CN102299046A - 基板处理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基板处理装置。在真空输送室连接用于处理基板的多个处理室的基板处理装置中,抑制装置的大型化、抑制占地面积的增大。在真空输送室(13)的周围设置有对基板进行处理的多个处理室(30)。在所述真空输送室(13)的上方侧经由旋转台(6)设置第1导轨(54),并且在所述旋转台(6)静止于对应的位置时,以位于所述导轨(54)的延长线上的方式设置第2导轨(52)。使移动体(71)沿着第1以及第2导轨(52)、(54),移动到处理室(30)的上方侧,通过使设置于移动体(71)的盖体保持机构(8)上升来举起设置于盖体(32)的被保持部(5),从处理室(30)打开盖体(32)。
Description
技术领域
本发明涉及一种在真空输送室连接用于处理基板的多个处理室的基板处理装置。
背景技术
公知有例如,在FPD(Flat Panel Display)的制造工序中,在真空输送室的周围设置对玻璃基板等基板进行处理的多个处理室,通过设置于输送室内的输送臂,在真空输送室与处理室之间进行基板的交接的基板处理装置。作为利用所述处理室进行的处理,举例有蚀刻、灰化(ashing)、成膜等处理。
例如,所述处理室由载置基板并且上部开口的容器主体和可开闭该容器主体的开口部的盖体构成,其在进行处理室内的维护、盖体的维护之时,能够将盖体从容器主体取出。在盖体上设置供给处理气体的气体喷头,作为盖体的维护作业之一,有气体喷头的部件的交换等。
在专利文献1中关于该盖体的开闭动作提出了一种方案。在该结构中,在利用设置于每个处理室的盖体的开闭机构使盖体从容器主体上升后,使盖体从容器主体滑动到偏离位置。接着,在使盖体下降之后使盖体反转。在该手法中,通过将盖体沿着与朝向处理室的基板的输送方向正交的方向滑动,能够减小盖体的开闭动作需要的面积。
然而,由于FPD基板为大型基板,故处理室也形成为俯视形状的一边的尺寸例如分别为3.0m、3.5m的大型的方筒型容器。因此,在针对每个处理室均需要使盖体反转的空间的结构中,如果增加处理室,则难以确保反转盖体的空间,如果意欲确保空间,则会担心装置进一步大型化。另外,由于针对每个处理室都设置有盖体的开闭机构,故如果处理室增加,则会引起装置的制造成本的上涨。
专利文献1:日本特开2007-67218号公报(参照图1、图19)
发明内容
本发明是基于上述的事情而形成的,其目的在于提供一种在真空输送室连接用于处理基板的多个处理室的基板处理装置中,抑制装置的大型化、抑制占地面积的增大的技术。
本发明的基板处理装置,在内部设置有基板输送机构的真空输送室的周围,连接有预备真空室以及用于对基板进行处理的多个处理室,该多个处理室构成为在各个容器主体之上设置盖体,
该基板处理装置的特征在于具备:
第1引导部件,其被设置为在所述真空输送室的上方侧以从该真空输送室侧朝向外侧的方式水平地延伸且沿水平方向移动;
移动体,其被该第1引导部件引导而移动;
第2引导部件,其为了使该移动体在所述处理室的上方与所述第1引导部件之间移动而引导该移动体,且该第2引导部件被设置为在所述移动台静止于对应的位置时水平地位于所述第1引导部件的延长线上;以及
盖体保持机构,其设置于所述移动体,且在该移动体位于第2引导部件上时为了相对于所述容器主体装卸盖体而保持盖体并使盖体升降,并且能够在保持盖体的状态下使该移动体向第1引导部件移动。
此时,也可以构成为,具备设置于所述真空输送室的上方侧且沿水平方向移动的移动台,所述第1引导部件设置于该移动台。另外,该移动台构成为以真空输送室的中心部为中心绕铅直轴旋转的旋转台。
另外,也可以构成为,在所述盖体设置有沿第2引导部件延伸的方向在横向上延伸的被保持部,所述被保持部包含在下方形成有空间的卡止部分,在所述盖体保持机构设置有保持部,所述保持部在进退移动的同时进入到所述卡止部分的下方侧的空间,之后上升而从下方侧推举所述卡止部分,由此举起盖体。
进一步,所述第2引导部件可以针对每个处理室设置,也可以构成为,在不使用时被收纳于移动台侧,在使用时从移动台侧向处理室侧伸出。
更进一步,也可以构成为:所述真空输送室的俯视形状形成为多边形,在所述真空输送室的侧面中的除在所述真空输送室的外方侧用于确保维护区域的一个侧面之外的其他侧面上,分别连接所述预备真空室与处理室。此时,在所述维护区域,也可以设置有保持从所述盖体保持机构交接的盖体并使该盖体反转的盖体反转机构。更进一步,也可以构成为:所述真空输送室具有六个侧面,在所述侧面连接一个所述预备真空室与四个处理室。
根据本发明,构成为:将移动体沿着从真空输送室延伸的第1引导部件以及第2引导部件,向各处理室的上方侧移动,通过设置于该移动体的盖体保持机构来举起各处理室的盖体。因此,由于如果在处理室的上方有空间,则能够打开盖体,故在盖体装卸时不需要处理室的横向的空间,能够抑制装置的设置空间的大型化。另外,由于能够利用共同的盖体保持机构进行多个处理室的盖体的装卸,故能够抑制装置的大型化,抑制占地面积(设置面积)的增大。
附图说明
图1是表示本发明所涉及的基板处理装置的实施方式的立体图。
图2是表示所述基板处理装置的内部的横断俯视图。
图3是表示设置于所述基板处理装置的处理室的一例的剖视图。
图4是表示设置于所述基板处理装置的移动体及处理室的主视图。
图5是表示所述基板处理装置的一部分的侧视图。
图6是表示所述基板处理装置的一部分的剖视图。
图7是表示设置于所述基板处理装置的盖体反转机构的立体图。
图8是用于说明所述基板处理装置的作用的俯视图。
图9是用于说明所述基板处理装置的作用的俯视图。
图10是用于说明所述基板处理装置的作用的侧视图。
图11是表示所述基板处理装置的其他的实施方式的侧视图。
图12是表示所述基板处理装置的其他的实施方式的侧视图。
图13是表示所述基板处理装置的进一步的其他的实施方式的俯视图。
图14是表示所述基板处理装置的进一步的其他的实施方式的侧视图。
附图标记说明:
S:FPD基板;13:输送室;3:蚀刻处理装置;30:处理室;31:容器主体;32:盖体;4:盖体反转机构;5:被保持部;50:卡止部分;52:第2导轨;54:第1导轨;6:旋转台;71:移动体;8:盖体保持机构;80:保持部;80a:水平部分
具体实施方式
以下,针对本发明的基板处理装置的一个实施方式中,说明对FPD基板进行处理(例如,蚀刻处理)的情况。图1是表示该基板处理装置1的概观的立体图,图2是表示该基板处理装置1的内部的横剖俯视图。图中1A、1B是用于载置从外部收纳多个FPD基板(以下称为“基板”)S的运载器C1、C2的运载器载置部。例如,这些运载器载置部1A、1B构成为通过升降机构11升降运载器C1、C2,在一方的运载器C1收纳未处理基板S1,在另一方的运载器C2收纳已处理的基板S2。
另外,在运载器载置部1A、1B的里侧,设置有形成预备真空室的加载互锁真空室(load lock chamber)12与真空输送室13。另外,在运载器载置部1A、1B之间,用于在所述2个运载器C1、C2与加载互锁真空室12之间进行基板S的交接的基板输送单元21被设置于支承台14上。例如,该基板输送单元21具备:上下设置的2个臂22、以及进退自由及旋转自由地支承这些臂22的基台23。所述加载互锁真空室12构成为其环境可以在真空环境与常压环境之间切换,如图2所示,在加载互锁真空室12的内部配设有用于支承基板S的缓冲器架15。图中16为定位器。
所述真空输送室13的俯视形状构成为多边形状(例如,正六边形状),在真空输送室13的侧面配设有多个处理室30,上述多个处理室30与所述加载互锁真空室12在周向上分离地连接,且相互沿周向配置。在该例中,在与真空输送室13内的4个边对应的侧面分别气密地连接处理室30。
另外,在与真空输送室13的其余2边的一方对应的侧面,气密地连接有所述加载互锁真空室12,在与另一方对应的侧面的外方侧确保有维护区域M,在该维护区域M设置有盖体反转机构4。在该例中,加载互锁真空室12与盖体反转机构4以相互对置的方式被配设。
所述真空输送室13构成为维持为真空环境,如图2中点划线所示,在真空输送室13的内部配设有基板输送机构25。并且,利用该基板输送机构25,可以在所述加载互锁真空室12以及4个处理室30之间输送基板S。另外,在真空输送室13的顶板部,设置有维护用的开口部17(参照图6)、以及气密地堵住该开口部17的装卸自由的盖。该开口部17构成为能够取出真空输送室13内的基板输送机构25。
另外,在所述加载互锁真空室12与真空输送室13之间、在真空输送室13与处理室30之间、以及连通加载互锁真空室12与外侧的大气环境的开口部,分别介入插装有气密地将上述结构之间密封且构成为可开闭的闸阀GV。
接着,参照图3,对所述处理室30进行简单的说明。例如,该处理室30具备:俯视形状构成为四边形状,并且顶板部开口的容器主体31;以及为开闭该容器主体31的顶板开口部而设置的盖体32。所述盖体32构成为利用后述的盖体保持机构8相对于容器主体31装卸自由。例如,所述基板S是一边为2.2m、另一边为2.5m左右的大小的方形基板,所述处理室30被设定为水平剖面的一边为3.0m、另一边为3.5m左右的大小。
在所述容器主体31的内部,在容器主体31的底面之上经由绝缘部件33a,配置有用于载置基板S的载置台33。并且,容器主体31经由排气路34a,连接有例如由真空泵34形成的真空排气单元。另外,在处理室30内的上方,以与载置台33对置的方式,作为形成上部电极的喷头的气体供给部35以通过向盖体32的内部突出的支承部36a而被支承的方式被设置。图中36b为绝缘部件,35a为气体喷出孔,37a为气体供给管,37为气体供给系统,38a为供电棒,38b为匹配器,38为高频电源。
在这样的处理室30中,通过从高频电源38向气体供给部35施加高频电力,在基板S的上方侧的空间形成有处理气体的等离子体,由此进行对基板S的蚀刻处理。此外,在图3以外的图中,为了便于图示对匹配器38b、高频电源38、以及气体供给系统37等进行省略。另外,如图5所示,所述处理室30以及真空输送室13,分别利用支柱30a、13a被支承。
此处,对基板S的处理动作进行简单的说明。首先,利用基板输送单元21,将基板S1从收纳未处理基板S1的一方的运载器C1搬入加载互锁真空室12。在加载互锁真空室12内,利用缓冲器架15保持基板S1,在基板输送单元21的臂22退避之后,对加载互锁真空室12内进行排气,将内部减压至规定的真空度为止。在真空吸引结束后,通过定位器16进行基板S1的对位。
之后,打开加载互锁真空室12与真空输送室13之间的闸阀GV,利用基板输送机构25接受基板S1后,关闭所述闸阀GV。接着,打开真空输送室13与规定的处理室30之间的闸阀GV,利用基板输送机构25将所述基板S1搬入该处理室30后,关闭所述闸阀GV。
并且,在处理室30中,如上所述,通过在基板S1之上的空间形成等离子体,进行对该基板S1的蚀刻处理。在该蚀刻处理结束后,利用基板输送机构25接受已处理的基板S2,输送到加载互锁真空室12,接着,所述基板S2通过输送单元21,被输送到已处理基板用的运载器C2。由此,一枚基板的处理结束了,对搭载于未处理基板用的运载器C1的所有基板S1进行该处理。
接着,对处理室30进行进一步的说明。如图1~图5所示,在所述盖体32的上表面设置有被保持部5。图4是从真空输送室13侧观察所见的处理室30的侧视图,图5是从图2的A-A线侧观察所见的基板处理装置的侧视图。所述被保持部5由相互背对地配置的一对钩型部件51、51构成。这些钩型部件51、51的各垂直部分与该处理室30所连接的真空输送室13的侧面正交,相对于与所述侧面正交的方向的盖体32的中央部相互对称,且相互与靠近处理室30的侧方的一侧分离的方式被配置。此处,处理室30的侧方是指从真空输送室13侧观察处理室30时的该处理室30的侧方。
所述钩型部件51、51的各水平部分相互相反地伸出,形成由后述盖体保持机构8保持的卡止部分50。在该例中,4个处理室30相互构成为相同的形状,在各处理室30的盖体32的上表面,相互在相同的位置分别形成有相同形状的被保持部5。
