JP2001104776A - 処理装置及び処理方法 - Google Patents
処理装置及び処理方法Info
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- JP2001104776A JP2001104776A JP28561299A JP28561299A JP2001104776A JP 2001104776 A JP2001104776 A JP 2001104776A JP 28561299 A JP28561299 A JP 28561299A JP 28561299 A JP28561299 A JP 28561299A JP 2001104776 A JP2001104776 A JP 2001104776A
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構造で効率よく紫外線を照射すること
ができ、被処理基板の搬送を円滑に行いつつ紫外線を照
射することのできる処理装置や処理方法を提供する。 【解決手段】 移載室８と各処理チャンバ１２とを接続
する各ゲートバルブ付近に紫外線照射装置１００，１０
１を配設し、これら紫外線照射装置１００，１０１のオ
ン／オフと移載アーム１６の動作とを同期させ、移載ア
ーム１６上にウエハＷが保持された状態で紫外線照射装
置１００，１０１の真下の位置を通過する度にウエハＷ
表面に紫外線が照射されるような構成にしたので、ウエ
ハＷの搬送速度を損なわずに効率よく紫外線照射による
ウエハＷの表面清浄化処理を施すことができる。
ができ、被処理基板の搬送を円滑に行いつつ紫外線を照
射することのできる処理装置や処理方法を提供する。 【解決手段】 移載室８と各処理チャンバ１２とを接続
する各ゲートバルブ付近に紫外線照射装置１００，１０
１を配設し、これら紫外線照射装置１００，１０１のオ
ン／オフと移載アーム１６の動作とを同期させ、移載ア
ーム１６上にウエハＷが保持された状態で紫外線照射装
置１００，１０１の真下の位置を通過する度にウエハＷ
表面に紫外線が照射されるような構成にしたので、ウエ
ハＷの搬送速度を損なわずに効率よく紫外線照射による
ウエハＷの表面清浄化処理を施すことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコンウエハなど
の被処理基板にＣＶＤやエッチングなどの処理を施す処
理装置や処理方法に係り、更に詳細には被処理基板表面
に紫外線を照射して処理する処理装置や処理方法に関す
る。
の被処理基板にＣＶＤやエッチングなどの処理を施す処
理装置や処理方法に係り、更に詳細には被処理基板表面
に紫外線を照射して処理する処理装置や処理方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置の製造には、ＣＶ
Ｄ、エッチング、その他の処理が必要とされる。その際
にウエハ表面に有機物などの不純物が付着しているとウ
エハの表面処理に支障をきたし、欠陥品ができる確率が
増大する。そのため、ウエハ表面に各種の処理を施して
ウエハ表面を清浄に保つことが必要となる。
Ｄ、エッチング、その他の処理が必要とされる。その際
にウエハ表面に有機物などの不純物が付着しているとウ
エハの表面処理に支障をきたし、欠陥品ができる確率が
増大する。そのため、ウエハ表面に各種の処理を施して
ウエハ表面を清浄に保つことが必要となる。
【０００３】このウエハ表面を清浄に保つ方法の一つと
してウエハ表面に紫外線を照射してウエハ表面に付着し
た有機物を分解せしめ、しかる後に真空引きすることに
より蒸発させて除去する方法が採用されている。
してウエハ表面に紫外線を照射してウエハ表面に付着し
た有機物を分解せしめ、しかる後に真空引きすることに
より蒸発させて除去する方法が採用されている。
【０００４】例えば、特開昭５８−５８７２６号にはプ
ラズマ反応炉の処理部とアンローダとの間に紫外線照射
部を設け、搬送アームで保持されたウエハが通過する度
にウエハ表面に紫外線を照射する構造の装置が開示され
ている。
ラズマ反応炉の処理部とアンローダとの間に紫外線照射
部を設け、搬送アームで保持されたウエハが通過する度
にウエハ表面に紫外線を照射する構造の装置が開示され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、この装置で
は、搬送部分全体をハウジングで覆い、このハウジング
内にウエハを搬入した後の搬送工程で紫外線を照射する
構造となっているため、装置全体の構造が複雑になると
いう問題がある。
は、搬送部分全体をハウジングで覆い、このハウジング
内にウエハを搬入した後の搬送工程で紫外線を照射する
構造となっているため、装置全体の構造が複雑になると
いう問題がある。
【０００６】また、このハウジングに対してウエハを一
々出し入れする工程が余分に必要となるため、全体の工
程数が多くなり、スループットを向上させることが難し
いという問題がある。
々出し入れする工程が余分に必要となるため、全体の工
程数が多くなり、スループットを向上させることが難し
いという問題がある。
【０００７】本発明は上記の問題を解決するためになさ
れたものである。即ち、本発明は、簡単な構造で効率よ
く紫外線を照射することのできる処理装置を提供するこ
とを目的とする。
れたものである。即ち、本発明は、簡単な構造で効率よ
く紫外線を照射することのできる処理装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】また、本発明は被処理基板の搬送を円滑に
行いつつ紫外線を照射することのできる処理装置や処理
方法を提供することを目的とする。
行いつつ紫外線を照射することのできる処理装置や処理
