JP2000323554A

JP2000323554A - 処理装置

Info

Publication number: JP2000323554A
Application number: JP13475399A
Authority: JP
Inventors: Hideki Kiryu; 秀樹桐生; Hiroshi Jinriki; 博神力; Masahito Sugiura; 正仁杉浦
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1999-05-14
Filing date: 1999-05-14
Publication date: 2000-11-24

Abstract

(57)【要約】【課題】スループットを向上させることが可能な処理
装置を提供する。【解決手段】処理装置１００の真空搬送室１０２の上
部には，予備処理室１２０が配置される。予備処理室１
２０内に配置される載置台１２４は，昇降軸１２８の上
下動により昇降プレート１２６とともに昇降する。載置
台１２４等は，降下時に，搬送アーム１０６の収縮時の
回転動作を妨げない領域に配置され，これに対応して真
空搬送室１０２が配置されている。降下時の載置台１２
４は，第１真空処理室１０８にウェハＷを搬送する搬送
経路中に配置され，搬送アーム１０６との間でウェハＷ
の受け渡しが行われる。載置台１２４の上昇時には，載
置台１２４上のウェハＷに予備処理が行われる。真空搬
送室１０２の周囲に予備処理室に代えて第２真空処理室
１１０を設けられるので，処理装置１００での処理工程
数が増え，生産効率を高めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程では，酸化処理や
成膜処理などの各種処理ごとに個別独立した複数の真空
処理装置を用いて被処理体に処理を行っている。しか
し，各真空処理装置間で被処理体を搬送する際に被処理
体が大気に曝されると，被処理体に汚染物が付着して歩
留りが低下する。そこで，従来，被処理体を大気に曝す
ことなく，一の装置内で複数の処理を施すことが可能
な，いわゆるクラスタ装置化されたマルチチャンバ型処
理装置を使用している。該処理装置は，搬送アームを備
える真空搬送室，該真空搬送室を中心としてその周囲に
配置される，上記酸化処理や成膜処理などを行う複数の
真空処理室，被処理体の表面処理や加熱処理や冷却処理
などの予備処理を行う予備処理室，被処理体を収容する
カセット室などから構成されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上記従
来の装置では，副次的な処理を行う予備処理室が真空搬
送室の周囲に配置されているので，予備処理室の存在に
より，酸化処理や成膜処理などの半導体装置の構造に関
わる処理を行う真空処理室の設置数を増やすことができ
ず，一の処理装置での処理工程数が制限されるという問
題点がある。

【０００４】また，真空搬送室の周囲に配置される処理
室を増やすと，処理装置のフットプリント（占有設置面
積）が大きくなり，処理装置が配されるクリーンルーム
内のスペースを有効活用できないという問題点がある。

【０００５】本発明は，従来の処理装置が有する上記問
題点に鑑みて成されたものであり，本発明の目的は，上
記問題点およびその他の問題点を解決することが可能
な，新規かつ改良された処理装置を提供することであ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明によれば，請求項１に記載の発明のように，
被処理体を搬送する搬送手段を備えた搬送室と，搬送室
の周囲に配置され被処理体に処理を施す１または２以上
の真空処理室とを備えた処理装置において，搬送室の上
部および／または下部に設けられ，被処理体に予備処理
を施す予備処理室と，予備処理室と搬送室との間を移動
可能であり，搬送室内にある第一位置おいて搬送手段と
の間において被処理体の受け渡しを行い，予備処理室内
にある第二位置において被処理体を載置する昇降手段と
を備えることを特徴とする処理装置が提供される。

【０００７】本発明によれば，予備処理室が搬送室の上
部や下部に配されるので，従来，予備処理室が設けられ
ていた場所に真空処理室を設けることができる。その結
果，一の処理装置でさらに多くの真空処理を連続して行
うことが可能となり，スループットを向上させることが
できる。さらに，処理装置のフットプリントが大きくな
らないので，既存のクリーンルーム内に処理装置を配置
することができる。また，昇降手段が搬送室内と予備処
理室内との間の被処理体の移送を行うので，搬送手段の
搬送効率が低下することがない。

