CN201952487U - 真空基片加热装载设备 - Google Patents

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杨明生
余超平
刘惠森
范继良
王曼媛
王勇
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东莞宏威数码机械有限公司
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Abstract

本实用新型公开了一种真空基片加热装载设备,包括控制器、电热器、具有腔盖的真空腔体及与控制器电连接的抽真空装置、感应装置、传输装置,真空腔体设置有入口、与下游真空设备密封连接的出口及与抽真空装置对接的通气口,传输装置包括腔内传输装置及腔外传输装置,腔内传输装置设置于入口与出口之间,腔外传输装置对接于入口处,腔内传输装置及腔外传输装置形成基片的传输通道,感应装置包括设置于腔内传输装置两端的腔内感应装置及设置于腔外传输装置两端的腔外感应装置,加热器安装在腔盖上并正对腔内传输装置。本实用新型的真空基片加热装载设备能够实现对基片进行加热、装载且具有较高真空洁净度。

Description

真空基片加热装载设备
技术领域
[0001] 本实用新型涉及一种半导体生产线上的加工设备,更具体地涉及一种真空基片加热装载设备。
背景技术
[0002] 随着半导体技术及真空技术的日益成熟,玻璃基材等半导体基材已广泛用于制造 LCD-TFF显示屏、有机发光显示器件(OLED)面板、薄膜太阳能面板等,上述应用大多在洁净玻璃基片上镀覆薄膜晶体管,其制程通过包含实施多个连续步骤,包括如化学气相沉积制程、物理气相沉积制程、有机物质蒸镀、磁控溅射沉积或蚀刻制程,用于处理玻璃基片的系统可包括一或多个制程处理室,以进行前述制程。真空镀膜技术是真空应用技术的一个重要组成部分,真空镀膜技术是利用物理、化学手段在固体基片表面形成一层特殊性能的膜层,一般是指用物理的方法沉积薄膜,通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面,称为蒸发镀膜,这种方法最早由M.法拉第于1857年提出,现代已成为常用镀膜技术之一,蒸发镀膜过程中,蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源,待镀工件,如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方,待系统抽至高真空后,加热坩埚使其中的物质蒸发, 蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面,薄膜厚度可由数百埃至数微米,膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间,并与源和基片的距离有关,对于大面积镀膜,常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均勻性,从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程,以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。
[0003] 在作为被处理基片的半导体基片上进行如化学气相沉积的镀膜处理或者等离子蚀刻处理这样的真空处理时,需要将半导体基片加热至规定的温度,再传输装载到对应的真空设备内进行处理,由于半导体制程的工艺要求比较严格,即必须在真空状态下以及完全洁净的空间环境中进行,如何在保证高真空度的前提下对基片进行加热同时可以实现将基片装载传输装载至下一道工艺流程设备中,是目前所需解决的难题。
[0004] 因此,急需一种能够实现对基片进行加热、装载且具有较高真空洁净度的加热装载设备来满足上述需求。
实用新型内容
[0005] 本实用新型的目的是提供一种能够实现对基片进行加热、装载且具有较高真空洁净度的真空基片加热装载设备。
