JP2002198412A - 搬送処理方法及び搬送処理装置 - Google Patents
搬送処理方法及び搬送処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理体の処理前の大気汚染を防止して、製
品歩留りの向上を図り、かつ、設置スペースの有効利用
及び装置の小型化を図る。 【解決手段】 搬送室４の周囲にゲートバルブ５を介し
て処理室１ａ，１ｂ及び収納室２ａ，２ｂを配設する。
搬送室４内に、処理室１ａ，１ｂ及び収納室２ａ，２ｂ
内のウエハＷの搬出・搬入を司る搬送手段６を配設す
る。処理室１ａ，１ｂ、収納室２ａ，２ｂ及び搬送室４
に、それぞれバルブ１１を配設したＮ2 ガス供給管７を
介してＮ2 ガス供給源８を接続すると共に、バルブ１２
を配設した排気管９を介して真空ポンプ１０を接続す
る。これにより、処理室１ａ，１ｂ、収納室２ａ，２ｂ
及び搬送室４内を真空及びＮ2 ガス雰囲気として、未処
理及び処理中のウエハＷ表面への自然酸化膜やパーティ
クル等の付着を防止することができる。
品歩留りの向上を図り、かつ、設置スペースの有効利用
及び装置の小型化を図る。 【解決手段】 搬送室４の周囲にゲートバルブ５を介し
て処理室１ａ，１ｂ及び収納室２ａ，２ｂを配設する。
搬送室４内に、処理室１ａ，１ｂ及び収納室２ａ，２ｂ
内のウエハＷの搬出・搬入を司る搬送手段６を配設す
る。処理室１ａ，１ｂ、収納室２ａ，２ｂ及び搬送室４
に、それぞれバルブ１１を配設したＮ2 ガス供給管７を
介してＮ2 ガス供給源８を接続すると共に、バルブ１２
を配設した排気管９を介して真空ポンプ１０を接続す
る。これにより、処理室１ａ，１ｂ、収納室２ａ，２ｂ
及び搬送室４内を真空及びＮ2 ガス雰囲気として、未処
理及び処理中のウエハＷ表面への自然酸化膜やパーティ
クル等の付着を防止することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハ等の被処理体を所定の処理部に搬送する搬送処理方
法及び搬送処理装置に関するものである。
エハ等の被処理体を所定の処理部に搬送する搬送処理方
法及び搬送処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ウエハ（以下にウエハと
いう）の製造プロセスにおいて、ウエハの表面に薄膜を
形成する薄膜形成装置、酸化膜を形成する酸化装置や不
純物を導入する不純物導入装置等が使用されている。そ
して、これら薄膜、酸化膜等を形成する装置として、ガ
ス反応と加熱により処理する表面処理装置が使用されて
いる。
いう）の製造プロセスにおいて、ウエハの表面に薄膜を
形成する薄膜形成装置、酸化膜を形成する酸化装置や不
純物を導入する不純物導入装置等が使用されている。そ
して、これら薄膜、酸化膜等を形成する装置として、ガ
ス反応と加熱により処理する表面処理装置が使用されて
いる。
【０００３】従来、この種の表面処理装置を用いてウエ
ハを処理するには、所定枚数のウエハを収容したカセッ
トから搬送アーム等の搬送手段によってウエハを取出
し、表面処理装置の処理室内に搬送して、熱処理を行っ
た後、処理室からウエハを取出している。また、処理能
率の向上を図るために、複数の表面処理装置を配設する
と共に、各表面処理装置の処理室に対して搬送手段を配
設している。
ハを処理するには、所定枚数のウエハを収容したカセッ
トから搬送アーム等の搬送手段によってウエハを取出
し、表面処理装置の処理室内に搬送して、熱処理を行っ
た後、処理室からウエハを取出している。また、処理能
率の向上を図るために、複数の表面処理装置を配設する
と共に、各表面処理装置の処理室に対して搬送手段を配
設している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の装置においては、表面処理装置の処理室に被処
理体を搬送する場合、大気中から直接処理室内に搬送し
ているため、被処理体が大気中に晒され、被処理体がご
みの付着や自然酸化膜の形成等によって大気汚染され、
製品歩留りの低下を招く虞れがあった。
この種の装置においては、表面処理装置の処理室に被処
理体を搬送する場合、大気中から直接処理室内に搬送し
ているため、被処理体が大気中に晒され、被処理体がご
みの付着や自然酸化膜の形成等によって大気汚染され、
製品歩留りの低下を招く虞れがあった。
【０００５】また、処理室を複数設けた場合には、複数
の処理室に対して搬送手段も複数必要とするか、搬送手
段の移動範囲を広くする必要があるため、設置スペース
を大きくすると共に、装置を大型化しなければならない
という問題もあった。
の処理室に対して搬送手段も複数必要とするか、搬送手
段の移動範囲を広くする必要があるため、設置スペース
を大きくすると共に、装置を大型化しなければならない
という問題もあった。
【０００６】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理体の処理前の大気汚染を防止して、製品歩留
りの向上を図り、かつ、設置スペースの有効利用及び装
置の小型化を図れるようにした搬送処理方法及び搬送処
理装置を提供することを目的とするものである。
で、被処理体の処理前の大気汚染を防止して、製品歩留
りの向上を図り、かつ、設置スペースの有効利用及び装
置の小型化を図れるようにした搬送処理方法及び搬送処
理装置を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の搬送処理方法は、被処理体を処理す
る表面処理装置を搭載する１又は複数の処理室と、被処
理体を収納する１又は複数の収納室と、気密開閉手段を
介して上記処理室及び収納室との間に配設される搬送室
と、上記搬送室内に配設されて、上記処理室及び収納室
内の被処理体の搬出・搬入を司る搬送手段とを具備する
搬送処理装置において、上記処理室、収納室及び搬送室
内を真空状態にした後、不活性ガス雰囲気にする工程
と、上記収納室と搬送室との間の上記気密開閉手段を開
放して、上記搬送手段により収納室内の上記被処理体を
受取った後、搬送室と上記処理室との間の気密開閉手段
を開放して、搬送手段により処理室内に被処理体を受け
