JPH07227777A - 被処理物の搬送装置および処理装置 - Google Patents

被処理物の搬送装置および処理装置

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JPH07227777A
JPH07227777A JP6024095A JP2409594A JPH07227777A JP H07227777 A JPH07227777 A JP H07227777A JP 6024095 A JP6024095 A JP 6024095A JP 2409594 A JP2409594 A JP 2409594A JP H07227777 A JPH07227777 A JP H07227777A
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JP6024095A
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English (en)
Inventor
Akira Ezaki
朗 江崎
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】この発明は2つの保持体を1つの駆動源によっ
て進退駆動させることができるようにした搬送装置を提
供することにある。 【構成】 第1の駆動源31によって回転駆動される回
転テ−ブル28と、回転テ−ブルに中途部が回転自在に
支持された一対の第1のリンク32と、第1のリンクの
一端に基端部が回転自在に連結された一対の第2のリン
ク37と、第2のリンクの先端部に回転自在に連結され
被処理物を保持する第1の保持部39を有する第1の保
持体38と、第1のリンクの他端に基端部が回転自在に
連結された一対の第3のリンク42と、第3のリンクの
先端部に回転自在に連結され被処理物を保持する第2の
保持部44を有する第2の保持体43と、第1のリンク
の一方を回転駆動する第2の駆動源34と、第1のリン
クと第2のリンクとの連結部分および上記第1のリンク
と第3のリンクとの連結部分にそれぞれ設けられ第1の
リンクの回転に上記第2のリンクと第3のリンクとを同
期回転させる同期機構46a、46bとを具備したこと
を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウエハなどの被
処理物を搬送位置決めするための搬送装置および上記被
処理物に種々の処理を行うための処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導ウエハに回路パタ−ンを形成するた
めの処理装置は、その処理を真空下で行うための真空処
理室を有する。この真空処理室には搬送室および排気室
が仕切り弁を介して順次連設されている。
【0003】上記搬送室には、半導体ウエハを真空処理
室と排気室との間で受け渡す搬送装置が設けられ、上記
排気室には未処理の半導体ウエハを外部から排気室の内
部へ導入したり、処理された半導体ウエハを内部から外
部へ搬出するための搬出入機構が設けられている。
【0004】上記搬送装置は、処理室と排気室との間で
上記半導体ウエハの受け渡しを行うため、上記半導体ウ
エハを直線方向だけでなく、回転方向にも搬送位置決め
することが要求されるばかりか、高い位置決め精度が求
されることもある。
【0005】従来、半導体ウエハのそのような搬送位置
決めを行う装置として、特開平4−30447号公報に
示されるものが知られている。この装置は、図10に示
すように回転テ−ブル1を有する。この回転テ−ブル1
の下端には従動歯車2が設けられている。この従動歯車
2には駆動歯車3が噛合している。この駆動歯車3は第
1のモ−タ4によって回転駆動される。それによって、
上記回転テ−ブル1は矢印で示す方向に回転駆動される
ようになっている。
【0006】上記回転テ−ブル1の上面には各一対の2
組の第1のリンク5a、5bの一端が回転自在に連結さ
れている。各組の一方のリンク5a、5bは、それぞれ
第2のモ−タ6によって回転駆動される駆動軸6aに連
結されている。
【0007】上記各組の第1のリンク5a、5bの他端
は連結板7に枢着されている。各連結板7にはそれぞれ
一対の第2のリンク8a、8bの一端が枢着されてい
る。さらに、連結板7には互いに噛合する一対の同期歯
車9が設けられている。
【0008】各一対の第2のリンク8a、8bの他端に
はそれぞれ保持体10が枢着されている。これら保持体