[0006] 为实现上述目的,本实用新型的技术方案为:提供一种真空基片加热装载设备,适用于将基片传送到真空环境下进行加热并将基片装载至下游真空设备,其包括控制器、抽真空装置、感应装置、传输装置、加热器及具有腔盖的真空腔体,所述抽真空装置、感应装置及传输装置均与所述控制器电连接,所述真空腔体的前后两端分别设置有入口及出口,所述出口与所述下游真空设备密封连接,所述真空腔体上还设置有通气口,所述抽真空装置与所述真空腔体的通气口密封连接,其中,所述传输装置包括腔内传输装置及腔外传输装置,所述腔内传输装置设置于所述真空腔体内且对接于所述入口与所述出口之间,所述腔外传输装置设置于真空腔体外且对接于所述入口处,所述腔内传输装置及腔外传输装置形成基片的传输通道,所述感应装置包括腔内感应装置及腔外感应装置,所述腔内感应装置设置于所述腔内传输装置的两端,所述腔外感应装置设置于所述腔外传输装置的两端,所述加热器安装在所述腔盖上并位于所述真空腔体内的上方且正对所述腔内传输装置。
[0007] 具体地,所述腔内传输装置包括电机、固定座、磁流体及若干滚轮,所述滚轮通过所述固定座安装于所述真空腔体内,所述滚轮用于传输所述基片,所述磁流体密封安装于所述真空腔体上,所述电机安装于所述真空腔体外且所述电机的输出轴密封的穿过所述磁流体与所述滚轮连接,所述电机与所述控制器电连接从而带动所述滚轮转动。所述腔外传输装置包括电机、固定座及若干滚轮,所述滚轮通过所述固定座安装于所述真空腔体外且与所述腔内传输装置相对应,所述电机与所述控制器电连接并带动所述滚轮转动。所述腔外传输装置与所述腔内传输装置的滚轮位于同一直线,所述基片承载于滚轮上,所述腔外传输装置的滚轮与相邻的所述腔内传输装置的滚轮之间的距离小于基片沿前进方向的长度,从而保障传输的连续性,所述电机分别与控制器电连接,有利于接收控制器的信号,驱动相应的滚轮转动实现对基片的传送,提高系统的自动化程度。
[0008] 较佳地,所述真空腔体的入口处设置有第一闸阀,所述出口处设置有第二闸阀,所述第一闸阀及第二闸阀分别与所述控制器电连接并分别对所述真空腔体的入口及处口进行密封。通过第一闸阀与第二闸阀的设置,既能保证真空腔体的密封性,又能实现自动控制,提高所述真空基片加热装载设备的自动化控制程度。
[0009] 较佳地,所述抽真空装置包括真空计、冷凝泵、前期泵及充氮气单元,所述冷凝泵、 前期泵及充氮气单元分别通过冷泵阀、前期泵阀、氮气充气阀与所述真空腔体的通气口连接,所述真空计对接于所述通气口处。所述真空计用于检测真空腔体内的压力,通过前期泵及冷凝泵能快速将真空腔体内抽至真空状态,通过充氮气单元能快速有效将氮气充入真空腔体内,使真空腔体内的压强达到外界的标准大气压,从而开始真空基片加热装载设备的对新基片的新一轮加热装置操作。
[0010] 较佳地,所述腔外感应装置包括第一光电传感器及第二光电传感器,所述第一光电传感器及第二光电传感器分别设置于所述腔外传输装置的前后两端,所述腔内感应装置包括第三光电传感器及第四光电传感器,所述第三光电传感器及第四光电传感器分别设置于所述腔内传输装置的前后两端。所述光电传感器用于感应基片的位置,并反馈信号给控制器,通过控制器输出信号控制相应的腔外传输装置及腔内传输装置的启动跟停止,反应灵敏,有利于实现高效的全自动控制。
[0011] 较佳地,所述腔内传输装置、腔外传输装置、腔体及腔盖上均安装有冷却管。通过设置冷却管,一方面,在加热的同时对腔内传输装置、腔外传输装置、腔体及腔盖进行局部冷却降温,避免在加热基片时相关设备受热受损,提高整个设置的稳定性、可靠性;另一方面,可根据需要对基片进行冷却。
[0012] 同样较佳地,所述真空腔体的腔盖上设置有传感器,用于感应腔盖的关闭,便于全自动控制。
[0013] 同样较佳地,所述真空腔体的腔盖上设置有减震器,用于缓冲腔盖开启闭合,保护真空腔体与腔盖之间的密封圈,使设备稳定性更强,密封性更好。[0014] 较佳地,所述加热器为红外线灯管,红外线灯管升温快,容易控制加热温度,热效率高,不消耗氧气,具有高清洁度。