方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の処理装置は、被
処理基板を処理する２以上の処理チャンバと、前記各処
理チャンバに隣接し、前記各処理チャンバとの間で被処
理基板を出し入れする移載室と、前記チャンバ内及び前
記移載室内に真空を供給する手段と、前記各処理チャン
バと前記移載室との間に配設された紫外線照射装置と、
を具備する。
処理基板を処理する２以上の処理チャンバと、前記各処
理チャンバに隣接し、前記各処理チャンバとの間で被処
理基板を出し入れする移載室と、前記チャンバ内及び前
記移載室内に真空を供給する手段と、前記各処理チャン
バと前記移載室との間に配設された紫外線照射装置と、
を具備する。
【００１０】上記処理装置において、紫外線照射装置
は、前記各処理チャンバ内の被処理基板搬送路の上側に
配設してもよく、前記移載室内の被処理基板搬送路の上
側に配設してもよく、更に、前記各処理チャンバ内の被
処理基板搬送路の上側及び前記移載室内の被処理基板搬
送路の上側の両方に配設しても良い。
は、前記各処理チャンバ内の被処理基板搬送路の上側に
配設してもよく、前記移載室内の被処理基板搬送路の上
側に配設してもよく、更に、前記各処理チャンバ内の被
処理基板搬送路の上側及び前記移載室内の被処理基板搬
送路の上側の両方に配設しても良い。
【００１１】また、本発明の方法は、処理チャンバと移
載室との間をアームに保持された被処理基板が搬送され
る間に該被処理基板に紫外線を照射する処理方法であっ
て、紫外線ランプのオンオフが前記アームの動作と同期
して行われることを特徴とする。
載室との間をアームに保持された被処理基板が搬送され
る間に該被処理基板に紫外線を照射する処理方法であっ
て、紫外線ランプのオンオフが前記アームの動作と同期
して行われることを特徴とする。
【００１２】上記方法において、紫外線ランプのオン／
オフが前記扉の開閉動作と同期して行われるように制御
しても良い。
オフが前記扉の開閉動作と同期して行われるように制御
しても良い。
【００１３】本発明では被処理基板の搬送経路上に紫外
線照射装置を配設した構造を採用しているので、簡単な
構造で効率よく紫外線を照射することができる。また、
被処理基板の搬送を迅速に行いつつ紫外線を照射するこ
とができる。
線照射装置を配設した構造を採用しているので、簡単な
構造で効率よく紫外線を照射することができる。また、
被処理基板の搬送を迅速に行いつつ紫外線を照射するこ
とができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を添付
図面に基づいて説明する。
図面に基づいて説明する。
【００１５】図１は本実施形態に係るクラスタツール装
置を示す概略構成図である。このクラスタツール装置２
は、被処理基板としてのウエハＷに対して成膜処理、拡
散処理、エッチング処理等の各種の処理を行う処理シス
テム４と、この処理システム４に対してウエハＷを搬
入、搬出させる搬送システム６とにより主に構成され
る。 処理システム４は、真空引き可能になされた移載
室８と、ゲートバルブ１０Ａ〜１０Ｄを介して連結され
た４つの処理チャンバ１２Ａ〜１２Ｄよりなり、各チャ
ンバ１２Ａ〜１２Ｄにおいて同種の或いは異種の熱処理
をウエハＷに対して施すようになっている。各チャンバ
１２Ａ〜１２Ｄ内には、ウエハＷを載置するためのサセ
プタ１４Ａ〜１４Ｄがそれぞれ設けられる。また移載室
８内には、屈伸及び旋回自在に構成された移載アーム１
６が設けられ、各処理チャンバ１２Ａ〜１２Ｄ間や後述
するロードロック室間とウエハＷの受け渡しを行うよう
になっている。
置を示す概略構成図である。このクラスタツール装置２
は、被処理基板としてのウエハＷに対して成膜処理、拡
散処理、エッチング処理等の各種の処理を行う処理シス
テム４と、この処理システム４に対してウエハＷを搬
入、搬出させる搬送システム６とにより主に構成され
る。 処理システム４は、真空引き可能になされた移載
室８と、ゲートバルブ１０Ａ〜１０Ｄを介して連結され
た４つの処理チャンバ１２Ａ〜１２Ｄよりなり、各チャ
ンバ１２Ａ〜１２Ｄにおいて同種の或いは異種の熱処理
をウエハＷに対して施すようになっている。各チャンバ
１２Ａ〜１２Ｄ内には、ウエハＷを載置するためのサセ
プタ１４Ａ〜１４Ｄがそれぞれ設けられる。また移載室
８内には、屈伸及び旋回自在に構成された移載アーム１
６が設けられ、各処理チャンバ１２Ａ〜１２Ｄ間や後述
するロードロック室間とウエハＷの受け渡しを行うよう
になっている。
【００１６】一方、搬送システム６は、キャリアカセッ
トを載置するカセットステージ１８とウエハＷを搬送し
て受け渡しを行うための搬送アーム２０を移動させる搬
送ステージよりなる。カセットステージ１８には、容器
載置台２４が設けられ、ここに複数、図示例にあっては
最大４つのキャリアカセット２６Ａ〜２６Ｄを載置でき
るようになっている。各キャリアカセット２６Ａ〜２６
Ｄには、最大例えば２５枚のウエハＷを等間隔で多段に
載置して収容できるようになっている。
トを載置するカセットステージ１８とウエハＷを搬送し
て受け渡しを行うための搬送アーム２０を移動させる搬
送ステージよりなる。カセットステージ１８には、容器
載置台２４が設けられ、ここに複数、図示例にあっては
最大４つのキャリアカセット２６Ａ〜２６Ｄを載置でき
るようになっている。各キャリアカセット２６Ａ〜２６
Ｄには、最大例えば２５枚のウエハＷを等間隔で多段に
載置して収容できるようになっている。
【００１７】搬送ステージ２２には、その中心部を長さ
方向に沿って延びる案内レール２８が設けられており、
この案内レール２８に上記搬送アーム２０がスライド移
動可能に支持されている。この案内レール２８には、移
動機構として例えばボールネジ３０が併設されており、
このボールネジ３０に上記搬送アーム２０の基部３４が
