CN110634781A - 输送装置和输送方法 - Google Patents

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Abstract

本发明能够抑制齿轮的齿隙所导致的被处理基片的位置偏离。输送装置包括：基座部件、臂和驱动部。基座部件可旋转地设置于输送室内。臂设置于基座部件上，并支承被处理基片。驱动部利用从动力源经由齿轮传递来的动力，使基座部件向第一旋转方向或者作为第一旋转方向的相反方向的第二旋转方向旋转。另外，在将由臂支承的被处理基片输送到处理室时，驱动部使基座部件旋转以使得臂的方向成为从第一径向向第二旋转方向偏离规定角度的第二径向，其中第一径向是从基座部件的旋转中心去向处理室的方向。然后，驱动部使基座部件向第一旋转方向旋转规定角度以使得臂的方向从第二径向成为第一径向。

Description

输送装置和输送方法
技术领域
本发明的各种方面和实施方式涉及输送装置和输送方法。
背景技术
为了提高半导体的制造工序中的处理的吞吐量(through put)，有时使用多个对被处理基片进行处理的处理室，并行地处理多个被处理基片。多个处理室与输送被处理基片的输送室连接。输送室内被保持为规定的真空度。在输送室内配置有输送臂，利用输送臂将被处理基片从输送室输送到各处理室。另外，在对被处理基片进行多个处理工序的情况下，也在进行各个处理工序的处理室之间输送被处理基片。输送臂利用从电动机等动力源经由齿轮传递来的动力，而能够在输送室内旋转。
另外，近年来，为了降低半导体的制造成本，被处理基片有大型化的趋势。例如，FPD(Flat Panel Display)用的玻璃基片，母玻璃基片的尺寸越大，从一块母玻璃基片可获取的面板数量越多，所以能够降低成本。因此，近年来母玻璃基片不断大型化。另外，伴随母玻璃基片的大型化，制造玻璃基片的装置也逐年大型化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-26507号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
然而，在来自动力源的动力经由齿轮传递到输送臂时，因齿轮的齿隙(backlash)，输送臂的旋转角度会稍微偏离。FPD用的玻璃基片也有几m见方大小的。在利用输送臂输送这种玻璃基片时，由于齿轮的齿隙所导致的输送臂的旋转角度的偏离，根据玻璃基片的部位不同有时会从所希望的位置偏离1mm以上。另外，在利用输送臂在多个处理室之间输送玻璃基片时，齿轮的齿隙所导致的旋转角度的偏离量会累积，与所希望的位置的偏离会进一步扩大。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方面是一种输送装置，其设置于周围连接有多个处理室的输送室内，能够在输送室与各处理室之间输送被处理基片，该输送装置包括基座部件、臂和驱动部。基座部件可旋转地设置于输送室内。臂设置于基座部件上，并支承被处理基片。驱动部利用从动力源经由齿轮传递来的动力，使基座部件向第一旋转方向或者作为第一旋转方向的相反方向的第二旋转方向旋转。另外，在将由臂支承的被处理基片输送到处理室时，驱动部使基座部件旋转以使得臂的方向成为从第一径向向第二旋转方向偏离规定角度的第二径向，其中第一径向是从基座部件的旋转中心去向处理室的方向。然后，驱动部使基座部件向第一旋转方向旋转规定角度以使得臂的方向从第二径向成为第一径向。
发明效果
根依照本发明的各种方面和实施方式，能够抑制齿轮的齿隙所导致的被处理基片的位置偏离。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的处理系统的一例的概略俯视图。
图2是表示输送室的截面的一例的图。
图3是用于说明输送装置的动作的一例的图。
图4是表示保存基片输送时的基座的旋转角度的信息的表(table)的一例的图。
图5是用于说明基座的旋转角度的一例的示意图。
图6是用于说明基座的旋转角度的一例的示意图。
图7是用于说明基座的旋转角度的一例的示意图。