10には半導体ウエハを保持するための保持部10aが
形成されている。
【0009】このような構成において、第2のモ−タ6
により、各一対の第1のリンク5a、5bの一方を回転
駆動すれば、その回転が同期歯車9を介してそれぞれ第
2のリンク8a、8bに伝達されるから、これら第2の
リンク8a、8bと第1のリンク5a、5bとは平行状
態を維持しながら対称的に回転運動をする。その結果、
第2のリンク8a、8bの他端に枢着されたそれぞれの
保持体10は矢印で示す前後方向に直線駆動されること
になる。
【0010】また、第1のモ−タ4を作動させて駆動歯
車3を回転させ、その回転に従動歯車2を連動させれ
ば、回転テ−ブル1が回転するから、上記保持体10の
回転方向の位置決めも行えるようになっている。
【0011】このように、2つの保持体10を前後方向
に同時に進退駆動できる構成であれば、一方を前進させ
ているときに、他方を後退させることで、被処理物の搬
送時間の短縮を計り、スル−プットを向上させることが
できる。
【0012】ところで、上述した従来の構造では2つの
保持体10を同時に異なる前後方向に進退駆動できるよ
うにするため、第2のモ−タ6を2つ設け、それぞれの
モ−タ6によって第1のリンク5aおよび第2のリンク
5bを回転駆動するようにしている。
【0013】しかしながら、2つの第2のモ−タ6を必
要とすると、装置が大型化するということがあり、また
モ−タ6の数に応じた2本の駆動軸6aを必要とするこ
とによっても、装置の大型化や複雑化を招くなどのこと
がある。
【0014】一方、真空処理室でたとえば加熱処理され
た半導体ウエハを温度が高いままの状態で、排気室に設
けられた搬出入機構によって外部の大気中へ搬出する
と、その表面が酸化するということがある。そこで、そ
のような虞がある場合、処理装置に冷却室(熱処理室)
を設け、そこで上記半導体ウエハを所定温度以下に冷却
してから搬出するということが行われていた。
【0015】しかしながら、処理装置に冷却室を設ける
ようにすると、装置の大型化を招くことになり、また被
処理物を冷却室に出し入れするという工程が必要となる
から、スル−プットが低下するということもあった。な
お、被処理物を真空処理室で冷却して処理する場合に
は、加熱時とは逆に外気温度まで温度を上昇させてから
搬出しなければならないということもある。
【0016】一方、製造装置の上記排気室に設けられた
搬出入機構によって半導体ウエハを外部から排気室内へ
搬入あるいは排気室から外部へ搬出する際、上記排気室
は大気に連通するから、その作業の後には上記排気室を
真空ポンプで真空引きするということが行われる。
【0017】しかしながら、半導体ウエハを出し入れす
る際、上記排気室が大気にさらされると、その内壁面に
は不純物、とくに大気中の水分が付着することが避けら
れない。そのため、半導体ウエハを搬出後、上記排気室
を真空引きする際、その内壁面に付着した不純物によ
り、上記排気室を所定の圧力に減圧するまでに時間が長
く掛かるということがあり、それによってスル−プット
の低下を招くということがあった。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の搬
送装置は2つの保持体を2つの駆動源で駆動していたの
で、装置の大型化や複雑化を招くということがあり、ま
た真空処理室で処理された被処理物を所定温度に戻すに
はそのための熱処理室が必要になるということがあっ
た。
【0019】さらに、被処理物を排気室に対して出し入
れする際、その内部に大気が流入し、排気室の内壁面に
水分が付着するということがあり、そのような場合には
上記排気室を真空引きするのに時間が掛かるということ
があった。
【0020】この発明の第1の目的は、1つの駆動源に
よって2つの保持体を同時に進退駆動させることができ
るようにした被処理物の搬送装置を提供することにあ
る。この発明の第2の目的は、熱処理室を設けずに、被
処理物を搬送する過程で冷却したり、加熱するなどの熱
処理が行えるようにした被処理物の搬送装置を提供する
ことにある。
【0021】この発明の第3の目的は、排気室から被処
理物を搬出する際に、この排気室内に大気が侵入するの
を防止できるようにした被処理物の処理装置を提供する
ことにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】この発明の第1の手段
は、被処理物を前後方向および回転方向に搬送位置決め