嵌装されている。従って、このボールネジ３０の端部に
設けた駆動モータ３２を回転駆動することにより、搬送
アーム２０は案内レール２８に沿って移動することにな
る。
方向に沿って延びる案内レール２８が設けられており、
この案内レール２８に上記搬送アーム２０がスライド移
動可能に支持されている。この案内レール２８には、移
動機構として例えばボールネジ３０が併設されており、
このボールネジ３０に上記搬送アーム２０の基部３４が
嵌装されている。従って、このボールネジ３０の端部に
設けた駆動モータ３２を回転駆動することにより、搬送
アーム２０は案内レール２８に沿って移動することにな
る。
【００１８】また、搬送ステージ２２の他端には、ウエ
ハＷの位置決めを行う方向位置決め装置としてのオリエ
ンタ３６が設けられ、更に、搬送ステージ２２の途中に
は、上記移載室８との間を連結するために真空引き可能
になされた２つのロードロック室３８Ａ、３８Ｂが設け
られる。各ロードロック室３８Ａ、３８Ｂ内には、ウエ
ハＷを載置する被搬送体載置台４０Ａ、４０Ｂが設けら
れると共に、各ロードロック室３８Ａ、３８Ｂの前後に
は、移載室８或いは搬送ステージ２２へ連通するための
ゲートバルブ４２Ａ、４２Ｂ及び４４Ａ、４４Ｂがそれ
ぞれ設けられる。 図２はクラスタツール装置２の水平
方向の位置関係を模式的に示した垂直断面図である。図
２に示したように、このクラスタツール装置２では図中
右端にカセットステージ１８、搬送アーム２０、ロード
ロック室３８からなる搬送システム６が配設されてお
り、その左側に移載室８が配設されている。更にこの移
載室８に隣接して複数の処理チャンバ１２Ａ〜１２Ｄが
配設されているが、図２では簡略化のため、移載室８の
左側に一つの処理チャンバ１２Ａのみが移載室８に関し
てロードロック室３８の反対側に配設されたものとして
表してある。
ハＷの位置決めを行う方向位置決め装置としてのオリエ
ンタ３６が設けられ、更に、搬送ステージ２２の途中に
は、上記移載室８との間を連結するために真空引き可能
になされた２つのロードロック室３８Ａ、３８Ｂが設け
られる。各ロードロック室３８Ａ、３８Ｂ内には、ウエ
ハＷを載置する被搬送体載置台４０Ａ、４０Ｂが設けら
れると共に、各ロードロック室３８Ａ、３８Ｂの前後に
は、移載室８或いは搬送ステージ２２へ連通するための
ゲートバルブ４２Ａ、４２Ｂ及び４４Ａ、４４Ｂがそれ
ぞれ設けられる。 図２はクラスタツール装置２の水平
方向の位置関係を模式的に示した垂直断面図である。図
２に示したように、このクラスタツール装置２では図中
右端にカセットステージ１８、搬送アーム２０、ロード
ロック室３８からなる搬送システム６が配設されてお
り、その左側に移載室８が配設されている。更にこの移
載室８に隣接して複数の処理チャンバ１２Ａ〜１２Ｄが
配設されているが、図２では簡略化のため、移載室８の
左側に一つの処理チャンバ１２Ａのみが移載室８に関し
てロードロック室３８の反対側に配設されたものとして
表してある。
【００１９】図２に示したように、処理チャンバ１２Ａ
は密閉可能な箱型のハウジング８０から構成されてお
り、底部の中央付近にはウエハＷを載置して処理を施す
ためのサセプタ１４Ａが配設されている。ハウジング８
０のうち、隣接する移載室８に面する側壁８１の中央付
近には開口部８２が設けられており、この開口部８２を
介して隣接する移載室８との間でウエハＷの出し入れが
できるようになっている。 この開口部８２はゲートバ
ルブ１０により開閉されるようになっている。また、ハ
ウジング８０上部には吸気口８３が設けられており、こ
の吸気口８３は図示しない真空ポンプと接続されて処理
チャンバ１２を真空を供給できるようになっている。
は密閉可能な箱型のハウジング８０から構成されてお
り、底部の中央付近にはウエハＷを載置して処理を施す
ためのサセプタ１４Ａが配設されている。ハウジング８
０のうち、隣接する移載室８に面する側壁８１の中央付
近には開口部８２が設けられており、この開口部８２を
介して隣接する移載室８との間でウエハＷの出し入れが
できるようになっている。 この開口部８２はゲートバ
ルブ１０により開閉されるようになっている。また、ハ
ウジング８０上部には吸気口８３が設けられており、こ
の吸気口８３は図示しない真空ポンプと接続されて処理
チャンバ１２を真空を供給できるようになっている。
【００２０】一方、開口部８２とサセプタ１４との間で
ウエハＷが搬送される搬送路の真上にあたる部分には紫
外線照射装置１００が配設されている。この紫外線照射
装置１００は「エキシマランプ」と呼ばれる、細長い円
柱形の紫外線ランプとその上側に配設された反射板から
構成されており、紫外線ランプから照射された紫外線を
搬送中のウエハＷ表面に照射するようになっている。
ウエハＷが搬送される搬送路の真上にあたる部分には紫
外線照射装置１００が配設されている。この紫外線照射
装置１００は「エキシマランプ」と呼ばれる、細長い円
柱形の紫外線ランプとその上側に配設された反射板から
構成されており、紫外線ランプから照射された紫外線を
搬送中のウエハＷ表面に照射するようになっている。
【００２１】図２の中央に描かれた移載室８は密閉可能
な箱型のハウジング９０から構成されており、底部中央
に移載機構９１が配設されている。ハウジング９０の上
部にはガス供給口９３が設けられており、このガス供給
口９３には図示しない窒素ガス供給系が接続されてお
り、このガス供給口９３から移載室８内に窒素ガスが供
給されるようになっている。また、ハウジング９０底部
には吸気口９４が配設されており、この吸気口９４は図
示しない真空ポンプと接続されて移載室８内に真空を供
給できるようになっている。
な箱型のハウジング９０から構成されており、底部中央
に移載機構９１が配設されている。ハウジング９０の上
