JP5956536B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は基板処理装置及び基板処理方法に関する。

半導体生産過程又は携帯電話の生産過程には基板が使用される。工程進行過程で基板は回路が形成されたダイ（Ｄｉｅ）又は他の基板と付着される。また、積層型半導体パッケージを生産するための工程では該基板を利用して生産された半導体パッケージとその他の半導体パッケージとが上下に積層される。

このような基板にはダイ、他の基板又は半導体パッケージとの電気的結合のための端子が提供される。このような端子に異物質が付着されているか、或いは端子に酸化層が形成された場合、ダイ等との接触性を阻害する。

特開２０１３−４６１３号公報

本発明の目的は、基板外面の異物質又は酸化層を除去できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、トレイに積載された基板を一括的にプラズマ処理できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

また、本発明のその他の目的は、基板の両面に対してプラズマ処理できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

また、本発明のその他の目的は、基板をプラズマ処理する間に、基板の周りにアーク又は寄生プラズマが発生することが防止される基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

本発明の一側面によれば、基板が積載されるトレイと、プラズマ処理前の前記基板が積載された前記トレイを搬入する搬入ユニットと、上部に前記トレイが位置される治具と、前記治具が待機するロードポートと、前記トレイ及び前記治具が搬入されて、前記基板に対するプラズマ処理が遂行されるプラズマ処理ユニットと、プラズマ処理後の前記基板を積載した前記トレイを搬出する搬出ユニットと、上部に前記トレイが位置された前記治具を、前記ロードポートから前記搬入ユニットまたは前記搬出ユニットが前記トレイを搬送する方向と交差する方向において前記ロードポートから離れて配置された前記プラズマ処理ユニットに搬送するか、或いは前記プラズマ処理ユニットから前記ロードポートに搬送するロボットと、を含む基板処理装置が提供され得る。

また、前記基板処理装置は、前記トレイを前記搬入ユニットでピックアップして前記ロードポートに待機する前記治具の上部に位置させるローダーをさらに含むことができる。

また、前記基板処理装置は、前記ロードポートで前記治具の上部に位置された前記トレイをピックアップして前記搬出ユニットに移送するアンローダーをさらに含むことができる。

また、前記トレイの下部には固定突起が形成され、前記治具の上面には前記固定突起が挿入される結合溝が形成される。

また、前記トレイは、下面の中央部分が凹んで形成される流動空間と、前記流動空間と外部が連通されるようにする流入部とが形成される。

また、前記トレイは、上部に形成され、前記基板が各々収容される収容部と、前記収容部の中に溝形状に形成される段差部と、前記各々の段差部の中に形成されるホールと、を含むことができる。

また、前記ホールは前記流動空間と連通される。

また、前記トレイは、絶縁体で形成される。

また、前記治具は、比誘電率が３以上である物質で提供される。

また、前記プラズマ処理ユニットは、内部に空間が形成された工程チャンバーと、前記工程チャンバー内部に位置し、前記基板を支持するサセプタと、前記工程チャンバーの内部にプラズマを供給するプラズマ供給部と、含むことができる。

また、前記サセプタには、バイアス電源が連結される。

本発明の他の側面によれば、プラズマ処理される基板が積載されたトレイを治具の上部に位置させて、前記トレイが上部に位置された前記治具が待機するロードポートに搬入し、ロボットによって前記トレイ及び前記治具をプラズマ処理ユニットに搬送し、前記基板に対してプラズマ処理を行い、前記ロボットによって前記トレイ及び前記治具を共に前記プラズマ処理ユニットから前記ロードポートに搬送し、前記ロードポートから前記トレイを搬出する基板処理方法が提供される。前記プラズマ処理ユニットは、前記ロードポートに前記トレイを搬入する方向および前記ロードポートから前記トレイを搬出する方向と交差する方向において前記ロードポートから離れて配置されている。

また、プラズマ処理前の前記基板を積載した前記トレイは、搬入ユニットに移送された後、ロードポートで待機中である前記治具の上部にローディングされる。

また、プラズマ処理ユニットで前記基板に対するプラズマ処理の後、前記トレイ及び前記治具は、前記ロードポートに搬出される。

また、プラズマ処理後の前記基板が積載された前記トレイは、前記治具の上部から搬出ユニットに移送される。

本発明のその他の側面によれば、基板が積載されたトレイを絶縁体で提供される治具の上部に位置させた後、プラズマ処理ユニットに搬入して前記基板に対するプラズマ処理を遂行する。

また、前記基板は回路が形成されたダイと付着されるための端子が提供される。

また、前記基板の外面又は前記端子にある異物質又は酸化層は、前記プラズマ処理によって除去されることができる。

また、前記治具は、絶縁体で提供されて、前記プラズマ処理が遂行される間に前記基板の周りにアーク又は寄生プラズマが発生されることを遮断することができる。

本発明の一実施形態によれば、基板の外面の異物質又は酸化層が除去されることができる。

また、本発明の一実施形態によれば、基板がトレイに積載された状態で一括的にプラズマ処理されることができる。

また、本発明の一実施形態によれば、基板は両面に対してプラズマ処理されることができる。

また、本発明の一実施形態によれば、基板がプラズマ処理される過程で、基板の周りにアーク又は寄生プラズマが発生することが防止できる。

本発明の一実施形態による基板処理装置を示す図面である。 図１の基板処理装置で処理される基板を示す図面である。 図１のプラズマ処理ユニットの一例として、リモート方式に提供されたプラズマ処理ユニットの断面図である。 図１の治具の一実施形態による斜視図である。 図１のトレイの一実施形態による斜視図である。 図５のトレイの底面斜視図である。 トレイが図４の治具の上部に位置した状態の斜視図である。 基板を積載したトレイが治具の上部に位置した状態の斜視図である。 図８のＡ−Ａに沿う断面図である。 図８のＢ−Ｂに沿う断面図である。

以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形され、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることとして解釈されない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている。

図１は本発明の一実施形態による基板処理装置を示す図面であり、図２は図１の基板処理装置で処理される基板を示す図面である。

図１を参照すれば、基板処理装置１０は、搬入ユニット１００、プラズマ処理ユニット２００、及び搬出ユニット３００を含む。

搬入ユニット１００は、プラズマ処理される基板Ｓを供給する。搬入ユニット１００は搬入レール１１０及び搬入シャトル１２０を含む。

搬入レール１１０は、横方向が任意の一方向に沿って位置されて提供される。以下、搬入レール１１０の長さ方向を第１方向Ｘ、上から見る時、第１方向Ｘと垂直になる搬入レール１１０の幅方向を第２方向Ｙと称する。搬入レール１１０は、搬入シャトル１２０が移動される経路を提供する。例えば、搬入レール１１０は互いに並べられて位置する一対のレール又はコンベヤーベルト等で提供される。

搬入シャトル１２０は、搬入レール１１０の横方向に沿って移動できるように搬入レール１１０に位置される。搬入シャトル１２０は、プラズマ処理される基板Ｓを移送する。具体的に、複数の基板Ｓはトレイ４００の上部に位置される。そして、トレイ４００は搬入シャトル１２０に位置されて移送される。基板Ｓは、半導体パッケージの生産に利用される。即ち、半導体パッケージは以後工程で基板Ｓと回路が形成されたダイを付着して生産される。例えば、基板Ｓはリードフレーム又は印刷回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ、ＰＣＢ）である。また、基板Ｓは携帯電話の生産過程に使用されるリードフレーム又は印刷回路基板である。

そして、基板Ｓは積層型半導体パッケージの生産に利用される。例えば、基板Ｓを利用して生産された半導体パッケージは他の半導体パッケージと上下に結合される。また、基板Ｓを利用して生産された半導体パッケージは、その他の基板Ｓ又はダイと上下に結合される。基板Ｓの一面又は両面にはダイ、半導体パッケージ又は他の基板Ｓとの電気的連結のための端子Ｄが提供される。

プラズマ処理ユニット２００は、搬入レール１１０の一端に隣接するように位置される。プラズマ処理ユニット２００は、プラズマを利用して、基板Ｓの表面又は端子Ｄに付着されている異物質と酸化層とを除去する。端子Ｄに付着されている異物質又は酸化層は以後の工程で基板Ｓとダイ又は他の基板との接触性を阻害する。又は、基板Ｓの表面にある異物質又は酸化層はモールディング工程でモールディング物質と基板Ｓの接触性又はモールディング物質の拡散性を阻害する。したがって、異物質又は酸化層が除去されれば、ダイ又は他の基板との付着工程及びモールディング工程での効率が向上される。

