JP2012009620A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012009620A
JP2012009620A JP2010144125A JP2010144125A JP2012009620A JP 2012009620 A JP2012009620 A JP 2012009620A JP 2010144125 A JP2010144125 A JP 2010144125A JP 2010144125 A JP2010144125 A JP 2010144125A JP 2012009620 A JP2012009620 A JP 2012009620A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lid
chamber
guide rail
vacuum transfer
transfer chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010144125A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5585238B2 (ja
Inventor
Yoshitsugu Tanaka
善嗣 田中
Kazunari Hatori
一成 羽鳥
Toshihiro Kasahara
稔大 笠原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2010144125A priority Critical patent/JP5585238B2/ja
Priority to KR1020110058552A priority patent/KR101326992B1/ko
Priority to CN201110177543.7A priority patent/CN102299046B/zh
Priority to TW100121991A priority patent/TW201205711A/zh
Publication of JP2012009620A publication Critical patent/JP2012009620A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5585238B2 publication Critical patent/JP5585238B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】真空搬送室に、基板を処理するための複数の処理室を接続した基板処理装置において、装置の大型化を抑え、フットプリントの増大を抑制する技術を提供すること。
【解決手段】真空搬送室13の周囲に、基板に対して処理が行なわれる複数の処理室30を設ける。前記真空搬送室13の上方側に回転テーブル6を介して第1のガイドレール54を設けると共に、前記回転テーブル6が対応する位置に静止したときに前記ガイドレール54の延長線上に位置するように第2のガイドレール52を設ける。移動体71を、第1及び第2のガイドレール52,54に沿って、処理室30の上方側に移動させ、移動体71に設けられた蓋体保持機構8を上昇させることにより、蓋体32に設けられた被保持部5を持ち上げて、処理室30から蓋体32を開放する。
【選択図】図1

Description

本発明は、真空搬送室に、基板を処理するための複数の処理室を接続した基板処理装置に関する。
例えばFPD(Flat Panel Display)の製造工程において、ガラス基板などの基板を処理する処理室を真空搬送室の周囲に複数設け、搬送室内に設けられた搬送アームにより搬送室と処理室との間で基板の受け渡しを行う基板処理装置が知られている。前記処理室にて行われる処理としては、エッチングやアッシング、成膜等の処理が挙げられる。
前記処理室は、例えば基板が載置されると共に上部が開口する容器本体と、当該容器本体の開口部を開閉可能な蓋体とにより構成され、処理室内のメンテナンスや、蓋体のメンテナンス時には、蓋体を容器本体から取り外すことができるようになっている。前記蓋体には、処理ガスを供給するガスシャワーヘッドが設けられ、蓋体のメンテナンス作業の一つとしてガスシャワーヘッドの部品の交換等がある。
この蓋体の開閉動作については特許文献1に提案されている。この構成では、処理室毎に設けられた蓋体の開閉機構により容器本体から蓋体を上昇させた後、蓋体を容器本体から外れた位置までスライドさせる。次いで蓋体を下降させてから反転させることが行われている。この手法では、蓋体を処理室への基板の搬送方向と直交する方向にスライド移動させることにより、蓋体の開閉動作に必要な面積を小さくすることができる。
しかしながら、FPD基板は大型であるため、処理室も平面形状における一辺の大きさが、例えば夫々3.0m、3.5mもの大型の角筒型容器となる。従って処理室毎に蓋体を反転させるスペースが必要な構成では、処理室が増加すると蓋体を反転するスペースを確保しにくくなり、スペースを確保しようとすると、装置がさらに大型化する懸念がある。また処理室毎に蓋体の開閉機構が設けられているので、処理室が増加すると装置の製造コストの高騰化を招くおそれもある。
特開2007−67218号公報(図1、図19参照)
本発明は、このような事情の下になされたものであり、真空搬送室に、基板を処理するための複数の処理室を接続した基板処理装置において、装置の大型化を抑え、フットプリントの増大を抑制する技術を提供することにある。
本発明の基板処理装置は、予備真空室と、各々容器本体の上に蓋体を設けて構成され、基板に対して処理を行うための複数の処理室とを、内部に基板搬送機構が設けられた真空搬送室の周囲に接続した基板処理装置において、
前記真空搬送室の上方側に、当該真空搬送室側から外側に向くように水平に伸びると共に、水平方向に移動するように設けられた第1のガイド部材と、
この第1のガイド部材にガイドされて移動する移動体と、
この移動体を、前記処理室の上方と前記第1のガイド部材との間で移動させるためにガイドし、前記移動テーブルが対応する位置に静止したときに前記第1のガイド部材の延長線上に水平に位置するように設けられた第2のガイド部材と、
前記移動体に設けられ、当該移動体が第2のガイド部材上に位置しているときに前記容器本体に対して蓋体を着脱するために蓋体を保持して昇降させると共に、蓋体を保持した状態で当該移動体が第1のガイド部材に移動できるように構成された蓋体保持機構と、を備えたことを特徴とする。
この際、前記真空搬送室の上方側に設けられ、水平方向に移動する移動テーブルを備え、前記第1のガイド部材は、この移動テーブルに設けられるように構成してもよい。また、この移動テーブルは、真空搬送室の中心部を中心として鉛直軸の周りに回転する回転テーブルとして構成することができる。
また、前記蓋体には、第2のガイド部材の伸びる方向に沿って横方向に伸び、下方に空間が形成された係止部分を含む被保持部が設けられ、前記蓋体保持機構には、進退移動しながら前記係止部分の下方側の空間に進入し、その後上昇して前記係止部分を下方側から押し上げることにより蓋体を持ち上げる保持部が設けられるように構成してもよい。
さらに、前記第2のガイド部材は、処理室毎に設けられるようにしてもよいし、
不使用時には移動テーブル側に収納され、使用時には移動テーブル側から処理室側に伸び出すように構成してもよい。
さらにまた、前記真空搬送室は平面形状が多角形に形成され、前記真空搬送室の側面のうち、その外方側にメンテナンス領域を確保するための一つの側面を除く他の側面に、夫々前記予備真空室と処理室とが接続されるように構成される。この際、前記メンテナンス領域には、前記蓋体保持機構から受け渡された蓋体を保持して反転させる蓋体反転機構を備えるようにしてもよい。また、前記真空搬送室は六つの側面を有し、該側面に一つの前記予備真空室と四つの処理室が接続されるように構成してもよい。