する搬送装置において、第1の駆動源によって回転駆動
される回転テ−ブルと、この回転テ−ブルに中途部が回
転自在に支持された一対の第1のリンクと、この第1の
リンクの一端に基端部が回転自在に連結された一対の第
2のリンクと、この第2のリンクの先端部に回転自在に
連結され上記被処理物を保持する第1の保持部を有する
第1の保持体と、上記第1のリンクの他端に基端部が回
転自在に連結された一対の第3のリンクと、この第3の
リンクの先端部に回転自在に連結され上記被処理物を保
持する第2の保持部を有する第2の保持体と、上記第1
のリンクの一方を回転駆動する第2の駆動源と、上記第
1のリンクと第2のリンクとの連結部分および上記第1
のリンクと第3のリンクとの連結部分にそれぞれ設けら
れ上記第1のリンクの回転に上記第2のリンクと第3の
リンクとを同期回転させる同期機構とを具備したことを
特徴とする。
【0023】この発明の第2の手段は、回転テ−ブルに
リンク機構の基端部を回転自在に連結し、このリンク機
構の先端部に被処理物を保持するための保持部を有する
保持体が上記リンク機構の回転に同期するよう連結さ
れ、この保持体が上記リンク機構によって進退駆動され
る搬送装置において、上記回転テ−ブルには、上記保持
体が後退したときに、この保持体の保持部に保持された
被処理物を冷却または加熱するための熱交換手段が設け
られていることを特徴とする。
【0024】この発明の第3の手段は、被処理物を処理
するための真空処理室に搬送室と排気室とがそれぞれ仕
切り弁を介して連設されてなり、上記搬送室には上記被
処理物を上記真空処理室と上記排気室との間で受け渡す
搬送装置が設けられ、上記排気室には真空ポンプおよび
上記被処理物を外部に対して搬入、搬出する搬出入機構
が設けられた処理装置において、上記搬出入機構は、上
記排気室の側壁に形成された開口部に進退自在に設けら
れその内部に上記被処理物が着脱自在に保持されるとと
もに進入時に上記開口部を気密に閉塞する筐体と、この
筐体を進退駆動するためのアクチュエ−タとからなると
ともに、上記排気室には上記筐体が排気室の外部に突出
する状態にあるときに、その内部に不活性ガスを供給す
るガス供給手段が設けられていることを特徴とする。
【0025】
【作用】第1の手段によれば、第1のリンクの一端に第
2のリンクを介して設けられた第1の保持体と、他端に
第3のリンクを介して設けられた第2の保持体とを、上
記第1のリンクを回転するだけで、逆方向に進退させる
ことができる。
【0026】第2の手段によれば、回転テ−ブルに熱交
換手段を設けたことで、保持体が後退して上記回転テ−
ブルと対向する位置にあるときに、上記保持体に保持さ
れた被処理物を熱処理することができる。
【0027】第3の手段によれば、筐体が排気室から突
出しているときに、その排気室に不活性ガスが供給され
ることで、排気室内に大気が流入するのを防止すること
ができる。
【0028】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図1乃至図5を
参照して説明する。図3は被処理物としての、たとえば
半導体ウエハUの処理装置を示し、この処理装置は真空
処理室21を備えている。この真空処理室21では上記
半導体ウエハUを加熱して、この半導体ウエハUに回路
パタ−ンを形成するに必要な加工、たとえばエッチング
などを行う。
【0029】上記真空処理室21は、第1の仕切り弁2
2を介して搬送室23の一側壁に接続され、この搬送室
23の他側壁には第2の仕切り弁24を介して排気室2
5が接続されている。
【0030】上記搬送室23には搬送装置26が設けら
れている。この搬送装置26は円筒状のケ−ス27を有
する。このケ−ス27の上端には回転テ−ブル28がフ
ランジ29を介して回転自在かつ上下動自在に設けられ
ている。この回転テ−ブル28の下端面からは被駆動軸
29が突設され、この被駆動軸29は上記ケ−ス27内
に収容された第1の駆動源31の駆動軸32に連結され
ている。したがって、この第1の駆動源31が作動して
上記被駆動軸29を回転すれば、その回転に上記回転テ
−ブル28を連動させることができるようになってい
る。なお、上記回転テ−ブル28を上下駆動する駆動源
は図示を省略する。
【0031】上記回転テ−ブル28の上面には一対の第
1のリンク32の中途部が枢着されている。一方の第1
のリンク32を枢着した支軸33は上記ケ−ス27内に
突出し、その突出端は上記ケ−ス27内に設けられた第
2の駆動源34の駆動軸35に連結されている。したが
って、一方の第1のリンク32は上記第2の駆動源34
によって回転駆動されるようになっている。
【0032】上記第1のリンク32の一端には第2の支
軸36によって一対の第2のリンク37の一端が枢着さ
れている。一対の第2のリンク32の他端にはフォ−ク
状の第1の保持体38の基端部が枢着されている。この
第1の保持体38の先端部には円盤状の半導体ウエハU
を係合保持するための第1の保持部39が形成されてい
る。
【0033】上記第1のリンク32の他端には第3の支
軸41によって第3のリンク42の一端が枢着されてい
る。この第3のリンク42の他端には第2の保持体43
の基端部が枢着されている。この第2の保持体43の先
端部には半導体ウエハUを係合保持するための第2の保
持部44が形成されている。
【0034】なお、上記第2の支軸36と第3の支軸4
1とは、第1のリンク32に対しては回転自在で、第
2、第3のリンク37、42に一体的に結合されてい
る。上記回転テ−ブル28の上面に対し、上記第2の保
持体43は上記第1の保持体38よりも高い位置になる
よう設けられている。それによって、図1に示す状態か
ら後述するように上記第1の保持体38が後退方向へ駆
動され、上記第2の保持体43が前進方向へ駆動される
と、上記第1の保持体38の上面側に上記第2の保持体
43が位置することになる。
【0035】上記第1の保持体38と第2の保持体43
との高さを変えるには、たとえば上記第2のリンク37
の厚さ寸法を、上記第3のリンク42の厚さ寸法よりも
薄くすればよい。
【0036】上記第1のリンク32の一端に上記第2の
リンク37を枢着した第2の支軸36と、上記第1のリ
ンク32の他端に第3のリンク42を枢着した支軸41
との下端部は上記第1のリンク32の下面側に突出して
いる。各支軸36、41の突出端部には図2(a)〜
(c)に示すようにそれぞれ一対の歯車45a、45b
が嵌着されている。各一対の歯車45a、45bはそれ
ぞれ噛合する大きさに設定されている。一方の一対の歯
車45aは第1の同期機構46aを形成し、他方の一対
の歯車45bは第2の同期機構46bを形成している。
【0037】上記各同期機構46a、46bは第1のリ
ンク32の回転に上記第2のリンク37と第3のリンク
42とを後述するごとく同期連動させる。つまり、上記
第1のリンク32が回転すれば、その回転に各同期機構
46a、46bの歯車45a、45bが連動するから、
各歯車に連結された第2の支軸36と第3の支軸41を
支点として第2、第3のリンク37、42が回転する。
【0038】上記排気室25には未処理の半導体ウエハ
Uを内部へ導入したり、上記真空処理室21で処理され
た半導体ウエハUを外部へ導出するための搬出入機構5
1が設けられている。この搬出入機構51は、図4と図
5に示すように上記排気室25の上面壁に形成された上
部開口52に進退自在に設けられた筐体53を有する。
この筐体53は両端面が開放しているとともに上下面に
は上部開口52よりも大きな上部フランジ53aと下部
フランジ53bとが形成され、さらに両側内面には半導
体ウエハUの径方向両端部を着脱自在に係合保持するた
めの係止片54が形成されている。
【0039】上記排気室25の上面の上記上部開口52
の近傍には図5に示すようにアクチュエ−タ55が設け
られている。このアクチュエ−タ55はたとえばリニア
モ−タやシリンダなどのように直線運動する作動子55
aを有し、この作動子55aが上記筐体53の上部フラ
ンジ53aに連結されている。したがって、上記アクチ
ュエ−タ55が作動すると、上記筐体53は上記上部開
口52から突出する状態と、排気室25内に位置する状
態との間で上下駆動されるようになっている。
【0040】上記筐体53の上部フランジ53aの下面
にはパッキング56が設けられ、上記筐体53が下降方
向へ駆動されたときに、上記排気室25の上面に当接し
てその内部の気密状態を維持する。上記下部フランジ5
3aは筐体53が上部開口52から抜出するのを阻止す
るようになっている。
【0041】上記排気室25の下壁面には下部開口57
が形成されている。この下部開口57には、上記筐体5
3の内部を真空引きするための排気ポンプ58が接続さ
れている。さらに、上記排気室25にはたとえば窒素な
どの不活性ガスを供給するための供給管59が開閉制御
弁61を介して接続されている。
【0042】上記開閉制御弁61は上記筐体53が上記
アクチュエ−タ55によって上昇方向に駆動されている