【０００８】また，昇降手段の第一位置を，例えば請求
項２に記載の発明のように，搬送手段により真空処理室
に被処理体を搬送する搬送経路中に配置すれば，昇降手
段上の被処理体を受け取った後に搬送手段を半径方向に
延伸させることにより，被処理体を真空処理室内に搬入
することができ，あるいは真空処理室内の被処理体を受
け取った後に搬送手段を半径方向に収縮させることによ
り，被処理体を昇降手段上に載置することができる。そ
の結果，昇降手段と真空処理室との間で被処理体を搬送
する際に，搬送手段の移動距離を短縮することができる
ので，搬送時間を短縮することができる。

【０００９】また，昇降手段の第一位置を，例えば請求
項３に記載の発明のように，搬送手段の収縮時の回転動
作を妨げない領域に配置すれば，昇降手段と搬送手段が
相互に干渉しないので，搬送手段と昇降手段の搬送動作
や，搬送手段と昇降手段との間での被処理体の受け渡し
動作を確実に行うことができる。

【００１０】また，昇降手段を，例えば請求項４に記載
の発明のように，第二位置において，予備処理室を気密
に閉止可能に構成すれば，他の密閉手段を設けることな
く，予備処理室を密閉することができる。その結果，例
えば予備処理室内に処理ガスを導入する場合には，予備
処理室内の圧力を所定条件に維持することができ，さら
に処理時に予備処理室内のガスが搬送室内に漏洩して搬
送室内が汚染されることを防止できる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下に，添付図面を参照しながら
本発明にかかる処理装置を，マルチチャンバ型処理装置
に適用した好適な実施の形態について，詳細に説明す
る。なお，以下の説明において，略同一の機能および構
成を有する構成要素については，同一の符号を付するこ
とにより，重複説明を省略する。

【００１２】（第１の実施の形態）（１）処理装置の全体構成まず，処理装置１００の構成について概略すると，図１
に示すように，真空搬送室１０２は，気密な搬送容器１
０４内に形成されている。真空搬送室１０２内には，被
処理体，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」と称す
る。）Ｗを搬送するための搬送手段，例えばスカラ型
（シングル）搬送アーム１０６が配置されており，該搬
送アーム１０６は，水平方向に回転および上下動自在に
構成されている。また，真空搬送室１０２の周囲には，
例えばゲート酸化膜とゲート電極をウェハＷに形成する
ための後述の各種処理を施す第１〜第３真空処理室１０
８，１１０，１１２と，ウェハＷを冷却する冷却室１１
４と，複数のウェハＷを収容する不図示のカセットが配
置される第１および第２カセット室１１６，１１８が，
ゲートバルブＧ１〜Ｇ６を介して接続されている。

【００１３】また，第１真空処理室１０８では，例えば
Ｏ_２やＮＯを処理ガスとして使用し，ウェハＷを６００
℃〜７００℃程度に加熱することにより，ウェハＷに酸
化処理や窒化処理が施されてゲート酸化膜が形成され
る。第２真空処理室１１０では，例えばＴａ（ＯＣ_２Ｈ
_５）_５を処理ガスとして使用し，ウェハＷを４８０℃程
度に加熱することにより，ウェハＷにＴａ_２Ｏ_５膜が形
成される。第３真空処理室１１２では，例えばＷＦ_６お
よびＮＨ_３を処理ガスとして使用し，ウェハＷを４００
℃程度に加熱することにより，ウェハＷにＷＮ膜が成膜
されて，ゲート電極が形成される。

【００１４】また，真空搬送室１０２の上部には，本実
施の形態の特徴である，ウェハＷ表面に付着した汚染物
の除去処理を行うための予備処理室１２０が配置されて
いる。次に，かかる予備処理室１２０の構成について詳
述する。