部にはガス供給口９３が設けられており、このガス供給
口９３には図示しない窒素ガス供給系が接続されてお
り、このガス供給口９３から移載室８内に窒素ガスが供
給されるようになっている。また、ハウジング９０底部
には吸気口９４が配設されており、この吸気口９４は図
示しない真空ポンプと接続されて移載室８内に真空を供
給できるようになっている。
【００２２】一方、開口部８２と移載機構９１との間で
ウエハＷが搬送される搬送路の真上にあたる部分には紫
外線照射装置１０１が配設されている。この紫外線照射
装置１０１は細長い円柱形の紫外線ランプ（エキシマラ
ンプ）とその上側に配設された反射板から構成されてお
り、紫外線ランプから照射された紫外線を搬送中のウエ
ハＷ表面に反射させるようになっている。
ウエハＷが搬送される搬送路の真上にあたる部分には紫
外線照射装置１０１が配設されている。この紫外線照射
装置１０１は細長い円柱形の紫外線ランプ（エキシマラ
ンプ）とその上側に配設された反射板から構成されてお
り、紫外線ランプから照射された紫外線を搬送中のウエ
ハＷ表面に反射させるようになっている。
【００２３】ハウジング９０のうち、隣接するロードロ
ック室３８に面する側壁９２の中央付近には開口部９５
が設けられており、この開口部９５を介して隣接するロ
ードロック室３８との間でウエハＷの出し入れができる
ようになっている。この開口部９５は昇降可能なゲート
バルブ４２により開閉されるようになっている。
ック室３８に面する側壁９２の中央付近には開口部９５
が設けられており、この開口部９５を介して隣接するロ
ードロック室３８との間でウエハＷの出し入れができる
ようになっている。この開口部９５は昇降可能なゲート
バルブ４２により開閉されるようになっている。
【００２４】移載室８の図中右側に配設されたロードロ
ック室３８は箱型のハウジング１１０から構成されてお
り、底部中央に保持台１１１が配設されている。ハウジ
ング１１０の上部には吸気口１１２が設けられており、
この吸気口１１２には図示しない真空ポンプと接続され
てロードロック室３８内に真空を供給できるようになっ
ている。
ック室３８は箱型のハウジング１１０から構成されてお
り、底部中央に保持台１１１が配設されている。ハウジ
ング１１０の上部には吸気口１１２が設けられており、
この吸気口１１２には図示しない真空ポンプと接続され
てロードロック室３８内に真空を供給できるようになっ
ている。
【００２５】ハウジング１１０のうち、隣接する搬送ア
ーム２０に面する側壁１１３の中央付近には開口部１１
４が設けられており、この開口部１１４を介して隣接す
る搬送機構２０との間でウエハＷの出し入れができるよ
うになっている。この開口部１１４は昇降可能なゲート
バルブ４４により開閉されるようになっている。
ーム２０に面する側壁１１３の中央付近には開口部１１
４が設けられており、この開口部１１４を介して隣接す
る搬送機構２０との間でウエハＷの出し入れができるよ
うになっている。この開口部１１４は昇降可能なゲート
バルブ４４により開閉されるようになっている。
【００２６】更にロードロック室３８の図中右側には搬
送アーム２０が配設され、更に図中その右側にはカセッ
トステージ１８が配設されている。
送アーム２０が配設され、更に図中その右側にはカセッ
トステージ１８が配設されている。
【００２７】次に、このクラスタツール装置２を運転す
る手順について説明する。
る手順について説明する。
【００２８】図３は、本実施形態に係る処理方法のフロ
ーを示したフローチャートである。クラスタツール装置
２を起動すると、図示しない搬送ロボットが未処理のウ
エハＷを収容したキャリアカセット２６をカセットステ
ージ１８の上に載置する。カセットステージ１８上にキ
ャリアカセット２６が載置されると、このキャリアカセ
ット２６内に搬送アーム２０がアクセスし、キャリアカ
セット２６内から未処理のウエハＷを取り出す（ＳＴＥ
Ｐ．１）。搬送アーム２０はキャリアカセット２６から
取り出したウエハＷをロードロック室３８内に搬送する
（ＳＴＥＰ．２）。ロードロック室３８内にウエハＷが
収容されると、ゲートバルブ４４が閉じられ、真空引き
が開始されて後続の移載室８や処理チャンバ１２に近い
環境に保たれる。ロードロック室３８内での環境調整が
終わると、ゲートバルブ４２が開いてロードロック室３
８と移載室８との間が連通し、移載室８側から移載アー
ム１６がロードロック室３８内にアクセスし、ロードロ
ック室３８内のウエハＷを保持し、ロードロック室３８
内から移載室８内に搬入する（ＳＴＥＰ．３）。
ーを示したフローチャートである。クラスタツール装置
２を起動すると、図示しない搬送ロボットが未処理のウ
エハＷを収容したキャリアカセット２６をカセットステ
ージ１８の上に載置する。カセットステージ１８上にキ
ャリアカセット２６が載置されると、このキャリアカセ
ット２６内に搬送アーム２０がアクセスし、キャリアカ
セット２６内から未処理のウエハＷを取り出す（ＳＴＥ
Ｐ．１）。搬送アーム２０はキャリアカセット２６から
取り出したウエハＷをロードロック室３８内に搬送する
（ＳＴＥＰ．２）。ロードロック室３８内にウエハＷが
収容されると、ゲートバルブ４４が閉じられ、真空引き
が開始されて後続の移載室８や処理チャンバ１２に近い
環境に保たれる。ロードロック室３８内での環境調整が
終わると、ゲートバルブ４２が開いてロードロック室３
８と移載室８との間が連通し、移載室８側から移載アー
ム１６がロードロック室３８内にアクセスし、ロードロ
ック室３８内のウエハＷを保持し、ロードロック室３８
内から移載室８内に搬入する（ＳＴＥＰ．３）。
【００２９】移載室８内にウエハＷが搬入されるとゲー
トバルブ４２が閉じられ、移載室８内は密閉される。そ
れと同時に移載アーム１６を駆動する移載機構９１が作