プラズマ処理ユニット２００は、リモート方式にプラズマを生産した後、基板Ｓが処理される空間に供給するように提供される。また、プラズマ処理ユニット２００はホローカソード方式にプラズマを発生させるように提供される。また、プラズマ処理ユニット２００は、誘導結合型プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ、ＩＣＰ）処理ユニット又は容量結合型プラズマ（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ、ＣＣＰ）処理ユニットにも提供されてもよい。搬入ユニット１００に位置されたトレイ４００は、移送ユニット５００によってプラズマ処理ユニット２００に搬入される。具体的に、搬入レール１１０の一端にはロードポート６００が提供される。ロードポート６００には治具７００が待機している。プラズマ処理される基板Ｓが積載されたトレイ４００は治具７００の上部に位置された後、治具７００と共にプラズマ処理ユニット２００に搬入される。そして、移送ユニット５００はローダー５００ａ、ロボット５００ｂ、及びアンローダー５００ｃを含む。

ローダー５００ａは、搬入ユニット１００の一端に移送されたトレイ４００をピックアップしてロードポート６００に位置された治具７００の上部に位置させる。また、ローダー５５０ａはトレイ４００の上部に位置された基板Ｓを治具７００の上部に位置された他のトレイ４００に伝達する。具体的に、ローダー５００ａはトレイ４００がロードポート６００へ移動される過程又はトレイ４００がロードポート６００の上部に位置された状態で、ピックアップされたトレイ４００の上下を覆すこともある。そして、治具７００の上部には他のトレイ４００が待機状態である。したがって、基板Ｓは搬入ユニット１００の移送過程に使用されたトレイ４００で治具７００の上部に待機中であるトレイ４００に伝達される。この過程で、基板Ｓは上下が覆る。

ローダー５００ａは、搬入レール１１０の一端とロードポート６００とが隣接するところに位置される。例えば、ローダー５００ａは、搬入レール１１０の一端とロードポート６００とが隣接する領域に対して第２方向Ｙに隣接するように位置される。また、ローダー５００ａは、搬入レール１１０の一端とロードポート６００との間に位置されることもある。

ロボット５００ｂは、ロードポート６００に位置された治具７００及びトレイ４００をピックアップしてプラズマ処理ユニット２００に搬入させる。また、ロボット５００ｂは、トレイ４００に位置された基板Ｓにプラズマ処理が完了された後、プラズマ処理ユニット２００に位置された治具７００及びトレイ４００をピックアップしてロードポート６００へ搬出する。プラズマ処理ユニット２００は、ロードポート６００に対して、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ又は第１方向Ｘに対して傾いた方向に離隔されるように位置される。ロボット５００ｂはロードポート６００とプラズマ処理ユニット２００とに隣接するように位置される。一例として、ロボット５００ｂはプラズマ処理ユニット２００とロードポート６００との間に位置される。

アンローダー５００ｃは、ロードポート６００に位置されたトレイ４００をピックアップして搬出ユニット３００に移送する。アンローダー５００ｃは、ロードポート６００と後述する搬出レール３１０とが隣接するところに位置される。例えば、アンローダー５００ｃは、ロードポート６００と搬出ユニット３００との一端が隣接する領域に対して搬出ユニット３００の長さ方向と垂直になる方向に隣接するように位置される。また、アンローダー５００ｃは、ロードポート６００と搬出ユニット３００との間に位置されることもある。

また、移送ユニット５００でローダー５００ａとアンローダー５００ｃとは省略されてよい。したがって、ロボット５００ｂが搬入ユニット１００でトレイ４００をピックアップしてロードポート６００に位置された治具７００にローディングする作業、治具７００及びトレイ４００をプラズマ処理ユニット２００に搬入するか、或いはプラズマ処理ユニット２００で搬出する作業、ロードポート６００でトレイ４００をピックアップして搬出ユニット３００へ移送する作業を全て遂行することができる。

搬出ユニット３００は、ロードポート６００に隣接するように位置されて、プラズマ処理された基板Ｓが積載されたトレイ４００を搬出する。搬出ユニット３００は、搬出レール３１０及び搬出シャトル３２０を含む。

搬出レール３１０は、横方向が任意の一方向に沿って位置されるように提供される。例えば、搬出レール３１０は、ロードポート６００を基準として搬入レール１１０の反対側に位置され、横方向が第１方向Ｘに提供される。また、搬出レール３１０は、横方向が第２方向Ｙ又は第１方向Ｘに対して傾いた方向にも提供される。搬出レール３１０は搬出シャトル３２０が移動される経路を提供する。例えば、搬出レール３１０は互いに並べられて位置する一対のレール又はコンベヤーベルト等に提供される。