图8是用于说明基座的旋转角度的一例的示意图。
图9是表示基片上的位置的误差的实验结果的一例的图。
图10是表示规定角度和旋转速度的每个组合的误差的一例的图。
图11是表示基片的输送方法的一例的流程图。
附图标记说明
D 第一径向
D’ 第二径向
G 闸阀
S 基片
100 处理系统
10 输送室
20 负载锁定室
30 第一处理室
40 第二处理室
50 载体
60 输送室
61 输送装置
70 输送装置
71 基座
72 臂
73 支承轴
74 驱动部
80 控制装置
81 表
90 角度范围。
具体实施方式
以下，基于附图，对本发明的输送装置和输送方法的实施方式进行详细说明。此外，并不由以下的实施方式限本发明的输送装置和输送方法。
[处理系统100的结构]
图1是表示本发明的一个实施方式的处理系统100的一例的概略俯视图。图2是表示输送室10的截面的一例的图。处理系统100例如如图1所示，是多腔室式的，包括：输送室10、负载锁定室20、多个第一处理室30-1～30-2、多个第二处理室40-1～40-3和控制装置80。另外，以下在不区分多个第一处理室30-1～30-2的各个处理室而将它们总称时，记载为第一处理室30，在不区分多个第二处理室40-1～40-3的各个处理室而将它们总称时，记载为第二处理室40。另外在不区分第一处理室30和第二处理室40而将它们总称时，记载为处理室。
各第一处理室30例如在规定的减压气氛下对作为被处理基片的一例的基片S进行第一处理。本实施方式中，基片S例如是FPD用的玻璃基片。各第二处理室40例如在规定的减压气氛下对进行了第一处理的基片S进行与第一处理不同的第二处理。本实施方式中，第一处理例如是在基片S上层叠第一膜的处理，第二处理例如是在层叠了第一膜的基片S上层叠第二膜的处理。
另外，第一处理和第二处理除了成膜处理以外也可以为蚀刻处理、热处理等。另外，图1所例示的处理系统100中，设置有2个第一处理室30和3个第二处理室40，但是第一处理室30和第二处理室40的个数并不限于此。例如在处理系统100中，可以设置1个第一处理室30，也可以设置3个以上的第一处理室30。此外，在处理系统100中，可以设置2个以下的第二处理室40，也可以设置4个以上的第二处理室40。此外，第一处理室30和第二处理室40的总个数可以为4个以下，也可以为6个以上。
多个第一处理室30和多个第二处理室40分别经由闸阀G与输送室10连接。本实施方式中，输送室10的平面形状为六边形，输送室10的5个侧面分别经由闸阀G与多个第一处理室30和多个第二处理室40的某一个连接。另外，输送室10的侧面之一经由闸阀G与负载锁定室20连接。
输送室10内被维持为规定的减压环境，在输送室10内设置有输送基片S的输送装置70。输送装置70例如如图2所示，具有基座71、臂72、支承轴73和驱动部74。基座71支承臂72。臂72支承基片S，并且能够沿着基座71移动。支承轴73支承基座71。本实施方式中，支承轴73配置于俯视时输送室10的中央。
驱动部74利用从电动机等动力源经由齿轮传递来的动力，使支承轴73以支承轴73的中心轴为中心旋转。由此，基座71和臂72以支承轴73的中心轴为中心旋转。此外，在支承轴73的旋转开始和旋转停止的控制中，驱动部74以梯形控制或者S字控制等方式控制支承轴73的旋转速度，以使得支承轴73的旋转速度逐渐变化。
另外，臂72通过沿着基座71在基座71上移动，从而将基片S从基座71所朝向的方向的负载锁定室20、第一处理室30或者第二处理室40内送出基片S。此外，臂72通过沿着基座71在基座71上移动，从而将基片S送入到基座71所朝向的方向的负载锁定室20、第一处理室30或者第二处理室40内。
负载锁定室20的与输送室10连接的侧面的相反侧的侧面，经由闸阀G与输送室60连接。输送室60与收纳基片S的多个载体(carrier)50连接。在输送室60内设置有输送装置61，其从载体50取出基片S并将其输送到负载锁定室20，从负载锁定室20内取出基片S并将其输送到载体50。