ときに開放するよう制御される。それによって、上記筐
体53が上昇したときには排気室25内に不活性ガスが
供給されるから、その内部に大気を流入させることなく
上記筐体53を上昇させることができる。
【0043】つぎに上記構成の処理装置によって、真空
処理室21において処理された半導体ウエハUを搬出す
るとともに、未処理の半導体ウエハUを上記真空処理室
21に搬入する場合の動作について説明する。
【0044】まず、真空処理室21において半導体ウエ
ハUを処理しているときには、排気室25に設けられた
筐体53には未処理の半導体ウエハUが保持されて下降
した状態にあり、また第1の仕切り弁22と第2の仕切
り弁24とは閉じられ、真空処理室21と搬送室23と
は減圧状態が維持されている。
【0045】一方、上記搬送室23に設けられた搬送装
置26の第1の保持部39には未処理の半導体ウエハU
が保持されている。このとき、上記搬送装置26の第1
のリンク32は、図2(a)に示すように各保持部3
9、44の進退方向に対してほぼ直交する横方向を向い
ており、それによって第1の保持部39が第2の保持部
44の下面側に位置するよう、一対の保持部39、44
が重合している。この状態を待機状態とする。また、こ
れら保持部39、44は処理室21の方向に向くよう、
回転テ−ブル28の回転角度が設定されている。
【0046】このような状態で、上記真空処理室21に
おける半導体ウエハUの処理が終了すると、第1の仕切
り弁22が開放する。それと同時に搬送装置26の第1
のリンク32が図2(b)に矢印で示すように時計方向
に回転させられる。
【0047】第1のリンク32の時計方向の回転によっ
て未処理の半導体ウエハUを保持した第1の保持体38
が後退し、第2の保持体43が前進して真空処理室21
へ進入し、ついで上昇方向に駆動されることで、真空処
理室21で処理された半導体ウエハUがその第2の保持
部44に受け渡される。
【0048】処理された半導体ウエハUの受け渡しが終
了すると、図2(c)に示すように第1のリンク32が
先程と逆方向である、反時計方向に回転させられる。そ
れによって、真空処理室21に進入していた第2の保持
体43が後退し、後退していた第1の保持体38が前進
して真空処理室21へ進入し、ついで下降することで、
その第1の保持部39に保持された未処理の半導体ウエ
ハUが上記真空処理室21に受け渡される。
【0049】未処理の半導体ウエハUの受け渡しが終了
すると、第1のリンク32は図 (a)に示す待機状態
になる位置まで時計方向に回転させられてから、第1の
仕切り弁22が閉じられ、真空処理室21が気密に閉塞
される。ついで、回転テ−ブル28が180度回転させ
られて一対の保持体38、43が排気室25の方向に向
くよう位置決めされる。その状態で上記真空処理室21
における半導体ウエハUの処理が開始される。
【0050】一方、それと同時に搬送室23と排気室2
5とを隔別した第2の仕切り弁24が開かれ、ついで第
1のリンク32が図2(c)に示すように反時計方向に
回転させられて第1の保持体38が排気室25の筐体5
3内に進入して上昇し、その第1の保持部39が上記筐
体53の係止片54に保持された未処理の半導体ウエハ
Uを受ける。
【0051】ついで、上記第1のリンク32が時計方向
に回転させられ、図2(a)に示す待機状態を経て図2
(b)に示すように処理ずみの半導体ウエハUを保持し
た第2の保持体43が上記筐体53内に進入して下降
し、その処理ずみの半導体ウエハUを上記筐体53に受
け渡す。そののち、第1のリンク32は反時計方向に回
転させられて図2(a)に示す待機状態に戻るととも
に、回転テ−ブル28が180度回転させられて一対の
保持体38、43が真空処理室21の方向を向く状態に
位置決めされる。
【0052】一方、処理ずみの半導体ウエハUを受けた
筐体53はアクチュエ−タ55によって上昇させられ
る。それによって、上記筐体53が排気室25の外部に
突出するから、その筐体53に保持された処理ずみの半
導体ウエハUが図示しない受け渡しロボットなどによっ
て次工程へ受け渡される。ついで、その筐体53には未
処理の半導体ウエハUが供給される。
【0053】上記筐体53がアクチュエ−タ55によっ
て上昇させられるときに、不活性ガスを上記排気室25
へ供給する供給管59に設けられた開閉制御弁61が開
放される。それによって、上記排気室25には不活性ガ
スが供給され、筐体53と上部開口52との隙間を通っ
て外部へ流出する。そのため、その隙間から排気室25