本発明によれば、移動体を、真空搬送室から伸びる第1のガイド部材及び第2のガイド部材に沿って、各処理室の上方側に移動させ、この移動体に設けられた蓋体保持機構により、各処理室の蓋体を持ち上げるように構成している。従って、処理室の上方にスペースがあれば蓋体を開くことができるので、蓋体着脱時に処理室の横方向のスペースが不要となり、装置の設置スペースの大型化を抑制することができる。また、複数の処理室の蓋体の着脱を共通の蓋体保持機構にて行うことができるので、装置の大型化が抑えられ、フットプリント(設置面積)の増大を抑制することができる。
本発明に係る基板処理装置の実施の形態を示す斜視図である。 前記基板処理装置の内部を示す横断平面図である。 前記基板処理装置に設けられた処理室の一例を示す断面図である。 前記基板処理装置に設けられた移動体及び処理室を示す正面図である。 前記基板処理装置の一部を示す側面図である。 前記基板処理装置の一部を示す断面図である。 前記基板処理装置に設けられる蓋体反転機構を示す斜視図である。 前記基板処理装置の作用を説明するための平面図である。 前記基板処理装置の作用を説明するための平面図である。 前記基板処理装置の作用を説明するための側面図である。 前記基板処理装置の他の実施の形態を示す側面図である。 前記基板処理装置の他の実施の形態を示す側面図である。 前記基板処理装置のさらに他の実施の形態を示す平面図 前記基板処理装置のさらに他の実施の形態を示す側面図である。
以下、本発明の基板処理装置の一実施の形態について、FPD基板に対して処理(例えばエッチング処理)を行う場合について説明する。図1は、この基板処理装置1の概観を示す斜視図、図2はその内部を示す横断平面図である。図中1A,1Bは、外部から、多数のFPD基板(以下「基板」という)Sを収容したキャリアC1,C2を載置するためのキャリア載置部である。これらキャリア載置部1A,1Bは、例えば昇降機構11によりキャリアC1,C2を昇降するように構成され、一方のキャリアC1には未処理基板S1が収容され、他方のキャリアC2には処理済みの基板S2が収容されるようになっている。
また、キャリア載置部1A,1Bの奥側には、予備真空室をなすロードロック室12と真空搬送室13とが設けられている。さらに、キャリア載置部1A,1Bの間には、前記2つのキャリアC1,C2と、ロードロック室12との間で基板Sの受け渡しを行うための基板搬送手段21が支持台14上に設けられている。この基板搬送手段21は例えば上下に設けられた2本のアーム22と、これらを進退自在、及び回転自在に支持する基台23と、を備えている。前記ロードロック室12は、雰囲気が真空雰囲気と常圧雰囲気との間で切り替えられるように構成され、その内部には図2に示すように、基板Sを支持するためのバッファラック15が配設されている。図中16はポジショナーである。
前記真空搬送室13は、平面形状が多角形状(例えば正六角形状)に構成され、その側面には、前記ロードロック室12とは周方向に離れて接続され、かつ互いに周方向に配置される複数個の処理室30が配設されている。この例では、真空搬送室13の内の4つの辺に対応する側面に夫々処理室30が気密に接続されている。
また、真空搬送室13の残りの2つの辺の一方に対応する側面には、前記ロードロック室12が気密に接続され、他方に対応する側面の外方側にはメンテナンス領域Mが確保されており、このメンテナンス領域Mに蓋体反転機構4が設けられている。この例では、ロードロック室12と蓋体反転機構4とは互いに対向するように配設されている。
前記真空搬送室13は真空雰囲気に維持されるように構成され、その内部には、図2に点線で示すように、基板搬送機構25が配設されている。そして、この基板搬送機構25により、前記ロードロック室12及び4つの処理室30との間で基板Sが搬送されるようになっている。また、真空搬送室13の天井部には、メンテナンス用の開口部17(図6参照)と、この開口部17を気密に塞ぐ着脱自在の蓋が設けられている。この開口部17は、真空搬送室13内の基板搬送機構25を取り出すことができるように構成されている。
さらに、前記ロードロック室12と真空搬送室13との間、真空搬送室13と処理室30との間、及びロードロック室12と外側の大気雰囲気とを連通する開口部には、これらの間を気密にシールし、かつ開閉可能に構成されたゲートバルブGVが夫々介挿されている。
次に、図3を参照して処理室30について簡単に説明する。処理室30は、例えば平面形状が四角形状に構成され、天井部が開口する容器本体31と、この容器本体31の天井開口部を開閉するように設けられた蓋体32と、を備えている。前記蓋体32は、後述する蓋体保持機構8により容器本体31に対して着脱自在に構成されている。前記基板Sは、例えば一辺が2.2m、他辺が2.5m程度の大きさの角型基板であり、前記処理室30は、例えば水平断面の一辺が3.0m、他辺が3.5m程度の大きさに設定されている。
前記容器本体31の内部には、その底面の上に絶縁部材33aを介して、基板Sを載置するための載置台33が配置されている。また容器本体31には排気路34aを介して、例えば真空ポンプ34よりなる真空排気手段が接続されている。一方、処理室30内の上方には、載置台33と対向するように、上部電極をなすシャワーヘッドであるガス供給部35が、蓋体32の内部に突出する支持部36aにより支持されるように設けられている。図中36bは絶縁部材、35aはガス吐出孔、37aはガス供給管、37はガス供給系、38aは給電棒、38bは整合器、38は高周波電源である。
このような処理室30では、高周波電源38からガス供給部35に高周波電力を印加することにより、基板Sの上方側の空間に処理ガスのプラズマが形成され、これにより基板Sに対するエッチング処理が進行することになる。なお図3以外の図においては、図示の便宜上、整合器38bや高周波電源38、ガス供給系37等については省略してある。また、前記処理室30及び真空搬送室13は、図5に示すように、夫々支柱30a、13aにて支持されている。
ここで、基板Sの処理動作について簡単に説明する。先ず、基板搬送手段21により、未処理基板S1を収容した一方のキャリアC1から基板S1をロードロック室12に搬入する。ロードロック室12内においては、バッファラック15により基板S1を保持し、基板搬送手段21のアーム22が退避した後、ロードロック室12内を排気して、内部を所定の真空度まで減圧する。真空引き終了後、ポジショナー15により基板S1の位置合わせを行なう。
この後、ロードロック室12と真空搬送室13との間のゲートバルブGVを開き、基板搬送機構25により基板S1を受け取り、前記ゲートバルGVを閉じる。次いで、真空搬送室13と所定の処理室30の間のゲートバルブGVを開いて、前記基板S1を基板搬送機構25により当該処理室30に搬入し、前記ゲートバルブGVを閉じる。
そして、処理室30では、既述のように、基板S1の上の空間にプラズマを形成することにより、当該基板S1に対するエッチング処理を進行させる。このエッチング処理終了後、基板搬送機構25により処理済み基板S2を受け取り、ロードロック室12に搬送し、次いで、前記基板S2は、搬送手段21により、処理済み基板用のキャリアC2に搬送される。これにより一枚の基板における処理が終了するが、この処理を未処理基板用のキャリアC1に搭載された全ての基板S1に対して行う。
続いて、処理室30について、さらに説明を続ける。前記蓋体32の上面には、図1〜図5に示すように、被保持部5が設けられている。図4は、真空搬送室13側から見た処理室30の側面図であり、図5は、図2におけるA−A線側から見た基板処理装置の側面図である。前記被保持部5は、互いに背中合わせに配置された一対の鉤型部材51,51からなる。これら鉤型部材51,51の各垂直部分は、当該処理室30が接続される真空搬送室13の側面に直交しており、前記側面と直交する方向における蓋体32の中央部に対して互いに対称に、互いに処理室30の側方に寄った側に離間して配置されている。ここで、処理室30の側方とは、真空搬送室13側から処理室30を見たときにおける、当該処理室30の側方をいう。