搬出シャトル３２０は搬出レール３１０の横方向に沿って移動できるように搬出レール３１０に位置される。搬出シャトル３２０は、上部にプラズマ処理された基板Ｓが積載されたトレイ４００を移送する。具体的に、先ずトレイ４００を搬出するために搬出シャトル３２０はロードポート６００と隣接する搬出レール３１０の端部に位置される。アンローダー５００ｃはロードポート６００にある治具７００の上部でトレイ４００をピックアップして搬出シャトル３２０に移送させる。以後、搬出シャトル３２０は搬出レール３１０に沿って移動してトレイ４００を搬出する。

図３は図１のプラズマ処理ユニットの一例として、リモート方式に提供されたプラズマ処理ユニットの断面図である。

図３を参照すれば、プラズマ処理ユニット２００ａは工程チャンバー２１００、サセプタ２２００、シャワーヘッド２３００及びプラズマ供給部２４００を含む。

工程チャンバー２１００は、工程処理が遂行される空間を提供する。チャンバー２１００はボディー２１１０と密閉カバー２１２０とを有する。ボディー２１１０は上面が開放され、内部に空間が形成される。ボディー２１１０の側壁には上部にトレイ４００が位置された治具７００が出入りする開口（図示せず）が形成され、開口はスリットドア（ｓｌｉｔ ｄｏｏｒ）（図示せず）のような開閉部材によって開閉されることができる。開閉部材は工程チャンバー２１００内でトレイ４００に位置された基板Ｓ処理が遂行される間に、開口を閉鎖し、基板Ｓが工程チャンバー２１００の内部に搬入される時と工程チャンバー２１００の外部へ搬出される時とに、開口を開放する。開口が開放された状態でロボット５００ｂのハンド部が工程チャンバー２１００の内部に出入りする。

ボディー２１１０の下部壁には排気ホール２１１１が形成される。排気ホール２１１１は排気ライン２１１２と連結される。排気ライン２１１２を通じて工程チャンバー２１００の内部圧力が調節され、工程で発生された反応部産物が工程チャンバー２１００の外部へ排出される。

密閉カバー２１２０は、ボディー２１１０の上部壁と結合し、ボディー２１１０の開放された上面を覆ってボディー２１１０の内部を密閉させる。密閉カバー２１２０の上端はプラズマ供給部２４００と連結される。密閉カバー２１２０には拡散空間２１２１が形成される。拡散空間２１２１は、シャワーヘッド２３００に近くなるほど、幅がだんだん広くなる。例えば、拡散空間２１２１は逆漏斗形状を有する。

サセプタ２２００は工程チャンバー２１００の内部に位置される。サセプタの上面には上部にトレイ４００が位置された治具７００が置かれる。サセプタ２２００の内部には冷却流体が循環する冷却流路（図示せず）が形成される。冷却流体は冷却流路に沿って循環し、サセプタ２２００と治具７００とを冷却する。サセプタ２２００にはプラズマによる基板Ｓの処理程度を調節するためにバイアス電源２２１０から電力が印加される。バイアス電源２２１０が印加する電力はラジオ周波数（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＲＦ）電源でもよい。サセプタ２２００は、バイアス電源２２１０が供給する電力によってシース（ｓｈｅａｔｈ）を形成し、その領域で高密度のプラズマを形成して工程能力を向上させることができる。

シャワーヘッド２３００は、ボディー２１１０の上部壁に結合される。シャワーヘッド２３００は円板状に、サセプタ２２００の上面と平行に配置されてもよい。シャワーヘッド２３００は、表面が酸化処理されたアルミニウム材質で提供される。シャワーヘッド２３００には分配ホール２３１０が形成される。分配ホール２３１０は、均一なラジカル供給のために同心の円周上に一定の間隔に形成される。拡散空間２１２１から拡散されたプラズマは分配ホール２３１０に流れ込まれる。この時、電子又はイオン等のような荷電粒子はシャワーヘッド２３００に閉じ込まれ、酸素ラジカル等のように電荷を帯びていない中性粒子は分配ホール２３１０を通過して基板Ｓへ供給される。また、シャワーヘッドは接地されて電子又はイオンが移動される通路を形成する。

