JPH11293458A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JPH11293458A JPH11293458A JP9428098A JP9428098A JPH11293458A JP H11293458 A JPH11293458 A JP H11293458A JP 9428098 A JP9428098 A JP 9428098A JP 9428098 A JP9428098 A JP 9428098A JP H11293458 A JPH11293458 A JP H11293458A
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】設置面積が小さく、プロセス室の雰囲気の悪化
を防止して膜の品質向上を図り、かつメンテナンスの容
易な成膜装置を提供する。 【解決手段】下面開口部１０ａを有する成膜プロセス室
１０と、側面開口部１１ａを有するロードロック室１１
とが上下に設けられ、ロードロック室１１の側面開口部
１１ａを開閉するゲートバルブ１２が設けられる。上面
に基板Ｓを支持する２つの基板ホルダ１６，１７はプロ
セス室１０の下面開口部１０ａを閉鎖自在であり、ロー
ドロック室１１内に垂直方向に配置された偏心軸１３，
１４と連結されている。偏心軸１３，１４の回転と昇降
により、一方の基板ホルダで下面開口部１０ａを閉じて
いる間、他方の基板ホルダがロードロック室１１の内外
に回転し、基板Ｓの取り入れと取り出しとを行なう。
を防止して膜の品質向上を図り、かつメンテナンスの容
易な成膜装置を提供する。 【解決手段】下面開口部１０ａを有する成膜プロセス室
１０と、側面開口部１１ａを有するロードロック室１１
とが上下に設けられ、ロードロック室１１の側面開口部
１１ａを開閉するゲートバルブ１２が設けられる。上面
に基板Ｓを支持する２つの基板ホルダ１６，１７はプロ
セス室１０の下面開口部１０ａを閉鎖自在であり、ロー
ドロック室１１内に垂直方向に配置された偏心軸１３，
１４と連結されている。偏心軸１３，１４の回転と昇降
により、一方の基板ホルダで下面開口部１０ａを閉じて
いる間、他方の基板ホルダがロードロック室１１の内外
に回転し、基板Ｓの取り入れと取り出しとを行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は成膜装置に関するも
のである。
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、セラミックフィルタ、セラミック
発振子、半導体ウエハーなどの電子部品において、電極
膜などを形成するため、スパッタ装置などの成膜装置が
広く用いられている。この成膜処理を効率よく行なうた
め、図１に示すような成膜装置が知られている。この成
膜装置は、基板取り入れ／取り出し用のロードロック室
１と、プロセス室２とを備えており、基板Ｓをロードロ
ック室１を介してプロセス室２へ搬入した後、成膜処理
を行ない、その後、再びロードロック室１を介して外部
に搬出するものである。
発振子、半導体ウエハーなどの電子部品において、電極
膜などを形成するため、スパッタ装置などの成膜装置が
広く用いられている。この成膜処理を効率よく行なうた
め、図１に示すような成膜装置が知られている。この成
膜装置は、基板取り入れ／取り出し用のロードロック室
１と、プロセス室２とを備えており、基板Ｓをロードロ
ック室１を介してプロセス室２へ搬入した後、成膜処理
を行ない、その後、再びロードロック室１を介して外部
に搬出するものである。
【０００３】このような成膜装置の場合、プロセス室２
を高真空度に保つ必要があるので、ロードロック室１の
入口側とプロセス室２との間にそれぞれゲートバルブ
３，４が設けられる。そして、外部からロードロック室
１に基板Ｓを搬入する場合には、ゲートバルブ４を閉じ
ておき、ロードロック室１からプロセス室２へ基板Ｓを
搬入する場合には、ゲートバルブ３を閉じるようにして
ある。
を高真空度に保つ必要があるので、ロードロック室１の
入口側とプロセス室２との間にそれぞれゲートバルブ
３，４が設けられる。そして、外部からロードロック室
１に基板Ｓを搬入する場合には、ゲートバルブ４を閉じ
ておき、ロードロック室１からプロセス室２へ基板Ｓを
搬入する場合には、ゲートバルブ３を閉じるようにして
ある。
【０００４】上記のような成膜装置では、ロードロック