内へ大気が侵入するのが阻止されるから、排気室25の
内壁面に大気中の不純物、とくに水分が付着するのが防
止される。
【0054】上記筐体53に対する半導体ウエハうの受
け渡しが終了すると、上記筐体53はアクチュエ−タ5
5によって下降させられ、排気室25の上部開口52が
閉塞される。ついで、排気ポンプ58が作動して排気室
25および第2の仕切り弁24を介して連通した搬送室
23が減圧される。そして、これら搬送室23と排気室
25とが所定の圧力まで減圧されると、上記第2の仕切
り弁24が閉じられるとともに、真空ポンプ58が停止
して最初の状態となる。
【0055】上述したごとく上記筐体53が上昇させら
れ、上記排気室25が大気に開放される際、上記排気室
25には不活性ガスが供給される。そのため、排気室2
5の内壁面に不純物、とくに水分が付着するのが防止さ
れるから、排気ポンプ58を作動させて上記排気室25
を減圧するのに、余計な時間が掛るということがなくな
る。
【0056】一方、上記搬送装置26による処理ずみと
未処理の半導体ウエハUの受け渡しは、上記搬送装置2
6に設けられた第1の保持体38と第2の保持体43と
が進退方向に交互に駆動されることで行われる。すなわ
ち、一方の保持体で未処理または処理ずみの半導体ウエ
ハUを所定の部位から受けとり、他方の保持体で未処理
または処理ずみの半導体ウエハUを所定の部位へ渡すこ
とができる。したがって、1つの保持体で受け渡しを行
う場合に比べ、スル−プットを向上させることができ
る。
【0057】上記搬送装置26の2つの保持体38、4
3は1つ駆動源、つまり第2の駆動源34によって第1
のリンク32を回転駆動するだけで、進退させることが
できる。そのため、2つの保持体38、43を別々の駆
動源で駆動していた従来に比べて装置の小型化や簡略化
を計ることができる。
【0058】図6は搬送装置26aの変形例を示す第2
の実施例であり、第1の実施例と同一部分には同一記号
を付して説明を省略する。すなわち、この搬送装置26
aは回転テ−ブル28の上面に一対の第1のリンク61
の一端が枢着されていて、一方のリンク61はケ−ス2
7内に設けられた図示しない第2の駆動源の駆動軸に連
結されている。上記第1のリンク61の他端には図示し
ない同期機構を介して一対の第2のリンク62の一端が
連結されている。これら第2のリンク62の他端には保
持体63の基端側が枢着されている。この保持体63の
先端側には半導体ウエハUを係合保持するための保持部
64が形成されている。
【0059】上記回転テ−ブル28には支柱65が立設
されている。この支柱65には、2枚の冷却板66が平
行に離間して取り付けられていて、上記保持体63が後
退限まで駆動されたときに、上記2枚の冷却板66間に
上記保持体63が入り込むようになっている。さらに、
上記回転テ−ブル28の周囲のフランジ29には冷却水
が循環する冷却管路67が設けられている。
【0060】上記冷却板66はアルミニウムや銅などの
ような吸熱性の高い金属材料が用いられている。したが
って、上記保持体63の保持部64が熱処理された半導
体ウエハUを保持している状態で一対の冷却板66間に
後退すると、その半導体ウエハUは上記冷却板66によ
って吸熱冷却され、また冷却管路67を循環する冷却水
によっても冷却される。
【0061】上記保持体64が後退した状態で半導体ウ
エハUが冷却されれば、その半導体ウエハUが高温状態
で大気と接触して酸化するのが防止されるために、冷却
専用の冷却室を設けずにすむ。そのため、処理装置の小
形化や簡略化を計ることができる。
【0062】図7と図8はこの発明の第3の実施例であ
る。この実施例は上記第2の実施例の変形例で、保持体
63の保持部64にはその側方に開放した凹部64aが
形成されている。
【0063】一方、回転テ−ブル28の上面には、圧電
素子などのような電圧を印加することで伸縮する材料に
よって形成されたアクチュエ−タ71が立設されてい
る。このアクチュエ−タ71の上端には、上記保持体6
3が後退したとき、その凹部64aに対向位置する状態
でバッファ板72が設けられている。このバッファ板7
2は、上記アクチュエ−タ71が縮小した時に、上記保
持体63の下面側に位置するよう、高さが設定されてい
る。
【0064】上記バッファ板72の上方には、上記回転
テ−ブル28の上面に立設された支柱73によって冷却
板74が水平かつ上記保持体63の上面よりもわずかに
高い状態で保持されている。この冷却板74は吸熱性の