渡す工程と、上記被処理体を処理室内に受け渡した後、
処理室と搬送室との間の気密開閉手段を閉じた後、上記
表面処理装置にて被処理体の処理を行う工程と、を有す
ることを特徴とする。
に、請求項１記載の搬送処理方法は、被処理体を処理す
る表面処理装置を搭載する１又は複数の処理室と、被処
理体を収納する１又は複数の収納室と、気密開閉手段を
介して上記処理室及び収納室との間に配設される搬送室
と、上記搬送室内に配設されて、上記処理室及び収納室
内の被処理体の搬出・搬入を司る搬送手段とを具備する
搬送処理装置において、上記処理室、収納室及び搬送室
内を真空状態にした後、不活性ガス雰囲気にする工程
と、上記収納室と搬送室との間の上記気密開閉手段を開
放して、上記搬送手段により収納室内の上記被処理体を
受取った後、搬送室と上記処理室との間の気密開閉手段
を開放して、搬送手段により処理室内に被処理体を受け
渡す工程と、上記被処理体を処理室内に受け渡した後、
処理室と搬送室との間の気密開閉手段を閉じた後、上記
表面処理装置にて被処理体の処理を行う工程と、を有す
ることを特徴とする。
【０００８】請求項１記載の搬送処理方法において、上
記処理室、収納室及び搬送室内を不活性ガス雰囲気にす
る際、搬送室内に配設される搬送手段の駆動室を搬送室
と気密に遮断し、駆動室内を、搬送室とは別系統の不活
性ガス雰囲気にする方が好ましい（請求項２）。また、
上記表面処理装置にて被処理体の処理を行っている間
に、搬送手段によって別の収納室内の被処理体を別の処
理室内に受け渡して、該別の処理室の表面処理装置にて
被処理体の処理を行うことも可能である（請求項３）。
また、上記表面処理装置にて処理された被処理体を、搬
送手段によって別の処理室内に受け渡し、該別の処理室
の表面処理装置にて被処理体の処理を連続して行うこと
も可能である（請求項４）。この場合、複数の処理室の
表面処理装置にて被処理体の処理を行う順序を逆にして
もよい（請求項５）。
記処理室、収納室及び搬送室内を不活性ガス雰囲気にす
る際、搬送室内に配設される搬送手段の駆動室を搬送室
と気密に遮断し、駆動室内を、搬送室とは別系統の不活
性ガス雰囲気にする方が好ましい（請求項２）。また、
上記表面処理装置にて被処理体の処理を行っている間
に、搬送手段によって別の収納室内の被処理体を別の処
理室内に受け渡して、該別の処理室の表面処理装置にて
被処理体の処理を行うことも可能である（請求項３）。
また、上記表面処理装置にて処理された被処理体を、搬
送手段によって別の処理室内に受け渡し、該別の処理室
の表面処理装置にて被処理体の処理を連続して行うこと
も可能である（請求項４）。この場合、複数の処理室の
表面処理装置にて被処理体の処理を行う順序を逆にして
もよい（請求項５）。
【０００９】請求項６記載の搬送処理装置は、請求項１
記載の搬送処理方法を具現化するもので、被処理体を処
理する表面処理装置を搭載する１又は複数の処理室と、
被処理体を収納する１又は複数の収納室と、気密開閉手
段を介して上記処理室及び収納室との間に配設される搬
送室と、上記搬送室内に配設されて、上記処理室及び収
納室内の被処理体の搬出・搬入を司る搬送手段とを具備
し、上記処理室、収納室及び搬送室に、それぞれバルブ
を配設する供給管を介して不活性ガス供給源を接続する
と共に、バルブを配設する排気管を介して真空ポンプを
接続して、上記各処理室、収納室及び搬送室内を真空及
び不活性ガス雰囲気可能にする、ことを特徴とする。
記載の搬送処理方法を具現化するもので、被処理体を処
理する表面処理装置を搭載する１又は複数の処理室と、
被処理体を収納する１又は複数の収納室と、気密開閉手
段を介して上記処理室及び収納室との間に配設される搬
送室と、上記搬送室内に配設されて、上記処理室及び収
納室内の被処理体の搬出・搬入を司る搬送手段とを具備
し、上記処理室、収納室及び搬送室に、それぞれバルブ
を配設する供給管を介して不活性ガス供給源を接続する
と共に、バルブを配設する排気管を介して真空ポンプを
接続して、上記各処理室、収納室及び搬送室内を真空及
び不活性ガス雰囲気可能にする、ことを特徴とする。
【００１０】請求項６記載の搬送処理装置において、上
記搬送室内に配設される搬送手段を、搬送室内に露出す
る搬送駆動部と、搬送室と気密に遮断可能に区画される
駆動室内に配設される昇降駆動部とで構成し、上記駆動
室に、バルブを配設した供給管を介して上記搬送室とは
別系統の不活性ガス供給源を接続すると共に、通気管を
介して排気側に接続する方が好ましい（請求項７）。
記搬送室内に配設される搬送手段を、搬送室内に露出す
る搬送駆動部と、搬送室と気密に遮断可能に区画される
駆動室内に配設される昇降駆動部とで構成し、上記駆動
室に、バルブを配設した供給管を介して上記搬送室とは
別系統の不活性ガス供給源を接続すると共に、通気管を
介して排気側に接続する方が好ましい（請求項７）。
【００１１】請求項１，６記載の発明によれば、気密開
閉手段を介して接続される処理室、収納室及び搬送室内
を真空及び不活性ガス雰囲気とすることにより、未処理
及び処理中の被処理体を大気と遮断して大気汚染から保
護することができる。また、搬送室を、処理室及び収納
室の間に配設することにより、１種類の搬送手段によっ
て被処理体の搬送を行うことができる。
閉手段を介して接続される処理室、収納室及び搬送室内
を真空及び不活性ガス雰囲気とすることにより、未処理
及び処理中の被処理体を大気と遮断して大気汚染から保
護することができる。また、搬送室を、処理室及び収納
室の間に配設することにより、１種類の搬送手段によっ
て被処理体の搬送を行うことができる。
【００１２】請求項２，７記載の発明によれば、搬送室
から区画される駆動室内を搬送室と別に所定ガス雰囲気
にすることにより、駆動室内の昇降駆動部を真空雰囲気
に晒さずに所定のガス雰囲気におくことができる。
から区画される駆動室内を搬送室と別に所定ガス雰囲気
にすることにより、駆動室内の昇降駆動部を真空雰囲気
に晒さずに所定のガス雰囲気におくことができる。
【００１３】請求項３，４，５記載の発明によれば、大
気汚染から保護された被処理体を連続して処理すること
ができる。
気汚染から保護された被処理体を連続して処理すること
ができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施形態を図
面に基いて詳細に説明する。ここでは、この発明の搬送
処理装置をウエハの表面処理装置に適用した場合につい
て説明する。
面に基いて詳細に説明する。ここでは、この発明の搬送
処理装置をウエハの表面処理装置に適用した場合につい
て説明する。
【００１５】図１はこの発明の搬送処理装置の概略構成
図、図２はその概略斜視図が示されている。
図、図２はその概略斜視図が示されている。
【００１６】この発明の搬送処理装置は、被処理体であ
るウエハＷを処理する表面処理装置４０を搭載する２つ
の処理室１ａ，１ｂと、ウエハＷを収納する２つの収納
室２ａ，２ｂと、前処理されるウエハＷを収納する前処
理用収納室３と、気密開閉手段であるゲートバルブ５を
介して処理室１ａ，１ｂ、収納室２ａ，２ｂ及び前処理
用収納室３との間に配設される搬送室４とを具備してな
る。そして、搬送室４内には、処理室１ａ，１ｂ、収納
室２ａ，２ｂ及び前処理用収納室３内のウエハＷの搬出
・搬入を司る搬送手段６が配設されている。また、処理
室１ａ，１ｂ、収納室２ａ，２ｂ、前処理用収納室３及
び搬送室４には、それぞれ例えば窒素（Ｎ2 ）ガス、ア
ルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスあるいはこれらとの混合
ガスの供給管７（以下にＮ2 ガス供給管という）を介し
てＮ2 ガス供給源８が接続されると共に、排気管９を介
して真空ポンプ１０が接続されている。なお、ガス供給
管８及び排気管９にはそれぞれバルブ１１，１２が配設
されている。
るウエハＷを処理する表面処理装置４０を搭載する２つ
の処理室１ａ，１ｂと、ウエハＷを収納する２つの収納
室２ａ，２ｂと、前処理されるウエハＷを収納する前処
理用収納室３と、気密開閉手段であるゲートバルブ５を
介して処理室１ａ，１ｂ、収納室２ａ，２ｂ及び前処理
用収納室３との間に配設される搬送室４とを具備してな
る。そして、搬送室４内には、処理室１ａ，１ｂ、収納
室２ａ，２ｂ及び前処理用収納室３内のウエハＷの搬出
・搬入を司る搬送手段６が配設されている。また、処理
室１ａ，１ｂ、収納室２ａ，２ｂ、前処理用収納室３及
び搬送室４には、それぞれ例えば窒素（Ｎ2 ）ガス、ア
ルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスあるいはこれらとの混合
ガスの供給管７（以下にＮ2 ガス供給管という）を介し
てＮ2 ガス供給源８が接続されると共に、排気管９を介
して真空ポンプ１０が接続されている。なお、ガス供給
管８及び排気管９にはそれぞれバルブ１１，１２が配設
されている。
【００１７】ウエハＷを収容する収納室２ａ，２ｂは、
外部の大気雰囲気との間を開閉するゲートバルブ５ａ
と、図示しない回転機構によって回転するターンテーブ
ル１３とを具備してなり、ターンテーブル１３上には、
ウエハＷの収容容器であるウエハカセット１４が例えば
５個周方向に等間隔に載置されている。このように構成
される収納室２ａ，２ｂは、真空ポンプ１０によって所
定の真空度まで減圧された後、ガス供給管７からＮ2 ガ
スが供給された状態で図示しない通気管よりＮ2ガスを
排気して常時新たなＮ2 ガスが流通されることによっ
て、収納室２ａ，２ｂ内に発生したパーティクルを排出
してウエハＷへのパーティクルの付着を抑制している。
外部の大気雰囲気との間を開閉するゲートバルブ５ａ
と、図示しない回転機構によって回転するターンテーブ
ル１３とを具備してなり、ターンテーブル１３上には、
ウエハＷの収容容器であるウエハカセット１４が例えば
５個周方向に等間隔に載置されている。このように構成
される収納室２ａ，２ｂは、真空ポンプ１０によって所
定の真空度まで減圧された後、ガス供給管７からＮ2 ガ
スが供給された状態で図示しない通気管よりＮ2ガスを
排気して常時新たなＮ2 ガスが流通されることによっ
て、収納室２ａ，２ｂ内に発生したパーティクルを排出
してウエハＷへのパーティクルの付着を抑制している。
【００１８】搬送室４内に配設される搬送手段６は、図
３に示すように、搬送室４内に露出する搬送駆動部１５
と、搬送室４と区画される駆動室１６内に配設される昇
降駆動部１７とで構成されている。この場合、搬送駆動
部１５は、駆動室１６内に配設される昇降モータ１８に
よって駆動室１６の上部を昇降する駆動基部１９と、駆
動基部１９内に磁気シール等の気密手段２０を介して配
設される駆動モータ２１によって水平方向に回転される
第１のアーム２２ａと、第１のアーム２２ａの先端部に
回転可能に連接される第２のアーム２２ｂと、第２のア
ーム２２ｂの先端部に回転可能に連接されるウエハ保持
アーム２２ｃとからなる多間接搬送アームロボットにて
形成されている。このように構成される搬送手段６は、
昇降モータ１８及び駆動モータ２１の駆動によって垂直
方向（Ｖ）と水平方向の回転（θ）及び伸縮方向（Ｈ）
に移動自在に形成されている。なお、図面ではウエハ保
持アーム２２ｃが１つの場合について説明したが、ウエ
ハ保持アーム２２ｃを垂直方向に適宜間隔をおいて複数
（例えば５個）設けることも可能である。また、駆動基
部１９の下端部に可動ブロック２３が固着されており、
この可動ブロック２３は、駆動室１６内に垂直方向に平
行に配設される２本のガイドレール２４に沿って摺動可
能に配設されると共に、ガイドレール２４と平行に配設
されるボールねじ軸２５に螺合されている。そして、ボ
ールねじ軸２５はギア等の伝達機構２６を介して昇降モ
ータ１８に連結されている。したがって、昇降モータ１
８の駆動により伝達機構２６を介してボールねじ軸２５
が回転し、ボールねじ軸２５の回転に伴って可動ブロッ
ク２３を介して駆動基部１９及び搬送駆動部１５が昇降
するようになってる。
３に示すように、搬送室４内に露出する搬送駆動部１５
と、搬送室４と区画される駆動室１６内に配設される昇
降駆動部１７とで構成されている。この場合、搬送駆動
部１５は、駆動室１６内に配設される昇降モータ１８に
よって駆動室１６の上部を昇降する駆動基部１９と、駆
動基部１９内に磁気シール等の気密手段２０を介して配
設される駆動モータ２１によって水平方向に回転される
第１のアーム２２ａと、第１のアーム２２ａの先端部に
回転可能に連接される第２のアーム２２ｂと、第２のア
ーム２２ｂの先端部に回転可能に連接されるウエハ保持
アーム２２ｃとからなる多間接搬送アームロボットにて
形成されている。このように構成される搬送手段６は、
昇降モータ１８及び駆動モータ２１の駆動によって垂直
方向（Ｖ）と水平方向の回転（θ）及び伸縮方向（Ｈ）
に移動自在に形成されている。なお、図面ではウエハ保
持アーム２２ｃが１つの場合について説明したが、ウエ
ハ保持アーム２２ｃを垂直方向に適宜間隔をおいて複数
（例えば５個）設けることも可能である。また、駆動基
部１９の下端部に可動ブロック２３が固着されており、
この可動ブロック２３は、駆動室１６内に垂直方向に平
行に配設される２本のガイドレール２４に沿って摺動可
能に配設されると共に、ガイドレール２４と平行に配設
されるボールねじ軸２５に螺合されている。そして、ボ
ールねじ軸２５はギア等の伝達機構２６を介して昇降モ
ータ１８に連結されている。したがって、昇降モータ１
８の駆動により伝達機構２６を介してボールねじ軸２５
が回転し、ボールねじ軸２５の回転に伴って可動ブロッ
ク２３を介して駆動基部１９及び搬送駆動部１５が昇降
するようになってる。
【００１９】また、駆動基部１９の可動ブロック２３の
上部に緩衝防止用のステンレス製の蛇腹管２７を介して
取付板２８が配設されており、この取付板２８の上面に
は、駆動室１６の上部開口部の周辺下面に当接する気密
手段であるＯリング２９が装着されている。したがっ
て、昇降モータ１８の駆動によって駆動基部１９が最上
部まで移動した際にＯリング２９が駆動室１６の上部下
面に当接することにより駆動室１６内と搬送室４とが気
密状態に区画される。
上部に緩衝防止用のステンレス製の蛇腹管２７を介して
取付板２８が配設されており、この取付板２８の上面に
は、駆動室１６の上部開口部の周辺下面に当接する気密
手段であるＯリング２９が装着されている。したがっ
て、昇降モータ１８の駆動によって駆動基部１９が最上
部まで移動した際にＯリング２９が駆動室１６の上部下
面に当接することにより駆動室１６内と搬送室４とが気
密状態に区画される。
【００２０】更に、上記のように構成される駆動室１６
には、搬送室４に接続されるガス供給管７と別のＮ2 ガ
ス供給管７ａを介してＮ2 供給源８ａが接続されると共
に、通気管３０が接続されて、搬送室４とは別系統のガ
ス供給系によって駆動室１６内がＮ2 ガス雰囲気におか
れるようになっている。なお、Ｎ2 ガス供給管７ａ及び
通気管３０にはそれぞれバルブ１１ａ，１２ａが配設さ
れている。
には、搬送室４に接続されるガス供給管７と別のＮ2 ガ
ス供給管７ａを介してＮ2 供給源８ａが接続されると共
に、通気管３０が接続されて、搬送室４とは別系統のガ
ス供給系によって駆動室１６内がＮ2 ガス雰囲気におか
れるようになっている。なお、Ｎ2 ガス供給管７ａ及び
通気管３０にはそれぞれバルブ１１ａ，１２ａが配設さ
れている。
【００２１】上記のように、搬送手段６を搬送駆動部１
５と昇降駆動部１７とに分離形成することにより、昇降
駆動部１７の駆動系すなわち昇降モータ１８や図示しな
いエンコーダ等を真空用にする必要がなく、通常の大気
用のものを使用することができる。また、搬送駆動部１
５を搬送室４内に最露出した状態で、搬送室４内を駆動
室１６と遮断して真空状態にした後、Ｎ2 ガスを供給す
ることができるので、少ないＮ2 ガスの使用によって搬
送室４内の酸素（Ｏ2 ）濃度を低下することができる。
５と昇降駆動部１７とに分離形成することにより、昇降
駆動部１７の駆動系すなわち昇降モータ１８や図示しな
いエンコーダ等を真空用にする必要がなく、通常の大気
用のものを使用することができる。また、搬送駆動部１
５を搬送室４内に最露出した状態で、搬送室４内を駆動
室１６と遮断して真空状態にした後、Ｎ2 ガスを供給す
ることができるので、少ないＮ2 ガスの使用によって搬
送室４内の酸素（Ｏ2 ）濃度を低下することができる。
【００２２】上記処理室１ａ，１ｂは、その内部にウエ
ハＷを昇降するウエハボート３１を配設してなり、処理
室１ａ，１ｂの上方にはウエハボート３１にて保持され
た複数枚のウエハＷを同時に熱処理する表面処理装置４
０が搭載されている。この場合、ウエハボート３１は、
図４に示すように、４本の支柱３６と、上下の円板状の
部材３６ａ、３６ｂとで構成されており、保温筒３５の
上方に立設されている。保温筒３５は、回転板３４上に
載置され、回転可能に構成されている。また、回転板３
４は、昇降台３３上に図示しない回転機構によって回転
自在に支承され、この昇降台３３は基台３２に対して図
示しない駆動機構により昇降可能に構成されている。ま
た、ウエハボート３１は、各支柱３６の対向側面に設け
られた等間隔の保持溝（図示せず）によって複数枚のウ
エハＷを間隔をおいて保持し得るようになっている。
ハＷを昇降するウエハボート３１を配設してなり、処理
室１ａ，１ｂの上方にはウエハボート３１にて保持され
た複数枚のウエハＷを同時に熱処理する表面処理装置４
０が搭載されている。この場合、ウエハボート３１は、
図４に示すように、４本の支柱３６と、上下の円板状の
部材３６ａ、３６ｂとで構成されており、保温筒３５の
上方に立設されている。保温筒３５は、回転板３４上に
載置され、回転可能に構成されている。また、回転板３
４は、昇降台３３上に図示しない回転機構によって回転
自在に支承され、この昇降台３３は基台３２に対して図
示しない駆動機構により昇降可能に構成されている。ま
た、ウエハボート３１は、各支柱３６の対向側面に設け
られた等間隔の保持溝（図示せず）によって複数枚のウ
エハＷを間隔をおいて保持し得るようになっている。
【００２３】表面処理装置４０は、図５に示すように、
同心状に適宜間隔をおいて配設される石英製の内筒４１
と石英製の外筒４２とからなる反応容器４３にて主要部
が構成されている。また、外筒４２及び内筒４１はそれ
ぞれその下端にて例えばステンレス等にて形成される筒
状のマニホールド４５にて保持されており、このマニホ
ールド４５は図示しないベースプレートにて固定されて
いる。マニホールド４５の下端部の開口部は上記ウエハ
ボート３１の昇降台３３にて開閉されるようになってい
る。また、マニホールド４５の側面から反応容器４３内
にインジェクタ４６が気密に挿入されており、このマニ
ホールド４５の内端側はＬ字状に屈曲されて、内筒４１
の内側に上方に向けて垂直に伸びている。インジェクタ
４６の外端側に接続されるガス供給源（図示せず）から
ＣＶＤ用のガスであるジシラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）ガス
やアンモニアガス（ＮＨ3 ) がガス流出口４６ａから反
応容器４３内に供給されるようになっている。反応容器
４３内で処理に供された処理ガスはマニホールド４５の
側面に設けられた排気路４７から外部に排出されるよう
になっている。
同心状に適宜間隔をおいて配設される石英製の内筒４１
と石英製の外筒４２とからなる反応容器４３にて主要部
が構成されている。また、外筒４２及び内筒４１はそれ
ぞれその下端にて例えばステンレス等にて形成される筒
状のマニホールド４５にて保持されており、このマニホ
ールド４５は図示しないベースプレートにて固定されて
いる。マニホールド４５の下端部の開口部は上記ウエハ
ボート３１の昇降台３３にて開閉されるようになってい
る。また、マニホールド４５の側面から反応容器４３内
にインジェクタ４６が気密に挿入されており、このマニ
ホールド４５の内端側はＬ字状に屈曲されて、内筒４１
の内側に上方に向けて垂直に伸びている。インジェクタ
４６の外端側に接続されるガス供給源（図示せず）から
ＣＶＤ用のガスであるジシラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）ガス
やアンモニアガス（ＮＨ3 ) がガス流出口４６ａから反
応容器４３内に供給されるようになっている。反応容器
４３内で処理に供された処理ガスはマニホールド４５の
側面に設けられた排気路４７から外部に排出されるよう
になっている。
【００２４】一方、前処理用収納室３にはゲートバルブ
５を介して例えば洗浄装置等の前処理装置５０が連結さ
れている。この前処理用収納室３内には、前処理の必要
なウエハＷを仮収納するウエハ仮保持部３７が配設され
ている。このウエハ仮保持部３７は、図６に示すよう
に、基台３２ａに対して図示しない駆動機構によって昇
降自在な昇降台３３ａに矩形枠状のバッファカセット３
８を載置してなり、バッファカセット３８の対向する内
壁に等間隔をおいて設けられた保持溝３９にウエハＷを
仮保持し得るようになっている。したがって、搬送手段
６にて搬送されるウエハＷをバッファカセット３８に仮
保持した状態で、前処理装置５０側の搬送アーム５１に
てウエハＷを保持して前処理装置に搬送することが可能
となる。
５を介して例えば洗浄装置等の前処理装置５０が連結さ
れている。この前処理用収納室３内には、前処理の必要
なウエハＷを仮収納するウエハ仮保持部３７が配設され
ている。このウエハ仮保持部３７は、図６に示すよう
に、基台３２ａに対して図示しない駆動機構によって昇
降自在な昇降台３３ａに矩形枠状のバッファカセット３
８を載置してなり、バッファカセット３８の対向する内
壁に等間隔をおいて設けられた保持溝３９にウエハＷを
仮保持し得るようになっている。したがって、搬送手段
６にて搬送されるウエハＷをバッファカセット３８に仮
保持した状態で、前処理装置５０側の搬送アーム５１に
てウエハＷを保持して前処理装置に搬送することが可能
となる。
【００２５】次に、この発明の搬送処理装置の作動態様
について図１を参照して説明する。
について図１を参照して説明する。
【００２６】実施形態１ まず、使用に際して、真空ポンプ１０を作動すると共
に、バルブ１２を開放して収納室２ａ，２ｂ、搬送室
４、処理室１ａ，１ｂ及び前処理用収納室３内を真空状
態にした後、バルブ１１を開放してＮ2 ガス供給源８か
ら各室内にＮ2 ガスを供給して各室内をＮ2 ガス雰囲気
にする。この際、搬送室４内に配設される搬送手段６の
搬送駆動部１５を最上位置に移動させて、Ｏリング２９
により駆動室１６と搬送室４とを遮断し、駆動室１６内
に別系統のＮ2 ガス供給源８ａからＮ2 ガスを供給する
ことによって駆動室１６内もＮ2 ガス雰囲気にし、各室
のＯ2濃度を低下させる。
に、バルブ１２を開放して収納室２ａ，２ｂ、搬送室
４、処理室１ａ，１ｂ及び前処理用収納室３内を真空状
態にした後、バルブ１１を開放してＮ2 ガス供給源８か
ら各室内にＮ2 ガスを供給して各室内をＮ2 ガス雰囲気
にする。この際、搬送室４内に配設される搬送手段６の
搬送駆動部１５を最上位置に移動させて、Ｏリング２９
により駆動室１６と搬送室４とを遮断し、駆動室１６内
に別系統のＮ2 ガス供給源８ａからＮ2 ガスを供給する
ことによって駆動室１６内もＮ2 ガス雰囲気にし、各室
のＯ2濃度を低下させる。
【００２７】次に、第１の収納室２ａと搬送室４との間
のゲートバルブ５を開放し、搬送手段６のウエハ保持ア
ーム２２ｃが収納室２ａ内に挿入して収納室２ａ内に収
納されたウエハカセット１４内からウエハＷを受取った
後、搬送室４と第１の処理室１ａとの間のゲートバルブ
５を開放して、第１の処理室１ａ内にウエハ保持アーム
２２ｃが挿入して第１の処理室１ａ内のウエハボート３
１にウエハを受け渡す。
のゲートバルブ５を開放し、搬送手段６のウエハ保持ア
ーム２２ｃが収納室２ａ内に挿入して収納室２ａ内に収
納されたウエハカセット１４内からウエハＷを受取った
後、搬送室４と第１の処理室１ａとの間のゲートバルブ
５を開放して、第１の処理室１ａ内にウエハ保持アーム
２２ｃが挿入して第１の処理室１ａ内のウエハボート３
１にウエハを受け渡す。
【００２８】このようにして所定枚数のウエハＷをウエ
ハボート３１に受け渡した後、搬送室４と第１の処理室
１ａとの間のゲートバルブ５を閉じて、ウエハボート３
１が上昇し、第１の表面処理装置４０の反応容器４３内
に挿入され、ウエハボート３１の昇降台３３によって反
応容器４３の開口部が気密に閉じられ、所定の表面処理
を行う。第１の表面処理装置４０においてウエハＷの表
面処理を行っている間、搬送手段６によって第２の収納
室２ｂ内のウエハＷを第２の処理室１ｂ内のウエハボー
ト３１に受け渡して、上記と同様に第２の表面処理装置
４０にてウエハＷの表面処理を行うことも可能である。
ハボート３１に受け渡した後、搬送室４と第１の処理室
１ａとの間のゲートバルブ５を閉じて、ウエハボート３
１が上昇し、第１の表面処理装置４０の反応容器４３内
に挿入され、ウエハボート３１の昇降台３３によって反
応容器４３の開口部が気密に閉じられ、所定の表面処理
を行う。第１の表面処理装置４０においてウエハＷの表
面処理を行っている間、搬送手段６によって第２の収納
室２ｂ内のウエハＷを第２の処理室１ｂ内のウエハボー
ト３１に受け渡して、上記と同様に第２の表面処理装置
４０にてウエハＷの表面処理を行うことも可能である。
【００２９】ウエハＷの表面処理が終了した後、反応容
器４３からウエハボート３１を下降して第１の処理室１
ａ内に移動した後、前述と逆の動作によって処理済みの
ウエハＷを第１の収納室２ａ内のウエハカセット１４に
受け渡してウエハＷの処理は完了する。また、同様に第
２の処理室１ｂの処理済みのウエハＷは第２の収納室２
ｂのウエハカセット１４に受け渡される。
器４３からウエハボート３１を下降して第１の処理室１
ａ内に移動した後、前述と逆の動作によって処理済みの
ウエハＷを第１の収納室２ａ内のウエハカセット１４に
受け渡してウエハＷの処理は完了する。また、同様に第
２の処理室１ｂの処理済みのウエハＷは第２の収納室２
ｂのウエハカセット１４に受け渡される。
【００３０】実施形態２ 上記実施形態１と同様に各室を真空引きした後、Ｎ2 ガ
スを供給して各室内をＮ2 ガス雰囲気とする。そして、
搬送手段６によって収納室２ａ，２ｂから受け取られた
ウエハＷを前処理用収納室３に搬送し、前処理用収納室
３のバッファカセット３８に仮保持されたウエハＷを前
処理装置５０に搬送してウエハＷに付着したパーティク
ルや自然酸化膜等の除去を行う。
スを供給して各室内をＮ2 ガス雰囲気とする。そして、
搬送手段６によって収納室２ａ，２ｂから受け取られた
ウエハＷを前処理用収納室３に搬送し、前処理用収納室
３のバッファカセット３８に仮保持されたウエハＷを前
処理装置５０に搬送してウエハＷに付着したパーティク
ルや自然酸化膜等の除去を行う。
【００３１】前処理装置５０によって前処理が行われた
ウエハＷを上記実施形態１と同様に処理室１ａ，１ｂの
ウエハボート３１に受け渡して、表面処理装置４０によ
って表面処理した後、収納室２ａ，２ｂのウエハカセッ
ト１４に受け渡してウエハＷの処理は完了する。
ウエハＷを上記実施形態１と同様に処理室１ａ，１ｂの
ウエハボート３１に受け渡して、表面処理装置４０によ
って表面処理した後、収納室２ａ，２ｂのウエハカセッ
ト１４に受け渡してウエハＷの処理は完了する。
【００３２】実施形態３ 上記実施形態１、２では収納室２ａ又は２ｂから取出さ
れたウエハＷを１つの処理室１ａ又は１ｂに搬送し、表
面処理装置４０によって表面処理する場合について説明
したが、異なる種類の表面処理を連続して行うことも可
能である。
れたウエハＷを１つの処理室１ａ又は１ｂに搬送し、表
面処理装置４０によって表面処理する場合について説明
したが、異なる種類の表面処理を連続して行うことも可
能である。
【００３３】すなわち、例えば第１の表面処理装置４０
にて表面処理された後、第１の処理室１ａにおかれたウ
エハＷを搬送手段６にて受け取り、第２の処理室１ｂ内
に搬送し、第２の表面処理装置４０にて表面処理を行う
ことができる。この場合、第１の表面処理装置４０と第
２の表面処理装置４０とを逆にしてもよく、また、ウエ
ハＷの前処理が必要な場合には、前処理用収納室３に搬
送して、前処理を行った後に第１又は第２の処理室１
ａ，１ｂ内にウエハＷを搬送すればよい。
にて表面処理された後、第１の処理室１ａにおかれたウ
エハＷを搬送手段６にて受け取り、第２の処理室１ｂ内
に搬送し、第２の表面処理装置４０にて表面処理を行う
ことができる。この場合、第１の表面処理装置４０と第
２の表面処理装置４０とを逆にしてもよく、また、ウエ
ハＷの前処理が必要な場合には、前処理用収納室３に搬
送して、前処理を行った後に第１又は第２の処理室１
ａ，１ｂ内にウエハＷを搬送すればよい。
【００３４】なお、上記実施形態では搬送室４を中心と
して、その周囲に２つの処理室１ａ，１ｂ、２つの収納
室２ａ，２ｂ及び１つの前処理用収納室３を配設した場
合について説明したが、必ずしもこのような配置構造と
する必要はなく、少なくとも搬送室４の周囲に１つの処
理室１ａ又は１ｂ、収納室２ａ又は２ｂを配設した構造
であってもよい。
して、その周囲に２つの処理室１ａ，１ｂ、２つの収納
室２ａ，２ｂ及び１つの前処理用収納室３を配設した場
合について説明したが、必ずしもこのような配置構造と
する必要はなく、少なくとも搬送室４の周囲に１つの処
理室１ａ又は１ｂ、収納室２ａ又は２ｂを配設した構造
であってもよい。
【００３５】上記実施形態では被処理体が半導体ウエハ
の場合について説明したが、被処理体は必ずしも半導体
ウエハに限られものではなく、例えばＬＣＤ基板あるい
はプリント基板、フォトマスク、セラミック基板、コン
パクトディスクなどについても同様に搬送処理すること
ができる。
の場合について説明したが、被処理体は必ずしも半導体
ウエハに限られものではなく、例えばＬＣＤ基板あるい
はプリント基板、フォトマスク、セラミック基板、コン
パクトディスクなどについても同様に搬送処理すること
ができる。
【００３６】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の搬送
処理装置によれば、上記のように構成されているので、
以下のような効果が得られる。
処理装置によれば、上記のように構成されているので、
以下のような効果が得られる。
【００３７】１）請求項１，６記載の発明によれば、気
密開閉手段を介して接続される処理室、収納室及び搬送
室内を真空及び不活性ガス雰囲気とすることにより、未
処理及び処理中の被処理体を大気と遮断して大気汚染か
ら保護することができる。また、搬送室を、処理室及び
収納室の間に配設することにより、１種類の搬送手段に
よって被処理体の搬送を行うことができる。
密開閉手段を介して接続される処理室、収納室及び搬送
室内を真空及び不活性ガス雰囲気とすることにより、未
処理及び処理中の被処理体を大気と遮断して大気汚染か
ら保護することができる。また、搬送室を、処理室及び
収納室の間に配設することにより、１種類の搬送手段に
よって被処理体の搬送を行うことができる。
【００３８】２）請求項２，７記載の発明によれば、上
記１）に加えて搬送室から区画される駆動室内を搬送室
と別に不活性ガス雰囲気にすることにより、駆動室内の
昇降駆動部を真空雰囲気に晒さずに所定のガス雰囲気に
おくことができる。したがって、昇降駆動部の駆動系例
えば駆動モータやエンコーダ等を真空用にする必要がな
く、通常の大気用のものが使用できるので、構成部材の
低コスト化が図れる。
記１）に加えて搬送室から区画される駆動室内を搬送室
と別に不活性ガス雰囲気にすることにより、駆動室内の
昇降駆動部を真空雰囲気に晒さずに所定のガス雰囲気に
おくことができる。したがって、昇降駆動部の駆動系例
えば駆動モータやエンコーダ等を真空用にする必要がな
く、通常の大気用のものが使用できるので、構成部材の
低コスト化が図れる。
【００３９】３）請求項３，４，５記載の発明によれ
ば、上記１）に加えて大気汚染から保護された被処理体
を連続して処理することができる。
ば、上記１）に加えて大気汚染から保護された被処理体
を連続して処理することができる。
【図１】この発明の搬送処理装置の概略構成図である。
【図２】この発明の搬送処理装置の概略斜視図である。
【図３】この発明における搬送手段を示す断面図であ
る。
る。
【図４】この発明におけるウエハボートと搬送手段を示
す概略斜視図である。
す概略斜視図である。
【図５】この発明における熱処理装置を示す断面図であ
る。
る。
【図６】この発明における前処理収納室の載置台を示す
概略斜視図である。
概略斜視図である。
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ａ，１ｂ 処理室 ２ａ，２ｂ 収納室 ３ 前処理用収納室 ４ 搬送室 ５ ゲートバルブ（気密開閉手段） ６ 搬送手段 ７，７ａ Ｎ2 ガス供給管 ８，８ａ Ｎ2 ガス供給源 ９ 排気管 １０ 真空ポンプ １１，１１ａ，１２ バルブ １５ 搬送駆動部 １６ 駆動室 １７ 昇降駆動部 ２０ 気密手段 ２９ Ｏリング（気密手段） ３０ 通気管 ４０ 表面処理装置
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｂ (72)発明者 岩渕 勝彦 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン相模株式会社内 (72)発明者 津田 俊武 東京都新宿区西新宿２丁目３番１号 東京 エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 AA06 AA24 BD01 DA02 KA01 KA05 KA09 4K030 CA04 CA12 GA11 KA10 KA11 5F031 CA01 CA02 CA05 DA01 DA17 FA01 FA03 FA07 FA09 FA11 FA12 GA02 GA03 GA35 GA43 GA47 GA49 GA54 HA67 JA01 LA12 LA14 MA04 MA23 MA28 NA04 NA07 NA15 PA23 5F045 AB32 BB08 BB14 DP19 DQ05 DQ17 EB08 EB12 HA24
Claims (7)
- 【請求項１】 被処理体を処理する表面処理装置を搭載
する１又は複数の処理室と、被処理体を収納する１又は
複数の収納室と、気密開閉手段を介して上記処理室及び
収納室との間に配設される搬送室と、上記搬送室内に配
設されて、上記処理室及び収納室内の被処理体の搬出・
搬入を司る搬送手段とを具備する搬送処理装置におい
て、 上記処理室、収納室及び搬送室内を真空状態にした後、
不活性ガス雰囲気にする工程と、 上記収納室と搬送室との間の上記気密開閉手段を開放し
て、上記搬送手段により収納室内の上記被処理体を受取
った後、搬送室と上記処理室との間の気密開閉手段を開
放して、搬送手段により処理室内に被処理体を受け渡す
工程と、 上記被処理体を処理室内に受け渡した後、処理室と搬送
室との間の気密開閉手段を閉じた後、上記表面処理装置
にて被処理体の処理を行う工程と、を有することを特徴
とする搬送処理方法。 - 【請求項２】 上記処理室、収納室及び搬送室内を不活
性ガス雰囲気にする際、搬送室内に配設される搬送手段
の駆動室を搬送室と気密に遮断し、駆動室内を、搬送室
とは別系統の不活性ガス雰囲気にすることを特徴とする
請求項１記載の搬送処理方法。 - 【請求項３】 上記表面処理装置にて被処理体の処理を
行っている間に、搬送手段によって別の収納室内の被処
理体を別の処理室内に受け渡して、該別の処理室の表面
処理装置にて被処理体の処理を行うことを特徴とする請
求項１記載の搬送処理方法。 - 【請求項４】 上記表面処理装置にて処理された被処理
体を、搬送手段によって別の処理室内に受け渡し、該別
の処理室の表面処理装置にて被処理体の処理を連続して
行うことを特徴とする請求項１記載の搬送処理方法。 - 【請求項５】 複数の処理室の表面処理装置にて被処理
体の処理を行う順序を逆にすることを含む請求項４記載
の搬送処理方法。 - 【請求項６】 被処理体を処理する表面処理装置を搭載
する１又は複数の処理室と、被処理体を収納する１又は
複数の収納室と、気密開閉手段を介して上記処理室及び
収納室との間に配設される搬送室と、上記搬送室内に配
設されて、上記処理室及び収納室内の被処理体の搬出・
搬入を司る搬送手段とを具備し、 上記処理室、収納室及び搬送室に、それぞれバルブを配
設する供給管を介して不活性ガス供給源を接続すると共
に、バルブを配設する排気管を介して真空ポンプを接続
して、上記各処理室、収納室及び搬送室内を真空状態に
した後、不活性ガス雰囲気可能にする、ことを特徴とす
る搬送処理装置。 - 【請求項７】 上記搬送室内に配設される搬送手段を、
搬送室内に露出する搬送駆動部と、搬送室と気密に遮断
可能に区画される駆動室内に配設される昇降駆動部とで
構成し、 上記駆動室に、バルブを配設した供給管を介して上記搬
送室とは別系統の不活性ガス供給源を接続すると共に、
通気管を介して排気側に接続してなる、ことを特徴とす
る請求項６記載の搬送処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001325923A JP3605692B2 (ja) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | 搬送処理方法及び搬送処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001325923A JP3605692B2 (ja) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | 搬送処理方法及び搬送処理装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32370392A Division JP3371230B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 搬送処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002198412A true JP2002198412A (ja) | 2002-07-12 |
| JP3605692B2 JP3605692B2 (ja) | 2004-12-22 |
Family
ID=19142391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001325923A Expired - Fee Related JP3605692B2 (ja) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | 搬送処理方法及び搬送処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3605692B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100635219B1 (ko) | 2004-10-20 | 2006-10-17 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 반송 챔버 오염 방지 방법 |
| EP1857569A2 (de) | 2006-05-18 | 2007-11-21 | Siegfried Dr. Strämke | Plasmabehandlungsanlage |
| JP2007311745A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | クラスタ処理装置 |
| WO2013124535A1 (en) * | 2012-02-22 | 2013-08-29 | Beneq Oy | Apparatus for processing substrates |
| CN109075020A (zh) * | 2016-06-30 | 2018-12-21 | 株式会社国际电气 | 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 |
-
2001
- 2001-10-24 JP JP2001325923A patent/JP3605692B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100635219B1 (ko) | 2004-10-20 | 2006-10-17 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 반송 챔버 오염 방지 방법 |
| JP2007311745A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | クラスタ処理装置 |
| JP4637081B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2011-02-23 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 | クラスタ処理装置 |
| EP1857569A2 (de) | 2006-05-18 | 2007-11-21 | Siegfried Dr. Strämke | Plasmabehandlungsanlage |
| EP1857569A3 (de) * | 2006-05-18 | 2008-08-06 | Siegfried Dr. Strämke | Plasmabehandlungsanlage |
| WO2013124535A1 (en) * | 2012-02-22 | 2013-08-29 | Beneq Oy | Apparatus for processing substrates |
| CN109075020A (zh) * | 2016-06-30 | 2018-12-21 | 株式会社国际电气 | 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 |
| US11456190B2 (en) | 2016-06-30 | 2022-09-27 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
| CN109075020B (zh) * | 2016-06-30 | 2024-03-05 | 株式会社国际电气 | 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3605692B2 (ja) | 2004-12-22 |
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