JP2002164407A - レーザアニール処理装置及び方法 - Google Patents
レーザアニール処理装置及び方法Info
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- JP2002164407A JP2002164407A JP2000358940A JP2000358940A JP2002164407A JP 2002164407 A JP2002164407 A JP 2002164407A JP 2000358940 A JP2000358940 A JP 2000358940A JP 2000358940 A JP2000358940 A JP 2000358940A JP 2002164407 A JP2002164407 A JP 2002164407A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 半導体製造における歩留まりを向上させるこ
とのできるレーザアニール処理装置及び方法を提供す
る。 【解決手段】 レーザアニール処理装置は、半導体用基
板を搬入出するためのロードロック室10と、半導体薄膜
が形成された半導体基板にレーザによるアニール処理を
行うアニール室と、前記ロードロック室10と前記アニー
ル室を真空雰囲気下で連通する搬送室11と、前記アニー
ル室内で前記半導体基板を搭載するステージ12Aを前記
半導体基板面を含む相直交するＸ、Ｙ方向に移動可能と
するＸＹ駆動系と、前記ロードロック室10内で前記半導
体基板の搬送向きを変えるための回転駆動系10Aとを備
える構成である。
とのできるレーザアニール処理装置及び方法を提供す
る。 【解決手段】 レーザアニール処理装置は、半導体用基
板を搬入出するためのロードロック室10と、半導体薄膜
が形成された半導体基板にレーザによるアニール処理を
行うアニール室と、前記ロードロック室10と前記アニー
ル室を真空雰囲気下で連通する搬送室11と、前記アニー
ル室内で前記半導体基板を搭載するステージ12Aを前記
半導体基板面を含む相直交するＸ、Ｙ方向に移動可能と
するＸＹ駆動系と、前記ロードロック室10内で前記半導
体基板の搬送向きを変えるための回転駆動系10Aとを備
える構成である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザアニール処
理装置及び方法に関し、特に、半導体基板を回転させる
回転駆動系をロードロック室内に設けることにより、液
晶等の半導体製品の歩留まりの向上に大いに貢献できる
ようにするための新規な改良に関する。
理装置及び方法に関し、特に、半導体基板を回転させる
回転駆動系をロードロック室内に設けることにより、液
晶等の半導体製品の歩留まりの向上に大いに貢献できる
ようにするための新規な改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、用いられていたこの種の装置とし
ては図で示される、例えば図５の構成を挙げることがで
きる。すなわち、図において、符号１で示されるものは
表面形状が長辺及び短辺の長方形からなる半導体基板２
を搬入出するためのロードロック室であり、図示しない
所定のカセットから取り出され、前記ロードロック室１
から搬入された半導体基板２は、搬送ロボット３Ａを備
える搬送室３を通過し、レーザによるアニール処理を行
うためのアニール室４内のＸＹθステージ４Ａに搭載さ
れる。
ては図で示される、例えば図５の構成を挙げることがで
きる。すなわち、図において、符号１で示されるものは
表面形状が長辺及び短辺の長方形からなる半導体基板２
を搬入出するためのロードロック室であり、図示しない
所定のカセットから取り出され、前記ロードロック室１
から搬入された半導体基板２は、搬送ロボット３Ａを備
える搬送室３を通過し、レーザによるアニール処理を行
うためのアニール室４内のＸＹθステージ４Ａに搭載さ
れる。
【０００３】このＸＹθステージ４Ａは、図５中に示す
ように半導体基板２を半導体基板面を含む相直交するＸ
方向及びＹ方向（図５参照）に移動可能とすると共に、
Ｘ方向からＹ方向に回転させる向き、即ちθ方向（図５
参照）に回転移動可能とするステージである。なお、本
明細書中において、半導体基板２を縦向きにするとは、
図５中のロードロック室１内に示す半導体基板２の方向
に、即ち、半導体基板２がロードロック室１からアニー
