JP2000138200A - 基板の処理方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 この発明は装置の簡略化を計ることができる
ようにした基板の処理装置を提供することにある。 【解決手段】 内部に基板Ｗを可逆搬送可能な第１のロ
ーラ１２が設けられたプレチャンバ２と、このプレチャ
ンバの内部に供給された基板を純水によってウエット処
理するアクアナイフ１３と、プレチャンバと隣接して設
けられ内部に処理液を噴射するノズル体１６及び基板を
可逆搬送可能な第２の搬送ローラ１５が設けられた処理
チャンバ３と、ノズル体に接続され処理チャンバに供給
された基板に対する処理に応じて異なる種類の処理液を
選択的にノズル体に供給する処理液供給手段と、処理チ
ャンバに隣接して設けられ内部にこの処理チャンバでリ
ンス処理された基板を乾燥処理するエアーナイフ３３及
び基板を搬送する第３の搬送ローラ３２が設けられた乾
燥チャンバ４とを具備したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウエハや液
晶用ガラス基板などの基板を処理するための処理方法及
び処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造装置や液晶製造装置などにお
いては、基板としての半導体ウエハや液晶用ガラス基板
に回路パタ−ンを形成するリソグラフィプロセスがあ
る。このリソグラフィプロセスは、周知のように上記基
板にレジストを塗布し、このレジストに回路パタ−ンが
形成されたマスクを介して光を照射する露光を行う。

【０００３】レジストが露光された基板は処理装置によ
って以下のように処理される。まず、上記基板に現像液
を散布し、レジストの光が照射されない部分あるいは光
が照射された部分を除去したならば、現像液を除去して
現像止めを行う。

【０００４】ついで、上記基板にエッチング液を散布し
て基板のレジストが除去された部分をエッチング加工し
たならば、エッチング液を除去してエッチング止めをし
た後、剥離液によって基板に残留するレジストを剥離す
る。

【０００５】つぎに、剥離液を除去して剥離止めを行っ
た後、純水でリンス処理を行い、さらにエアーナイフで
乾燥処理を行うという、一連の作業を複数回繰り返すこ
とで、上記基板に回路パタ−ンが形成される。

【０００６】従来、上記基板に対する現像処理、エッチ
ング処理および剥離処理は別々の処理装置で行われてい
た。つまり、基板の処理内容によって使用される処理液
の種類が異なるため、基板に対するそれぞれの処理を別
々に行うようにしていた。

【０００７】たとえば、現像処理装置においては、基板
に現像液を噴射するに先だってプレチャンバで基板の全
面に現像液あるいは純水を高速度で噴射し、次いでその
基板を処理チャンバに搬入して現像液を所定時間噴射す
る。

【０００８】基板の現像が所定の状態になるまで行われ
たならば、その基板をシャワーチャンバに搬入し、純水
を噴射して現像止めを行った後、現像液を確実に除去す
るリンス処理を行う。リンス処理が行われた基板は乾燥
チャンバに搬送され、そこで乾燥処理されることで現像
処理が終了する。

【０００９】現像処理が終了した基板は、現像処理装置
と同様、プレチャンバ、処理チャンバ、シャワーチャン
バ及び乾燥チャンバを備えたエッチング処理装置、剥離
処理装置でエッチング処理及び剥離処理が順次行われる
ことになる。

【００１０】そのため、基板に対して回路パターンを形
成するためには、それぞれプレチャンバ、処理チャン
バ、シャワーチャンバ及び乾燥チャンバを備えた現像処
理装置、エッチング処理装置及び剥離処理装置が必要と
なるから、設備全体としは非常に大型化したり、複雑化
するということがあった。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来、基
板に対して複数種の処理を行うためには、それぞれの処
理に応じた複数の処理装置が必要となるから、全体の設
備が大型化したり、複雑化するということがあった。

【００１２】この発明は、基板に対する複数の処理を複
数の処理装置を用いずに行うことができるようにした基
板の処理方法及び処理装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
を処理する処理方法において、上記基板をプレチャンバ
で純水によってウエット処理する第１の工程と、ウエッ
ト処理された基板を処理チャンバで薬液によって処理す
る第２の工程と、薬液によって処理された基板を上記プ
レチャンバに戻して純水を噴射して反応止めする第３の
工程と、プレチャンバで反応止めされた基板を上記処理
チャンバで純水によってリンス処理する第４の工程と、
リンス処理された基板を乾燥チャンバで乾燥処理する第
５の工程とを具備したことを特徴とする。

【００１４】それによって、処理チャンバを基板に対す
る薬液処理及び純水によるリンス処理に兼用できるか
ら、その分、チャンバの数を減らすことができる。

【００１５】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、基板を処理チャンバで薬液によって処理する工程
と、薬液によって処理された基板をプレチャンバに戻し
て純水を噴射して反応止めする工程と、プレチャンバで
反応止めされた基板を処理チャンバで純水によってリン
ス処理する工程とを複数回繰り返して行うことを特徴と
する。

【００１６】それによって、基板に対して複数の薬液に
よる複数の処理を順次行うことが可能となる。

【００１７】請求項３の発明は、レジストが塗付された
基板をエッチング処理する処理方法において、上記基板
をプレチャンバで純水によってウエット処理する第１の
工程と、ウエット処理された基板を処理チャンバで現像
液によって処理する第２の工程と、現像液によって処理
された基板を上記プレチャンバに戻して純水を噴射して
現像止めする第３の工程と、プレチャンバで現像止めさ
れた基板を上記処理チャンバで純水によってリンス処理
してからエッチング液によってエッチング処理する第４
の工程と、エッチング液によってエッチング処理された
基板を上記プレチャンバに戻して純水を噴射してエッチ
ング止めする第５の工程と、プレチャンバでエッチング
止めされた基板を上記処理チャンバで純水によってリン
ス処理してから剥離液によって処理する第６の工程と、
剥離液によって処理された基板を上記プレチャンバに戻
して純水を噴射して剥離止めする第７の工程と、剥離止
めされた基板を上記処理チャンバに戻して純水でリンス
処理してから乾燥チャンバで乾燥させる第８の工程とを
具備したことを特徴とする。

【００１８】それによって、１つの処理チャンバで基板
に対して現像処理、エッチング処理及び剥離止め処理を
行うことができる。

【００１９】請求項４の発明は、基板を処理する処理装
置において、内部に上記基板を可逆搬送可能な第１の搬
送手段が設けられたプレチャンバと、このプレチャンバ
内に設けられこの内部に供給された上記基板を純水によ
ってウエット処理するウエット処理手段と、上記プレチ
ャンバと隣接して設けられ内部に処理液の噴射手段及び
上記基板を可逆搬送可能な第２の搬送手段が設けられた
処理チャンバと、上記噴射手段に接続され処理チャンバ
に供給された基板に対する処理に応じて異なる種類の処
理液を選択的に上記噴射手段に供給する処理液供給手段
と、上記処理チャンバに隣接して設けられ内部にこの処
理チャンバでリンス処理された基板を乾燥処理する乾燥
処理手段及び上記基板を搬送する第３の搬送手段が設け
られた乾燥チャンバとを具備したことを特徴とする。

【００２０】それによって、基板をプレチャンバと処理
チャンバとの間で往復させることができるとともに、処
理チャンバにおいて基板に噴射する処理液の種類を変え
ることができるから、１つの処理装置で基板に対して異
なる処理液による複数の処理を行うことが可能となる。

【００２１】請求項５の発明は、請求項３の発明におい
て、上記処理液供給手段は、現像液、エッチング液、剥
離液及びリンス液を選択的に上記処理液供給手段に供給
する構成であることを特徴とする。

【００２２】それによって、１つの処理装置で基板に対
して現像処理、エッチング処理、剥離処理及びリンス処
理を順次行うことが可能となる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態を
図面を参照して説明する。

【００２４】図１に示すこの発明の処理装置は装置本体
１を備えている。この装置本体１は箱型状をなしてい
て、その内部は仕切壁７によってプレチャンバ２、処理
チャンバ３及び乾燥チャンバ４に順次隔別されている。

【００２５】上記プレチャンバ２にはシャッタ２ａによ
って開閉される搬入口５が形成され、上記乾燥チャンバ
４には同じくシャッタ４ａによって開閉される搬出口６
が形成されている。上記処理チャンバ３を隔別した一対
の仕切壁７にはそれぞれシャッタ３ａ，３ｂによって開
閉される一対の連通口８ａ，８ｂが形成されている。

【００２６】上記搬入口５からプレチャンバ２内には上
面にレジストが塗付された液晶用ガラス基板や半導体ウ
エハなどの基板Ｗが供給されるようになっている。

【００２７】上記プレチャンバ２内には第１の駆動源１
１によって駆動される第１の搬送手段を構成する複数の
第１の搬送ローラ１２が配置されていて、上記搬入口５
からプレチャンバ２内に供給された基板Ｗを上記処理チ
ャンバ３へ搬送したり、処理チャンバ３で後述するごと
く処理された基板Ｗをプレチャンバ２内の所定の位置に
戻すことができるようになっている。

【００２８】つまり、第１の搬送ローラ１２は上記基板
Ｗをプレチャンバ２から処理チャンバ３方向だけでな
く、その逆方向にも搬送できるようになっている。

【００２９】上記プレチャンバ２内には上記第１の搬送
ローラ１２によって搬送される基板Ｗの上下面に対向し
てウエット処理手段としての一対のアクアナイフ１３が
配設されている。このアクアナイフ１３からは上記基板
Ｗの上面と下面とに向けて純水が噴射されるようになっ
ている。

【００３０】それによって、基板Ｗは上下面が純水によ
って濡らされるウエット処理や後述するごとく処理液と
しての薬液で処理された基板Ｗに付着した薬液を希釈し
てその処理が進行するのを止める、反応止めが行われる
ようになっている。

【００３１】上記処理チャンバ３には第２の駆動源１４
によって駆動される第２の搬送手段を構成する複数の第
２の搬送ローラ１５が設けられている。この第２の搬送
ローラ１５は上記プレチャンバ２から処理チャンバ３へ
搬送されてきた基板Ｗを、この処理チャンバ３で処理し
てからプレチャンバ２へ戻したり、乾燥チャンバ４へ搬
送することができるようになっている。

【００３２】さらに、処理チャンバ３には、第２の搬送
ローラ１５によって搬送される基板の上下面に処理液を
噴射する処理液噴射手段としての一対のノズル体１６が
配設されている。

【００３３】上記ノズル体１６は処理液供給手段を構成
する処理液供給源１７に配管１８によって接続されてい
る。この処理液供給源１７は純水供給部２２、現像液供
給部２３、エッチング液供給部２４および剥離液供給部
２５からなる。

【００３４】上記配管１８からは４本の分岐管１９ａ〜
１９ｄが分岐されていて、各分岐管１９ａ〜１９ｄが電
磁式の第１乃至第４の開閉弁２０ａ〜２０ｄを介して各
供給部２２〜２５に接続されている。

【００３５】また、純水供給部２２には電磁式の第５の
開閉弁２０ｅ介して上記アクアナイフ１３が配管２７に
よって接続されている。各開閉弁２０ａ〜２０ｅは制御
装置２６によって開閉制御されるようになっている。

【００３６】したがって、上記ノズル体１６には、上記
制御装置２６によって開閉弁２０ａ〜２０ｄを開閉制御
することで、純水、現像液、エッチング液あるいは剥離
液のいずれかを選択的に供給することができ、上記アク
アナイフ１３には開閉弁２０ｅを開放することで、純水
を供給することができるようになっている。

【００３７】上記乾燥チャンバ４には第３の駆動源３１
によって駆動される第３の搬送手段を構成する複数の第
３の搬送ローラ３２が設けられている。処理チャンバ３
から乾燥チャンバ４へ送られてきた基板Ｗには、その上
下面に対向して乾燥処理手段としての一対のエアーナイ
フ３３が配設されている。

【００３８】エアーナイフ３３は、中途部に電磁式の第
６の開閉弁２０ｆが設けられた配管３４を介して高圧空
気供給部３５に接続されている。この開閉弁２０ｆは上
記制御装置２６によって開閉制御される。それによっ
て、上記開閉弁２０ｆを開放すれば、基板Ｗの上下両面
に向けて高圧空気を噴射できるから、この基板Ｗの上下
面に付着した処理液（主に純水）を除去乾燥する、乾燥
処理が行えるようになっている。

【００３９】上記第１乃至第３の駆動源１１，１４，３
１は、上記各開閉弁２０ａ〜２０ｆとともに上記制御装
置２６によって後述するタイミングで駆動制御されるよ
うになっている。

【００４０】つぎに、上記構成の処理装置によって基板
Ｗを処理する場合について図２乃至図４を参照して説明
する。

【００４１】まず、図２（ａ）に示すように上面にレジ
ストが塗付された基板Ｗがプレチャンバ２に供給される
と、制御装置２６からの制御信号によって第１の駆動源
１１及び第２の駆動源１４が作動して第１、第２の搬送
ローラ１２，１５が回転駆動され、基板Ｗをプレチャン
バ２から処理チャンバ３へ向う方向へ搬送するととも
に、第５の開閉弁２０ｅを開放して純水供給部２２から
アクアナイフ１３へ純水が供給される。それと同時に、
第１の開閉弁２０ａが開かれてノズル体１６から純水が
噴射される。

【００４２】それによって、プレチャンバ２内に搬送さ
れた基板Ｗの上下面には純水が噴射され、この基板Ｗの
上下面全体がほぼ均一に湿潤され、さらに基板Ｗがプレ
チャンバ２から処理チャンバ３へ搬送されることで、さ
らにその上下面は純水で濡らされることになる。つま
り、基板Ｗは処理チャンバ３に搬送される前にプレウエ
ットされる。

【００４３】基板Ｗが処理チャンバ３で処理される前
に、プレチャンバ２及び処理チャンバ３で基板Ｗに純水
を噴射するようにしたことで、基板Ｗが現像液によって
不均一に現像されることが防止される。

【００４４】基板Ｗが第２の搬送ローラ１５によって処
理チャンバ３内の所定の位置まで搬送されると、第１の
開閉弁２０ａが閉じられるとともに、上記第２の搬送ロ
ーラ１５は、上記基板Ｗがノズル体１６と対向する範囲
で製法後図逆方向との回転を繰り返し、基板Ｗを所定の
範囲内で往復動（揺動）させる。この状態で、図２
（ｂ）に示すように第２の開閉弁２０ｂが開かれてノズ
ル体１６からは現像液が基板Ｗの上下面に向けて噴射さ
れる。

【００４５】ノズル体１６から噴射される現像液は、最
初はその内部に残留する純水によって希釈され、また基
板Ｗは純水によって十分にプレウエットされているか
ら、上述したように、現像液は基板Ｗに徐々に、しかも
全面に対してほぼ均一に作用することになる。その結
果、基板Ｗはその全面がほぼ均一に現像処理されること
になる。

【００４６】基板Ｗに対して現像処理を所定時間行った
ならば、第２の搬送ローラ１５の正逆回転を止め、図２
（ｃ）に示すように、第５の開閉弁２０ｅが開かれてア
クアナイフ１３から純水が噴射されると同時に、第１、
第２の駆動源１１，１４によって第１の搬送ローラ１２
と第２の搬送ローラ１５とが先程とは逆方向に回転駆動
されて基板Ｗはプレチャンバ２に戻され、上記アクアナ
イフ１３から噴射される純水で洗浄される。

【００４７】それによって、基板Ｗに付着した現像液は
希釈除去されるから、基板Ｗの現像反応が停止される。

【００４８】それと同時に、第２の開閉弁２０ｂが閉じ
られ、第１の開閉弁２０ａが開かれて純水がノズル体１
６へ供給され、このノズル体１６に残留する現像液を除
去して純水が噴射される。また、第５の開閉弁２０ｅは
閉じられてアクアナイフ１３からの純水の噴射が停止さ
れる。

【００４９】プレチャンバ２で基板Ｗの現像止めが行わ
れると、つぎは図３（ａ）に示すように基板Ｗが処理チ
ャンバ３へ搬送される。処理チャンバ３のノズル体１６
からは純水が噴射されているから、この基板Ｗはリンス
処理されることになる。

【００５０】処理チャンバ３でのリンス処理が所定時間
行われると、図３（ｂ）に示すように第１の開閉弁２０
ａが閉じられて第３の開閉弁２０ｃが開かれる。それに
よって、ノズル体１６からは純水に代わりエッチング液
が噴射されるから、基板Ｗの現像液により現像処理され
た箇所がエッチング処理されることになる。

【００５１】この場合も、基板Ｗは前工程のリンス処理
で湿潤状態にあり、しかもノズル体１６からはリンス処
理時に用いられた残留する純水が噴射してからエッチン
グ液が噴射される。そのため、基板Ｗに作用するエッチ
ング液の濃度は徐々に高くなり、しかも純水を介して全
面にほぼ同じ濃度分布で反応するため、均一なエッチン
グが行われることになる。

【００５２】処理チャンバ３でのエッチング処理が所定
時間行われると、図３（ｃ）に示すように、第５の開閉
弁２０ｅが開かれてアクアナイフ１３から純水が噴射さ
れるとともに、基板Ｗはプレチャンバ２に戻される。そ
れと同時に、第３の開閉弁２０ｃが閉じられて第１の開
閉弁２０ａが開かれ、ノズル体１６に残留するエッチン
グ液が除去され、純水が噴射される。

【００５３】基板Ｗがプレチャンバ２に戻されると、ア
クアナイフ１３から純水が噴射されることによって、基
板Ｗに付着したエッチング液が希釈除去されるから、基
板Ｗのエッチング反応が止められる。

【００５４】エッチング反応が止められた基板Ｗは、図
４（ａ）に示すようにノズル体１６から純水が噴射され
ている処理チャンバ３へ搬送される。そこで、基板Ｗに
純水が噴射されることで、この基板Ｗからエッチング液
が除去されるリンス処理が行われる。また、第５の開閉
弁２０ｅが閉じられてアクアナイフ１３からの純水の噴
射が停止される。

【００５５】リンス処理が所定時間行われると、図４
（ｂ）に示すように第１の開閉弁２０ａが閉じられ、第
４の開閉弁２０ｄが開かれてノズル体１６から基板Ｗに
は剥離液が噴射される。それによって、基板Ｗに付着残
留したレジストが剥離されることになる。

【００５６】この場合も、ノズル体１６に残留する純水
が噴射されてから剥離液の噴射が始まるから、基板Ｗに
対する剥離液の反応が均一に行われることになる。

【００５７】剥離液の噴射が所定時間行われることで、
基板Ｗからレジストが剥離されたならば、図４（ｃ）に
示すように第５の開閉弁２０ｅが開かれてアクアナイフ
１３から純水が噴射されるとともに、基板Ｗはプレチャ
ンバ２へ戻され、純水が噴射される。この時の基板を同
図にＷ_Ａで示す。基板Ｗに純水が噴射されることで、そ
の基板Ｗに付着した剥離液が希釈除去されるから、剥離
液による剥離反応が停止される。

【００５８】また、基板Ｗがプレチャンバ２へ戻される
と同時に、第４の開閉弁２０ｄが閉じられて第１の開閉
弁２０ａが開かれることで、ノズル体１６内に残留する
剥離液が純水に置換されたのち、そのノズル体１６から
は純水が噴射されることになる。

【００５９】上記プレチャンバ２で基板Ｗに対する剥離
止めが所定時間行われると、その基板Ｗは処理チャンバ
３へ搬送される。この時の基板を同図にＷ_Ｂで示す。そ
こで、ノズル体１６から噴射される純水によって処理液
及びレジストの残滓を確実に除去するリンス処理が行わ
れる。

【００６０】処理チャンバ３でのリンス処理が終了する
と、第２、第３の駆動源１４，３１が作動してその基板
Ｗは乾燥チャンバ４に搬送されると同時に、第６の開閉
弁２０ｆが開かれて高圧空気供給部３５の圧縮空気がエ
アーナイフ３３から噴射される。この時の基板を同図に
Ｗ_Ｃで示す。それによって、搬送される基板Ｗの上下両
面に付着した純水が除去乾燥されることになる。

【００６１】そして、乾燥処理された基板Ｗは搬出口６
から搬出されて次工程に受け渡される。また、図４
（ｃ）で示すプレチャンバ２での基板Ｗに対する剥離止
めが終了してその基板Ｗが処理チャンバ３へ搬送される
と、プレチャンバ２には未処理の基板Ｗが搬入されてき
て、上述した処理が繰り返して行われる。

【００６２】このように、プレチャンバ２でウエット処
理された基板Ｗを処理チャンバ３で所定の処理液によっ
て処理したのち、プレチャンバ２に戻して純水で反応止
めをした後、再び処理チャンバ３に搬送して純水でリン
ス処理を行うようにしたことで、上記処理チャンバ３を
基板Ｗの処理とリンスとに兼用することができる。その
ため、リンス処理を別のチャンバで行う場合に比べて処
理装置を小型化することができる。

【００６３】また、処理チャンバ３で処理された基板Ｗ
をプレチャンバ２に戻して反応止めをしてから上記処理
チャンバ３に戻すということを繰り返すとともに、その
際に上記処理チャンバ３のノズル体１６から噴射される
処理液の種類を変えるようにしたことで、１つの処理装
置で基板Ｗに対して異なる種類の複数の処理を行うこと
ができる。

【００６４】そのため、基板Ｗに対して複数種の処理を
行う場合、この発明によれば１つの処理装置で１つの処
理を行っていた従来に比べて大幅な設備の簡略化を計る
ことができる。

【００６５】また、処理チャンバ３で処理された基板Ｗ
の反応止めをプレチャンバ２で行うようにしたことで、
上記基板Ｗを処理チャンバ２で処理した後、迅速にその
基板Ｗの反応止めを行うことができる。

【００６６】つまり、処理チャンバ３で処理に続いて反
応止めを行うようにしたのでは、ノズル体１６や配管１
９に残留する薬液が純水に置換されるまでに時間が掛か
るため、その分、反応止めにも時間が掛かってしまう
が、上述したように処理チャンバ３からプレチャンバ２
に戻して反応止めをすることで、処理チャンバ３での処
理後、直ちに反応止めを行うことが可能となる。

【００６７】また、処理チャンバ３で基板Ｗを各種薬液
で処理する際、処理チャンバ３ではその前工程でリンス
処理が行われるため、基板Ｗには薬液が噴射される前に
ノズル体１６に残留する純水が噴射される。

【００６８】そのため、基板Ｗには、その表面が純水に
よって十分に覆われてから薬液が噴射されるため、薬液
は基板Ｗの表面に希釈されて均一に分布したのち、徐々
に濃度が高くなるから、薬液による処理を全面にわたっ
てほぼ均一に進行させることが可能となる。

【００６９】上記一実施の形態では基板に対して現像、
エッチング及び剥離止めを行う場合について説明した
が、他の処理を行う場合にもこの発明の処理方法及び装
置を適用することができること勿論であり、しかも複数
の処理を行わずに１つの処理だけを行う場合にもこの発
明の処理方法及び装置を適用することができる。

【００７０】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、プレチャンバ
でウエット処理された基板を処理チャンバで処理した
後、プレチャンバに戻して反応止めしてから処理チャン
バでリンス処理し、次いで乾燥処理するようにした。

【００７１】そのため、処理チャンバを基板に対する薬
液での処理と純水によるリンス処理とに使用することが
できるから、これらの処理を別々のチャンバで行ってい
た従来に比べて処理装置を簡略化することができる。

【００７２】請求項２の発明によれば、基板に対して複
数の薬液による複数の処理を順次行うことが可能とな
る。

【００７３】請求項３の発明によれば、処理チャンバで
複数の薬液による処理と各処理後におけるリンス処理と
を行うようにするとともに、プレチャンバでは処理を開
始するに先立って基板を湿潤させるプレウエットおよび
各処理後における反応止めを行うようにした。

【００７４】そのため、処理チャンバが１つであって
も、基板に対して複数種の薬液による複数の処理、つま
り現像処理、エッチング処理および剥離処理を順次確実
に行うことが可能となるから、１つの処理を１つの装置
で行っていた従来に比べて設備を大幅に簡略化すること
ができる。

【００７５】請求項４と請求項５の発明によれば、請求
項１乃至請求項３の方法の発明を実施するための装置を
提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施の形態を示す処理装置の概略
的構成図。

【図２】同じく基板を現像所りする工程の説明図。

【図３】同じく基板をエッチング処理する工程の説明
図。

【図４】同じく基板に残留するレジストを剥離する工程
の説明図。

【符号の説明】

２…プレチャンバ ３…処理チャンバ ４…乾燥チャンバ １１…第１の駆動源 １２…第１の搬送ローラ １３…アクアナイフ １４…第２の駆動源 １５…第２の搬送ローラ １６…ノズル体 ３１…第３の駆動源 ３２…第３の搬送ローラ ３３…エアーナイフ Ｗ…基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｂ ５７２Ｂ (72)発明者 廣瀬 治道 神奈川県横浜市栄区笠間町1000番地１ 芝 浦メカトロニクス株式会社横浜事業所内 (72)発明者 原 暁 神奈川県横浜市栄区笠間町1000番地１ 芝 浦メカトロニクス株式会社横浜事業所内 Ｆターム(参考） 2H088 FA17 FA18 FA30 HA01 MA20 2H089 NA60 QA11 QA12 TA01 5F043 AA01 AA05 CC12 CC16 DD02 DD10 DD13 EE07 EE27 GG10 5F046 LA11 LA18 MA01 MA10 MA18

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を処理する処理方法において、 上記基板をプレチャンバで純水によってウエット処理す
   る第１の工程と、ウエット処理された基板を処理チャン
   バで薬液によって処理する第２の工程と、 薬液によって処理された基板を上記プレチャンバに戻し
   て純水を噴射して反応止めする第３の工程と、 プレチャンバで反応止めされた基板を上記処理チャンバ
   で純水によってリンス処理する第４の工程と、 リンス処理された基板を乾燥チャンバで乾燥処理する第
   ５の工程とを具備したことを特徴とする基板の処理方
   法。
2. 【請求項２】 基板を処理チャンバで薬液によって処理
   する工程と、薬液によって処理された基板をプレチャン
   バに戻して純水を噴射して反応止めする工程と、プレチ
   ャンバで反応止めされた基板を処理チャンバで純水によ
   ってリンス処理する工程とを複数回繰り返して行うこと
   を特徴とする請求項１記載の基板の処理方法。
3. 【請求項３】 レジストが塗付された基板をエッチング
   処理する処理方法において、 上記基板をプレチャンバで純水によってウエット処理す
   る第１の工程と、 ウエット処理された基板を処理チャンバで現像液によっ
   て処理する第２の工程と、 現像液によって処理された基板を上記プレチャンバに戻
   して純水を噴射して現像止めする第３の工程と、 プレチャンバで現像止めされた基板を上記処理チャンバ
   で純水によってリンス処理してからエッチング液によっ
   てエッチング処理する第４の工程と、 エッチング液によってエッチング処理された基板を上記
   プレチャンバに戻して純水を噴射してエッチング止めす
   る第５の工程と、 プレチャンバでエッチング止めされた基板を上記処理チ
   ャンバで純水によってリンス処理してから剥離液によっ
   て処理する第６の工程と、 剥離液によって処理された基板を上記プレチャンバに戻
   して純水を噴射して剥離止めする第７の工程と、 剥離止めされた基板を上記処理チャンバに戻して純水で
   リンス処理してから乾燥チャンバで乾燥させる第８の工
   程とを具備したことを特徴とする基板の処理方法。
4. 【請求項４】 基板を処理する処理装置において、 内部に上記基板を可逆搬送可能な第１の搬送手段が設け
   られたプレチャンバと、 このプレチャンバ内に設けられこの内部に供給された上
   記基板を純水によってウエット処理するウエット処理手
   段と、 上記プレチャンバと隣接して設けられ内部に処理液の噴
   射手段及び上記基板を可逆搬送可能な第２の搬送手段が
   設けられた処理チャンバと、 上記噴射手段に接続され処理チャンバに供給された基板
   に対する処理に応じて異なる種類の処理液を選択的に上
   記噴射手段に供給する処理液供給手段と、 上記処理チャンバに隣接して設けられ内部にこの処理チ
   ャンバでリンス処理された基板を乾燥処理する乾燥処理
   手段及び上記基板を搬送する第３の搬送手段が設けられ
   た乾燥チャンバとを具備したことを特徴とする基板の処
   理装置。
5. 【請求項５】 上記処理液供給手段は、現像液、エッチ
   ング液、剥離液及びリンス液を選択的に上記処理液供給
   手段に供給する構成であることを特徴とする請求項４記
   載の基板の処理装置。