TWI656589B - Substrate processing system and substrate processing device - Google Patents

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TWI656589B
TWI656589B TW104122630A TW104122630A TWI656589B TW I656589 B TWI656589 B TW I656589B TW 104122630 A TW104122630 A TW 104122630A TW 104122630 A TW104122630 A TW 104122630A TW I656589 B TWI656589 B TW I656589B
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川上聡
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

基板處理系統(10)具備：TM(12)，其搬送被處理基板；及複數個處理單元(30)，其沿TM(12)之側面於上下方向排列而安裝有複數個，且各自對被處理基板進行處理。各處理單元(30)具有腔室(300)、簇射頭(311)、及平台(321)。腔室(300)具有：上部單元(31)，其包含於腔室(300)內形成空間之側壁(301)之一部分，且設有簇射頭(311)；及下部單元(32)，其包含腔室(300)內之側壁(301)之其餘部分，且設有平台(321)。上部單元(31)與下部單元(32)可於與複數個處理單元(30)之排列方向不同之方向上分離。

Description

基板處理系統及基板處理裝置
本發明之各種態樣及實施形態係關於一種基板處理系統及基板處理裝置。
為提高基板處理之產能，存在使用複數個基板處理裝置，並行處理複數個被處理基板之情形。於該情形時，因於無塵室等設施內配置複數個基板處理裝置，故複數個基板處理裝置所佔據之面積變大。因此，需要更大型之無塵室，設備成本增加。為避免該問題，存在如下情形：藉由於上下方向上呈多段配置複數個基板處理裝置，減少每單位面積之基板處理裝置之設置台數。
另外，基板處理裝置具有載置被處理基板之平台、及向基板處理裝置之腔室內供給處理氣體之簇射頭等零件。於對該等零件進行維護之情形時，打開腔室之上部之蓋，取出平台或簇射頭等零件，或者對腔室內進行清洗。然而，於複數個基板處理裝置於上下方向上呈多段配置之情形時，因於上方配置有其他基板處理裝置，故無法向上方打開腔室之上部之蓋。
為避免此種情況，已知一種技術，其係藉由於水平方向上錯開腔室之上部之蓋體，於不與配置於上方之其他基板處理裝置干涉之情況下使腔室之上部之蓋體自腔室之下部分離(例如，參照下述專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平10-299900號公報
於上述專利文獻1之技術中，可藉由錯開腔室之蓋體，將安裝於蓋體之簇射頭等零件卸下，或進行清洗。另一方面，對於配置於腔室之下部之平台等零件，於將其自腔室卸下時，必須提昇至腔室之上方。然而，於腔室之上方，配置有其他基板處理裝置，因此無法提昇至足以卸下平台等零件之高度。又，於作業人員將手放入腔室之下部進行清洗之情形時，配置於腔室之上方之其他基板處理裝置成為障礙，無法效率良好地進行作業。
因此，於沿上下方向配置複數個基板處理裝置之情形時，不得不隔開足以進行腔室之下部之維護作業之程度之間隔而配置，從而無法於上下方向上緊密地配置複數個基板處理裝置。又，於使多個基板處理裝置相互隔開間隔而於上下方向上呈多段配置之情形時，裝置整體之高度變高，會導致配置於上方之基板處理裝置之維護之作業效率降低。因此，無法使呈多段配置之基板處理裝置之台數過多，無法使每單位面積之基板處理裝置之設置台數過多。