【００１５】（２）予備処理室の構成図２および図３に示すように，予備処理室１２０は，気
密な処理容器１２２内に形成されている。また，図２に
示すように，予備処理室１２０内には，ウェハＷを載置
可能な載置台１２４が配置されている。載置台１２４
は，予備処理室１２０の床部を構成する昇降プレート１
２６上に設けられており，昇降プレート１２６に接続さ
れた昇降軸１２８を不図示の駆動機構により上下動させ
ると，昇降プレート１２６に連動して載置台１２４を昇
降させることができる。かかる構成により，図３に示す
ように，載置台１２４を降下させれば，載置台１２４が
真空搬送室１０２内に配置されるので，搬送アーム１０
６と載置台１２４との間でウェハＷの受け渡しを行うこ
とができる。また，載置台１２４を上昇させれば，ウェ
ハＷを予備処理室１２０内に配置することができる。ま
た，載置台１２４の載置面には，ウェハＷを載置面から
所定高さだけ上方に配置させるためのピン１３０が設け
られており，かかる構成により，ウェハＷと載置面との
間に搬送アーム１０６をスムーズに侵入させることがで
きる。なお，処理容器１２２と載置台１２４と昇降プレ
ート１２６と昇降軸１２８は，例えば表面が陽極酸化処
理されたアルミニウムから形成されている。

【００１６】また，昇降手段としての載置台１２４と昇
降プレート１２６と昇降軸１２８は，図１に示すよう
に，上記ウェハＷの受け渡し位置（第一位置）まで降下
した際に，ウェハＷを保持した搬送アーム１０６が収縮
時に水平方向に回転可能な領域Ｘよりも半径方向外側領
域に配置される。従って，載置台１２４等の降下時に，
搬送アーム１０６の回転動作を妨げることがない。

【００１７】また，上記降下時の載置台１２４は，第１
真空処理室１０８内にウェハＷを搬送する搬送経路中に
配置されている。かかる構成により，搬送アーム１０６
をゲートバルブＧ１方向に直線的に延伸させれば，予備
処理済みのウェハＷを載置台１２４上から受け取り，第
１真空処理室１０８内に搬送することができる。その結
果，搬送アーム１０６を後退させたり，あるいは回転さ
せる必要がないので，搬送アーム１０６の搬送距離が短
縮されて，ウェハＷの搬送を迅速に行うことができる。
なお，予備処理室１２０は，上述の如く配される載置台
１２４等の位置に対応して，真空搬送室１０２上部に配
置されている。

【００１８】また，図２に示すように，載置台１２４を
予備処理室１２０内のウェハＷの載置位置（第二位置）
にまで上昇させた際には，昇降プレート１２６が真空搬
送室１０２の天井部を構成する搬送容器１０４上壁部に
密着し，予備処理室１２０内と真空搬送室１０２内が分
離される。さらに，昇降プレート１２６の上面には，昇
降プレート１２６の上昇時に搬送容器１０４壁部と密着
する気密部材１３４が設けられているので，予備処理室
１２０内と真空搬送室１０２内との間の気密性を確保で
きる。かかる構成により，後述する予備処理室１２０内
の汚染物を含むガスが真空搬送室１０２に漏れ出さない
ので，真空搬送室１０２内の汚染を防止できる。また，
真空搬送室１０２外部に露出する昇降軸１２８は，真空
搬送室１０２内の気密性を維持するための伸縮自在な気
密部材，例えばステンレス製のベローズ１３２により囲
われている。

【００１９】また，予備処理室１２０上方の処理容器１
２２外部には，例えば１７２ｎｍ〜３６０ｎｍの紫外線
（以下，「ＵＶ」という。）を放出する低圧水銀ランプ
や無電極ランプなどのＵＶランプ１３６が配置されてい
る。このＵＶランプ１３６から発せされるＵＶは，予備
処理室１２０の天井部を構成する処理容器１２２の上部
壁に嵌装された合成石英などから成るＵＶ透過窓１３８
を介して，予備処理室１２０内に導入され，載置台１３
０上のウェハＷ上面に照射される。かかる構成により，
ウェハＷにＵＶが照射されると，ＵＶのエネルギーによ
ってウェハＷ表面に付着している汚染物，例えばカーボ
ンなどの有機物とウェハＷ表面との化学結合が切断され
て，汚染物が除去される。

