JP2001104776A - 処理装置及び処理方法 - Google Patents
処理装置及び処理方法Info
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- JP2001104776A JP2001104776A JP28561299A JP28561299A JP2001104776A JP 2001104776 A JP2001104776 A JP 2001104776A JP 28561299 A JP28561299 A JP 28561299A JP 28561299 A JP28561299 A JP 28561299A JP 2001104776 A JP2001104776 A JP 2001104776A
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構造で効率よく紫外線を照射すること
ができ、被処理基板の搬送を円滑に行いつつ紫外線を照
射することのできる処理装置や処理方法を提供する。 【解決手段】 移載室8と各処理チャンバ12とを接続
する各ゲートバルブ付近に紫外線照射装置100,10
1を配設し、これら紫外線照射装置100,101のオ
ン/オフと移載アーム16の動作とを同期させ、移載ア
ーム16上にウエハWが保持された状態で紫外線照射装
置100,101の真下の位置を通過する度にウエハW
表面に紫外線が照射されるような構成にしたので、ウエ
ハWの搬送速度を損なわずに効率よく紫外線照射による
ウエハWの表面清浄化処理を施すことができる。
ができ、被処理基板の搬送を円滑に行いつつ紫外線を照
射することのできる処理装置や処理方法を提供する。 【解決手段】 移載室8と各処理チャンバ12とを接続
する各ゲートバルブ付近に紫外線照射装置100,10
1を配設し、これら紫外線照射装置100,101のオ
ン/オフと移載アーム16の動作とを同期させ、移載ア
ーム16上にウエハWが保持された状態で紫外線照射装
置100,101の真下の位置を通過する度にウエハW
表面に紫外線が照射されるような構成にしたので、ウエ
ハWの搬送速度を損なわずに効率よく紫外線照射による
ウエハWの表面清浄化処理を施すことができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコンウエハなど
の被処理基板にCVDやエッチングなどの処理を施す処
理装置や処理方法に係り、更に詳細には被処理基板表面
に紫外線を照射して処理する処理装置や処理方法に関す
る。
の被処理基板にCVDやエッチングなどの処理を施す処
理装置や処理方法に係り、更に詳細には被処理基板表面
に紫外線を照射して処理する処理装置や処理方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体装置の製造には、CV
D、エッチング、その他の処理が必要とされる。その際
にウエハ表面に有機物などの不純物が付着しているとウ
エハの表面処理に支障をきたし、欠陥品ができる確率が
増大する。そのため、ウエハ表面に各種の処理を施して
ウエハ表面を清浄に保つことが必要となる。
D、エッチング、その他の処理が必要とされる。その際
にウエハ表面に有機物などの不純物が付着しているとウ
エハの表面処理に支障をきたし、欠陥品ができる確率が
増大する。そのため、ウエハ表面に各種の処理を施して
ウエハ表面を清浄に保つことが必要となる。
【0003】このウエハ表面を清浄に保つ方法の一つと
してウエハ表面に紫外線を照射してウエハ表面に付着し
た有機物を分解せしめ、しかる後に真空引きすることに
より蒸発させて除去する方法が採用されている。
してウエハ表面に紫外線を照射してウエハ表面に付着し
た有機物を分解せしめ、しかる後に真空引きすることに
より蒸発させて除去する方法が採用されている。
【0004】例えば、特開昭58−58726号にはプ
ラズマ反応炉の処理部とアンローダとの間に紫外線照射
部を設け、搬送アームで保持されたウエハが通過する度
にウエハ表面に紫外線を照射する構造の装置が開示され
ている。
ラズマ反応炉の処理部とアンローダとの間に紫外線照射
部を設け、搬送アームで保持されたウエハが通過する度
にウエハ表面に紫外線を照射する構造の装置が開示され
ている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、この装置で
は、搬送部分全体をハウジングで覆い、このハウジング
内にウエハを搬入した後の搬送工程で紫外線を照射する
構造となっているため、装置全体の構造が複雑になると
いう問題がある。
は、搬送部分全体をハウジングで覆い、このハウジング
内にウエハを搬入した後の搬送工程で紫外線を照射する
構造となっているため、装置全体の構造が複雑になると
いう問題がある。
【0006】また、このハウジングに対してウエハを一
々出し入れする工程が余分に必要となるため、全体の工
程数が多くなり、スループットを向上させることが難し
いという問題がある。
々出し入れする工程が余分に必要となるため、全体の工
程数が多くなり、スループットを向上させることが難し
いという問題がある。
【0007】本発明は上記の問題を解決するためになさ
れたものである。即ち、本発明は、簡単な構造で効率よ
く紫外線を照射することのできる処理装置を提供するこ
とを目的とする。
れたものである。即ち、本発明は、簡単な構造で効率よ
く紫外線を照射することのできる処理装置を提供するこ
とを目的とする。
【0008】また、本発明は被処理基板の搬送を円滑に
行いつつ紫外線を照射することのできる処理装置や処理
方法を提供することを目的とする。
行いつつ紫外線を照射することのできる処理装置や処理
方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の処理装置は、被