ル室４へ進行する向きに半導体基板２の長辺が向く方向
をいう。一方、半導体基板２を横向きにするとは、前記
縦向きとは９０°異なる方向へ回転させた向き、即ち、
半導体基板２がロードロック室１からアニール室４へ進
行する向きに半導体基板２の短辺が向く方向をいう。
ように半導体基板２を半導体基板面を含む相直交するＸ
方向及びＹ方向（図５参照）に移動可能とすると共に、
Ｘ方向からＹ方向に回転させる向き、即ちθ方向（図５
参照）に回転移動可能とするステージである。なお、本
明細書中において、半導体基板２を縦向きにするとは、
図５中のロードロック室１内に示す半導体基板２の方向
に、即ち、半導体基板２がロードロック室１からアニー
ル室４へ進行する向きに半導体基板２の長辺が向く方向
をいう。一方、半導体基板２を横向きにするとは、前記
縦向きとは９０°異なる方向へ回転させた向き、即ち、
半導体基板２がロードロック室１からアニール室４へ進
行する向きに半導体基板２の短辺が向く方向をいう。
【０００４】このようなレーザアニール処理装置におい
て、ロードロック室１内に搬入された半導体基板２は、
搬送ロボット３Ａによりアニール室４内のＸＹθステー
ジ４Ａ（図６参照）に搭載され、縦向きのまま、あるい
は、９０°回転されて横向きとされ、レーザ照射口５か
ら照射されるレーザ光により、半導体基板表面に形成さ
れた例えば液晶用等の半導体薄膜のアニール処理が行わ
れる。半導体基板２を縦向き又は横向きのいずれでアニ
ール処理を行うかは、半導体基板２の上に形成される半
導体薄膜の種類・用途等によって決定される。なお、横
向きでアニール処理を受けた半導体基板２は、ＸＹθス
テージ４Ａにより−９０°回転され、再び搬送ロボット
３Ａによってロードロック室１に搬送されて取り出され
ていた。
て、ロードロック室１内に搬入された半導体基板２は、
搬送ロボット３Ａによりアニール室４内のＸＹθステー
ジ４Ａ（図６参照）に搭載され、縦向きのまま、あるい
は、９０°回転されて横向きとされ、レーザ照射口５か
ら照射されるレーザ光により、半導体基板表面に形成さ
れた例えば液晶用等の半導体薄膜のアニール処理が行わ
れる。半導体基板２を縦向き又は横向きのいずれでアニ
ール処理を行うかは、半導体基板２の上に形成される半
導体薄膜の種類・用途等によって決定される。なお、横
向きでアニール処理を受けた半導体基板２は、ＸＹθス
テージ４Ａにより−９０°回転され、再び搬送ロボット
３Ａによってロードロック室１に搬送されて取り出され
ていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の装置は以上のよ
うに構成されていたため、次のような課題が存在してい
た。すなわち、半導体基板２は所定のカセット内に縦向
き（長辺が奥行き方向と平行になる向き）に収納する必
要があり、ロードロック室１内にも縦向きで搬入される
が、アニール室４内で横向きにしてアニール処理を行い
たい場合にも縦向きのままロードロック室１から搬送室
３を通過してアニール室４へと搬送しなければならなか
った。
うに構成されていたため、次のような課題が存在してい
た。すなわち、半導体基板２は所定のカセット内に縦向
き（長辺が奥行き方向と平行になる向き）に収納する必
要があり、ロードロック室１内にも縦向きで搬入される
が、アニール室４内で横向きにしてアニール処理を行い
たい場合にも縦向きのままロードロック室１から搬送室
３を通過してアニール室４へと搬送しなければならなか
った。
【０００６】このため、横向きでアニール処理を行うた
めには、半導体基板２を縦向きでアニール室４内に搬送
した後に、ＸＹθステージ４Ａで９０°回転させて横向
きにしなければならず、このように回転させる作業に要
する所定の時間が不可欠であった。特にこの方式で連続
処理を行うと、半導体基板２の一枚当たりの処理時間
に、回転させるための所定時間が付加されてしまうた
め、縦向きのままアニール処理を行う場合（即ち９０°
の回転作業が不要の場合）に比べ、処理時間がかなり長
くなってしまうという課題があった。
めには、半導体基板２を縦向きでアニール室４内に搬送
した後に、ＸＹθステージ４Ａで９０°回転させて横向
きにしなければならず、このように回転させる作業に要
する所定の時間が不可欠であった。特にこの方式で連続
処理を行うと、半導体基板２の一枚当たりの処理時間
に、回転させるための所定時間が付加されてしまうた
め、縦向きのままアニール処理を行う場合（即ち９０°
の回転作業が不要の場合）に比べ、処理時間がかなり長