プラズマ供給部２４００はプラズマを生成して、工程チャンバー２１００へ供給する。プラズマ供給部２４００は工程チャンバー２１００の上部に提供される。プラズマ供給部２４００は発振器２４１０、導波管２４２０、誘電体管２４３０、及び工程ガス供給部２４４０を含む。

発振器２４１０は、電磁気波を発生させる。導波管２４２０は、発振器２４１０と誘電体管２４３０とを連結し、発振器２４１０で発生された電磁気波が誘電体管２４３０の内部に伝達される通路を提供する。工程ガス供給部２４４０は、誘電体管２４３０の内部に工程ガスを供給する。工程ガスは酸素及び窒素を含む。また、工程ガスはフッ素系列のガスを含む。誘電体管２４３０の内部へ供給された工程ガスは電磁気波によってプラズマ状態に励起される。プラズマは誘電体管２４３０を経て拡散空間２１２１に流れ込まれる。

図４は図１の治具の一実施形態による斜視図である。

図４を参照すれば、治具７００は設定厚さを有するプレート形状に提供される。治具７００の上面には複数の結合溝７１０が形成される。結合溝７１０は治具７００の上面の縁に沿って形成される第１結合溝７１０ａ及び治具７００の上面の中央領域に形成される第２結合溝７１０ｂを含む。また、第１結合溝７１０ａ又は第２結合溝７１０ｂの中で１つは省略されてもよい。

治具７００の側面には移送溝７２０が形成される。移送溝７２０は、互いに対向される治具７００の両側面に対をなすように形成される。移送溝７２０は、地面と平行である方向にスリット形状に提供される。したがって、ロボット５００ｂのハンド５１０ｂがスライドされながら、移送溝７２０へ挿入される方式にロボット５００ｂは治具７００をピックアップできる。

また、移送溝７２０は省略されてもよい。この時、ロボット５００ｂは治具７００の側面を握って治具７００をピックアップできるように提供される。

治具７００は絶縁体で提供される。治具７００は設定値以上の誘電率を有する材質から選択される。例えば、治具７００は比誘電率が３以上である物質の中から選択される。一例として、治具７００はセラミックで提供される。

図５は図１のトレイの一実施形態による斜視図であり、図６は図５のトレイの底面斜視図であり、図７はトレイが図４の治具の上部に位置された状態の斜視図である。

以下、トレイ４００は各々の角が第１方向Ｘ、第２方向Ｙに対して並べるように位置した状態を基準に説明する。

図５乃至図７を参照すれば、トレイ４００の上部には複数の収容部４１０が形成される。各々の収容部４１０には基板Ｓが位置される。図面では収容部４１０が４つである場合を図示したが、収容部４１０の数は必要によって変更されることができる。各々の収容部４１０は支持突起４２０によって区画されることができる。第１方向Ｘ又は第２方向Ｙに互いに対向する支持突起４２０の間の離隔距離は基板Ｓの幅に対応される。支持突起４２０は第１支持突起４２０ａ及び第２支持突起４２０ｂを含む。第１支持突起４２０ａは第１方向Ｘに沿ってトレイ４００上部の縁及び収容部４１０と収容部４１０との間に形成される。そして、第２支持突起４２０ｂは第２方向Ｙに沿ってトレイ４００上部の縁及び収容部４１０と収容部４１０との間に形成される。支持突起４２０の側面は第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと垂直になる上下方向と並んで垂直に形成される。したがって、基板Ｓが収容部４１０に位置されれば、基板Ｓの側面は支持突起４２０によって支持され、基板Ｓの底面はトレイ４００の上面に接するようになる。

また、第１支持突起４２０ａ及び第２支持突起４２０ｂは、隣接するものが互いに連結されるように提供される。即ち、各々の収容部４１０はトレイ４００の上面で格子形状に突出されたリブによって区画されてもよい。

各々の収容部４１０の中では溝形状の段差部４１１が形成される。そして、段差部４１１の中にはホール４１２が形成される。

トレイ４００下面には縁に沿って第１固定突起４３０が形成される。第１固定突起４３０は、第１結合溝７１０ａに対応するように形成されて、トレイ４００が治具７００の上面に位置されれば、第１固定突起４３０は第１結合溝７１０ａへ挿入される。

トレイ４００の下面は中央部分が凹んで、溝形状の流動空間４４０を形成する。そして、トレイ４００の側面には流動空間４４０とトレイ４００の外部とが連通されるようにする流入部４５０が形成される。流入部４５０はトレイ４００の底面縁で上部に凹んだ溝形状に形成される。また、流入部４５０はトレイ４００の側面に形成され、流動空間４４０と連結されるホールとして形成されてもよい。

トレイ４００の中央部にはリブ４６０が形成される。リブ４６０はホール４１２が形成されない部分で底面に向かって突出されるように形成される。リブ４６０は第２結合溝７１０ｂが形成された部分に対応するように突出される。リブ４６０の上下方向の端部は第１固定突起４３０が形成されたトレイ４００の底面の縁に対応するように位置される。そして、リブ４６０の端部には第２固定突起４６１が形成される。第２固定突起４６１は、第２結合溝７１０ｂに対応するように形成されて、トレイ４００が治具７００の上部に位置されれば、第２固定突起４６１は第２結合溝７１０ｂへ挿入される。また、治具７００で第１結合溝７１０ａ又は第２結合溝７１０ｂの中で１つが省略された場合、それに対応して第１固定突起４３０又は第２固定突起４６１は省略されてもよい。

図８は基板を積載したトレイが治具の上部に位置された状態の斜視図である。

図１乃至図８を参照すれば、トレイ４００に積載された基板Ｓはトレイ４００を搬入ユニット１００、プラズマ処理ユニット２００、及び搬出ユニット３００の順に移動させながら、プラズマ処理される。具体的に、搬入ユニット１００に移送されたトレイ４００は治具７００に積載された後、治具７００と共にプラズマ処理ユニット２００へ搬入される。基板Ｓにプラズマ処理が完了されれば、トレイ４００は治具７００と共にプラズマ処理ユニット２００からロードポート６００に搬出される。そして、トレイ４００は治具７００からアンローディングされた後、搬出ユニット３００へ移動される。したがって、プラズマ処理のために基板Ｓをプラズマ処理ユニット２００に搬入及び搬出する過程で、基板Ｓはトレイ４００に積載された状態に移動される。したがって、基板Ｓを個別的にローディング又はアンローディングする必要が無いので、基板Ｓをプラズマ処理する工程の速度を向上させることができる。

図９は図８のＡ−Ａに沿う断面図であり、図１０は図８のＢ−Ｂに沿う断面図である。

図１乃至図１０を参照すれば、基板Ｓは両面にプラズマ処理されることができる。
具体的に、プラズマ処理ユニット２００の内部で生成されたプラズマは基板Ｓの上面に供給されて、基板Ｓの上面をプラズマ処理する。

また、トレイ４００の側面又は治具７００の側面の周辺にあるプラズマは流入部４５０を通じて流動空間４４０に流れ込まれる。流動空間４４０は、ホール４１２を通じて段差部４１１と連結されるように形成される。したがって、流動空間４４０へ流入されたプラズマは段差部４１１に供給されて、基板Ｓの底面をプラズマ処理できる。

また、治具７００は基板Ｓがプラズマ処理される過程で損傷されることが防止される。
具体的に、基板Ｓの周囲には電荷を帯びるプラズマが存在することがある。また、サセプタ２２００にはバイアス電源２２１０による電位が発生される。このような、プラズマとサセプタ２２００の電位差によって、基板Ｓの周囲には寄生プラズマ又はアークが発生される。しかし、治具７００が絶縁体で提供される場合、基板Ｓが位置された周囲でプラズマとサセプタ２２００との間に直接的に電気場が形成されることが遮断されて、寄生プラズマ又はアークが発生されることが防止される。

以上の詳細な説明は本発明を例示することに過ぎない。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明することであり、本発明は多様な他の組み合わせ、変更及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施形態に本発明を制限するものではない。また、添付された請求の範囲は他の実施形態も含むことと解釈されなければならない。

１００・・・搬入ユニット、
１１０・・・搬入レール、
１２０・・・搬入シャトル、
２００・・・プラズマ処理ユニット、
３００・・・搬出ユニット、
３１０・・・搬出レール、
３２０・・・搬出シャトル、
４００・・・トレイ、
４１０・・・収容部、
４１１・・・段差部、
４１２・・・ホール、
４２０・・・支持突起、
５００・・・移送ユニット、
５００ａ・・・ローダー、
５００ｂ・・・ロボット、
５００ｃ・・・アンローダー、
６００・・・ロードポート、
７００・・・治具、
７１０・・・結合溝、
７２０・・・移送溝。