処理基板を処理する2以上の処理チャンバと、前記各処
理チャンバに隣接し、前記各処理チャンバとの間で被処
理基板を出し入れする移載室と、前記チャンバ内及び前
記移載室内に真空を供給する手段と、前記各処理チャン
バと前記移載室との間に配設された紫外線照射装置と、
を具備する。
処理基板を処理する2以上の処理チャンバと、前記各処
理チャンバに隣接し、前記各処理チャンバとの間で被処
理基板を出し入れする移載室と、前記チャンバ内及び前
記移載室内に真空を供給する手段と、前記各処理チャン
バと前記移載室との間に配設された紫外線照射装置と、
を具備する。
【0010】上記処理装置において、紫外線照射装置
は、前記各処理チャンバ内の被処理基板搬送路の上側に
配設してもよく、前記移載室内の被処理基板搬送路の上
側に配設してもよく、更に、前記各処理チャンバ内の被
処理基板搬送路の上側及び前記移載室内の被処理基板搬
送路の上側の両方に配設しても良い。
は、前記各処理チャンバ内の被処理基板搬送路の上側に
配設してもよく、前記移載室内の被処理基板搬送路の上
側に配設してもよく、更に、前記各処理チャンバ内の被
処理基板搬送路の上側及び前記移載室内の被処理基板搬
送路の上側の両方に配設しても良い。
【0011】また、本発明の方法は、処理チャンバと移
載室との間をアームに保持された被処理基板が搬送され
る間に該被処理基板に紫外線を照射する処理方法であっ
て、紫外線ランプのオンオフが前記アームの動作と同期
して行われることを特徴とする。
載室との間をアームに保持された被処理基板が搬送され
る間に該被処理基板に紫外線を照射する処理方法であっ
て、紫外線ランプのオンオフが前記アームの動作と同期
して行われることを特徴とする。
【0012】上記方法において、紫外線ランプのオン/
オフが前記扉の開閉動作と同期して行われるように制御
しても良い。
オフが前記扉の開閉動作と同期して行われるように制御
しても良い。
【0013】本発明では被処理基板の搬送経路上に紫外
線照射装置を配設した構造を採用しているので、簡単な
構造で効率よく紫外線を照射することができる。また、
被処理基板の搬送を迅速に行いつつ紫外線を照射するこ
とができる。
線照射装置を配設した構造を採用しているので、簡単な
構造で効率よく紫外線を照射することができる。また、
被処理基板の搬送を迅速に行いつつ紫外線を照射するこ
とができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を添付
図面に基づいて説明する。
図面に基づいて説明する。
【0015】図1は本実施形態に係るクラスタツール装
置を示す概略構成図である。このクラスタツール装置2
は、被処理基板としてのウエハWに対して成膜処理、拡
散処理、エッチング処理等の各種の処理を行う処理シス
テム4と、この処理システム4に対してウエハWを搬
入、搬出させる搬送システム6とにより主に構成され
る。 処理システム4は、真空引き可能になされた移載
室8と、ゲートバルブ10A〜10Dを介して連結され
た4つの処理チャンバ12A〜12Dよりなり、各チャ
ンバ12A〜12Dにおいて同種の或いは異種の熱処理
をウエハWに対して施すようになっている。各チャンバ
12A〜12D内には、ウエハWを載置するためのサセ
プタ14A〜14Dがそれぞれ設けられる。また移載室
8内には、屈伸及び旋回自在に構成された移載アーム1
6が設けられ、各処理チャンバ12A〜12D間や後述
するロードロック室間とウエハWの受け渡しを行うよう
になっている。
置を示す概略構成図である。このクラスタツール装置2
は、被処理基板としてのウエハWに対して成膜処理、拡
散処理、エッチング処理等の各種の処理を行う処理シス
テム4と、この処理システム4に対してウエハWを搬
入、搬出させる搬送システム6とにより主に構成され
る。 処理システム4は、真空引き可能になされた移載
室8と、ゲートバルブ10A〜10Dを介して連結され
た4つの処理チャンバ12A〜12Dよりなり、各チャ
ンバ12A〜12Dにおいて同種の或いは異種の熱処理
をウエハWに対して施すようになっている。各チャンバ
12A〜12D内には、ウエハWを載置するためのサセ
プタ14A〜14Dがそれぞれ設けられる。また移載室
8内には、屈伸及び旋回自在に構成された移載アーム1
6が設けられ、各処理チャンバ12A〜12D間や後述
するロードロック室間とウエハWの受け渡しを行うよう
になっている。
【0016】一方、搬送システム6は、キャリアカセッ
トを載置するカセットステージ18とウエハWを搬送し
て受け渡しを行うための搬送アーム20を移動させる搬
送ステージよりなる。カセットステージ18には、容器
載置台24が設けられ、ここに複数、図示例にあっては
最大4つのキャリアカセット26A〜26Dを載置でき
るようになっている。各キャリアカセット26A〜26
Dには、最大例えば25枚のウエハWを等間隔で多段に
載置して収容できるようになっている。
トを載置するカセットステージ18とウエハWを搬送し
て受け渡しを行うための搬送アーム20を移動させる搬
送ステージよりなる。カセットステージ18には、容器
載置台24が設けられ、ここに複数、図示例にあっては
最大4つのキャリアカセット26A〜26Dを載置でき
るようになっている。各キャリアカセット26A〜26
Dには、最大例えば25枚のウエハWを等間隔で多段に
載置して収容できるようになっている。
【0017】搬送ステージ22には、その中心部を長さ
方向に沿って延びる案内レール28が設けられており、
この案内レール28に上記搬送アーム20がスライド移
動可能に支持されている。この案内レール28には、移
動機構として例えばボールネジ30が併設されており、
このボールネジ30に上記搬送アーム20の基部34が
嵌装されている。従って、このボールネジ30の端部に
設けた駆動モータ32を回転駆動することにより、搬送