くなってしまうという課題があった。
【０００７】本発明は、以上のような課題を解決するた
めになされたもので、特に、横向きでアニール処理を行
う場合でもアニール処理に要する時間を短縮させること
ができるレーザアニール処理装置及び方法を提供するこ
とを目的とする。
めになされたもので、特に、横向きでアニール処理を行
う場合でもアニール処理に要する時間を短縮させること
ができるレーザアニール処理装置及び方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザアニール
処理装置は、半導体用基板を搬入出するためのロードロ
ック室と、半導体薄膜が形成された半導体基板にレーザ
によるアニール処理を行うアニール室と、前記ロードロ
ック室と前記アニール室を真空雰囲気下で連通する搬送
室と、前記アニール室内で前記半導体基板を搭載するス
テージを前記半導体基板面を含む相直交するＸ、Ｙ方向
に移動可能とするＸＹ駆動系と、前記ロードロック室内
で前記半導体基板の搬送向きを変えるための回転駆動系
とを備える構成であり、また、前記回転駆動系の回転駆
動部は、前記ロードロック室外に設けられている構成で
あり、さらに、前記ＸＹ駆動系のうち、前記半導体基板
をＸ方向に移動させるＸ方向駆動部又はＹ方向に移動さ
せるＹ方向駆動部のいずれか一方は、前記アニール室外
に設けられている構成である。また、本発明のレーザア
ニール処理方法は、ロードロック室内に縦向きに搬入し
た半導体基板を前記半導体基板面内で９０°回転させて
横向きとする工程と、横向きとした前記半導体基板をア
ニール室へと搬入し、アニール処理後に前記半導体基板
を横向きのまま前記ロードロック室へと移動させる工程
と、前記ロードロック室内で−９０°回転させ、前記半
導体基板を縦向きとしてから前記ロードロック室から取
り出す工程とを備える構成であり、また、前記半導体基
板を９０°回転させる工程は、該半導体基板の前にアニ
ール処理が行われる他の半導体基板が前記アニール室内
でアニール処理を受けている間に行われる構成であり、
さらに、半導体基板を−９０°回転させる工程は、該半
導体基板の次にアニール処理が行われる他の半導体基板
がアニール室内でアニール処理を受けている間に行われ
る構成である。
処理装置は、半導体用基板を搬入出するためのロードロ
ック室と、半導体薄膜が形成された半導体基板にレーザ
によるアニール処理を行うアニール室と、前記ロードロ
ック室と前記アニール室を真空雰囲気下で連通する搬送
室と、前記アニール室内で前記半導体基板を搭載するス
テージを前記半導体基板面を含む相直交するＸ、Ｙ方向
に移動可能とするＸＹ駆動系と、前記ロードロック室内
で前記半導体基板の搬送向きを変えるための回転駆動系
とを備える構成であり、また、前記回転駆動系の回転駆
動部は、前記ロードロック室外に設けられている構成で
あり、さらに、前記ＸＹ駆動系のうち、前記半導体基板
をＸ方向に移動させるＸ方向駆動部又はＹ方向に移動さ
せるＹ方向駆動部のいずれか一方は、前記アニール室外
に設けられている構成である。また、本発明のレーザア
ニール処理方法は、ロードロック室内に縦向きに搬入し
た半導体基板を前記半導体基板面内で９０°回転させて
横向きとする工程と、横向きとした前記半導体基板をア
ニール室へと搬入し、アニール処理後に前記半導体基板
を横向きのまま前記ロードロック室へと移動させる工程
と、前記ロードロック室内で−９０°回転させ、前記半
導体基板を縦向きとしてから前記ロードロック室から取
り出す工程とを備える構成であり、また、前記半導体基
板を９０°回転させる工程は、該半導体基板の前にアニ
ール処理が行われる他の半導体基板が前記アニール室内
でアニール処理を受けている間に行われる構成であり、
さらに、半導体基板を−９０°回転させる工程は、該半
導体基板の次にアニール処理が行われる他の半導体基板
がアニール室内でアニール処理を受けている間に行われ
る構成である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明によるレ
ーザアニール処理装置及び方法の好適な実施の形態につ
いて詳細に説明する。なお、従来装置と同一または同等
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
ーザアニール処理装置及び方法の好適な実施の形態につ
いて詳細に説明する。なお、従来装置と同一または同等
