CN101988193A - 湿式镀膜系统 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种湿式镀膜系统，其包括选择性地相互连通的一个镀膜室、一个退火室及一个设置在该退火室上的腔门。该镀膜室内包括一个用于对至少一个待镀膜基板进行镀膜的湿式镀膜装置及一个夹持手臂。该夹持手臂用于夹持该湿式镀膜装置并驱动该湿式镀膜装置在镀膜室及退火室内自由移动。该至少一个待镀膜基板在该湿式镀膜装置上的装卸通过该腔门在该退火室内进行。该退火室内包括一加热装置，该加热装置用于对该湿式镀膜装置产生的镀膜基板进行加热，该加热后的镀膜基板在该退火室内冷却。该湿式镀膜系统，通过在相互连通的镀膜室、退火室内进行镀膜及加热，从而可避免因该镀膜基板在空气中的移动而带来的氧化问题，提升了镀膜良率。

Description

湿式镀膜系统
技术领域
本发明涉及一种镀膜技术，尤其涉及一种湿式镀膜系统。
背景技术
目前，薄膜制备技术一般分为干式镀膜与湿式镀膜两种方法。其中，湿式镀膜工艺具有制程设备简单、便宜、沉积速率快、易控制沉积厚度及特性、制程温度低、不受限于形状复杂之基板、适用于多样性材料、更可将薄膜制备于软性基材上等优点。故，近年来湿式镀膜工艺已广泛被用来沉积陶瓷、高分子、金属等材料的镀层。湿式镀膜产生的已镀膜的基板一般需要进行退火工艺，即将已镀膜的基板加热至400～500℃并持续一段时间后，慢慢冷却，从而使该基板上的薄膜达到一定的性能。
但是，将基板从镀膜工艺到退火工艺的转移过程中，由于该镀膜基板暴露在空气中，容易造成该镀膜基板刚镀上的薄膜层被氧化。因此，该镀膜基板镀膜完成后，会造成该镀膜基板的薄膜层品质不佳，从而造成镀膜良率下降。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种能提升镀膜良率的湿式镀膜系统。
一种湿式镀膜系统，其包括选择性地相互连通的一个镀膜室、一个退火室及一个设置在该退火室上的腔门。该镀膜室内包括一个用于对至少一个待镀膜基板进行镀膜的湿式镀膜装置及一个夹持手臂。该夹持手臂用于夹持该湿式镀膜装置并驱动该湿式镀膜装置在镀膜室及退火室内自由移动。该至少一个待镀膜基板在该湿式镀膜装置上的装卸通过该腔门在该退火室内进行。该退火室内包括一加热装置，该加热装置用于对该湿式镀膜装置产生的镀膜基板进行加热，该加热后的镀膜基板在该退火室内冷却。
与现有技术相比，所述湿式镀膜系统，通过在相互连通的镀膜室、退火室内进行镀膜及加热，从而可避免因该镀膜基板在空气中的移动而带来的氧化问题，提升了镀膜良率。
附图说明
图1为本发明一种实施方式提供的湿式镀膜系统的结构示意图。
图2为图1中的湿式镀膜系统的湿式镀膜装置的立体示意图。
图3为图1中的湿式镀膜系统的另一种湿式镀膜装置的立体示意图。
图4为图3中沿IV-IV线的湿式镀膜装置的夹持单元的剖面示意图。
图5为图1中的湿式镀膜系统的又一种湿式镀膜装置的立体示意图。
图6为图5中沿VI-VI线的湿式镀膜装置的剖面示意图。
图7为图1中的湿式镀膜系统的再一种湿式镀膜装置的立体示意图。
图8为图7中沿VII-VII线的湿式镀膜装置的剖面示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明实施方式作进一步的详细说明。
请参阅图1，为本发明一种实施方式提供的湿式镀膜系统70，其包括相互连通的一个镀膜室71、一个退火室72、一个装卸室73及一个设置在该装卸室73上的腔门74。
该镀膜室71内包括一个用于对至少一个待镀膜基板101进行镀膜的湿式镀膜装置100及一个夹持手臂77。在本实施方式中，该夹持手臂77为机械手臂，其用于夹持该湿式镀膜装置100并驱动该湿式镀膜装置100在镀膜室71、退火室72及装卸室73内自由移动。优选地，该镀膜室71与该退火室72之间、该退火室72与该装卸室73之间均存在一个自动门75。当该夹持手臂77移动至自动门75前时，该自动门75自动打开；当该夹持手臂77远离自动门75时，该自动门75自动关闭。该待镀膜基板101通过在一定时间内浸泡在一待镀液体102中以达到镀膜目的。该待镀液体102承载在一容器104中，且该待镀液体102一般具有挥发性，当该镀膜室71内存在多种待镀液体102时，其挥发的气体会存在相互干扰待镀液体102的现象，使得待镀液体102的纯度不高，从而该待镀膜基板101的镀膜品质不佳。优选地，该镀膜室71还包括一个用于导入氮气的进气装置710及一个用于导出气体的排气装置711。该进气装置710通入的氮气不易发生化学反应，对镀膜工艺没有影响。该排气装置711优选为排气泵，从而该排气装置711产生较大压强，加速导走该镀膜室71内的挥发气体。为了便于该镀膜室71内的待镀液体102的排放，该镀膜室71还包括带有第一开关阀门7130的排液管713，该排液管713具有排液岔管7131，每个排液岔管7131与对应的容器104相通并利用第一开关阀门7130排放该多个容器104内的待镀液体102。优选地，每个排液岔管7131设置在对应的容器104的底壁。再优选地，该镀膜室71内还包括与该排液管713对应的进液管714，该进液管714带有一个第二开关阀门7140并包括多个进液岔管7141，每个进液岔管7141利用第二开关阀门7140将待镀液体102注入到该多个容器104内。
退火室72内包括一个加热装置721，该加热装置721用于对该湿式镀膜装置100镀膜后的待镀膜基板101进行加热，使膜层表面的附着性增加。在本实施方式中，该加热装置721对该已镀膜的待镀膜基板101加热至400℃～500℃，并持续一段时间，然后停止加热，使该已镀膜的待镀膜基板101自然冷却。优选地，该加热装置721为电阻丝或加热炉管。优选地，该退火室72内还包括一个温度传感器723及一个与该温度传感器723电性连接的控制器725，该温度传感器723用于检测该加热装置721的温度并将检测结果传送至该控制器725，该控制器725用于根据该检测结果实时控制该加热装置721进行加热。
该已镀膜的待镀膜基板101完成加热后，由该夹持手臂77移动至装卸室73内，在该装卸室73内自然冷却。可以理解，该待镀膜基板101的装卸通过腔门74在该装卸室73内进行。所述湿式镀膜系统10，通过在相互连通的镀膜室71、退火室72及装卸室73内进行镀膜及加热，从而可避免该已镀膜的待镀膜基板101在空气中的氧化问题，提升了镀膜良率。
请结合图2，为湿式镀膜系统70中的一种湿式镀膜装置100包括分别用于夹持该多个待镀膜基板101的多个夹持单元11、一个本体12及用于连接该多个夹持单元11与该本体12的多个连接体13。
本体12包括一个顶壁121、多个首尾相接的侧壁123及一个与该顶壁121相对的底壁125。该多个侧壁123连接该顶壁121与该底壁125。
每个夹持单元11均包括一个悬臂110及一个夹持件113。该悬臂110包括相对的两个端面110a、110b及一个连接该两个端面110a、110b的侧面110c。每个连接体13的一端固接一悬臂110的侧面110c，该连接体13的另一端固接该本体121的其中一个侧壁123。该夹持件113设置在该悬臂110远离该本体12的端面110b上，该夹持件113用于夹持该待镀膜基板101，优选地，该夹持件113为夹爪。在本实施方式中，该待镀膜基板101的数量为6个，该夹持单元11、该待镀液体102、该容器104、该侧壁123与该待镀膜基板101的数量一一对应，可以理解，该待镀膜基板101的数量可以更多或者更少。
进一步，为了监控该待镀膜基板101进行镀膜，湿式镀膜装置100还包括一个固接在该悬臂110的另一个端面11a上的监控器15。该监控器15用于监控该待镀膜基板101进行镀膜，如监控该带镀膜基板101浸润在该待镀液体102中的深度、时间等镀膜参数。当该待镀膜基板101达到最佳浸润时间时，该监控器15可发出报警动作以提示作业人员。在本实施方式中，该监控器15采用以下方式实现自动监控功能。该夹持件113设置有一个与该监控器15电性连接的传感器1131，该传感器1131用于采集数据(如电压值、电流值)，并将数据传输至该监控器15。当该夹持件113协同该传感器1131进入该待镀液体102中时，该传感器1131根据该待镀液体102产生信号，并将该信号传递至该监控器15。该监控器15根据该传感器1131的信号，掌控该待镀膜基板101浸润在该待镀液体102中的深度、时间。该监控器15与该传感器1131通过导线(图未示)电性连接，可以理解，该导线可以埋藏在该夹持单元11内。具体地，当该传感器1131接触到该待镀液体102时，该传感器1131的电压(也可以是电流)发生巨大变化，该监控器15接收到该传感器1131的电压发生巨大变化时，该监控器15提示作业人员：该待镀膜基板101已以最佳的形式浸润在该待镀液体102中，并且该监控器15开始计时，当该监控器15计算到该待镀膜基板101在该待镀液体102中的最佳浸润时间时，该监控器15提示作业人员：该待镀膜基板101已在该待镀液体102中到达最佳浸润时间。
本实施方式提供的湿式镀膜装置100通过设置6个夹持单元11，以使该6个夹持单元分别夹持6个带镀膜基板101，从而该湿式镀膜装置100能同时对该6个带镀膜基板101进行镀膜，使该湿式镀膜装置100具有高生产率。
请一并参阅图3及图4，为湿式镀膜系统70中的另一种湿式镀膜装置200，其与湿式镀膜装置100的区别在于：该湿式镀膜装置200的每个夹持单元21还包括一个传动件212，该传动件212的一端连接该悬臂210，该传动件212的另一端连接该夹持件213；该悬臂210为中空的且包括一个内顶壁2101，该悬臂210的内表面上开设有第一内螺纹2108，该传动件212的外表面开设有与该第一内螺纹2108相螺合的第一外螺纹2121，该悬臂210与该传动件212相螺合以使该传动件212可被该悬臂210的第一内螺纹2108导引移动；该悬臂210内的内顶壁2101上设置有一个与该监控器25电性连接并受该监控器25控制的马达2100及一个与该内顶壁2101垂直的转轴2102，该传动件212靠近该转轴2102的一端开设有一个用于收容该转轴2102的凹槽2120，该转轴2102一端与该马达2100固定，该转轴2102的另一端与该传动件212相螺合并收容在该凹槽2120内，该转轴2102的外表面设置有第二外螺纹2104，该凹槽2120内壁设置有与该第二外螺纹2104相螺合的第二内螺纹2122，且第一内螺纹2108与第二内螺纹2122同步；该监控器25控制该马达2100带动该转轴2102旋转，以使该传动件212的第一外螺纹2121与该悬臂210的第一内螺纹2108相配合，从而使该转轴2102的第二外螺纹2104与该传动件212的第二内螺纹2122相螺合，进而使该传动件212在该悬臂210内自由伸缩。
由于该传动件212能在该悬臂210内自由伸缩，故，该传动件212带动该夹持件213协同该带镀膜基板101可被该悬臂210导引移动。因此，该监控器25监控到该待镀膜基板101的最佳浸润深度时，该监控器25控制该马达2100停止转动；该监控器25监控到该待镀膜基板101的最佳浸润时间时，控制该马达2100带动该传动件212以使该带镀膜基板101从待镀液体102中拉出。可以理解，驱动该传动件212被该悬臂210的内螺纹2108导引移动的方式不局限于本实施方式中的马达200。与该湿式镀膜装置100相比，该湿式镀膜装置200除具有该湿式镀膜装置100的有益效果之外，该湿式镀膜装置200还能自动将该待镀膜基板101进行浸入或拉出待镀液体102中，实现该湿式镀膜装置200的智能控制，降低作业人员的劳动强度。
请一并参阅图5及图6，为湿式镀膜系统70的又一种湿式镀膜装置300，其与湿式镀膜装置100的区别在于：该湿式镀膜装置300的本体32、连接体33及悬臂310均为中空的，且该本体32、该连接体33及该悬臂310相互连通；该本体32的顶壁321开设有一个入风口3210，该悬臂310的端面310b开设有与该入风口3210相通的多个出风口311；该监控器35还用于监控该待镀膜基板101的烘烤温度、烘烤时间等参数。
优选地，在该入风口3210设置一个吹风机36，该监控器35与该吹风机36电性连接并控制该吹风机36的运转。当该待镀膜基板101从该待镀液体102撤离时，该监控器35控制该吹风机36往该入风口3210进风，以使残留在该待镀膜基板101上的待镀液体102迅速发挥。优选地，从该入风口3210进的风为氮气，由于该氮气不会影响该待镀膜基板101及该待镀液体102的组成成分，因此，该待镀膜基板101的镀膜质量不会受到影响。该监控器35监控到该待镀膜基板101达到最佳烘烤温度以及最佳烘烤时间时，该监控器35控制该吹风机36停止运转。与该湿式镀膜装置100相比，该湿式镀膜装置300除具有该湿式镀膜装置100的有益效果之外，该湿式镀膜装置300通过经由该入风口3210进热风，将该热风从该多个出风口311吹出，从而将残留在该待镀膜基板101上的待镀液体102迅速发挥。因此，该已镀膜的基板在转移的过程中，由于避免在空气中暴露，从而不会受到空气的腐蚀或氧化，使得该已镀膜的基板的镀膜品质较佳。
请一并参阅图7至图8，为湿式镀膜系统70的再一种湿式镀膜装置400，其与湿式镀膜装置200的区别在于：该湿式镀膜装置400的本体42及连接体43均为中空的，且该本体42、该连接体43及该悬臂410相互连通；该本体42的顶壁421开设有一个入风口4210，该悬臂410的端面410b开设有与该入风口4210相通的多个出风口411；该监控器45还用于监控该待镀膜基板101的烘烤温度、烘烤时间等参数。
优选地，在该入风口4210设置一个吹风机46，该监控器45与该吹风机46电性连接并控制该吹风机46的运转。当该待镀膜基板101从该待镀液体102撤离时，该监控器45控制该吹风机往该入风口4210进风，以使残留在该待镀膜基板101上的待镀液体102迅速发挥。优选地，从该入风口3210进的风为氮气，由于该氮气不会影响该待镀膜基板101及该待镀液体102的组成成分，因此，该待镀膜基板101的镀膜质量不会受到影响。该监控器45监控到该待镀膜基板101达到最佳烘烤温度以及最佳烘烤时间时，该监控器45控制该吹风机46停止运转。与该湿式镀膜装置100相比，该湿式镀膜装置400除具有该湿式镀膜装置200的有益效果之外，该湿式镀膜装置400通过经由该入风口4210进热风，将该热风从该多个出风口411吹出，从而将残留在该待镀膜基板101上的待镀液体102迅速发挥。因此，该已镀膜的基板101在转移的过程中，由于避免在空气中暴露，从而不会受到空气的腐蚀或氧化，使得该已镀膜的基板101的品质较佳。
虽然本发明已以较佳实施方式披露如上，但是，其并非用以限定本发明，另外，本领域技术人员还可以在本发明精神内做其它变化等。当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (12)

1.一种湿式镀膜系统，其特征在于，其包括选择性地相互连通的一个镀膜室、一个退火室及一个设置在该退火室上的腔门，该镀膜室内包括用于对至少一个待镀膜基板进行镀膜的一个湿式镀膜装置及一个夹持手臂，该夹持手臂用于夹持该湿式镀膜装置并驱动该湿式镀膜装置在镀膜室及退火室内自由移动，该至少一个待镀膜基板在该湿式镀膜装置上的装卸通过该腔门在该退火室内进行，该退火室内包括一加热装置，该加热装置用于对该湿式镀膜装置产生的镀膜基板进行加热，该加热后的镀膜基板在该退火室内冷却。
2.如权利要求1所述的湿式镀膜系统，其特征在于，该湿式镀膜系统还包括一个与该退火室选择性连通的装卸室，该夹持手臂还用于夹持该湿式镀膜装置并驱动该湿式镀膜装置在装卸室内自由移动，该腔门设置在该装卸室上，该待镀膜基板的装卸通过该腔门在该装卸室内进行。
3.如权利要求1所述的湿式镀膜系统，其特征在于，该镀膜室内还包括一个用于导入氮气的进气装置及一个用于导出气体的排气装置。
4.如权利要求1所述的湿式镀膜系统，其特征在于，该镀膜室内还包括承载有待镀液体的多个容器及带有第一开关阀门的排液管，该待镀液体用于对该待镀膜基板进行镀膜，该排液管包括多个排液岔管，每个排液岔管与对应的容器相通并利用该第一开关阀门排放该多个容器内的待镀液体。
5.如权利要求4所述的湿式镀膜系统，其特征在于，该镀膜室内还包括带有第二开关阀门的进液管，该进液管包括多个进液岔管，每个进液岔管利用该第二开关阀门将待镀液体注入到该多个容器内。
6.如权利要求1所述的湿式镀膜系统，其特征在于，该退火室内还包括一个温度传感器及一个与该温度传感器电性连接的控制器，该温度传感器用于检测该加热装置的温度并将检测结果传送至该控制器，该控制器用于根据该检测结果实时控制该加热装置进行加热。
7.如权利要求2所述的湿式镀膜系统，其特征在于，该镀膜室与该退火室之间、及该退火室与该装卸室之间均存在一个自动门，以使该夹持手臂驱动该湿式镀膜装置在镀膜室、退火室及装卸室内自由移动。
8.如权利要求1所述的湿式镀膜系统，其特征在于，该湿式镀膜装置包括分别用于夹持多个待镀膜基板的多个夹持单元、本体及用于连接该多个夹持单元与该本体的多个连接体，每个夹持单元包括悬臂及用于夹持该待镀膜基板的夹持件，该悬臂包括相对的两个端面及连接该两个端面的侧面，该连接体与该侧面固接，该夹持件固接在悬臂的其中一个端面上。
9.如权利要求8所述的湿式镀膜系统，其特征在于，该湿式镀膜装置还包括多个监控器，每个监控器固接在每个夹持单元的悬臂的另一个端面上，该监控器用于监控该待镀膜基板进行镀膜。
10.如权利要求8所述的湿式镀膜系统，其特征在于，该本体、该连接体及该悬臂均为中空的，且该本体、该连接体及该悬臂相互连通，该本体包括一个入风口，该悬臂包括与该入风口相通的多个出风口，该多个出风口开设在该悬臂设置有该夹持件的端面上。
11.如权利要求9所述的湿式镀膜系统，其特征在于，每个夹持单元还包括一个传动件，该传动件的一端连接该悬臂，该传动件的另一端连接该夹持件，该悬臂为中空的，该悬臂的内表面具有第一内螺纹，该传动件的外表面具有与该第一内螺纹相螺合的第一外螺纹，该悬臂与该传动件相螺合以使该连传动件可被该悬臂的第一内螺纹导引移动。
12.如权利要求11所述的湿式镀膜系统，其特征在于，该本体及该连接体均为中空的，且该本体、该连接体及该悬臂相互连通，该本体包括一个入风口，该悬臂包括与该入风口相通的多个出风口，该多个出风口开设在该悬臂设置有该传动件的端面上。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114540797A (zh) * 2022-03-25 2022-05-27 厦门韫茂科技有限公司 一种连续式ald镀膜设备的物料移动结构

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109930145B (zh) * 2019-04-04 2021-01-12 龙岩市融耀机械工业有限公司 便于发黑的高效螺母加工处理设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6321827A (ja) * 1986-07-15 1988-01-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
CN1178390A (zh) * 1996-09-30 1998-04-08 日本电气株式会社 两个操作室之间带可移动隔板的湿法处理装置
JP2000138200A (ja) * 1998-10-29 2000-05-16 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理方法及びその装置
JP2000208414A (ja) * 1999-01-08 2000-07-28 Sony Corp 半導体薄膜製造方法及び半導体薄膜製造装置
JP2002164407A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Japan Steel Works Ltd:The レーザアニール処理装置及び方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3694117A (en) * 1970-12-02 1972-09-26 Joseph C Gould Glove manufacturing
EP1450412A3 (en) * 1996-05-15 2005-03-09 Seiko Epson Corporation Thin film device and method for making
AT409819B (de) * 1996-09-12 2002-11-25 Semperit Ag Holding Gegenstand aus einem flexiblen gummi und/oder kunststoff
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
US7265192B2 (en) * 2004-11-30 2007-09-04 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Breathable elastomeric article

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6321827A (ja) * 1986-07-15 1988-01-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
CN1178390A (zh) * 1996-09-30 1998-04-08 日本电气株式会社 两个操作室之间带可移动隔板的湿法处理装置
JP2000138200A (ja) * 1998-10-29 2000-05-16 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理方法及びその装置
JP2000208414A (ja) * 1999-01-08 2000-07-28 Sony Corp 半導体薄膜製造方法及び半導体薄膜製造装置
JP2002164407A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Japan Steel Works Ltd:The レーザアニール処理装置及び方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114540797A (zh) * 2022-03-25 2022-05-27 厦门韫茂科技有限公司 一种连续式ald镀膜设备的物料移动结构
CN114540797B (zh) * 2022-03-25 2023-09-08 厦门韫茂科技有限公司 一种连续式ald镀膜设备的物料移动结构

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