前記鉤型部材51,51の各水平部分は互いに反対に伸び出しており、後述の蓋体保持機構8により保持される係止部分50をなしている。この例では、4つの処理室30は互いに同じ形状に構成され、各処理室30の蓋体32の上面には、互いに同じ位置に夫々同じ形状の被保持部5が形成されている。
さらに、前記処理室30の各々の側方の上方側には、ガイド部材をなすガイドレール52が設けられている。このガイドレール52は、各々の処理室30が接続された真空搬送室13の側面と直交する方向に伸びるように設けられている。この例では、処理室30側のガイドレール52は、前記処理室30の両側面の上方側近傍に互いに平行に伸びるように、夫々支柱53に支持された状態で設けられている。
一方、真空搬送室13の天井部には、前記ガイドレール52と同じ幅で互いに平行に伸びるように設けられた一対のガイド部材をなすガイドレール54が設けられている。この真空搬送室13側のガイドレール54は、真空搬送室13の天井部において、回転テーブル6上に支持枠55を介して、真空搬送室13側から外側に向くように設けられている。前記回転テーブル6は、水平方向に移動する移動テーブルをなすものである。
ここで、真空搬送室13側のガイドレール54は、特許請求の範囲の第1のガイド部材に相当するものであることから、以下「第1のガイドレール54」という。また、処理室30側のガイドレール52は、特許請求の範囲の第2のガイド部材に相当するものであることから、以下「第2のガイドレール52」という。
この例では、前記回転テーブル6は、その回転中心が真空搬送室13の中心部と揃うように、鉛直軸周りに回転自在に設けられている。当該回転テーブル6は、平面形状が円形に形成される。また、回転テーブル6は、側壁部61の下面がベアリング62を介して真空搬送室13の天井部に設けられた板状体63に接続されるように設けられている。なお、回転テーブル6は、真空搬送室13の天井部を構成する天板に直接設けるようにしてもよい。
前記板状体63の上面には、真空搬送室13の中心部を中心とする円に沿ってリング状に形成された移動路部材64が設けられている。一方、回転テーブル6の下面には、移動路部材64にガイドされる被ガイド部材65が設けられている。また、板状体63における回転テーブル6の外周側には、前記円と同心円状であって、全周に亘って外側面にギア部66aが形成されたリング状のラック部66が設けられている。一方、回転テーブル6におけるラック部66の外方側部位には、当該ラック部66と歯合するピニオン部(遊星ギヤ)67が回転テーブル6の下方側に突出すると共に、鉛直軸周りに回転自在に設けられている。このピニオン部67の回転軸67aは、回転テーブル6側に設けられた駆動モータ68により減速機69を介して回転するように構成されている。こうして、回転テーブル6は、ピニオン部67が駆動モータ68により回転することにより、回転が伝達され、被ガイド部65が移動路部材64に沿って移動するように構成されている。なお、図6以外においては、回転テーブル6の回転機構は簡略化して描いている。
ここで、回転テーブル6には、当該回転テーブル6が待機位置にあるときに、真空搬送室13の天井部に形成された開口部17と対応するように、開口部17よりも大きい窓60が形成されている。この待機位置とは、第1のガイドレール54の先端(真空搬送室13の外周側)がロードロック室12を臨む位置をいう。また、前記支持枠55及び第1のガイドレール54は、図5及び図6に示すように、この窓60と干渉しないように設けられ、板状体63にも前記開口部17に対応する位置に、開口部17よりも大きい窓63aが形成されている。従って、回転テーブル6が前記待機位置にあるときには、前記窓60と開口部17とが互いに対応し、前記開口部17を介して基板搬送機構25のメンテナンスを行うことができるように構成されている。
ここで、真空搬送室13は、この例では平面形状が正六角形状に構成されており、回転テーブル6は、真空搬送室13の中心部を回転中心として回転自在に構成されている。従って、第1のガイドレール54は、回転テーブル6の回転により、その先端が各処理室30に臨む位置を通るように、真空搬送室13の周方向に沿って移動するように構成されることになる。この処理室30に臨む位置とは、真空搬送室13側から見て処理室30を正面方向に見る位置である。そして、第1のガイドレール54の先端が前記処理室30に臨む対応位置にあるときには、対応する第2のガイドレール52が、第1のガイドレール54の延長線上に水平に位置するように、互いに高さ位置が揃った状態で設けられることになる。なお、ここでいう水平には、少し斜めな状態も含まれるものとする。
この際、第1のガイドレール54は、既述のように真空搬送室13の周方向に沿って移動するので、この移動時に第1のガイドレール54の先端と、第2のガイドレール52の先端(真空搬送室13側)とが干渉しないように、互いの長さや設置位置が決定されている。この例では、第2のガイドレール52の支柱53は、ゲートバルブGVのメンテナンスを考慮して、図5に示すように、ゲートバルブGVよりも処理室30側に設けられている。
一方、第2のガイドレール52の強度を保つためには、第2のガイドレール52を支柱53から真空搬送室13側に長く伸び出すように設けることは得策ではない。このため、第1のガイドレール54は第2のガイドレール側52との隙間を少なくするために、支持枠55に支持された状態で真空搬送室13よりも若干外方に伸びるように設けられている。当該第1のガイドレール54の先端は、図2に一点鎖線にて示すような軌跡を描いて移動していくので、この第1のガイドレール54の移動を妨げず、かつ第1のガイドレール54との隙間を少なくするように、第2のガイドレール52の先端側の位置が設定されている。
そして、基板処理装置1には、これら第2のガイドレール52及び第1のガイドレール54に沿ってガイドされながら、真空搬送室13の上方と処理室30の上方との間を移動する門型形状の移動体71が設けられている。この移動体71は、一端側が一対のガイドレール52,54の一方に沿ってガイドされ、その他端側が前記ガイドレール52,54の他方に沿ってガイドされるように構成されている。この例では、移動体71は、図1及び図4に示すように、水平に伸びる水平部材72と、この水平部材72から一方のレール52a,54aに向って下方側に伸びる垂直部材73と、水平部材72から他方のレール52b,54bに向って下方側に伸びる垂直部材74と、を備えている。
前記垂直部材73の下端側には、複数個(この例では2個)の車輪75Aが、移動体71の移動方向に沿って設けられており、これら車輪75Aは移動モータ76Aにより駆動されるように構成されている。また、前記垂直部材74の下端側には、図4に示すように、複数個(この例では2個)の車輪75Bが前記移動方向に沿って設けられており、これら車輪75Bは移動モータ76Bにより駆動されるように構成されている。これら移動モータ76A,76Bは、移動体71の水平部材72が、当該処理室30が設けられた真空搬送室13の側面と平行な状態で、ガイドレール52,54上を移動するように駆動が制御されている。この例では、車輪75A,75Bと移動モータ76B,76Bと、により、前記移動体71を前記ガイド部材に沿って移動させるための駆動部が構成されている。
そしてまた、この移動体71には、当該移動体71が第2のガイドレール52上に位置しているときに、前記容器本体31に対して蓋体32を着脱するために、蓋体32を保持して昇降させると共に、蓋体32を保持した状態で当該移動体71が第1のガイドレール54に移動できるように構成された蓋体保持機構8が設けられている。この蓋体保持機構8は、前記第2のガイドレール52に沿って移動しながら前記係止部分50の下方側の空間に進入し、その後上昇して前記係止部分50を下方側から押し上げることにより蓋体32を持ち上げる保持部80を備えている。この保持部80は、互いに向い合わせに配置された一対の鉤型部材81,81からなる。これら鉤型部材81,81の各垂直部分は、保持部81が係止部分50の下方側の空間に進入する開閉位置では、被保持部5の鉤型部材51,51の各垂直部分と平行であって、当該鉤型部材51,51の外側に位置するように配置されている。また鉤型部材81,81の各水平部分80aは、互いに内側に伸び出すように構成されている。