動して保持しているウエハＷを処理チャンバ１２Ａの方
に向けてスタンバイする（図４）。次に、ゲートバルブ
１０が開くと同時に移載アーム１６が処理チャンバ１２
Ａの内部に向けてアクセスを開始する（ＳＴＥＰ．
４）。このとき、移載アーム１６のアクセス動作と紫外
線照射装置１０１Ａ、１００Ａのオン・オフ動作が同期
しており、移載アーム１６先端に保持されたウエハＷが
紫外線照射装置１０１Ａ，１００Ａの真下を通過する際
にちょうど紫外線照射装置からの紫外線がウエハＷ表面
に照射されるようになっている。そのため、図５及び図
６に示したように、ウエハＷが移載アーム１６に保持さ
れた状態で移載室８から処理チャンバ１２Ａ内に移動す
る際の紫外線照射装置１０１Ａの真下を通過するとき
（ＳＴＥＰ．５）と、紫外線照射装置１００Ａの真下を
通過するとき（ＳＴＥＰ．６）の二回、連続して紫外線
の照射を受ける。
トバルブ４２が閉じられ、移載室８内は密閉される。そ
れと同時に移載アーム１６を駆動する移載機構９１が作
動して保持しているウエハＷを処理チャンバ１２Ａの方
に向けてスタンバイする（図４）。次に、ゲートバルブ
１０が開くと同時に移載アーム１６が処理チャンバ１２
Ａの内部に向けてアクセスを開始する（ＳＴＥＰ．
４）。このとき、移載アーム１６のアクセス動作と紫外
線照射装置１０１Ａ、１００Ａのオン・オフ動作が同期
しており、移載アーム１６先端に保持されたウエハＷが
紫外線照射装置１０１Ａ，１００Ａの真下を通過する際
にちょうど紫外線照射装置からの紫外線がウエハＷ表面
に照射されるようになっている。そのため、図５及び図
６に示したように、ウエハＷが移載アーム１６に保持さ
れた状態で移載室８から処理チャンバ１２Ａ内に移動す
る際の紫外線照射装置１０１Ａの真下を通過するとき
（ＳＴＥＰ．５）と、紫外線照射装置１００Ａの真下を
通過するとき（ＳＴＥＰ．６）の二回、連続して紫外線
の照射を受ける。
【００３０】ウエハＷが紫外線照射装置１０１Ａ，１０
０Ａの真下付近を通過後、更に処理チャンバ１２Ａの奥
側まで移動してサセプタ１４の真上付近まで運ばれてく
ると、サセプタ１４からリフトピンＰ，Ｐが上昇して移
載アーム１６から未処理のウエハＷを受け取る（図
７）。移載アーム１６からウエハＷを受け取ると、移載
アーム１６が引き込んだ後、リフトピンＰ，Ｐが下降し
てウエハＷをサセプタ１４上に載置する（ＳＴＥＰ．
８）。
０Ａの真下付近を通過後、更に処理チャンバ１２Ａの奥
側まで移動してサセプタ１４の真上付近まで運ばれてく
ると、サセプタ１４からリフトピンＰ，Ｐが上昇して移
載アーム１６から未処理のウエハＷを受け取る（図
７）。移載アーム１６からウエハＷを受け取ると、移載
アーム１６が引き込んだ後、リフトピンＰ，Ｐが下降し
てウエハＷをサセプタ１４上に載置する（ＳＴＥＰ．
８）。
【００３１】一方、ウエハＷをリフトピンＰ，Ｐに引き
渡した移載アーム１６は関節を曲げながら移載機構９１
に支持された軸の回りに回転して移載室８内に収容され
る方向に移動する（図８／ＳＴＥＰ．９）。このとき移
載アーム１６先端は再び紫外線照射装置１００Ａ，１０
１Ａの真下を通過するが、ウエハＷを保持していない状
態で紫外線照射装置１００Ａ，１０１Ａの真下を通過す
る際には紫外線照射装置１００Ａ，１０１Ａの電源は入
らないようにプログラムしてあるため、このタイミング
では紫外線照射装置１００Ａ，１０１Ａによる紫外線の
照射は行われない。なお、上記移載アーム１６が処理チ
ャンバ１２Ａ内にアクセスしている間はゲートバルブ１
０は下降して開口部８２により移載室８と処理チャンバ
１２Ａとの間は連通した状態となっているが、上記一連
の作業中移載室８内には窒素ガスなどの不活性ガスが供
給される一方で、処理チャンバ１２Ａ内には真空系によ
り負圧が作用しているので、常に移載室８側から処理チ
ャンバ１２Ａ内に向かう気体の流れが形成されるので塵
や埃、不純物その他のコンタミネーションは移載室８側
から処理チャンバ１２Ａ側へ流れ、結果として移載室８
と処理チャンバ１２Ａ内は常にクリーンな状態に維持さ
れる。
渡した移載アーム１６は関節を曲げながら移載機構９１
に支持された軸の回りに回転して移載室８内に収容され
る方向に移動する（図８／ＳＴＥＰ．９）。このとき移
載アーム１６先端は再び紫外線照射装置１００Ａ，１０
１Ａの真下を通過するが、ウエハＷを保持していない状
態で紫外線照射装置１００Ａ，１０１Ａの真下を通過す
る際には紫外線照射装置１００Ａ，１０１Ａの電源は入
らないようにプログラムしてあるため、このタイミング
では紫外線照射装置１００Ａ，１０１Ａによる紫外線の
照射は行われない。なお、上記移載アーム１６が処理チ
ャンバ１２Ａ内にアクセスしている間はゲートバルブ１
０は下降して開口部８２により移載室８と処理チャンバ
１２Ａとの間は連通した状態となっているが、上記一連
の作業中移載室８内には窒素ガスなどの不活性ガスが供
給される一方で、処理チャンバ１２Ａ内には真空系によ
り負圧が作用しているので、常に移載室８側から処理チ
ャンバ１２Ａ内に向かう気体の流れが形成されるので塵
や埃、不純物その他のコンタミネーションは移載室８側
から処理チャンバ１２Ａ側へ流れ、結果として移載室８
と処理チャンバ１２Ａ内は常にクリーンな状態に維持さ
れる。
【００３２】移載アーム１６の全体が移載室８内に収容
されるとゲートバルブ１０が上昇して開口部８２を閉
じ、処理チャンバ１２Ａ内を密閉する（図９／ＳＴＥ
Ｐ．１０）。
されるとゲートバルブ１０が上昇して開口部８２を閉
じ、処理チャンバ１２Ａ内を密閉する（図９／ＳＴＥ
Ｐ．１０）。
【００３３】この処理チャンバ１２Ａ内を密閉した状態
で、必要な処理環境、例えば、真空引きしたり、反応性
ガスで処理チャンバ１２Ａ内を満たすことなどにより所
期の条件を調整した後にサセプタ１４上に載置されたウ
エハＷに処理を施す（図９／ＳＴＥＰ．１１）。