[0015] 与现有技术相比,由于本实用新型的真空基片加热装载设备通过感应装置来感应基片的位置并将信息传送给控制器,通过控制器控制腔外传输装置及腔内传输装置从而将基片传送至真空腔体内,通过抽真空装置将真空腔体内抽至真空状态,在高真空的环境下利用加热器对基片进行加热,动作连贯,加热后的基片从真空腔体的出口密封地传送至下游真空设备内进行下一道工艺流程,既能对基片进行加热处理,又能有效保证真空洁净度, 基片传输出真空腔体内后,通过抽真空装置向真空腔体内充入氮气,可以将真空腔体内的压强恢复至标准大气压,从而又与外界大气压相等,可以实现对另一基片的加热装载,适用范围广泛,实用性强。通过控制器与感应装置、传输装置及抽真空装置的电连接,实现设备的自动化控制,控制精度高,可靠性强。
附图说明
[0016] 图1为本实用新型的真空基片加热装载设备的结构示意图。
[0017] 图2为本实用新型的真空基片加热装载设备的结构框图。
具体实施方式
[0018] 为了详细说明本实用新型的技术内容、构造特征,以下结合实施方式并配合附图作进一步说明,其中不同图中相同的标号代表相同的部件。本实用新型的真空基片加热装载设备能够实现对基片进行加热、装载且具有较高真空洁净度,应用范围广,适用于真空环境行业生产线中需要加热的基片的装载上载,尤其适用于0LED(0rganic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)镀膜线上的基片加热及装载上载。
[0019] 参考图1及图2,本实用新型实施例的真空基片加热装载设备,适用于将基片10 传送到真空环境下进行加热并将基片装载至下游真空设备,其包括控制器20、抽真空装置 30、感应装置40、传输装置50、加热器90及具有腔盖62的真空腔体60,所述控制器20可选用PLCO^ogrammable logic Controller,可编程逻辑控制器)控制器20,程序可变,编程简单,可靠性跟控制精度较高。所述腔盖62与真空腔体60密封配合形成封闭式的腔室,便于制造真空环境,所述真空腔体60的腔盖62上设置有传感器,例如压力传感器,用于感应腔盖62的关闭,通过与控制器20的电连接,可便于全自动控制。较佳地,所述真空腔体60 的腔盖62上还可设置有减震器,用于缓冲腔盖62开启闭合,保护真空腔体60与腔盖62之间设置的密封圈,使设备稳定性更强,密封性更好。
[0020] 所述抽真空装置30、感应装置40及传输装置50均与所述控制器20电连接,所述真空腔体60的前后两端分别设置有入口 64及出口 66,所述出口 66与所述下游真空设备密封连接,较佳地,所述真空腔体60的入口 64处设置有第一间阀70,所述出口 66处设置有第二闸阀80,所述第一闸阀70及第二闸阀80分别与所述控制器20电连接,所述第一闸阀 70及第二间阀80分别对所述真空腔体60的入口 64及处口进行密封。通过第一间阀70与第二闸阀80的设置,既能保证真空腔体60的密封性,又能实现自动控制,提高所述真空基片加热装载设备的自动化控制程度。所述传输装置50包括腔内传输装置M及腔外传输装置52,所述腔内传输装置M设置于所述真空腔体60内且对接于所述入口 64与所述出口66之间,所述腔外传输装置52设置于真空腔体60外且对接于所述入口 64处,所述腔内传输装置M及腔外传输装置52形成基片10的传输通道,具体地,所述腔内传输装置M包括电机、固定座、磁流体及若干滚轮524,所述滚轮5M通过所述固定座安装于所述真空腔体 60内,所述滚轮5M用于传输所述基片10,所述磁流体密封安装于所述真空腔体60上,所述电机安装于所述真空腔体60外且所述电机的输出轴密封的穿过所述磁流体与所述滚轮 524连接,所述电机与所述控制器20电连接并穿过磁流体从而带动所述滚轮5M转动。所述腔外传输装置52包括电机、固定座及若干滚轮524,所述滚轮5M通过所述固定座安装于所述真空腔体60外且与所述腔内传输装置M相对应,所述电机与所述控制器20电连接并带动腔外滚轮5M转动。所述腔外传输装置52与所述腔内传输装置M的滚轮5M平行设置并位于同一平面,所述基片10承载于滚轮5M上,所述腔外传输装置52的滚轮5M与相邻的所述腔内传输装置M的滚轮5M之间的距离小于基片10沿前进方向的长度,从而保障传输的连续性,所述电机分别与控制器20电连接,有利于接收控制器20的信号,驱动相应的滚轮524转动实现对基片10的传送,提高系统的自动化程度。