本發明之一態樣具備：搬送裝置，其搬送被處理基板；及複數個基板處理裝置，其沿上述搬送裝置之側面於上下方向排列而安裝有複數個，且各自對上述被處理基板進行處理；上述複數個基板處理裝置之各者具有：腔室，其於內部形成有空間；簇射頭，其設於上述腔室內之上部；及平台，其設於上述腔室內之下部；上述腔室具有：第1腔室零件，其包含於上述腔室內形成空間之側壁之一部分，且設有上述簇射頭；及第2腔室零件，其包含上述腔室內之上述側壁之其餘 部分，且設有上述平台；上述第1腔室零件與上述第2腔室零件可於與上述複數個基板處理裝置之排列方向不同之方向上分離。
根據本發明之各種態樣及實施形態，可實現即便於複數個基板處理裝置於上下方向上緊密地配置之情形時，亦可效率良好地進行各個基板處理裝置之維護的基板處理系統及基板處理裝置。
10‧‧‧基板處理系統
11‧‧‧LLM
12‧‧‧TM
20‧‧‧PM
20-1‧‧‧PM
20-2‧‧‧PM
21‧‧‧氣體控制單元
22‧‧‧電源控制單元
30‧‧‧處理單元
30-1‧‧‧處理單元
30-2‧‧‧處理單元
30-3‧‧‧處理單元
30-n‧‧‧處理單元
31‧‧‧上部單元
32‧‧‧下部單元
33‧‧‧高頻單元
33-1‧‧‧高頻單元
33-2‧‧‧高頻單元
33-n‧‧‧高頻單元
34‧‧‧導引構件
35‧‧‧虛線
36‧‧‧突起
37‧‧‧導銷
120‧‧‧閘閥
220‧‧‧電源
221‧‧‧匹配電路
222‧‧‧迴路天線
223‧‧‧控制裝置
300‧‧‧腔室
301‧‧‧側壁
310‧‧‧氣體供給管
311‧‧‧簇射頭
312‧‧‧纜線
313‧‧‧接觸面
313a‧‧‧接觸面
313b‧‧‧接觸面
313c‧‧‧接觸面
314‧‧‧加熱部
315‧‧‧溫度感測器
320‧‧‧氣體供給管
321‧‧‧平台
322‧‧‧堆積物防護罩
323‧‧‧升降軸
324‧‧‧驅動部
325‧‧‧接觸面
325a‧‧‧接觸面
325b‧‧‧接觸面
325c‧‧‧接觸面
326‧‧‧O形環
327‧‧‧O形環
328‧‧‧加熱部
329‧‧‧溫度感測器
330‧‧‧迴路天線
331‧‧‧匹配電容器
a‧‧‧方向
x‧‧‧方向
y‧‧‧方向
z‧‧‧方向
圖1係表示實施形態之基板處理系統之一例之圖。
圖2係表示PM之一例之圖。
圖3係表示呈多段配置之處理單元之一例之圖。
圖4係表示處理單元之一例之剖視圖。
圖5係表示處理單元之一例之剖視圖。
圖6係表示將上部單元與下部單元分離之情形時之處理單元之一例之圖。
圖7係表示下部單元之一例之立體圖。
圖8係表示上部單元之一例之立體圖。
圖9係對將上部單元安裝於下部單元之過程進行說明之說明圖。
圖10係對將上部單元安裝於下部單元之過程進行說明之說明圖。
圖11係對將上部單元安裝於下部單元之過程進行說明之說明圖。
圖12係對將上部單元安裝於下部單元之過程進行說明之說明圖。
圖13係表示上部單元及下部單元之其他例之圖。
圖14係表示上部單元及下部單元之其他例之圖。
圖15係表示下部單元之其他例之圖。
圖16係表示高頻電力之供給方法之其他例之圖。
所揭示之基板處理系統於1個實施形態中，具備：搬送裝置，其搬送被處理基板；及複數個基板處理裝置，其沿搬送裝置之側面於上下方向排列而安裝有複數個，且各自對被處理基板進行處理。複數個基板處理裝置之各者具有：腔室，其於內部形成有空間；簇射頭，其設於腔室內之上部；及平台，其設於腔室內之下部。腔室具有：第1腔室零件，其包含於腔室內形成空間之側壁之一部分，且設有簇射頭；及第2腔室零件，其包含腔室內之側壁之其餘部分，且設有平台。第1腔室零件與第2腔室零件可於與複數個基板處理裝置之排列方向不同之方向上分離。
又，於所揭示之基板處理系統之1個實施形態中，亦可為腔室藉由側壁而於內部形成圓筒狀之空間，且第1腔室零件與第2腔室零件之接觸面之至少一部分被包含於將藉由側壁形成為圓筒狀之空間之中心軸傾斜地交叉之平面。
又，於所揭示之基板處理系統之1個實施形態中，亦可為第2腔室零件安裝於搬送裝置，且第1腔室零件藉由相對於第2腔室零件向與安裝於搬送裝置之側為相反側之方向移動，而自第2腔室零件分離。