で、必要な処理環境、例えば、真空引きしたり、反応性
ガスで処理チャンバ１２Ａ内を満たすことなどにより所
期の条件を調整した後にサセプタ１４上に載置されたウ
エハＷに処理を施す（図９／ＳＴＥＰ．１１）。
【００３４】処理チャンバ１２Ａ内でウエハＷに所定の
処理、例えばＣＶＤ法による自然酸化膜除去処理が施さ
れ、当該処理が完了すると、再びゲートバルブ１０が下
降して開口部８２を解放するとともに移載アーム１６が
処理チャンバ１２Ａ内にアクセスする。処理チャンバ１
２Ａ内ではリフトピンＰ，Ｐが上昇して処理の完了した
ウエハＷを持ち上げる。このウエハＷの下側に移載アー
ム１６の先端が入り込み、この状態でリフトピンＰ，Ｐ
が下降することによりリフトピンＰ，Ｐから移載アーム
１６側にウエハＷが引き渡される（図１０／ＳＴＥＰ．
１２〜１５）。処理後のウエハＷを受け取った移載アー
ム１６は関節を曲げながら移載機構９１に支持された回
転軸の回りに回転して処理チャンバ１２Ａ側から移載室
８側に移動を開始する（ＳＴＥＰ．１６）。
処理、例えばＣＶＤ法による自然酸化膜除去処理が施さ
れ、当該処理が完了すると、再びゲートバルブ１０が下
降して開口部８２を解放するとともに移載アーム１６が
処理チャンバ１２Ａ内にアクセスする。処理チャンバ１
２Ａ内ではリフトピンＰ，Ｐが上昇して処理の完了した
ウエハＷを持ち上げる。このウエハＷの下側に移載アー
ム１６の先端が入り込み、この状態でリフトピンＰ，Ｐ
が下降することによりリフトピンＰ，Ｐから移載アーム
１６側にウエハＷが引き渡される（図１０／ＳＴＥＰ．
１２〜１５）。処理後のウエハＷを受け取った移載アー
ム１６は関節を曲げながら移載機構９１に支持された回
転軸の回りに回転して処理チャンバ１２Ａ側から移載室
８側に移動を開始する（ＳＴＥＰ．１６）。
【００３５】処理前のウエハＷ搬入時と同様に、移載ア
ーム１６先端に保持されたウエハＷが紫外線照射装置１
００Ａ，１０１Ａの真下を通過しようとすると、この移
載アーム１６の動きと紫外線照射装置１００Ａ，１０１
Ａのオン・オフは連動しているので、ちょうどウエハＷ
が通過するときに紫外線照射装置１００Ａ，１０１Ａの
真下付近を通過するタイミングで紫外線照射装置１００
Ａ，１０１Ａからの紫外線が通過するウエハＷに照射さ
れる。そのため、処理後のウエハＷが処理チャンバ１２
Ａ側から移載室８側へ移動する際に処理後のウエハＷに
対して二回連続して紫外線が照射される（図１１，図１
２／ＳＴＥＰ．１７〜１９）。
ーム１６先端に保持されたウエハＷが紫外線照射装置１
００Ａ，１０１Ａの真下を通過しようとすると、この移
載アーム１６の動きと紫外線照射装置１００Ａ，１０１
Ａのオン・オフは連動しているので、ちょうどウエハＷ
が通過するときに紫外線照射装置１００Ａ，１０１Ａの
真下付近を通過するタイミングで紫外線照射装置１００
Ａ，１０１Ａからの紫外線が通過するウエハＷに照射さ
れる。そのため、処理後のウエハＷが処理チャンバ１２
Ａ側から移載室８側へ移動する際に処理後のウエハＷに
対して二回連続して紫外線が照射される（図１１，図１
２／ＳＴＥＰ．１７〜１９）。
【００３６】ウエハＷが紫外線照射装置１０１Ａの真下
を通過した後、移載アーム１６が完全に移載室８内に収
容されると、ゲートバルブ１０が上昇して開口部８２を
閉じ、一つの処理チャンバ１２Ａでの処理が終了する
（ＳＴＥＰ．２０）。
を通過した後、移載アーム１６が完全に移載室８内に収
容されると、ゲートバルブ１０が上昇して開口部８２を
閉じ、一つの処理チャンバ１２Ａでの処理が終了する
（ＳＴＥＰ．２０）。
【００３７】一つの処理チャンバ１２Ａでの処理が終了
すると移載機構９１が作動して、その上に支持している
移載アーム１６全体を所定角度回転させ、次の処理を施
すための処理チャンバ、例えば処理チャンバ１２Ｂに対
向する位置まで回転する（ＳＴＥＰ．２１）。
すると移載機構９１が作動して、その上に支持している
移載アーム１６全体を所定角度回転させ、次の処理を施
すための処理チャンバ、例えば処理チャンバ１２Ｂに対
向する位置まで回転する（ＳＴＥＰ．２１）。
【００３８】図１４はウエハＷに対する典型的な処理の
流れを示したフローチャートである。 図１４に示した
ように、処理チャンバ１２Ｂについても上記下と同様に
して、移載室８から処理チャンバ１２Ｂ内に処理前のウ
エハＷを搬入するときと、処理チャンバ１２Ｂによる処
理、例えばゲート酸化膜処理後のウエハＷを移載室８側
に搬出するときの二回、紫外線照射装置１０１Ｂ，１０
０Ｂの真下を通過する際に紫外線照射を受ける。そのた
め、処理チャンバ１２ＢからウエハＷを出し入れする際
に都合４回、紫外線の照射を受ける。
流れを示したフローチャートである。 図１４に示した
ように、処理チャンバ１２Ｂについても上記下と同様に
して、移載室８から処理チャンバ１２Ｂ内に処理前のウ
エハＷを搬入するときと、処理チャンバ１２Ｂによる処
理、例えばゲート酸化膜処理後のウエハＷを移載室８側
に搬出するときの二回、紫外線照射装置１０１Ｂ，１０
０Ｂの真下を通過する際に紫外線照射を受ける。そのた
め、処理チャンバ１２ＢからウエハＷを出し入れする際
に都合４回、紫外線の照射を受ける。
【００３９】以下同様に、処理チャンバ１２Ｃ、１２Ｄ
において後続の処理、例えば、ポリシリコン製膜処理つ
いてもそれぞれ４回ずつ紫外線照射を受ける。かくして
一連の処理が完了すると、移載室８からロードロック室
３８を経由して搬送アーム２０により処理後のウエハＷ
が搬送され、キャリアカセット２６内に収容される。以
上詳述したように、本実施形態に係る処理方法では、移
載室８と各処理チャンバ１２とを接続する各ゲートバル
ブ付近に紫外線照射装置１００，１０１を配設し、これ
ら紫外線照射装置１００，１０１のオン／オフと移載ア
ーム１６の動作とを同期させ、移載アーム１６上にウエ
