JP2001085397A

JP2001085397A - パターン形成方法

Info

Publication number: JP2001085397A
Application number: JP25792799A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiko Sato; 康彦佐藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1999-09-10
Filing date: 1999-09-10
Publication date: 2001-03-30

Abstract

(57)【要約】【課題】高エッチング耐性を有する金属のマスクパタ
ーンを湿式方法で形成する。【解決手段】被加工膜１上に導電性有機化合物を湿式
方法で塗布し導電膜２を形成する。導電膜２上にレジス
ト膜を成膜し、露光と現像を施しレジストパターン４を
形成する。導電膜２を電極として機能させ電解メッキ処
理を行う。レジストパターンに被覆されていない領域の
導電膜２に金属が堆積し金属パターン５が形成できる。
このことにより、レジストに対して高選択比を有し加工
しにくい金属でもレジストパターン４のネガパターンを
転写することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置や液晶パ
ネル等の表示装置の製造方法に使用されるパターン形成
方法に係わり、特に微細加工に適したパターンの形成方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子等の製造方法においては、シ
リコンウェーハ等の上に複数の物質を堆積し、所望のパ
ターンにパターニングする工程を多く含んでいる。被加
工膜のパターニングは以下のように行われる。まず、一
般にレジストと呼ばれる感光性物質をウェーハ上の被加
工膜上に堆積しレジスト膜を形成し、このレジスト膜の
所定の部分に露光を施す。次に、レジスト膜の露光部あ
るいは未露光部を現像処理により除去してレジストパタ
ーンを形成する。そして、このレジストパターンをエッ
チングマスクとして被加工膜をドライエッチングする。

【０００３】露光工程において、ＬＳＩ等の半導体素子
の微細化に伴い、露光光源は、短波長化し、スループッ
トの観点からＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレ
ーザなどの紫外光が用いられている。しかし、ＬＳＩの
微細化の進行は早く、必要な解像度が光源の波長以下に
なり、露光量裕度やフォーカス裕度などの露光プロセス
裕度が不足してきている。

【０００４】これらの不足を補うにはレジストの膜厚を
薄くして解像性を向上させることが有効である。しか
し、被加工膜のエッチングに耐えるために必要なレジス
ト膜厚を確保できなくなってしまうという問題が生じ
る。この問題を解決するために、被加工膜上にエッチン
グ耐性があるマスク材として金属膜を形成し、この金属
膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパター
ンを金属膜に転写し、金属膜に転写されたパターンを被
加工膜に再度転写するプロセスの検討がなされている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記のように従来技術
では、金属膜のエッチング耐性が高いことが、被加工膜
のエッチングの際には有効に作用するが、レジストパタ
ーンを金属膜に転写する際には、レジストパターンの削
れ量が増大して結局レジストの膜厚を薄くできていない
などの、金属膜を加工することが困難であるという問題
が考えられる。さらに、金属膜の成膜にはＣＶＤ法やス
パッター法などの成膜方法が用いられるが、真空系を必
要とするためプロセスコストがかかるという問題も考え
られる。

【０００６】本発明は、上記実情に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、レジスト膜の薄膜化
が可能で、微細加工に適したプロセスコストの低いパタ
ーンの形成方法を提供する事にある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】すなわち、上記目的を達
成するために本発明のパターン形成方法においては、被
加工膜の上に絶縁膜のパターンを形成する工程と、この
絶縁膜パターン間に選択的に金属パターンを形成する工
程と、この金属パターンをマスクに被加工膜にエッチン
グする工程を具備することを特徴とする。このことによ
り、被加工膜上に、絶縁膜のパターンに被覆されていな
い領域を金属を選択的に堆積させているので、絶縁膜の
膜厚によらずメタルのエッチングマスクの形成が可能に
なり、メタルをエッチングマスクとして被加工膜をドラ
イエッチングすることができる。

【０００８】また、本発明において、金属パターンを形
成する工程が、メッキ工程を含むことにより効果的であ
る。このことにより、エッチング耐性を有する金属をメ
ッキ処理で絶縁膜の間に埋め込むことができ、エッチン
グ耐性を有する金属のパターンを形成することができ
る。また、湿式方法で金属パターンが得られるのでプロ
セスコストがかからない。

【０００９】また、本発明において、絶縁膜がレジスト
膜であることにより一層効果的である。このことによ
り、パターンの形成がホトリソグラフィ法で容易に形成
でき、さらにメッキ工程において必要とされる絶縁性と
耐酸性を確保することができる。レジスト膜の膜厚を薄
くできるのでパターンの解像度を上げることができる。

【００１０】また、本発明において、エッチング工程
が、金属パターンをエッチングマスクとして用いて被加
工膜をドライエッチングする工程を含むことにより効果
的である。このことにより、異方性良く被加工膜を加工
することが可能になる。

【００１１】また、本発明において、金属パターンの厚
さが絶縁膜の膜厚以下であることにより効果的である。
このことにより、余分な金属パターンを削る工程が不要
になりプロセスの簡易化が可能になる。

【００１２】更に、本発明においては、被加工膜の上に
導電膜を形成する工程と、この導電膜の上にレジスト膜
を形成する工程と、このレジスト膜に対してパターン露
光を行ってレジストパターンを形成する工程と、このレ
ジストパターン間に金属を電解メッキ処理して堆積させ
て金属パターンを形成する工程と、この金属パターンを
エッチングマスクとして用いて被加工膜をドライエッチ
ングする工程とを具備することによっても上記と同様の
効果を得ることができる。さらに、メッキ処理として、
電解メッキ処理が可能になる。

【００１３】そして、本発明において、導電膜が導電性
化合物からなることで、導電膜が湿式方法で形成可能に
なり一層効果的である。また、導電膜を形成する工程
が、被加工膜の上に還元性化合物からなる薄膜を形成す
る工程と、無電解メッキにて導電膜を堆積する工程とを
具備することによっても同様の効果を得る事ができる。
さらに、還元性化合物が、主鎖にシリコンとシリコンの
結合を有することにより効果的である。このことによ
り、無電解メッキの核形成が均一にできる薄膜を提供で
きる。なお、この無電解メッキは電解メッキに必要な導
電膜を形成するためのもので、以下に説明する金属パタ
ーンを形成する無電解メッキとは異なる。

