JP7097760B2 - 搬送装置および搬送方法 - Google Patents

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Description

本開示の種々の側面および実施形態は、搬送装置および搬送方法に関する。
半導体の製造工程における処理のスループットを向上させるために、被処理基板に対して処理を行う処理室を複数用いて、複数の被処理基板を並行して処理する場合がある。複数の処理室は、被処理基板が搬送される搬送室に接続される。搬送室内は、所定の真空度に保たれている。搬送室内には、搬送アームが配置され、搬送アームにより、被処理基板が搬送室から各処理室に搬送される。また、被処理基板に対して複数の処理工程が行われる場合、被処理基板は、それぞれの処理工程を行う処理室の間でも搬送される。搬送アームは、モータ等の動力源からギアを介して伝達された動力により搬送室内で回転することができる。
また、近年、半導体の製造コストを下げるために、被処理基板が大型化する傾向にある。例えば、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用のガラス基板は、マザーガラス基板のサイズが大きいほど１枚から取れるパネルの数が増えるためコストを低減できる。そのため、近年ではマザーガラス基板は大型化の一途をたどっている。また、マザーガラス基板の大型化に伴い、ガラス基板を製造する装置も、年々大型化している。
特開２０１８－２６５０７号公報
ところで、動力源からの動力がギアを介して搬送アームに伝達される場合、ギアのバックラッシにより、搬送アームの回転角度がわずかにずれる。ＦＰＤ用のガラス基板は、数ｍ四方の大きさのものも存在する。そのようなガラス基板が搬送アームによって搬送される場合、ギアのバックラッシによる搬送アームの回転角度のずれによって、ガラス基板の場所によっては所望の位置から１ｍｍ以上ずれる場合がある。また、複数の処理室の間で搬送アームによりガラス基板が搬送される場合、ギアのバックラッシによる回転角度のずれ量が累積し、所望の位置からのずれがさらに拡大する。
本開示の一側面は、周囲に複数の処理室が接続された搬送室内に設けられ、それぞれの処理室との間で被処理基板を搬送する搬送装置であって、ベース部材と、アームと、駆動部とを備える。ベース部材は、搬送室内に回転可能に設けられている。アームは、ベース部材上に設けられ、被処理基板を支持する。駆動部は、動力源からギアを介し伝達された動力により、ベース部材を、第１の回転方向または第１の回転方向とは反対の方向である第２の回転方向に回転させる。また、駆動部は、アームによって支持されている被処理基板を処理室に搬送させる場合、アームの方向がベース部材の回転中心から処理室へ向かう方向である第１の径方向から第２の回転方向へ所定角度ずれた方向である第２の径方向となるようにベース部材を回転させる。そして、駆動部は、アームの方向が第２の径方向から第１の径方向となるようにベース部材を所定角度、第１の回転方向へ回転させる。
本開示の種々の側面および実施形態によれば、ギアのバックラッシによる被処理基板の位置ずれを抑制することができる。
図１は、本開示の一実施形態における処理システムの一例を示す概略平面図である。 図２は、搬送室の断面の一例を示す図である。 図３は、搬送装置の動作の一例を説明するための図である。 図４は、基板搬送時のベースの回転角度の情報を格納するテーブルの一例を示す図である。 図５は、ベースの回転角度の一例を説明するための模式図である。 図６は、ベースの回転角度の一例を説明するための模式図である。 図７は、ベースの回転角度の一例を説明するための模式図である。 図８は、ベースの回転角度の一例を説明するための模式図である。 図９は、基板上の位置の誤差の実験結果の一例を示す図である。 図１０は、所定角度および回転速度の組合せ毎の誤差の値の一例を示す図である。 図１１は、基板の搬送方法の一例を示すフローチャートである。
以下に、開示される搬送装置および搬送方法の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示される搬送装置および搬送方法が限定されるものではない。
［処理システム１００の構成］