ハＷが保持された状態で紫外線照射装置１００，１０１
の真下の位置を通過する度にウエハＷ表面に紫外線が照
射されるような構成にしたので、ウエハＷの搬送速度を
損なわずに効率よく紫外線照射によるウエハＷの表面清
浄化処理を施すことができる。
において後続の処理、例えば、ポリシリコン製膜処理つ
いてもそれぞれ４回ずつ紫外線照射を受ける。かくして
一連の処理が完了すると、移載室８からロードロック室
３８を経由して搬送アーム２０により処理後のウエハＷ
が搬送され、キャリアカセット２６内に収容される。以
上詳述したように、本実施形態に係る処理方法では、移
載室８と各処理チャンバ１２とを接続する各ゲートバル
ブ付近に紫外線照射装置１００，１０１を配設し、これ
ら紫外線照射装置１００，１０１のオン／オフと移載ア
ーム１６の動作とを同期させ、移載アーム１６上にウエ
ハＷが保持された状態で紫外線照射装置１００，１０１
の真下の位置を通過する度にウエハＷ表面に紫外線が照
射されるような構成にしたので、ウエハＷの搬送速度を
損なわずに効率よく紫外線照射によるウエハＷの表面清
浄化処理を施すことができる。
【００４０】なお、本実施形態の記載は本発明の範囲を
限定するものではない。例えば、上記実施形態では移載
室８と各処理チャンバ１２Ａ〜１２Ｄとの連結部におい
て、移載室８側と各処理チャンバ１２Ａ〜１２Ｄ側との
両方に紫外線照射装置１０１，１００を１基ずつ配設し
たが、移載室８側だけに配設してもよく、各処理チャン
バ側だけに配設しても良い。
限定するものではない。例えば、上記実施形態では移載
室８と各処理チャンバ１２Ａ〜１２Ｄとの連結部におい
て、移載室８側と各処理チャンバ１２Ａ〜１２Ｄ側との
両方に紫外線照射装置１０１，１００を１基ずつ配設し
たが、移載室８側だけに配設してもよく、各処理チャン
バ側だけに配設しても良い。
【００４１】更に、上記実施形態では紫外線照射装置１
００，１０１の電源オン／オフ動作と移載アームの動作
とを同期させることによりウエハＷが紫外線照射装置１
００，１０１の真下を通過する際にちょうどウエハＷ表
面に紫外線が照射される構成としたが、移載室と各処理
チャンバとの間の連通を開閉するゲートバルブの動作と
紫外線照射装置の電源オン／オフ動作とを同期させるこ
とによりウエハＷが紫外線照射装置１００，１０１の真
下を通過する際にちょうどウエハＷ表面に紫外線が照射
される構成としても良い。
００，１０１の電源オン／オフ動作と移載アームの動作
とを同期させることによりウエハＷが紫外線照射装置１
００，１０１の真下を通過する際にちょうどウエハＷ表
面に紫外線が照射される構成としたが、移載室と各処理
チャンバとの間の連通を開閉するゲートバルブの動作と
紫外線照射装置の電源オン／オフ動作とを同期させるこ
とによりウエハＷが紫外線照射装置１００，１０１の真
下を通過する際にちょうどウエハＷ表面に紫外線が照射
される構成としても良い。
【００４２】更に図１５に示したように、紫外線照射装
置１００をゲートバルブ１０の真上の位置に配設するこ
とも可能である。
置１００をゲートバルブ１０の真上の位置に配設するこ
とも可能である。
【００４３】
【発明の効果】本発明では被処理基板の搬送経路上に紫
外線照射装置を配設した構造を採用しているので、簡単
な構造で効率よく紫外線を照射することができる。ま
た、被処理基板の搬送を迅速に行いつつ紫外線を照射す
ることができる。
外線照射装置を配設した構造を採用しているので、簡単
な構造で効率よく紫外線を照射することができる。ま
た、被処理基板の搬送を迅速に行いつつ紫外線を照射す
ることができる。
【図１】本発明方法を実施するために用いるクラスタツ
ール装置を示す概略構成図である。
ール装置を示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係るクラスタツール装置の水平方
向の位置関係を示した垂直断面図である。
向の位置関係を示した垂直断面図である。
【図３】本実施形態に係る処理方法のフローを示したフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図４】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した垂
直断面図である。
直断面図である。
【図５】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した垂
直断面図である。
直断面図である。
【図６】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した垂
直断面図である。
直断面図である。
【図７】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した垂
直断面図である。
直断面図である。
【図８】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した垂
直断面図である。
直断面図である。
【図９】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した垂
直断面図である。
直断面図である。
【図１０】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した
垂直断面図である。
垂直断面図である。
【図１１】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した
垂直断面図である。
垂直断面図である。
【図１２】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した
垂直断面図である。
垂直断面図である。