【００２０】また，予備処理室１２０内には，不図示の
ガス供給源からガス供給管１４０を介して処理ガス，例
えばＯ_２やＯ_３やＮ_２やＣｌ_２などが導入される。従っ
て，上記ＵＶの照射とともに処理ガスを供給すれば，処
理ガスにもＵＶが照射されて活性原子が生じ，該活性原
子によりウェハＷ表面に付着した汚染物をさらに確実に
除去することができる。また，予備処理室１２０内のガ
スは，排気管１４２を介して不図示の真空ポンプにより
排気される。

【００２１】（３）処理装置の動作次に，図１〜図３を参照しながら，上述の如く構成され
た処理装置１００の動作について説明する。まず，搬送
アーム１０６により，図１に示す第１および第２カセッ
ト室１１６，１１８内のいずれか一方から真空搬送室１
０２内に搬送されたウェハＷを，図３に示す真空搬送室
１０２内に降下した載置台１２４上に載置した後，搬送
アーム１０６を退避させる。次いで，図２に示すよう
に，載置台１２４を上昇させて，ウェハＷを予備処理室
１２０内に配置するとともに，昇降プレート１２６によ
り予備処理室１２０内を密閉する。その後，予備処理室
１２０内に処理ガスを導入するとともに，ＵＶランプ１
３６から発せられたＵＶを処理ガスおよびウェハＷ上面
に照射し，処理装置１００に搬送される前にウェハＷ表
面に付着したカーボンを除去する。

【００２２】汚染物除去処理後，再び図３に示すよう
に，載置台１２４を降下させ，搬送アーム１０６によ
り，載置台１２４上のウェハＷを受け取る。さらに，搬
送アーム１０６を延伸させて，ウェハＷを第１真空搬送
室１０８内に搬入し，第１真空処理室１０８内でウェハ
Ｗに酸化処理を施してゲート酸化膜を形成する。この
際，予備処理済みのウェハＷが第１真空搬送室１０８内
に迅速に搬送されるので，搬送時に汚染物がウェハＷに
付着することがなく，その結果ウェハＷに所望の酸化処
理を施すことができる。

【００２３】その後，ゲート酸化膜が形成されたウェハ
Ｗは，真空搬送室１０２内を介して順次第２および第３
真空処理室１１０，１１２内に搬送され，ウェハＷにＴ
ａ_２Ｏ_５膜およびＷＮ膜が成膜されて，ゲート電極が形
成される。そして，ゲート電極が形成されたウェハＷ
は，冷却室１１４内で所定温度まで冷却された後，該ウ
ェハＷが収容されていた第１または第２カセット室１１
６，１１８内に再び搬送される。

【００２４】本実施の形態は，以上のように構成されて
おり，予備処理室１２０を真空搬送室１０２上部に設け
たので，従来，予備処理室が設けられていた場所に，例
えば第２真空処理室１１０を設けることができ，より多
くの処理を処理装置１００で行うことができる。また，
他の装置が設けられていることが比較的少ない真空搬送
室１０２の上部に予備処理室１２０を設けたので，装置
設計上の大幅な変更が生じることがない。

【００２５】（第２の実施の形態）次に，図４を参照し
ながら，本発明の第２の実施の形態について説明する。
処理装置２００を構成する本実施の形態にかかる予備処
理室２０２は，真空搬送室１０２の下部に設けられてい
る。また，予備処理室２０２は，例えば表面が陽極酸化
処理されたアルミニウム製の処理容器２０４内に形成さ
れている。ただし，予備処理室２０２の側壁の一部は，
後述のように予備処理室２０２の床部２０４ａが昇降し
ても，予備処理室２０２内の気密性が確保されるように
伸縮自在な気密部材，例えばステンレス製のベローズ２
０６から構成されている。

【００２６】また，予備処理室２０２内に配置される載
置台１２４は，不図示の駆動機構により昇降軸２０８を
介して昇降する床部２０４ａ上に設けられている。従っ
て，載置台１２４を上昇させれば，搬送アーム１０６と
載置台１２４との間でウェハＷの受け渡しを行うことが
でき，また載置台１２４を降下させれば，ウェハＷを予
備処理室２０２に配置することができる。なお，上昇時
の載置台１２４は，第１の実施の形態と同様に，搬送ア
ーム１０６の回転動作を妨げず，かつ第１真空搬送室１
０８内にウェハＷを搬送する搬送経路中に配置されてい
る。また，予備処理室２０２は，載置台１２４の位置に
対応して配置されている。また，予備処理室２０２と真
空搬送室１０２との間には，開閉自在に予備処理室２０
２内と真空搬送室１０２内とを気密に分離するゲートバ
ルブＧ７が配置されている。