【００１４】また、本発明において、被加工膜を導体化
処理する工程と、この被加工膜の上に絶縁膜のパターン
を形成する工程と、無電解メッキによってこの絶縁膜パ
ターン間に選択的に金属を堆積させて金属パターンを形
成する工程と、この金属パターンをマスクに被加工膜に
エッチングする工程を具備することによっても同様な効
果を得る事ができる。ここで、「導体化処理」とは、無
電解メッキの前処理として行われ、金属を析出させたい
表面の表面抵抗を下げる処理のことで、１×１０^１２Ω
／□以下に下げることが望ましい。このことにより、金
属パターンが無電解メッキで形成可能になる。

【００１５】また、本発明において、被加工膜を導体化
処理する工程と、この被加工膜の上にレジスト膜を形成
する工程と、このレジスト膜に対してパターン露光を行
ってレジストパターンを形成する工程と、このレジスト
パターン間に金属を無電解メッキ処理して堆積させて金
属パターンを形成する工程と、この金属パターンをエッ
チングマスクとして用いて被加工膜をドライエッチング
する工程とを具備することによっても同様な効果を得る
事ができる。そして、導体化処理の工程が、被加工膜の
上に導電膜を形成する工程を具備していてもよいし、こ
の導電膜が導電性有機化合物からなっていてもよい。こ
のことにより、湿式方法で、被加工膜上を導体化でき
る。また、導体化処理の工程が、被加工膜の上のレジス
トパターン間に導電材料を埋め込む工程を具備してもよ
く、このことにより、導電材料を埋め込まれた領域のみ
に選択的に金属を析出させることが可能になる。埋め込
む工程が、被加工膜上に還元性化合物からなる薄膜を形
成する工程と、この薄膜上に無電解メッキにて導電材料
を堆積する工程とを含むことにより、上記選択性を一層
顕著に発現させることができる。そして、この還元性化
合物が、主鎖にシリコンとシリコンの結合を有すること
により効果的である。このことにより、無電解メッキの
核形成が均一にできる薄膜を提供できる。

【００１６】また、本発明において、ドライエッチング
する工程の後に、金属パターンを除去する剥離工程を具
備していてもよい。このことにより、被加工膜のみのパ
ターンを得ることができる。なお、剥離工程は、リフト
オフ法で金属パターンを除去する工程を含んでいても、
金属パターンを酸、或いはアルカリで溶解除去する工程
を含んでいてもよい。

【００１７】また、本発明において、ドライエッチング
する工程の後に、被加工膜上に付着した金属粒子を除去
する洗浄工程を具備していてもよい。このことにより、
被加工膜の表面を金属汚染のない状態にすることができ
る。この洗浄工程は、金属粒子を酸、或いはアルカリで
溶解除去する工程を含んでいてもよいし、金属粒子を液
体、或いは気体で吹き飛ばして除去する工程を含んでい
てもよい。

【００１８】

【発明の実施の形態】次に、図面を参照して、本発明の
実施の形態としてパターン形成方法を説明する。以下の
図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は
類似の符号を付している。また、図面は模式的なもので
あり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は
現実のものとは異なることに留意すべきである。

【００１９】（第１の実施の形態）図１と図２は本発明
の第１の実施の形態に係るパターン形成方法の工程を示
す図である。

【００２０】（イ）図１（ａ）に示すように、まず、被
加工膜１上に下層膜として導電膜２を形成する。被加工
膜１としては、例えばブランクマスク材、シリコン基
板、シリコン基板上に成膜がなされた配線材料、電極材
料、絶縁膜等が挙げられる。導電膜２は電解メッキにお
いて電極層として機能する。下層膜は成膜時に導電性を
有することが好ましいが、これに限らず、成膜後に導電
性を付加して全体として導電膜２を形成してもよい。導
電性の付加すなわち導体化処理は、下層膜の全面に電解
メッキの工程の前までに行えばよい。なお、被加工膜１
が導電性を有する場合は、下層膜の形成と、導体化処理
が省略できる。また、被加工膜１が導電性を持たなくて
も無電解メッキの工程の前までに被加工膜１の全面に直
接導体化処理を行えればよく、この場合下層膜の形成が
省略できる。

【００２１】下層膜が導電性を有する場合の下層膜のシ
ート抵抗は１×１０^１２Ω／□以下であることが好まし
く、これ以上になるとメッキ液から金属が析出しにくく
なってしまう。この特性を示す下層膜には、例えば、ポ
リアセチレン、ポリフェニレン、ポリアニレン、ピロー
ルなどの導電性有機化合物が使用できる。導電性を持た
ない下層膜にはポリシランが使用できる。その理由はポ
リシランなどの主鎖にシリコンとシリコンの結合を含む
化合物は、還元作用があり、金属溶液と接触させること
で、金属が堆積し、湿式方法で容易に下層膜を導体化す
ることができる。下層膜の成膜方法は特に限定されるこ
とはないが、湿式方法で塗布することが好ましく、これ
らの導電性有機化合物を有機溶媒に溶解して調整した薬
液をスピンコーティング法を用いてウェハー上に塗布し
た後、ホットプレートでベーキングすることによって得
ることができる。

【００２２】さらに、下層膜あるいは被加工膜１が導電
性を持たない場合の導体化処理としては、パラジウム、
アルミニウム、タングステン等の金属を粒子や膜の状態
で下層膜被加工膜等の上に堆積させシード層を形成すれ
ばよい。堆積方法としては、スパッタリング法、イオン
プレーティング法、金属溶液を下層膜等の上に液盛る方
法等が使用できる。

【００２３】また、下層膜をパターン露光の際に反射防
止膜として作用させるために、露光波長における複数屈
折率（ｎ，ｋ）は１．０＜ｎ＜３．０、０．１＜ｋ＜
１．０の範囲にあることが好ましい。下層膜の膜厚は５
〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、その理由は５ｎｍ以
下では塗布性が劣化し、１０００ｎｍでは下層膜の加工
が困難になるためである。

【００２４】（ロ）次に、図１（ｂ）に示すように、導
電膜２上にレジスト溶液をスピンコーティング法により
塗布してレジスト膜を形成する。レジストの膜厚は露光
プロセス裕度を向上させるために薄い方が好ましく、１
０００ｎｍ以下が望ましい。また、レジストは、目的に
応じて、ポジ型またはネガ型を選択して使用することが
できる。具体的には、ポジ型のレジストとしては、例え
ば、ナフトキノンジアジドとノボラック樹脂とからなる
レジスト（ＩＸ−７００、日本合成ゴム社製）、ｔ−Ｂ
ＯＣで保護したポリビニルフェノール樹脂と酸発生剤と
からなる化学増幅型レジスト（ＡＰＥＸ−Ｅ、シップレ
ー社製）などが挙げられる。また、ネガ型のレジストと
しては、例えば、ポリビニルフェノールとメラミン樹脂
おおび光酸発生剤からなる化学増幅型レジスト（ＸＰ−
８９１３１、シップレー社製）、ポリビリルフェノール
とビスアジド化合物とからなるレジスト（ＲＤ−２００
０Ｄ、日立化成社製）などが挙げられるがこれらに限定
されることはない。レジストを塗布した後、必要に応じ
てプリベーキングを行う。

【００２５】（ハ）エネルギービームをレジストに対し
て照射してパターン露光を行う。エネルギービームとし
ては、例えば、電子ビーム、イオンビーム、Ｘ線、紫外
光などを挙げることができる。紫外光を照射するための
光源としては水銀灯、ＸｅＦ（波長＝３５１ｎｍ）、Ｘ
ｅＣｌ（波長＝３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（波長＝２４８ｎ
ｍ）、ＫｒＣｌ（波長＝２２２ｎｍ）、ＡｒＦ（波長＝
１９３ｎｍ）、Ｆ２（波長＝１５１ｎｍ）等のエキシマ
レーザーを挙げることができる。露光後、必要に応じて
ポストエクスポージャーベーキングを行う。そして、図
１（ｃ）に示すように、テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド、コリン等の有機アルカリ水溶液、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ水溶液、キシ
レン、アセトンの有機溶媒を用いて現像処理が施されレ
ジストパターンが形成される。

【００２６】（ニ）次に、図２（ａ）に示すように、電
解メッキ処理を行い導電膜２のレジストパターンに被覆
されていない領域に選択的に金属を堆積させ、金属パタ
ーン５を得る。メッキ液中に被加工膜１、及び陽極を設
置し、レジストパターン直下の導電膜２を陰極に設置し
て電流を印加する。導電膜表面の電流密度は特に限定さ
れることはないが、０．０１ｍＡ／ｃｍ^２〜１Ａ／ｃｍ
^２が好ましい。その理由は０．０１ｍＡ／ｃｍ^２以下で
は金属の堆積速度が遅すぎてスループットが低下し、１
Ａ／ｃｍ^２以上では金属の堆積速度が速すぎて金属パタ
ーン５の膜厚の制御性が劣化するからである。メッキ液
は、例えばＮｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ａｇ、Ａｌなどの金属の硫酸塩溶液、塩化物溶液、
或いは過塩素溶液を好適に用いることができる。メッキ
処理する時間は堆積した金属の厚さがレジストパターン
の膜厚以下になるように終了させることが好ましい。

【００２７】（ホ）次に、図２（ｂ）に示すように、必
要に応じてレジストパターンを溶解除去する。ポジ型レ
ジストの場合はエネルギービームを照射、或いは熱を加
えてレジストを分解させた後、現像処理を行うことで、
ネガ型レジストの場合は、有機溶剤に浸透させることで
マスク材パターンに対してレジストパターンのみを選択
的に溶解除去することができる。

【００２８】以上のようにして、金属のパターン５を形
成することができる。したがって、レジストに対して高
選択比で加工しにくいような高エッチング耐性を有する
金属でもレジストパターン４のネガパターンを転写する
ことができることを意味する。このことは、このような
高エッチング耐性を有する金属をマスク材とする高エッ
チング耐性を有するマスクパターンを形成できることを
意味する。また、湿式方法でマスク材パターンが得られ
るのでプロセスコストがかからない。

【００２９】（ヘ）次に、図２（ｃ）に示すように、金
属パターン５をエッチングマスクとして用いて、導電膜
２、被加工膜１を順次エッチングする。レジストパター
ン４を前の工程で溶解除去していない場合は、レジスト
パターン４も金属パターン５をエッチングマスクとして
をエッチングすれば良い。加工方法は限定されることは
ないが、異方性良く加工するためにドライエッチングが
好ましい。

【００３０】（ト）最後に、図２（ｄ）に示すように、
必要に応じてマスクとして用いた金属パターンを除去す
る。除去する方法は、特に限定されることはないが、例
えば、導電膜２を溶剤で溶解除去してリフトオフして除
去する方法や、フッ素などの強酸、アンモニアなどの強
アルカリで金属パターン５を溶解除去する方法が挙げら
れる。

【００３１】更に、必要に応じて被加工膜１をエッチン
グした後に、被加工膜１上に付着した金属を洗浄する工
程を入れてもよい。洗浄法としては、水などの液体で金
属粒子を洗い流す方法、窒素、ヘリウム、アルゴンなど
の気体で金属粒子を吹き飛ばす方法、或いは、フッ素な
どの強酸、アンモニアなどの強アルカリで溶解除去する
方法などを用いることができる。

【００３２】以下、実施例を用いて第１の実施の形態を
さらに具体的に説明する。

【００３３】（実施例１）図３と図４は本発明の実施例
１に係るパターン形成方法の工程を示す図である。な
お、この工程は、半導体装置の層間絶縁膜を被加工膜と
し、これに多層配線用の接続穴（ホール）のパターンを
形成する半導体装置の製造方法に適用したものである。
そして、後述するすべての実施例も同様である。

【００３４】（イ）図３（ａ）に示すように、まず、シ
リコンウェーハ１０上に被加工膜として、ＬＰＣＶＤ法
を用いて膜厚９００ｎｍのシリコン酸化（ＳｉＯ_２）膜
１１を形成した。

【００３５】次に、導電性有機化合物として平均重量分
子量１２，０００のポリアニリン９．８ｇとスルフォン
酸０．２ｇをアニソール９０ｇに溶解して導電膜溶液を
調整し、スピンコーティング法でシリコン酸化膜１１上
に塗布した。ホットプレートで１９０℃で６０秒間ベー
キングを行って膜厚１００ｎｍの導電膜１２を形成し
た。この導電膜１２のシート抵抗を測定したところ２×
１０^６Ω／□で導電性を有することが確認できた。ま
た、露光波長１９３ｎｍの複素屈折率を測定したとこ
ろ、ｎ＝１．８２，ｋ＝０．３２で反射防止膜として適
する値を有していることが確認できた。

【００３６】（ロ）次に、図３（ｂ）に示すように、膜
厚２００ｎｍのレジスト膜１３を形成した。レジスト溶
液は、図５（ａ）に示す化学構造式で表され平均重量分
子量が１２，０００である溶解抑止剤樹脂９．５ｇと、
図５（ｂ）に示す化学構造式で表される酸発生剤０．５
ｇを乳酸エチル９０ｇに溶解して調整した。このレジス
ト溶液をスピンコーティング法を用いて電極層１２上に
塗布し、ホットプレートで１４０℃で６０秒間のプリベ
ーキングを行った。

【００３７】（ハ）ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９
３ｎｍ）を光源とする露光装置を用いてパターン露光を
行い、ホットプレートで１４０℃で６０秒間のポストエ
クスポージャーベーキングを行った。そして、図３
（ｃ）に示すように、０．２１規定のテトラメチルアン
モニウムヒドロキシキサイドを用いて現像処理を行って
直径１３０ｎｍのビラーパターンを形成した。レジスト
パターンの側壁に定在波による波打ち形状ではなく導電
膜１２からの反射が好適に抑えられていることが確認で
きた。

【００３８】（ニ）次に、図６に示すようにメッキ槽１
７のメッキ液１９の中にウェーハ１０と銅（Ｃｕ）製の
板１８を設置した。メッキ液１９はＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２
０／２．５ｋｇ、硫酸／０．７ｋｇ、塩素／４ｇを純水
０．０１ｍ^３に溶解して得たＣｕ溶液であり、液の温度
を２５℃に設定した。導電膜１２を陰極に、銅製の板１
８を陽極に直流電源を接続し、導電膜表面の電流密度が
１ｍＡ／ｃｍ^２の直流電流を流した。電流を印加してメ
ッキ処理を開始したところ、図４（ａ）に示すように、
レジストパターン１４に被覆されていない導電膜１２上
にのみ銅が堆積して膜厚２００ｎｍの銅パターン１５を
形成することができた。実施例１ではレジストパターン
１４間に銅パターン１５を埋め込んでいるので、銅パタ
ーン１５の形成にエッチング工程が不要で、レジストパ
ターン１４のネガパターン寸法と銅パターン１５の寸法
は一致し、加工変換差を完全になくすことができる。

【００３９】（ホ）次に、図４（ｂ）に示すように、銅
パターン１５をエッチングマスクとして用いてレジスト
パターン１４、導電膜１２、シリコン酸化膜１１を一括
してドライエッチングしてシリコン酸化膜１１を加工し
た。エッチング装置にはマグトロン型反応性イオンエッ
チング装置を用い、ソースガスに四弗化炭素（ＣＦ_４、
２０ｓｃｃｍ）、酸素（Ｏ_２、１００ｓｃｃｍ）とアル
ゴン（Ａｒ、１００ｓｃｃｍ）の混合ガスを使用し、圧
力４．０Ｐａ、ウェーハ温度４０℃、励起電力密度１．
５Ｗ／ｃｍ^２の条件でドライエッチングを行った。図４
（ｂ）のように定義できる加工形状のテーパ角（Θ）を
調べたところ、９８°と許容量の９７°以上で異方性の
高い加工形状を得ることができた。また、シリコン酸化
膜１１底部のホールの直径は１３２ｎｍでレジストパタ
ーン１４との加工変換差は２ｎｍで許容量の５ｎｍ以下
であった。このように、レジストパターン１４の寸法に
対して忠実に被加工膜であるシリコン酸化膜１１を加工
することができた。銅パターン１５のシリコン酸化膜１
１の加工条件でのエッチングレートを調べたところ、５
ｎｍ／分でシリコン酸化膜１１のエッチングレート４０
０ｎｍ／分と比べると極めてエッチングされにくく、銅
パターン１５がシリコン酸化膜１１加工時のエッチング
マスクとして有効に作用したため良好な加工特性が得ら
れたと考えられる。

【００４０】次に、剥離工程として、図４（ｃ）に示す
ように、導電膜１２をトルエンにて溶解除去して、銅パ
ターン１５をリフトオフ法で除去した。続いて、洗浄工
程として、水洗でウェーハ基板１０あるいはシリコン酸
化膜１１の上に付着した銅粒子を除去した。

【００４１】（実施例２）実施例１でレジストパターン
を溶解除去した場合について説明する。

【００４２】まず、実施例１と同様にして図３の（ａ）
乃至（ｄ）さらに図４（ａ）に示すように、銅パターン
を形成した。

【００４３】次に、ホットプレートを用いて１５０℃で
３００秒間ウェーハを加熱してレジストパターン１４を
分解した。続いて、図７に示すように、０．２１規定の
テトラメチルアンモニウムヒドロキシキサイドを用いて
現像処理を行いレジストパターン１４を除去した。

【００４４】次に、図４の（ｂ）に示すように、実施例
１と同様のドライエッチング条件で導電膜１２、シリコ
ン酸化膜１１を順次一括してエッチングした。加工形状
のテーパ角を調べたところ、９８°であり、また、シリ
コン酸化膜１１底部のホールの直径は１３２ｎｍであっ
た。このように、実施例１と同様にレジストパターン１
４の寸法に対して忠実に被加工膜であるシリコン酸化膜
１１を加工することができた。

【００４５】最後に、剥離工程は、図４（ｃ）に示すよ
うに実施例１と同様に、導電膜１２の除去及び洗浄を行
った。

【００４６】実施例２のように、本発明では金属パター
ン形成後にレジストパターンを溶解除去してもよい。

【００４７】（実施例３）図８と図９は本発明の実施例
３に係るパターン形成の工程を示す図である。

【００４８】（イ）まず、シリコンウェーハ１０上に被
加工膜として、ＬＰＣＶＤ法を用いて膜厚９００ｎｍの
シリコン酸化（ＳｉＯ_２）膜１１を形成した。

【００４９】次に、シリコン酸化膜１１上に、平均重量
分子量１２，０００のポリフェニルメチルシラン１０ｇ
をアニソール９０ｇに溶解して得た溶液をスピンコーテ
ィング法を用いて塗布した。そして、図８（ａ）に示す
ように、ホットプレートを用いて１６０℃で６０秒間の
ベーキング処理を行って膜厚１００ｎｍの下層膜６１を
形成した。

【００５０】（ロ）次いで、塩化パラジウム（ＰｄＣ
ｌ）１２．５ｇをエタノール８７．５ｇに溶解して得た
パラジウム溶液を下層膜６１上に液盛りし水洗いして、
図８（ｂ）に示すように、下層膜６１上にパラジウム粒
子６２を堆積させた。パラジウム粒子６２の付着によっ
て下層膜６１を導体化することができ、導電膜６３を形
成することができる。塩化パラジウムはポリシランによ
り還元され、下層膜にパラジウムとなって堆積する。

【００５１】（ハ）次に、図８（ｃ）に示すように、実
施例１と同様にしてパラジウム粒子６２の上にレジスト
膜１３を形成した。

【００５２】（ニ）加速電圧５０ｋｅＶの可変成形型電
子ビーム描画装置を用いてパターン露光を行った。そし
て、図８（ｄ）に示すように、実施例１と同様にしてポ
ストエクスポージャーベーキング、現像処理を行い直径
１３０ｎｍのピラー形状のレジストパターン１４を得
た。

【００５３】（ホ）次に、図６に示すようにメッキ槽１
７のメッキ液１９の中にウェーハ１０と銅（Ｃｕ）製の
板１８を設置し、実施例１と同様にメッキ処理を行っ
た。図９（ａ）に示すように、レジストパターン１４に
被覆されていないパラジウム粒子６２上にのみ銅が堆積
して膜厚２００ｎｍの銅パターン２５を形成することが
できた。実施例３でもレジストパターン１４間に銅パタ
ーン２５を埋め込んでいるので、レジストパターン１４
のネガパターンとの寸法と銅パターン２５の寸法は一致
し、加工変換差を完全になくすことができる。

【００５４】（ヘ）次に、図９（ｂ）に示すように、実
施例２と同様にレジストパターン１４を加熱分解と現像
処理を行いレジストパターン１４を除去した。

【００５５】（ト）図９（ｃ）に示すように、実施例１
と同様のドライエッチング条件でパラジウム粒子６２、
下層膜６２、シリコン酸化膜１１を順次一括してエッチ
ングした。加工形状のテーパ角を調べたところ、９８°
であり、また、シリコン酸化膜１１底部のホールの直径
は１３２ｎｍであった。このように、実施例１と同様に
レジストパターン１４の寸法に対して忠実に被加工膜で
あるシリコン酸化膜１１を加工することができた。

【００５６】（チ）最後に、剥離工程として、図９
（ｄ）に示すように、フッ酸で銅パターン２５を溶解除
去し、材料ガスに酸素（Ｏ２、１００ｓｃｃｍ）と四弗
化炭素（ＣＦ４、１００ｓｃｃｍ）を使用し、圧力３．
３Ｐａ、ウェーハ温度２５℃、励起電力１．３Ｗ／ｃｍ
２の条件でドライエッチングを行い下層膜６１を除去し
た。続いて、アルゴンガスをウェーハ基板１０上に吹き
かけて付着するパラジウム粒子を除去した。

【００５７】（第２の実施の形態）第１の実施の形態で
は、電解メッキで金属をレジストパターン間に堆積させ
ることで金属パターンが形成でき、この金属パターンは
エッチングマスクとして優れた特性を有する事を説明し
た。第２の実施の形態では、無電解メッキで金属パター
ンを形成することにより、優れたエッチングマスクとし
ての特性を有する金属パターンが得られることを説明す
る。

【００５８】図１０と１１は本発明の第２の実施の形態
に係るパターン形成の工程を示す図である。

【００５９】（イ）図１０（ａ）に示すように、まず、
被加工膜１上に下層膜６を形成する。被加工膜１として
は、例えばブランクマスク材、シリコン基板、シリコン
基板上に成膜がなされた配線材料、電極材料、絶縁膜等
が挙げられる。下層膜６は導電膜であることが好ましい
が、これに限らず、導電性のない膜であってもよい。下
層膜６を導電性のない膜とした場合は、無電解メッキの
工程の前までに下層膜の少なくとも金属を析出させたい
部分に導体化処理を行えばよい。なお、被加工膜１が導
電性を有する場合は、下層膜６の形成と、導体化処理が
省略できる。また、被加工膜１が導電性を持たなくても
無電解メッキの工程の前までに被加工膜１の少なくとも
金属を析出させたい部分に導体化処理を行えればよく、
この場合下層膜１の形成が省略できる。

【００６０】下層膜６が導電性を有する場合の下層膜６
のシート抵抗は１×１０^１２Ω／□以下であることが好
ましく、これ以上になるとメッキ液から金属が析出しに
くくなってしまう。この特性を示す下層膜６には、例え
ば、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリアニレン、
ピロールなどの導電性有機化合物が使用できる。導電性
を持たない下層膜６にはポリシランが使用できる。下層
膜６の成膜方法は特に限定されることはないが、湿式方
法で塗布することが好ましく、これらの導電性有機化合
物を有機溶媒に溶解して調整した薬液をスピンコーティ
ング法を用いてウェハー上に塗布した後、ホットプレー
トでベーキングすることによって得ることができる。

【００６１】さらに、下層膜６あるいは被加工膜１が導
電性を持たない場合の導体化処理としては、パラジウ
ム、アルミニウム、タングステン等の金属を粒子や膜の
状態で下層膜６等の上に堆積させシード層を形成すれば
よい。堆積方法としては、スパッタリング法、イオンプ
レーティング法、金属溶液を下層膜等の上に液盛るよう
な無電解メッキ法等が使用できる。

【００６２】また、下層膜６をパターン露光の際に反射
防止膜として作用させるために、露光波長における複数
屈折率（ｎ，ｋ）は１．０＜ｎ＜３．０、０．１＜ｋ＜
１．０の範囲にあることが好ましい。下層膜６の膜厚は
５〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、その理由は５ｎｍ
以下では塗布性が劣化し、１０００ｎｍでは下層膜６の
加工が困難になるためである。

【００６３】（ロ）次に、図１０（ｂ）に示すように、
下層膜６上にレジスト溶液をスピンコーティング法によ
り塗布してレジスト膜４を形成する。このレジスト塗布
の工程は第１の実施の形態と同様に行えばよい。下層膜
が導電性を持たない場合には、このレジスト塗布の工程
の前に、上述の導体化処理を行ってもよい。

【００６４】（ハ）そして、図１０（ｃ）に示すよう
に、エネルギービームをレジストに対して照射してパタ
ーン露光を行い、有機溶媒を用いて現像処理を施すこと
でレジストパターンを形成する。下層膜６が導電性を持
たない場合には、この現像処理の工程の後に、上述の導
体化処理を行ってもよい。ただし、この場合は、下層膜
６のみが導体化されレジスト表面は導体化しない条件で
処理を行う必要がある。

【００６５】（ニ）次に、図１０（ｄ）に示すように、
無電解メッキ処理を行い下層膜６のレジストパターン４
に被覆されていない領域に選択的に金属を堆積させ、金
属パターン７を得る。レジストパターン４に被覆されて
いない領域では、メッキ溶液と導電性を有する下層膜６
が接しているため、電子が移動しやすくメッキ液中の金
属イオンが還元剤で還元されて金属になることができ
る。一方、レジストパターン４上では、レジストの絶縁
性が高いために電子が移動せず金属イオンが還元剤で還
元されることが困難である。その結果、レジストパター
ン４に被覆されていない領域のみ選択的に金属を堆積す
ることができる。メッキ液は、例えばＮｉ、Ｆｅ、Ｚ
ｎ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ａｌなどの金属の
硫酸塩溶液、塩化物溶液、或いは過塩素溶液を好適に用
いることができる。メッキ液には、還元剤を添加しなけ
ればならない。還元剤としては、特に限定されることは
ないが、次亜リン酸塩、水素化ホウ素化合物、ヒドラジ
ン、ホルムアルデヒド、ロシエル塩等をあげることがで
きる。また、ｐＨ調整剤、金属イオン調整剤を添加して
もよい。ｐＨ調整剤には、ホウ素、炭素、酢酸などの有
機酸、及び、無機酸系の緩衝剤をあげることができる。
金属イオン調整剤としては、酒石酸、クエン酸、グリシ
ン、トリエタノールアミン、ＥＤＴＡなどの各種錯化剤
をあげることができる。また、この他にも、メッキ液の
安定剤を添加してもよい。メッキ処理する時間は堆積し
た金属の厚さがレジストパターン４の膜厚以下になるよ
うに終了させることが好ましい。

【００６６】（ホ）次に、図１１（ａ）に示すように、
必要に応じてレジストパターンを溶解除去する。このレ
ジストパターンの溶解除去の工程は第１の実施の形態と
同様に行えばよい。

【００６７】以上のようにして、金属のパターンを形成
することができる。このことは、無電解メッキで高エッ
チング耐性を有する金属を析出させることで、高エッチ
ング耐性を有するマスクパターンを形成できることを意
味する。

【００６８】（ヘ）次に、図１１（ｂ）に示すように、
下層膜６、被加工膜１をエッチングする。このエッチン
グの工程は第１の実施の形態と同様に行える。

【００６９】（ト）最後に、図１１（ｃ）に示すよう
に、必要に応じて金属パターンを除去する。この金属パ
ターンの除去の工程と洗浄の工程も第１の実施の形態と
同様に行える。

【００７０】以下、実施例で第２の実施の形態をさらに
具体的に説明する。

【００７１】（実施例４）図３と図１２を用いて本発明
の実施例４に係るパターン形成方法を説明する。

【００７２】（イ）まず、実施例１と同様にして図３
（ａ）に示すように、シリコンウェーハ１０の上にシリ
コン酸化膜１１と導電膜１２を形成した。次に、図３
（ｂ）に示すように、実施例１と同様にして、導電膜１
２上にレジスト膜１３を成膜して、図３（ｃ）に示すよ
うに、ピラー形状のレジストパターン１４を形成した。

【００７３】（ロ）次に、メッキ液をウェーハ１０上に
盛り、図１２（ａ）に示すように、導電膜１２上のレジ
ストパターン１４で被覆されていない領域のみに銅（Ｃ
ｕ）を堆積させて銅パターン２７を得た。メッキ液はＣ
ｕ−ＥＤＴＡ／２．５Ｋｇ、還元剤としてのホルマリ
ン／０．０１Ｋｇを純水０．０１ｍ^３に溶解して得たＣ
ｕ溶液であり、液の温度を２５℃に設定した。実施例４
ではレジストパターン１４間に銅パターン２７を埋め込
んでいるので、レジストパターン１４のネガパターンの
寸法と銅パターン２７の寸法は一致し、加工変換差を完
全になくすことができる。

【００７４】（ハ）次に、図１２（ｂ）に示すように、
銅パターン２７をエッチングマスクとして用いてレジス
トパターン１４、導電膜１２、シリコン酸化膜１１を一
括してドライエッチングしてシリコン酸化膜を加工し
た。ドライエッチングは実施例１と同様にして行った。
加工形状のテーパ角を調べたところ、９８°であり、ま
た、シリコン酸化膜１１底部のホールの直径は１３２ｎ
ｍであった。このように、実施例１と同様にレジストパ
ターン１４の寸法に対して忠実にシリコン酸化膜１１を
加工することができた。銅のシリコン酸化膜１１の加工
条件でのエッチングレートを調べたところ、５ｎｍ／分
でシリコン酸化膜１１のエッチングレート４００ｎｍ／
分と比べると極めてエッチングされにくく、銅がシリコ
ン酸化膜１１加工時のエッチングマスクとして有効に作
用したため良好な加工特性が得られたと考えられる。

【００７５】（ニ）最後に、剥離工程と洗浄工程は、図
１２（ｃ）に示すように実施例１と同様に行った。ま
た、実施例２のように銅パターン２７形成後にレジス
トパターン１４を溶解除去してもよい。

【００７６】（実施例５）図８と図１３を用いて本発明
の実施例５に係るパターン形成方法を説明する。

【００７７】（イ）まず、図８（ａ）に示すように、実
施例３と同様にシリコンウェーハ１０上にシリコン酸化
膜１１と下層膜６１を形成した。

【００７８】（ロ）次いで、図８（ｂ）に示すように、
実施例３と同様に下層膜６１上にパラジウム粒子６２を
堆積させた。パラジウム粒子６２の付着によって下層膜
６１を導体化することができ、導電膜６３を形成するこ
とができる。

【００７９】（ハ）次に、図８（ｃ）に示すように、実
施例１と同様にしてパラジウム粒子６２の上にレジスト
膜１３を形成した。つぎに、図８（ｄ）に示すように、
パターン露光と現像処理を行いレジストパターン１４を
得た。

【００８０】（ニ）メッキ液としてＮｉＳＯ_４・６Ｈ_２
Ｏ／１３ｇ、ＫＨＰＯ／３．７ｇ、ＣＨ_３ＣＯＯＫ／２
０ｇをＨ_２Ｏ／６０ｇに溶解してＮｉ溶液を調合した。
このメッキ液をウェハー１０の全面に液盛りし水洗いし
て、図１３（ａ）に示すように、パラジウム粒子６２の
レジストパターン１４に被覆されていない領域にのみ膜
厚２００ｎｍのニッケル（Ｎｉ）パターン３７を形成し
た。

【００８１】（ホ）次に、図１３（ｂ）に示すように、
実施例２と同様にレジストパターン１４を加熱分解と現
像処理を行いレジストパターン１４を除去した。実施例
５でもレジストパターン１４間にニッケルパターン３７
を埋め込んでいるので、レジストパターン１４のネガパ
ターンの寸法とニッケルパターン３７の寸法は一致し、
加工変換差を完全になくすことができる。

【００８２】（ヘ）図１３（ｃ）に示すように、実施例
１と同様のドライエッチング条件でパラジウム粒子６
２、下層膜６２、シリコン酸化膜１１を順次一括してエ
ッチングした。加工形状のテーパ角を調べたところ、９
８°であり、また、シリコン酸化膜１１底部のホールの
直径は１３２ｎｍであった。このように、レジストパタ
ーン１４の寸法に対して忠実にシリコン酸化膜１１を加
工することができた。

【００８３】（ト）最後に、図１３（ｄ）に示すよう
に、実施例５と同様にニッケルパターン３７と下層膜６
１を除去した。続いて、アルゴンガスをウェーハ基板１
０上に吹きかけて付着するパラジウム粒子６２等を除去
した。

【００８４】（実施例６）図１４と図１５は本発明の実
施例６に係るパターン形成方法の工程を説明する図であ
る。

【００８５】（イ）まず、図１４（ａ）に示すように、
実施例３と同様にシリコンウェーハ１０上にシリコン酸
化膜１１と下層膜６１を形成した。下層膜６１について
露光波長１９３ｎｍの複素屈折率を測定したところ、ｎ
＝２．００，ｋ＝０．２３で反射防止膜として適する値
を有していることが確認できた。

【００８６】（ロ）次に、図１４（ｂ）に示すように、
実施例１と同様にして下層膜６１の上にレジスト膜１３
を形成し、図１４（ｃ）に示すように、パターン露光と
現像処理を行いレジストパターン１４を得た。レジスト
パターンの側壁を観察したところ、定在波による波打ち
形状が見られず基板反射が好適に抑えられていることが
確認できた。

【００８７】（ハ）図１４（ｄ）に示すように、実施例
３と同様にパラジウム粒子６２を析出させることで、下
層膜６１上にのみパラジウム粒子６２を堆積させた。パ
ラジウム粒子６２の付着によって下層膜６１を導体化す
ることができる。これは、パラジウム粒子６２が還元作
用のないレジストパターン１４の上には析出せず、還元
作用のあるポリシラン基には析出する性質を利用したも
のである。

【００８８】（ニ）図１５（ａ）に示すように、実施例
５と同様にメッキ液をウェハー１０の全面に液盛り水洗
いして、パラジウム粒子６２の上に膜厚２００ｎｍのニ
ッケルパターン４７を形成した。

【００８９】（ホ）次に、図１５（ｂ）に示すように、
実施例２と同様にレジストパターン１４を加熱分解と現
像処理を行いレジストパターン１４を除去した。実施例
６でもレジストパターン１４間にニッケルパターン４７
を埋め込んでいるので、レジストパターン１４のネガパ
ターンの寸法とニッケルパターン４７の寸法は一致し、
加工変換差を完全になくすことができる。

【００９０】（ヘ）図１５（ｃ）に示すように、実施例
１と同様のドライエッチング条件で下層膜６２、シリコ
ン酸化膜１１を順次一括してエッチングした。加工形状
のテーパ角を調べたところ、９８°であり、また、シリ
コン酸化膜１１底部のホールの直径は１３２ｎｍであっ
た。このように、レジストパターン１４の寸法に対して
忠実にシリコン酸化膜１１を加工することができた。

【００９１】（ト）最後に、剥離工程として、過酸化水
素水と硫酸の混合溶液で下層膜をグラス化し、図１５
（ｄ）に示すように、フッ酸で下層膜６１を溶解除去し
てニッケルパターン４７とパラジウム粒子６２をリフト
オフ法で除去した。続いて、アルゴンガスをウェーハ基
板１０上に吹きかけて付着するパラジウム粒子６２等を
さらに除去した。

【００９２】（その他の実施の形態）上記のように、本
発明は２つの実施の形態と６つの実施例によって記載し
たが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を
限定するものであると理解すべきではない。この開示か
ら当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技
術が明らかとなろう。

【００９３】本発明の実施例では、半導体装置の層間絶
縁膜を被加工膜とし、これに多層配線用の接続穴（ホー
ル）のパターンを形成する半導体装置の製造方法に適用
した場合について述べたが、パターンは多層配線用の接
続穴に限らず、埋め込み配線用の溝であってもよい。

【００９４】また、本発明の実施例では被加工膜がシリ
コン酸化膜の場合について述べたが、被加工膜がドープ
ドポリシリコンであってもよい。ドープドポリシリコン
は導電性を有し直接の電解メッキと無電解メッキが可能
である。これより、レジストパターンを形成し、次に、
ニッケル、コバルト、タングステン、チタン等の金属パ
ターンを形成し、金属パターンをマスクにドープドポリ
シリコンをエッチングする。これらのことにより、ドー
プドポリシリコンと金属が積層されたパターンが形成で
きる。この積層されたパターンは、例えば、ＭＯＳトラ
ンジスタの低抵抗なゲート電極としてに利用できる。

【００９５】このように、本発明はここでは記載してい
ない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。した
がって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特
許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められ
るものである。

【００９６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レジスト膜の薄膜化が可能で、微細加工に適したパター
ンの形成方法を提供できる。

【００９７】また、本発明によれば、安価な湿式方法を
用いたパターンの形成方法を提供できる。

【００９８】本発明によれば、レジスト膜の薄膜化が可
能で、微細加工に適した半導体装置の製造方法を提供で
きる。

【００９９】最後に、本発明によれば、安価な湿式方法
を用いた半導体装置の製造方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係るパターン形成
方法の工程（その１）を示す図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係るパターン形成
方法の工程（その２）を示す図である。

【図３】本発明の実施例１に係るパターン形成方法の工
程（その１）を示す図である。

【図４】本発明の実施例１に係るパターン形成方法の工
程（その２）を示す図である。

【図５】レジスト溶液を構成する溶解抑止剤樹脂と酸発
生剤の化学構造式を示す図である。

【図６】メッキ槽の構成図である。

【図７】本発明の実施例２に係るパターン形成方法の工
程を示す図である。

【図８】本発明の実施例３に係るパターン形成方法の工
程（その１）を示す図である。

【図９】本発明の実施例３に係るパターン形成方法の工
程（その２）を示す図である。

【図１０】本発明の第２の実施の形態に係るパターン形
成方法の工程（その１）を示す図である。

【図１１】本発明の第２の実施の形態に係るパターン形
成方法の工程（その２）を示す図である。

【図１２】本発明の実施例４に係るパターン形成方法の
工程を示す図である。

【図１３】本発明の実施例５に係るパターン形成方法の
工程を示す図である。

【図１４】本発明の実施例６に係るパターン形成方法の
工程（その１）を示す図である。

【図１５】本発明の実施例６に係るパターン形成方法の
工程（その２）を示す図である。

【符号の説明】

１被加工膜２、１２、６３導電膜３、１３レジスト膜４、１４レジストパターン５、７金属パターン６、６１下層膜１０シリコンウェーハ１１シリコン酸化膜１５、２５、２７銅パターン１６、２６ホール１７メッキ槽１８銅板１９メッキ液３７、４７ニッケルパターン６２パラジウム粒子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｄ５Ｆ０５８Ｆターム(参考） 2H096 AA00 AA25 AA27 CA05 EA02 EA03 EA05 EA06 EA07 EA08 GA03 GA08 HA23 HA27 JA04 4K022 AA05 BA01 BA02 BA06 BA08 BA09 BA14 BA17 BA21 BA22 BA24 BA25 BA28 CA05 CA17 CA21 CA22 DA01 DB01 DB02 DB03 DB05 4K024 AA01 AA03 AA04 AA05 AA07 AA08 AA09 AA10 BA01 BB09 BB12 CA06 DA09 FA05 FA08 GA16 4M104 BB01 DD08 DD16 DD65 DD71 5F004 BA08 BA13 CA04 DA01 DA22 DA23 DA25 DA26 DB00 DB03 DB08 DB23 DB26 EA05 EA10 EA15 EA17 EA26 FA01 5F058 AC08 AE01 AF04 AG09 AH01 AH04 BC02 BF04 BH12 BJ01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被加工膜の上に絶縁膜のパターンを形成
する工程と、前記絶縁膜パターン間に選択的に金属パターンを形成す
る工程と、前記金属パターンをマスクに前記被加工膜にエッチング
する工程を具備することを特徴とするパターン形成方
法。
【請求項２】前記金属パターンを形成する工程が、メ
ッキ工程を含むことを特徴とする請求項１記載のパター
ン形成方法。
【請求項３】前記絶縁膜がレジスト膜であることを特
徴とする請求項１又は請求項２に記載のパターン形成方
法。
【請求項４】被加工膜の上に導電膜を形成する工程
と、前記導電膜の上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光を行ってレジスト
パターンを形成する工程と、前記レジストパターン間に金属を電解メッキ処理して堆
積させて金属パターンを形成する工程と、前記金属パターンをエッチングマスクとして用いて前記
被加工膜をドライエッチングする工程とを具備すること
を特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】前記導電膜が導電性化合物からなること
を特徴とする請求項４記載のパターン形成方法。
【請求項６】前記導電膜を形成する工程が、前記被加工膜の上に還元性化合物からなる薄膜を形成す
る工程と、無電解メッキにて前記導電膜を堆積する工程とを具備す
ることを特徴とする請求項４記載のパターン形成方法。
【請求項７】被加工膜を導体化処理する工程と、前記被加工膜の上に絶縁膜のパターンを形成する工程
と、無電解メッキによって前記絶縁膜パターン間に選択的に
金属パターンを形成する工程と、前記金属パターンをマスクにして前記被加工膜にエッチ
ングする工程を具備することを特徴とするパターン形成
方法。
【請求項８】被加工膜を導体化処理する工程と、前記被加工膜の上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光を行ってレジスト
パターンを形成する工程と、前記レジストパターン間に金属を無電解メッキ処理して
堆積させて金属パターンを形成する工程と、前記金属パターンをエッチングマスクとして用いて前記
被加工膜をドライエッチングする工程とを具備すること
を特徴とするパターン形成方法。
【請求項９】前記導体化処理の工程が、前記被加工膜
の上に導電膜を形成する工程を具備することを特徴とす
る請求項７又は請求項８に記載のパターン形成方法。
【請求項１０】前記導電膜が導電性化合物からなるこ
とを特徴とする請求項９記載のパターン形成方法。
【請求項１１】前記導体化処理の工程が、前記被加工
膜の上の前記レジストパターン間に導電材料を埋め込む
工程を具備することことを特徴とする請求項９記載のパ
ターン形成方法。
【請求項１２】前記埋め込む工程が、前記被加工膜上
に還元性化合物からなる薄膜を形成する工程と、前記薄
膜上に無電解メッキにて前記導電材料を堆積する工程と
を含むことを特徴とする請求項１１記載のパターン形成
方法。
【請求項１３】前記ドライエッチングする工程の後
に、前記被加工膜上に付着した金属粒子を除去する洗浄
工程を具備することを特徴とする請求項４又は請求項８
に記載のパターン形成方法。