これら鉤型部材81,81は、移動体71の各々の垂直部材73,74に、昇降機構をなすジャッキ機構82,82により昇降自在に設けられている。このジャッキ機構82は、ネジ山が刻設された昇降軸83と、この昇降軸83に螺合するネジ山が内面に形成された可動体84と、を備えており、可動体84の下端に鉤型部材81,81の上端が夫々接続されている。図中85は昇降モータ、86はガイド機構、87は昇降軸83の周囲を覆うカバー部材である。このようなジャッキ機構82では、昇降モータ85により昇降軸83を回転させると、回転方向によって可動体84が昇降軸83に対してガイド機構86に沿って昇降するように構成されている。なお、2つの昇降モータ85は、後述する制御部100の指令に基づいて駆動されるように構成され、各々の昇降軸83を互いに同期した状態で回転させるように制御されている。
こうして、蓋体保持機構8は、移動体71が処理室30の蓋体32を開閉する開閉位置にあるときに、保持部80の水平部分80aが被保持部5の係止部分50の下方側に位置する下降位置と、前記係止部分50を下方側から押し上げることにより蓋体32を持ち上げる上昇位置との間で昇降自在に構成されることになる。ここで、後述するように、移動体71は蓋体32を上昇位置にて保持した状態で真空搬送室13側に移動する。従って、前記上昇位置は、蓋体保持機構8により持ち上げられた蓋体32の下面が、真空搬送室13の天井部等に衝突せずに、真空搬送室13の上方側を移動できる高さ位置に設定される。
また、移動体71は、各処理室30に対して蓋体保持機構8を下降位置にした状態で、真空搬送室13の上方側から処理室30の上方側に移動させると、移動体71は各々の処理室30の被保持部5と干渉せずに移動する。そして、各処理室30における蓋体32の開閉位置では、被保持部5の係止部分50の下方側に蓋体保持機構8の水平部分80aが位置することになる。
これにより、各処理室30における蓋体32の開閉位置において、蓋体保持機構8を上昇させれば、係止部分50が蓋体保持機構8により持ち上げられて蓋体32が開く。その一方、蓋体保持機構8にて保持された蓋体32は、前記開閉位置にて蓋体保持機構8を下降させることにより、容器本体31の開口部を塞ぐように容器本体31に受け渡される。そして、移動体71は、蓋体保持機構8をこの受け渡し位置から前記下降位置までさらに下降させてから、真空搬送室13側への移動を再開する。
この例においては、図5に示すように、第2のガイドレール52の基端側(真空搬送室13の反端側)には、移動体71の車輪75A,75Bの車輪止め56が設けられており、この位置で停止することにより、移動体71が各処理室30における蓋体32の開閉位置にて停止されることになる。一方、第1のガイドレール54の基端側(処理室30と反対側)においても、車輪止め57が設けられており、この位置が真空搬送室13の上方側における移動体71の待機位置になる。図8(a)は移動体71が当該待機位置に位置した状態を示すが、このように待機位置では移動体71が回転テーブル6の中央部近傍に位置することになる。
なお、処理室30が一対のレール52a,52b、54a,54bの間に位置する構成であれば、処理室30の大きさは互いに異なるように構成してもよい。この場合には、移動体71を処理室30の上方側に移動させたとき、蓋体保持機構8が前記下降位置にあるときには、当該蓋体保持機構8と各処理室30の被保持部5とが干渉せず、移動体71を各処理室30における前記開閉位置に位置させて、蓋体保持機構8を上昇させたときに被保持部5が持ち上げられるように、各処理室30の被保持部5及び移動体71が構成される。このような構成であれば、移動体71により全ての処理室30の蓋体32の開閉を行うことができる。
蓋体反転機構4は、前記蓋体保持機構8から受け渡された蓋体32を保持して反転させるように構成され、例えば図7に示すように、蓋体32が保持される枠体41と、この枠体41を水平な回転軸に沿って回転させる回転駆動部42と、を備えている。この回転駆動部42は、駆動モータ43と、減速機44と、軸受45と、を備えており、これらは支持台46により支持されている。前記枠体41は、蓋体32を保持する移動体71が蓋体32の受け渡し位置に移動し、この位置から蓋体32を下降させたときに、当該蓋体32の周囲を保持するように構成されている。
この蓋体反転機構4の側方においても、当該蓋体反転機構4が設けられる真空搬送室13の側面と直交するように、ガイドレール47が設けられている。このガイドレール47は、既述の第2のガイドレール52と同様に構成され、第1のガイドレール54が蓋体反転機構4を臨む位置にあるときには、ガイドレール47と第1のガイドレール54との間を移動体71が移動するように構成されている。そして蓋体32を保持した移動体71がこのガイドレール47上を、蓋体32の受け渡し位置まで移動できるようになっている。この際、ガイドレール47は、図7に示すように、蓋体反転機構4の回転駆動部42と干渉しないように、支柱48に支持されている。図7中47Aは、移動体71の車輪75A,75Bの車輪止めである。
さらに、この基板処理装置には、例えばコンピュータからなる制御部100が設けられている。この制御部100は、プログラム、メモリ、CPUからなるデータ処理部を備えており、前記プログラムには制御部100から、エッチング処理装置3や搬送系、移動体71の移動モータ76A,76Bや昇降モータ85、回転テーブル6の駆動モータ68、蓋体反転機構4の駆動モータ43等に制御信号を送り、所定のステップを進行させることで、基板Sに対する所定の処理、例えばエッチング処理や、蓋体32の開閉動作や、蓋体32の反転動作が実施されるように命令(各ステップ)が組み込まれている。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO(光磁気ディスク)等の記憶部に格納されて制御部100にインストールされる。
また、制御部100では、作業者からの指令に基づいて、回転テーブル6を真空搬送室13の周方向に沿って移動させたり、移動体71を真空搬送室13の上方側の待機位置から蓋体32を開放しようとする処理室30の上方側に向けて移動させたり、蓋体32を保持した移動体71を蓋体反転機構4の上方側まで移動させて、当該蓋体32を蓋体反転機構4に受け渡すといった指令を移動モータ76A,76Bや、昇降モータ85に出力する。
さらに、制御部100では、回転テーブル6における駆動モータ68のエンコーダにより、各処理室30に臨む位置に第1のガイドレール54の先端側を位置させるときの夫々の停止位置を把握している。また、前記移動モータ76A,76Bのエンコーダにより、移動体71を処理室30における各々の開閉位置に停止させる停止位置や、移動体71を真空搬送室13の上方側の待機位置に停止させる停止位置については管理している。さらにまた、前記昇降モータ85のエンコーダにより、蓋体保持機構8の下降位置及び上昇位置について管理している。
このような基板処理装置1では、通常時は、図8(a)に示すように、第1のガイドレール54の先端側がロードロック室12に臨む待機位置に位置させた状態で、基板Sに対して既述のエッチング処理が行われる。この待機位置では、既述のように移動体71は第1のガイドレール54の基端側にあり、回転テーブル6の中央部近傍に位置している。なお、図8及び図9においては、4つの処理室30に30A〜30Dの符号を付してある。
そして、蓋体32や処理室30のメンテナンス時に蓋体32を開放するときには、第1のガイドレール54を前記待機位置から対象となる処理室30Aの上方側に向けて真空搬送室13の周方向に移動させ、当該処理室30Aを臨む位置にて停止させる。
次いで、移動体71を第1のガイドレール54及び第2のガイドレール52に沿って処理室30Aの上方側へ移動させ、当該処理室30Aの蓋体32を開閉する開閉位置にて停止させる(図8(b)参照)。ここで、第1のガイドレール54と第2のガイドレール52との間には、既述のように隙間が形成されているが、車輪75A,75Bを前記隙間よりも大きく形成することにより、移動体71は両レール52,54の間を移動できる。
この開閉位置では、図10(a)に示すように、移動体71における蓋体保持機構8の水平部分80aは、前記処理室30Aの被保持部5の係止部分50の下側に位置している。次いで、図10(b)に示すように、蓋体保持機構8を上昇させることにより、係止部分50を水平部分80aにて押し上げるようにして、当該処理室30Aから蓋体32を持ち上げる。
こうして、移動体71にて蓋体32を保持した状態で、移動体71を第2のガイドレール52及び第1のガイドレール54に沿って、真空搬送室13の上方側に移動させる。次いで、図9(c)に示すように、移動体71が真空搬送室13の上方側の待機位置まで移動させると、回転テーブル6を、図9(d)に示すように、第1のガイドレール54の先端が蓋体反転機構4を臨む位置まで移動させる。続いて、蓋体32を保持した移動体71を、第1のガイドレール54及びガイドレール47に沿って蓋体反転機構4の上方側に移動させ、前記受け渡し位置にて停止させる。
しかる後、図11(c)に示すように、蓋体保持機構8を下降させて蓋体32を枠体41に受け渡す。そして、蓋体保持機構8をさらに下降位置まで下降させて、蓋体保持機構8の水平部分80aを、蓋体32の被保持部5の係止部分50の下方側に位置させてから、移動体71を、蓋体32の反転動作に干渉しないように、真空搬送室13の上方側まで移動させる。一方、蓋体反転機構4では、図11(d)に示すように、枠体41により蓋体32を保持した状態で、回転駆動部42により、当該枠体41を水平軸周りに回転させ、蓋体32を反転させる。蓋体32の裏面には、ガス供給部35等が取り付けられており、蓋体32を反転させ、当該ガス供給部35を上に向けた状態でメンテナンスが行われる。
上述の実施の形態では、移動体71を処理室30の上方側に移動させ、この移動体71に設けられた蓋体保持機構8により、処理室30の蓋体32を持ち上げるように構成している。従って、処理室30の上方にスペースがあれば蓋体32を開くことができるので、蓋体着脱時に処理室30の横方向のスペースが不要となり、装置の設置スペースの大型化を抑制することができる。
また、共通の移動体71により全ての処理室30の蓋体32を着脱することができるので、処理室30毎に蓋体32の開閉機構を設ける構成に比べて、処理室30の小型化を図ることができ、装置の大型化を抑え、フットプリントの増大を抑えることができる。
さらに、移動体71は処理室30及び真空搬送室13の上方側に移動するように設けられているので、処理室30の周囲に蓋体開閉機構を設ける構成に比べて、処理室30自体の小型化を図ることができる。また、複数の処理室30に対して共通の移動体71を設ければよいことから、製造コスト的にも有利である。さらにまた、処理室30毎に蓋体32のメンテナンス領域を確保する必要がなく、複数の処理室30に対して共通のメンテナンス領域を確保すればよいので、この観点からも装置の大型化を抑えることができる。
さらにまた、移動体71を門型形状に構成する場合には、その両端が夫々レールに沿って移動する。このため、荷重が分散されるので、蓋体保持機構8により持ち上げた蓋体32を安定した状態で移動することができる。既述のように、処理室30はかなり大型であり、蓋体32も10000kg程度もの重量があることから、荷重を分散した状態で移動することは、メリットが大きい。
さらにまた、移動体71は処理室30とは別個に設けられ、第2のガイドレール52や、回転テーブル6、第1のガイドレール54等、についても処理室30や真空搬送室13の構成に合わせて後から設置することができる。従って、既存の基板処理装置に組み合わせて設けることができ、利用価値が高い。
さらにまた、この例では、第2のガイドレール52の支柱53は、処理室30と真空搬送室13との間のゲートバルブGVよりも処理室30側に設けられている。このため、当該ゲートバルブGVの側方には、障害物が存在せず、メンテナンス作業を妨げることがない。また、回転テーブル6に既述のように窓60を形成し、回転テーブル6を前記待機位置に位置させて、移動体71を窓60と干渉しない位置に移動させることにより、真空搬送室13の開口部17にアクセスできるようになっている。このため、必要な際には、基板搬送機構25を当該窓部17から取り出して、メンテナンスできるという利点がある。
さらにまた、一の処理室30について蓋体32を取り外した状態であっても、他の処理室30では基板Sの処理を続けることができ、スループットの低下を抑えることができる。さらに、蓋体32を着脱するにあたって、被保持部5の係止部分50と、蓋体保持機構8の水平部分80aとを対応させ、次いで蓋体保持機構8を昇降させているので、駆動軸が一軸で済み、装置の簡略化及び低コスト化を図ることができる。また、メンテナンス領域M側における真空搬送室13の側壁にはゲートバルブGVは設けられていないので、図示しない開閉部をメンテナンス領域M側における真空搬送室13の側壁に設け、基板搬送機構25を取り出すように構成してもよい。
この例においては、第2のガイドレール52は、支柱53により支持されるように構成したが、処理室30の容器本体31の側壁に支持部材を介して取り付けるように構成してもよい。
また、第2のガイドレール52は、例えば図12に示すように、昇降機構91により昇降自在に設けるようにしてもよい。この例では、第2のガイドレール52は支柱92を介して昇降機構91により昇降自在に構成されている。そして、昇降機構91により、第2のガイドレール52の上面がゲートバルブGVの下方側に位置する下方位置(図12(a)参照)と、第1のガイドレール54と高さ位置が揃う上方位置(図12(b)参照)と、この下方位置と上方位置の間の高さであって、第2のガイドレール52の上面が第1のガイドレール54の移動を阻害しない待機位置と、の間で昇降するようになっている。この際、第2のガイドレール52の支柱92の先端(真空搬送室13側)は、ゲートバルブGVの側方を昇降するように設けられ、これにより、第2のガイドレール52の先端(真空搬送室13側)は、支柱92に支持された状態で真空搬送室13の近傍まで伸びるように設けられる。
この例では、先ず、第2のガイドレール52を前記待機位置に位置させておく。そして、移動体71を真空搬送室13の上方側に配置した状態で、第1のガイドレール54の先端が、蓋体32を開放しようとする処理室30に臨むように、回転テーブル6を回転させる。次いで、図12(b)に示すように、第2のガイドレール52を前記待機位置から前記上方位置まで上昇させ、この後、移動体71を処理室30の上方側に移動させることにより蓋体31が開かれる。
続いて、蓋体32を保持した移動体71を真空搬送室13の上方側に移動させてから、第2のガイドレール52を前記待機位置まで下降させ、第1のガイドレール54の先端が蓋体反転機構4に臨むように、回転テーブル6を回転させる。そして、移動体71を真空搬送室13の上方側から蓋体反転機構4の上方側まで移動させて、当該蓋体反転機構4へ蓋体32を受け渡してから、移動体71を真空搬送室13の上方側へ移動させる。
このような構成では、第2のガイドレール52及び支柱53を昇降自在に設け、ゲートバルブGVのメンテナンス時は、前記下方位置に下降させるようにしているので、前記メンテナンスを行うスペースを確保しながら、前記第2のガイドレール52及び支柱53をゲートバルブGVの側方に設けることができる。このため、第2のガイドレール52の強度を確保しながら、第1のガイドレール54と第2のガイドレール52との間の隙間を小さくすることができる。これにより移動体71の車輪を小さくすることができるので、移動体71の小型化を図ることができる。
また、第1のガイドレール54を移動させるときには、この移動を阻害しないように、第2のガイドレール52を待機位置まで下降させているので、第1のガイドレール54の移動のために必要な隙間が不要となり、この点からも前記隙間を小さくすることができる。但し、第1のガイドレール54の移動のときにも、第2のガイドレール52を前記上方位置に位置させるようにしてもよいし、前記下方位置に位置させるようにしてもよい。