控制装置80具有存储器、处理器和输入输出接口。处理器通过读取并执行保存于存储器中的程序和方案(recipe)，经由输入输出接口来控制处理系统100的各部分。例如，控制装置80通过读取并执行保存于存储器中的程序和方案，经由输入输出接口来控制输送室10内的输送装置70的动作。
[输送装置70的动作]
图3是用于说明输送装置70的动作的一例的图。本实施方式中，输送装置70将处理前的基片S从负载锁定室20取出并将其输送到某个第一处理室30。然后，输送装置70将在第一处理室30中进行了第一处理的基片S从第一处理室30输送到某个第二处理室40。然后，输送装置70将在第二处理室40中进行了第二处理的基片S从第二处理室40输送到负载锁定室20。
输送装置70的基座71由驱动部74驱动而在俯视时顺时针方向(CW)或者逆时针方向(CCW)旋转。将送出或者送入基片S时的基座71的方向，也即从基座71的旋转中心分别去向负载锁定室20、第一处理室30和第二处理室40的基座71的方向定义为第一径向D。此外，本实施方式中，基座71的可旋转范围存在限制。例如，基座71能够在除了图3所示的角度范围90以外的角度的范围内旋转。因此，在本实施方式的输送室10中，从负载锁定室20向第一处理室30输送基片S时的输送装置70的旋转方向、和从第一处理室30向第二处理室40输送基片S时的输送装置70的旋转方向被限为一个方向。
具体而言，在将处理前的基片S从负载锁定室20向某个第一处理室30输送时，输送装置70在CW旋转。另一方面，将在第一处理室30中进行了第一处理的基片S向某个第二处理室40输送时，输送装置70在CCW旋转。
第一处理室30和第二处理室40的每个组合的输送装置70的旋转角度θ的信息，被预先保存在例如控制装置80的存储器内的表81中。图4是表示保存基片输送时的基座71的旋转角度的信息的表81的一例的图。图4所示的各个基座71的旋转角度θ中，CW用“+”表示，CCW用“－”表示。
例如，在将基片S从负载锁定室20向第一处理室30-1输送时，如图4所示，基座71的旋转角度θ以将基片S从负载锁定室20送出时的基座71的方向为基准，为“+θL1”。即，在将基片S从负载锁定室20向第一处理室30-1输送时，基座71的以从送出时的基座71的方向为基准，向CW旋转“θL1”。“θL1”例如为60°。
另外，例如，在将第一处理后的基片S从第一处理室30-1向第二处理室40-1输送时，如图4所示，基座71的旋转角度θ以将基片S从第一处理室30-1送出时的基座71的方向为基准，为“－θ11”。即，在将基片S从第一处理室30-1向第二处理室40-1输送时，基座71以从送出时的基座71的方向为基准，向CCW旋转“θ11”。“θ11”例如为240°。
在此，驱动部74利用从电动机等动力源经由齿轮传递来的动力，通过支承轴73使基座71和臂72旋转。因此，因齿轮的齿隙，基座71的旋转角度稍微偏离。如FPD用的玻璃基片那样的大型的基片S也有几m见方大小的。在利用输送装置70输送这样的基片S时，从支承轴73的中心轴至送入基片S的负载锁定室20、第一处理室30或者第二处理室40的距离也较长。因此，由于齿轮的齿隙所导致的基座71的旋转角度的偏离，根据基片S的部位不同有时会从所希望的位置偏离1mm以上。另外，当利用输送装置70在多个处理室之间输送基片S时，齿轮的齿隙所导致的旋转角度的偏离量会累积，与所希望的位置的偏离会进一步扩大。
于是，本实施方式的输送装置70中，在将基片S输送到处理室时，驱动部74使基座71旋转，以使得臂72的方向成为从与该处理室对应的第一径向D向CW偏离规定角度α的方向即第二径向D’。第一径向D是从基座71的旋转中心去向对应的处理室的方向。之后，驱动部74使基座71向CCW旋转规定角度α，以使得臂72的方向从第二径向D’成为第一径向D。规定角度α是将基片S输送到任何处理室时都相同的角度。CCW是第一旋转方向的一例，CW是第二旋转方向的一例。
