TW201205711A - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
TW201205711A
TW201205711A TW100121991A TW100121991A TW201205711A TW 201205711 A TW201205711 A TW 201205711A TW 100121991 A TW100121991 A TW 100121991A TW 100121991 A TW100121991 A TW 100121991A TW 201205711 A TW201205711 A TW 201205711A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
chamber
vacuum transfer
transfer chamber
lid
processing apparatus
Prior art date
Application number
TW100121991A
Other languages
English (en)
Inventor
Yositugu Tanaka
Kazunari Hatori
Toshihiro Kasahara
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201205711A publication Critical patent/TW201205711A/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

201205711 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在真空搬運室連接用以處理基板之多數 處理室的基板處理裝置。 【先前技術】 在例如FPD( Flat Panel Display)之製造工程中,所 知的有於真空搬運室之周圍設置多數處理玻璃基板等之基 板的處理室,藉由被設置在搬運室內之搬運臂,在搬運室 和處理室之間進行基板之收授的基板處理裝置。就以在上 述處理室所進行之處理而言,可舉出蝕刻或灰化、成膜等 之處理。 上述處理室係藉由例如載置基板,並且上部開口之容 器本體;和能夠開關該容器本體之開口部的蓋體所構成, 於處理室內之維修或蓋體之維修時,可以從容器本體拆下 蓋體。在上述蓋體,設置有供給處理氣體之噴淋頭,就以 蓋體之維修作業之一個而言,有氣體噴淋頭之零件的交換 等。 針對該蓋體之開關動作,於專利文獻1中有提案。在 該構成中,藉由設置在每處理室之蓋體之開關機構,於從 容器本體使蓋體上升之後,使蓋體滑動至偏離容器本體之 位置。接著,進行使蓋體下降後予以反轉。在該手法中, 藉由使蓋體滑動移動至與基板搬運至處理室之搬運方向正 交的方向,可以縮小蓋體之開關動作所需之面積。 201205711 但是,因FPD基板爲大型,故處理室也成爲平面形 狀中之一邊的大小爲例如各3.0m、3.5m之大型的角筒型 容器。因此,在每處理室需要使蓋體反轉之空間的構成中 ,當處理室增加時難以確保使蓋體反轉之空間,當欲確保 空間時,則需擔心裝置會更大型化。再者,因在每處理室 設置蓋體之開關機構,故當增加處理室時,則會導致裝置 之製造成本增加。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2007-6721 8號公報(參照第 1 、 19 圖) 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 本發明係在如此之情形下硏究出,針對在真空搬運室 連接用以處理基板之多數處理室之基板處理裝置,提供抑 制裝置之大型化,且抑制覆蓋區之增大的技術。 [用以解決課題之手段] 本發明之基板處理裝置係在內部設置有基板搬運機構 的真空搬運室之周圍,連接預備真空室,和在各個容器本 體上設置蓋體而構成,用以對基板進行處理的多數處理室 ,該基板處理裝置之特徵爲具備:
S -6- 201205711 第1引導構件,其係在上述真空搬運室之上方側,被 設置成從該真空搬運室朝向外側地水平延伸,並且在水平 方向移動; 移動體,其係被該第1引導構件引導而移動; 第2引導構件,其係爲了使該移動體在上述處理室之 上方和上述第1引導構件之間移動而予以引導,被設置成 於上述移動台靜止於對應之位置時,水平地位於上述第1 引導構件之延長線上;及 蓋體保持機構,其係被設置在上述移動體,構成於該 移動體位於第2引導構件上之時,爲了對上述容器本體拆 裝蓋體,保持蓋體而予以升降,並且在保持蓋體之狀態下 該移動體可以在第1引導構件移動。 此時,即使構成具備被設置在上述真空搬運室之上方 側,在水平方向移動之移動台,上述第1引導構件被設置 在該移動台亦可。再者,該移動台可以作爲以真空搬運室 之中心部爲中心而繞垂直軸旋轉之旋轉台而構成。 再者’在上述蓋體設置有被保持部,該被保持部係沿 著第2引導構件之延伸方向於橫方向延伸,包含在下方形 成空間之卡止部分,在上述蓋體保持機構設置有保持部, 該保持部係藉由一面進退移動一面進入至上述卡止部分之 下方側的空間,且之後上升而將上述卡止部分從下方側推 壓來抬起蓋體。 並且’上述第2引導構件即使被設置在每處理室亦可 ,即使構成於不使用時被收納於移動台側,於使用時從移 201205711 動台側伸出至處理室側亦可》 再者,上述真空搬運室係被形成平面形狀爲多角形, 被構成在上述真空搬運室之側面中,除用以在其外方側確 保維修區域之一個側面之外的其他側面,各連接有上述預 備真空室和處理室。此時,在上述維修區域,即使設置有 保持從上述蓋體保持機構所收授之蓋體而使反轉之蓋體反 轉機構亦可。再者,上述真空搬運室即使具有六個側面, 在該側面連接有一個上述預備真空室和四個處理室亦可。 [發明效果] 若藉由本發明時,則構成使移動體沿著從真空搬運室 延伸之第1引導構件及第2引導構件,而在各處理室之上 方側移動,藉由被設置在該移動體之蓋體保持機構,抬起 各處理室之蓋體。因此,因若在處理室之上方具有空間時 則可以打開蓋體,故於蓋體拆裝時不需要處理室之橫方向 的空間,可以抑制裝置之設置空間的大型化。再者,因可 以在共通之蓋體保持機構進行多數處理室之蓋體的拆裝, 故可以抑制裝置之大型化,並抑制覆蓋區(設置面積)之 增大。 【實施方式】 以下,針對本發明之基板處理裝置之一實施型態,針 對FPD基板進行處理(例如蝕刻處理)之時予以說明。 第1圖爲表示基板理裝置1之槪觀的斜視圖,第2圖爲表
S -8- 201205711 示其內部之橫斷俯視圖。圖中1 A、1 B爲用以載置從外部 收容多數FPD基板(以下稱爲「基板」)S之載體C1、 C2之載體載置部。該些載體載置部1A、1B係構成藉由 例如升降機構11升降載體C〗、C2,在一方之載體C1收 容未處理基板S1,在另一方之載體C2收容處理完之基板 S2 ° 再者,在載體載置部ΙΑ、1B之深側,設置有構成預 備真空室之裝載鎖定室12和真空搬運室13。並且,在載 體載置部1A、1B之間,於支撐台14上設置有上述兩個 載體C1、C2和用以在裝載鎖定室12之間進行基板S之 收授的基板搬運手段21。該基板搬運手段21具備例如少 至成上下的兩根機械臂22和支撐成進退自如、旋轉自如 之基台23。上述裝載定室12係被構成在氛圍在真空氛圍 和常壓氛圍之間切換,在其內部如第2圖所示般,配設有 用以支撐基板S之緩衝齒條1 5。圖中1 6爲定位器。 上述真空搬運室13係被構成平面形狀爲多角形狀( 例如正六角形狀),在其側面與上述裝載鎖定室1 2離開 周方向而連接,並且配設有互相配置在周方向之多個處理 室30。在該例中,在對應於真空搬運室13內之四個邊之 側面各氣密連接有處理室3 0。 再者,在對應於真空搬運室13之剩下的兩個邊之一 方的側面,氣密連接上述裝載鎖定室12,在對應於另一 方之側面的外方側確保維修區域Μ,在該維修區域Μ設 置有蓋體反轉機構4。在該例中,裝載鎖定室12和蓋體 -9 - 201205711 反轉機構4係被配設成互相對向。 上述真空搬運室13係被構成維持真空氛圍,在其內 部如第2圖虛線所室般,配設有基板搬運機構25。然後 ,藉由該基板搬運機構25,在上述裝載鎖定室12及四個 處理室30之間搬運基板S。再者,在真空搬運室13之天 井部,設置有維修用之開口部1 7 (參照第6圖),和氣 密地封閉該開口部1 7之拆裝自如的蓋體。該開口部1 7係 被構成可以取出真空搬運室13內之基板搬運機構25。 並且,在上述裝載鎖定室12和真空搬運室13之間、 真空搬運室13和處理室30之間,及連通裝載鎖定室12 和外側之大氣氛圍之開口部,各被插入氣密密封該些之間 ,且構成可開關之閘閥GV。 接著,參照第3圖針對處理室30予以簡單說明。處 理室30係被構成例如平面形狀爲四角形狀,具備有天井 部開口之容器本體31,和被設置成開關該容器本體31之 天井開口部之蓋體32。上述蓋體32係被構成藉由後述之 蓋體保持機構8對容器本體31拆裝自如。上述基板S爲 例如一邊爲2.2m,另一邊爲2.5m左右之大小的角型基板 ,上述處理室3 0係被設定成例如水平剖面之一邊爲3.0m ,另一邊爲3.5m左右之大小。 在上述容器本體31之內部在其底面上經絕緣構件 33a配置有用以載置基板S之載置台33»再者,在容器本 體3 1經排氣路34a連接有由例如真空泵34所構成之真空 排氣手段。另外,在處理室30內之上方以與載置台33對
S -10- 201205711 向之方式,構成上部電極之噴淋頭之氣體供給部35係被 設置成藉由突出於蓋體32之內部的支撐部3 6a而被支撐 。圖中36b爲絕緣構件,35a爲氣體吐出孔,37a爲氣體 供給管,37爲氣體供給系統,38a爲供電棒,38b爲整合 器,3 8爲高頻電源。 在如此之處理室30中,藉由從高頻電源38對氣體供 給部35施加高頻電力,在基板S之上方側之空間形成處 理氣體之電漿,依此進行對基板S之蝕刻處理。並且,在 第3圖以外的圖示,爲了方便圖示,省略整合器38b或高 頻電源38、氣體供給系統37等。再者,上述處理室30 及真空搬運室13係如第5圖所示般,各在支柱30a、13a 被支撐。 在此,針對基板S之處理動作予以簡單說明。首先, 藉由基板搬運手段21’將基板S1從收容有未處理基板S1 之一方之載體C1搬入至裝載鎖定室12。在裝載鎖定室12 內中,藉由緩衝齒條15保持基板S1,於基板搬運手段21 之機械臂22退避之後,將裝鎖定室12內予以排氣,將內 部減壓至特定之真空度。於抽真空之後,藉由定位器15 進行基板S 1之定位。 之後’打開裝載鎖定室1 2和真空搬運室i 3之間的閘 閥GV ’藉由基板搬運機構25接取基板s 1,關閉上述閘 閥GV。接者’打開真空搬運室13和特定處理室30之間 的閘閥GV’藉由基板搬運機構25將上述基板si搬入至 該處理室3 0,關閉上述閘閥GV。 -11 - 201205711 然後,在處理室30中,如已述般,藉由在基板S1之 上的空間形成電漿,對該基板S1進行蝕刻處理。於該蝕 刻處理結束後,藉由基板搬運機構25接取處理完之基板 S2,搬運至裝載鎖定室12,接著上述基板S2係藉由搬運 手段21’被搬運至處理完之基板用之載體C2。依此,雖 然一片之基板的處理結束,但是對被搭載於未處理基板用 之載體C1之所有基板S1進行該處理。 接著,針對處理室30,更持續說明》在上述蓋體32 之上面,如第1圖〜第5圖所示般,設置有被保持部5。 第4圖爲從真空搬運室13側觀看到之處理室30之側面圖 ,第5圖爲從第2圖中之A-A線側觀看到之基板處理裝 置之側面圖。上述被保持部5係由被配置成互相背對背之 —對的鉤型構件51、51所構成。該些鉤型構件51、51之 各垂直部分係與連接該處理室30之真空搬運室13之側面 正交,被配置成對與上述側面正交之方向中的蓋體32之 中央部互相對稱地間隔開互相靠近處理室3 0之側方。在 此,處理室3 0之側方係指從真空搬運室1 3側觀看處理室 30之時的該處理室30之側方。 上述鉤型構件5 1、5 1之各水平部分互相相反地伸出 ,構成藉由後述之蓋體保持機構8被保持之卡止部分50 。在該例中,四個處理室30被構成互相相同之形狀,在 各處理室30之蓋體32之上面於互相相同之位置各形成有 相同之形狀的被保持部5。 並且,在上述處理室30之各個之側方之上方側,設
S -12- 201205711 置有構成引導構件之導軌52。該導軌52係被設置成延伸 於與連接各個處理室30之真空搬運室13之側面正交之方 向。在該例中,處理室3 0側之導軌5 2係以互相平行地延 伸於上述處理室30之兩側面之上方側附近之方式,在各 被支柱53支撐之狀態下被設置。 另外,在真空搬運室13之天井部,設置有構成一對 引導構件之導軌54,其係被設置成以與上述導軌52相同 之寬度互相平行地延伸。該真空搬運室1 3側之導軌54係 在真空搬運室13之天井部中,被設置成在旋轉台6上經 支撐框55從真空搬運室13側朝向外側。上述旋轉台6係 構成在水平方向移動之移動台。 在此,真空搬運室1 3側之導軌54相當於申請專利範 圍之第1引導構件,故以下稱爲「第1導軌54」。再者 ,處理室30側之導軌52相當於申請專利範圍之第2引導 構件,故以下稱爲「第2導軌52」。 在該例中,上述旋轉台6係以其旋轉中心與真空搬運 室13之中心部一致之方式,設置成繞垂直軸旋轉自如。 該旋轉台6係被形成平面形狀形成圓形。再者,旋轉台6 係被設置成側壁部61之下面經軸承62而連接於設置在真 空搬運室13之天井部之板狀板63。並且,旋轉台6即使 直接設置在構成真空搬運室13之天井部的天板亦可。 在上述板狀體63之上面設置有沿著以之真空搬運室 1 3之中心部爲中心的圓而形成環狀之移動路構件64。另 外,在旋轉台6之下面,設置有被移動路構件64引導之 -13- 201205711 被引導構件65。再者,在板狀體63中之旋轉台6之外周 側,設置有與上述圓同心狀,在涵蓋全周於外側面形成有 齒輪部66a之環狀的齒條部66。另外,在旋轉台6中之 齒條部66之外方側部位,突出於旋轉台6之下方側並且 繞垂直軸旋轉自如地設置有與該齒條部66咬合之小齒輪 部(行星齒輪)67。該小齒輪部67之旋轉軸67a係被構 成藉由被設置在旋轉台6側之驅動馬達68經減速機69而 旋轉。如此一來,旋轉台6係被構成小齒輪部67藉由驅 動馬達68旋轉,旋轉被傳達,被引導部65沿著移動路構 件64而移動。並且,在第6圖以外之圖示,簡化旋轉台 6之旋轉機構。 在此,在旋轉台6,係以該旋轉台6位於待機位置之 時,與形成真空搬運室13之天井部的開口部17對應之方 式,形成大於開口部17之窗60。該待機位置係指第1導 軌54之前端(真空搬運室13之外周側)臨著裝載定室 12之位置。再者,上述支撐框55及第1導軌54係如第5 圖及第6圖所示般,被設置成不干擾該窗60,即使板狀 體63也在對應於上述開口部17之位置,形成大於開口部 17之窗63a。因此,於旋轉台6位於上述待機位置時,上 述窗60和開口部1 7互相對應,構成經上述開口部1 7可 以進行基板搬運機構25之維修。 在此,真空搬運室13係在該例中,構成平面形狀爲 正六角形狀,旋轉台6係被構成以真空搬運室13之中心 部爲旋轉中心而旋轉自如。因此,第1導軌54係被構成
S -14- 201205711 藉由旋轉台6之旋轉,以其前端通過臨著各處理室30之 位置之方式,沿著真空搬運室13之周方向而移動。臨著 該處理室30之位置爲從真空搬運室13側觀看在正面方向 看處理室30之位置。然後,當第1導軌54之前端位於臨 著上述處理室30之對應位置時,以對應的第2導軌52水 平地位於第1導軌54之延長線上之方式,在互相高度位 置一致之狀態被設置。並且,在此所指水平也包含些微傾 斜之狀態。 此時,第1導軌54係如已述般,因沿著真空搬運室 13之周方向移動,故以於該移動時第1導軌54之前端和 第2導軌52之前端(真空搬運室13側)不干擾之方式, 決定互相之長度或設置位置。在該例中,第2導軌52之 支柱5 3係考慮閘閥GV之維修,如第5圖所示般,較閘 閥GV設置在處理室30側。 另外,爲了保持第2導軌52之強度,不得不將第2 導軌52設置成支柱53長延伸至真空搬運室13側。因此 ,第1導軌54爲了減少第2導軌側52之間隙,被設置成 在被支撐框55支持之狀態下延伸成較真空搬運室13些許 外方。該第1導軌5 4之前端因描劃出以第2圖一點鏈線 所示般之軌跡而移動,故以不妨礙該第1導軌54之移動 ,並且減少與第1導軌54之間隙之方式,設定第2導軌 52之前端側之位置。 然後,在基板處理裝置1—面沿著該些第2導軌52 及第1導軌54而被引導,一面設置有在真空搬運室13之 -15- 201205711 上方和處理室30之上方之間移動的門型形狀之移動體71 。該移動體71係被構成一端側沿著一對導軌52、54之一 方而被引導,其另一端沿著上述導軌52、54而被引導。 在該例中,移動體71係如第1圖及第4圖所示般,具備 有水平延伸之水平構件72、從該水平構件72朝向一方之 軌道52a、54a而延伸於下方側之垂直構件73、和從水平 構件72朝向另一方之軌道52b、54b而延伸至下方側的垂 直構件7 4。 在上述垂直構件73之下端側,沿著移動體71之移動 方向設置有多數個(在該例中爲兩個)之車輪75A,該些 車輪75 A係被構成藉由移動馬達76A而被驅動。再者, 在上述垂直構件74之下端側,如第4圖所示般,沿著移 動方向設置有多數個(在該例中爲兩個)之車輪75B,該 些車輪75B係被構成藉由移動馬達76B而被驅動。該些 移動馬達76A、76B係在移動體71之水平構件72與設置 有該處理室30之真空搬運室13之側面平行之狀態下,控 制驅動使在導軌52、54上移動。在該例中,藉由車輪 75A' 75B和移動馬達76A、76B,構成用以使上述移動體 7 1沿著上述引導構件而移動之驅動部。 然後,在該移動體71上設置有蓋體保持機構8,該 蓋體保持機構8係被構成於該移動體71位於第2導軌52 上之時,爲了對上述容器本體31拆裝蓋體32,保持蓋體 32而升降,並且在保持蓋體32之狀態下該移動體71可 以在第1導軌54移動。該蓋體保持機構8具備保持部80
S -16- 201205711 ,該保持部80係一面沿著上述第2導軌52而移動一面進 入至上述卡止部分50之下方側之空間,之後上升藉由從 下方側推壓上述卡止部分50,抬起蓋體32。該保持部80 係由配置成互相相向之一對鉤型構件8 1、8 1所構成。該 些鉤型構件81、81之各垂直部分係在保持部81進入至卡 止部分50之下方側之空間的開關位置,與被保持部5之 鉤型構件51、51之各垂直部分平行,被配置成位於該鉤 型構件5 1、5 1之外側。再者,鉤型構件8 1、8 1之各水平 部分8 0a係被構成互相伸出至內側。 該些鉤型構件81、81係被設置成在移動體71之各個 垂直構件73、74藉由構成升降機構之起重機構82、82升 降自如。該起重機構82具備有刻設螺紋脊背之升降軸83 ,和在內面形成與該升降軸83螺合之螺紋脊背的可動體 84,在可動體84之下端各連接有鉤型構件81、81之上端 。圖中85爲升降馬達,86爲引導機構,87爲包圍升降軸 83之周圍的蓋覆構件。