【図１３】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した
垂直断面図である。
垂直断面図である。
【図１４】ウエハに対する典型的な処理の流れを示した
フローチャートである。
フローチャートである。
【図１５】本発明の処理装置の変形例を示した垂直断面
図である。
図である。
Ｗ…ウエハ（被処理基板）、 ８２…開口部、 １２Ａ…処理チャンバ、 １００Ａ…紫外線照射装置、 １０１Ａ…紫外線照射装置、 ８…移載室、 １６…移載アーム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４５ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４８Ｊ ６４８ 21/302 Ｎ (72)発明者 桐生 秀樹 山梨県韮崎市穂坂町三ッ沢650 東京エレ クトロン株式会社総合研究所内 (72)発明者 青山 真太郎 山梨県韮崎市穂坂町三ッ沢650 東京エレ クトロン株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4G075 AA24 BA04 BC04 BC06 CA33 DA01 EA02 EB01 EB31 ED13 4K029 FA04 KA01 4K030 CA12 DA03 GA12 KA28 5F004 AA14 AA16 BB02 BB04 BC01 BC05 BC06 BD04 DB23 FA05 5F045 BB08 BB14 DQ17 EB02 EB08 EB09 EM03 EM09 EN04 EN05 EN06 GB15 HA08 HA18 HA25
Claims (5)
- 【請求項１】 被処理基板を処理する２以上の処理チャ
ンバと、 前記各処理チャンバに隣接し、前記各処理チャンバとの
間で被処理基板を出し入れする移載室と、 前記各処理チャンバと前記移載室との間に配設された紫
外線照射装置と、を具備することを特徴とする処理装
置。 - 【請求項２】 被処理基板を処理する２以上の処理チャ
ンバと、 前記各処理チャンバに隣接し、前記各処理チャンバとの
間で被処理基板を出し入れする移載室と、 前記各処理チャンバ内の被処理基板搬送路上側又は前記
移載室内の被処理基板搬送路上側に配設された紫外線照
射装置と、を具備することを特徴とする処理装置。 - 【請求項３】 被処理基板を処理する２以上の処理チャ
ンバと、 前記各処理チャンバに隣接し、前記各処理チャンバとの
間で被処理基板を出し入れする移載室と、 前記各処理チャンバ内の被処理基板搬送路上側に配設さ
れたチャンバ側紫外線照射装置と、 前記移載室内の被処理基板搬送路上側に配設された移載
室側紫外線照射装置と、を具備することを特徴とする処
理装置。 - 【請求項４】 処理チャンバと移載室との間をアームに
保持された被処理基板が搬送される間に該被処理基板に
紫外線を照射する処理方法であって、紫外線ランプのオ
ンオフが前記アームの動作と同期して行われることを特
徴とする処理方法。 - 【請求項５】 処理チャンバと移載室との間の扉を通過
する間に該被処理基板に紫外線を照射する処理方法であ
って、紫外線ランプのオンオフが前記扉の開閉動作と同
期して行われることを特徴とする処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28561299A JP2001104776A (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 処理装置及び処理方法 |
| PCT/JP2000/003018 WO2000070666A1 (fr) | 1999-05-14 | 2000-05-11 | Technique de traitement et dispositif correspondant |
| KR1020017014485A KR100613674B1 (ko) | 1999-05-14 | 2000-05-11 | 웨이퍼 처리 장치 및 처리 방법 |
| US09/631,978 US6467491B1 (en) | 1999-05-04 | 2000-08-03 | Processing apparatus and processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28561299A JP2001104776A (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 処理装置及び処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001104776A true JP2001104776A (ja) | 2001-04-17 |
Family
ID=17693790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28561299A Pending JP2001104776A (ja) | 1999-05-04 | 1999-10-06 | 処理装置及び処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001104776A (ja) |
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-
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- 1999-10-06 JP JP28561299A patent/JP2001104776A/ja active Pending
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