さらに、この例においても、移動体71により蓋体32を処理室30に対して昇降させて、当該蓋体32の開閉を行っているので、上述の実施の形態と同様に、装置の大型化を抑え、フットプリントの増大を抑制することができる。
さらにまた、上述の実施の形態と同様に、移動体71を門型形状に構成しているので、荷重を分散した状態で蓋体32を安定した状態で移動することができ、ガイドレール52,54、移動体71や回転テーブル6は、既存の基板処理装置に対して後から設置することが可能である。さらにまた、真空搬送室13の天井部に既述の開口部17を形成することができ、メンテナンスが便利になる。
続いて本発明の他の実施の形態について、図13及び図14を用いて説明する。この例における第2のガイド部材は、不使用時には回転テーブル6側に収納され、使用時には回転テーブル6側から処理室30側に伸び出すように構成されている。
例えば第2のガイド部材をなすガイドレール94は、既述の第1のガイドレール54と一体に構成されており、不使用時には、第1のガイドレール54の先端に折り畳まれるようにして真空搬送室13の天井部近傍に収まるように収納されている。そして、使用時には、第1のガイドレール54の先端から伸び出して、対応する処理室30の両側方の上方側に夫々位置し、移動体71を処理室30における前記開閉位置に案内するように構成されている。
例えば図13(b)に示すように、第1のガイドレール54と第2のガイドレール94とは、鉛直な回動軸96aを備えた蝶番機構96にて接続されている。図中97は蝶番機構96の駆動モータである。そして、不使用時には、第1のガイドレール54と第2のガイドレール94とが互いに水平方向に並び、第2のガイドレール94が第1のガイドレール54の内側に位置するように折り畳まれた状態になるように、駆動モータ97により蝶番機構96が制御される。一方、使用時には、第2のガイドレール94が収納位置から水平方向に回転するように開き、第2のガイドレール94が第1のガイドレール54の延長線上に水平に位置するように、駆動モータ97により蝶番機構96が制御される。第2のガイドレール94が折り畳み式になっていること以外については、既述の図1に示す構成と同様である。なお、第1のガイドレール54と第2のガイドレール94とを垂直な回動軸を備えた蝶番機構にて接続し、不使用時には、第1のガイドレール54の上に第2のガイドレール94を折り畳むようにして収納してもよい。
一方、処理室30及び蓋体反転機構4における第2のガイドレール94が伸び出す位置には予め支柱95が設けられており、移動体71及び蓋体32の重みに第2のガイドレール94が耐えられるようになっている。なお、この支柱95は、昇降自在に設けるようにしてもよい。また、図13では、図示の便宜上、支柱95は省略している。
この例では、先ず、図14(a)に示すように、第2のガイドレール94を収納し、移動体71が真空搬送室13の上方側にある状態で、第1のガイドレール54の先端が、蓋体32を開放しようとする処理室30に臨むように、回転テーブル6を回転させる。次いで、図14(b)に示すように、第2のガイドレール94を伸ばし、支柱95により支持させる。これにより、第2のガイドレール94が処理室30の側方の上方側まで伸びる状態になる。この後、移動体71を処理室30の上方側に移動させ、蓋体31が開かれる。
続いて、蓋体32を保持した移動体71を真空搬送室13の上方側に移動させてから、第2のガイドレール94を折り畳んで収納する。そして、収納された状態の第1のガイドレール54の先端が蓋体反転機構4に臨むように、回転テーブル6を回転させる。次いで、第2のガイドレール94を蓋体反転機構4の側方の上方側に伸ばして、支柱95により支持させる。この後、移動体71を蓋体反転機構4の上方側まで移動させて、当該蓋体反転機構4へ蓋体32を受け渡してから、移動体71を真空搬送室13の上方側へ移動させる。
このように、当該実施の形態では、第2のガイドレール94を収納自在に構成し、不使用時に相当する回転テーブル6を真空搬送室13の周方向に沿って移動させるときには、第2のガイドレール94を折り畳んで収納する。そして、使用時に相当する移動体71を処理室30や蓋体反転機構4の上方側に移動させるときには、処理室30や蓋体反転機構4の側方の上方側に第2のガイドレール94の先端を伸ばすように構成している。
このような構成では、第2のガイドレール52を固定して設ける場合のように、第2のガイドレール52との間に、第1のガイドレール54の回転用のスペースを確保する必要がない。このため、第1のガイドレール54と第2のガイドレール94との間の隙間が最小限に抑えられるので、移動体71の車輪を小さくでき、移動体71の小型化を図ることができる。また、前記隙間が小さいことから、移動体71を真空搬送室13の上方側と処理室30等の上方側との間でスムースに移動させることができる。
また、この例においても、移動体71により蓋体32を処理室30に対して昇降させて、当該蓋体32の開閉を行っているので、上述の実施の形態と同様に、装置の大型化を抑え、フットプリントの増大を抑制することができる。さらに、上述の実施の形態と同様に、移動体71を門型形状に構成しているので、荷重を分散した状態で蓋体32を安定した状態で移動することができ、ガイドレール、移動体71は、既存の基板処理装置に対して後から設置することが可能である。さらにまた、真空搬送室13の天井部に既述の窓部17を形成することができ、メンテナンスが便利になる。
また、処理室30の天井部が、真空搬送室13の天井部よりも低い場合には、初めから第1のガイドレールを伸ばした状態に構成すると共に、支柱を昇降自在に構成するようにしてもよい。この場合には、支柱を第1のガイドレールの高さ位置よりも低くした状態で、第1のガイドレールが目的とする処理室30の側方の上方側に伸びるように移動させた後、支柱を上昇させて、当該支柱により第1のガイドレールを支持することが行われる。
以上において、移動体71は門型形状に限らず、処理室30の側壁部のいずれか一方から処理室30の上方側に伸びるように構成し、処理室30が小型で軽量である場合には片側のみで支持するように構成してもよい。この場合には、ガイド部材は、処理室30の側方の一方側に設けられる。
さらに、複数の移動体71を、共通のガイド部材に沿って移動させるように設け、例えば一つの移動体71が処理室30やメンテナンス領域Mの上方側にあるときに、他の移動体71をこれらとは異なる処理室30の上方側や真空搬送室13の上方側に位置させて、複数の蓋体32の移動を行うようにしてもよい。さらにまた、真空搬送室13の平面形状は正多角形状に限らず、複数の処理室も互いに同じ形状に構成する場合に限らない。また、真空搬送室の一辺に2個の処理室が並ぶように設けられていてもよい。この場合、移動テーブルは、回転テーブルと直線移動機構とを組み合わせて構成される。さらにまた、搬送室に13に接続される処理室30の個数は、2個以上であればいくつでもよく、必ずしも蓋体32の蓋体反転機構4を設ける必要はない。さらに、蓋体反転機構4を設ける場合についても、真空搬送室13の周囲における処理室30と蓋体反転機構4の配列については適宜選択できる。
さらにまた、移動体をガイド部材に沿って移動させるための駆動部は、ガイド部材に沿ってモータにより移動するスライダであってもよい。さらに、蓋体保持機構8を昇降させる昇降機構は、鉤型部材81,81の上端に昇降軸を設けると共に、この昇降軸のネジ部に対するメスネジ部が形成されたネジ部本体を昇降軸の上方側に設け、当該ネジ部本体を回転させることにより、昇降軸を当該ネジ部本体に沿って昇降させるように構成してもよい。
さらにまた、蓋体32に設けられる被保持部5は蓋体保持機構8が昇降して被保持部5を持ち上げる構成であれば、その形状については限定されず、蓋体32の側面に設けるようにしてもよい。また、蓋体32に必ずしも被保持部5は設ける必要はなく、蓋体保持機構8の下端に磁石を設け、この磁石により蓋体を吸着保持して持ち上げるようにしてもよい。
さらにまた、第1のガイド部材を真空搬送室の上方側に設け、当該第1のガイド部材自体が回転機構により旋回するように構成してもよい。さらに、回転テーブル6は、床面から伸びる支持部材を介して真空搬送室13の上方領域に設けるようにしてもよい。さらにまた、蓋体保持機構8により蓋体32を持ち上げた状態でガス供給部35のメンテナンスを行うようにしてもよい。また、基板Sに対してエッチング処理を行っているときの蓋体保持機構8の待機位置としては、真空搬送室13の上方側には限られず、基板Sの処理や搬送に干渉しない位置であれば、メンテナンス領域Mの上方側や処理室30の上方側であってもよい。
さらに、処理室30としては、基板Sのエッチング処理に限られず、CVD(Chemical Vapor Deposition)などの成膜処理や、アッシング処理などの真空処理を行うものであってもよい。そして、基板処理装置において、処理を行う基板Sとしては、角型のガラス基板以外に半導体ウエハなどの円形基板であってもよい。
S FPD基板
13 搬送室
3 エッチング処理装置
30 処理室
31 容器本体
32 蓋体
4 蓋体反転機構
5 被保持部
50 係止部分
52 第2のガイドレール
54 第1のガイドレール
6 回転テーブル
71 移動体
8 蓋体保持機構
80 保持部
80a 水平部分

Claims (9)

  1. 予備真空室と、各々容器本体の上に蓋体を設けて構成され、基板に対して処理を行うための複数の処理室とを、内部に基板搬送機構が設けられた真空搬送室の周囲に接続した基板処理装置において、
    前記真空搬送室の上方側に、当該真空搬送室側から外側に向くように水平に伸びると共に、水平方向に移動するように設けられた第1のガイド部材と、
    この第1のガイド部材にガイドされて移動する移動体と、
    この移動体を、前記処理室の上方と前記第1のガイド部材との間で移動させるためにガイドし、前記移動テーブルが対応する位置に静止したときに前記第1のガイド部材の延長線上に水平に位置するように設けられた第2のガイド部材と、
    前記移動体に設けられ、当該移動体が第2のガイド部材上に位置しているときに前記容器本体に対して蓋体を着脱するために蓋体を保持して昇降させると共に、蓋体を保持した状態で当該移動体が第1のガイド部材に移動できるように構成された蓋体保持機構と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記真空搬送室の上方側に設けられ、水平方向に移動する移動テーブルを備え、
    前記第1のガイド部材は、この移動テーブルに設けられることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
  3. 前記移動テーブルは、真空搬送室の中心部を中心として鉛直軸の周りに回転する回転テーブルとして構成されていることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。
  4. 前記蓋体には、第2のガイド部材の伸びる方向に沿って横方向に伸び、下方に空間が形成された係止部分を含む被保持部が設けられ、前記蓋体保持機構には、進退移動しながら前記係止部分の下方側の空間に進入し、その後上昇して前記係止部分を下方側から押し上げることにより蓋体を持ち上げる保持部が設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
  5. 前記第2のガイド部材は、処理室毎に設けられていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  6. 前記第2のガイド部材は、不使用時には移動テーブル側に収納され、使用時には移動テーブル側から処理室側に伸び出すように構成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  7. 前記真空搬送室は平面形状が多角形に形成され、
    前記真空搬送室の側面のうち、その外方側にメンテナンス領域を確保するための一つの側面を除く他の側面に、夫々前記予備真空室と処理室とが接続されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  8. 前記メンテナンス領域には、前記蓋体保持機構から受け渡された蓋体を保持して反転させる蓋体反転機構が設けられていることを特徴とする請求項7記載の基板処理装置。
  9. 前記真空搬送室は六つの側面を有し、該側面に一つの前記予備真空室と四つの処理室が接続されることを特徴とする請求項7記載の基板処理装置。
JP2010144125A 2010-06-24 2010-06-24 基板処理装置 Expired - Fee Related JP5585238B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010144125A JP5585238B2 (ja) 2010-06-24 2010-06-24 基板処理装置
KR1020110058552A KR101326992B1 (ko) 2010-06-24 2011-06-16 기판 처리 장치
CN201110177543.7A CN102299046B (zh) 2010-06-24 2011-06-22 基板处理装置
TW100121991A TW201205711A (en) 2010-06-24 2011-06-23 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010144125A JP5585238B2 (ja) 2010-06-24 2010-06-24 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012009620A true JP2012009620A (ja) 2012-01-12
JP5585238B2 JP5585238B2 (ja) 2014-09-10

Family

ID=45359373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010144125A Expired - Fee Related JP5585238B2 (ja) 2010-06-24 2010-06-24 基板処理装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5585238B2 (ja)
KR (1) KR101326992B1 (ja)
CN (1) CN102299046B (ja)
TW (1) TW201205711A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012015261A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Tokyo Electron Ltd 処理装置
WO2018008113A1 (ja) * 2016-07-06 2018-01-11 富士機械製造株式会社 回路形成装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6596372B2 (ja) * 2016-03-22 2019-10-23 株式会社荏原製作所 基板ホルダ及びめっき装置
JP7090469B2 (ja) * 2018-05-15 2022-06-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0745684A (ja) * 1993-07-27 1995-02-14 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の処理室
JPH10326844A (ja) * 1997-05-26 1998-12-08 Kokusai Electric Co Ltd 密閉チャンバの蓋構造