另外,在所述处理室30的各个侧方的上方侧,设置有形成引导部件的导轨52。该导轨52设置成朝与连接各个处理室30的真空输送室13的侧面正交的方向延伸。在该例中,处理室30侧的导轨52,以在所述处理室30的两侧面的上方侧附近相互平行地延伸的方式,在分别被支承于支柱53的状态下被设置。
另外,在真空输送室13的顶板部,设置有形成一对的引导部件的导轨54,该一对引导部件设置成与所述导轨52相同的宽度且相互平行地延伸。该真空输送室13侧的导轨54,设置成在真空输送室13的顶板部,在旋转台6上经由支承架55,从真空输送室13侧朝向外侧。所述旋转台6形成沿水平方向移动的移动台。
此处,由于真空输送室13侧的导轨54与权利要求书中的第1引导部件相当,故以下称为“第1导轨54”。另外,由于处理室30侧的导轨52与权利要求书中的第2引导部件相当,故以下称为“第2导轨52”。
在该例中,所述旋转台6设置成其旋转中心与真空输送室13的中心部一致,绕铅直轴旋转自由。该旋转台6的俯视形状形成为圆形。另外,旋转台6设置成侧壁部61的下表面经由轴承62与设置于真空输送室13的顶板部的板状体63连接。此外,旋转台6也可以直接设置于构成真空输送室13的顶板部的顶板。
在所述板状体63的上表面,设置有沿着以真空输送室13的中心部为中心的圆形成为环状的移动路部件64。另外,在旋转台6的下表面,设置有被移动路部件64引导的被引导部件65。另外,在板状体63的旋转台6的外周侧,设置有与所述圆为同心圆状、且遍及整周在外侧面形成有齿轮部66a的环状的齿条部66。另外,在旋转台6的齿条部66的外方侧部位,与该齿条部66啮合的小齿轮部(行星齿轮)67设置成朝旋转台6的下方侧突出,并且绕铅直轴旋转自由。该小齿轮部67的旋转轴67a构成为,利用设置于旋转台6侧的驱动马达68经由减速机69来旋转。这样一来,旋转台6构成为,通过小齿轮部67利用驱动马达68而旋转,旋转被传递,被引导部65沿着移动路部件64移动。此外,在图6以外,简化旋转台6的旋转机构进行描述。
此处,旋转台6在该旋转台6处于待机位置时,以与形成于真空输送室13的顶板部的开口部17对应的方式,形成有比开口部17大的窗60。该待机位置是指第1导轨54的前端(真空输送室13的外周侧)面对加载互锁真空室12的位置。另外,如图5以及图6所示,所述支承架55以及第1导轨54,在板状体63上的与所述开口部17对应的位置形成有不与该窗60干涉的比开口部17大的窗63a。因此,在旋转台6处于所述待机位置时,所述窗60与开口部17相互对应,经由所述开口部17进行基板输送机构25的维护。
此处,在该例中,真空输送室13的俯视形状构成为正六角形状,旋转台6构成为以真空输送室13的中心部为旋转中心旋转自由。因此,第1导轨54构成为,利用旋转台6的旋转,以其前端经过面对各处理室30的位置的方式,沿着真空输送室13的周向移动。面对该处理室30的位置是指从真空输送室13侧观察、从正面方向看到处理室30的位置。并且,第1导轨54的前端处于面对所述处理室30的对应位置时,对应的第2导轨52形成为,以水平地位于第1导轨54的延长线上的方式,在相互高度位置一致的状态下被设置。此外,此处所谓的水平也包括稍微倾斜的状态。
此时,如上述那样,第1导轨54由于沿着真空输送室13的周向移动,故以在该移动时第1导轨54的前端、与第2导轨52的前端(真空输送室13侧)不干涉的方式,决定相互的长度、设置位置。在该例中,第2导轨52的支柱53,考虑闸阀GV的维护,如图5所示,设置于比闸阀GV靠处理室30侧。
另外,为了保持第2导轨52的强度,不优选将第2导轨52设置成从支柱53在真空输送室13侧较长地伸出。因此,为了减小第1导轨54与第2导轨侧52之间的缝隙,设置成在被支承于支承架55的状态下延伸至比真空输送室13靠少许外方。由于该第1导轨54的前端以如图2中表示的点划线描述的那样的轨迹移动,故不妨碍该第1导轨54的移动,并且以减小与第1导轨54之间的缝隙的方式,设定第2导轨52的前端侧的位置。
并且,在基板处理装置1设置有门型形状的移动体71,该移动体71一边沿着这些第2导轨52以及第1导轨54被引导,一边在真空输送室13的上方与处理室30的上方之间移动。该移动体71构成为,其一端侧沿着一对的导轨52,54的一方被引导,其另一端侧沿着所述导轨52,54的另一方被引导。在该例中,如图1及图4所示,移动体71具备:沿水平延伸的水平部件72、从该水平部件72朝向一方的导轨52a、54a朝下方侧延伸的垂直部件73、以及从水平部件72朝向另一方的导轨52b、54b朝下方侧延伸的垂直部件74。
所述垂直部件73的下端侧构成为,多个(在该例中为2个)车轮75A沿着移动体71的移动方向被设置,这些车轮75A利用移动马达76A而被驱动。另外,如图4所示,所述垂直部件74的下端侧构成为,多个(在该例中为2个)的车轮75B沿着所述移动方向被设置,这些车轮75B利用移动马达76B而被驱动。这些移动马达76A、76B,以移动体71的水平部件72在与设置有该处理室30的真空输送室13的侧面平行的状态下,在导轨52、54上移动的方式控制驱动。在该例中,由车轮75A、75B与移动马达76A、76B构成有用于使所述移动体71沿着所述引导部件移动的驱动部。
另外,在该移动体71设置有盖体保持机构8,该盖体保持机构8构成为,在该移动体71位于第2导轨52上时,为了在所述容器主体31装卸盖体32,保持盖体32并使盖体32升降,并且能够在保持盖体32的状态下使该移动体71向第1导轨54移动。该盖体保持机构8具备保持部80,该保持部80一边沿着所述第2导轨52移动,一边进入到所述卡止部分50的下方侧的空间,其后上升从而利用将所述卡止部分50从下方侧往上推来举起盖体32。该保持部80由相互相对配置的一对钩型部件81、81形成。这些钩型部件81、81的各垂直部分配置为,在于保持部80进入到卡止部分50的下方侧的空间的开闭位置,与被保持部5的钩型部件51、51平行、且位于该钩型部件51、51的外侧。并且,钩型部件81、81的各水平部分80a以相互朝内侧伸出的方式构成。
这些钩型部件81、81设置为,在移动体71的各个垂直部件73、74,利用形成升降机构的千斤顶机构82、82升降自由。该千斤顶机构82具备:刻设有螺纹牙的升降轴83;以及在内面形成有与该升降轴83螺合的螺纹牙的可动体84,在可动体84的下端分别连接钩型部件81、81的上端。图中85为升降马达,86为引导机构,87为覆盖升降轴83的周围的罩部件。在这样的千斤顶机构82中,构成为如果利用升降马达85使升降轴83旋转,可动体84根据旋转方向相对于升降轴83沿着引导机构86升降。此外,2个升降马达85构成为,根据后述的控制部100的指令进行驱动,以使各个升降轴83在相互同步的状态下旋转的方式进行控制。
这样一来,盖体保持机构8构成为,在移动体71处于开闭处理室30的盖体32的开闭位置时,保持部80的水平部分80a在位于被保持部5的卡止部分50的下方侧的下降位置、与通过将所述卡止部分50从下方侧往上推来举起盖体32的上升位置之间升降自由。此处,如后述那样,移动体71在将盖体32保持于上升位置的状态下朝真空输送室13侧移动。因此,所述上升位置被设定为,利用盖体保持机构8而被举起的盖体32的下表面,不与真空输送室13的顶板部等碰撞而能够在真空输送室13的上方侧移动的高度位置。
另外,在相对于各处理室30使盖体保持机构8处于下降位置的状态下,如果移动体71使盖体保持机构8从真空输送室13的上方侧朝处理室30的上方侧移动,移动体71不与各个处理室30的被保持部5干涉地移动。并且,相对于各处理室30的开闭位置,盖体保持机构8的水平部分80a形成为位于被保持部5的卡止部分50的下方侧。
由此,在各处理室30的盖体32的开闭位置中,如果使盖体保持机构8上升,则卡止部分50由盖体保持机构8被举起从而盖体32打开。利用盖体保持机构8被保持的盖体32,通过在所述开闭位置使盖体保持机构8下降,以堵住容器主体31的开口部的方式交接于容器主体31。并且,移动体71使盖体保持机构8从该交接位置进一步地下降到所述下降位置之后,重新开始朝真空输送室13侧的移动。
在该例中,如图5所示,在第2导轨52的基端侧(真空输送室13的反端侧)设置移动体71的车轮75A,75B的车轮止挡56,通过在该位置停止,移动体71形成为在各处理室30的盖体32的开闭位置停止。另外,在第1导轨54的基端侧(处理室30与相反的一侧),设置车轮止挡57,该位置成为真空输送室13的上方侧的移动体71的待机位置。图8(a)是表示移动体71位于该待机位置的状态,相对于这样的待机位置,移动体71形成为位于旋转台6的中央部附近。
此外,当处理室30为位于一对的轨道52a、52b、54a、54b之间的结构时,处理室30的大小也可以构成为相互不同。在该情况下,各处理室30的被保持部5以及移动体71构成为,在将移动体71朝真空输送室13的上方侧移动时,当盖体保持机构8处于所述下降位置时,该盖体保持机构8不与各处理室30的被保持部5干涉,使移动体71位于各处理室30的上述开闭位置,以使得盖体保持机构8上升时被保持部5被举起。如果是这样的结构,则能够利用移动体71进行所有的处理室30的盖体32的开闭。
所述盖体反转机构4构成为,保持从所述盖体保持机构8交接的盖体32并使之反转,例如,如图7所示,具备保持盖体32的框体41、以及沿着水平的旋转轴使该框体41旋转的旋转驱动部42。该旋转驱动部42具备驱动马达43、减速机44、以及轴承45,这些通过支承台46被支承。所述框体41构成为,保持盖体32的移动体71移动到盖体32的交接位置,在从该位置使盖体32下降时,保持该盖体32的周围。
在该盖体反转机构4的侧方,也以与设置有该盖体反转机构4的真空输送室13的侧面正交的方式,设置有导轨47。该导轨47构成为与所述的第2导轨52相同地,在第1导轨54处于面对盖体反转机构4的位置时,移动体71构成为在导轨47与第1导轨54之间移动。并且,保持盖体32的移动体71形成为在该导轨47上移动到盖体32的交接位置为止。此时,如图7所示,导轨47以不与盖体反转机构4的旋转驱动部42干涉的方式,被支承于支柱48。图7中47A为移动体71的车轮75A、75B的车轮止挡。
另外,在该基板处理装置,例如,设置有由电子计算机构成的控制部100。该控制部100具备由程序、存储器、CPU构成的数据处理部,向所述程序编入命令(各步骤),利用该编入命令从控制部100向蚀刻处理装置3、输送系统、移动体71的移动马达76A、76B、升降马达85、旋转台6的驱动马达68、盖体反转机构4的驱动马达43等输送控制信号,执行预定的步骤,由此,实施对基板S的处理例如蚀刻处理、盖体32的开闭动作、盖体32的反转动作。该程序被收纳于电子计算机存储介质例如软盘、光盘、硬盘、MO(光磁盘)等存储部,被安装于控制部100。
另外,在控制部100中,基于来自操作者的指令,使旋转台6沿着真空输送室13的周向移动,将移动体71从真空输送室13的上方侧的待机位置朝向意欲开放盖体32的处理室30的上方侧移动,使保持盖体32的移动体71移动到盖体反转机构4的上方侧,将把该盖体32交接到盖体反转机构4之类的指令向移动马达76A、76B、升降马达85输出。
另外,在控制部100中,利用旋转台6的驱动马达68的编码器,能够对使第1导轨54的前端侧位于面对各处理室30的位置时各自的停止位置有所把握。另外,利用所述移动马达76A,76B的编码器,能够对使移动体71停止在处理室30的各自的开闭位置的停止位置、使移动体71停止在真空输送室13的上方侧的待机位置的停止位置进行管理。另外,利用所述升降马达85的编码器,对盖体保持机构8的下降位置以及上升位置进行管理。
在这样的基板处理装置1中,在通常情况下,如图8(a)所示,在第1导轨54的前端侧位于面对加载互锁真空室12的待机位置的状态下,对基板S进行上述的蚀刻处理。相对于该待机位置,如上述那样,移动体71处于第1导轨54的基端侧,位于旋转台6的中央部附近。此外,在图8以及图9中,给4个处理室30标注30A~30D的附图标记。
并且,在进行盖体32、处理室30的维护时开放盖体32时,将第1导轨54从所述待机位置朝向成为对象的处理室30A的上方侧,在真空输送室13的周向移动,在面对该处理室30A的位置停止。
接着,使移动体71沿着第1导轨54以及第2导轨52朝处理室30A的上方侧移动,并停止在开闭该处理室30A的盖体32的开闭位置(参照图8(b))。此处,在第1导轨54与第2导轨52之间,虽形成有上述那样的缝隙,但通过将车轮75A,75B形成为比所述缝隙大,移动体71能够在两轨道52,54之间移动。
在该开闭位置中,如图10(a)所示,移动体71的盖体保持机构8的水平部分80a位于所述处理室30A的被保持部5的卡止部分50的下侧。接着,如图10(b)所示,通过使盖体保持机构8上升,以利用水平部分80a将卡止部分50往上推的方式从该处理室30A举起盖体32。
这样一来,在利用移动体71保持盖体32的状态下,使移动体71沿着第2导轨52以及第1导轨54,朝真空输送室13的上方侧移动。接着,如图9(c)所示,如果使移动体71移动到真空输送室13的上方侧的待机位置,如图9(d)所示,则使旋转台6移动到第1导轨54的前端面对盖体反转机构4的位置。接着,将保持盖体32的移动体71沿着第1导轨54以及导轨47,朝盖体反转机构4的上方侧移动,在所述交接位置停止。
之后,如图11(c)所示,使盖体保持机构8下降从而将盖体32交接于框体41。并且,将盖体保持机构8进一步下降到下降位置,使盖体保持机构8的水平部分80a位于盖体32的被保持部5的卡止部分50的下方侧,之后使移动体71以不与盖体32的反转动作干涉的方式移动到真空输送室13的上方侧。另外,如图11(d)所示,在盖体反转机构4中,在利用框体41保持盖体32的状态下,利用旋转驱动部42,使该框体41绕水平轴旋转,从而使盖体32反转。在盖体32的背面安装气体提供部35等,使盖体32反转,将该气体提供部35以朝上的状态进行维护。
在上述的实施方式中构成为,使移动体71朝处理室30的上方侧移动,利用设置于该移动体71的盖体保持机构8,举起处理室30的盖体32。因此,由于如果在处理室30的上方存在空间就能够打开盖体32,故不需要盖体装卸时处理室30的横方向的空间,能够抑制装置的设置空间的大型化。
另外,由于能够通过共同的移动体71装卸所有的处理室30的盖体32,故与在每个处理室30设置盖体32的开闭机构的结构相比,能够实现处理室30的小型化,能够抑制装置的大型化,抑制占地面积的增大。
另外,由于移动体71以朝处理室30以及真空输送室13的上方侧移动的方式被设置,故与在处理室30的周围设置盖体开闭机构的结构相比,能够实现处理室30本身的小型化。另外,由于对多个处理室30设置共同的移动体71即可,故对制造成本也有利。另外,由于不需要针对每个处理室30确保盖体32的维护区域,而对多个处理室30确保共同的维护区域即可,故从该观点来看能够抑制装置的大型化。
另外,在将移动体71构成为门型形状的情况下,移动体71的两端分别沿着轨道移动。因此,由于负荷被分散,故能够使通过盖体保持机构8举起的盖体32以稳定的状态移动。如上所述,由于处理室30相当大,盖体32也为10000kg左右的重量,故以分散负荷的状态移动,益处很大。
另外,移动体71与处理室30分开单独地设置,针对第2导轨52、旋转台6,第1导轨54等,能够与处理室30、真空输送室13的结构配合地后设置。因此,能够与现有的基板处理装置配合设置,利用价值高。
另外,在该例中,第2导轨52的支柱53,设置于比处理室30与真空输送室13之间的闸阀GV靠处理室30侧。因此,在该闸阀GV的侧方不存在障碍物,不妨碍维护作业。另外,在旋转台6如上述那样形成窗60,使旋转台6位于所述待机位置,通过将移动体71移动到不与窗60干涉的位置,能够进出真空输送室13的开口部17。因此,具有能够在必要时将基板输送机构25从该窗部17取出来进行维护的优点。
另外,即便是在一个处理室30取下了盖体32的状态下,也能够在其他的处理室30中继续基板S的处理,能够抑制生产率的降低。另外,每当装卸盖体32时,由于使被保持部5的卡止部分50与盖体保持机构8的水平部分80a对应,接着使盖体保持机构8升降,故驱动轴为一轴即可,能够实现装置的简化以及低成本化。另外,也可以构成为,由于在维护区域M侧的真空输送室13的侧壁不设置闸阀GV,故将未图示的开闭部设置于维护区域M侧的真空输送室13的侧壁,以取出基板输送机构25。
在该例中,第2导轨52构成为,利用支柱53支承,也可以构成为,经由支承部件安装于处理室30的容器主体31的侧壁。
另外,例如,如图12所示,第2导轨52也可以设置为利用升降机构91升降自由。在该例中,第2导轨52构成为,经由支柱92利用升降机构91升降自由。并且,利用升降机构91,在第2导轨52的上表面位于闸阀GV的下方侧的下方位置(参照图12(a))、与跟第1导轨54的高度位置一致的上方位置(参照图12(b))、以及在具有该下方位置与上方位置之间的高度且第2导轨52的上表面不阻碍第1导轨54的移动的待机位置之间进行升降。此时,第2导轨52的支柱92的前端(真空输送室13侧)设置为在闸阀GV的侧方进行升降,由此,第2导轨52的前端(真空输送室13侧)设置为,在被支承于支柱92的状态下延伸到真空输送室13的附近。
在该例中,首先,使第2导轨52位于所述待机位置。并且,在将移动体71配置于真空输送室13的上方侧的状态下,第1导轨54的前端以面对意欲开放盖体32的处理室30的方式使旋转台6旋转。接着,如图12(b)所示,使第2导轨52从所述待机位置上升到所述上方位置,之后,通过使移动体71朝处理室30的上方侧移动来打开盖体31。
接着,使保持盖体32的移动体71朝真空输送室13的上方侧移动,之后使第2导轨52下降到所述待机位置,第1导轨54的前端以面对盖体反转机构4的方式使旋转台6旋转。并且,将移动体71从真空输送室13的上方侧移动到盖体反转机构4的上方侧,朝向该盖体反转机构4交接盖体32,之后使移动体71朝真空输送室13的上方侧移动。
在这样的结构中,升降自由地设置第2导轨52以及支柱53,在闸阀GV的维护时,由于下降到所述下方位置,故能够在确保进行所述维护的空间的同时将所述第2导轨52以及支柱53设置于闸阀GV的侧方。因此,能够在确保第2导轨52的强度的同时减小第1导轨54与第2导轨52之间的缝隙。由此,由于能够使移动体71的车轮减小,故能够实现移动体71的小型化。
另外,由于在移动第1导轨54时,以不阻碍该移动的方式使第2导轨52下降到待机位置,故为了移动第1导轨54所必须的缝隙变得不再需要,从该点来看也能够使所述缝隙减小。然而,在第1导轨54移动时,也可以使第2导轨52位于所述上方位置,也可以位于所述下方位置。
另外,在该例中,由于通过移动体71使盖体32相对于处理室30进行升降,来进行该盖体32的开闭,故与上述的实施方式相同地,能够抑制装置的大型化,抑制占地面积的增大。
另外,与上述的实施方式相同地,由于将移动体71构成为门型形状,故能够在分散负荷的状态下以稳定的状态移动盖体32,导轨52、54、移动体71、旋转台6可针对现有的基板处理装置后设置。另外,能够在真空输送室13的顶板部形成上述的开口部17,便于维护。
接着,结合图13以及图14,对本发明的其他的实施方式进行说明。该例中的第2引导部件构成为,在不使用时收纳于旋转台6侧,在使用时从旋转台6侧朝处理室30侧伸出。
例如,形成第2引导部件的导轨94,与上述的第1导轨54一体地构成,在不使用时,折叠在第1导轨54的前端且以被收于真空输送室13的顶板部附近的方式来收纳。并且,在使用时,从第1导轨54的前端伸出,分别位于对应的处理室30的两侧方的上方侧,将移动体71引导到处理室30的所述开闭位置。
例如,如图13(b)所示,将第1导轨54与第2导轨94利用具备铅直的转动轴96a的铰链机构96连接。图中97为铰链机构96的驱动马达。并且,在不使用时,以第1导轨54与第2导轨94相互在水平方向排列、第2导轨94位于第1导轨54的内侧那样地形成为折叠的状态的方式,利用驱动马达97来控制铰链机构96。另外,在使用时,以第2导轨94从收纳位置向水平方向旋转那样地打开,第2导轨94水平地位于第1导轨54的延长线上的方式,利用驱动马达97来控制铰链机构96。除第2导轨94形成为折叠式之外,与上述的图1所示的结构相同。此外,将第1导轨54与第2导轨94利用具备垂直的转动轴的铰链机构连接,在不使用时也可以以将第2导轨94折叠于第1导轨54之上的方式收纳。
另外,在处理室30以及盖体反转机构的第2导轨94伸出的位置预先设置支柱95,以使得第2导轨94能够承受移动体71以及盖体32的重量。此外,该支柱95也可以设置为升降自由。另外,在图13中,为了便于图示,省略支柱95。
在该例中,首先,如图14(a)所示,在收纳第2导轨94,移动体71处于真空输送室13的上方侧的状态下,第1导轨54的前端以面对意欲开放盖体32的处理室30的方式使旋转台6旋转。接着,如图14(b)所示,延伸第2导轨94,利用支柱95被支承。由此,第2导轨94形成为延伸到处理室30的侧方的上方侧的状态。之后,使移动体71朝处理室30的上方侧移动,打开盖体31。
接着,使保持盖体32的移动体71朝真空输送室13的上方侧移动,之后折叠第2导轨94并收纳。并且,呈被收纳状态的第1导轨54的前端以面对盖体反转机构4的方式使旋转台6旋转。接着,使第2导轨94向盖体反转机构4的侧方的上方侧延伸,由支柱95被支承。之后,使移动体71移动到盖体反转机构4的上方侧,朝向该盖体反转机构4交接盖体32,之后使移动体71向真空输送室13的上方侧移动。
这样,在该实施方式中,构成为能够自由收纳第2导轨94,在不使用时使相当的旋转台6沿着真空输送室13的周向移动时,折叠第2导轨94并收纳。并且,在使用时使相当的移动体71移动到处理室30、盖体反转机构4的上方侧时,将第2导轨94的前端延伸到处理室30、盖体反转机构4的侧方的上方侧。
在这样的结构中,在将第2导轨52固定设置的情况下,在与第2导轨52之间,不需要确保第1导轨54的旋转用的空间。因此,由于将第1导轨54与第2导轨94之间的缝隙抑制为最小程度,故能够使移动体71的车轮减小,能够实现移动体71的小型化。另外,由于所述缝隙减小,故能够使移动体71在真空输送室13的上方侧与处理室30等的上方侧之间顺利地移动。
另外,在该例中,由于利用移动体71使盖体32相对于处理室30升降,来进行该盖体32的开闭,故与上述的实施方式相同地,能够抑制装置的大型化,抑制占地面积的增大。另外,与上述的实施方式相同地,由于移动体71构成为门型形状,故能够在分散负荷的状态下以稳定的状态移动盖体32,导轨、移动体71能够针对现有的基板处理装置后设置。另外,能够在真空输送室13的顶板部形成上述的窗部17,便于维护。
另外,在处理室30的顶板部比真空输送室13的顶板部低的情况下,构成为从最初起第1导轨就延伸了的状态,并且也可以构成为能够升降自由。此时,在将支柱设定为比第1导轨的高度位置低的状态下,第1导轨以朝作为目标的处理室30的侧方的上方侧延伸的方式移动后,使支柱上升且通过该支柱支承第1导轨。
在以上说明中,移动体71并不局限于门型形状,构成为从处理室30的侧壁部的任一方延伸到处理室30的上方侧,在处理室30为小型且轻型的情况下也可以构成为仅在单侧进行支承。此时,引导部件设置于处理室30的侧方的一方侧。
另外,将多个移动体71设置为,沿着共同的引导部件移动,例如,在一个移动体71处于处理室30、维护区域M的上方侧时,也可以使其他的移动体71位于与这些不同的处理室30的上方侧、真空输送室13的上方侧,进行多个盖体32的移动。另外,真空输送室13的俯视形状并不局限于正多边形状,多个处理室也并不局限于相互构成为相同的形状。另外,也可以设置为在真空输送室的一边排列有2个的处理室。在该情况下,将移动台是将旋转台和直线移动机构组合而构成的。另外,与输送室13连接的处理室30的个数只要是2个以上的话无论几个都可以,不一定要设置盖体32的盖体反转机构4。另外,在设置盖体反转机构4的情况下,也能够针对真空输送室13的周围的处理室30与盖体反转机构4的排列适当地选择。
另外,用于使移动体沿着引导部件移动的驱动部,也可以是沿着引导部件利用马达移动的滑块。另外,使盖体保持机构8升降的升降机构也可以构成为,在钩型部件81、81的上端设置升降轴,并且在升降轴的上方侧设置形成有相对于该升降轴的螺纹部的阴螺纹部的螺纹部主体,通过使该螺纹部主体旋转来使升降轴沿着该螺纹部主体进行升降。
另外,设置于盖体32的被保持部5为供盖体保持机构8升降来举起被保持部5的结构即可,并不局限于该形状,也可以设置于盖体32的侧面。另外,在盖体32未必需要设置被保持部5,也可以在盖体保持机构8的下端设置磁铁,通过该磁铁吸附并保持盖体从而将盖体举起。
另外,也可以构成为,将第1引导部件设置于真空输送室的上方侧,该第1引导部件本身通过旋转机构旋转。另外,旋转台6也可以经由从床面延伸的支承部件设置于真空输送室13的上方区域。另外,也可以在通过盖体保持机构8举起盖体32的状态下,进行气体提供部35的维护。另外,作为对基板S进行蚀刻处理时的盖体保持机构8的待机位置,并不局限于真空输送室13的上方侧,只要是不与基板S的处理、输送干涉的位置即可,也可以是维护区域M的上方侧、处理室30的上方侧。
另外,作为处理室30,并不局限于基板S的蚀刻处理,也可以进行CVD(Chemical Vapor Deposition)等的成膜处理、灰化处理等的真空处理。并且,在基板处理装置中,作为进行处理的基板S,也可以是方型的玻璃基板以外的半导体晶圆等圆形基板。
Claims (9)
1.一种基板处理装置,在内部设置有基板输送机构的真空输送室的周围,连接有预备真空室以及用于对基板进行处理的多个处理室,该多个处理室构成为在各个容器主体之上设置盖体,
该基板处理装置的特征在于具备:
第1引导部件,其被设置为在所述真空输送室的上方侧以从该真空输送室侧朝向外侧的方式水平地延伸且沿水平方向移动;
移动体,其被该第1引导部件引导而移动;
第2引导部件,其为了使该移动体在所述处理室的上方与所述第1引导部件之间移动而引导该移动体,且该第2引导部件被设置为在所述移动台静止于对应的位置时水平地位于所述第1引导部件的延长线上;以及
盖体保持机构,其设置于所述移动体,且在该移动体位于第2引导部件上时为了相对于所述容器主体装卸盖体而保持盖体并使盖体升降,并且能够在保持盖体的状态下使该移动体向第1引导部件移动。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
具备设置于所述真空输送室的上方侧且沿水平方向移动的移动台,
所述第1引导部件设置于该移动台。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述移动台构成为以真空输送室的中心部为中心绕铅直轴旋转的旋转台。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述盖体设置有沿第2引导部件延伸的方向在横向上延伸的被保持部,所述被保持部包含在下方形成有空间的卡止部分,在所述盖体保持机构设置有保持部,所述保持部在进退移动的同时进入到所述卡止部分的下方侧的空间,之后上升而从下方侧推举所述卡止部分,由此举起盖体。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第2引导部件针对每个处理室设置。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第2引导部件,在不使用时被收纳于移动台侧,在使用时从移动台侧向处理室侧伸出。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述真空输送室的俯视形状形成为多边形,在所述真空输送室的侧面中的除在所述真空输送室的外方侧用于确保维护区域的一个侧面之外的其他侧面上,分别连接所述预备真空室与处理室。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述维护区域,设置有保持从所述盖体保持机构交接的盖体并使该盖体反转的盖体反转机构。
9.根据权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,
所述真空输送室具有六个侧面,在所述侧面连接一个所述预备真空室与四个处理室。
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
CN109072475A (zh) * | 2016-03-22 | 2018-12-21 | 株式会社荏原制作所 | 基板保持架及镀覆装置 |
CN110491798A (zh) * | 2018-05-15 | 2019-11-22 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5575558B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
WO2018008113A1 (ja) * | 2016-07-06 | 2018-01-11 | 富士機械製造株式会社 | 回路形成装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1815690A (zh) * | 2005-02-04 | 2006-08-09 | 爱德牌工程有限公司 | 真空加工设备 |
CN1924659A (zh) * | 2005-08-31 | 2007-03-07 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置以及基板处理系统 |
US20070186852A1 (en) * | 2003-02-14 | 2007-08-16 | Junichiro Sakata | Manufacturing apparatus |
CN101101863A (zh) * | 2004-02-25 | 2008-01-09 | 爱德牌工程有限公司 | 用于制造平板显示器的设备 |
KR20100007216A (ko) * | 2008-07-11 | 2010-01-22 | 주식회사 아이피에스 | 진공처리시스템의 반송챔버 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0745684A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-14 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置の処理室 |
JP3694388B2 (ja) * | 1997-05-26 | 2005-09-14 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置 |
JPH1140643A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2000021946A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | C Bui Res:Kk | 半導体製造装置 |
JP3527450B2 (ja) * | 1999-12-22 | 2004-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP4302575B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2009-07-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置および真空処理装置 |
JP4285642B2 (ja) * | 2003-08-12 | 2009-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空容器 |
JP4355314B2 (ja) * | 2005-12-14 | 2009-10-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、及び該装置の蓋釣支装置 |
US8758514B2 (en) * | 2007-03-02 | 2014-06-24 | Asm Japan K.K. | Cluster type semiconductor processing apparatus |
KR101036186B1 (ko) * | 2008-04-22 | 2011-05-23 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 기판처리장치 |
JP5526988B2 (ja) * | 2010-04-28 | 2014-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理システム |
JP5488227B2 (ja) * | 2010-06-07 | 2014-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
2010
- 2010-06-24 JP JP2010144125A patent/JP5585238B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-16 KR KR1020110058552A patent/KR101326992B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2011-06-22 CN CN201110177543.7A patent/CN102299046B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-23 TW TW100121991A patent/TW201205711A/zh unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070186852A1 (en) * | 2003-02-14 | 2007-08-16 | Junichiro Sakata | Manufacturing apparatus |
CN101101863A (zh) * | 2004-02-25 | 2008-01-09 | 爱德牌工程有限公司 | 用于制造平板显示器的设备 |
CN1815690A (zh) * | 2005-02-04 | 2006-08-09 | 爱德牌工程有限公司 | 真空加工设备 |
CN1924659A (zh) * | 2005-08-31 | 2007-03-07 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置以及基板处理系统 |
KR20100007216A (ko) * | 2008-07-11 | 2010-01-22 | 주식회사 아이피에스 | 진공처리시스템의 반송챔버 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109072475A (zh) * | 2016-03-22 | 2018-12-21 | 株式会社荏原制作所 | 基板保持架及镀覆装置 |
CN110491798A (zh) * | 2018-05-15 | 2019-11-22 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
CN110491798B (zh) * | 2018-05-15 | 2023-05-05 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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CN102299046B (zh) | 2014-07-30 |
TW201205711A (en) | 2012-02-01 |
KR101326992B1 (ko) | 2013-11-13 |
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