具体而言，在将基片S从负载锁定室20输送到第一处理室30-2时，驱动部74例如如图5所示使基座71旋转，以使得臂72的方向成为与第一处理室30-2对应的第二径向D’。与第一处理室30-2对应的第二径向D’，是从与第一处理室30-2对应的第一径向D向CW偏离规定角度α的方向。然后，驱动部74例如如图6所示使基座71向CCW旋转规定角度α，以使得臂72的方向从第二径向D’成为第一径向D。
另外，在将基片S从例如第一处理室30-2输送到第二处理室40-3时，驱动部74例如如图7所示使基座71旋转，以使得臂72的方向成为与第二处理室40-3对应的第二径向D’。与第二处理室40-3对应的第二径向D’，是从与第二处理室40-3对应的第一径向D向CW偏离规定角度α的方向。然后，驱动部74例如如图8所示使基座71向CCW旋转规定角度α，以使得臂72的方向从第二径向D’成为第一径向D。
另外，驱动部74在使基座71旋转以使得臂72的方向成为第二径向D’时，使基座71以第一旋转速度旋转。然后，驱动部74使基座71向CCW旋转规定角度α以使得臂72的方向从第二径向D’成为第一径向D时，使基座71以比第一旋转速度慢的第二旋转速度旋转。第二旋转速度是将基片S输送到任何处理室时都相同的速度。
在此，在本实施方式中，第二径向D’是从第一径向D向第二旋转方向(即CW)偏离规定角度α的方向。其中，关于第二径向D’是从第一径向D向哪个旋转方向偏离规定角度α的方向，是根据负载锁定室20、第一处理室30和第二处理室40的配置来决定的。
例如在本实施方式中，多个处理室包括一个以上的第一处理室30和一个以上的第二处理室40。第一处理室30在由驱动部74使基座71旋转以使得基座71的方向成为第二径向D’时，使基座71向第三旋转方向旋转。第二处理室40在由驱动部74使基座71旋转以使得基座71的方向成为第二径向D’时，使基座71向作为第三旋转方向的相反方向的第四旋转方向旋转。
将与第一处理室30和第二处理室40中较多的处理室对应的第三旋转方向或者第四旋转方向，设定为第一旋转方向。于是，能够决定作为第一旋转方向的相反方向的第二旋转方向。
在本实施方式中，在从负载锁定室20将基片S输送到各第一处理室30时，为了使臂72的方向成为与第一处理室30对应的第二径向D’，需要使基座71向CW旋转。即，在本实施方式中，与第一处理室30对应的第三旋转方向是CW。另一方面，在本实施方式中，在从第一处理室30将基片S输送到各第二处理室40时，为了使臂72的方向成为与第二处理室40对应的第二径向D’，需要使基座71向CCW旋转。即，在本实施方式中，与第二处理室40对应的第四旋转方向是CCW。
另外，在本实施方式的处理系统100中，设置有2个第一处理室30和3个第二处理室40。因此，与第一处理室30和第二处理室40中较多的处理室对应的旋转方向，是第四旋转方向即CCW。因此，将第一旋转方向决定为CCW，将第二旋转方向决定为CW。
由此，在使基座71旋转以使得臂72成为第二径向D’时，需要使之比旋转至第一径向D的旋转角度θ多旋转规定角度α的处理室的个数，少于比旋转角度θ少旋转规定角度α即可的处理室的个数。由此，对多个基片S的输送时间整体上减少，能够提高处理的吞吐量。
[位置误差的偏差]
图9是表示基片S上的位置误差的实验结果的一例的图。图9所示的实验结果中，例示了多次进行如下处理的实验结果：将基片S从负载锁定室20向第一处理室30输送，测量距基座71的旋转中心大约4m的基片S上的位置误差。另外，图9所示的实验结果中，规定角度α是0.5°。
在图9所示的实验结果中，误差的偏差的范围收敛于±0.05mm以内。在将基片S从第一处理室30进一步向第二处理室40输送时，第二处理室40内的基片S的位置误差的偏差的范围，是图9所示的误差的偏差的范围的2倍。但是，在这种情况下，第二处理室40内的基片S的位置误差的偏差的范围也收敛于±0.1mm以内。
此处，假定齿轮的齿隙所导致的齿轮的角度的偏离为1/60°＝1分，则在距基座71的旋转中心大约4m的基片S上的位置，产生4000×tan(1/60)＝1.2mm的误差。即，在齿轮的齿隙所导致的齿轮的角度的偏离为1分的情况下，在基片S上的位置，误差的偏差的范围为±0.6mm。该误差是在将进行了位置对齐的基片S从负载锁定室20向第一处理室30输送的情况下产生的。在将基片S从第一处理室30进一步向第二处理室40输送时，第二处理室40内的基片S的位置误差变为2倍，所以误差的偏差的范围也变为2倍。即，将基片S从负载锁定室20向第一处理室30输送进而从第一处理室30向第二处理室40输送时的误差的偏差的范围，达到±1.2mm。
与之相对地，在本实施方式的输送装置70中，在将基片S输送到处理室时，驱动部74使基座71旋转，以使得臂72的方向成为从与该处理室对应的第一径向D向CW偏离规定角度α的方向即第二径向D’。之后，驱动部74使基座71向CCW旋转规定角度α，以使得臂72的方向从第二径向D’成为第一径向D。
由此，能够将从负载锁定室20向第一处理室30输送基片S时的第一处理室30内的基片S的位置误差的偏差的范围抑制到±0.05mm以内。另外，能够从第一处理室30进一步向第二处理室40输送基片S时的第二处理室40内的基片S的位置误差的偏差的范围抑制到±0.1mm以内。由此，在各基片S中，能够减小在第一处理室30和第二处理室40中进行的处理的偏差，能够减小各基片S的品质的偏差。
[规定角度和旋转速度]
接着，对规定角度α和旋转规定角度α时的旋转速度进行了实验。图10是表示规定角度和旋转速度的每个组合的误差的一例的图。其中，图10所示的旋转速度，表示进行梯形控制和S字控制等的旋转速度中的最大值。另外，在图10所示的例子中，低速为21°/sec，中速为2倍低速的旋转速度，高速为4倍低速的旋转速度。
如图10所例示的那样，不论旋转速度是哪种，误差的偏差的范围都收敛于大约0.05mm以内。但是，参照图10可知，误差的平均值以低速、中速、高速的顺序变低。因此，旋转规定角度α时的旋转速度，相比高速，优选中速或者低速。另外，为了缩短输送时间，优选使基座71旋转以使得臂72的方向成为第二径向D’时的旋转速度即第一旋转速度为高速。即，优选使基座71向第一旋转方向旋转规定角度α以使得臂72的方向从第二径向D’成为第一径向D时的旋转速度即第二旋转速度，为第一旋转速度的1/2以下。另外，为了使齿隙所导致的误差变得更小，优选第二旋转速度为第一旋转速度的1/4以下。由此，能够兼顾缩短基片S的输送时间和抑制齿轮的齿隙所导致的基片S的位置偏离。
另外，如图10所例示的那样，不论规定角度α是哪种，误差的偏差的范围都收敛于大约0.05mm以内。另外，理论上，规定角度α只要是齿轮的齿隙所导致的齿轮的角度偏离即1分以上即可。但是，参照图10可知，在低速的旋转速度下，当规定角度α过小时，误差的范围(range)扩大到0.04mm以上。这可以认为是因为，当规定角度α过小时，难以精确地控制微小的角度。另一方面，在低速的旋转速度下，当规定角度α为0.5或者1.0°时，误差的范围小于0.02mm。因此，优选规定角度为0.5°以上1.0°以下的范围内的角度。
[输送控制]
图11是表示基片S的输送方法的一例的流程图。图11所例示的流程图是通过由控制装置80控制处理系统100的各部分来实施的。例如在从作为输送起点的负载锁定室20、第一处理室30或者第二处理室40送出基片S时，控制装置80开始图11的流程图所示的处理。
首先，控制装置80基于方案，确定作为基片S的输送起点的负载锁定室20、第一处理室30或者第二处理室40和作为基片S的输送目的地的负载锁定室20、第一处理室30或者第二处理室40。然后，控制装置80参照存储器内的表81，确定与所确定的输送起点和输送目的地对应的基座71的旋转角度θ和旋转方向(S100)。旋转方向在表81内用旋转角度θ的符号表示。
接着，控制装置80判断在步骤S100中确定出的旋转角度θ是否为第一旋转方向(S101)。第一旋转方向是为了使基座71的方向朝向作为输送目的地的负载锁定室20、第一处理室30或者第二处理室40的方向而旋转规定角度α时的旋转方向。在本实施方式中，第一旋转方向是CCW。当在步骤S100中确定出的旋转角度θ的旋转方向为第一旋转方向时(S101：Yes)，控制装置80控制驱动部74以使得基座71向第一旋转方向旋转从旋转角度θ减去规定角度α而得的角度(S102)。由此，基座71向第一旋转方向旋转(旋转角度θ－规定角度α)，臂72的方向成为从第一径向D向第二旋转方向偏离规定角度α而得的第二径向D’。
接着，控制装置80控制驱动部74以使得基座71以规定的旋转速度向第一旋转方向旋转规定角度α(S103)。由此，基座71以规定的旋转速度向第一旋转方向旋转规定角度α。然后，控制装置80控制臂72以将臂72上的基片S向作为输送目的地的负载锁定室20、第一处理室30或者第二处理室40(S104)输送。然后，图11的流程图所示的输送方法结束。
另外，当在步骤S100中确定出的旋转角度θ的旋转方向不是第一旋转方向时(S101：No)，控制装置80驱动驱动部74以使得基座71向第二旋转方向旋转旋转角度θ加上规定角度α而得的角度(S105)。第二旋转方向是与第一旋转方向相反的旋转方向。在本实施方式中，第二旋转方向是CW。由此，基座71向第二旋转方向旋转(旋转角度θ+规定角度α)，臂72的方向成为从第一径向D向第二旋转方向偏离规定角度α而得的第二径向D’。然后，控制装置80执行步骤S103所示的处理。
以上，对输送装置70的一个实施方式进行了说明。本实施方式的输送装置70设置在周围连接有多个处理室的输送室10内，并在输送室与各处理室之间输送基片S。输送装置70包括：基座71、臂72和驱动部74。基座71可旋转地设置于输送室10内。臂72设置在基座71上，并支承基片S。驱动部74利用从动力源经由齿轮传递来的动力，使基座71向第一旋转方向或者作为第一旋转方向的相反方向的第二旋转方向旋转。另外，在将由臂72支承的基片S输送到处理室时，驱动部74使基座71旋转以使得臂72的方向成为从第一径向D向第二旋转方向偏离规定角度α的第二径向D’，其中第一径向D是从基座71的旋转中心去向处理室的方向。然后，驱动部74使基座71向第一旋转方向旋转规定角度α，以使得臂72的方向从第二径向D’成为第一径向D。像这样，在输送室与各处理室之间输送基片S时，基座71向第一旋转方向旋转规定角度α后停止，所以能够使即将停止前的旋转方向和至停止为止的移动量处于同一条件下。由此，能够抑制向驱动部74传递动力的齿轮的齿隙所导致的旋转角度的偏离，能够抑制基片S的位置偏离。
另外，在上述实施方式中，规定角度α是在将基片S输送到多个处理室的任一个的情况下都相同的角度。由此，不论在多个处理室的哪一个中处理基片S，都能够抑制齿轮的齿隙所导致的基片S的位置偏离。
另外，在上述实施方式中，规定角度α是0.5°以上1.0°以下的范围内的角度。由此，能够抑制齿轮的齿隙所导致的基片S的位置偏离。
另外，在上述实施方式中，驱动部74使基座71以第一旋转速度和第二旋转速度旋转，其中，第一旋转速度是使基座71旋转以使得臂72的方向成为第二径向D’时的旋转速度，第二旋转速度是使基座71向第一旋转方向旋转规定角度α以使得臂72的方向从第二径向D’成为第一径向D时的速度，并且第二旋转速度比第一旋转速度慢。由此，能够兼顾缩短基片S的输送时间和抑制齿轮的齿隙所导致的基片S的位置偏离。
另外，在上述实施方式中，优选第二旋转速度为第一旋转速度的1/2以下。由此，能够兼顾缩短基片S的输送时间和抑制齿轮的齿隙所导致的基片S的位置偏离。
另外，在上述实施方式中，第二旋转速度是在将基片S输送到多个处理室的任一个的情况下都相同的速度。由此，不论在多个处理室的哪一个中处理基片S，都能够抑制齿轮的齿隙所导致的基片S的位置偏离。
另外，在上述实施方式中，在利用驱动部74使基座71旋转以使得臂72的方向成为第二径向D’时，多个处理室被分为使基座71向第三旋转方向旋转的第一处理室30和使基座71向作为第三旋转方向的相反方向的第四旋转方向旋转的第二处理室40。而且，将与第一处理室30和第二处理室40中较多的处理室对应的第三旋转方向或者第四旋转方向，设定为第一旋转方向。由此，能够整体上提高对多个基片S的处理的吞吐量。
另外，在上述实施方式中，基片S是FPD用的玻璃基片。在大型的基片S的输送中，能够抑制齿轮的齿隙所导致的基片S的位置偏离。
[其他]
此外，本发明公开的技术不限于上述实施方式，在其主旨的范围内能够进行各种变形。
例如在上述实施方式中，以输送FPD用的玻璃基片等基片S的输送装置为例进行了说明，但本发明的技术并不限于此，对于输送硅晶片等半导体基片的输送装置也能够应用本发明的技术。
另外，在上述实施方式的输送装置70中，例如如图2所示，在基座71设置有1个臂72，但本发明的技术并不限于此，也可以在基座71设置有多个臂72。
另外，在上述实施方式中，输送室10的平面形状是六边形，但本发明的技术并不限于此，输送室10的平面形状也可以为三角形、四边形、五边形等六边形以外的其他多边形。
另外，应该认为，本申请公开的实施方式，所有的点都是例示，并不限于此。实际上，上述实施方式能够用各种各样的实施方式来实现。另外，上述实施方式在不脱离所附的权利要求及其主旨的情况下，以各种方式进行省略、置换、变更。

Claims (9)

1.一种输送装置，其特征在于：
设置于周围连接有多个处理室的输送室内，能够在所述输送室与各所述处理室之间输送被处理基片，
所述输送装置包括：
可旋转地设置于所述输送室内的基座部件；
设置于所述基座部件上的支承所述被处理基片的臂；和
驱动部，其利用从动力源经由齿轮传递来的动力，使所述基座部件向第一旋转方向或者作为所述第一旋转方向的相反方向的第二旋转方向旋转，
在将由所述臂支承的所述被处理基片输送到所述处理室时，所述驱动部使所述基座部件旋转以使得所述臂的方向成为从第一径向向所述第二旋转方向偏离规定角度的第二径向，其中所述第一径向为从所述基座部件的旋转中心去向所述处理室的方向，之后，使所述基座部件向所述第一旋转方向旋转所述规定角度以使得所述臂的方向从所述第二径向成为所述第一径向。
2.如权利要求1所述的输送装置，其特征在于：
所述规定角度是在将所述被处理基片输送到多个所述处理室的任一个时都相同的角度。
3.如权利要求2所述的输送装置，其特征在于：
所述规定角度是0.5°以上1.0°以下的范围内的角度。
4.如权利要求1～3中任一项所述的输送装置，其特征在于：
驱动部使所述基座部件以第一旋转速度和第二旋转速度旋转，其中，所述第一旋转速度是使所述基座部件旋转以使得所述臂的方向成为所述第二径向时的旋转速度，所述第二旋转速度是使所述基座部件向所述第一旋转方向旋转以使得所述臂的方向从所述第二径向成为所述第一径向时的速度，并且所述第二旋转速度比所述第一旋转速度慢。
5.如权利要求4所述的输送装置，其特征在于：
所述第二旋转速度为所述第一旋转速度的1/2以下。
6.如权利要求4或5所述的输送装置，其特征在于：
所述第二旋转速度是在将所述被处理基片输送到多个所述处理室的任一个时都相同的速度。
7.如权利要求1～6中任一项所述的输送装置，其特征在于：
在利用所述驱动部使所述基座部件旋转以使得所述臂的方向成为所述第二径向时，多个所述处理室被分为使所述基座部件向第三旋转方向旋转的第一处理室和使所述基座部件向作为所述第三旋转方向的相反方向的第四旋转方向旋转的第二处理室，
将与所述第一处理室和所述第二处理室中较多的处理室对应的所述第三旋转方向或者所述第四旋转方向，设定为所述第一旋转方向。
8.如权利要求1～7中任一项所述的输送装置，其特征在于：
所述被处理基片是FPD用的玻璃基片。
9.一种由输送装置进行的输送方法，其特征在于：
所述输送装置包括：
基座部件，其可旋转地设置于周围连接有多个处理室的输送室内；
臂，其设置在所述基座部件上，并支承在所述输送室与各所述处理室之间输送的被处理基片；和
驱动部，其利用从动力源经由齿轮传递来的动力，使所述基座部件向第一旋转方向或者作为所述第一旋转方向的相反方向的第二旋转方向旋转，
所述输送方法包括：
在将由所述臂支承的所述被处理基片输送到所述处理室时，使所述基座部件旋转以使得所述臂的方向成为从第一径向向所述第二旋转方向偏离规定角度的第二径向的步骤，其中所述第一径向是从所述基座部件的旋转中心去向所述处理室的方向；和
使所述基座部件向所述第一旋转方向旋转所述规定角度以使得所述臂的方向从所述第二径向成为所述第一径向的步骤。
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