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００１０】図１に示すように、本発明のレーザアニー
ル処理装置は、ロードロック室１０内に半導体基板２の
向きを変えるための回転駆動系１０Ａを備える。即ち、
図２に示すような回転駆動系１０Ａを用いれば、縦向き
でロードロック室１０内に搬入された半導体基板２を９
０°回転させて横向きにすることができる。また、搬送
室１１は、半導体基板２を横向きのまま搬送ロボット１
１Ａで搬送できるように幅広に構成されている。搬送ロ
ボット１１Ａは、図３に示すように２つのアームを備え
る。
ル処理装置は、ロードロック室１０内に半導体基板２の
向きを変えるための回転駆動系１０Ａを備える。即ち、
図２に示すような回転駆動系１０Ａを用いれば、縦向き
でロードロック室１０内に搬入された半導体基板２を９
０°回転させて横向きにすることができる。また、搬送
室１１は、半導体基板２を横向きのまま搬送ロボット１
１Ａで搬送できるように幅広に構成されている。搬送ロ
ボット１１Ａは、図３に示すように２つのアームを備え
る。
【００１１】アニール室１２はＸＹステージ１２Ａを備
える。このＸＹステージ１２Ａは、アニール処理に際し
て半導体基板２をＸ方向（アニール室奥向きの方向）及
びＹ方向（アニール室の幅方向）に移動させることので
きるＸＹ駆動系１３を備える。なお、図４には、ＸＹ駆
動系１３のうちのＹ方向駆動部のみを示す。また、従来
のようにθ方向に回転させる機構をアニール室１２内に
備えないため、Ｘ方向駆動部又はＹ方向駆動部のいずれ
か一方をアニール室１２の外部に設置することも可能で
ある。即ち、ＸＹの２軸方向に駆動できれば足りるた
め、例えば、Ｘ方向駆動部、Ｙ方向駆動部を縦に重ねて
駆動させることにより、ＸＹステージ１２Ａを移動させ
るように構成する場合に、Ｘ方向駆動部、Ｙ方向駆動部
のいずれか一方をアニール室外部に設置し、その外部駆
動部からアニール室１２の真空を破ることなく動力をＸ
Ｙステージに伝達すれば、アニール室１２内には他の軸
方向の駆動部のみを配備すれば足りることになる。な
お、図４の構成では、図示しないＸ方向駆動部がアニー
ル室１２の外部に設置されている。
える。このＸＹステージ１２Ａは、アニール処理に際し
て半導体基板２をＸ方向（アニール室奥向きの方向）及
びＹ方向（アニール室の幅方向）に移動させることので
きるＸＹ駆動系１３を備える。なお、図４には、ＸＹ駆
動系１３のうちのＹ方向駆動部のみを示す。また、従来
のようにθ方向に回転させる機構をアニール室１２内に
備えないため、Ｘ方向駆動部又はＹ方向駆動部のいずれ
か一方をアニール室１２の外部に設置することも可能で
ある。即ち、ＸＹの２軸方向に駆動できれば足りるた
め、例えば、Ｘ方向駆動部、Ｙ方向駆動部を縦に重ねて
駆動させることにより、ＸＹステージ１２Ａを移動させ
るように構成する場合に、Ｘ方向駆動部、Ｙ方向駆動部
のいずれか一方をアニール室外部に設置し、その外部駆
動部からアニール室１２の真空を破ることなく動力をＸ
Ｙステージに伝達すれば、アニール室１２内には他の軸
方向の駆動部のみを配備すれば足りることになる。な
お、図４の構成では、図示しないＸ方向駆動部がアニー
ル室１２の外部に設置されている。
【００１２】以上のような本発明のレーザアニール処理
装置において、次回のアニール処理に供しようとする半
導体基板２をロードロック室１０に搬入し、現在アニー
ル室１２内で他の半導体基板２のアニール処理が行われ
ている間に、次回のアニール処理を行うための半導体基
板２を回転駆動系１０Ａで９０°回転させておけば、前
記他の半導体基板２のアニール処理が終了した後に直ち
に横向きのまま当該半導体基板２を搬送室１１を経てア
ニール室１２内のＸＹステージ１２Ａに搭載することが
できる。なお、半導体基板２のサイズは種々あるが、例
えば、長辺４００〜７００ｍｍ、短辺３００〜６００ｍ
ｍ程度である。
装置において、次回のアニール処理に供しようとする半
導体基板２をロードロック室１０に搬入し、現在アニー
ル室１２内で他の半導体基板２のアニール処理が行われ
ている間に、次回のアニール処理を行うための半導体基
板２を回転駆動系１０Ａで９０°回転させておけば、前
記他の半導体基板２のアニール処理が終了した後に直ち
に横向きのまま当該半導体基板２を搬送室１１を経てア
ニール室１２内のＸＹステージ１２Ａに搭載することが
できる。なお、半導体基板２のサイズは種々あるが、例
えば、長辺４００〜７００ｍｍ、短辺３００〜６００ｍ
ｍ程度である。
【００１３】従って、半導体基板２を横向きにしてアニ
ール処理を行う場合には、従来のようにアニール室１２
に半導体基板２を縦向きで搬入してから９０°回転させ
て横向きにする必要がないので、即ち、他の半導体基板
２のアニール処理中にロードロック室１０内で予め横向
きに回転させておくことができるので、従来アニール室
１２内で９０°回転させるのに要していた時間を削減で
きる。
ール処理を行う場合には、従来のようにアニール室１２
に半導体基板２を縦向きで搬入してから９０°回転させ
て横向きにする必要がないので、即ち、他の半導体基板
２のアニール処理中にロードロック室１０内で予め横向
きに回転させておくことができるので、従来アニール室
１２内で９０°回転させるのに要していた時間を削減で
きる。
【００１４】また、本発明のレーザアニール処理装置及
び方法によれば、横向きでアニール処理を行った後にそ
のまま（横向きのまま）ロードロック室１０に移動さ
せ、さらに次の半導体基板２をアニール室１２に搬入し
てアニール処理を行っている間に、ロードロック室１０
内で当該半導体基板２を−９０°回転させて縦向きにし
て取り出すことができるので、従来搬出の際にアニール
室１２内で−９０°回転させるのに要していた時間を削
減できる。以上の結果、本発明のレーザアニール処理装
置及び方法によれば、半導体素子の製造における歩留ま
りを大幅に向上させることができる。
び方法によれば、横向きでアニール処理を行った後にそ
のまま（横向きのまま）ロードロック室１０に移動さ
せ、さらに次の半導体基板２をアニール室１２に搬入し
てアニール処理を行っている間に、ロードロック室１０
内で当該半導体基板２を−９０°回転させて縦向きにし
て取り出すことができるので、従来搬出の際にアニール
室１２内で−９０°回転させるのに要していた時間を削
減できる。以上の結果、本発明のレーザアニール処理装
置及び方法によれば、半導体素子の製造における歩留ま
りを大幅に向上させることができる。
【００１５】なお、本明細書において、半導体基板とは
半導体素子作製用の基板単体のほか、半導体素子用の何
某かの薄膜を形成した状態の基板をも含む意味であり、
また、半導体素子とは、いわゆるＬＳＩ等の通常の半導
体素子のみならず、液晶等も含む意味である。
半導体素子作製用の基板単体のほか、半導体素子用の何
某かの薄膜を形成した状態の基板をも含む意味であり、
また、半導体素子とは、いわゆるＬＳＩ等の通常の半導
体素子のみならず、液晶等も含む意味である。
【００１６】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、横向きで
搬送してアニール処理を行うことができ、また、半導体
基板にアニール処理を行っている間に、次の半導体基板
をロードロック室内で９０°回転させることができるの
で、半導体素子の製造における歩留まりを大幅に向上さ
せることができる。また、半導体素子をロードロック室
から取り出すために−９０°回転させる工程も次の半導
体素子のアニール処理中に行うことができるので、さら
に歩留まりを大幅に向上させることができるレーザアニ
ール処理装置を提供することができる。請求項２記載の
発明によれば、半導体素子の製造環境をよりクリーンな
ものとすることができる。請求項３記載の発明によれ
ば、半導体素子の製造環境をよりクリーンなものとする
ことができる。請求項４記載の発明によれば、横向きで
搬送してアニール処理を行うことができるので、半導体
素子の製造における歩留まりを大幅に向上させたレーザ
アニール処理方法を提供することができる。請求項５記
載の発明によれば、半導体基板にアニール処理を行って
いる間に、次の半導体基板をロードロック室内で９０°
回転させることができるので、従来アニール室内で９０
°回転させるのに要していた時間を削減し、歩留まりを
大幅に向上させることができるレーザアニール処理方法
を提供することができる。請求項６記載の発明によれ
ば、また、半導体素子をロードロック室から取り出すた
めに−９０°回転させる工程も次の半導体素子のアニー
ル処理中に行うことができるので、従来アニール室内で
−９０°回転させるのに要していた時間を削減し、さら
に歩留まりを大幅に向上させることができるレーザアニ
ール処理方法を提供することができる。
搬送してアニール処理を行うことができ、また、半導体
基板にアニール処理を行っている間に、次の半導体基板
をロードロック室内で９０°回転させることができるの
で、半導体素子の製造における歩留まりを大幅に向上さ
せることができる。また、半導体素子をロードロック室
から取り出すために−９０°回転させる工程も次の半導
体素子のアニール処理中に行うことができるので、さら
に歩留まりを大幅に向上させることができるレーザアニ
ール処理装置を提供することができる。請求項２記載の
発明によれば、半導体素子の製造環境をよりクリーンな
ものとすることができる。請求項３記載の発明によれ
ば、半導体素子の製造環境をよりクリーンなものとする
ことができる。請求項４記載の発明によれば、横向きで
搬送してアニール処理を行うことができるので、半導体
素子の製造における歩留まりを大幅に向上させたレーザ
アニール処理方法を提供することができる。請求項５記
載の発明によれば、半導体基板にアニール処理を行って
いる間に、次の半導体基板をロードロック室内で９０°
回転させることができるので、従来アニール室内で９０
°回転させるのに要していた時間を削減し、歩留まりを
大幅に向上させることができるレーザアニール処理方法
を提供することができる。請求項６記載の発明によれ
ば、また、半導体素子をロードロック室から取り出すた
めに−９０°回転させる工程も次の半導体素子のアニー
ル処理中に行うことができるので、従来アニール室内で
−９０°回転させるのに要していた時間を削減し、さら
に歩留まりを大幅に向上させることができるレーザアニ
ール処理方法を提供することができる。
【図１】本発明によるレーザアニール処理装置を概略的
に示す構成図である。
に示す構成図である。
【図２】本発明によるレーザアニール処理装置のロード
ロック室内の構造を概略的に示す断面図である。
ロック室内の構造を概略的に示す断面図である。
【図３】本発明によるレーザアニール処理装置の搬送ロ
ボットの構成を示す斜視図である。
ボットの構成を示す斜視図である。
【図４】本発明によるレーザアニール処理装置のＸＹス
テージの構造を概略的に示す斜視図である。
テージの構造を概略的に示す斜視図である。
【図５】従来のレーザアニール処理装置を概略的に示す
構成図である。
構成図である。
【図６】従来のレーザアニール処理装置のＸＹθステー
ジの構成を概略的に示す斜視図である。
ジの構成を概略的に示す斜視図である。
２ 半導体基板 ５ レーザ照射口 １０ ロードロック室 １０Ａ 回転駆動系 １１ 搬送室 １１Ａ 搬送ロボット １２ アニール室 １２Ａ ＸＹステージ １２ アニール室 １３ ＸＹ駆動系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐塚 祐貴 神奈川県横浜市金沢区福浦２丁目２番１号 株式会社日本製鋼所内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA04 GA02 GA47 MA30 NA05 PA23
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体用基板を搬入出するためのロード
ロック室(10)と、 半導体薄膜が形成された半導体基板(2)にレーザによる
アニール処理を行うアニール室(12)と、 前記ロードロック室(10)と前記アニール室(12)を真空雰
囲気下で連通する搬送室(11)と、 前記アニール室(12)内で前記半導体基板(2)を搭載する
ステージ(12A)を前記半導体基板(2)面を含む相直交する
Ｘ、Ｙ方向に移動可能とするＸＹ駆動系(13)と、 前記ロードロック室(10)内で前記半導体基板(2)の搬送
向きを変えるための回転駆動系(10A)とを備えることを
特徴とするレーザアニール処理装置。 - 【請求項２】 前記回転駆動系(10A)の回転駆動部(10B)
は、前記ロードロック室(10)外に設けられていることを
特徴とする請求項１記載のレーザアニール処理装置。 - 【請求項３】 前記ＸＹ駆動系(13)のうち、前記半導体
基板(2)をＸ方向に移動させるＸ方向駆動部又はＹ方向
に移動させるＹ方向駆動部のいずれか一方は、前記アニ
ール室(12)外に設けられていることを特徴とする請求項
１または２記載のレーザアニール処理装置。 - 【請求項４】 ロードロック室(10)内に縦向きに搬入し
た半導体基板(2)を前記半導体基板(2)面内で９０°回転
させて横向きにする工程と、 横向きとした前記半導体基板(2)をアニール室(12)へと
搬入し、アニール処理後に前記半導体基板(2)を横向き
のまま前記ロードロック室(10)へと移動させる工程と、 前記ロードロック室(10)内で−９０°回転させ、前記半
導体基板(2)を縦向きとしてから前記ロードロック室(1
0)から取り出す工程とを備えることを特徴とするレーザ
アニール処理方法。 - 【請求項５】 前記半導体基板(2)を９０°回転させる
工程は、該半導体基板(2)の前にアニール処理が行われ
る他の半導体基板(2)が前記アニール室(12)内でアニー
ル処理を受けている間に行われることを特徴とする請求
項４記載のレーザアニール処理方法。 - 【請求項６】 前記半導体基板(2)を−９０°回転させ
る工程は、該半導体基板(2)の次にアニール処理が行わ
れる他の半導体基板(2)が前記アニール室(12)内でアニ
ール処理を受けている間に行われることを特徴とする請
求項４記載のレーザアニール処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000358940A JP2002164407A (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | レーザアニール処理装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000358940A JP2002164407A (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | レーザアニール処理装置及び方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002164407A true JP2002164407A (ja) | 2002-06-07 |
Family
ID=18830771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000358940A Pending JP2002164407A (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | レーザアニール処理装置及び方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002164407A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100965413B1 (ko) * | 2008-04-18 | 2010-06-25 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 기판 처리용 클러스터 장치 및 클러스터 장치의 기판 처리방법 |
| CN101988193A (zh) * | 2009-08-05 | 2011-03-23 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 湿式镀膜系统 |
| KR20130069549A (ko) | 2010-04-12 | 2013-06-26 | 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 | 레이저 처리 장치 |
| JP2017041523A (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
| CN117253828A (zh) * | 2023-11-16 | 2023-12-19 | 深圳市星汉激光科技股份有限公司 | 一种用于半导体晶圆加热退火的半导体激光器 |
-
2000
- 2000-11-27 JP JP2000358940A patent/JP2002164407A/ja active Pending
Cited By (6)
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| CN117253828A (zh) * | 2023-11-16 | 2023-12-19 | 深圳市星汉激光科技股份有限公司 | 一种用于半导体晶圆加热退火的半导体激光器 |
| CN117253828B (zh) * | 2023-11-16 | 2024-02-20 | 深圳市星汉激光科技股份有限公司 | 一种用于半导体晶圆加热退火的半导体激光器 |
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