アーム20は案内レール28に沿って移動することにな
る。
方向に沿って延びる案内レール28が設けられており、
この案内レール28に上記搬送アーム20がスライド移
動可能に支持されている。この案内レール28には、移
動機構として例えばボールネジ30が併設されており、
このボールネジ30に上記搬送アーム20の基部34が
嵌装されている。従って、このボールネジ30の端部に
設けた駆動モータ32を回転駆動することにより、搬送
アーム20は案内レール28に沿って移動することにな
る。
【0018】また、搬送ステージ22の他端には、ウエ
ハWの位置決めを行う方向位置決め装置としてのオリエ
ンタ36が設けられ、更に、搬送ステージ22の途中に
は、上記移載室8との間を連結するために真空引き可能
になされた2つのロードロック室38A、38Bが設け
られる。各ロードロック室38A、38B内には、ウエ
ハWを載置する被搬送体載置台40A、40Bが設けら
れると共に、各ロードロック室38A、38Bの前後に
は、移載室8或いは搬送ステージ22へ連通するための
ゲートバルブ42A、42B及び44A、44Bがそれ
ぞれ設けられる。 図2はクラスタツール装置2の水平
方向の位置関係を模式的に示した垂直断面図である。図
2に示したように、このクラスタツール装置2では図中
右端にカセットステージ18、搬送アーム20、ロード
ロック室38からなる搬送システム6が配設されてお
り、その左側に移載室8が配設されている。更にこの移
載室8に隣接して複数の処理チャンバ12A〜12Dが
配設されているが、図2では簡略化のため、移載室8の
左側に一つの処理チャンバ12Aのみが移載室8に関し
てロードロック室38の反対側に配設されたものとして
表してある。
ハWの位置決めを行う方向位置決め装置としてのオリエ
ンタ36が設けられ、更に、搬送ステージ22の途中に
は、上記移載室8との間を連結するために真空引き可能
になされた2つのロードロック室38A、38Bが設け
られる。各ロードロック室38A、38B内には、ウエ
ハWを載置する被搬送体載置台40A、40Bが設けら
れると共に、各ロードロック室38A、38Bの前後に
は、移載室8或いは搬送ステージ22へ連通するための
ゲートバルブ42A、42B及び44A、44Bがそれ
ぞれ設けられる。 図2はクラスタツール装置2の水平
方向の位置関係を模式的に示した垂直断面図である。図
2に示したように、このクラスタツール装置2では図中
右端にカセットステージ18、搬送アーム20、ロード
ロック室38からなる搬送システム6が配設されてお
り、その左側に移載室8が配設されている。更にこの移
載室8に隣接して複数の処理チャンバ12A〜12Dが
配設されているが、図2では簡略化のため、移載室8の
左側に一つの処理チャンバ12Aのみが移載室8に関し
てロードロック室38の反対側に配設されたものとして
表してある。
【0019】図2に示したように、処理チャンバ12A
は密閉可能な箱型のハウジング80から構成されてお
り、底部の中央付近にはウエハWを載置して処理を施す
ためのサセプタ14Aが配設されている。ハウジング8
0のうち、隣接する移載室8に面する側壁81の中央付
近には開口部82が設けられており、この開口部82を
介して隣接する移載室8との間でウエハWの出し入れが
できるようになっている。 この開口部82はゲートバ
ルブ10により開閉されるようになっている。また、ハ
ウジング80上部には吸気口83が設けられており、こ
の吸気口83は図示しない真空ポンプと接続されて処理
チャンバ12を真空を供給できるようになっている。
は密閉可能な箱型のハウジング80から構成されてお
り、底部の中央付近にはウエハWを載置して処理を施す
ためのサセプタ14Aが配設されている。ハウジング8
0のうち、隣接する移載室8に面する側壁81の中央付
近には開口部82が設けられており、この開口部82を
介して隣接する移載室8との間でウエハWの出し入れが
できるようになっている。 この開口部82はゲートバ
ルブ10により開閉されるようになっている。また、ハ
ウジング80上部には吸気口83が設けられており、こ
の吸気口83は図示しない真空ポンプと接続されて処理
チャンバ12を真空を供給できるようになっている。
【0020】一方、開口部82とサセプタ14との間で
ウエハWが搬送される搬送路の真上にあたる部分には紫
外線照射装置100が配設されている。この紫外線照射
装置100は「エキシマランプ」と呼ばれる、細長い円
柱形の紫外線ランプとその上側に配設された反射板から
構成されており、紫外線ランプから照射された紫外線を
搬送中のウエハW表面に照射するようになっている。
ウエハWが搬送される搬送路の真上にあたる部分には紫
外線照射装置100が配設されている。この紫外線照射
装置100は「エキシマランプ」と呼ばれる、細長い円
柱形の紫外線ランプとその上側に配設された反射板から
構成されており、紫外線ランプから照射された紫外線を
搬送中のウエハW表面に照射するようになっている。
【0021】図2の中央に描かれた移載室8は密閉可能
な箱型のハウジング90から構成されており、底部中央
に移載機構91が配設されている。ハウジング90の上
部にはガス供給口93が設けられており、このガス供給
口93には図示しない窒素ガス供給系が接続されてお
り、このガス供給口93から移載室8内に窒素ガスが供
給されるようになっている。また、ハウジング90底部
には吸気口94が配設されており、この吸気口94は図
示しない真空ポンプと接続されて移載室8内に真空を供
給できるようになっている。
な箱型のハウジング90から構成されており、底部中央
に移載機構91が配設されている。ハウジング90の上
部にはガス供給口93が設けられており、このガス供給
口93には図示しない窒素ガス供給系が接続されてお
り、このガス供給口93から移載室8内に窒素ガスが供