Claims (19)

1. 基板が積載されるトレイと、
   プラズマ処理前の前記基板が積載された前記トレイを搬入する搬入ユニットと、
   上部に前記トレイが位置される治具と、
   前記治具が待機するロードポートと、
   前記トレイ及び前記治具が搬入されて、前記基板に対するプラズマ処理が遂行されるプラズマ処理ユニットと、
   プラズマ処理後の前記基板を積載した前記トレイを搬出する搬出ユニットと、
   上部に前記トレイが位置された前記治具を、前記ロードポートから前記搬入ユニットまたは前記搬出ユニットが前記トレイを搬送する方向と交差する方向において前記ロードポートから離れて配置された前記プラズマ処理ユニットに搬送するか、或いは前記プラズマ処理ユニットから前記ロードポートに搬送するロボットと、を含む基板処理装置。
2. 前記基板処理装置は、前記トレイを前記搬入ユニットでピックアップして前記ロードポートに待機する前記治具の上部に位置させるローダーをさらに含む請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記基板処理装置は、前記ロードポートで前記治具の上部に位置された前記トレイをピックアップして前記搬出ユニットに移送するアンローダーをさらに含む請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記トレイの下部には、固定突起が形成され、
   前記治具の上面には、前記固定突起が挿入される結合溝が形成される請求項１に記載の基板処理装置。
5. 前記トレイは、
   下面の中央部分が凹んで形成される流動空間と、
   前記流動空間と外部が連通されるようにする流入部と、が形成される請求項１に記載の基板処理装置。
6. 前記トレイは、上部に形成され、前記基板が各々収容される収容部と、
   前記収容部の中に溝形状に形成される段差部と、
   前記各々の段差部の中に形成されるホールと、を含む請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記ホールは、前記流動空間と連通される請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記トレイは、絶縁体で形成される請求項１に記載の基板処理装置。
9. 前記治具は、比誘電率が３以上である物質で提供される請求項１に記載の基板処理装置。
10. 前記プラズマ処理ユニットは、内部に空間が形成された工程チャンバーと、
    前記工程チャンバー内部に位置し、前記基板を支持するサセプタと、
    前記工程チャンバーの内部にプラズマを供給するプラズマ供給部と、を含む請求項１に記載の基板処理装置。
11. 前記サセプタには、バイアス電源が連結される請求項１０に記載の基板処理装置。
12. プラズマ処理される基板が積載されたトレイを治具の上部に位置させて、前記トレイが上部に位置された前記治具が待機するロードポートに搬入し、
    ロボットによって前記トレイ及び前記治具をプラズマ処理ユニットに搬送し、
    前記基板に対してプラズマ処理を行い、
    前記ロボットによって前記トレイ及び前記治具を共に前記プラズマ処理ユニットから前記ロードポートに搬送し、
    前記ロードポートから前記トレイを搬出し、
    前記プラズマ処理ユニットは、前記ロードポートに前記トレイを搬入する方向および前記ロードポートから前記トレイを搬出する方向と交差する方向において前記ロードポートから離れて配置されている、基板処理方法。
13. プラズマ処理前の前記基板を積載した前記トレイは、搬入ユニットに移送された後、前記ロードポートで待機中である前記治具の上部にローディングされる請求項１２に記載の基板処理方法。
14. 前記プラズマ処理ユニットで前記基板に対するプラズマ処理の後、前記トレイ及び前記治具は、前記ロードポートに搬出される請求項１３に記載の基板処理方法。
15. プラズマ処理後の前記基板が積載された前記トレイは、前記治具の上部から搬出ユニットに移送される請求項１４に記載の基板処理方法。
16. 前記基板が積載された前記トレイを絶縁体で提供される治具の上部に位置させた後、前記プラズマ処理ユニットに搬入して前記基板に対するプラズマ処理を遂行する請求項１２に記載の基板処理方法。
17. 前記基板は、回路が形成されたダイと付着されるための端子が提供される請求項１６に記載の基板処理方法。
18. 前記基板の外面又は前記端子にある異物質又は酸化層は、前記プラズマ処理によって除去される請求項１７に記載の基板処理方法。
19. 前記治具は、絶縁体で提供されて、前記プラズマ処理が遂行される間に前記基板の周りにアーク又は寄生プラズマが発生されることを遮断する請求項１７に記載の基板処理方法。