[0021] 所述感应装置40包括腔内感应装置44及腔外感应装置42,所述腔内感应装置44 设置于所述腔内传输装置M的两端,所述腔外感应装置42设置于所述腔外传输装置52的两端,所述加热器90安装在所述腔盖62上并位于所述真空腔体60内的上方且正对所述腔内传输装置M。具体地,所述腔外感应装置42包括第一光电传感器422及第二光电传感器424,所述第一光电传感器422及第二光电传感器4M分别设置于所述腔外传输装置52 的前后两端,所述腔内感应装置44包括第三光电传感器442及第四光电传感器444,所述第三光电传感器442及第四光电传感器444分别设置于所述腔内传输装置M的前后两端。 所述第一光电传感器422、第二光电传感器424、所述第三光电传感器442及第四光电传感器444均分别与所述控制器20电连接。所述光电传感器用于感应基片10的位置,并反馈信号给控制器20,通过控制器20输出信号控制相应的腔外传输装置52及腔内传输装置M 的启动跟停止,反应灵敏,有利于实现高效的全自动控制。
[0022] 所述真空腔体60上还设置有通气口 68,所述抽真空装置30与所述真空腔体60的通气口 68密封连接。具体地,所述抽真空装置30包括真空计32、冷凝泵、前期泵及充氮气单元,所述冷凝泵、前期泵及充氮气单元分别通过冷泵阀34、前期泵阀36、氮气充气阀38与所述真空腔体60的通气口 68对接,所述真空计32连接于所述通气口 68处。所述真空计 32用于检测真空腔体60内的压力,通过前期泵及冷凝泵能快速将真空腔体60内抽至真空状态,通过充氮气单元能快速有效将氮气充入真空腔体60内,使真空腔体60内的压强达到外界的标准大气压,从而开始真空基片加热装载设备的对新基片的新一轮加热装置操作。
[0023] 较佳地,所述腔内传输装置M及腔外传输装置52的滚轮固定座、以及腔体60、腔盖62上均安装有冷却管,可通过流通冷水实现冷却。通过设置冷却管,一方面,在加热的同时对腔内传输装置M、腔外传输装置52、腔体60及腔盖62进行局部冷却降温,避免在加热基片时相关设备受热受损,提高整个设置的稳定性、可靠性;另一方面,可根据需要对基片进行冷却。
[0024] 较佳地,所述加热器90为红外线灯管,红外线灯管升温快,容易控制加热温度,热效率高,不消耗氧气,具有高清洁度。
[0025] 利用本实用新型的真空基片加热装载设备对基片进行加热装载的控制方法包括以下步骤:(1)感应基片位置并对应开启腔外传输装置及腔内传输装置,将基片通过第一闸阀传送至真空腔体内;(2)关闭第一闸阀及第二闸阀,将真空腔体内抽至真空;(3)通过加热器对基片进行均勻加热;(4)打开第二闸阀并开启腔内传输装置,将基片传送至相邻真空设备的真空腔体内;(5)关闭第二闸阀,向腔室内充入氮气,使真空腔体内的压力升高到标准大气压后停止充气。
[0026] 具体地,所述步骤(1)具体包括:(11)当第一光电传感器感应到基片时,发送信号给控制器,控制器开启腔外传输装置,腔外传输装置传送所述基片;(12)当第二光电传感器感应到基片时,发送信号给控制器,控制器控制打开第一间阀,腔外传输装置将所述基片通过第一闸阀传送到真空腔体内;(1¾当第三光电传感器感应到基片时,发送信号给控制器,控制器开启腔内传输装置,所述腔内传输装置传送所述基片;(14)当第四光电传感器感应到基片时,发送信号给控制器,控制器关闭腔外传输装置及腔内传输装置,所述基片正对所述加热器。
[0027] 所述步骤(2)具体包括:关闭第一闸阀、第二闸阀及冷泵阀,开启前期泵并打开前期泵阀进行抽真空,当真空腔体内的压力下降到一定程度,开启冷泵并打开冷泵阀,将真空腔体内抽至真空。
[0028] 所述步骤(¾具体包括:关闭冷泵阀、前期泵阀及第二闸阀,打开氮气充气阀向真空腔体内充入氮气,当真空腔体内的压力升高到标准大气压时,停止充入氮气,关闭氮气充气阀。
[0029] 本实用新型实施例的真空基片加热装载设备对基片进行加热装载的工作原理如下所述:
[0030] 基片10进入真空腔体60内的原理过程:当静止的基片10被位于最前端的第一光电传感器422感应到时,第一光电传感器422发送感应信号至控制器20,控制器20输出控制信号启动腔外传输装置52的电机,从而带动腔外的滚轮5M承载并传送基片10 ;当基片 10被第二光电传感器4M感应到时,控制器20接收到感应信号并相应地发送命令打开第二闸阀80 ;当基片10被第三光电传感器442感应到时,受控制器20控制,所述腔内传输装置 54的电机启动,位于腔内的滚轮5M开始转动,从而将从腔外滚轮5M传送进来的基片10 继续传送;当基片10被第四光电传感器444感应到时,腔内传输装置M的电机停止转动, 基片10停止传输,基片10传输到位正好正对所述加热器90,同时腔外传输装置52的电机也停止转动。
[0031] 抽真空的原理过程:关闭本实用新型的真空基片加热装载设备的第一闸阀70和第二闸阀80,关闭冷泵阀34,开启前期泵并打开前期泵阀36进行抽真空,当腔体60压力下降到可以启动冷泵时,开启冷泵,并打开冷泵阀34,抽真空达到本设备的工艺要求。当腔体 60内达到真空环境的要求时,开始对基片10进行均勻加热,并且对设备局部冷却。
[0032] 基片10从腔体60传输出去的原理过程:当真空计32的压力与相邻的真空设备腔体内的压力一致时,打开第二闸阀80,腔内传输装置M电机开始转动,其上的滚轮5M带动基片10从腔体60内传输出去;当基片10被与本设备相邻的腔体60内的传感器感应时,基片10已离开第二闸阀80,腔内传输装置M的电机停止转动。
[0033] 充队的原理过程:关闭冷泵阀34、前期泵阀36、第一闸阀70和第二闸阀80,氮气充气阀38开始对腔体60充入氮气,使真空腔体60内的压力升高到标准大气压。停止氮气充气阀38充气。
[0034] 本实用新型的真空基片加热装载设备局部冷却效果好,能同时保证设备不因基片的高温而受损坏。具有较高的密封性,静密封采用氟橡胶密封,动密封采用磁流体密封。整个真空系统可以短时间内达到高真空,并且可以在高真空与标准大气压之间频繁快速切换。
[0035] 与现有技术相比,由于本实用新型的真空基片加热装载设备通过感应装置40来感应基片的位置并将信息传送给控制器20,通过控制器20控制腔外传输装置52及腔内传输装置M从而将基片10传送至真空腔体60内,通过抽真空装置3030将真空腔体60内抽至真空状态,在高真空的环境下利用加热器90对基片10进行加热,动作连贯,加热后的基片10从真空腔体60的出口 66密封地传送至下游真空设备内进行下一道工艺流程,既能对基片10进行加热处理,又能有效保证真空洁净度,基片10传输出真空腔体60内后,通过抽真空装置30向真空腔体60内充入氮气,可以将真空腔体60内的压强恢复至标准大气压, 从而又与外界大气压相等,可以实现对另一基片的加热装载,适用范围广泛,实用性强。通过控制器20与感应装置40、传输装置50及抽真空装置30的电连接,实现设备的自动化控制,控制精度高,可靠性强。
[0036] 以上所揭露的仅为本实用新型的较佳实例而已,当然不能以此来限定本实用新型之权利范围,因此依本实用新型权利要求所作的等同变化,仍属于本实用新型所涵盖的范围。

Claims (10)

1. 一种真空基片加热装载设备,适用于将基片传送到真空环境下进行加热并将基片装载至下游真空设备,其包括控制器、抽真空装置、感应装置、传输装置、加热器及具有腔盖的真空腔体,所述抽真空装置、感应装置及传输装置均与所述控制器电连接,所述真空腔体的前后两端分别设置有入口及出口,所述出口与所述下游真空设备密封连接,所述真空腔体上还设置有通气口,所述抽真空装置与所述真空腔体的通气口密封连接,其特征在于,所述传输装置包括腔内传输装置及腔外传输装置,所述腔内传输装置设置于所述真空腔体内且对接于所述入口与所述出口之间,所述腔外传输装置设置于真空腔体外且对接于所述入口处,所述腔内传输装置及腔外传输装置形成基片的传输通道,所述感应装置包括腔内感应装置及腔外感应装置,所述腔内感应装置设置于所述腔内传输装置的两端,所述腔外感应装置设置于所述腔外传输装置的两端,所述加热器安装在所述腔盖上并位于所述真空腔体内的上方且正对所述腔内传输装置。
2.如权利要求1所述的真空基片加热装载设备,其特征在于,所述腔内传输装置包括电机、固定座、磁流体及若干滚轮,所述滚轮通过所述固定座安装于所述真空腔体内,所述滚轮用于传输所述基片,所述磁流体密封安装于所述真空腔体上,所述电机安装于所述真空腔体外且所述电机的输出轴密封的穿过所述磁流体与所述滚轮连接,所述电机与所述控制器电连接从而带动所述滚轮转动。
3.如权利要求1所述的真空基片加热装载设备,其特征在于,所述腔外传输装置包括电机、固定座及若干滚轮,所述滚轮通过所述固定座安装于所述真空腔体外且与所述腔内传输装置相对应,所述电机与所述控制器电连接并带动所述滚轮转动。
4.如权利要求1所述的真空基片加热装载设备,其特征在于,所述真空腔体的入口处设置有第一闸阀,所述出口处设置有第二闸阀,所述第一闸阀及第二闸阀分别与所述控制器电连接并分别对所述真空腔体的入口及处口进行密封。
5.如权利要求1所述的真空基片加热装载设备,其特征在于,所述抽真空装置包括真空计、冷凝泵、前期泵及充氮气单元,所述冷凝泵、前期泵及充氮气单元分别通过冷泵阀、前期泵阀、氮气充气阀与所述真空腔体的通气口对接,所述真空计连接于所述通气口处。
6.如权利要求1所述的真空基片加热装载设备,其特征在于,所述腔外感应装置包括第一光电传感器及第二光电传感器,所述第一光电传感器及第二光电传感器分别设置于所述腔外传输装置的前后两端,所述腔内感应装置包括第三光电传感器及第四光电传感器, 所述第三光电传感器及第四光电传感器分别设置于所述腔内传输装置的前后两端。
7.如权利要求1所述的真空基片加热装载设备,其特征在于,所述腔内传输装置、腔外传输装置、腔体及腔盖上均安装有冷却管。
8.如权利要求1所述的真空基片加热装载设备,其特征在于,所述真空腔体的腔盖上设置有传感器,用于感应腔盖的关闭。
9.如权利要求1所述的真空基片加热装载设备,其特征在于,所述真空腔体的腔盖上设置有减震器。
10.如权利要求1所述的真空基片加热装载设备,其特征在于,所述加热器为红外线灯管。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105658840A (zh) * 2013-10-18 2016-06-08 应用材料公司 用于真空沉积配置的辊装置、具有辊的真空沉积配置及用于操作辊的方法
CN105679698A (zh) * 2016-04-21 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 基板处理装置
CN108705190A (zh) * 2018-04-20 2018-10-26 郑州大学 真空高频感应加热复合装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105658840A (zh) * 2013-10-18 2016-06-08 应用材料公司 用于真空沉积配置的辊装置、具有辊的真空沉积配置及用于操作辊的方法
CN105679698A (zh) * 2016-04-21 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 基板处理装置
US10049906B1 (en) 2016-04-21 2018-08-14 Boe Technology Group Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN108705190A (zh) * 2018-04-20 2018-10-26 郑州大学 真空高频感应加热复合装置

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