給されるようになっている。また、ハウジング90底部
には吸気口94が配設されており、この吸気口94は図
示しない真空ポンプと接続されて移載室8内に真空を供
給できるようになっている。
【0022】一方、開口部82と移載機構91との間で
ウエハWが搬送される搬送路の真上にあたる部分には紫
外線照射装置101が配設されている。この紫外線照射
装置101は細長い円柱形の紫外線ランプ(エキシマラ
ンプ)とその上側に配設された反射板から構成されてお
り、紫外線ランプから照射された紫外線を搬送中のウエ
ハW表面に反射させるようになっている。
ウエハWが搬送される搬送路の真上にあたる部分には紫
外線照射装置101が配設されている。この紫外線照射
装置101は細長い円柱形の紫外線ランプ(エキシマラ
ンプ)とその上側に配設された反射板から構成されてお
り、紫外線ランプから照射された紫外線を搬送中のウエ
ハW表面に反射させるようになっている。
【0023】ハウジング90のうち、隣接するロードロ
ック室38に面する側壁92の中央付近には開口部95
が設けられており、この開口部95を介して隣接するロ
ードロック室38との間でウエハWの出し入れができる
ようになっている。この開口部95は昇降可能なゲート
バルブ42により開閉されるようになっている。
ック室38に面する側壁92の中央付近には開口部95
が設けられており、この開口部95を介して隣接するロ
ードロック室38との間でウエハWの出し入れができる
ようになっている。この開口部95は昇降可能なゲート
バルブ42により開閉されるようになっている。
【0024】移載室8の図中右側に配設されたロードロ
ック室38は箱型のハウジング110から構成されてお
り、底部中央に保持台111が配設されている。ハウジ
ング110の上部には吸気口112が設けられており、
この吸気口112には図示しない真空ポンプと接続され
てロードロック室38内に真空を供給できるようになっ
ている。
ック室38は箱型のハウジング110から構成されてお
り、底部中央に保持台111が配設されている。ハウジ
ング110の上部には吸気口112が設けられており、
この吸気口112には図示しない真空ポンプと接続され
てロードロック室38内に真空を供給できるようになっ
ている。
【0025】ハウジング110のうち、隣接する搬送ア
ーム20に面する側壁113の中央付近には開口部11
4が設けられており、この開口部114を介して隣接す
る搬送機構20との間でウエハWの出し入れができるよ
うになっている。この開口部114は昇降可能なゲート
バルブ44により開閉されるようになっている。
ーム20に面する側壁113の中央付近には開口部11
4が設けられており、この開口部114を介して隣接す
る搬送機構20との間でウエハWの出し入れができるよ
うになっている。この開口部114は昇降可能なゲート
バルブ44により開閉されるようになっている。
【0026】更にロードロック室38の図中右側には搬
送アーム20が配設され、更に図中その右側にはカセッ
トステージ18が配設されている。
送アーム20が配設され、更に図中その右側にはカセッ
トステージ18が配設されている。
【0027】次に、このクラスタツール装置2を運転す
る手順について説明する。
る手順について説明する。
【0028】図3は、本実施形態に係る処理方法のフロ
ーを示したフローチャートである。クラスタツール装置
2を起動すると、図示しない搬送ロボットが未処理のウ
エハWを収容したキャリアカセット26をカセットステ
ージ18の上に載置する。カセットステージ18上にキ
ャリアカセット26が載置されると、このキャリアカセ
ット26内に搬送アーム20がアクセスし、キャリアカ
セット26内から未処理のウエハWを取り出す(STE
P.1)。搬送アーム20はキャリアカセット26から
取り出したウエハWをロードロック室38内に搬送する
(STEP.2)。ロードロック室38内にウエハWが
収容されると、ゲートバルブ44が閉じられ、真空引き
が開始されて後続の移載室8や処理チャンバ12に近い
環境に保たれる。ロードロック室38内での環境調整が
終わると、ゲートバルブ42が開いてロードロック室3
8と移載室8との間が連通し、移載室8側から移載アー
ム16がロードロック室38内にアクセスし、ロードロ
ック室38内のウエハWを保持し、ロードロック室38
内から移載室8内に搬入する(STEP.3)。
ーを示したフローチャートである。クラスタツール装置
2を起動すると、図示しない搬送ロボットが未処理のウ
エハWを収容したキャリアカセット26をカセットステ
ージ18の上に載置する。カセットステージ18上にキ
ャリアカセット26が載置されると、このキャリアカセ
ット26内に搬送アーム20がアクセスし、キャリアカ
セット26内から未処理のウエハWを取り出す(STE
P.1)。搬送アーム20はキャリアカセット26から
取り出したウエハWをロードロック室38内に搬送する
(STEP.2)。ロードロック室38内にウエハWが
収容されると、ゲートバルブ44が閉じられ、真空引き
が開始されて後続の移載室8や処理チャンバ12に近い
環境に保たれる。ロードロック室38内での環境調整が
終わると、ゲートバルブ42が開いてロードロック室3
8と移載室8との間が連通し、移載室8側から移載アー
ム16がロードロック室38内にアクセスし、ロードロ
ック室38内のウエハWを保持し、ロードロック室38
内から移載室8内に搬入する(STEP.3)。
【0029】移載室8内にウエハWが搬入されるとゲー
トバルブ42が閉じられ、移載室8内は密閉される。そ
れと同時に移載アーム16を駆動する移載機構91が作
動して保持しているウエハWを処理チャンバ12Aの方
に向けてスタンバイする(図4)。次に、ゲートバルブ
10が開くと同時に移載アーム16が処理チャンバ12
Aの内部に向けてアクセスを開始する(STEP.
4)。このとき、移載アーム16のアクセス動作と紫外
線照射装置101A、100Aのオン・オフ動作が同期
しており、移載アーム16先端に保持されたウエハWが
紫外線照射装置101A,100Aの真下を通過する際
にちょうど紫外線照射装置からの紫外線がウエハW表面
に照射されるようになっている。そのため、図5及び図
6に示したように、ウエハWが移載アーム16に保持さ
れた状態で移載室8から処理チャンバ12A内に移動す
る際の紫外線照射装置101Aの真下を通過するとき
(STEP.5)と、紫外線照射装置100Aの真下を
通過するとき(STEP.6)の二回、連続して紫外線
の照射を受ける。
トバルブ42が閉じられ、移載室8内は密閉される。そ
れと同時に移載アーム16を駆動する移載機構91が作
動して保持しているウエハWを処理チャンバ12Aの方
に向けてスタンバイする(図4)。次に、ゲートバルブ
10が開くと同時に移載アーム16が処理チャンバ12
Aの内部に向けてアクセスを開始する(STEP.
4)。このとき、移載アーム16のアクセス動作と紫外
線照射装置101A、100Aのオン・オフ動作が同期
しており、移載アーム16先端に保持されたウエハWが
紫外線照射装置101A,100Aの真下を通過する際
にちょうど紫外線照射装置からの紫外線がウエハW表面
に照射されるようになっている。そのため、図5及び図
6に示したように、ウエハWが移載アーム16に保持さ
れた状態で移載室8から処理チャンバ12A内に移動す
る際の紫外線照射装置101Aの真下を通過するとき
(STEP.5)と、紫外線照射装置100Aの真下を
通過するとき(STEP.6)の二回、連続して紫外線
の照射を受ける。
【0030】ウエハWが紫外線照射装置101A,10
0Aの真下付近を通過後、更に処理チャンバ12Aの奥
側まで移動してサセプタ14の真上付近まで運ばれてく
ると、サセプタ14からリフトピンP,Pが上昇して移
載アーム16から未処理のウエハWを受け取る(図
7)。移載アーム16からウエハWを受け取ると、移載
アーム16が引き込んだ後、リフトピンP,Pが下降し
てウエハWをサセプタ14上に載置する(STEP.
8)。
0Aの真下付近を通過後、更に処理チャンバ12Aの奥
側まで移動してサセプタ14の真上付近まで運ばれてく
ると、サセプタ14からリフトピンP,Pが上昇して移
載アーム16から未処理のウエハWを受け取る(図
7)。移載アーム16からウエハWを受け取ると、移載
アーム16が引き込んだ後、リフトピンP,Pが下降し
てウエハWをサセプタ14上に載置する(STEP.
8)。
【0031】一方、ウエハWをリフトピンP,Pに引き
渡した移載アーム16は関節を曲げながら移載機構91
に支持された軸の回りに回転して移載室8内に収容され
る方向に移動する(図8/STEP.9)。このとき移
載アーム16先端は再び紫外線照射装置100A,10
1Aの真下を通過するが、ウエハWを保持していない状
態で紫外線照射装置100A,101Aの真下を通過す
る際には紫外線照射装置100A,101Aの電源は入
らないようにプログラムしてあるため、このタイミング
では紫外線照射装置100A,101Aによる紫外線の
照射は行われない。なお、上記移載アーム16が処理チ
ャンバ12A内にアクセスしている間はゲートバルブ1
0は下降して開口部82により移載室8と処理チャンバ
12Aとの間は連通した状態となっているが、上記一連
の作業中移載室8内には窒素ガスなどの不活性ガスが供
給される一方で、処理チャンバ12A内には真空系によ
り負圧が作用しているので、常に移載室8側から処理チ
ャンバ12A内に向かう気体の流れが形成されるので塵
や埃、不純物その他のコンタミネーションは移載室8側
から処理チャンバ12A側へ流れ、結果として移載室8
と処理チャンバ12A内は常にクリーンな状態に維持さ
れる。
渡した移載アーム16は関節を曲げながら移載機構91
に支持された軸の回りに回転して移載室8内に収容され
る方向に移動する(図8/STEP.9)。このとき移
載アーム16先端は再び紫外線照射装置100A,10
1Aの真下を通過するが、ウエハWを保持していない状
態で紫外線照射装置100A,101Aの真下を通過す
る際には紫外線照射装置100A,101Aの電源は入
らないようにプログラムしてあるため、このタイミング
では紫外線照射装置100A,101Aによる紫外線の
照射は行われない。なお、上記移載アーム16が処理チ
ャンバ12A内にアクセスしている間はゲートバルブ1
0は下降して開口部82により移載室8と処理チャンバ
12Aとの間は連通した状態となっているが、上記一連
の作業中移載室8内には窒素ガスなどの不活性ガスが供
給される一方で、処理チャンバ12A内には真空系によ
り負圧が作用しているので、常に移載室8側から処理チ
ャンバ12A内に向かう気体の流れが形成されるので塵
や埃、不純物その他のコンタミネーションは移載室8側
から処理チャンバ12A側へ流れ、結果として移載室8
と処理チャンバ12A内は常にクリーンな状態に維持さ
れる。
【0032】移載アーム16の全体が移載室8内に収容
されるとゲートバルブ10が上昇して開口部82を閉
じ、処理チャンバ12A内を密閉する(図9/STE
P.10)。
されるとゲートバルブ10が上昇して開口部82を閉
じ、処理チャンバ12A内を密閉する(図9/STE
P.10)。
【0033】この処理チャンバ12A内を密閉した状態
で、必要な処理環境、例えば、真空引きしたり、反応性
ガスで処理チャンバ12A内を満たすことなどにより所
期の条件を調整した後にサセプタ14上に載置されたウ
エハWに処理を施す(図9/STEP.11)。
で、必要な処理環境、例えば、真空引きしたり、反応性
ガスで処理チャンバ12A内を満たすことなどにより所
期の条件を調整した後にサセプタ14上に載置されたウ
エハWに処理を施す(図9/STEP.11)。
【0034】処理チャンバ12A内でウエハWに所定の
処理、例えばCVD法による自然酸化膜除去処理が施さ
れ、当該処理が完了すると、再びゲートバルブ10が下
降して開口部82を解放するとともに移載アーム16が
処理チャンバ12A内にアクセスする。処理チャンバ1
2A内ではリフトピンP,Pが上昇して処理の完了した
ウエハWを持ち上げる。このウエハWの下側に移載アー
ム16の先端が入り込み、この状態でリフトピンP,P
が下降することによりリフトピンP,Pから移載アーム
16側にウエハWが引き渡される(図10/STEP.
12〜15)。処理後のウエハWを受け取った移載アー
ム16は関節を曲げながら移載機構91に支持された回
転軸の回りに回転して処理チャンバ12A側から移載室
8側に移動を開始する(STEP.16)。
処理、例えばCVD法による自然酸化膜除去処理が施さ
れ、当該処理が完了すると、再びゲートバルブ10が下
降して開口部82を解放するとともに移載アーム16が
処理チャンバ12A内にアクセスする。処理チャンバ1
2A内ではリフトピンP,Pが上昇して処理の完了した
ウエハWを持ち上げる。このウエハWの下側に移載アー
ム16の先端が入り込み、この状態でリフトピンP,P
が下降することによりリフトピンP,Pから移載アーム
16側にウエハWが引き渡される(図10/STEP.
12〜15)。処理後のウエハWを受け取った移載アー
ム16は関節を曲げながら移載機構91に支持された回
転軸の回りに回転して処理チャンバ12A側から移載室
8側に移動を開始する(STEP.16)。
【0035】処理前のウエハW搬入時と同様に、移載ア
ーム16先端に保持されたウエハWが紫外線照射装置1
00A,101Aの真下を通過しようとすると、この移
載アーム16の動きと紫外線照射装置100A,101
Aのオン・オフは連動しているので、ちょうどウエハW
が通過するときに紫外線照射装置100A,101Aの
真下付近を通過するタイミングで紫外線照射装置100
A,101Aからの紫外線が通過するウエハWに照射さ
れる。そのため、処理後のウエハWが処理チャンバ12
A側から移載室8側へ移動する際に処理後のウエハWに
対して二回連続して紫外線が照射される(図11,図1
2/STEP.17〜19)。
ーム16先端に保持されたウエハWが紫外線照射装置1
00A,101Aの真下を通過しようとすると、この移
載アーム16の動きと紫外線照射装置100A,101
Aのオン・オフは連動しているので、ちょうどウエハW
が通過するときに紫外線照射装置100A,101Aの
真下付近を通過するタイミングで紫外線照射装置100
A,101Aからの紫外線が通過するウエハWに照射さ
れる。そのため、処理後のウエハWが処理チャンバ12
A側から移載室8側へ移動する際に処理後のウエハWに
対して二回連続して紫外線が照射される(図11,図1
2/STEP.17〜19)。
【0036】ウエハWが紫外線照射装置101Aの真下
を通過した後、移載アーム16が完全に移載室8内に収
容されると、ゲートバルブ10が上昇して開口部82を
閉じ、一つの処理チャンバ12Aでの処理が終了する
(STEP.20)。
を通過した後、移載アーム16が完全に移載室8内に収
容されると、ゲートバルブ10が上昇して開口部82を
閉じ、一つの処理チャンバ12Aでの処理が終了する
(STEP.20)。
【0037】一つの処理チャンバ12Aでの処理が終了
すると移載機構91が作動して、その上に支持している
移載アーム16全体を所定角度回転させ、次の処理を施
すための処理チャンバ、例えば処理チャンバ12Bに対
向する位置まで回転する(STEP.21)。
すると移載機構91が作動して、その上に支持している
移載アーム16全体を所定角度回転させ、次の処理を施
すための処理チャンバ、例えば処理チャンバ12Bに対
向する位置まで回転する(STEP.21)。
【0038】図14はウエハWに対する典型的な処理の
流れを示したフローチャートである。 図14に示した
ように、処理チャンバ12Bについても上記下と同様に
して、移載室8から処理チャンバ12B内に処理前のウ
エハWを搬入するときと、処理チャンバ12Bによる処
理、例えばゲート酸化膜処理後のウエハWを移載室8側
に搬出するときの二回、紫外線照射装置101B,10
0Bの真下を通過する際に紫外線照射を受ける。そのた
め、処理チャンバ12BからウエハWを出し入れする際
に都合4回、紫外線の照射を受ける。
流れを示したフローチャートである。 図14に示した
ように、処理チャンバ12Bについても上記下と同様に
して、移載室8から処理チャンバ12B内に処理前のウ
エハWを搬入するときと、処理チャンバ12Bによる処
理、例えばゲート酸化膜処理後のウエハWを移載室8側
に搬出するときの二回、紫外線照射装置101B,10
0Bの真下を通過する際に紫外線照射を受ける。そのた
め、処理チャンバ12BからウエハWを出し入れする際
に都合4回、紫外線の照射を受ける。
【0039】以下同様に、処理チャンバ12C、12D
において後続の処理、例えば、ポリシリコン製膜処理つ
いてもそれぞれ4回ずつ紫外線照射を受ける。かくして
一連の処理が完了すると、移載室8からロードロック室
38を経由して搬送アーム20により処理後のウエハW
が搬送され、キャリアカセット26内に収容される。以
上詳述したように、本実施形態に係る処理方法では、移
載室8と各処理チャンバ12とを接続する各ゲートバル
ブ付近に紫外線照射装置100,101を配設し、これ
ら紫外線照射装置100,101のオン/オフと移載ア
ーム16の動作とを同期させ、移載アーム16上にウエ
ハWが保持された状態で紫外線照射装置100,101
の真下の位置を通過する度にウエハW表面に紫外線が照
射されるような構成にしたので、ウエハWの搬送速度を
損なわずに効率よく紫外線照射によるウエハWの表面清
浄化処理を施すことができる。
において後続の処理、例えば、ポリシリコン製膜処理つ
いてもそれぞれ4回ずつ紫外線照射を受ける。かくして
一連の処理が完了すると、移載室8からロードロック室
38を経由して搬送アーム20により処理後のウエハW
が搬送され、キャリアカセット26内に収容される。以
上詳述したように、本実施形態に係る処理方法では、移
載室8と各処理チャンバ12とを接続する各ゲートバル
ブ付近に紫外線照射装置100,101を配設し、これ
ら紫外線照射装置100,101のオン/オフと移載ア
ーム16の動作とを同期させ、移載アーム16上にウエ
ハWが保持された状態で紫外線照射装置100,101
の真下の位置を通過する度にウエハW表面に紫外線が照
射されるような構成にしたので、ウエハWの搬送速度を
損なわずに効率よく紫外線照射によるウエハWの表面清
浄化処理を施すことができる。
【0040】なお、本実施形態の記載は本発明の範囲を
限定するものではない。例えば、上記実施形態では移載
室8と各処理チャンバ12A〜12Dとの連結部におい
て、移載室8側と各処理チャンバ12A〜12D側との
両方に紫外線照射装置101,100を1基ずつ配設し
たが、移載室8側だけに配設してもよく、各処理チャン
バ側だけに配設しても良い。
限定するものではない。例えば、上記実施形態では移載
室8と各処理チャンバ12A〜12Dとの連結部におい
て、移載室8側と各処理チャンバ12A〜12D側との
両方に紫外線照射装置101,100を1基ずつ配設し
たが、移載室8側だけに配設してもよく、各処理チャン
バ側だけに配設しても良い。
【0041】更に、上記実施形態では紫外線照射装置1
00,101の電源オン/オフ動作と移載アームの動作
とを同期させることによりウエハWが紫外線照射装置1
00,101の真下を通過する際にちょうどウエハW表
面に紫外線が照射される構成としたが、移載室と各処理
チャンバとの間の連通を開閉するゲートバルブの動作と
紫外線照射装置の電源オン/オフ動作とを同期させるこ
とによりウエハWが紫外線照射装置100,101の真
下を通過する際にちょうどウエハW表面に紫外線が照射
される構成としても良い。
00,101の電源オン/オフ動作と移載アームの動作
とを同期させることによりウエハWが紫外線照射装置1
00,101の真下を通過する際にちょうどウエハW表
面に紫外線が照射される構成としたが、移載室と各処理
チャンバとの間の連通を開閉するゲートバルブの動作と
紫外線照射装置の電源オン/オフ動作とを同期させるこ
とによりウエハWが紫外線照射装置100,101の真
下を通過する際にちょうどウエハW表面に紫外線が照射
される構成としても良い。
【0042】更に図15に示したように、紫外線照射装
置100をゲートバルブ10の真上の位置に配設するこ
とも可能である。
置100をゲートバルブ10の真上の位置に配設するこ
とも可能である。
【0043】
【発明の効果】本発明では被処理基板の搬送経路上に紫
外線照射装置を配設した構造を採用しているので、簡単
な構造で効率よく紫外線を照射することができる。ま
た、被処理基板の搬送を迅速に行いつつ紫外線を照射す
ることができる。
外線照射装置を配設した構造を採用しているので、簡単
な構造で効率よく紫外線を照射することができる。ま
た、被処理基板の搬送を迅速に行いつつ紫外線を照射す
ることができる。
【図1】本発明方法を実施するために用いるクラスタツ
ール装置を示す概略構成図である。
ール装置を示す概略構成図である。
【図2】本実施形態に係るクラスタツール装置の水平方
向の位置関係を示した垂直断面図である。
向の位置関係を示した垂直断面図である。
【図3】本実施形態に係る処理方法のフローを示したフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図4】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した垂
直断面図である。
直断面図である。
【図5】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した垂
直断面図である。
直断面図である。
【図6】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した垂
直断面図である。
直断面図である。
【図7】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した垂
直断面図である。
直断面図である。
【図8】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した垂
直断面図である。
直断面図である。
【図9】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した垂
直断面図である。
直断面図である。
【図10】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した
垂直断面図である。
垂直断面図である。
【図11】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した
垂直断面図である。
垂直断面図である。
【図12】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した
垂直断面図である。
垂直断面図である。
【図13】本実施形態に係る処理方法の各工程を示した
垂直断面図である。
垂直断面図である。
【図14】ウエハに対する典型的な処理の流れを示した
フローチャートである。
フローチャートである。
【図15】本発明の処理装置の変形例を示した垂直断面
図である。
図である。
W…ウエハ(被処理基板)、 82…開口部、 12A…処理チャンバ、 100A…紫外線照射装置、 101A…紫外線照射装置、 8…移載室、 16…移載アーム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 645 H01L 21/304 648J 648 21/302 N (72)発明者 桐生 秀樹 山梨県韮崎市穂坂町三ッ沢650 東京エレ クトロン株式会社総合研究所内 (72)発明者 青山 真太郎 山梨県韮崎市穂坂町三ッ沢650 東京エレ クトロン株式会社総合研究所内 Fターム(参考) 4G075 AA24 BA04 BC04 BC06 CA33 DA01 EA02 EB01 EB31 ED13 4K029 FA04 KA01 4K030 CA12 DA03 GA12 KA28 5F004 AA14 AA16 BB02 BB04 BC01 BC05 BC06 BD04 DB23 FA05 5F045 BB08 BB14 DQ17 EB02 EB08 EB09 EM03 EM09 EN04 EN05 EN06 GB15 HA08 HA18 HA25
Claims (5)
- 【請求項1】 被処理基板を処理する2以上の処理チャ
ンバと、 前記各処理チャンバに隣接し、前記各処理チャンバとの
間で被処理基板を出し入れする移載室と、 前記各処理チャンバと前記移載室との間に配設された紫
外線照射装置と、を具備することを特徴とする処理装
置。 - 【請求項2】 被処理基板を処理する2以上の処理チャ
ンバと、 前記各処理チャンバに隣接し、前記各処理チャンバとの
間で被処理基板を出し入れする移載室と、 前記各処理チャンバ内の被処理基板搬送路上側又は前記
移載室内の被処理基板搬送路上側に配設された紫外線照
射装置と、を具備することを特徴とする処理装置。 - 【請求項3】 被処理基板を処理する2以上の処理チャ
ンバと、 前記各処理チャンバに隣接し、前記各処理チャンバとの
間で被処理基板を出し入れする移載室と、 前記各処理チャンバ内の被処理基板搬送路上側に配設さ
れたチャンバ側紫外線照射装置と、 前記移載室内の被処理基板搬送路上側に配設された移載
室側紫外線照射装置と、を具備することを特徴とする処
理装置。 - 【請求項4】 処理チャンバと移載室との間をアームに
保持された被処理基板が搬送される間に該被処理基板に
紫外線を照射する処理方法であって、紫外線ランプのオ
ンオフが前記アームの動作と同期して行われることを特
徴とする処理方法。 - 【請求項5】 処理チャンバと移載室との間の扉を通過
する間に該被処理基板に紫外線を照射する処理方法であ
って、紫外線ランプのオンオフが前記扉の開閉動作と同
期して行われることを特徴とする処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28561299A JP2001104776A (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 処理装置及び処理方法 |
PCT/JP2000/003018 WO2000070666A1 (fr) | 1999-05-14 | 2000-05-11 | Technique de traitement et dispositif correspondant |
KR1020017014485A KR100613674B1 (ko) | 1999-05-14 | 2000-05-11 | 웨이퍼 처리 장치 및 처리 방법 |
US09/631,978 US6467491B1 (en) | 1999-05-04 | 2000-08-03 | Processing apparatus and processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28561299A JP2001104776A (ja) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | 処理装置及び処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001104776A true JP2001104776A (ja) | 2001-04-17 |
Family
ID=17693790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28561299A Pending JP2001104776A (ja) | 1999-05-04 | 1999-10-06 | 処理装置及び処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001104776A (ja) |
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-
1999
- 1999-10-06 JP JP28561299A patent/JP2001104776A/ja active Pending
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