図１は、本開示の一実施形態における処理システム１００の一例を示す概略平面図である。図２は、搬送室１０の断面の一例を示す図である。処理システム１００は、例えば図１に示されるように、マルチチャンバタイプであり、搬送室１０、ロードロック室２０、複数の第１の処理室３０－１～３０－２、複数の第２の処理室４０－１～４０－３、および制御装置８０を備える。なお、以下では、複数の第１の処理室３０－１～３０－２のそれぞれを区別することなく総称する場合に第１の処理室３０と記載し、複数の第２の処理室４０－１～４０－３のそれぞれを区別することなく総称する場合に第２の処理室４０と記載する。また、第１の処理室３０と第２の処理室４０とを区別することなく総称する場合に処理室と記載する。
それぞれの第１の処理室３０は、例えば、所定の減圧雰囲気下で、被処理基板の一例である基板Ｓに対して第１の処理を行う。本実施形態において、基板Ｓは、例えばＦＰＤ用のガラス基板である。それぞれの第２の処理室４０は、例えば、所定の減圧雰囲気下で、第１の処理が行われた基板Ｓに対して第１の処理とは異なる第２の処理を行う。本実施形態において、第１の処理は、例えば基板Ｓ上に第１の膜を積層する処理であり、第２の処理は、例えば第１の膜が積層された基板Ｓ上に第２の膜を積層する処理である。
なお、第１の処理および第２の処理は、成膜処理以外にエッチング処理や熱処理等であってもよい。また、図１に例示された処理システム１００には、２つの第１の処理室３０と、３つの第２の処理室４０とが設けられているが、第１の処理室３０および第２の処理室４０の数はこれに限られない。例えば、処理システム１００には、１つの第１の処理室３０が設けられていてもよく、３つ以上の第１の処理室３０が設けられていてもよい。また、処理システム１００には、２つ以下の第２の処理室４０が設けられていてもよく、４つ以上の第２の処理室４０が設けられていてもよい。また、第１の処理室３０と第２の処理室４０とを合計した数は、４以下であってもよく、６以上であってもよい。
複数の第１の処理室３０および複数の第２の処理室４０は、それぞれ、ゲートバルブＧを介して搬送室１０に接続されている。本実施形態において、搬送室１０の平面形状は六角形であり、搬送室１０の５つの側面のそれぞれに、ゲートバルブＧを介して複数の第１の処理室３０および複数の第２の処理室４０のいずれかが接続されている。また、搬送室１０の側面の１つには、ゲートバルブＧを介してロードロック室２０が接続されている。
搬送室１０内は、所定の減圧環境に維持されており、搬送室１０内には、基板Ｓを搬送する搬送装置７０が設けられている。搬送装置７０は、例えば図２に示されるように、ベース７１、アーム７２、支持軸７３、および駆動部７４を有する。ベース７１は、アーム７２を支持する。アーム７２は、基板Ｓを支持し、ベース７１に沿って移動可能である。支持軸７３は、ベース７１を支持する。本実施形態において、支持軸７３は、平面視において搬送室１０の中央に配置されている。
駆動部７４は、モータ等の動力源からギアを介して伝達された動力により、支持軸７３を、支持軸７３の中心軸を中心として回転させる。これにより、ベース７１およびアーム７２は、支持軸７３の中心軸を中心として回転する。なお、支持軸７３の回転開始および回転停止の制御において、駆動部７４は、台形制御やＳ字制御等のように、支持軸７３の回転速度が徐々に変化するように支持軸７３の回転速度を制御する。
また、アーム７２は、ベース７１に沿ってベース７１上を移動することにより、ベース７１が向けられた方向のロードロック室２０、第１の処理室３０、または第２の処理室４０内から基板Ｓを搬出する。また、アーム７２は、ベース７１上をベース７１に沿って移動することにより、ベース７１が向けられた方向のロードロック室２０、第１の処理室３０、または第２の処理室４０内へ基板Ｓを搬入する。
ロードロック室２０における、搬送室１０が接続された側面と反対側の側面には、ゲートバルブＧを介して搬送室６０が接続されている。搬送室６０には、基板Ｓを収容する複数のキャリア５０が接続される。搬送室６０内には、キャリア５０から基板Ｓを取り出してロードロック室２０へ搬送し、ロードロック室２０内から基板Ｓを取り出してキャリア５０へ搬送する搬送装置６１が設けられている。
制御装置８０は、メモリ、プロセッサ、および入出力インターフェイスを有する。プロセッサは、メモリに格納されたプログラムやレシピを読み出して実行することにより、入出力インターフェイスを介して処理システム１００の各部を制御する。例えば、制御装置８０は、メモリに格納されたプログラムやレシピを読み出して実行することにより、入出力インターフェイスを介して、搬送室１０内の搬送装置７０の動作を制御する。
［搬送装置７０の動作］
図３は、搬送装置７０の動作の一例を説明するための図である。本実施形態において、搬送装置７０は、処理前の基板Ｓをロードロック室２０から取り出していずれかの第１の処理室３０へ搬送する。そして、搬送装置７０は、第１の処理室３０において第１の処理が行われた基板Ｓを、第１の処理室３０からいずれかの第２の処理室４０へ搬送する。そして、搬送装置７０は、第２の処理室４０において第２の処理が行われた基板Ｓを、第２の処理室４０からロードロック室２０へ搬送する。
搬送装置７０のベース７１は、駆動部７４によって、平面視において時計回りの方向（ＣＷ）または反時計回りの方向（ＣＣＷ）に回転する。基板Ｓの搬出または搬入を行う際のベース７１の方向であって、ベース７１の回転中心からロードロック室２０、第１の処理室３０、および第２の処理室４０のそれぞれへ向かうベース７１の方向を第１の径方向Ｄと定義する。なお、本実施形態において、ベース７１の回転可能範囲には制限がある。例えば、ベース７１は、図３に示す角度範囲９０を除く角度の範囲において、回転が可能である。そのため、本実施形態の搬送室１０では、ロードロック室２０から第１の処理室３０へ基板Ｓが搬送される際の搬送装置７０の回転方向、および、第１の処理室３０から第２の処理室４０へ基板Ｓが搬送される際の搬送装置７０の回転方向が１方向に限定されている。
具体的には、処理前の基板Ｓがロードロック室２０からいずれかの第１の処理室３０へ搬送される場合、搬送装置７０は、ＣＷに回転する。一方、第１の処理室３０において第１の処理が行われた基板Ｓがいずれかの第２の処理室４０に搬送される場合、搬送装置７０は、ＣＣＷに回転する。
第１の処理室３０と第２の処理室４０の組合せ毎の搬送装置７０の回転角度θの情報は、例えば制御装置８０のメモリ内のテーブル８１に予め格納されている。図４は、基板搬送時のベース７１の回転角度の情報を格納するテーブル８１の一例を示す図である。図４に示されたそれぞれのベース７１の回転角度θでは、ＣＷが「＋」、ＣＣＷが「－」で表されている。
例えば、基板Ｓがロードロック室２０から第１の処理室３０－１へ搬送される場合、図４に示されるように、ベース７１の回転角度θは、基板Ｓがロードロック室２０から搬出された時のベース７１の方向を基準として「＋θL1」である。即ち、基板Ｓがロードロック室２０から第１の処理室３０－１へ搬送される場合、ベース７１は、搬出時のベース７１の方向を基準として、ＣＷへ「θL1」回転する。「θL1」は、例えば６０°である。
また、例えば、第１の処理後の基板Ｓが第１の処理室３０－１から第２の処理室４０－１へ搬送される場合、図４に示されるように、ベース７１の回転角度θは、基板Ｓが第１の処理室３０－１から搬出された時のベース７１の方向を基準として「－θ11」である。即ち、基板Ｓが第１の処理室３０－１から第２の処理室４０－１へ搬送される場合、ベース７１は、搬出時のベース７１の方向を基準として、ＣＣＷへ「θ11」回転する。「θ11」は、例えば２４０°である。
ここで、駆動部７４は、モータ等の動力源からギアを介して伝達された動力により、支持軸７３を介してベース７１およびアーム７２を回転させる。そのため、ギアのバックラッシにより、ベース７１の回転角度がわずかにずれる。ＦＰＤ用のガラス基板のような大型の基板Ｓは、数ｍ四方の大きさのものも存在する。そのような基板Ｓが搬送装置７０によって搬送される場合、支持軸７３の中心軸から基板Ｓが搬入されるロードロック室２０、第１の処理室３０、または第２の処理室４０までの距離も長くなる。そのため、ギアのバックラッシによるベース７１の回転角度のずれによって、基板Ｓの場所によっては所望の位置から１ｍｍ以上ずれる場合がある。また、複数の処理室の間で搬送装置７０により基板Ｓが搬送される場合、ギアのバックラッシによる回転角度のずれ量が累積し、所望の位置からのずれがさらに拡大することになる。
そこで、本実施形態の搬送装置７０では、基板Ｓが処理室に搬送される場合、駆動部７４は、アーム７２の方向が、当該処理室に対応する第１の径方向ＤからＣＷへ所定角度αずれた方向である第２の径方向Ｄ’となるようにベース７１を回転させる。第１の径方向Ｄは、ベース７１の回転中心から、対応する処理室へ向かう方向である。その後、駆動部７４は、アーム７２の方向が、第２の径方向Ｄ’から第１の径方向Ｄとなるようにベース７１を所定角度α、ＣＣＷに回転させる。所定角度αは、基板Ｓがいずれの処理室に搬送される場合でも同じ角度である。ＣＣＷは第１の回転方向の一例であり、ＣＷは第２の回転方向の一例である。
具体的には、基板Ｓがロードロック室２０から第１の処理室３０－２に搬送される場合、駆動部７４は、例えば図５に示されるように、アーム７２の方向が第１の処理室３０－２に対応する第２の径方向Ｄ’となるようにベース７１を回転させる。第１の処理室３０－２に対応する第２の径方向Ｄ’は、第１の処理室３０－２に対応する第１の径方向ＤからＣＷへ所定角度αずれた方向である。そして、駆動部７４は、例えば図６に示されるように、アーム７２の方向が、第２の径方向Ｄ’から第１の径方向Ｄとなるようにベース７１を所定角度α、ＣＣＷへ回転させる。
また、基板Ｓが例えば第１の処理室３０－２から第２の処理室４０－３に搬送される場合、駆動部７４は、例えば図７に示されるように、アーム７２の方向が第２の処理室４０－３に対応する第２の径方向Ｄ’となるようにベース７１を回転させる。第２の処理室４０－３に対応する第２の径方向Ｄ’は、第２の処理室４０－３に対応する第１の径方向ＤからＣＷへ所定角度αずれた方向である。そして、駆動部７４は、例えば図８に示されるように、アーム７２の方向が、第２の径方向Ｄ’から第１の径方向Ｄとなるようにベース７１を所定角度α、ＣＣＷへ回転させる。
なお、駆動部７４は、アーム７２の方向が第２の径方向Ｄ’となるようにベース７１を回転させる際、第１の回転速度でベース７１を回転させる。そして、駆動部７４は、アーム７２の方向が第２の径方向Ｄ’から第１の径方向Ｄとなるようにベース７１を所定角度α、ＣＣＷへ回転させる際、第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度でベース７１を回転させる。第２の回転速度は、基板Ｓがいずれの処理室に搬送される場合でも同じ回転速度である。
ここで、本実施形態において、第２の径方向Ｄ’は、第１の径方向Ｄから所定角度α、第２の回転方向（即ちＣＷ）にずれた方向である。ただし、第２の径方向Ｄ’が、第１の径方向Ｄから所定角度α、どちらの回転方向にずれた方向であるかは、ロードロック室２０、第１の処理室３０、および第２の処理室４０の配置に応じて決定される。
例えば、本実施形態において、複数の処理室には、１つ以上の第１の処理室３０と、１つ以上の第２の処理室４０とが含まれている。第１の処理室３０は、駆動部７４によってベース７１の方向が第２の径方向Ｄ’となるようにベース７１が回転させられる際に、ベース７１が第３の回転方向に回転させられる。第２の処理室４０は、駆動部７４によってベース７１の方向が第２の径方向Ｄ’となるようにベース７１が回転させられる際に、ベース７１が第３の回転方向とは反対の方向である第４の回転方向に回転させられる。
第１の処理室３０および第２の処理室４０のうち、多い方の処理室に対応する第３の回転方向または第４の回転方向が、第１の回転方向に決定される。そして、第１の回転方向と反対の方向である第２の回転方向が決定される。
本実施形態では、それぞれの第１の処理室３０にロードロック室２０から基板Ｓが搬送される場合、アーム７２の方向が第１の処理室３０に対応する第２の径方向Ｄ’となるようにするためには、ベース７１をＣＷに回転させる必要がある。即ち、本実施形態では、第１の処理室３０に対応する第３の回転方向は、ＣＷである。一方、本実施形態では、それぞれの第２の処理室４０に第１の処理室３０から基板Ｓが搬送される場合、アーム７２の方向が第２の処理室４０に対応する第２の径方向Ｄ’となるようにするためには、ベース７１をＣＣＷに回転させる必要がある。即ち、本実施形態では、第２の処理室４０に対応する第４の回転方向は、ＣＣＷである。
また、本実施形態の処理システム１００には、２つの第１の処理室３０と３つの第２の処理室４０が設けられている。そのため、第１の処理室３０および第２の処理室４０のうち、多い方の処理室に対応する回転方向は、第４の回転方向であるＣＣＷである。従って、第１の回転方向がＣＣＷに決定され、第２の回転方向がＣＷに決定される。
これにより、アーム７２が第２の径方向Ｄ’となるようにベース７１を回転させる際、第１の径方向Ｄまで回転させる回転角度θよりも所定角度α多く回転させる必要がある処理室の数は、回転角度θよりも所定角度α少なくて済む処理室の数よりも少なくなる。これにより、複数の基板Ｓに対する搬送時間が全体として低減され、処理のスループットを向上させることができる。
［位置の誤差のばらつき］
図９は、基板Ｓ上の位置の誤差の実験結果の一例を示す図である。図９に示された実験結果では、基板Ｓをロードロック室２０から第１の処理室３０へ搬送し、ベース７１の回転中心から約４ｍ離れた基板Ｓ上の位置の誤差を測定する処理を複数回行った実験結果が例示されている。また、図９に示された実験結果では、所定角度αは０．５°である。
図９に示された実験結果では、誤差のばらつきの範囲が±０．０５ｍｍ以内に収まっている。基板Ｓが第１の処理室３０からさらに第２の処理室４０へ搬送される場合、第２の処理室４０内における基板Ｓの位置の誤差のばらつきの範囲は、図９に示された誤差のばらつきの範囲の２倍となる。しかし、その場合でも、第２の処理室４０内における基板Ｓの位置の誤差のばらつきの範囲は、±０．１ｍｍ以内に収まる。
ここで、ギアのバックラッシによるギアの角度のずれが１／６０°＝１分であると仮定すると、ベース７１の回転中心から約４ｍ離れた基板Ｓ上の位置では、４０００×ｔａｎ（１／６０）＝１．２ｍｍの誤差が発生する。即ち、ギアのバックラッシによるギアの角度のずれが１分である場合、基板Ｓ上の位置では、誤差のばらつきの範囲が±０．６ｍｍとなる。この誤差は、位置合わせが行われた基板Ｓがロードロック室２０から第１の処理室３０へ搬送される場合に発生する。基板Ｓが第１の処理室３０からさらに第２の処理室４０へ搬送される場合には、第２の処理室４０内における基板Ｓの位置の誤差は２倍になるため、誤差のばらつきの範囲も２倍となる。即ち、基板Ｓがロードロック室２０から第１の処理室３０へ搬送され、さらに第１の処理室３０から第２の処理室４０へ搬送される場合の誤差のばらつきの範囲は、±１．２ｍｍに達する。
これに対し、本実施形態の搬送装置７０では、基板Ｓが処理室に搬送される場合、駆動部７４は、アーム７２の方向が当該処理室に対応する第１の径方向ＤからＣＷへ所定角度αずれた方向である第２の径方向Ｄ’となるようにベース７１を回転させる。その後、駆動部７４は、アーム７２の方向が第２の径方向Ｄ’から第１の径方向Ｄとなるようにベース７１を所定角度α、ＣＣＷへ回転させる。
これにより、基板Ｓがロードロック室２０から第１の処理室３０へ搬送される場合の第１の処理室３０内における基板Ｓの位置の誤差のばらつきの範囲を±０．０５ｍｍ以内に抑えることができる。また、基板Ｓが第１の処理室３０からさらに第２の処理室４０へ搬送される場合の第２の処理室４０内における基板Ｓの位置の誤差のばらつきの範囲を±０．１ｍｍ以内に抑えることができる。これにより、各基板Ｓにおいて、第１の処理室３０および第２の処理室４０で行われる処理のばらつきを低減することができ、各基板Ｓの品質のばらつきを低減することができる。
［所定角度および回転速度］
次に、所定角度αおよび所定角度α回転させる際の回転速度について実験を行った。図１０は、所定角度および回転速度の組合せ毎の誤差の値の一例を示す図である。なお、図１０に示された回転速度は、台形制御やＳ字制御等が行われる回転速度における最大値を表す。また、図１０に示された例において、低速は２１°／ｓｅｃであり、中速は低速の２倍の回転速度であり、高速は低速の４倍の回転速度である。
図１０に例示されるように、回転速度がいずれの場合であっても、誤差のばらつきの範囲は約０．０５ｍｍ以内に収まっている。ただし、図１０を参照すると、低速、中速、高速の順に誤差の平均値が低い。従って、所定角度α回転させる際の回転速度は、高速よりも、中速または低速である方が好ましい。なお、アーム７２の方向が第２の径方向Ｄ’となるようにベース７１を回転させる際の回転速度である第１の回転速度は、搬送時間の短縮化のため、高速であることが好ましい。即ち、アーム７２の方向が第２の径方向Ｄ’から第１の径方向Ｄとなるようにベース７１を所定角度α、第１の回転方向へ回転させる際の回転速度である第２の回転速度は、第１の回転速度の１／２以下であることが好ましい。また、バックラッシによる誤差をより少なくするためには、第２の回転速度は、第１の回転速度の１／４以下であることがより好ましい。これにより、基板Ｓの搬送時間の短縮と、ギアのバックラッシに起因する基板Ｓの位置ずれの抑制とを両立することができる。
また、図１０に例示されるように、所定角度αがいずれの場合であっても、誤差のばらつきの範囲は約０．０５ｍｍ以内に収まっている。また、理論上は、所定角度αは、ギアのバックラッシによるギアの角度のずれである１分以上であればよい。しかし、図１０を参照すると、低速の回転速度において、所定角度αが小さ過ぎると誤差のレンジが０．０４ｍｍ以上に拡大している。これは、所定角度αが小さすぎると、微小な角度を精度よく制御することが困難となるためであると考えられる。一方、低速の回転速度において、所定角度αが０．５または１．０°であれば、誤差のレンジは０．０２ｍｍ未満に収まっている。そのため、所定角度は、０．５°以上１．０°以下の範囲内の角度であることが好ましい。
［搬送制御］
図１１は、基板Ｓの搬送方法の一例を示すフローチャートである。図１１に例示されたフローチャートは、制御装置８０が処理システム１００の各部を制御することにより実施される。制御装置８０は、例えば、搬送元のロードロック室２０、第１の処理室３０、または第２の処理室４０から基板Ｓが搬出された場合に、図１１のフローチャートに示された処理を開始する。
まず、制御装置８０は、レシピに基づいて、基板Ｓの搬送元のロードロック室２０、第１の処理室３０、または第２の処理室４０と、基板Ｓの搬送先のロードロック室２０、第１の処理室３０、または第２の処理室４０とを特定する。そして、制御装置８０は、メモリ内のテーブル８１を参照して、特定された搬送元および搬送先に対応するベース７１の回転角度θおよび回転方向を特定する（Ｓ１００）。回転方向は、テーブル８１内に回転角度θの符号で表されている。
次に、制御装置８０は、ステップＳ１００において特定された回転角度θが第１の回転方向であるか否かを判定する（Ｓ１０１）。第１の回転方向とは、ベース７１の方向を搬送先のロードロック室２０、第１の処理室３０、または第２の処理室４０の方向に向けるために所定角度α回転させる際の回転方向である。本実施形態において、第１の回転方向は、ＣＣＷである。ステップＳ１００において特定された回転角度θの回転方向が第１の回転方向である場合（Ｓ１０１：Ｙｅｓ）、制御装置８０は、ベース７１を第１の回転方向へ、回転角度θから所定角度αを引いた角度分回転させるように駆動部７４を制御する（Ｓ１０２）。これにより、ベース７１は、（回転角度θ－所定角度α）分第１の回転方向へ回転し、アーム７２の方向が、第１の径方向Ｄから所定角度α、第２の回転方向にずれた第２の径方向Ｄ’となる。
次に、制御装置８０は、ベース７１を第１の回転方向へ、所定の回転速度で所定角度α回転させるように駆動部７４を制御する（Ｓ１０３）。これにより、ベース７１は、第１の回転方向へ所定の回転速度で所定角度α回転する。そして、制御装置８０は、アーム７２上の基板Ｓを搬送先のロードロック室２０、第１の処理室３０、または第２の処理室４０へ搬送するように、アーム７２を制御する（Ｓ１０４）。そして、図１１にフローチャートに示された搬送方法は終了する。
また、ステップＳ１００において特定された回転角度θの回転方向が第１の回転方向ではない場合（Ｓ１０１：Ｎｏ）、制御装置８０は、ベース７１を第２の回転方向へ、回転角度θに所定角度αを加えた角度分回転させるように駆動部７４を制御する（Ｓ１０５）。第２の回転方向とは、第１の回転方向と反対の回転方向である。本実施形態において、第２の回転方向は、ＣＷである。これにより、ベース７１は、（回転角度θ＋所定角度α）分第２の回転方向へ回転し、アーム７２の方向が、第１の径方向Ｄから所定角度α、第２の回転方向にずれた第２の径方向Ｄ’となる。そして、制御装置８０は、ステップＳ１０３に示した処理を実行する。
以上、搬送装置７０の一実施形態について説明した。本実施形態における搬送装置７０は、周囲に複数の処理室が接続された搬送室１０内に設けられ、それぞれの処理室との間で基板Ｓを搬送する。搬送装置７０は、ベース７１と、アーム７２と、駆動部７４とを備える。ベース７１は、搬送室１０内に回転可能に設けられている。アーム７２は、ベース７１上に設けられ、基板Ｓを支持する。駆動部７４は、動力源からギアを介し伝達された動力により、ベース７１を、第１の回転方向または第１の回転方向とは反対の方向である第２の回転方向へ回転させる。また、駆動部７４は、アーム７２によって支持されている基板Ｓを処理室に搬送させる場合、アーム７２の方向がベース７１の回転中心から処理室へ向かう方向である第１の径方向Ｄから第２の回転方向へ所定角度αずれた方向である第２の径方向Ｄ’となるようにベース７１を回転させる。そして、駆動部７４は、アーム７２の方向が第２の径方向Ｄ’から第１の径方向Ｄとなるようにベース７１を所定角度α、第１の回転方向へ回転させる。このように、それぞれの処理室との間で基板Ｓが搬送される際に、ベース７１が第１の回転方向に所定角度α回転してから停止するので、停止する直前の回転方向と停止するまでの移動量を同一条件にすることができる。これにより、駆動部７４に動力を伝達するギアのバックラッシによる回転角度のずれを抑制することができ、基板Ｓの位置ずれを抑制することができる。
また、上記した実施形態において、所定角度αは、基板Ｓが複数の処理室のいずれに搬送される場合でも同じ角度である。これにより、複数の処理室のいずれで基板Ｓが処理される場合であっても、ギアのバックラッシに起因する基板Ｓの位置ずれを抑制することができる。
また、上記した実施形態において、所定角度αは、０．５°以上１．０°以下の範囲内の角度である。これにより、ギアのバックラッシに起因する基板Ｓの位置ずれを抑制することができる。
また、上記した実施形態において、駆動部７４は、アーム７２の方向が第２の径方向Ｄ’から第１の径方向Ｄとなるようにベース７１を所定角度α、第１の回転方向へ回転させる際の回転速度を、アーム７２の方向が第２の径方向Ｄ’となるようにベース７１を回転させる際の回転速度である第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度で回転させる。これにより、基板Ｓの搬送時間の短縮と、ギアのバックラッシに起因する基板Ｓの位置ずれの抑制とを両立することができる。
また、上記した実施形態において、第２の回転速度は、第１の回転速度の１／２以下であることが好ましい。これにより、基板Ｓの搬送時間の短縮と、ギアのバックラッシに起因する基板Ｓの位置ずれの抑制とを両立することができる。
また、上記した実施形態において、第２の回転速度は、基板Ｓが複数の処理室のいずれに搬送される場合でも同じ速度である。これにより、複数の処理室のいずれで基板Ｓが処理される場合であっても、ギアのバックラッシに起因する基板Ｓの位置ずれを抑制することができる。
また、上記した実施形態において、複数の処理室は、駆動部７４によってアーム７２の方向が第２の径方向Ｄ’となるようにベース７１が回転させられる際に、ベース７１が第３の回転方向に回転させられる第１の処理室３０と、ベース７１が第３の回転方向とは反対の方向である第４の回転方向に回転させられる第２の処理室４０とに分けられる。そして、第１の処理室３０および第２の処理室４０のうち、多い方の処理室に対応する第３の回転方向または第４の回転方向が、第１の回転方向に設定される。これにより、複数の基板Ｓに対する処理のスループットを全体として向上させることができる。
また、上記した実施形態において、基板Ｓは、ＦＰＤ用のガラス基板である。大型の基板Ｓの搬送において、ギアのバックラッシに起因する基板Ｓの位置ずれを抑制することができる。
［その他］
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
例えば、上記した実施形態では、ＦＰＤ用のガラス基板等の基板Ｓを搬送する搬送装置を例に説明したが、開示の技術はこれに限られず、シリコンウエハ等の半導体基板を搬送する搬送装置に対しても開示の技術を適用することが可能である。
また、上記した実施形態の搬送装置７０では、例えば図２に示されるように、ベース７１に１つのアーム７２が設けられているが、開示の技術はこれに限られず、ベース７１に複数のアーム７２が設けられていてもよい。
また、上記した実施形態において、搬送室１０の平面形状は六角形であるが、開示の技術はこれに限られず、搬送室１０の平面形状は、三角形状、四角形状、五角形状等、六角形状以外の他の多角形状であってもよい。
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｄ 第１の径方向
Ｄ’ 第２の径方向
Ｇ ゲートバルブ
Ｓ 基板
１００ 処理システム
１０ 搬送室
２０ ロードロック室
３０ 第１の処理室
４０ 第２の処理室
５０ キャリア
６０ 搬送室
６１ 搬送装置
７０ 搬送装置
７１ ベース
７２ アーム
７３ 支持軸
７４ 駆動部
８０ 制御装置
８１ テーブル
９０ 角度範囲

Claims (8)

  1. 周囲に複数の処理室が接続された搬送室内に設けられ、それぞれの前記処理室との間で被処理基板を搬送する搬送装置であって、
    前記搬送室内に回転可能に設けられたベース部材と、
    前記ベース部材上に設けられ、前記被処理基板を支持するアームと、
    動力源からギアを介し伝達された動力により、前記ベース部材を、第１の回転方向または前記第１の回転方向とは反対の方向である第２の回転方向に回転させる駆動部と
    を備え、
    前記駆動部は、
    前記アームによって支持されている前記被処理基板を前記処理室に搬送させる場合、前記アームの方向が、前記ベース部材の回転中心から前記処理室へ向かう方向である第１の径方向から前記第２の回転方向へ所定角度ずれた方向である第２の径方向となるように前記ベース部材を回転させた後に、前記アームの方向が、前記第２の径方向から前記第１の径方向となるように前記ベース部材を前記所定角度、前記第１の回転方向へ回転させ、
    複数の前記処理室は、前記駆動部によって前記アームの方向が前記第２の径方向となるように前記ベース部材が回転させられる際に、前記ベース部材が第３の回転方向に回転させられる第１の処理室と、前記ベース部材が前記第３の回転方向とは反対の方向である第４の回転方向に回転させられる第２の処理室とに分けられ、
    前記第１の処理室および前記第２の処理室のうち、多い方の処理室に対応する前記第３の回転方向または前記第４の回転方向が、前記第１の回転方向に設定されることを特徴とする搬送装置。
  2. 前記所定角度は、前記被処理基板が複数の前記処理室のいずれに搬送される場合でも同じ角度であることを特徴とする請求項１に記載の搬送装置。
  3. 前記所定角度は、０．５°以上１．０°以下の範囲内の角度であることを特徴とする請求項２に記載の搬送装置。
  4. 前記駆動部は、
    前記アームの方向が前記第２の径方向から前記第１の径方向となるように前記ベース部材を前記第１の回転方向へ回転させる際の回転速度を、前記アームの方向が前記第２の径方向となるように前記ベース部材を回転させる際の回転速度である第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度で回転させることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の搬送装置。
  5. 前記第２の回転速度は、前記第１の回転速度の１／２以下であることを特徴とする請求項４に記載の搬送装置。
  6. 前記第２の回転速度は、前記被処理基板が複数の前記処理室のいずれに搬送される場合でも同じ速度であることを特徴とする請求項４または５に記載の搬送装置。
  7. 前記被処理基板は、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用のガラス基板であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の搬送装置。
  8. 周囲に複数の処理室が接続された搬送室内に回転可能に設けられたベース部材と、
    前記ベース部材上に設けられ、それぞれの前記処理室との間で搬送される被処理基板を支持するアームと、
    動力源からギアを介し伝達された動力により、前記ベース部材を、第１の回転方向または前記第１の回転方向とは反対の方向である第２の回転方向に回転させる駆動部と
    を備える搬送装置によって行われる搬送方法であって、
    前記アームによって支持されている前記被処理基板を前記処理室に搬送させる場合、前記アームの方向が前記ベース部材の回転中心から前記処理室へ向かう方向である第１の径方向から前記第２の回転方向へ所定角度ずれた方向である第２の径方向となるように前記ベース部材を回転させる工程と、
    前記アームの方向が前記第２の径方向から前記第１の径方向となるように前記ベース部材を前記所定角度、前記第１の回転方向へ回転させる工程と
    を含み、
    複数の前記処理室は、前記駆動部によって前記アームの方向が前記第２の径方向となるように前記ベース部材が回転させられる際に、前記ベース部材が第３の回転方向に回転させられる第１の処理室と、前記ベース部材が前記第３の回転方向とは反対の方向である第４の回転方向に回転させられる第２の処理室とに分けられ、
    前記第１の処理室および前記第２の処理室のうち、多い方の処理室に対応する前記第３の回転方向または前記第４の回転方向が、前記第１の回転方向に設定されることを特徴とする搬送方法。
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