JPH1140643A (ja) * 1997-07-22 1999-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2000021946A (ja) * 1998-06-29 2000-01-21 C Bui Res:Kk 半導体製造装置
JP2001185534A (ja) * 1999-12-22 2001-07-06 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
JP2005064213A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Tokyo Electron Ltd 真空容器
JP2007067218A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理システム
JP2007165659A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、及び該装置の蓋釣支装置
JP2011233788A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理システム
JP2012018940A (ja) * 2010-06-07 2012-01-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7211461B2 (en) * 2003-02-14 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP4302575B2 (ja) * 2003-05-30 2009-07-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置および真空処理装置
KR20050086265A (ko) * 2004-02-25 2005-08-30 주식회사 에이디피엔지니어링 분리형 진공챔버
KR100661752B1 (ko) * 2005-02-04 2006-12-27 주식회사 에이디피엔지니어링 운반용 호이스트 지그
US8758514B2 (en) * 2007-03-02 2014-06-24 Asm Japan K.K. Cluster type semiconductor processing apparatus
KR101036186B1 (ko) * 2008-04-22 2011-05-23 엘아이지에이디피 주식회사 기판처리장치
KR101446225B1 (ko) * 2008-07-11 2014-10-01 주식회사 원익아이피에스 진공처리시스템의 반송챔버

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0745684A (ja) * 1993-07-27 1995-02-14 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の処理室
JPH10326844A (ja) * 1997-05-26 1998-12-08 Kokusai Electric Co Ltd 密閉チャンバの蓋構造
JPH1140643A (ja) * 1997-07-22 1999-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2000021946A (ja) * 1998-06-29 2000-01-21 C Bui Res:Kk 半導体製造装置
JP2001185534A (ja) * 1999-12-22 2001-07-06 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
JP2005064213A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Tokyo Electron Ltd 真空容器
JP2007067218A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理システム
JP2007165659A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、及び該装置の蓋釣支装置
JP2011233788A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理システム
JP2012018940A (ja) * 2010-06-07 2012-01-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012015261A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Tokyo Electron Ltd 処理装置
WO2018008113A1 (ja) * 2016-07-06 2018-01-11 富士機械製造株式会社 回路形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102299046A (zh) 2011-12-28
KR101326992B1 (ko) 2013-11-13
KR20110140084A (ko) 2011-12-30
TW201205711A (en) 2012-02-01
CN102299046B (zh) 2014-07-30
JP5585238B2 (ja) 2014-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101241644B1 (ko) 기판 처리 장치
JP3527450B2 (ja) 処理装置
JP4912253B2 (ja) 基板搬送装置、基板処理装置及び基板搬送方法
JP4754304B2 (ja) 基板処理装置、ロードロック室ユニット、および搬送装置の搬出方法
JP4642608B2 (ja) 基板処理装置および基板処理システム
JP5585238B2 (ja) 基板処理装置
JP2013157561A (ja) 搬送ロボット
KR101299843B1 (ko) 처리 장치 및 그 메인테넌스 방법
JP2008246644A (ja) 搬送装置
US8814489B2 (en) Substrate processing system and substrate processing method
KR101581993B1 (ko) 덮개 유지 지그
JP5526988B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理システム
JP5488227B2 (ja) 基板処理装置
JP2010076073A (ja) 回転駆動装置
KR101258350B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2000323554A (ja) 処理装置
JP2582578Y2 (ja) 多室式半導体処理装置
JP2010153687A (ja) 基板搬送ロボットおよび基板搬送装置
JP2005039285A (ja) 真空処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130426

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140121

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140319

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140624

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140707

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5585238

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees