TWI575600B - 基板處理設備及基板處理方法 - Google Patents

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TWI575600B
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金龍植
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Description

基板處理設備及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理設備及基板處理方法。
在半導體生產過程或手機生產過程中會使用基板。在製程進行期間，基板會與形成有電路之晶粒(Die)或其他基板附接。另外，對層疊型半導體封裝之生產而言，利用基板生產的半導體封裝可在製程中與其他半導體封裝上下層疊。
在此基板上，提供用於與晶粒、其他基板或半導體封裝電氣連接的端子。當此等端子上附著有異質物質或端子上形成有氧化層時，會降低與晶粒等的接觸性。
本發明旨在提供一種能夠移除基板外之異質物質或氧化層的基板處理設備及基板處理方法。
另外，本發明旨在提供一種能夠對裝載於托盤中之基板一併進行電漿處理的基板處理設備及基板處理方法。
另外，本發明旨在提供一種能夠對基板兩側進行電漿處理的基板處理設備及基板處理方法。
另外，本發明旨在提供一種能夠在基板進行電漿處理期間防止基板周圍產生電弧或寄生電漿的基板處理設備及基板處理方法。
根據本發明之一個態樣，可提供一種基板處理設備，包括：托盤，其用於裝載基板；搬入單元，其搬入裝載有電漿處理前的基板之托盤；夾具，其用於將托盤置放於其上部；加載埠，其用於使夾具待機；電漿處理單元，其能夠於托盤及夾具搬入後執行對基板的電漿處理；搬出單元，其搬出裝載有電漿處理後的基板之托盤。
另外，基板處理設備亦可包括裝載機，其使托盤自搬入單元拾起以置放於在加載埠待機的夾具之上部。
另外，基板處理設備亦可包括機器人，其自加載埠將上部置放有托盤之夾具搬入電漿處理單元，或將該夾具自電漿處理單元搬出至加載埠。
另外，基板處理設備亦可包括卸載機，其自加載埠拾起置放於夾具之上部的托盤以將其移送至搬出單元。
另外，在托盤之下部可形成固定凸起，在夾具之上部可形成供固定凸起插入的結合槽。
另外，托盤可形成有：流動空間，其下部之 中央部分凹陷形成；以及流入部，其使得流動空間與外部連通。
另外，托盤可包括：容納部，其形成在該托盤之上部以用於將基板相應地容納在內；段差部，其在容納部之中央以槽形狀形成；孔，其在各個段差部之中央形成。
另外，孔可與流動空間連通。
另外，托盤可以絕緣體形成。
另外，托盤可以電容率為3以上之材料提供。
另外，電漿處理單元可包括：製程腔室，其內部形成有空間；基座，其位於製程腔室內部以支撐基板；電漿供應部，其向製程腔室內部供應電漿。
另外，在基座上可連接有偏壓電源。
根據本發明之另一態樣，可提供一種基板處理方法，在裝載有將要進行電漿處理的基板之托盤置放於夾具之上部後，將夾具及基板一同搬入電漿處理單元，在針對基板進行電漿處理後，將托盤及夾具一同自電漿處理單元搬出。
另外，在裝載有電漿處理前的基板之托盤移送至搬入單元後，可將該托盤加載於在加載埠待機的夾具之上部。
另外，在電漿處理單元中進行對基板的電漿處理後，可將托盤及夾具搬出至加載埠。
另外，可將裝載有電漿處理後的基板之托盤 自夾具之上部移送至搬出單元。
根據本發明之又一態樣，可提供一種基板處理方法，在裝載有基板之托盤置放於以絕緣體提供的夾具之上部後，將夾具搬入至電漿處理單元以執行對基板的電漿處理。
另外，基板可提供用於與形成有電路之晶粒附接的端子。
另外，基板外或端子上之異質物質或氧化層可藉助於電漿處理而移除。
另外，夾具可以絕緣體提供以在執行電漿處理期間切斷在基板周圍產生電弧或寄生電漿。
根據本發明之一個實施例，可移除基板外之異質物質或氧化層。
另外，根據本發明之一個實施例，基板可以裝載於托盤之狀態一併進行電漿處理。
另外，根據本發明之一個實施例，可對基板兩側進行電漿處理。
另外，根據本發明之一個實施例，能夠在基板進行電漿處理期間防止基板周圍產生電弧或寄生電漿。
100‧‧‧搬入單元
110‧‧‧搬入軌道
120‧‧‧搬入車
200‧‧‧電漿處理單元
200a‧‧‧電漿處理單元
300‧‧‧搬出單元
310‧‧‧搬出軌道
320‧‧‧搬出車
400‧‧‧托盤
410‧‧‧容納部
411‧‧‧段差部
412‧‧‧孔
420‧‧‧支撐凸起
420a‧‧‧第一支撐凸起
420b‧‧‧第二支撐凸起
430‧‧‧第一固定凸起
440‧‧‧流動空間
450‧‧‧流入部
460‧‧‧凸棱
461‧‧‧第二固定凸起
500‧‧‧移送單元
500a‧‧‧裝載機
500b‧‧‧機器人
500c‧‧‧卸載機
510b‧‧‧手臂
600‧‧‧加載埠
700‧‧‧夾具
710‧‧‧結合槽
710a‧‧‧第一結合槽
710b‧‧‧第二結合槽
720‧‧‧移送槽
2100‧‧‧製程腔室
2110‧‧‧主體
2111‧‧‧排氣孔
2112‧‧‧排氣管線
2120‧‧‧密閉蓋
2121‧‧‧擴散空間
2200‧‧‧基座
2210‧‧‧偏壓電源
2300‧‧‧噴頭
2310‧‧‧分配孔
2400‧‧‧電漿供應部
2410‧‧‧振盪器
2420‧‧‧導波管
2430‧‧‧介電質管
2440‧‧‧製程氣體供應部
D‧‧‧端子
S‧‧‧基板
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
圖1為展示本發明之一個實施例的基板處理設備之圖。
圖2為展示在圖1之基板處理設備中處理的基板之圖。
圖3為作為圖1之電漿處理單元的一個實例的以搖控方式提供的電漿處理單元之剖面圖。
圖4為圖1之夾具的一個實施例之立體圖。
圖5為圖1之托盤的一個實施例之立體圖。
圖6為圖5之托盤之底面立體圖。
圖7為托盤置放於圖4之夾具上部的狀態之立體圖。
圖8為裝載有基板之托盤置放於夾具上部的狀態之立體圖。
圖9為圖8中A-A之剖面圖。
圖10為圖8中B-B之剖面圖。
以下參照附圖，更詳細地描述本發明之實施例。本發明之實施例可以變更為多種形態，本發明之範圍不得解釋為限定於以下實施例。該等實施例係提供用於向熟習此項技術者更完全地闡釋本發明。因此，附圖中之要素的形狀出於突出更明確描繪的目的而進行誇示。
圖1為展示本發明之一個實施例的基板處理裝置之圖，圖2為展示在圖1之基板處理裝置中處理的基板之圖。
如圖1所示，基板處理裝置(10)包括搬入單元(100)、電漿處理單元(200)及搬出單元(300)。
搬入單元(100)供應將進行電漿處理的基板 (S)。搬入單元(100)包括搬入軌道(110)及搬入車(120)。
搬入軌道(110)可提供成長度方向沿著任意一個方向置放。以下將搬入軌道(110)之長度方向稱為第一方向(X)，將自上方觀察時垂直於第一方向(X)的搬入軌道(110)之寬度方向稱為第二方向(Y)。搬入軌道(110)提供搬入車(120)移動之路徑。例如，搬入軌道(110)可以相互平行置放的一對軌道或輸送帶等提供。
搬入車(120)能沿搬入軌道(110)之長度方向移動地置放於搬入軌道(110)。搬入車(120)移送將進行電漿處理的基板(S)。具體而言，多個基板(S)置放於托盤(400)之上部。而且，托盤(400)置放於搬入車(120)上來移送。基板(S)可用於半導體封裝之生產。亦即，半導體封裝可在後續製程中，附接基板(S)與形成有電路之晶粒進行生產。例如，基板(S)可為引線框架或印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB)。另外，基板(S)可為手機生產過程中使用的引線框架或印刷電路板。
而且，基板(S)可用於層疊型半導體封裝之生產。例如，利用基板(S)生產的半導體封裝可與其他半導體封裝上下結合。另外，利用基板(S)生產的半導體封裝可與其他基板(S)或晶粒上下結合。在基板(S)之一側或兩側，提供用於與晶粒、半導體封裝或其他基板(S)電氣連接的端子(D)。
電漿處理單元(200)鄰接位於搬入軌道(110)之一端。電漿處理單元(200)利用電漿來移除基板(S)之表面 或端子(D)上的異質物質及氧化層。端子(D)上的異質物質或氧化層在後續製程中將降低基板(S)與晶粒或其他基板的接觸性。另外，基板(S)之表面的異質物質或氧化層降低注射成型製程中注射成型物質與基板(S)的接觸性或注射成型物質之擴散性。因此，若移除異質物質或氧化層，則提高與晶粒或其他基板的附著製程及注射成型製程中的效率。
電漿處理單元(200)可提供來使得在以搖控方式生產電漿後，將電漿供應至基板(S)處理的空間。另外，電漿處理單元(200)可提供來使得以中空陰極方式產生電漿。另外，電漿處理單元(200)亦可以電感耦合電漿(Inductively couplcd plasma,ICP)處理單元或電容耦合電漿(Capacitively coupled plasma,CCP)處理單元來提供。位於搬入單元(100)的托盤(400)藉助於移送單元(500)搬入電漿處理單元(200)。具體而言，在搬入軌道(110)之一端，可提供加載埠(600)。在加載埠(600)，夾具(700)可得以待機。裝載有將進行電漿處理的基板(S)之托盤(400)在置放於夾具(700)之上部後，與夾具(700)一同搬入電漿處理單元(200)。而且，移送單元(500)可包括裝載機(500a)、機器人(500b)及卸載機(500c)。
裝載機(500a)可拾起移送至搬入單元(100)一端的托盤(400)並置放於位於加載埠(600)的夾具(700)之上部。另外，裝載機(550a)亦可將置放於托盤(400)上部的基板(S)傳遞至位於夾具(700)之上部的其他托盤(400)。具體 而言，裝載機(500a)在托盤(400)移動至加載埠(600)期間或在托盤(400)置放於加載埠(600)上部之狀態下，可對所拾起的托盤(400)進行上下翻轉。而且，在夾具(700)之上部，其他托盤(400)處於待機狀態。因此，基板(S)可自搬入單元(100)之移送期間使用的托盤(400)傳遞至在夾具(700)之上部待機的托盤(400)。在此期間，基板(S)上下翻轉。
裝載機(500a)可位於搬入軌道(110)之一端與加載埠(600)的鄰接處。例如，裝載機(500a)可相對於搬入軌道(110)一端與加載埠(600)鄰接的區域鄰接第二方向(Y)置放。另外，裝載機(500a)亦可位於搬入軌道(110)之一端與加載埠(600)之間。
機器人(500b)拾起位於加載埠(600)的夾具(700)及托盤(400)並搬入電漿處理單元(200)。另外，機器人(500b)在置放於托盤(400)上的基板(S)完成電漿處理後，拾起位於電漿處理單元(200)的夾具(700)及托盤(400)並搬出至加載埠(600)。電漿處理單元(200)相對於加載埠(600)向第一方向(X)隔開地置放，或向相對於第二方向(Y)或第一方向(X)傾斜的方向隔開地置放。機器人(500b)可鄰接於加載埠(600)與電漿處理單元(200)定位。作為一個實例，機器人(500b)可位於電漿處理單元(200)與加載埠(600)之間。
卸載機(500c)拾起位於加載埠(600)的托盤(400)並移送至搬出單元(300)。卸載機(500c)可位於加載埠(600)與稍後將提及的搬出軌道(310)的鄰接處。例如，卸載 機(500c)可相對於加載埠(600)與搬出單元(300)一端鄰接的區域向垂直於搬出單元(300)長度方向之方向鄰接置放。另外，卸載機(500c)亦可位於加載埠(600)與搬出單元(300)之間。
另外，在移送單元(500)中，亦可省略裝載機(500a)及卸載機(500c)。因此，機器人(500b)可全部執行自搬入單元(100)拾起托盤(400)並加載位於加載埠(600)的夾具(700)之操作、將夾具(700)及托盤(400)搬入電漿處理單元(200)或自電漿處理單元(200)搬出之操作、自加載埠(600)拾起托盤(400)並移送至搬出單元(300)之操作。
搬出單元(300)鄰接加載埠(600)置放以搬出裝載有已獲電漿處理的基板(S)之托盤(400)。搬出單元(300)包括搬出軌道(310)及搬出車(320)。
搬出軌道(310)可提供成長度方向沿著任意一個方向置放。例如，搬出軌道(310)以加載埠(600)為基準，位於搬入軌道(110)之相反側，長度方向可向第一方向(X)提供。另外，搬出軌道(310)亦可以長度方向向相對於第二方向(Y)或第一方向(X)傾斜的方向來提供。搬出軌道(310)提供搬出車(320)移動之路徑。例如，搬出軌道(310)可以相互平行地置放的一對軌道或輸送帶等提供。
搬出車(320)能沿搬出軌道(310)之長度方向移動地位於搬出軌道(310)。搬出車(320)移送在上部裝載有已獲電漿處理的基板(S)之托盤(400)。具體而言，首先，對托盤(400)之搬出而言，搬出車(320)位於與加載埠(600)鄰 接的搬出軌道(310)之端部。卸載機(500c)自位於加載埠(600)的夾具(700)上部拾起托盤(400)並移送至搬出車(320)。然後，搬出車(320)沿著搬出軌道(310)移動並搬出托盤(400)。
圖3為作為圖1之電漿處理單元的一個實例的以搖控方式提供的電漿處理單元之剖面圖。
如圖3所示，電漿處理單元(200a)包括製程腔室(2100)、基座(2200)、噴頭(2300)及電漿供應部(2400)。
製程腔室(2100)提供執行製程處理之空間。製程腔室(2100)具有主體(2110)及密閉蓋(2120)。主體(2110)之頂部敞開，其內部形成有空間。在主體(2110)之側壁上，形成有供上部置放有托盤(400)之夾具(700)出入的開口(未圖示)，該開口可藉助於諸如狹縫門(slit door)(未圖示)之開閉構件來開閉。在製程腔室(2100)內執行對位於托盤(400)上之基板(S)的處理期間，開閉構件封閉開口，當基板(S)搬入製程腔室(2100)內部與搬出製程腔室(2100)外部時，使開口敞開。在開口敞開之狀態下，機器人(500b)之手部出入於製程腔室(2100)內部。
在主體(2110)之下部壁上形成有排氣孔(2111)。排氣孔(2111)與排氣管線(2112)連接。經由排氣管線(2112)調節製程腔室(2100)之內部壓力，以便將製程中產生的反應副產物排出製程腔室(2100)外部。
密閉蓋(2120)與主體(2110)之上部壁結合，覆蓋主體(2110)之敞開頂部，從而密閉主體(2110)內部。密閉 蓋(2120)之上端與電漿供應部(2400)連接。在密閉蓋(2120)中形成有擴散空間(2121)。擴散空間(2121)愈靠近噴頭(2300)，寬度逐漸加寬。例如，擴散空間(2121)可具有倒漏斗形狀。
基座(2200)位於製程腔室(2100)內部。上部置放有托盤(400)之夾具(700)置放於基座之頂部。在基座(2200)內部，可形成有供冷卻流體循環之冷卻流路(未圖示)。冷卻流體沿著冷卻流路循環來冷卻基座(2200)與夾具(700)。在基座(2200)中，為調節藉助於電漿的基板(S)處理程度，可自偏壓電源(2210)接入電力。偏壓電源(2210)接入的電力可為射頻(radio frequency,RF)電源。基座(2200)藉助於偏壓電源(2210)供應的電力而形成護罩(sheath)，在該區域中形成高密度電漿，從而能夠使製程能力提高。
噴頭(2300)結合於主體(2110)之上部壁。噴頭(2300)可為圓板狀，與基座(2200)之頂部平行配置。噴頭(2300)可以表面經過氧化處理的鋁材料提供。在噴頭(2300)中形成有分配孔(2310)。為獲得均勻自由基(radical)供應，分配孔(2310)可在同心圓柱上以既定間隔形成。在擴散空間(2121)擴散的電漿流入分配孔(2310)。此時，諸如電子或離子等的帶電粒子由噴頭(2300)擋住，諸如氧自由基等不帶電的中性粒子穿過分配孔(2310)，向基板(S)供應。另外，噴頭接地，可形成供電子或離子移動的通道。
電漿供應部(2400)產生向製程腔室(2100)供應之電漿。電漿供應部(2400)可在製程腔室(2100)上部提 供。電漿供應部(2400)包括振盪器(2410)、導波管(2420)、介電質管(2430)及製程氣體供應部(2440)。
振盪器(2410)產生電磁波。導波管(2420)連接振盪器(2410)與介電質管(2430)，提供用於使振盪器(2410)產生的電磁波傳遞至介電質管(2430)內部之通道。製程氣體供應部(2440)向電介質管(2430)內部供應製程氣體。製程氣體可包括氧氣及氮氣。另外，製程氣體可包括氟系氣體。向介電質管(2430)內部供應之製程氣體由電磁波激發成電漿狀態。電漿經過介電質管(2430)流入擴散空間(2121)。
圖4為圖1之夾具的一個實施例之立體圖。
如圖4所示，夾具(700)以具有設置厚度的板狀提供。在夾具(700)之上部形成有結合槽(710)。結合槽(710)可包括沿著夾具(700)上部之邊緣形成的第一結合槽(710a)及在夾具(700)上部之中央區域形成的第二結合槽(710b)。另外，第一結合槽(710a)或第二結合槽(710b)中之一者可省略。
在夾具(700)之側面可形成有移送槽(720)。移送槽(720)可形成為在相互相向的夾具(700)之兩側面構成一對。移送槽(720)可向平行於地面之方向以開口狀提供。因此，機器人(500b)可以機器人(500b)之手臂(510b)在滑動同時插入移送槽(720)中的方式拾起夾具(700)。
另外，移送槽(720)可省略。此時，機器人(500b)提供成可握住夾具(700)之側面而拾起夾具(700)。
夾具(700)以絕緣體提供。夾具(700)可選擇為 具有設置值以上的電容率之材料。例如，夾具(700)可以在電容率為3以上的材料中選擇。作為一個實例，夾具(700)可以陶瓷提供。
圖5為圖1之托盤一個實施例之立體圖，圖6為圖5之托盤之底面立體圖，圖7為托盤位於圖4之夾具上部的狀態之立體圖。
以下基於托盤(400)置放成使各個邊相對於第一方向(X)、第二方向(Y)保持平行的狀態進行說明。
如圖5至圖7所示，在托盤(400)之上部形成有多個容納部(410)。在各個容納部(410)放置有基板(S)。在圖中，圖示容納部(410)為4個的情形，但容納部(410)之數量可根據需要變更。各個容納部(410)可藉助於支撐凸起(420)而劃分。向第一方向(X)或第二方向(Y)相互相向的支撐凸起(420)之間的間隔距離對應於基板(S)之寬度。支撐凸起(420)包括第一支撐凸起(420a)及第二支撐凸起(420b)。第一支撐凸起(420a)沿著第一方向(X)，在托盤(400)上部之邊緣及容納部(410)與容納部(410)之間形成。而且，第二支撐凸起(420b)沿著第二方向(Y)，在托盤(400)上部之邊緣及容納部(410)與容納部(410)之間形成。支撐凸起(420)之側面可與垂直於第一方向(X)及第二方向(Y)之上下方向平行地垂直形成。因此，若基板(S)於放容納部(410)，則基板(S)之側面受支撐凸起(420)支撐，基板(S)之底部接觸托盤(400)之上部。
另外，第一支撐凸起(420a)及第二支撐凸起 (420b)鄰接者可相互連接地提供。即，各個容納部(410)在托盤(400)之上部可由以格子形狀凸出的凸棱劃分。
在各個容納部(410)之中央形成有槽狀段差部(411)。而且，在段差部(411)之中央形成有孔(412)。
在托盤(400)下部，沿著邊緣形成有第一固定凸起(430)。第一固定凸起(430)與第一結合槽(710a)對應地形成，若托盤(400)置放於夾具(700)之上部，則第一固定凸起(430)插入第一結合槽(710a)。
托盤(400)下部之中央部分凹陷，其以槽狀形成流動空間(440)。而且，在托盤(400)之側面形成有使得流動空間(440)與托盤(400)之外部連通的流入部(450)。流入部(450)可以自托盤(400)之底面邊緣向上部凹陷的槽狀形成。另外，流入部(450)在托盤(400)之側面形成，亦可以與流動空間(440)連接的孔來形成。
在托盤(400)之中央部可形成有凸棱(460)。凸棱(460)在未形成孔(412)之部分向底部凸出形成。凸棱(460)與第二結合槽(710b)形成的部分對應地凸出。凸棱(460)之上下方向端部可與托盤(400)的形成有第一固定凸起(430)之底部邊緣對應地置放。而且，在凸棱(460)之端部可形成有第二固定凸起(461)。第二固定凸起(461)與第二結合槽(710b)對應地形成，若托盤(400)置放於夾具(700)之上部，則第二固定凸起(461)插入第二結合槽(710b)。另外，當在夾具(700)中省略第一結合槽(710a)或第二結合槽(710b)中之一者時，與此相應，第一固定凸起(430)或第二固定凸起 (461)可省略。
圖8為裝載有基板之托盤置放於夾具上部的狀態之立體圖。
如圖1至圖8所示，在使托盤(400)以搬入單元(100)、電漿處理單元(200)及搬出單元(300)之順序移動的同時，裝載於托盤(400)之基板(S)可獲電漿處理。具體而言，移送至搬入單元(100)之托盤(400)裝載於夾具(700)後，與夾具(700)一同搬入電漿處理單元(200)。在基板(S)結束電漿處理後，托盤(400)與夾具(700)一同自電漿處理單元(200)搬出至加載埠(600)。而且，托盤(400)自夾具(700)卸載後，移動至搬出單元(300)。因此，在進行電漿處理而將基板(S)搬入電漿處理單元(200)及搬出期間，基板(S)以裝載於托盤(400)之狀態移動。因此，不必個別地加載或卸載基板(S)，對基板(S)進行電漿處理之製程速度會提高。
圖9為圖8中A-A之剖面圖，圖10為圖8中B-B之剖面圖。
如圖1至圖10所示，基板(S)兩側均可進行電漿處理。
具體而言，將電漿處理單元(200)之內部生成的電漿供應至基板(S)之上部，對基板(S)之上部進行電漿處理。
另外，在托盤(400)之側面或夾具(700)之側面柱面的電漿藉由流入部(450)流入流動空間(440)。流動空間(440)經由孔(412)與段差部(411)連接地形成。因此，供應 至段差部(411)的流入流動空間(440)之電漿可對基板(S)之底部進行電漿處理。
另外，夾具(700)防止基板(S)於電漿處理期間的損傷。具體而言，在基板(S)周圍會存在帶電電漿。另外，在基座(2200)上會產生因偏壓電源(2210)而造成的電位。藉助於此種電漿與基座(2200)的電位差，在基板(S)周圍會產生寄生電漿或電弧。但是，當夾具(700)以絕緣體提供時，該夾具在基板(S)所在的周圍切斷在電漿與基座(2200)之間直接形成電場，從而防止產生寄生電漿或電弧。
以上的詳細說明係對本發明的示例。另外，前述內容列舉並說明本發明之較佳實施形態，本發明可在多種其他組合、變更及環境下使用。亦即，能夠在與本說明中揭示的發明之概念範圍、所敘述的揭示內容等效的範圍及/或所屬行業之技術或知識的範圍內進行變更或修改。所敘述之實施例說明用於體現本發明技術思想之最佳狀態，但亦可進行本發明之具體應用領域及用途所要求的多種變更。因此，以上發明的詳細說明並非意在將本發明限定於所揭示的實施狀態。另外，附加申請專利範圍應解釋為亦涵蓋其他實施狀態。
10‧‧‧基板處理裝置
100‧‧‧搬入單元
110‧‧‧搬入軌道
120‧‧‧搬入車
200‧‧‧電漿處理單元
300‧‧‧搬出單元
310‧‧‧搬出軌道
320‧‧‧搬出車
400‧‧‧托盤
500‧‧‧移送單元
500a‧‧‧裝載機
500b‧‧‧機器人
500c‧‧‧卸載機
510b‧‧‧手臂
600‧‧‧加載埠
700‧‧‧夾具
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向

Claims (19)

  1. 一種基板處理設備，其包括：一托盤，其用於裝載一基板，在該托盤之下部形成複數個固定凸起；一搬入單元，其搬入裝載有電漿處理前的該基板之該托盤；一夾具，其用於將該托盤置放於其上部，在該夾具之該上部形成複數個結合槽；一加載埠，其用於使該夾具待機；一電漿處理單元，其能夠於該托盤及該夾具搬入後對該基板執行電漿處理；以及一搬出單元，其搬出裝載有電漿處理後的該基板之該托盤；其中，該複數個結合槽供對應的該複數個固定凸起插入。
  2. 如請求項1之基板處理設備，其中，該基板處理設備進一步包括一裝載機，其使該托盤自該搬入單元拾起以置放於在該加載埠待機的該夾具之一上部。
  3. 如請求項1之基板處理設備，其中，該基板處理設備進一步包括一機器人，其自該加載埠將該上部置放有該托盤之該夾具搬入該電漿處理單元，或將該夾具自該電漿處理單元搬出至該加載埠。
  4. 如請求項1之基板處理設備，其中，該基板處理設備 進一步包括一卸載機，其自該加載埠拾起置放於該夾具之該上部的該托盤以將其移送至該搬出單元。
  5. 如請求項1之基板處理設備，其中，該托盤形成有：一流動空間，其下部之中央部分凹陷形成；以及一流入部，其使得該流動空間與外部連通。
  6. 如請求項5之基板處理設備，其中，該托盤包括：一容納部，其形成在該托盤之該上部，以用於將該基板相應地容納在內；一段差部，其在該容納部之中央以槽形狀形成；以及孔，其在各個段差部之中央形成。
  7. 如請求項6之基板處理設備，其中，該等孔與該流動空間連通。
  8. 如請求項1之基板處理設備，其中，該托盤以絕緣體形成。
  9. 如請求項1之基板處理設備，其中，該托盤以電容率為3以上之材料提供。
  10. 如請求項1之基板處理設備，其中，該電漿處理單元包括：一製程腔室，其在內部形成有一空間；一基座，其位於該製程腔室內部以支撐該基板；以及一電漿供應部，其向該製程腔室內部供應一電漿。
  11. 如請求項10之基板處理設備，其中，在該基座上連接有一偏壓電源。
  12. 一種基板處理方法，其包括以下步驟：在裝載有將要進行電漿處理的一基板之一托盤置放於一夾具之一上部後，將該夾具及該基板一同搬入一電漿處理單元，以及在針對該基板進行該電漿處理後，將該托盤及該夾具一同自該電漿處理單元搬出。
  13. 如請求項12之基板處理方法，其中，在裝載有電漿處理前的該基板之該托盤移送至一搬入單元後，將該托盤加載於在一加載埠待機的該夾具之該上部。
  14. 如請求項13之基板處理方法，其中，在該電漿處理單元中進行對該基板的該電漿處理後，將該托盤及該夾具搬出至該加載埠。
  15. 如請求項14之基板處理方法，其中，將裝載有電漿處理後的該基板之該托盤自該夾具之該上部移送至一搬出單元。
  16. 一種基板處理方法，其包括以下步驟：在裝載有一基板之一托盤置放於以絕緣體提供的一夾具之一上部後，將該夾具搬入至一電漿處理單元以執行對該基板的電漿處理。
  17. 如請求項16之基板處理方法，其中，該基板提供用於與形成有電路之一晶粒附接的一端子。
  18. 如請求項17之基板處理方法，其中，藉助於該電漿處理移除該基板外或該端子上之異質物質或氧化層。
  19. 如請求項17之基板處理方法，其中，該夾具以絕緣體提供以在執行該電漿處理期間切斷該基板周圍產生電弧或寄生電漿。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2017353824B2 (en) * 2016-11-03 2021-04-22 Molecular Imprints, Inc. Substrate loading system
KR102363678B1 (ko) * 2019-10-01 2022-02-17 피에스케이홀딩스 (주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102584528B1 (ko) * 2022-10-17 2023-10-05 주식회사제4기한국 자동 세팅 및 이송기능이 있는 fcbga와 미세회로 pcb 전용 진공플라즈마 디스컴 및 디스미어 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200520183A (en) * 2003-07-14 2005-06-16 Peak Plastic & Metal Prod Bare die tray clip
TW201133483A (en) * 2010-01-05 2011-10-01 Applied Materials Inc System for batch processing of magnetic media
KR20110131643A (ko) * 2010-05-31 2011-12-07 주식회사 테스 기판처리장치
KR20130011399A (ko) * 2011-07-21 2013-01-30 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
TW201316422A (zh) * 2011-10-03 2013-04-16 Panasonic Corp 半導體元件之安裝方法
JP2013201432A (ja) * 2013-03-28 2013-10-03 Panasonic Corp プラズマ処理装置用トレイ、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05206094A (ja) * 1992-01-30 1993-08-13 Fujitsu Ltd プラズマクリーニング装置
JP3116792B2 (ja) * 1995-11-24 2000-12-11 松下電器産業株式会社 プラズマクリーニング装置およびプラズマクリーニング方法
JP4409134B2 (ja) * 2001-10-09 2010-02-03 パナソニック株式会社 実装システム
JP2004140297A (ja) * 2002-10-21 2004-05-13 Tokyo Electron Ltd 半導体ウエハ用搬送トレー
JP2003234399A (ja) * 2003-02-10 2003-08-22 Seiko Epson Corp Ｌｃｄパネル搬送用トレー
KR100688948B1 (ko) * 2005-07-27 2007-03-02 주식회사 아이피에스 클러스터 타입의 플라즈마 처리 시스템 및 방법
JP5330721B2 (ja) * 2007-10-23 2013-10-30 オルボテック エルティ ソラー，エルエルシー 処理装置および処理方法
JP4850811B2 (ja) * 2007-11-06 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 載置台、処理装置および処理システム
JP2010232250A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Panasonic Corp プラズマ処理装置
JP5071437B2 (ja) * 2009-05-18 2012-11-14 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるトレイの載置方法
JP2011086795A (ja) * 2009-10-16 2011-04-28 Ulvac Japan Ltd 基板搬送装置及びこの基板搬送装置を備えた真空処理システム
JP2012099854A (ja) * 2012-02-03 2012-05-24 Sharp Corp 配線シート付き太陽電池セルの製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200520183A (en) * 2003-07-14 2005-06-16 Peak Plastic & Metal Prod Bare die tray clip
TW201133483A (en) * 2010-01-05 2011-10-01 Applied Materials Inc System for batch processing of magnetic media
KR20110131643A (ko) * 2010-05-31 2011-12-07 주식회사 테스 기판처리장치
KR20130011399A (ko) * 2011-07-21 2013-01-30 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
TW201316422A (zh) * 2011-10-03 2013-04-16 Panasonic Corp 半導體元件之安裝方法
JP2013201432A (ja) * 2013-03-28 2013-10-03 Panasonic Corp プラズマ処理装置用トレイ、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法

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