在如此之起重機構82中,係被構 成當藉由升降馬達85使升降軸83旋轉時,可動體84藉 由旋轉方向而對升降軸83沿著引導機構86升降。並且, 兩個升降馬達8 5係被構成根據後述之控制部1 00之指令 而被驅動,被控制成使各個升降軸83在互相同步之狀態 下旋轉。 如此一來,蓋體保持機構8係被構成移動體71位於 開關處理室3 0之蓋體3 2的開關位置之時,在保持部8 〇 之水平部分80a位於被保持部5之卡止部分50之下方側 -17- 201205711 的下降位置,和藉由從下方側推壓上述卡止部分50抬起 蓋體32之上升位置之間升降自如。在此,如後述般,移 動體71係在上升位置保持蓋體32之狀態下移動至真空搬 運室13側》因此,上述上升位置係被設定成藉由蓋體保 持機構8抬起之蓋體32之下面不衝突於真空搬運室13之 天井部等,而可以在真空搬運室13之上方側移動之高度 位置。 再者,移動體71係在使蓋體保持機構8對各處理室 30成爲下降位置之狀態下,從真空搬運室13之上方側移 動至處理室30之上方側時,移動體71不干擾各個處理室 30之被保持部5地移動。然後,在各處理室30中之蓋體 32之開關位置中,蓋體保持機構8之水平部分80a位於 被保持部5之卡止部分50之下方側。 依此’在各處理室30中之蓋體32之開關位置,若使 蓋體保持機構8上升,卡止部分50則藉由蓋體保持機構 8被抬起而蓋體32打開。另外,在蓋體保持機構8被保 持之蓋體32係藉由在上述開關位置使蓋體保持機構8下 降’以封閉容器本體31之開口部之方式被收授於容器本 體3 1。然後’移動體7〗係從該收授位置使蓋體保持機構 8更下降至上述下降位置之後,在開始朝真空搬運室13 側移動。 在該例中’如第5圖所示般,在第2導軌52之基端 側(真空搬運室1 3之反端側)設置有移動體71之車輪 7 5A、75B之車輪檔56,藉由在該位置停止,移動體71
S -18- 201205711 在各處理室30中之蓋體32之開關位置停止。另外,即使 在第1導軌5 4之基端側(與處理室3 0相反側),設置車 輪檔57,該位置成爲真空搬運室13之上方側中之移動體 71之待機位置。第8圖(a)雖表示移動體71位於該待 機位置之狀態,但是如此在待機位置中,移動體71位於 旋轉台6之中央部附近》 並且,若爲處理室30位於一對軌道52a、52b、54a 、5 4b之間的構成時,即使處理室3 0之大小構成互相不 同亦可。此時,於使移動體71移動至處理室30之上方側 之時,當蓋體保持機構8位於上述下降位置時,該蓋體保 持機構8和各處理室30之被保持部5不干擾,使移動體 71位於各處理室30中之上述開關位置,以於使蓋體保持 機構8上升時抬起被保持部5之方式,構成各處理室30 之被保持部5及移動體71。若爲如此之構成時,則可以 藉由移動體71進行所有處理室30之蓋體32的開關。 蓋體反轉機構4係被構成保持從上述蓋體保持機構8 所收授之蓋體32而予以反轉,例如第7圖所示般,具備 有保持蓋體32之框體41,和沿著水平之旋轉軸使該框體 41旋轉之旋轉驅動部42。該旋轉驅動部42具備有驅動馬 達43、減速機44和軸承45,該些係藉由支撐台46而被 支撐。上述框體41係被構成保持蓋體32之移動體71在 蓋體32之收授位置移動,於蓋體32從該位置下降之時’ 保持該蓋體32之周圍。 即使在該蓋體反轉機構4之側方,也以與設置該蓋體 -19- 201205711 反轉機構4之真空搬運室13之側面正交之方式,設置有 導軌47。該導軌47係被構成與已述之第2導軌52相同 ,構成當第1導軌54位於臨著蓋體反轉機構4之位置時 ,移動體71則在導軌47和第1導軌54之間移動。然後 ,保持蓋體32之移動體71成爲可以在該導軌47上移動 至蓋體32之收授位置。此時,導軌47係如第7圖所示般 ,以不與蓋體反轉機構4之旋轉驅動部42干擾之方式, 被支柱48支撐。第7圖中之4 7A爲移動體71之車輪75A 、75B之車輪檔。
並且,在該基板處理裝置中設置有由例如電腦所構成 之控制部100。該控制部100具備程式、記億體、由CPU 所構成之資料處理部,以從控制部100藉由對蝕刻處理裝 置3或搬運系統、移動體71之移動馬達76A、76B或升 降馬達85、旋轉台6之驅動馬達68、蓋體反轉機構4之 驅動馬達43等發送控制訊號,使進行特定步驟,實施對 基板S之特定處理,例如蝕刻處理或蓋體3 2之開關動作 或蓋體32之反轉動作之方式,在上述程式編寫命令(各 步驟)。該程式係被儲存於電腦記憶媒體例如軟碟、CD 、硬碟、MO (光磁性碟)等之記憶部而被安裝於控制部 100 ° +再者,在控制部1 00中,根據來自作業者之指令,沿 著真空搬運室13之周方向使旋轉台6移動,或使移動體 71從真空搬運室13之上方側之待機位置朝欲開放蓋體32 之處理室30之上方側移動,或使保持蓋體32之移動體
S -20- 201205711 71移動至蓋體反轉機構4之上方側,對移動馬達76A、 76B或升降馬達85輸出如將該蓋體32收授於蓋體反轉機 構4之指令^ 並且,在控制部100中,藉由旋轉台6中之驅動馬達 68之編碼器,把握使第1導軌54之前端側位於臨著各處 理室30之位置之時的各個停止位置。再者,藉由上述移 動馬達76A、76B之編碼器,針對使移動體71停止在處 理室30中之各個開關位置之停止位置,或使移動體71停 止在真空搬運室13之上方側之待機位置之停止位置予以 管理。再者,藉由上述升降馬達85之編碼器,針對蓋體 保持機構8之下降位置及上升位置予以管理。 在如此之基板處理裝置1中,通常時,如第8圖(a )所示般,在使第1導軌54之前端側位於臨著裝載鎖定 室1 2之待機位置之狀態,對基板S進行已述之蝕刻處理 。在該待機位置中,如已述般,移動體71位於第1導軌 54之基端側,位於旋轉台6之中央部附近。並且,在第8 圖及第9圖中,對四個處理室30賦予30A〜3 0D之符號 〇 然後,於蓋體32或處理室30之維修時開放蓋體32 之時,將第1導軌54從上述待機位置朝向處理室30A之 上方側而在真空搬運室13之周方向移動,在臨著該處理 室30A之位置停止。 接著,沿著第1導軌54及第2導軌52使移動體71 移動至處理室30A之上方側,在開關該處理室30A之蓋 -21 - 201205711 體32的開關位置停止(參照第8圖(b))。在此,於第 1導軌54和第2導軌52之間,如已述般,形成有間隙, 但是藉由將車輪75A、75B形成大於上述間隙,移動體71 可以在兩軌道52、54之間移動。 在該開關位置中,如第1〇圖(a)所示般,移動體 71中之蓋體保持機構8之水平部分8 0a係位於上述處理 室30A之被保持部5之卡止部分50之下側。接著,如第 10圖(b)所示般,藉由使蓋體保持機構8上升,以使在 水平部分80a推壓卡止部分50,從該處理室3 0A抬起蓋 體32。 如此一來,在以移動體7 1保持蓋體32之狀態下,沿 著第2導軌52及第1導軌54,使移動體71移動至真空 搬運室13之上方側。接著,如第9圖(c)所示般,當移 動體71移動至真空搬運室13之上方側之待機位置時,則 使旋轉台6如第9圖(d)所示般,第1導軌54之前端移 動至臨著蓋體反轉機構4之位置。接著,使保持蓋體32 之移動體71沿著第1導軌54及導軌47在蓋體反轉機構 4之上方側移動,在上述收授位置停止。 然後,如第11圖(c)所示般,使蓋體保持機構8下 降將蓋體32收授於框體41。然後,使蓋體保持機構8更 下降至下降位置,使蓋體保持機構8之水平部分8 0a位於 蓋體32之被保持部5之卡止部分50之下方側後,將移動 體71以不干擾至蓋體32之反轉動作之方式,移動至真空 搬運室13之上方側。另外,在蓋體反轉機構4中,如第
S -22- 201205711 11圖(d)所示般,在藉由框體41保持蓋體32之狀態下 ,藉由旋轉驅動部42,使該框體41繞水平軸旋轉,並使 蓋體32反轉。在蓋體32之背面,安裝有氣體供給部35 等,使蓋體3 2反轉,並在使該氣體供給部3 5朝上之狀態 下,進行維修。 在上述實施型態中,構成使移動體71移動至處理室 30之上方側,藉由被設置在該移動體71之蓋體保持機構 8,抬起處理室30之蓋體32。因此,因若在處理室30之 上方具有空間時則可以打開蓋體3 2,故於蓋體拆裝時不 需要處理室3 0之橫方向的空間,可以抑制裝置之設置空 間的大型化。 再者,因可以藉由共通之移動體71拆裝所有之處理 室30之蓋體32,故比起在每處理室30設置蓋體32之開 關機構之構成,可以謀求處理室30之小型化,並可以抑 制裝置之大型化,且抑制覆蓋區之增大。 並且,移動體71因被設置成在處理室30及真空搬運 室13之上方側移動,故比起在處理室30之周圍設置蓋體 開關機構之構成,可以謀求處理室30本體之小型化。再 者,由於若對多數處理室30設置共通之移動體71即可, 故在製造成本上也有利。再者,因不需要在每處理室30 確保蓋體32之維修區域,若對多數處理室30確保共通之 維修區域即可,故從該觀點也可以抑制裝置之大型化。 再者,於將移動體71構成門型形狀之時,在其兩端 沿著各導軌而移動。因此,因荷重被分散,故可以在使藉 -23- 201205711 由蓋體保持機構8抬起之蓋體32安定之狀態下移動。如 已述般,處理室30頗爲大型,由於蓋體32也爲1000 0kg 左右之重量,故在分散荷重之狀態下移動具有大的優勢。 再者,移動體7 1係與處理室3 0個別設置,即使針對 第2導軌52或旋轉台6、第1導軌54等,亦可以於配合 處理室30或真空搬運室13之構成之後設置。因此,可以 組合既有之基板處理裝置而予以設置,利用價値高。 再者,在該例中,第2導軌52之支柱53係較處理室 30和真空搬運室13之間之閘閥GV被設置在處理室30側 。因此,在該閘閥GV之側方,不存在障礙物,不會妨礙 維修作業。再者,在旋轉台6如已述般形成窗60,使旋 轉台6位於上述待機位置,藉由使移動體71移動至不干 擾窗60之位置,可以存取於真空搬運室13之開口部17 。因此,於必要之時,從該窗部17取出基板搬運機構25 ,而有可以維修之優點。 再者,針對一個處理室30即使拆下蓋體32之狀態下 ,亦可以在其他處理室30持續進行基板S之處理,可以 抑制處理量之下降。並且,對於拆裝蓋體32,使被保持 部5之卡止部分50和蓋體保持機構8的水平部分80a對 應,接著使蓋體保持機構8升降,故驅動軸爲一軸即可, 可以謀求裝置之簡化及低成本化》再者,因在維修區域Μ 側中之真空搬運室1 3之側壁不設置有閘閥GV,故即使構 成在維修區域Μ側之真空搬運室13之側壁設置無圖示之 開關部,取出基板搬運機構25亦可。
S -24- 201205711 在該例中,第2導軌52雖然構成藉由支柱53被支撐 ,但是即使構成經支撐構件安裝於處理室30之容器本體 3 1之側壁亦可。 再者,第2導軌52係例第12圖所示般,即使藉由升 降機構91設置成升降自如亦可。在該例中,第2導軌52 係被構成經支柱92而藉由升降機構9 1升降自如。然後, 藉由升降機構91,成爲在第2導軌52之上面位於閘閥 GV之下方側的下方位置(參照第12圖(a)),和與第 1導軌54高度位置一致的上方位置(參照第12圖(b) ),和該下方位置和上方位置之間的高度,即第2導軌 52之上面不阻礙第1導軌54之移動的待機位置之間升降 。此時,第2導軌52之支柱92之前端(真空搬運室13 側)係被設置成在閘閥GV之側方升降,依此第2導軌52 之前端(真空搬運室13側)係被設置成在被支柱92支持 之狀態下延伸至真空搬運室13之附近。 在該例中,首先使第2導軌52位於上述待機位置。 然後,在將移動體71配置在真空搬運室13之上方側之狀 態下,以第1導軌54之前端臨著欲開放蓋體3 2之處理室 30之方式,使旋轉台6旋轉。接著,如第12圖(b)所 示般,使第2導軌52從上述待機位置上升至上述上方位 置,之後藉由使移動體71移動至處理室30之上方側,打 開蓋體3 1。 接著,使保持蓋體32之移動體71在真空搬運室13 之上方側移動後,使第2導軌52下降至上述待機位置, -25- 201205711 以第1導軌54之前端臨著蓋體反轉機構4之方式,使 轉台6旋轉。然後,使移動體71從真空搬運室13之上 側移動至蓋體反轉機構4之上方側,將蓋體3 2收授至 蓋體反轉機構4之後,使移動體71移動至真空搬運室 之上方側。 在如此之構成中,升降自如地設置第2導軌52及 柱53,於閘閥GV之維修時,因下降至上述下方位置, 可以一面確保進行上述維修之空間,一面在閘閥GV之 方設置上述第2導軌52及支柱53。因此,可以一面確 第2導軌52之強度,一面縮小第1導軌54和第2導 5 2之間的間隙。依此,因可以縮小移動體7 1之車輪, 可以謀求移動體7 1之小型化》 再者’當使第1導軌54移動時,以不阻礙該移動 方式’因使第2導軌52下降至待機位置,故不需要爲 移動第1導軌5 4所需之間隙,由該點亦可以縮小上述 隙。但是,於第1導軌54移動之時,即使使第2導軌 位於上述上方位置亦可,即使位於上述下方位置亦可。 並且,即使在該例中,因藉由移動體71使蓋體32 處理室30升降而進行該蓋體32之開關,故與上述實施 態相同’可以抑制裝置之大型化,並抑制覆蓋區之增大 再者,與上述實施型態相同,因將移動體71構成 型形狀,故可以在分散荷重之狀態下且使蓋體32安定 狀態下移動,導軌52、54、移動體71或旋轉台6可對 有之基板處理裝置於之後設置。再者,可以在真空搬運 旋 方 該 13 支 故 側 保 軌 故 之 了 間 52 對 型 〇 門 之 既 室
S -26 - 201205711 13之天井部形成已述之開口部17,便於維修。 接著,針對本發明之其他實施型態,使用第1 3圖及 第1 4圖予以說明。在該例中’第2引導構件係被構成於 不使用時被收納於旋轉台6側,於使用時從旋轉台6側伸 出至處理室3 0側。 例如,構成第2引導構件之導軌94係與已述之第1 導軌54 —體構成,於不使用時被收納成折疊在第丨導軌 54之前端而收在真空搬運室13之天井部附近。然後,於 使用時,從第1導軌54之前端伸出,各位於對應之處理 室30之兩側方之上方側,構成將移動體71引導至處理室 30中之上述開關位置。 例如,第13圖(b)所示般,第1導軌54和第2導 軌94係利用具備有垂直之轉動軸96a之鉸鏈機構96連接 。圖中97爲鉸鏈機構96之驅動馬達。然後,於不使用時 ,以第1導軌54和第2導軌94互相排列在水平方向,成 爲被折疊成第2導軌94位於第1導軌54之內側之狀態的 方式,藉由驅動馬達97控制鉸鏈機構96。另外,使用時 ,打開成第2導軌94從收納位置於水平方向旋轉,以第 2導軌94水平地位於第1導軌54之延長線上之方式,藉 由驅動馬達97控制鉸鏈機構96。針對第2導軌94成爲 折疊式之外,其他與已述之第1圖所示之構成相同。並且 ,利用具備垂直之旋轉軸之鉸鏈機構連接第1導軌54和 第2導軌94,於不使用時,即使在第1導軌54之上折疊 第2導軌9 4而予以收納亦可。 -27- 201205711 另外’在處理室30及蓋體反轉機構4中之第2導軌 94伸出之位置事先設置支柱95,使第2導軌92可承受移 動體71及蓋體32之重量。並且,該支柱95即使設置成 升降自如亦可。並且’在第13圖中,爲了方便圖示省略 支柱9 5 » 在該例中’如第14圖(a)所示般,收納第2導軌 94’於移動體71位於真空搬運室13之上方側之狀態下, 以第1導軌54之前端臨著欲開放蓋體32之處理室3〇之 方式’使旋轉台6旋轉。接著,如第14圖(b)所示般, 延伸第2導軌94,並藉由支柱95支撐。依此,第2導軌 94成爲延伸至處理室3 0之側方的上方側的狀態。之後, 使移動體71移動至處理室30之上方側,蓋體31被開啓 〇 接著,使保持蓋體32之移動體71移動至真空搬運室 1 3之上方側之後,折疊第2導軌94而予以收納》然後, 以被收納之狀態之第1導軌54之前端臨著蓋體反轉機構 4之方式,使旋轉台6旋轉。接著,使第2導軌94延伸 至蓋體反轉機構4側方之上方側,而藉由支柱95支撐。 之後,使移動體71移動至蓋體反轉機構4之上方側,將 蓋體32收授至該蓋體反轉機構4之後,使移動體71移動 至真空搬運室13之上方側。 如此一來,在該實施型態中,將第2導軌9構成收納 自如,使相當於不使用時之旋轉台6沿著真空搬運室13 之周方向移動之時,折疊第2導軌94而收納。然後,於
S 28 - 201205711 使相當於使用時之移動體71移動至處理室30或蓋體反 機構4之上方側之時,構成使第2導軌94之前端延伸 處理室30或蓋體反轉機構4之側方之上方側》 在如此之構成中,於固定第2導軌52而予以設置 時,在與第2導軌52之間,不需要確保第1導軌54之 轉用之空間。因此,因可以將第1導軌54和第2導軌 之間的間隙抑制成最小,故可以縮小移動體7 1之車輪 並可謀求移動體71之小型化。再者,由於上述間隙小 故可以使移動體71在真空搬運室13之上方側和處理 3 〇等之上方側之間流暢地移動。 再者,即使在該例中,因藉由移動體71使蓋體32 處理室30升降而進行該蓋體32之開關,故與上述實施 態相同,可以抑制裝置之大型化,並抑制覆蓋區之增大 並且,與上述實施型態相同,因將移動體71構成門型 狀,故可以在分散荷重之狀態下且使蓋體32安定之狀 下移動,導軌、移動體71可對既有之基板處理裝置於 後設置。再者,可以在真空搬運室13之天井部形成已 之開口部1 7,便於維修。 再者,處理室30之天井部於低於真空搬運室13之 井部之時,即使一開始將第1導軌構成延伸狀態,並且 支柱構成升降自如亦可。此時,於將支柱設爲低於第1 軌之高度位置之狀態下,於使第1導軌延伸至作爲目的 處理室3 0之側方之之上方側後,使支柱上升,進行藉 該支柱支撐第1導軌。 轉 於 之 旋 94 室 對 型 〇 形 態 之 述 天 將 導 的 由 -29- 201205711 在上述中,移動體71並不限於門型形狀,構成從處 理室30之側壁部中之一方延伸至處理室30之上方側,於 處理室3 0小型且輕量之時,即使構成僅在單側支撐亦可 。此時,引導構件設置在處理室30之側方之一方側。 並且,即使將多數移動體71設置成沿著共通之引導 構件而移動,例如一個移動體71位於處理室30或維修區 域Μ之上方側之時,使其他移動體71位於不同之處理室 30之上方側或真空搬運室13上方側,進行多數蓋體32 之移動亦可。再者,真空搬運室13之平面形狀並不限定 於正多角形狀,多數處理室也並不限定於構成互相相同形 狀之情形。再者,即使在真空搬運室之一邊排列兩個處理 室亦可。此時,移動台係組合旋轉台和直線移動機構而構 成。再者,連接於搬運室13之處理室30之個數即使爲兩 個以上時多少個皆可,不一定要設置蓋體32之蓋體反轉 機構4。並且,即使針對蓋體反轉機構4之時,針對真空 搬運室13之周圍中之處理室30和蓋體反轉機構4之配列 可以適當選擇。 再者,用以使移動體沿著引導構件移動之驅動部,即 使爲藉由沿著引導構件而藉由馬達移動之滑動器亦可β並 且,使蓋體保持機構8升降之升降機構即使構成在鉤型構 件81、81之上端設置升降軸,並且在升降軸之上方側設 置形成有該升降軸對螺栓部的母螺栓部的螺栓部本體,藉 由使該螺栓部本體旋轉,沿著該螺栓部本體使升降軸升降 亦可。
S -30- 201205711 再者,被設置在蓋體32之被保持部5若爲蓋體保持 機構8升降而抬起被保持部5之構成時’即使針對其形狀 並不限定,設置在蓋體32之側面亦可。再者’不一定要 在蓋體32設置被保持部5’即使在蓋體保持機構8之下 端設置磁鐵,藉由該磁鐵吸附保持蓋體而抬起亦可。 再者,即使在真空搬運室之上方側設置第1導軌構件 ,構成該第1引導構件本身藉由旋轉機構旋轉亦可。並且 ,旋轉台6即使經從床面延伸之支撐構件而設置在真空搬 運室13之上方區域亦可。再者,即使藉由蓋體保持機構 8在抬起蓋體3 2之狀態下進行氣體供給部3 5之維修亦可 。再者,就以對基板S進行蝕刻處理之時之蓋體保持機構 8之待機位置而言,並不限定於真空搬運室13之上方側 ,若爲不干擾基板S之處理或搬運之位置時,即使爲維修 區域Μ之上方側或處理室30之上方側亦可。 並且,就以處理室30而言,並不限定於基板S之蝕 刻處理,即使爲用以進行 CVD ( Chemical Vapor Deposition)等之成膜處理或灰化處理等之真空處理者亦 可。然後’就以在基板處理裝置中進行處理之基板S而言 ,除了角型之玻璃基板S以外,即使爲半導體晶圓等之圓 形基板亦可。 【圖式簡單說明】 第1圖爲表示與本發明有關之基板處理裝置之實施型 態的斜視圖。 -31 - 201205711 第2圖爲表示上述基板處理裝置之內部的橫斷俯視圖 第3圖爲表示被設置在上述基板處理裝置之處理室之 一例的縱剖圖。 第4圖爲表示被設置在上述基板處理裝置之移動體及 處理室的前視圖。 第5圖爲表示上述基板處理裝置之一部分的側面圖。 第6圖爲表示上述基板處理裝置之一部分的剖面圖。 第7圖爲表示被設置在上述基板處理裝置之蓋體搬運 機構的斜視圖。 第8圖爲用以說明上述基板處理裝置之作用的俯視圖 第9圖爲用以說明上述基板處理裝置之作用的俯視圖 〇 第10圖爲用以說明上述基板處理裝置之作用的側面 圖。 第11圖爲表示上述基板處理裝置之其他實施型態的 側面圖。 第12圖爲表示上述基板處理裝置之其他實施型態的 側面圖。 第13圖爲表示上述基板處理裝置之又一其他實施型 態的俯視圖。 第14圖爲表示上述基板處理裝置之又一其他實施型 態的側面圖。
S -32- 201205711 【主要元件符號說明】 s : FPD基板 13 :搬運室 3 :蝕刻處理裝置 30 :處理室 3 1 :容器本體 32 :蓋體 4 :蓋體反轉機構 5 :被保持部 5 0 :卡止部分 52 :第2導軌 54 :第1導軌 6 :旋轉台 71 :移動體 8 :蓋體保持機構 80 :保持部 8 0 a :水平部分 -33

Claims (1)

  1. 201205711 七、申請專利範圍·· 1. 一種基板處理裝置’在內部設置有基板搬運機構 的真空搬運室之周圍,連接預備真空室,和在各個容器本 體上設置蓋體而構成’用以對基板進行處理的多數處理室 ,該基板處理裝置之特徵爲具備: 第1引導構件’其係在上述真空搬運室之上方側,被 設置成從該真空搬運室朝向外側地水平延伸,並且在水平 方向移動; 移動體,其係被該第1引導構件引導而移動; 第2引導構件,其係爲了使該移動體在上述處理室之 上方和上述第1引導構件之間移動而予以引導,被設置成 於上述移動台靜止於對應之位置時,水平地位於上述第1 引導構件之延長線上;及 蓋體保持機構,其係被設置在上述移動體,構成於該 移動體位於第2引導構件上之時,爲了對上述容器本體拆 裝蓋體’保持蓋體而予以升降,並且在保持蓋體之狀態下 該移動體可以在第1引導構件移動。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置, 其中 具備被設置在上述真空搬運室之上方側,在水平方向 移動的移動台, 上述第1引導構件係被設置在該移動台。 3 .如申請專利範圍第2項所記載之基板處理裝置, 其中 S -34- 201205711 上述移動台係作爲以真空搬運室之中心部爲中心而繞 垂直軸旋轉的旋轉台而被構成。 4.如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置, 其中 在上述蓋體設置有被保持部,該被保持部係沿著第2 引導構件之延伸方向於橫方向延伸,包含在下方形成空間 之卡止部分’在上述蓋體保持機構設置有保持部,該保持 部係藉由一面進退移動一面進入至上述卡止部分之下方側 的空間,且之後上升而將上述卡止部分從下方側推壓來抬 起蓋體。 5 ·如申請專利範圍第1至4項中之任一項所記載之 基板處理裝置,其中 上述第2引導構件係被設置在每處理室。 6·如申請專利範圍第1至4項中之任一項所記載之 基板處理裝置,其中 上述第2引導構件係被構成於不使用時被收納於移動 台側,於使用時從移動台側伸出至處理室側。 7. 如申請專利範圍第1至6項中之任一項所記載之 基板處理裝置,其中 上述真空搬運室係平面形狀被形成多角形, 在上述真空搬運室之側面中,除用以在其外方側確保 維修區域之一個側面之外的其他側面,各連接有上述預備 真空室和處理室。 8. 如申請專利範圍第7項所記載之基板處理裝置, -35- 201205711 其中 在上述維修區域設置有保持從上述蓋體保持機構所收 授之蓋體而使反轉之蓋體反轉機構。 9.如申請專利範圍第7項所記載之基板處理裝置, 其中 上述真空搬運室具有六個側面,在該側面連接有一個 上述預備真空室和四個處理室。 S -36-
TW100121991A 2010-06-24 2011-06-23 Substrate processing apparatus TW201205711A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010144125A JP5585238B2 (ja) 2010-06-24 2010-06-24 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201205711A true TW201205711A (en) 2012-02-01

Family

ID=45359373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100121991A TW201205711A (en) 2010-06-24 2011-06-23 Substrate processing apparatus

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5585238B2 (zh)
KR (1) KR101326992B1 (zh)
CN (1) CN102299046B (zh)
TW (1) TW201205711A (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5575558B2 (ja) * 2010-06-30 2014-08-20 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP6596372B2 (ja) * 2016-03-22 2019-10-23 株式会社荏原製作所 基板ホルダ及びめっき装置
WO2018008113A1 (ja) * 2016-07-06 2018-01-11 富士機械製造株式会社 回路形成装置
JP7090469B2 (ja) * 2018-05-15 2022-06-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0745684A (ja) * 1993-07-27 1995-02-14 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の処理室
JP3694388B2 (ja) * 1997-05-26 2005-09-14 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
JPH1140643A (ja) * 1997-07-22 1999-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2000021946A (ja) * 1998-06-29 2000-01-21 C Bui Res:Kk 半導体製造装置
JP3527450B2 (ja) * 1999-12-22 2004-05-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US7211461B2 (en) * 2003-02-14 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP4302575B2 (ja) * 2003-05-30 2009-07-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置および真空処理装置
JP4285642B2 (ja) * 2003-08-12 2009-06-24 東京エレクトロン株式会社 真空容器
KR20050086265A (ko) * 2004-02-25 2005-08-30 주식회사 에이디피엔지니어링 분리형 진공챔버
KR100661752B1 (ko) * 2005-02-04 2006-12-27 주식회사 에이디피엔지니어링 운반용 호이스트 지그
JP4642608B2 (ja) * 2005-08-31 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理システム
JP4355314B2 (ja) * 2005-12-14 2009-10-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び該装置の蓋釣支装置
US8758514B2 (en) * 2007-03-02 2014-06-24 Asm Japan K.K. Cluster type semiconductor processing apparatus
KR101036186B1 (ko) * 2008-04-22 2011-05-23 엘아이지에이디피 주식회사 기판처리장치
KR101446225B1 (ko) * 2008-07-11 2014-10-01 주식회사 원익아이피에스 진공처리시스템의 반송챔버
JP5526988B2 (ja) * 2010-04-28 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理システム
JP5488227B2 (ja) * 2010-06-07 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5585238B2 (ja) 2014-09-10
KR101326992B1 (ko) 2013-11-13
KR20110140084A (ko) 2011-12-30
CN102299046A (zh) 2011-12-28
JP2012009620A (ja) 2012-01-12
CN102299046B (zh) 2014-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4642608B2 (ja) 基板処理装置および基板処理システム
KR101241644B1 (ko) 기판 처리 장치
JP3527450B2 (ja) 処理装置
KR101205416B1 (ko) 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법
TWI304241B (en) Vacuum processing apparatus
JP2008060577A (ja) バッファ機構を有する基板処理装置及び基板搬送装置
KR101299843B1 (ko) 처리 장치 및 그 메인테넌스 방법
TW201205711A (en) Substrate processing apparatus
TW201118025A (en) Assembly method of transfer mechanism and transfer chamber
KR101581993B1 (ko) 덮개 유지 지그
KR101289971B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템
JP5488227B2 (ja) 基板処理装置
KR101258350B1 (ko) 기판 처리 장치
TWI740301B (zh) 負載鎖定室
TW201701393A (zh) 載體搬送裝置及載體搬送方法
TWI732377B (zh) 基板搬送裝置
TW201428876A (zh) 基板搬送裝置及基板處理系統