又，於所揭示之基板處理系統之1個實施形態中，亦可為第1腔室零件於自第2腔室零件之與安裝於搬送裝置之側相反之側接近第2腔室零件之後，向相對於將藉由側壁形成為圓筒狀之空間之中心軸傾斜地交叉之平面垂直之方向移動，使第1腔室零件之接觸面與第2腔室零件之接觸面接觸，藉此構成腔室。
又，所揭示之基板處理系統於1個實施形態中，亦可進而具備向複數個基板處理裝置之各者供給高頻電力之供電線圈，且複數個基板處理裝置之各者進而具有：受電線圈，其與供電線圈電感耦合，接收自供電線圈供給之高頻電力；及高頻電力供給部，其將受電線圈接收 到之高頻電力供給至簇射頭；受電線圈及高頻電力供給部亦可設於第1腔室零件。
又，於所揭示之基板處理系統之1個實施形態中，於第1腔室零件，亦可進而設有：第1溫度感測器，其對第1腔室零件之溫度進行量測；及第1加熱部，其對第1腔室零件進行加熱。又，於第2腔室零件，亦可進而設有：第2溫度感測器，其對第2腔室零件之溫度進行量測；及第2加熱部，其對第2腔室零件進行加熱。又，基板處理系統亦可進而具備控制裝置，該控制裝置基於來自第1溫度感測器之量測值與來自第2溫度感測器之量測值，以第1腔室零件與第2腔室零件之溫差變小之方式，分別控制第1加熱部之加熱量及第2加熱部之加熱量。
所揭示之基板處理裝置於1個實施形態中係沿搬送被處理基板之搬送裝置之側面於上下方向排列而安裝有複數個，且各自對被處理基板進行處理者，其具備：腔室，其於內部形成有空間；簇射頭，其設於腔室內之上部；及平台，其設於腔室內之下部。腔室具有：第1腔室零件，其包含於腔室內形成空間之側壁之一部分，且設有簇射頭；及第2腔室零件，其包含腔室內之上述側壁之其餘部分，且設有平台。第1腔室零件與第2腔室零件可於與複數個基板處理裝置之排列方向不同之方向上分離。
以下，基於圖式詳細地對所揭示之基板處理系統及基板處理裝置之實施形態進行說明。再者，並不限定藉由本實施形態而揭示之發明。又，各實施形態可於不使處理內容矛盾之範圍內適當組合。
[基板處理系統10之構成]
圖1係表示實施形態之基板處理系統10之一例之圖。圖2係表示PM(Processing Module，處理模組)20之一例之圖。本實施形態之基板處理系統10如圖1所示，具備LLM(Load Lock Module，裝載互鎖模組)11、TM(Transfer Module，傳送模組)12、及複數個PM20-1及20- 2。再者，以下，於對複數個PM20-1及20-2各者不加以區分而統稱之情形時，記載為PM20。又，於圖1中，圖示有2台PM20，但於基板處理系統10中，可設有3台以上PM20，亦可設有1台PM20。
LLM11係真空搬送室，其為了將自裝載器搬送之被處理基板搬送至處於減壓狀態下之TM12而將內部保持為特定之減壓狀態。於TM12內，設置有未圖示之搬送臂。搬送臂將被處理基板自LLM11取出並向各PM20搬送。又，搬送臂將處理後之基板自各PM20取出並向LLM11搬送。
各PM20例如圖2所示，具有氣體控制單元21、電源控制單元22、及複數個處理單元30-1~n。複數個處理單元30-1~n沿TM12之側面於上下方向排列而安裝於TM12之側面。再者，以下，於對複數個處理單元30-1~n之各者不加以區分而統稱之情形時，記為處理單元30。
氣體控制單元21經由輸氣管連接於各處理單元30，並經由輸氣管將處理氣體供給至各處理單元30。又，氣體控制單元21經由輸氣管將各處理單元30內之氣體排出。
電源控制單元22經由電源纜線及通信纜線連接於各處理單元30。電源控制單元22經由電源纜線將電力供給至各處理單元30。又，電源控制單元22具有對各處理單元30所具有之腔室之側壁之溫度進行控制之控制裝置223。控制裝置223經由電源纜線而控制各處理單元30之腔室之側壁之溫度。
各處理單元30例如利用藉由自電源控制單元22供給之電力而產生之電漿，使自氣體控制單元21供給之處理氣體活化，並使用已活化之處理氣體之粒子，對被處理基板進行蝕刻或成膜等特定之處理。
圖3係表示配置成多層之處理單元30之一例之圖。複數個處理單元30-1~n例如圖3所示，沿TM12之側面於上下方向(例如圖3之z軸之 方向)配置成多層。因此，與於水平方向(例如圖3之xy平面內之方向)配置複數個處理單元30-1~n之情形相比，可減少每單位面積之處理單元30之設置台數。
各處理單元30例如圖3所示，具有腔室300、高頻單元33、及導引構件34。腔室300係由例如鋁等導電性材料形成，具有上部單元31及下部單元32。於處理單元30安裝於TM12之情形時，上部單元31與下部單元32可沿與複數個處理單元30-1~n之排列方向不同之方向分離。
於本實施形態中，於處理單元30安裝於TM12之情形時，上部單元31可相對於下部單元32向與TM12側相反之方向(例如與圖3之y方向相反之方向)移動，而與下部單元32分離。高頻單元33使用自電源控制單元22經由電源纜線而供給之電力，產生特定頻率之高頻電力。然後，高頻單元33將所產生之高頻電力供給至上部單元31。
[處理單元30之構成]
圖4及圖5係表示處理單元30之一例之剖視圖。圖4係表示於圖3中沿x方向觀察藉由yz平面切斷處理單元30之大致中央所得之切斷面之情形時之剖面。又，圖5係表示於圖3中沿y方向觀察藉由xz平面切斷處理單元30之大致中央所得之切斷面之情形時之剖面。再者，於圖4中，為了易於理解，利用虛線35表示上部單元31與下部單元32之邊界。
處理單元30具有於腔室300之內部形成圓筒狀之空間(以下，稱為處理空間)之側壁301。上部單元31包含側壁301之一部分，下部單元32包含側壁301之其餘部分。於本實施形態中，包含於上部單元31之側壁301之一部分係指例如較虛線35更靠上側之側壁301之部分。又，於本實施形態中，包含於下部單元32之側壁301之其餘部分係指例如較虛線35更靠下側之側壁301之部分。
上部單元31與下部單元32係由上部單元31之下表面(以下，稱為接觸面313)與下部單元32之上表面(以下，稱為接觸面325)接觸，而構成腔室300。於本實施形態中，接觸面313及接觸面325被包含於將藉由側壁301形成為圓筒狀之處理空間之中心軸傾斜地交叉之平面。該平面係於處理單元30安裝於TM12之狀態下，例如隨著自TM12遠離而以下降之方式向下傾斜之平面。
下部單元32例如圖4及圖5所示，具有氣體供給管320、平台321、堆積物防護罩322、升降軸323、驅動部324、加熱部328、及溫度感測器329。平台321係由例如鋁等所形成，大致水平地支持被處理基板。平台321對於下述簇射頭311亦作為下部電極而發揮功能。升降軸323支持平台321，可藉由滾珠螺桿機構等驅動部324使平台321上升及下降。
於側壁301之內側之面，以包圍平台321之方式設有用以防止蝕刻副產物(堆積物)附著於側壁301之堆積物防護罩322。於TM12之側面，形成有用以將被處理基板搬入至處理單元30內、或將處理後之基板自處理單元30搬出之開口，且設有打開及關閉該開口之閘閥120。於側壁301及堆積物防護罩322，於與閘閥120對應之位置形成有開口。此處，於堆積物防護罩322內亦設有接地電極。藉此，可提高上部單元31與下部單元32之RF(Radio Frequency，射頻)接地之均勻性。又，亦可於接地電極設有阻抗調整機構。
氣體供給管320將自氣體控制單元21供給之處理氣體向上部單元31供給。又，於下部單元32，亦設有將腔室300內之氣體向氣體控制單元21排出而減壓至特定之壓力之排氣機構。
溫度感測器329設於下部單元32之側壁301，對下部單元32之側壁301之溫度進行量測。然後，溫度感測器329經由通信纜線將表示已量測出之溫度之信號發送至電源控制單元22內之控制裝置223。加熱 部328設於下部單元32之側壁301。加熱部328經由通信纜線自控制裝置223接收控制信號，並以與所接收到之控制信號相應之加熱量對下部單元32之側壁301進行加熱。
上部單元31例如圖4及圖5所示，具有氣體供給管310、簇射頭311、纜線312、加熱部314、及溫度感測器315。於上部單元31與下部單元32接觸而形成腔室300之情形時，簇射頭311設於平台321之上方且為與平台321對向之位置。
氣體供給管310將自下部單元32之氣體供給管320供給之處理氣體供給至簇射頭311。於簇射頭311之下表面，形成有用以將處理氣體噴出至腔室300內之處理空間之複數個氣體供給孔，經由氣體供給管310而供給之處理氣體自簇射頭311之氣體供給孔噴出至腔室300內之處理空間。
纜線312將自高頻單元33供給之高頻電力供給至簇射頭311。簇射頭311將經由纜線312而供給之高頻電力放射至腔室300內之處理空間。相對於作為下部電極而發揮功能之平台321，簇射頭311亦作為上部電極而發揮功能。
於本實施形態中，將閘閥120開放，將被處理基板搬入至腔室300內，並載置於平台321上。然後，藉由下部單元32內之排氣機構，將腔室300內減壓至特定之壓力。繼而，經由簇射頭311將處理氣體供給至腔室300內之處理空間，自高頻單元33將高頻電力經由簇射頭311放射至腔室300內之處理空間。藉此，於簇射頭311內之處理空間產生處理氣體之電漿，藉由所產生之電漿，對平台321上之被處理基板實施蝕刻等特定之處理。
溫度感測器315設於上部單元31之側壁301，對上部單元31之側壁301之溫度進行量測。然後，溫度感測器315經由通信纜線將表示已量測出之溫度之信號發送至電源控制單元22內之控制裝置223。加熱 部314設於上部單元31之側壁301。加熱部314經由通信纜線自控制裝置223接收控制信號，並以與所接收到之控制信號相應之加熱量對上部單元31之側壁301進行加熱。
電源控制單元22內之控制裝置223經由通信纜線接收表示來自上部單元31內之溫度感測器315之溫度之信號、及表示來自下部單元32內之溫度感測器329之溫度之信號。然後，控制裝置223基於已接收到之信號所表示之溫度，以上部單元31之側壁301與下部單元32之側壁301之溫差變小之方式分別算出上部單元31內之加熱部314之加熱量及下部單元32內之加熱部328之加熱量。繼而，控制裝置223經由通信纜線將指示已算出之加熱量之控制信號分別發送至上部單元31內之加熱部314及下部單元32內之加熱部328。
此處，於處理基板時，存在因自電漿等產生之熱而使腔室300局部受到加熱之情形。因此，於上部單元31與下部單元32之間之溫差變大之情形時，有因熱膨脹所引起之尺寸變化而導致上部單元31與下部單元32之間之接觸部產生應變，從而對製程造成不良影響之虞。針對此，於本實施形態中，控制裝置223以使上部單元31之側壁301與下部單元32之側壁301之溫差變小之方式分別對上部單元31內之加熱部314之加熱量及下部單元32內之加熱部328之加熱量進行調整。藉此，控制裝置223可提高腔室300內之溫度分佈之均勻性。
再者，於上部單元31之接觸面313與下部單元32之接觸面325之間，亦可介置由熱導率較高之素材所形成之構件。藉此，可進而縮小上部單元31之側壁301與下部單元32之側壁301之溫差。又，介置於上部單元31之接觸面313與下部單元32之接觸面325之間之構件較佳為由導電性較高之素材所形成。藉此，可縮小上部單元31之側壁301與下部單元32之側壁301之電位差。
圖6係表示將上部單元31與下部單元32分離之情形時之處理單元 30之一例之圖。上部單元31與下部單元32係藉由將由側壁301形成為圓筒狀之處理空間之中心軸傾斜地交叉之平面而分離。於處理單元30安裝於TM12之情形時，該平面隨著自TM12遠離而以下降之方式向下傾斜之平面。
因此，於將上部單元31與下部單元32如圖6所示分離之情形時，腔室300內之處理空間沿下部單元32之接觸面325傾斜地開口。藉此，作業人員易於自與複數個處理單元30-1~n之排列方向(例如圖6之z軸方向)不同之方向(例如圖6之y軸之方向)，取出下部單元32內之零件，或將手伸入下部單元32內。
又，即便於複數個處理單元30-1~n之排列方向上，未設有用於維護處理單元30之空間，作業人員亦可進行下部單元32內之維護。因此，可於上下方向上緊密地配置複數個處理單元30-1~n，而可增加每單位面積之處理單元30之設置台數。