室１からプロセス室２へ、逆にプロセス室２からロード
ロック室１へ基板Ｓを搬送するために、それぞれの室
１，２に搬送手段５，６が設けられる。この例では、搬
送手段５，６としてベルトコンベアを示したが、他の搬
送手段を設けてもよい。
室１からプロセス室２へ、逆にプロセス室２からロード
ロック室１へ基板Ｓを搬送するために、それぞれの室
１，２に搬送手段５，６が設けられる。この例では、搬
送手段５，６としてベルトコンベアを示したが、他の搬
送手段を設けてもよい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記成
膜装置の場合、ロードロック室１の横側にプロセス室２
が位置しているので、設置面積が大きくなるという問題
があった。また、ロードロック室１だけでなくプロセス
室２にも搬送手段６を設ける必要があるため、搬送手段
６からのガス放出により真空雰囲気が悪化し、膜の品質
が劣化するとともに、搬送手段６にも膜が付着しやす
く、頻繁なメンテナンスが必要となるという問題があ
る。しかも、搬送手段６がプラズマ等により加熱され、
熱膨張を起こすので、搬送の信頼性が低下しやすい。さ
らに、ロードロック室１の入口側ゲートバルブ３だけで
なく、プロセス室２との間にもゲートバルブ４を設ける
必要があるので、高価となるという欠点があった。
膜装置の場合、ロードロック室１の横側にプロセス室２
が位置しているので、設置面積が大きくなるという問題
があった。また、ロードロック室１だけでなくプロセス
室２にも搬送手段６を設ける必要があるため、搬送手段
６からのガス放出により真空雰囲気が悪化し、膜の品質
が劣化するとともに、搬送手段６にも膜が付着しやす
く、頻繁なメンテナンスが必要となるという問題があ
る。しかも、搬送手段６がプラズマ等により加熱され、
熱膨張を起こすので、搬送の信頼性が低下しやすい。さ
らに、ロードロック室１の入口側ゲートバルブ３だけで
なく、プロセス室２との間にもゲートバルブ４を設ける
必要があるので、高価となるという欠点があった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、上記のような問
題を解消できる成膜装置を提供することにある。
題を解消できる成膜装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、一面に開口部を有する成
膜プロセス室と、上記プロセス室に対して上記開口部を
介して連続的に設けられ、他面に開口部を有するロード
ロック室と、ロードロック室の他面開口部を開閉するゲ
ートバルブと、基板を保持自在で、上記プロセス室の上
記開口部を閉鎖自在な基板ホルダと、上記ゲートバルブ
が開かれている間、上記プロセス室の上記開口部を閉じ
るシャッタ手段と、ロードロック室内で基板ホルダを成
膜プロセス室の上記開口部を閉鎖する位置と開放する位
置との間で移動させる開閉装置と、基板ホルダまたは基
板をロードロック室の他面開口部を介して内外に取り入
れ，取り出すための手段とを備え、上記シャッタ手段が
プロセス室の上記開口部を閉じている間に、ゲートバル
ブがロードロック室の他面開口部を開くように構成した
ことを特徴とする成膜装置を提供する。
め、請求項１に記載の発明は、一面に開口部を有する成
膜プロセス室と、上記プロセス室に対して上記開口部を
介して連続的に設けられ、他面に開口部を有するロード
ロック室と、ロードロック室の他面開口部を開閉するゲ
ートバルブと、基板を保持自在で、上記プロセス室の上
記開口部を閉鎖自在な基板ホルダと、上記ゲートバルブ
が開かれている間、上記プロセス室の上記開口部を閉じ
るシャッタ手段と、ロードロック室内で基板ホルダを成
膜プロセス室の上記開口部を閉鎖する位置と開放する位
置との間で移動させる開閉装置と、基板ホルダまたは基
板をロードロック室の他面開口部を介して内外に取り入
れ，取り出すための手段とを備え、上記シャッタ手段が
プロセス室の上記開口部を閉じている間に、ゲートバル
ブがロードロック室の他面開口部を開くように構成した
ことを特徴とする成膜装置を提供する。
【０００８】シャッタ手段がプロセス室の開口部を閉じ
ている間に、ゲートバルブを開き、ロードロック室に基
板を搬入する。この際、基板は基板ホルダに保持した状
態でロードロック室に搬入してもよい。次に、ゲートバ
ルブを閉じ、シャッタ手段がプロセス室の開口部を開く
とともに、開閉装置により基板ホルダを移動させて、プ
ロセス室の開口部を基板ホルダによって閉じる。これに
より、基板ホルダに保持された基板はプロセス室内に配
置されることになる。この段階で、プロセス室で所定の
成膜処理が行なわれる。成膜処理が終了した後、開閉装
置により基板ホルダを移動させてプロセス室の開口部を
開くとともに、シャッタ手段によって開口部を閉じる。
そして、ゲートバルブによってロードロック室の他面開
口部を開き、基板ホルダまたは基板ホルダ上に保持され
た基板を他面開口部から外部へ取り出す。
ている間に、ゲートバルブを開き、ロードロック室に基
板を搬入する。この際、基板は基板ホルダに保持した状
態でロードロック室に搬入してもよい。次に、ゲートバ
ルブを閉じ、シャッタ手段がプロセス室の開口部を開く
とともに、開閉装置により基板ホルダを移動させて、プ
ロセス室の開口部を基板ホルダによって閉じる。これに
より、基板ホルダに保持された基板はプロセス室内に配
置されることになる。この段階で、プロセス室で所定の
成膜処理が行なわれる。成膜処理が終了した後、開閉装
置により基板ホルダを移動させてプロセス室の開口部を
開くとともに、シャッタ手段によって開口部を閉じる。
そして、ゲートバルブによってロードロック室の他面開
口部を開き、基板ホルダまたは基板ホルダ上に保持され
た基板を他面開口部から外部へ取り出す。
【０００９】上記のようにプロセス室がロードロック室
に隣接して設けられているので、設置面積が小さく、小
型化が可能である。また、プロセス室内に搬送手段を設
ける必要がないので、プロセス室の雰囲気の悪化を防止
でき、膜の品質の劣化を防止できるとともに、搬送手段
に膜が付着することもない。さらに、基板ホルダが成膜
中のプロセス室の開口部を閉じるシャッタを兼ねるの
で、ゲートバルブなどを設ける必要がない。
に隣接して設けられているので、設置面積が小さく、小
型化が可能である。また、プロセス室内に搬送手段を設
ける必要がないので、プロセス室の雰囲気の悪化を防止
でき、膜の品質の劣化を防止できるとともに、搬送手段
に膜が付着することもない。さらに、基板ホルダが成膜
中のプロセス室の開口部を閉じるシャッタを兼ねるの
で、ゲートバルブなどを設ける必要がない。
【００１０】請求項２のように、ロードロック室内に一
端が基板ホルダの偏心位置に連結された軸を設け、この
軸を中心として基板ホルダをロードロック室の他面開口
部を介して内外に回転させる駆動装置を設けた場合に
は、基板ホルダがロードロック室の外部まで突出するの
で、基板ホルダへの基板の取り入れ，取り出し作業が容
易になる。
端が基板ホルダの偏心位置に連結された軸を設け、この
軸を中心として基板ホルダをロードロック室の他面開口
部を介して内外に回転させる駆動装置を設けた場合に
は、基板ホルダがロードロック室の外部まで突出するの
で、基板ホルダへの基板の取り入れ，取り出し作業が容
易になる。
【００１１】請求項３のように、基板を保持自在な２つ
の基板ホルダを設け、ロードロック室内に一端が基板ホ
ルダの偏心位置に連結された２本の軸を設け、これら軸
を中心として各基板ホルダをロードロック室の他面開口
部を介して内外に回転させる第１と第２の駆動装置を設
けた場合、何れかの基板ホルダがシャッタ手段を兼ねる
ことができる。したがって、基板の取り入れ，取り出し
作業中も成膜処理を実行でき、タクトタイムを短縮でき
るとともに、作業効率を大幅に向上させることができ
る。
の基板ホルダを設け、ロードロック室内に一端が基板ホ
ルダの偏心位置に連結された２本の軸を設け、これら軸
を中心として各基板ホルダをロードロック室の他面開口
部を介して内外に回転させる第１と第２の駆動装置を設
けた場合、何れかの基板ホルダがシャッタ手段を兼ねる
ことができる。したがって、基板の取り入れ，取り出し
作業中も成膜処理を実行でき、タクトタイムを短縮でき
るとともに、作業効率を大幅に向上させることができ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】図２は本発明にかかる成膜装置の
第１実施例を示し、特にスパッタ装置に適用した一例を
示す。１０は箱型に形成された成膜プロセス室であり、
その下面側には開口部１０ａが設けられ、天井部にはタ
ーゲット１０ｂが取り付けられている。プロセス室１０
の下部にはロードロック室１１が連続的に設けられてお
り、上記開口部１０ａを介してプロセス室１０とロード
ロック室１１とは連通している。なお、ロードロック室
１１に対してプロセス室１０を着脱可能としてもよい。
ロードロック室１１の側面には外部に開放する開口部１
１ａが設けられ、この開口部１１ａを開閉するゲートバ
ルブ１２が設けられている。
第１実施例を示し、特にスパッタ装置に適用した一例を
示す。１０は箱型に形成された成膜プロセス室であり、
その下面側には開口部１０ａが設けられ、天井部にはタ
ーゲット１０ｂが取り付けられている。プロセス室１０
の下部にはロードロック室１１が連続的に設けられてお
り、上記開口部１０ａを介してプロセス室１０とロード
ロック室１１とは連通している。なお、ロードロック室
１１に対してプロセス室１０を着脱可能としてもよい。
ロードロック室１１の側面には外部に開放する開口部１
１ａが設けられ、この開口部１１ａを開閉するゲートバ
ルブ１２が設けられている。
【００１３】上記プロセス室１０およびロードロック室
１１は所定の真空度に保つように排気手段（図示せず）
と接続されている。特に、プロセス室１０は成膜処理を
行なうために高度の真空度（例えば１０-4〜１０-3Ｐａ
程度）に保たれ、アルゴンガスなどの不活性ガスが導入
されて全体として例えば０．５〜２Ｐａ程度の圧力に保
持されている。
１１は所定の真空度に保つように排気手段（図示せず）
と接続されている。特に、プロセス室１０は成膜処理を
行なうために高度の真空度（例えば１０-4〜１０-3Ｐａ
程度）に保たれ、アルゴンガスなどの不活性ガスが導入
されて全体として例えば０．５〜２Ｐａ程度の圧力に保
持されている。
【００１４】ロードロック室１１内には、２本の偏心軸
１３，１４がそれぞれモータ１５（図２には一方のモー
タのみが記載されている）によって所定角度往復回転可
能に設けられている。一方の偏心軸１３の上端は第１の
基板ホルダ１６の偏心位置に連結されており、他方の偏
心軸１４の上端は第２の基板ホルダ１７の偏心位置に連
結されている。各基板ホルダ１６，１７はプロセス室１
０の下面開口部１０ａを閉鎖自在であり、その上面には
基板Ｓが着脱自在に載置される。上記モータ１５はシリ
ンダなどの昇降装置（開閉装置）１８（図２には一方の
昇降装置のみが記載されている）によって支持され、モ
ータ１５，偏心軸１３，１４および基板ホルダ１６，１
７を一体的に昇降できるようになっている。この実施例
では、モータ１５および昇降装置１８をロードロック室
１１の外部に設けたが、ロードロック室１１の内部に配
置してもよい。
１３，１４がそれぞれモータ１５（図２には一方のモー
タのみが記載されている）によって所定角度往復回転可
能に設けられている。一方の偏心軸１３の上端は第１の
基板ホルダ１６の偏心位置に連結されており、他方の偏
心軸１４の上端は第２の基板ホルダ１７の偏心位置に連
結されている。各基板ホルダ１６，１７はプロセス室１
０の下面開口部１０ａを閉鎖自在であり、その上面には
基板Ｓが着脱自在に載置される。上記モータ１５はシリ
ンダなどの昇降装置（開閉装置）１８（図２には一方の
昇降装置のみが記載されている）によって支持され、モ
ータ１５，偏心軸１３，１４および基板ホルダ１６，１
７を一体的に昇降できるようになっている。この実施例
では、モータ１５および昇降装置１８をロードロック室
１１の外部に設けたが、ロードロック室１１の内部に配
置してもよい。
【００１５】ここで、上記成膜装置の動作を図３を参照
して説明する。まず、図３の（Ａ）は第１の状態を示
し、第１の基板ホルダ１６がプロセス室１０の下面開口
部１０ａを閉じており、成膜処理を行なっている。一
方、第２の基板ホルダ１７はロードロック室１１の側面
開口部１１ａを介して外部へ突出している。そして、こ
の基板ホルダ１７の上に未処理の基板Ｓが載置される。
図３の（Ｂ）は第２の状態を示し、第１の基板ホルダ１
６は依然としてプロセス室１０の下面開口部１０ａを閉
じており、第２の基板ホルダ１７はロードロック室１１
の内部に収容された状態にある。このとき、両基板ホル
ダ１６，１７は上下に対応した位置にある。そして、ゲ
ートバルブ１２によって側面開口部１１ａを閉じ、ロー
ドロック室１１を所定の真空度に減圧する。図３の
（Ｃ）は第３の状態を示し、第１の基板ホルダ１６が成
膜処理が終了したプロセス室１０の下面開口部１０ａを
開くとともに、ロードロック室１１の退避空間１１ｂに
退避する。一方、第２の基板ホルダ１７は上昇してプロ
セス室１０の下面開口部１０ａを閉じる。図３の（Ｄ）
は第４の状態を示し、成膜処理済みの基板Ｓを支持した
第１の基板ホルダ１６がロードロック室１１の外部へ回
転した状態にある。そして、第２の基板ホルダ１７はプ
ロセス室１０の下面開口部１０ａを閉じ、成膜処理を行
なっている。
して説明する。まず、図３の（Ａ）は第１の状態を示
し、第１の基板ホルダ１６がプロセス室１０の下面開口
部１０ａを閉じており、成膜処理を行なっている。一
方、第２の基板ホルダ１７はロードロック室１１の側面
開口部１１ａを介して外部へ突出している。そして、こ
の基板ホルダ１７の上に未処理の基板Ｓが載置される。
図３の（Ｂ）は第２の状態を示し、第１の基板ホルダ１
６は依然としてプロセス室１０の下面開口部１０ａを閉
じており、第２の基板ホルダ１７はロードロック室１１
の内部に収容された状態にある。このとき、両基板ホル
ダ１６，１７は上下に対応した位置にある。そして、ゲ
ートバルブ１２によって側面開口部１１ａを閉じ、ロー
ドロック室１１を所定の真空度に減圧する。図３の
（Ｃ）は第３の状態を示し、第１の基板ホルダ１６が成
膜処理が終了したプロセス室１０の下面開口部１０ａを
開くとともに、ロードロック室１１の退避空間１１ｂに
退避する。一方、第２の基板ホルダ１７は上昇してプロ
セス室１０の下面開口部１０ａを閉じる。図３の（Ｄ）
は第４の状態を示し、成膜処理済みの基板Ｓを支持した
第１の基板ホルダ１６がロードロック室１１の外部へ回
転した状態にある。そして、第２の基板ホルダ１７はプ
ロセス室１０の下面開口部１０ａを閉じ、成膜処理を行
なっている。
【００１６】上記のように、ゲートバルブ１２が開かれ
る際には、必ずプロセス室１０の下面開口部１０ａが何
れかの基板ホルダ１６，１７によって閉じられた状態に
あるので、プロセス室１０が大気と連通せず、真空度が
急激に低下する恐れがない。そのため、排気処理に時間
を必要とせずに済み、ロスも少ない。また、一方の基板
ホルダへの基板の取り入れ，取り出しを行なっている間
に、他方の基板ホルダで成膜処理を行なうので、タクト
タイムを短縮でき、作業効率を向上させることができ
る。上記実施例では、第１の基板ホルダ１６が内外３位
置に回転するように制御され、第２の基板ホルダ１７が
内外２位置に回転するように制御される。そのため、２
個の基板ホルダ１６，１７がスペースの限られたロード
ロック室１１内で互いに干渉せずに移動できる。各基板
ホルダ１６，１７が外部へ回転した時、ロードロック室
１１の側面開口部１１ａを介して外部へ突出するので、
基板Ｓの取り入れ，取り出し作業が容易になる。
る際には、必ずプロセス室１０の下面開口部１０ａが何
れかの基板ホルダ１６，１７によって閉じられた状態に
あるので、プロセス室１０が大気と連通せず、真空度が
急激に低下する恐れがない。そのため、排気処理に時間
を必要とせずに済み、ロスも少ない。また、一方の基板
ホルダへの基板の取り入れ，取り出しを行なっている間
に、他方の基板ホルダで成膜処理を行なうので、タクト
タイムを短縮でき、作業効率を向上させることができ
る。上記実施例では、第１の基板ホルダ１６が内外３位
置に回転するように制御され、第２の基板ホルダ１７が
内外２位置に回転するように制御される。そのため、２
個の基板ホルダ１６，１７がスペースの限られたロード
ロック室１１内で互いに干渉せずに移動できる。各基板
ホルダ１６，１７が外部へ回転した時、ロードロック室
１１の側面開口部１１ａを介して外部へ突出するので、
基板Ｓの取り入れ，取り出し作業が容易になる。
【００１７】図４は本発明にかかる成膜装置の第２実施
例を示す。この実施例では、偏心軸１３、第１の基板ホ
ルダ１６、モータおよび昇降装置（図示せず）は第１実
施例と同様である。ただし、第２の基板ホルダ１７に代
えてシャッタ部材２０を設け、このシャッタ部材２０を
回転および昇降させるモータおよび昇降装置（図示せ
ず）が設けられる。このシャッタ部材２０はロードロッ
ク室１１の内部でのみ移動し、外部へ突出することはな
い。
例を示す。この実施例では、偏心軸１３、第１の基板ホ
ルダ１６、モータおよび昇降装置（図示せず）は第１実
施例と同様である。ただし、第２の基板ホルダ１７に代
えてシャッタ部材２０を設け、このシャッタ部材２０を
回転および昇降させるモータおよび昇降装置（図示せ
ず）が設けられる。このシャッタ部材２０はロードロッ
ク室１１の内部でのみ移動し、外部へ突出することはな
い。
【００１８】この実施例の場合、成膜処理が終了すれ
ば、ゲートバルブ１２を閉じた状態のまま、基板ホルダ
１６がプロセス室１０の下面開口部１０ａを開くととも
に、シャッタ部材２０が代わって下面開口部１０ａを閉
じる。下面開口部１０ａが閉じられた後、ゲートバルブ
１２が開かれるので、プロセス室１０が大気と連通せ
ず、真空度が極度に低下する恐れがない。
ば、ゲートバルブ１２を閉じた状態のまま、基板ホルダ
１６がプロセス室１０の下面開口部１０ａを開くととも
に、シャッタ部材２０が代わって下面開口部１０ａを閉
じる。下面開口部１０ａが閉じられた後、ゲートバルブ
１２が開かれるので、プロセス室１０が大気と連通せ
ず、真空度が極度に低下する恐れがない。
【００１９】本発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。上記実施例では基板ホルダに偏心軸を連結し、偏
心軸を回転させることにより、基板ホルダをロードロッ
ク室の内外に水平回転させる例を示したが、これに限る
ものではない。例えば、プロセス室の下面開口部を開閉
するために、基板ホルダは昇降だけを行うようにし、ロ
ードロック室内に位置している基板ホルダへの基板の取
り入れ，取り出しは別の手段を用いてもよい。この場合
には、第２実施例と同様なシャッタ部材を基板ホルダと
は別に設ける必要がある。また、本発明のプロセス室は
スパッタ室に限るものではなく、蒸着などの他の成膜室
としてもよいことは勿論である。
ない。上記実施例では基板ホルダに偏心軸を連結し、偏
心軸を回転させることにより、基板ホルダをロードロッ
ク室の内外に水平回転させる例を示したが、これに限る
ものではない。例えば、プロセス室の下面開口部を開閉
するために、基板ホルダは昇降だけを行うようにし、ロ
ードロック室内に位置している基板ホルダへの基板の取
り入れ，取り出しは別の手段を用いてもよい。この場合
には、第２実施例と同様なシャッタ部材を基板ホルダと
は別に設ける必要がある。また、本発明のプロセス室は
スパッタ室に限るものではなく、蒸着などの他の成膜室
としてもよいことは勿論である。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
成膜装置は、プロセス室がロードロック室の上部に設け
られているので、設置面積が小さく、小型化が可能であ
る。また、プロセス室内に搬送手段を設ける必要がない
ので、プロセス室の雰囲気の悪化を防止でき、膜の品質
の劣化を防止できるとともに、搬送手段に膜が付着する
こともない。したがって、メンテナンスの回数を少なく
できる。さらに、基板ホルダが成膜中のプロセス室の下
面開口部を閉じるシャッタを兼ねるので、プロセス室の
下面開口部を開閉するゲートバルブを別に設ける必要が
なく、安価に構成できる。
成膜装置は、プロセス室がロードロック室の上部に設け
られているので、設置面積が小さく、小型化が可能であ
る。また、プロセス室内に搬送手段を設ける必要がない
ので、プロセス室の雰囲気の悪化を防止でき、膜の品質
の劣化を防止できるとともに、搬送手段に膜が付着する
こともない。したがって、メンテナンスの回数を少なく
できる。さらに、基板ホルダが成膜中のプロセス室の下
面開口部を閉じるシャッタを兼ねるので、プロセス室の
下面開口部を開閉するゲートバルブを別に設ける必要が
なく、安価に構成できる。
【図１】従来例の成膜装置の概略構造図である。
【図２】本発明にかかる成膜装置の第１実施例の断面図
である。
である。
【図３】図２の成膜装置の動作を説明する縦断面図およ
び横断面図である。
び横断面図である。
【図４】本発明にかかる成膜装置の第２実施例の断面図
である。
である。
１０ プロセス室 １０ａ 下面開口部 １１ ロードロック室 １１ａ 側面開口部 １２ ゲートバルブ １３，１４ 偏心軸 １６，１７ 基板ホルダ １５ モータ １８ 昇降装置 Ｓ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】一面に開口部を有する成膜プロセス室と、
上記プロセス室に対して上記開口部を介して連続的に設
けられ、他面に開口部を有するロードロック室と、ロー
ドロック室の他面開口部を開閉するゲートバルブと、基
板を保持自在で、上記プロセス室の上記開口部を閉鎖自
在な基板ホルダと、上記ゲートバルブが開かれている
間、上記プロセス室の上記開口部を閉じるシャッタ手段
と、ロードロック室内で基板ホルダを成膜プロセス室の
上記開口部を閉鎖する位置と開放する位置との間で移動
させる開閉装置と、基板ホルダまたは基板をロードロッ
ク室の他面開口部を介して内外に取り入れ，取り出すた
めの手段とを備え、上記シャッタ手段がプロセス室の上
記開口部を閉じている間に、ゲートバルブがロードロッ
ク室の他面開口部を開くように構成したことを特徴とす
る成膜装置。 - 【請求項２】上記ロードロック室内に一端が基板ホルダ
の偏心位置に連結された軸が設けられ、この軸を中心と
して基板ホルダをロードロック室の他面開口部を介して
内外に回転させる駆動装置が設けられたことを特徴とす
る請求項１に記載の成膜装置。 - 【請求項３】基板を保持自在な２つの基板ホルダが設け
られ、上記ロードロック室内に一端が基板ホルダの偏心
位置に連結された２本の軸が設けられ、これら軸を中心
として各基板ホルダをロードロック室の他面開口部を介
して内外に回転させる第１と第２の駆動装置が設けら
れ、何れかの基板ホルダが上記シャッタ手段を兼ねるこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9428098A JPH11293458A (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9428098A JPH11293458A (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11293458A true JPH11293458A (ja) | 1999-10-26 |
Family
ID=14105856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9428098A Pending JPH11293458A (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11293458A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6792958B2 (en) * | 2000-12-25 | 2004-09-21 | Tokyo Electron Limited | System for processing substrate with liquid |
| KR100640557B1 (ko) | 2004-06-17 | 2006-10-31 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 평판표시소자 제조장치 |
| CN107858666A (zh) * | 2017-12-13 | 2018-03-30 | 北京创昱科技有限公司 | 一种真空镀膜用集成腔室 |
-
1998
- 1998-04-07 JP JP9428098A patent/JPH11293458A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6792958B2 (en) * | 2000-12-25 | 2004-09-21 | Tokyo Electron Limited | System for processing substrate with liquid |
| KR100640557B1 (ko) | 2004-06-17 | 2006-10-31 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 평판표시소자 제조장치 |
| CN107858666A (zh) * | 2017-12-13 | 2018-03-30 | 北京创昱科技有限公司 | 一种真空镀膜用集成腔室 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040506 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20061031 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070227 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20070703 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |