記蓋体をス
ライドさせる際に、前記蓋体を上昇させる機構をさらに
有することが好ましい。これにより、蓋体のスライド移
動をより容易に行うことができる。
【００１７】上記処理装置において、前記処理機構とし
て、被処理体を載置する載置台と、被処理体に処理ガス
を供給するガス供給部とを有し、被処理体に対してガス
処理を行うものを採用することができる。また、前記ガ
ス供給部は、多数のガス吐出孔が形成されたシャワーヘ
ッドを有し、このシャワーヘッドが蓋体内に取り付けら
れている構成とすることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態について具体的に説明する。ここでは、ガ
ラス製のＬＣＤ基板に対してエッチング処理を行なうた
めのマルチチャンバータイプの真空処理システムに本発
明の処理装置を用いた場合について説明する。
【００１９】図１はこの真空処理システムの概観を示す
斜視図、図２はその内部を示す水平断面図である。この
真空処理システム１は、その中央部に搬送室２０とロー
ドロック室３０とが連設されている。搬送室２０の周囲
には、３つのエッチング処理装置１０が配設されてい
る。また、搬送室２０とロードロック室３０との間、搬
送室２０と各エッチング処理装置１０との間、およびロ
ードロック室３０と外側の大気雰囲気とを連通する開口
部には、これらの間を気密にシールし、かつ開閉可能に
構成されたゲートバルプ２２がそれぞれ介挿されてい
る。
【００２０】ロードロック室３０の外側には、２つのカ
セットインデクサ４１が設けられており、その上にそれ
ぞれＬＣＤ基板を収容するカセット４０が載置されてい
る。これらカセット４０の一方には未処理基板が収容さ
れ、他方には処理済み基板が収容される。これらカセッ
ト４０は、昇降機構４２により昇降可能となっている。
【００２１】これら２つのカセット４０の間には、支持
台４４上に基板搬送手段４３が設けられており、この搬
送手段４３は上下２段に設けられたアーム４５，４６、
ならびにこれらを一体的に進出退避および回転可能に支
持するべ一ス４７とを具備している。
【００２２】アーム４５，４６上には基板を支持する４
つの突起４８が形成されている。突起５５は摩擦係数の
高い合成ゴム製の弾性体からなり、基板支持中に基板が
ずれたり、落下することが防止される。
【００２３】なお、カセットはｌ個だけ設置するもでき
る。この場合には、同一のカセット内の空いたスペース
に処理済みの基板を戻していくことになる。
【００２４】前記エッチング処理装置１０は、後述する
ように処理チャンバーを有し、その内部空間が所定の減
圧雰囲気に保持されることが可能であり、処理チャンバ
ー内でエッチング処理が行なわれる。エッチング処理装
置の詳細については後述する。
【００２５】搬送室２０も、真空処理室と同様、所定の
減圧雰囲気に保持されることが可能であり、その中に
は、図２に示すように、搬送機構５０が配設されてい
る。そして、この搬送機構５０により、ロードロック室
３０および３つのエッチング処理装置１０の間で基板が
搬送される。
【００２６】搬送機構５０は、べ一ス５１の一端に設け
られ、べ一ス５１に回動可能に設けられた第１アーム５
２と、第１アーム５２の先端部に回動可能に設けられた
第２アーム５３と、第２アーム５３に回動可能に設けら
れ、基板を支持するフォーク状の基板支持プレート５４
とを有しており、ベース５１に内蔵された駆動機構によ
り第１アーム５２、第２アーム５３および基板支持プレ
ート５４を駆動させることにより、基板Ｓを搬送するこ
とが可能となっている。また、べ一ス５１は上下動が可
能であるとともに回転可能となっている。
【００２７】ロードロック室３０も各エッチング装置１
０および搬送室２０と同様所定の減圧雰囲気に保持され
ることが可能であり、その中にはＬＣＤ基板を支持する
ための一対のスタンド３２を具備するバッファラック３
１が配設されている。
【００２８】次に、図３〜図５を参照して、エッチング
処理装置１０について説明する。図３はエッチング処理
装置１０の断面図、図４はその側面図、図５はその斜視
図である。エッチング装置１０はその中でＬＣＤ基板Ｓ
に対してエッチング処理を施すための処理チャンバー６
０を備えている。処理チャンバー６０は、チャンバー本
体６１と、このチャンバー本体６１の上に着脱自在に設
けられた蓋体６２と、この蓋体６２をチャンバー本体６
１に対して着脱する着脱機構６３とを有している。処理
チャンバー６０内で処理を行う際に、その中を気密空間
にして真空引き可能にするために、チャンバー本体６１
と蓋体６２との間にはシール部材９５が設けられてい
る。
【００２９】着脱機構６３は、蓋体６２をスライドさせ
るスライド機構として、蓋体６２の側壁に取り付けられ
た一対のスライド移動部６４ａ，６４ｂと、スライド移
動部６４ａ，６４ｂにそれぞれ設けられ、蓋体６２を駆
動する駆動モータ６９ａ，６９ｂと、相対向するチャン
バー本体６１の側壁にそれぞれ水平に設けられ、一対の
スライド移動部６４ａ，６４ｂをそれぞれガイドする一
対のリニアガイドレール６７ａ，６７ｂとを有する。リ
ニアガイドレール６７ａ，６７ｂは、チャンバー本体６
１の側壁に取り付けられている。
【００３０】スライド移動部６４ａ，６４ｂの下方に
は、それぞれベース部材６５ａ，６５ｂが設けられてお
り、スライド移動部６４ａとベース部材６５ａとは、ベ
ース部材６５ａに設けられたシリンダ機構８３ａにより
連結されており、スライド移動部６４ｂとベース部材６
５ｂとは、ベース部材６５ｂに設けられたシリンダ機構
８３ｂにより連結されている。また、ベース部材６５
ａ，６５ｂには、それぞれ前記駆動モーター６９ａ，６
９ｂがその軸が下方に向かってそれぞれベース部材６５
ａ，６５ｂを貫通するように設けられている。
【００３１】前記リニアガイドレール６７ａ，６７ｂは
それぞれベース部材６５ａ，６５ｂの下方に設けられて
いる。また、ベース部材６５ａ，６５ｂには、それぞれ
２つのスライダー６６ａ，６６ｂが固定されており、ス