【００２７】また，予備処理室２０２には，載置台１２
４上に載置されたウェハＷ上面にＵＶを照射可能な不図
示のＵＶランプが設けられており，第１の実施の形態と
同様に，ウェハＷに汚染物除去処理を施すことができ
る。なお，その他の構成は，上述した処理装置１００と
略同一に構成されている。

【００２８】本実施の形態は，以上のように構成されて
おり，予備処理室２０２を真空搬送室１０２の下部に配
置し，載置台１２４の下部に昇降機構を設けたので，載
置台１２４の上方に昇降軸等の昇降機構が配されること
がなく，搬送アーム１０６の搬送動作が制限されること
がない。

【００２９】（第３の実施の形態）次に，図５を参照し
ながら，本発明の第３の実施の形態について説明する。
処理装置３００を構成する予備処理室２０２内の載置台
１２４には，不図示の駆動機構の作動によりウェハＷを
昇降可能なリフタピン３０２が設けられている。従っ
て，ゲートバルブＧ７の開放時に，リフタピン３０２を
上昇させれば，リフタピン３０２と搬送アーム１０６と
の間でウェハＷの受け渡しを行うことができる。また，
ウェハＷを保持したリフタピン３０２を降下させれば，
ウェハＷを載置台１２４上に載置することができる。な
お，その他の構成は，上記第２の実施の形態と同様であ
る。かかる構成により，載置台１２４を昇降させなくて
もウェハＷの受け渡しができるので，装置構成を簡素化
することができる。

【００３０】（第４の実施の形態）次に，図６〜図９を
参照しながら，本発明の第４の実施の形態について説明
する。（１）処理装置の全体構成まず，処理装置４００の構成について概略すると，図６
に示すように，真空搬送室１０２内には，４枚のウェハ
Ｗを同時に搬送可能なバッチ型搬送アーム４０２が配置
されている。この搬送アーム４０２は，上記搬送アーム
１０６と同一に構成された４つの第１〜第４搬送アーム
４０２ａ，４０２ｂ，４０２ｃ，４０２ｄから成り，そ
れぞれ独立してウェハＷの搬送を行うことができる。な
お，図９に示す例では，第１〜第４搬送アーム４０２
ａ，４０２ｂ，４０２ｃ，４０２ｄを概略的に図示して
いる。また，図６に示す真空搬送室１０２の周囲には，
例えば上記ＷＮ膜を成膜する第３真空処理室１１２と同
一に構成された第１〜第４真空処理室４０４，４０６，
４０８，４１０が接続されている。

【００３１】（２）予備処理室の構成次に，図６〜図８を参照しながら，本実施の形態の特徴
である第１〜第４予備処理室４１２，４１４，４１６，
４１８について説明する。第１〜第４予備処理室４１
２，４１４，４１６，４１８は，上記予備処理室１２０
と同様に，降下時に各載置台１２４と昇降プレート１２
６と昇降軸１２８が領域Ｘよりも半径方向外側領域に配
置されるように，真空搬送室１０２上部に設けられてい
る。また，各載置台１２４は，上記第１の実施の形態と
同様に，降下時に，それぞれ第１〜第４真空処理室４０
４，４０６，４０８，４１０にウェハＷを搬送する搬送
経路中に配置されている。

【００３２】また，第１〜第４予備処理室４１２，４１
４，４１６，４１８は，図７および図８に示すように，
それぞれ略同一に構成されており，さらに上述した予備
処理室１２０と基本的には同一に構成されている。ここ
で，第１予備処理室４１２を例に挙げて，予備処理室１
２０と異なる構成について説明する。図７に示すよう
に，第１予備処理室４１２の上部の処理容器１２２外部
には，赤外線ランプなどの加熱ランプ４２０が配置され
ており，加熱ランプ４２０を発光させると，処理容器１
２２上壁部に嵌合された透過窓４２２を介して，第１予
備処理室４１２内の載置台１３０上に載置されたウェハ
Ｗが所定温度，例えば４００℃程度に予備加熱される。
なお，第１予備処理室４１２には，ガス供給管１４０お
よび排気管１４２は設けられていないが，もちろん上記
予備処理室１２０と同様に設けても良いことはいうまで
もない。