再者，對於上部單元31，作業人員於其自下部單元32分離之後，使上部單元31移動至確保有充分作業空間之位置，藉此可易於進行上部單元31之清洗或將零件自上部單元31卸除。
圖7係表示下部單元32之一例之立體圖。圖8係表示上部單元31之一例之立體圖。如圖7所示，於下部單元32之接觸面325上，以包圍處理空間之方式且沿接觸面325而配置有O形環327。藉此，於上部單元31之接觸面313與下部單元32之接觸面325接觸而構成腔室300之情形時，接觸面325上之O形環327會受到上部單元31側之接觸面313擠壓。藉此，可將使上部單元31與下部單元32接觸而構成之腔室300內之處理空間保持氣密。
又，於下部單元32之接觸面325上，以包圍氣體供給管320之開口端之方式且沿接觸面325而配置有O形環326。藉此，於上部單元31之接觸面313與下部單元32之接觸面325接觸而構成腔室300之情形 時，接觸面325上之O形環326受到上部單元31側之接觸面313擠壓。藉此，可將下部單元32之氣體供給管320與上部單元31之氣體供給管310氣密地連結。
此處，O形環326及O形環327係沿形成為平面狀之接觸面325而配置。藉此，可將O形環326及O形環327形成為平面狀。因此，與使用以沿著由複數個不同平面所構成之接觸面之方式立體地形成之密封構件之情形相比，可降低密封構件之製造成本。
又，於下部單元32之側面，例如圖7所示設有導引構件34。於本實施形態中，各導引構件34具有2條軌道。又，於上部單元31之側面，例如圖8所示設有複數個突起36，其等用以使下部單元32沿設於下部單元32之導引構件34之軌道移動。於本實施形態中，於上部單元31之側面，分別設有2個突起36。
[處理單元30之安裝方法]
圖9至圖12係對將上部單元31安裝於下部單元32之過程進行說明之說明圖。於圖9至圖12所示之例中，下部單元32安裝於TM12。首先，作業人員針對下部單元32，使上部單元31自與TM12相反之側向TM12之方向(例如圖9之y方向)移動，藉此使上部單元31靠近下部單元32。然後，作業人員例如圖9所示，使設於上部單元31之各側面之上側之突起36載於導引構件34之上側之軌道上。
其次，作業人員一面使上側之突起36沿導引構件34之上側之軌道移動，一面使上部單元31進而向TM12之方向移動。然後，作業人員例如圖10所示，使設於上部單元31之各側面之下側之突起36載於導引構件34之下側之軌道上。繼而，作業人員以突起36沿導引構件34之軌道移動之方式使上部單元31進而向TM12之方向移動。藉此，作業人員可於不使上部單元31之接觸面313與配置於下部單元32之接觸面325上之O形環326及O形環327接觸的情況下，使上部單元31向TM12 之方向移動至特定之位置。
然後，於使上部單元31移動至例如圖11所示之位置之後，作業人員以突起36沿導引構件34之軌道移動之方式使上部單元31向垂直於接觸面325之方向(例如圖11所示之方向a)移動。藉此，例如圖12所示，上部單元31與下部單元32接觸，而構成腔室300。再者，於使上部單元31與下部單元32分離之情形時，只要按倒序進行圖9至圖11所示之動作即可。
此處，於本實施形態中，於使上部單元31向TM12之方向移動至例如圖11所示之位置之後，使上部單元31沿導引構件34之軌道向垂直於接觸面325之方向移動，藉此使上部單元31與下部單元32接觸。
藉此，配置於下部單元32之接觸面325上之O形環326及O形環327自垂直於接觸面325之方向受到上部單元31側之接觸面313擠壓。因此，可防止O形環326及O形環327之偏移或扭轉。從而，可將使上部單元31與下部單元32接觸而構成之腔室300內之處理空間保持氣密。又，可防止下部單元32之氣體供給管320與上部單元31之氣體供給管310之氣密性之降低。
再者，若腔室300內開始排氣，則上部單元31與下部單元32隨著腔室300內之壓力之降低而密接，但於腔室300之排氣開始之前腔室300內之壓力與外部氣壓相同。又，下部單元32之接觸面325傾斜。因此，於腔室300內之排氣開始之前必須保持上部單元31不自下部單元32滑落。
然而，於本實施形態中，導引構件34於上部單元31與下部單元32接觸之後，亦限制上部單元31之移動。因此，即便不另外設置保持上部單元31不自下部單元32滑落之機構，上部單元31亦不會自下部單元32滑落。
以上，對一實施形態進行了說明。根據本實施形態之基板處理 系統10，即便於複數個處理單元30於上下方向上緊密配置之情形時，亦可效率良好地進行各個處理單元30之維護。
再者，本發明並不限定於上述實施形態，可於其主旨之範圍內實施多種變化。
例如，於上述實施形態中，將上部單元31自安裝於TM12之下部單元32分離，但本發明並不限於此。例如亦可如圖13所示，上部單元31安裝於TM12，使下部單元32自上部單元31分離。於該情形時，包含上部單元31與下部單元32之接觸面之平面係於處理單元30安裝於TM12之狀態下，例如隨著自TM12遠離而以上升之方式向上傾斜之平面。
於圖13所示之例中，將與圖7所示之導引構件34上下顛倒之導引構件34設於上部單元31之側面，將與該導引構件34對應之突起36設於下部單元32之側面，藉此可使下部單元32之接觸面325自垂直於上部單元31之接觸面313之方向與接觸面313接觸。
再者，於圖13之例中，當構成處理單元30之情形時，需要如下機構：以於使上部單元31與下部單元32接觸之後直至使腔室300內成為負壓為止之期間，下部單元32不會自上部單元31滑落之方式，維持下部單元32與上部單元31之接觸狀態。作為維持下部單元32與上部單元31之接觸狀態之機構，可考慮藉由例如彈簧、橡膠、或汽缸等，沿相對於上部單元31之接觸面313垂直之方向推壓下部單元32之機構。
又，於上述實施形態中，上部單元31與下部單元32之接觸面包含於1個平面，但本發明並不限於此。例如亦可如圖14所示，上部單元31與下部單元32藉由包含上部單元31與下部單元32之接觸面之複數個平面而接觸。於圖14之例中，下部單元32之接觸面325a、接觸面325b、及接觸面325c分別包含於不同之平面。又，上部單元31之接觸面313a、接觸面313b、及接觸面313c分別包含於不同之平面。
其中，於圖14所示之例中，配置1根O形環之接觸面亦較佳為1個平面。又，於配置複數個O形環之情形時，配置各O形環之面較佳為相互平行之面。藉此，可藉由使上部單元31向垂直於配置O形環之面之方向移動，而使上部單元31與下部單元32接觸，從而可防止O形環之偏移或扭轉。
又，於上述實施形態中，使用導引構件34與突起36，使上部單元31沿垂直於配置有O形環之下部單元32之接觸面325之方向移動，而使上部單元31與下部單元32接觸，但本發明並不限於此。例如亦可如圖15所示，於配置有O形環之接觸面325上，設置複數個向垂直於接觸面325之方向延伸之導銷37。
於該情形時，於上部單元31側之接觸面313，於與各導銷37對應之位置設有插入孔，該插入孔具有較導銷37之外形稍大之形狀，且沿垂直於接觸面313之面之方向形成。於圖15所示之例中，亦可藉由使上部單元31向垂直於配置有O形環之面之方向移動，而使上部單元31與下部單元32接觸，從而可防止O形環之偏移或扭轉。又，各導銷37於上部單元31與下部單元32接觸之後亦限制上部單元31之移動，因此上部單元31不會自下部單元32滑落。
又，於上述實施形態中，高頻單元33使用經由纜線自電源控制單元22供給之電力產生特定頻率之高頻電力，並將所產生之高頻電力供給至簇射頭311，但本發明並不限定於此。圖16係表示高頻電力之供給方法之其他例之圖。
於圖16所示之例中，電源220、匹配電路221、及迴路天線222設於電源控制單元22內。迴路天線222基於經由匹配電路221自電源220供給之電力，產生特定頻率之高頻電力。
各高頻單元33-1~n具有迴路天線330及匹配電容器331。迴路天線330例如設於面對電源控制單元22側之處理單元30之側面。迴路天 線330與迴路天線222電感耦合，藉由電磁共振接收迴路天線222所產生之高頻電力。然後，迴路天線330經由匹配電容器331及纜線312將接收到之高頻電力供給至簇射頭311。藉此，可減少將電源控制單元與各處理單元30連接之纜線，從而可提高進行處理單元30之維護時之作業效率。
又，於上述實施形態中，以使用電漿對被處理基板進行處理之處理單元30為例進行了說明，但本發明並不限於此。例如，對於沿上下方向呈多段配置有熱CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)、乾式洗淨裝置等基板處理裝置之PM，亦可適用本發明。
以上，使用實施形態對本發明進行了說明，但本發明之技術範圍並不限定於上述實施形態中所記載之範圍。業者應明白可對上述實施形態加以多種變更或改良。又，由申請專利範圍之記載可明白此種加以變更或改良之形態亦包含於本發明之技術範圍內。

Claims (7)

  1. 一種基板處理系統，其特徵在於包含：搬送裝置，其搬送被處理基板；及複數個基板處理裝置，其沿上述搬送裝置之側面於上下方向排列而安裝有複數個，且各自對上述被處理基板進行處理；上述複數個基板處理裝置之各者包含：腔室，其於內部形成有空間；簇射頭，其設於上述腔室內之上部；及平台，其設於上述腔室內之下部；上述腔室包含：第1腔室零件，其包含於上述腔室內形成空間之側壁之一部分，且設有上述簇射頭；及第2腔室零件，其包含上述腔室內之上述側壁之其餘部分，且設有上述平台；且上述第1腔室零件與上述第2腔室零件可於與上述複數個基板處理裝置之排列方向不同之方向上分離。
  2. 如請求項1之基板處理系統，其中上述腔室藉由側壁而於內部形成圓筒狀之空間，且上述第1腔室零件與上述第2腔室零件之接觸面之至少一部分被包含於將藉由上述側壁形成為圓筒狀之空間之中心軸傾斜地交叉之平面。
  3. 如請求項2之基板處理系統，其中上述第2腔室零件安裝於上述搬送裝置，且上述第1腔室零件藉由相對於上述第2腔室零件向與安裝於上述搬送裝置之側為相反側之方向移動，而自上述第2腔室零件分 離。
  4. 如請求項2之基板處理系統，其中上述第1腔室零件於自上述第2腔室零件之與安裝於上述搬送裝置之側相反之側接近第2腔室零件之後，向相對於將藉由上述側壁形成為圓筒狀之空間之中心軸傾斜地交叉之平面垂直之方向移動，使上述第1腔室零件之上述接觸面與上述第2腔室零件之上述接觸面接觸，藉此構成上述腔室。
  5. 如請求項1之基板處理系統，其進而包含向上述複數個基板處理裝置之各者供給高頻電力之供電線圈；上述複數個基板處理裝置之各者進而包含：受電線圈，其與上述供電線圈電感耦合，接收自上述供電線圈供給之高頻電力；及高頻電力供給部，其將上述受電線圈接收到之高頻電力供給至上述簇射頭；且上述受電線圈及上述高頻電力供給部設於上述第1腔室零件。
  6. 如請求項1之基板處理系統，其中於上述第1腔室零件，進而設有：第1溫度感測器，其對上述第1腔室零件之溫度進行量測；及第1加熱部，其對上述第1腔室零件進行加熱；於上述第2腔室零件，進而設有：第2溫度感測器，其對上述第2腔室零件之溫度進行量測；及第2加熱部，其對上述第2腔室零件進行加熱；且上述基板處理系統進而包含控制裝置，該控制裝置基於來自上述第1溫度感測器之量測值與來自上述第2溫度感測器之量測值，以上述第1腔室零件與上述第2腔室零件之溫差變小之方式，分別控制上述第1加熱部之加熱量及上述 第2加熱部之加熱量。
  7. 一種基板處理裝置，其特徵在於：其係沿搬送被處理基板之搬送裝置之側面於上下方向排列而安裝有複數個，且各自對上述被處理基板進行處理者，其包含：腔室，其於內部形成有空間；簇射頭，其設於上述腔室內之上部；及平台，其設於上述腔室內之下部；上述腔室包含：第1腔室零件，其包含於上述腔室內形成空間之側壁之一部分，且設有上述簇射頭；及第2腔室零件，其包含上述腔室內之上述側壁之其餘部分，且設有上述平台；且上述第1腔室零件與上述第2腔室零件可於與上述複數個基板處理裝置之排列方向不同之方向上分離。
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