ライダー６６ａ，６６ｂは、それぞれリニアガイドレー
ル６７ａ，６７ｂを跨ぐようにしてスライド可能にリニ
アガイドレール６７ａ，６７ｂに係合されている。駆動
モータ６９ａ，６９ｂの軸の先端には、それぞれピニオ
ンギア８７ａ，８７ｂが設けられており、また、チャン
バー本体６１には、リニアガイドレール６７ａ，６７ｂ
にそれぞれ平行に直線状のラックギア８８ａ，８８ｂが
取り付けられていて、ラックアンドピニオン機構により
ベース部材６５ａ，６５ｂを介してスライド移動部６４
ａ，６４ｂが平行方向に沿ってスライド移動可能となっ
ており、結果としてスライド移動部６４ａ，６４ｂが取
り付けられている蓋体６２が水平方向にスライド可能と
なっている。なお、図５に示すように、リニアガイドレ
ール６７ａ，６７ｂには、処理チャンバー６０の外方に
突出するリニアガイドレール６７’ａ，６７’ｂがつな
がるようになっており、これらリニアガイドレール６
７’ａ，６７’ｂは図示しないヒンジ機構によりリニア
ガイドレール６７ａ，６７ｂにつながる位置と、チャン
バー本体６１の壁面に沿った格納位置との間で移動可能
となっている。したがって、蓋体６２を外さないときに
はリニアガイドレール６７’ａ，６７’ｂを格納位置に
位置させておくことにより、省スペース化に寄与する。
【００３２】また、上述したように、ベース部材６５
ａ，６５ｂには、それぞれシリンダ機構８３ａ，８３ｂ
が設けられていることにより、スライド移動部６４ａと
ベース部材６５ａとの間およびスライド移動部６４ｂと
ベース部材６５ｂとの間の距離を調節してチャンバー本
体６１と蓋体６２との間が接離可能となっている。具体
的には、シリンダ機構８３ａのピストン８９ａの先端部
に設けられた固定部材９０ａがスライド移動部６４ａに
固定され、シリンダ機構８３ｂも同様であるから、ピス
トンを進出させることにより、スライド移動部６４ａ，
６４ｂを介して蓋体６２を上昇させることができる。す
なわち、シリンダ機構８３ａ，８３ｂにより、密閉され
ていたチャンバー本体６１と蓋体６２との間に隙間を開
けることが可能となり、これにより蓋体６２をスライド
移動させやすくすることができる。なお、ベース部材６
５ａにおけるシリンダ機構８３ａの両側には図４に示す
ようにガイド部材８４ａ，８５ａが取り付けられてお
り、これらにはそれぞれスライド移動部６４ａから突出
した突出部がスライド可能に嵌め込まれており、これら
ガイド部材８４ａ，８５ａにより、蓋体６２を上昇する
際にスライド移動部６４ａをガイドするようになってい
る。また、図示していないが、スライド移動部６５ｂも
同様に構成されている。
【００３３】また、スライド移動部６４ａ，６４ｂは、
それぞれ蓋体６２の相対向する側壁の中央部を回転可能
に支持するとともに水平方向の同一線上に位置する回転
支持部６８ａ，６８ｂを有し、スライド移動部６４ａに
設けられた回転駆動部７０により、これら回転支持部６
８ａ，６８ｂを回転軸として蓋体６２が回転される。
【００３４】なお、実際には、スライド移動部６４ａ，
６４ｂの外側にカバーが設けられており、各駆動系は見
えないようになっているが、図３〜図５ではカバーを省
略している。また、図５ではラックギア８８ａ，８８ｂ
は省略されている。
【００３５】一方、処理チャンバー６０の内部空間の下
方には、絶縁部材７１を介してサセプタ７２が配置され
ており、サセプタ７２の上にはＬＣＤ基板Ｓが載置され
るようになっている。
【００３６】チャンバー本体６１の側壁下部には排気管
８１が接続されており、この排気管８１には排気装置８
２が接続されている。排気装置８２はターボ分子ポンプ
などの真空ポンプを備えており、これにより処理チャン
バー６０の内部空間を真空引きして所定の減圧雰囲気を
形成可能に構成されている。
【００３７】前記サセプタ７２の上方には、このサセプ
タ７２と平行に対向して上部電極として機能するシャワ
ーヘッド７４が設けられている。このシャワーヘッド７
４は、その周囲に配置された絶縁部材７５にネジ止め
（図示せず）されており、絶縁部材７５は、蓋体６２の
内部に突出する支持部６２ａにより支持され、ネジ止め
（図示せず）されている。シャワーヘッド７４には配管
７６を介してエッチング処理のための処理ガスをシャワ
ーヘッド７４に供給する処理ガス供給系７７が接続され
ており、シャワーヘッド７４の下面に設けられた多数の
ガス吐出孔７４ａから基板Ｓに向けて処理ガスが吐出さ
れるようになっている。一方、シャワーヘッド７４の上
面の中央には給電棒７８が接続されており、給電棒７８
の上端には整合器７９が接続され、さらに整合器７９に
は高周波電源８０が接続されている。したがって、排気
装置８２により処理チャンバー６０の内部空間を所定の
減圧状態まで真空引きした後、高周波電源８０から整合
器７９および給電棒７８を介してシャワーヘッド７４に
高周波電力を印加することにより、基板Ｓの上方の空間
には処理ガスのプラズマが形成され、これにより基板Ｓ
に対するエッチング処理が進行する。
【００３８】次に、以上のように構成された真空処理シ
ステムの処理動作について説明する。まず、搬送手段４
３の２枚のアーム４５，４６を進退駆動させて、未処理
基板を収容した一方のカセット４０（図１の左側のカセ
ット）から２枚の基板Ｓを一度にロードロック室３０に
搬入する。
【００３９】ロードロック室３０内においては、バッフ
ァラック３１により基板Ｓを保持し、アーム４５、４６
が退避した後、ロードロック室３０の大気側のゲートバ
ルプを閉じる。その後、ロードロック室３０内を排気し
て、内部を所定の真空度まで減圧する。真空引き終了
後、図示しないポジショナーにより基板Ｓの位置合わせ
を行なう。
【００４０】基板Ｓが位置合わせされた後、搬送室２０
およびロードロック室３０間のゲートバルブ２２を開き
搬送機構５０により基板Ｓが搬送室２０内に搬入され
る。搬送室室２０内に搬入された基板Ｓを搬送機構５０
の基板支持プレート５４上に受け取り、所定のエッチン
グ装置１０に搬入する。その後、基板支持アーム５４
は、エッチング装置１０から退避し、ゲートバルブ２２
を閉じる。この際に、エッチング装置１０の処理チャン
バー６０内は、チャンバー本体６１と蓋体６２とがシー
ル部材９５によりシールされることにより真空引き可能
となっている。
【００４１】エッチング装置１０においては、基板Ｓが
サセプタ７２上に載置された状態で、処理チャンバー６
０の内部空間を所定の圧力まで減圧した後、処理ガス供
給系７７から供給されたエッチング処理用の処理ガスを
シャワーヘッド７４を介して基板Ｓに向けて吐出すると
ともに、高周波電源８０から整合器７９および給電棒７
８を介してシャワーヘッド７４に高周波電力を供給し、
基板Ｓの上の空間にプラズマを形成し、基板Ｓに対する
エッチング処理を進行させる。
【００４２】このエッチング処理が終了後、ゲートバル
ブ２２を開いて搬送機構５０の基板支持プレート５４に
より処理済みの基板Ｓを受け取り、ロードロック室３０
に搬送する。ロードロック室３０に搬送された基板Ｓ
は、搬送手段４３のアーム４５，４６により、処理済み
基板用のカセット４０（図１の右側のカセット）に入れ
られる。これにより一枚の基板における一連の処理動作
が終了するが、この処理動作を未処理基板用のカセット
４０に搭載された基板の数だけ繰り返す。
【００４３】このような処理を例えば所定回数繰り返し
た際には、エッチング処理装置１０のメンテナンスを行
う必要がある。この場合には、上述の着脱機構６３によ
り処理チャンバー６０の蓋体６２をスライドさせてチャ
ンバー本体６１上から外れた位置まで移動させる。その
際の手順を図６を参照しながら以下に説明する。ここで
は、スライド移動部６４ａ，６４ｂにカバーをした状態
を概略的に示す。
【００４４】まず、図６の（ａ）に示す処理中の状態か
ら、（ｂ）に示すように、シリンダ８３ａ，８３ｂによ
り蓋体６２をわずかに上昇させ、格納されていたリニア
ガイドレール６７’ａ，６７’ｂをそれぞれリニアガイ
ドレール６７ａ，６７ｂにつなげて処理チャンバーから
突出する部分を形成する。この状態から駆動モーター６
９ａ，６９ｂ（図３〜図５参照）によりスライド移動部
６４ａ，６４ｂをリニアガイドレール６７ａ（６７’
ａ），６７ｂ（６７’ｂ）に沿って移動させ、（ｃ）に
示すように蓋体６２を矢印方向にスライドさせる。この
状態でチャンバー本体６１内のメンテナンスを容易に行
うことができる。蓋体６２がチャンバー本体６１から外
れた位置までスライドさせた後、（ｄ）に示すように、
蓋体６２を９０°回転させる。この位置でロックするこ
とにより、蓋体６２内部の簡易的なメンテナンスを行う
ことができる。さらに（ｅ）に示すように、蓋体６２を
１８０°まで回転させると、蓋体６２内に存在する重量
物、例えばシャワーヘッド７４の取り外しを吊り上げク
レーン等で容易に行うことができる。なお、蓋体６１の
装着動作はこのような手順の逆手順となる。
【００４５】このように、蓋体６２を着脱する着脱機構
６３を、蓋体６２をスライドさせるスライド機構として
の一対のスライド移動部６４ａ，６４ｂ、一対のガイド
部材６５ａ，６５ｂ、シリンダ機構８３ａ，８３ｂおよ
び駆動モーター６９ａ，６９ｂで構成し、回転駆動部７
０により蓋体６２を水平軸を中心として回転させるの
で、蓋体６２をスライドさせてチャンバー本体６２から
外し、その後蓋体６２を自由に回転させることができ、
メンテナンスが容易となるとともに、上述のように１８
０°回転させれば蓋体内の重量物の取り付けおよび取り
外しを容易に行うことができる。
【００４６】また、一対のスライド移動部６４ａ，６４
ｂは、蓋体６２の一対の側壁の中央部に設けられている
ので、蓋体６２の重心の偏よりをより少なくすることが
でき、蓋体６２を容易に１８０°回転させることが可能
となる。
【００４７】上述のように、蓋体６２をガイドする際に
は、ガイド部材６７ａ，６７ｂにそれぞれガイド部材６
７’ａ，６７’ｂをつなげて処理チャンバー６０から突
出させ、蓋体６２を外さない場合にはガイド部材６７’
ａ，６７’ｂを格納することができるので、蓋体６２を
装着してエッチング処理を行っている際の処理チャンバ
ー６０の占有スペースを小さくすることができる。
【００４８】さらに、スライド機構６３は、蓋体６２が
チャンバーに６０に重ならなくなる位置まで移動可能で
あり、回転駆動部７０はこの重ならなくなる位置まで蓋
体６２が移動された際に蓋体６２を回転させるようにし
たので、チャンバー本体６１の上方には蓋体が存在しな
くなってチャンバー本体内のメンテナンスが極めて容易
であるとともに、チャンバー本体６１に妨げられること
なく蓋体６２を回転させることができる。
【００４９】スライド機構６３により蓋体６２をスライ
ドさせる際に、シリンダ８３により蓋体６２を上昇させ
るので、蓋体６２のスライド移動をより容易に行うこと
ができる。
【００５０】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態
では、ガイド部材を折り畳み式で格納したが、必ずしも
格納しなくてもよく、また、他の方式、例えばスライド
式で格納するようにしてもよい。また、水平方向にスラ
イドするスライド機構も上記実施形態に限定されず、種
々の機構を採用することができる。さらに、上記実施形
態では本発明をプラズマエッチング装置に用いた場合に
ついて示したが、アッシングやＣＶＤ等、他の真空処理
であってもよい。また、真空処理は必ずしもプラズマ処
理に限定されるものではなく他のガス処理であってもよ
く、さらには、ガス処理以外の真空処理であってもよ
い。さらにまた、被処理体としてＬＣＤ基板を用いた例
について示したが、これに限らず半導体ウエハ等、他の
被処理体であってもよい。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理チャンバーと、この処理チャンバー内を真空にして
その中で被処理体に所定の処理を施す処理機構とを具備
する真空処理装置において、蓋体を着脱する着脱機構
を、前記蓋体をスライドさせるスライド機構と、前記蓋
体を水平軸を中心として回転させる回転機構とを有する
構成とすることにより、蓋体をスライドさせてチャンバ
ー本体から外し、その後蓋体を自由に回転させることが
でき、メンテナンスが容易となるとともに、１８０°回
転させれば蓋体内の重量物の取り付けおよび取り外しを
容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の真空処理装置が適用される真空処理シ
ステムの概観を示す斜視図。
【図２】本発明の真空処理装置が適用される真空処理シ
ステムを示す水平断面図。
【図３】図１、図２の真空処理システムに適用される本
発明の一実施形態に係るエッチング装置を示す断面図。
【図４】図１、図２の真空処理システムに適用される本
発明の一実施形態に係るエッチング装置を示す側面図。
【図５】図１、図２の真空処理システムに適用される本
発明の一実施形態に係るエッチング装置を示す斜視図。
【図６】本発明の一実施形態に係るエッチング装置にお
ける蓋体を外す動作を説明するための斜視図。
【図７】従来の蓋体の開閉機構を示す斜視図。
【符号の説明】
１０……エッチング処理装置 ６０……処理チャンバー ６１……チャンバー本体 ６２……蓋体 ６３……スライド機構 ６４ａ，６４ｂ……スライド移動部 ６５ａ，６５ｂ……ベース部材 ６６ａ，６６ｂ……スライダー ６７ａ，６７ｂ，６７’ａ，６７’ｂ……リニアガイド
レール ６８ａ，６８ｂ……回転支持部 ６９ａ，６９ｂ……駆動モータ ７０……回転駆動部 ７２……サセプタ ７４……シャワーヘッド ７７……処理ガス供給系 ８０……高周波電源 Ｓ……ＬＣＤ基板

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理チャンバーと、この処理チャンバー
    内を真空にしてその中で被処理体に所定の処理を施す処
    理機構とを具備する真空処理装置であって、 前記処理チャンバーは、チャンバー本体と、このチャン
    バー本体の上に着脱自在に設けられた蓋体と、この蓋体
    を着脱する着脱機構とを備え、 前記着脱機構は、前記蓋体を水平方向にスライドさせる
    スライド機構と、前記蓋体を水平軸を中心として回転さ
    せる回転機構とを有することを特徴とする真空処理装
    置。
  2. 【請求項２】 前記蓋体の相対向する一対の側壁を回転
    可能に支持する回転支持部を有し、前記回転機構はこの
    回転支持部を回転軸とすることを特徴とする請求項１に
    記載の真空処理装置。
  3. 【請求項３】 前記スライド機構は、前記蓋体の対向す
    る一対の側壁に設けられた、スライド移動する一対のス
    ライド移動部と、スライド移動部を駆動して蓋体をスラ
    イドさせる駆動部と、前記一対のスライド移動部をガイ
    ドする一対のガイド部材とを有することを特徴とする請
    求項１に記載の真空処理装置。
  4. 【請求項４】 前記蓋体の相対向する一対の側壁を回転
    可能に支持する回転支持部を有し、この回転支持部は前
    記一対のスライド移動部に設けられ、前記回転機構はこ
    の回転支持部を回転軸とすることを特徴とする請求項３
    に記載の真空処理装置。
  5. 【請求項５】 前記一対のスライド移動部は、前記一対
    の側壁の中央部に設けられていることを特徴とする請求
    項３または請求項４に記載の真空処理装置。
  6. 【請求項６】 前記ガイド部材は、前記蓋体をガイドす
    る際にチャンバーから突出する突出部を有し、この突出
    部は格納可能であることを特徴とする請求項１から請求
    項５のいずれか１項に記載の真空処理装置。
  7. 【請求項７】 前記スライド機構は、前記蓋体が前記チ
    ャンバーに重ならなくなる位置まで移動可能であり、前
    記回転機構はこの重ならなくなる位置まで蓋体が移動さ
    れた際に回転されることを特徴とする請求項１から請求
    項６のいずれか１項に記載の真空処理装置。
  8. 【請求項８】 前記チャンバー本体と蓋体との間に設け
    られたシール部材をさらに有することを特徴とする請求
    項１から請求項７のいずれか１項に記載の真空処理装
    置。
  9. 【請求項９】 前記スライド機構により前記蓋体をスラ
    イドさせる際に、前記蓋体を上昇させる機構をさらに有
    することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか
    １項に記載の真空処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記処理機構は、被処理体を載置する
    載置台と、被処理体に処理ガスを供給するガス供給部と
    を有し、被処理体に対してガス処理を行うことを特徴と
    する請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の真空
    処理装置。
  11. 【請求項１１】 前記ガス供給部は、多数のガス吐出孔
    が形成されたシャワーヘッドを有し、このシャワーヘッ
    ドが蓋体内に取り付けられていることを特徴とする請求
    項１０に記載の真空処理装置。
JP36501199A 1999-12-22 1999-12-22 処理装置 Expired - Lifetime JP3527450B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36501199A JP3527450B2 (ja) 1999-12-22 1999-12-22 処理装置
KR10-2000-0078484A KR100497880B1 (ko) 1999-12-22 2000-12-19 반도체 처리용 진공 처리 장치
US09/739,701 US6565662B2 (en) 1999-12-22 2000-12-20 Vacuum processing apparatus for semiconductor process
TW089127545A TW480592B (en) 1999-12-22 2000-12-21 Vacuum processing apparatus for semiconductor process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36501199A JP3527450B2 (ja) 1999-12-22 1999-12-22 処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001185534A true JP2001185534A (ja) 2001-07-06
JP3527450B2 JP3527450B2 (ja) 2004-05-17

Family

ID=18483216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP36501199A Expired - Lifetime JP3527450B2 (ja) 1999-12-22 1999-12-22 処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6565662B2 (ja)
JP (1) JP3527450B2 (ja)
KR (1) KR100497880B1 (ja)
TW (1) TW480592B (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100497880B1 (ko) * 1999-12-22 2005-06-29 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 처리용 진공 처리 장치
KR100667598B1 (ko) * 2005-02-25 2007-01-12 주식회사 아이피에스 반도체 처리 장치
JP2007067218A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理システム
WO2007083393A1 (ja) * 2006-01-23 2007-07-26 Youtec Co., Ltd. 成膜装置及び蒸着装置
JP2008028237A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Hitachi High-Technologies Corp 半導体処理装置
CN100382237C (zh) * 2004-10-29 2008-04-16 株式会社岛津制作所 真空处理装置
US7640946B2 (en) 2003-02-06 2010-01-05 Tokyo Electron Limited Vacuum treating device with lidded treatment container
KR101000330B1 (ko) 2008-04-22 2010-12-13 엘아이지에이디피 주식회사 기판처리장
JP2011040182A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 有機発光パネルの製造装置及び有機発光パネルの製造方法
US8075691B2 (en) 2005-02-04 2011-12-13 Advanced Display Process Engineering Co. Ltd. Vacuum processing apparatus
JP2012009620A (ja) * 2010-06-24 2012-01-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2012074480A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Tokyo Electron Ltd 処理装置およびそのメンテナンス方法
KR101258350B1 (ko) * 2010-06-07 2013-04-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
JP2013187385A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Tokyo Electron Ltd 処理室内部品の冷却方法、処理室内部品冷却プログラム、及び記憶媒体
JP2015216163A (ja) * 2014-05-08 2015-12-03 ワイエイシイ株式会社 蓋体開閉装置およびマルチチャンバー処理システム
WO2016013440A1 (ja) * 2014-07-24 2016-01-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび基板処理装置
JP2017002382A (ja) * 2015-06-15 2017-01-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6776848B2 (en) * 2002-01-17 2004-08-17 Applied Materials, Inc. Motorized chamber lid
KR100490049B1 (ko) * 2003-04-14 2005-05-17 삼성전자주식회사 일체형 디퓨저 프레임을 가지는 ｃｖｄ 장치
US20050035046A1 (en) * 2003-06-06 2005-02-17 Hanson Kyle M. Wet chemical processing chambers for processing microfeature workpieces
US7393439B2 (en) * 2003-06-06 2008-07-01 Semitool, Inc. Integrated microfeature workpiece processing tools with registration systems for paddle reactors
US20050050767A1 (en) * 2003-06-06 2005-03-10 Hanson Kyle M. Wet chemical processing chambers for processing microfeature workpieces
US20050063798A1 (en) * 2003-06-06 2005-03-24 Davis Jeffry Alan Interchangeable workpiece handling apparatus and associated tool for processing microfeature workpieces
US20070214620A1 (en) * 2003-06-11 2007-09-20 Mitsuru Miyazaki Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20070144912A1 (en) * 2003-07-01 2007-06-28 Woodruff Daniel J Linearly translating agitators for processing microfeature workpieces, and associated methods
US7335277B2 (en) * 2003-09-08 2008-02-26 Hitachi High-Technologies Corporation Vacuum processing apparatus
WO2005045311A2 (en) * 2003-11-03 2005-05-19 Monolithic Power Systems, Inc. Driver for light source having integrated photosensitive elements for driver control
KR100648403B1 (ko) * 2004-10-20 2006-11-24 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리장치
KR100856679B1 (ko) * 2004-12-08 2008-09-04 주식회사 에이디피엔지니어링 평판표시소자 제조장치
US20060071384A1 (en) * 2004-10-06 2006-04-06 Advanced Display Process Engineering Co. Ltd. Apparatus for manufacturing flat-panel display
KR100661752B1 (ko) * 2005-02-04 2006-12-27 주식회사 에이디피엔지니어링 운반용 호이스트 지그
US20060218680A1 (en) * 2005-03-28 2006-09-28 Bailey Andrew D Iii Apparatus for servicing a plasma processing system with a robot
JP4837953B2 (ja) * 2005-07-26 2011-12-14 コスミック工業株式会社 蓋体開閉装置
US20070125303A1 (en) * 2005-12-02 2007-06-07 Ward Ruby High-throughput deposition system for oxide thin film growth by reactive coevaportation
US7883579B2 (en) * 2005-12-14 2011-02-08 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and lid supporting apparatus for the substrate processing apparatus
TWI279381B (en) * 2006-01-26 2007-04-21 Au Optronics Corp Method for maintaining low pressure process apparatus and transmitting device thereof
CN101395700B (zh) * 2006-03-08 2010-09-29 兰姆研究股份公司 用于流体处理板状物品的装置
KR100790797B1 (ko) * 2006-06-08 2008-01-02 주식회사 아이피에스 진공처리장치
US20080178460A1 (en) * 2007-01-29 2008-07-31 Woodruff Daniel J Protected magnets and magnet shielding for processing microfeature workpieces, and associated systems and methods
TWI405295B (zh) * 2007-08-13 2013-08-11 Advanced Display Proc Eng Co 基板處理裝置及方法
US20090258162A1 (en) * 2008-04-12 2009-10-15 Applied Materials, Inc. Plasma processing apparatus and method
US20090255798A1 (en) * 2008-04-12 2009-10-15 Gaku Furuta Method to prevent parasitic plasma generation in gas feedthru of large size pecvd chamber
JP5659146B2 (ja) * 2008-04-12 2015-01-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ プラズマ処理装置及び方法
KR101066033B1 (ko) * 2009-07-28 2011-09-20 엘아이지에이디피 주식회사 화학기상 증착장치 및 기판 처리장치
JP5560909B2 (ja) * 2010-05-31 2014-07-30 東京エレクトロン株式会社 蓋体保持治具
KR101136728B1 (ko) * 2010-10-18 2012-04-20 주성엔지니어링(주) 기판처리장치와 그의 분해 및 조립방법
CN103911598A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 一种金属有机化学气相沉积设备
KR20140090445A (ko) * 2013-01-09 2014-07-17 삼성디스플레이 주식회사 기판 처리 장치
KR20150015714A (ko) * 2013-08-01 2015-02-11 삼성전자주식회사 서셉터 및 이를 포함하는 막 증착장치
JP6293499B2 (ja) * 2014-01-27 2018-03-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
CN106898535B (zh) * 2015-12-21 2018-11-20 中微半导体设备(上海)有限公司 半导体处理设备、系统与半导体处理设备的顶盖开启方法
US20210178473A1 (en) * 2019-12-12 2021-06-17 Arcam Ab Additive manufacturing apparatuses with separable process chamber housing portions and methods of use
US20220093426A1 (en) * 2020-09-21 2022-03-24 Applied Materials, Inc. Movable semiconductor processing chamber for improved serviceability

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57105234A (en) * 1980-12-22 1982-06-30 Sigma Gijutsu Kogyo Kk Vacuum type treatment apparatus
JP2590402Y2 (ja) * 1993-04-15 1999-02-17 千代田電機工業株式会社 上端が開口した容器の開閉蓋装置
JPH0745684A (ja) * 1993-07-27 1995-02-14 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の処理室
JPH07147241A (ja) * 1993-11-24 1995-06-06 Fuji Electric Co Ltd 半導体ウエハ処理装置のメンテナンス機構
US5912555A (en) * 1995-04-10 1999-06-15 Tokyo Electron Limited Probe apparatus
JPH11140648A (ja) * 1997-11-07 1999-05-25 Tokyo Electron Ltd プロセスチャンバ装置及び処理装置
JP3527450B2 (ja) * 1999-12-22 2004-05-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100497880B1 (ko) * 1999-12-22 2005-06-29 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 처리용 진공 처리 장치
US7640946B2 (en) 2003-02-06 2010-01-05 Tokyo Electron Limited Vacuum treating device with lidded treatment container
CN100382237C (zh) * 2004-10-29 2008-04-16 株式会社岛津制作所 真空处理装置
US8075691B2 (en) 2005-02-04 2011-12-13 Advanced Display Process Engineering Co. Ltd. Vacuum processing apparatus
US8187384B2 (en) 2005-02-04 2012-05-29 Advanced Display Process Engineering Co. Ltd. Vacuum processing apparatus
US8349082B2 (en) 2005-02-04 2013-01-08 Advanced Display Process Engineering Co., Ltd. Vacuum processing apparatus
US8152926B2 (en) 2005-02-04 2012-04-10 Advanced Display Process Engineering Co. Ltd. Vacuum processing apparatus
KR100667598B1 (ko) * 2005-02-25 2007-01-12 주식회사 아이피에스 반도체 처리 장치
JP2007067218A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理システム
JP4642608B2 (ja) * 2005-08-31 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理システム
WO2007083393A1 (ja) * 2006-01-23 2007-07-26 Youtec Co., Ltd. 成膜装置及び蒸着装置
JP2008028237A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Hitachi High-Technologies Corp 半導体処理装置
KR101000330B1 (ko) 2008-04-22 2010-12-13 엘아이지에이디피 주식회사 기판처리장
JP2011040182A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 有機発光パネルの製造装置及び有機発光パネルの製造方法
KR101258350B1 (ko) * 2010-06-07 2013-04-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
JP2012009620A (ja) * 2010-06-24 2012-01-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2012074480A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Tokyo Electron Ltd 処理装置およびそのメンテナンス方法
JP2013187385A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Tokyo Electron Ltd 処理室内部品の冷却方法、処理室内部品冷却プログラム、及び記憶媒体
JP2015216163A (ja) * 2014-05-08 2015-12-03 ワイエイシイ株式会社 蓋体開閉装置およびマルチチャンバー処理システム
WO2016013440A1 (ja) * 2014-07-24 2016-01-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび基板処理装置
JP2016025335A (ja) * 2014-07-24 2016-02-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび基板処理装置
TWI656589B (zh) * 2014-07-24 2019-04-11 日商東京威力科創股份有限公司 Substrate processing system and substrate processing device
JP2017002382A (ja) * 2015-06-15 2017-01-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6565662B2 (en) 2003-05-20
US20010006094A1 (en) 2001-07-05
JP3527450B2 (ja) 2004-05-17
KR20010067439A (ko) 2001-07-12
TW480592B (en) 2002-03-21
KR100497880B1 (ko) 2005-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001185534A (ja) 真空処理装置
JP4642608B2 (ja) 基板処理装置および基板処理システム
JP3650495B2 (ja) 半導体処理装置、その基板交換機構及び基板交換方法
US7628574B2 (en) Apparatus and method for processing substrates using one or more vacuum transfer chamber units
JP4754304B2 (ja) 基板処理装置、ロードロック室ユニット、および搬送装置の搬出方法
KR100900870B1 (ko) 진공 처리 장치
JPH10214871A (ja) ロードロック装置
US20010014268A1 (en) Multi-axis transfer arm with an extensible tracked carriage
KR100906268B1 (ko) 기판 처리 시스템 및 방법
KR20010095017A (ko) 1축 양날개형 슬롯밸브 및 그 설치방법
JP2002540612A (ja) デュアル側面スロットバルブおよび同バルブを実施するための方法
KR101241644B1 (ko) 기판 처리 장치
EP1109202A2 (en) Wafer processing chamber having separable upper and lower halves
JP5595202B2 (ja) 処理装置およびそのメンテナンス方法
JP2004288718A (ja) 基板搬送装置及び基板処理装置
JP4227623B2 (ja) 半導体処理装置
JP3350234B2 (ja) 被処理体のバッファ装置、これを用いた処理装置及びその搬送方法
WO2017209881A1 (en) Dodecadon transfer chamber and processing system having the same
JP2000150613A (ja) 被処理体の搬送装置
JP3554534B2 (ja) 半導体処理装置の基板支持機構及び基板交換方法、並びに半導体処理装置及び基板搬送装置
JP3816929B2 (ja) 半導体処理装置
JP2006122825A (ja) 真空処理装置
JP3121022B2 (ja) 減圧処理装置
JP3071517B2 (ja) ゲートバルブ
JPH11293458A (ja) 成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040203

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3527450

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160227

Year of fee payment: 12

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term