高い材料によって形成されている。そして、上記保持体
63が後退したときに、図8に示すように上記バッファ
板72が伸長方向に駆動されると、上記保持体63に保
持された半導体ウエハUが上記バッファ板72によって
押し上げられて上記冷却板74に押し付けられる。それ
によって、上記保持体63に保持された半導体ウエハU
が冷却される。
【0065】また、上記回転テ−ブル28には冷却水が
循環する冷却管路75が設けられ、それによっても、保
持体63が後退したとき、この保持体63に保持された
半導体ウエハUが冷却されるようになっている。
【0066】したがって、この実施例においても、上記
第2の実施例と同様、半導体ウエハUを冷却するため
の、専用の冷却室を設けずにすむ。なお、上記第2の実
施例と第3の実施例においては、加熱処理された半導体
ウエハUを冷却する場合について説明したが、冷却板に
代わり、加熱板を設けるようにすれば、冷却処理された
被処理物を加熱する場合にも有効である。また、被処理
物としては半導体ウエハに限られず、液晶装置のガラス
基板などの他の被処理物であってもよい。
【0067】図9はこの発明の第4の実施例である。こ
の実施例は減圧側Aと大気圧側Bとに貫通して低速回転
軸81が設けられる場合に、その軸81の回転部分をシ
−ルする構造を示す。すなわち、減圧側Aと大気圧側B
とを隔別する壁体82にはボス部83が大気圧側Aに突
出して設けられる。
【0068】上記ボス部83には筒状のラビリンスシ−
ル体84がアウタベアリング85によって回転自在に設
けられている。上記ラビリンスシ−ル体84の内部に
は、上記低速回転軸81がインナベアリング86によっ
て回転自在に設けられている。
【0069】上記ラビリンススシ−ル体84の外周面に
は、この外周面と上記ボス部83の内周面との間をシ−
ルするための外周ラビリンス85aが形成され、内周面
にはこの内周面と上記低速回転軸81との間をシ−ルす
るための内周ラビリンス85bが形成されている。
【0070】上記ラビリンスシ−ル体84の一端部は上
記大気圧側Aに突出し、その突出端部には従動プ−リ8
7bが設けられている。上記大気圧側Aの、上記ボス部
83の近傍にはモ−タ87が設けられている。このモ−
タ87の駆動軸87aには駆動プ−リ88が嵌着されて
いて、この駆動プ−リ88と上記従動プ−リ87bとに
はベルト89が張設されている。それによって、上記ラ
ビリンスシ−ル体84は上記低速回転軸81に比べて十
分に高速度で回転駆動されるようになっている。
【0071】ところで、一般に、ラビリンスシ−ルは高
速回転軸に対しては有効であるが、低速回転軸に対して
はほとんどシ−ル効果を発揮しない。しかしながら、上
記構成によれば、低速回転軸81に対してラビリンスシ
−ル体84を高速回転するようにしたから、相対的に上
記低速回転軸81が高速回転していると見做すことがで
きる。
【0072】そのため、上記内周ラビリンス85bによ
って上記低速回転軸81の外周面がシ−ルされ、また外
周ラビリンス85aによってボス部83の内周面がシ−
ルされる。つまり、低速回転軸81を確実にシ−ルする
ことができる。
【0073】上記低速回転軸81の回転方向に対して上
記ラビリンスシ−ル体84の回転方向を逆にすれば、そ
れらの間の相対的な回転速度差が増大することになる。
したがって、これらの回転方向を逆にすれば、上記低速
回転軸81と内周ラビリンス85bとの間のシ−ル効果
を増大させることができる。
【0074】
【発明の効果】以上述べたように請求項1に記載された
この発明によれば、第1のリンクを回転駆動するだけ
で、その両端にそれぞれ第2、第3のリンクを介して設
けられた第1の保持体と第2の保持体とを、逆方向に進
退駆動することができる。
【0075】そのため、従来は別々の駆動源によって進
退駆動していた2つの保持体を、1つの保持体で駆動す
ることができるため、搬送装置の小形化や構成の簡略化
などを計ることができる。
【0076】請求項2に記載されたこの発明は、保持体
を進退駆動するためのリンク機構が設けられた回転テ−
ブルに、上記保持体が後退したときに、この保持体の保
持部に保持された被処理物を冷却または加熱するための
熱交換手段を設けるようにした。
【0077】そのため、処理された被処理物を冷却ある
いは加熱するための専用の工程が不要となるから、処理
装置の小形化や簡略化を計ることができる。請求項3に
記載された第3の発明によれば、未処理の被処理物を搬
入したり、処理ずみの被処理物を搬出するために、排気
