JP2009507135A5

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Publication number: JP2009507135A5
Application number: JP2008529370A
Authority: JP
Filing date: 2006-08-31
Publication date: 2010-11-25
Anticipated expiration: 2026-08-31

Claims

基板の上に銅を形成するための方法であって、
銅源溶液を混合器に供給する工程と、
アルデヒドを含まず少なくともコバルトイオンを含む還元溶液を前記混合器に供給する工程と、
前記銅源溶液と前記還元溶液とを混合して、約６．５から約７．８の間のｐＨを有するメッキ溶液を形成する工程と、
前記メッキ溶液を前記基板に供給する工程と、
を備え、
前記基板は触媒層を備え、
前記基板は、前記触媒層上に形成されたパターン化フォトレジスト層を備え、
前記フォトレジスト層は、保護層を備えておらず、
前記メッキ溶液を前記基板に供給する工程は、前記触媒層の上に銅を形成する工程を備える、方法。
請求項１に記載の方法であって、前記メッキ溶液は、前記メッキ溶液を前記基板に供給するのと実質的に同時に形成される、方法。
請求項１に記載の方法であって、さらに、前記触媒層の上に銅を形成した後に、前記メッキ溶液を廃棄する工程を備える、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記パターン化フォトレジスト層は、前記触媒層の第１の部分を露出させ、
前記メッキ溶液を前記基板に供給する工程は、前記触媒層の前記第１の部分の上に銅を形成する工程を備える、方法。
請求項４に記載の方法であって、さらに、
前記メッキ溶液を前記基板から除去する工程と、
前記基板をリンスする工程と、
前記基板を乾燥する工程と、
を備える、方法。
請求項５に記載の方法であって、さらに、
前記パターン化フォトレジストを除去する工程であって、前記触媒層の第２の部分を露出させる、工程と、
前記触媒層の前記第２の部分を除去する工程と、
を備える、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記触媒層の上に形成された前記銅は、実質的に元素銅である、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記触媒層の上に形成された前記銅は、実質的に水素含有物を含まない、方法。
請求項１に記載の方法であって、前記触媒層の上に形成された前記銅は、毎分約５００オングストロームよりも大きい速さで形成される、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記メッキ溶液は、動的液体メニスカスを通して基板に供給され、
前記動的液体メニスカスは、近接ヘッドと前記基板の表面との間に形成される。
請求項１に記載の方法であって、前記銅源溶液は、
酸化銅源と、
錯化剤と、
ｐＨ調整剤と、
ハロゲン化イオンと、
を備える、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記触媒層は、２以上の層を含む、方法。
請求項１２に記載の方法であって、
前記触媒層は、下部反射防止膜（ＢＡＲＣ）層を含む、方法。
基板の上にパターン化銅構造を形成するための方法であって、
基板を受け入れる工程であって、
前記基板は、
前記基板の上に形成された触媒層と、
前記触媒層の上に形成されるパターン化フォトレジスト層であって、前記触媒層の第１の部分を露出させ、前記触媒層の第２の部分を覆い、保護層を備えていないパターン化フォトレジスト層と、を備える、工程と、
銅源溶液を混合器に供給する工程と、
アルデヒドを含まず少なくともコバルトイオンを含む還元溶液を前記混合器に供給する工程と、
前記銅源溶液と前記還元溶液とを混合して、約７．２から約７．８の間のｐＨを有するメッキ溶液を形成する工程と、
前記メッキ溶液を前記基板に供給する工程と、
を備え、
前記メッキ溶液を前記基板に供給する工程は、前記触媒層の前記第１の部分の上に銅を形成する工程を備える、方法。
処理ツールであって、
低圧処理チャンバと、
混合器を備える銅メッキチャンバを含む大気圧処理チャンバと、
前記低圧処理チャンバと前記大気圧処理チャンバとの各々に接続された移送チャンバであって、制御された環境を備え、前記低圧処理チャンバから前記大気圧処理チャンバへ基板を移送する際に制御された環境を提供する、移送チャンバと、
前記低圧処理チャンバと、前記大気圧処理チャンバと、前記移送チャンバとに接続された制御部であって、前記低圧処理チャンバと、前記大気圧処理チャンバと、前記移送チャンバとの各々を制御するためのロジックを備える、制御部と、
を備え、
前記制御部は、レシピを備え、
前記レシピは、
パターン化基板を前記銅メッキチャンバ内にロードするためのロジックと、
銅源溶液を前記混合器に供給するためのロジックと、
還元溶液を前記混合器に供給するためのロジックと、
前記銅源溶液と前記還元溶液とを混合して、約６．５から約７．８の間のｐＨを有するメッキ溶液を形成するためのロジックと、
前記メッキ溶液を前記パターン化基板に供給するためのロジックと、を備え、
前記パターン化基板は触媒層を備え、前記メッキ溶液を前記基板に供給することは、前記触媒層の上に銅を形成することを含む、処理ツール。
請求項１５に記載の処理ツールであって、
前記低圧処理チャンバは、１または複数のプラズマエッチング／除去チャンバを含む２以上の低圧処理チャンバを含む、処理ツール。
請求項１６に記載の処理ツールであって、
前記プラズマチャンバは、ダウンストリームプラズマチャンバである、処理ツール。
請求項１６に記載の処理ツールであって、
前記エッチング／除去チャンバは、湿式処理チャンバである、処理ツール。
請求項１５に記載の処理ツールであって、
前記移送チャンバは、入力／出力モジュールを備える、処理ツール。
請求項１５に記載の処理ツールであって、
前記パターン化基板は、前記触媒層の上に形成されたパターン化フォトレジスト層を備え、
前記パターン化フォトレジスト層は、前記触媒層の第１の部分を露出させ、前記触媒層の第２の部分を覆う、処理ツール。