【００３３】（３）処理装置の動作次に，図６〜図９を参照しながら，ウェハＷにＷＮ膜を
形成する場合を例に挙げて，上述した処理装置４００の
動作について説明する。まず，図９に示すように，第１
〜第４搬送アーム４０２ａ，４０２ｂ，４０２ｃ，４０
２ｄにより，例えば第１カセット室１１６内のカセット
４２４に収容された４枚のウェハＷを受け取り，図６に
示すように，真空搬送室１０２内に搬送する。その後，
ウェハＷを，図７および図８に示すように，それぞれ異
なる高さの第１〜第４予備処理室４１２，４１４，４１
６，４１８に対応する各載置台１２４上に載置する。次
いで，各載置台１２４を上昇させて，各ウェハＷを第１
〜第４予備処理室４１２，４１４，４１６，４１８内に
配置した後，各加熱ランプ４２０を発光させて各ウェハ
Ｗを予備加熱する。

【００３４】予備加熱後，図７および図８に示すよう
に，各載置台１２４を再び降下させ，第１〜第４搬送ア
ーム４０２ａ，４０２ｂ，４０２ｃ，４０２ｄにより，
各載置台１２４上に載置されている各ウェハＷを受け取
り，第１〜第４真空処理室４０４，４０６，４０８，４
１０内に搬入して，各ウェハＷにＷＮ膜を形成する。そ
して，成膜された各ウェハＷは，再び真空搬送室１０２
内を介して，第１カセット室１１６のカセットに搬送さ
れる。

【００３５】本実施の形態は，以上のように構成されて
おり，真空搬送室１０２の上部に，第１〜第４真空処理
室４０４，４０６，４０８，４１０のそれぞれに対応す
る第１〜第４予備処理室４１２，４１４，４１６，４１
８を設けたので，同時に４枚のウェハＷに加熱処理と成
膜処理とを施すことができる。その結果，ウェハＷの生
産効率を向上させることができる。

【００３６】以上，本発明の好適な実施の形態につい
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されるものではない。特許請求の範囲に記
載された技術的思想の範疇において，当業者であれば，
各種の変更例および修正例に想到し得るものであり，そ
れら変更例および修正例についても本発明の技術的範囲
に属するものと了解される。

【００３７】例えば，上記第１〜第４の実施の形態にお
いて，スカラ型の搬送アームを採用する構成を例に挙げ
て説明したが，本発明はかかる構成に限定されるもので
はなく，例えば図１０に示ように，２枚のウェハＷを同
時に搬送可能なフロッグレッグ型の搬送アーム５００を
採用しても，本発明を実施することができる。ただし，
かかる場合には，スカラ型搬送アームよりもフロッグレ
ッグ型搬送アーム５００の方がより広い移動領域が必要
なので，真空搬送室１０２内の容積を大きくすることが
好ましく，さらにゲートバルブＧ１〜Ｇ６の水平方向の
幅を広くすることが好ましい。

【００３８】また，上記第１および第４の実施の形態に
おいて，ベローズにより真空搬送室外部に突出した昇降
軸を覆う構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる
構成に限定されるものではなく，例えば図１１に示すよ
うに，真空搬送室１０２内部に露出する昇降軸１２８を
ベローズ６００で覆う構成を採用しても，本発明を実施
することができる。

【００３９】また，上記第４の実施の形態において，各
予備処理室を全て真空搬送室の上部に形成する構成を例
に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定される
ものではなく，予備処理室を複数設ける場合には，上部
または下部のいずれか一方，あるいは上部および下部の
双方に配置しても，本発明を実施することができる。

【００４０】また，上記第１〜第３の実施の形態におい
て，予備処理室内で汚染物除去処理を行い，また上記第
４の実施の形態において，予備処理室内で加熱処理を行
う構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に
限定されるものではなく，上述した汚染物除去処理およ
び加熱処理に加え，冷却処理などの各種予備処理を予備
処理室内で行う場合にも，本発明を適用することができ
る。

【００４１】また，上記第４の実施の形態において，加
熱ランプによりウェハを加熱する構成を例に挙げて説明
したが，本発明はかかる構成に限定されるものではな
く，例えば載置台に内装されたヒータなどの加熱手段に
より被処理体を加熱する構成を採用しても，本発明を実
施することができる。

【００４２】また，上記第１〜第４の実施の形態におい
て，真空搬送室の周囲に６つの真空処理室等を配置する
構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限
定されるものではなく，５つ以下あるいは７つ以上の真
空処理室を搬送室の周囲に配置しても，本発明を実施す
ることができる。

【００４３】

【発明の効果】本発明によれば，搬送室の周囲に予備処
理室に代えて真空処理室を接続できるので，一の処理装
置でより多くの処理を被処理体に施すことができ，半導
体装置を効率良く生産することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用可能な処理装置を示す概略的な平
面図である。

【図２】図２に示す予備処理室を表す概略的な拡大断面
図である。

【図３】図１に示す処理装置をＡ−Ａ線に沿う平面にお
いて切断した概略的な断面図である。

【図４】図１に示す処理装置に適用可能な他の予備処理
室を示す概略的な断面図である。

【図５】図１に示す処理装置に適用可能な他の予備処理
室を示す概略的な断面図である。

【図６】本発明を適用可能な他の処理装置を示す概略的
な平面図である。

【図７】図６に示す処理装置をＢ−Ｂ線に沿う平面にお
いて切断した概略的な断面図である。

【図８】図６に示す処理装置をＣ−Ｃ線またはＤ−Ｄ線
に沿う平面において切断した概略的な断面図である。

【図９】図６に示す処理装置をＥ−Ｅ線に沿う平面にお
いて切断した概略的な断面図である。

【図１０】本発明を適用可能な他の処理装置を示す概略
的な平面図である。

【図１１】図１に示す処理装置に適用可能な他の昇降軸
を示す概略的な断面図である。

【符号の説明】

１００処理装置１０２真空搬送室１０６搬送アーム１０８，１１０，１１２第１〜第３真空処理室１１４冷却室１１６，１１８第１および第２カセット室１２０予備処理室１２４載置台１２６昇降プレート１２８昇降軸１３０ピン１３２ベローズ１３４気密部材１３６ＵＶランプ１３８ＵＶ透過窓１４０ガス供給管１４２排気管Ｗウェハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者杉浦正仁山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１東京エレクトロン山梨株式会社内Ｆターム(参考） 4K029 BD01 KA01 KA09 4K030 GA12 KA28 5F031 FA11 FA12 GA43 GA49 MA04 MA28 MA29 MA30 NA02 NA05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体を搬送する搬送手段を備えた搬
送室と，前記搬送室の周囲に配置され被処理体に処理を
施す１または２以上の真空処理室とを備えた処理装置に
おいて，前記搬送室の上部および／または下部に設けら
れ，前記被処理体に予備処理を施す予備処理室と，前記
予備処理室と前記搬送室との間を移動可能であり，前記
搬送室内にある第一位置おいて前記搬送手段との間にお
いて前記被処理体の受け渡しを行い，前記予備処理室内
にある第二位置において前記被処理体を載置する昇降手
段と，を備えることを特徴とする，処理装置。
【請求項２】前記昇降手段の前記第一位置は，前記搬
送手段により前記真空処理室に前記被処理体を搬送する
搬送経路中にあることを特徴とする，請求項１に記載の
処理装置。
【請求項３】前記昇降手段の前記第一位置は，前記搬
送手段の収縮時の回転動作を妨げない領域に配置される
ことを特徴とする，請求項１または２のいずれかに記載
の処理装置。
【請求項４】前記昇降手段は，前記第二位置におい
て，前記予備処理室を気密に閉止可能であることを特徴
とする，請求項１，２または３のいずれかに記載の処理
装置。