室に設けられる搬出入機構が作動し、その内部の減圧状
態が損なわれるとき、上記排気室内に不活性ガスを供給
するようにした。
【0078】そのため、上記排気室内に大気が進入して
その内壁面に不純物が付着するのを防止できるから、上
記排気室を再び減圧する際、その作業を迅速に行うこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施例を示す搬送装置の斜視
図。
【図2】同じく(a)〜(c)は第1の保持体と第2の
保持体との動作説明図。
【図3】同じく処理装置全体の概略的構成図。
【図4】(a)、(b)は同じく排気室の密閉されたと
きと大気に開放されたときの断面図。
【図5】同じく図4(b)のV−V線に沿う断面図。
【図6】この発明の第2の実施例を示す搬送装置の斜視
図。
【図7】この発明の第3の実施例を示す搬送装置の斜視
図。
【図8】同じくバッファ板と冷却板との配置関係を示す
断面図。
【図9】この発明の第4の実施例を示す低速回転軸のシ
−ル構造の断面図。
【図10】従来の搬送装置の斜視図。
【符号の説明】
21…真空処理室、22…第1の仕切り弁、23…搬送
室、24…第2の仕切り弁、25…排気室、26…搬送
装置、28…回転テ−ブル、31…第1の駆動源、32
…第1のリンク、34…第2の駆動源、37…第2のリ
ンク、38…第1の保持体、39…第1の保持部、42
…第3のリンク、43…第2の保持体、44…第2の保
持部、46a…第1の同期機構、46b…第2の同期機
構、52…上部開口(開口部)、53…筐体、55…ア
クチュエ−タ、58…真空ポンプ、66、74…冷却
板。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理物を前後方向および回転方向に搬
    送位置決めする搬送装置において、 第1の駆動源によって回転駆動される回転テ−ブルと、
    この回転テ−ブルに中途部が回転自在に支持された一対
    の第1のリンクと、この第1のリンクの一端に基端部が
    回転自在に連結された一対の第2のリンクと、この第2
    のリンクの先端部に回転自在に連結され上記被処理物を
    保持する第1の保持部を有する第1の保持体と、上記第
    1のリンクの他端に基端部が回転自在に連結された一対
    の第3のリンクと、この第3のリンクの先端部に回転自
    在に連結され上記被処理物を保持する第2の保持部を有
    する第2の保持体と、上記第1のリンクの一方を回転駆
    動する第2の駆動源と、上記第1のリンクと第2のリン
    クとの連結部分および上記第1のリンクと第3のリンク
    との連結部分にそれぞれ設けられ上記第1のリンクの回
    転に上記第2のリンクと第3のリンクとを同期回転させ
    る同期機構とを具備したことを特徴とする被処理物の搬
    送装置。
  2. 【請求項2】 回転テ−ブルにリンク機構の基端部を回
    転自在に連結し、このリンク機構の先端部に被処理物を
    保持するための保持部を有する保持体が上記リンク機構
    の回転に同期するよう連結され、この保持体が上記リン
    ク機構によって進退駆動される搬送装置において、 上記回転テ−ブルには、上記保持体が後退したときに、
    この保持体の保持部に保持された被処理物を冷却または
    加熱するための熱交換手段が設けられていることを特徴
    とする被処理物の搬送装置。
  3. 【請求項3】 被処理物を処理するための真空処理室に
    搬送室と排気室とがそれぞれ仕切り弁を介して連設され
    てなり、上記搬送室には上記被処理物を上記真空処理室
    と上記排気室との間で受け渡す搬送装置が設けられ、上
    記排気室には真空ポンプおよび上記被処理物を外部に対
    して搬入、搬出する搬出入機構が設けられた処理装置に
    おいて、 上記搬出入機構は、上記排気室の側壁に形成された開口
    部に進退自在に設けられその内部に上記被処理物が着脱
    自在に保持されるとともに進入時に上記開口部を気密に
    閉塞する筐体と、この筐体を進退駆動するためのアクチ
    ュエ−タとからなるとともに、上記排気室には上記筐体
    が排気室の外部に突出する状態にあるときに、その内部
    に不活性ガスを供給するガス供給手段が設けられている
    ことを特徴とする被処理物の処理装置。
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