CN106898535B - 半导体处理设备、系统与半导体处理设备的顶盖开启方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种半导体处理设备、系统与半导体处理设备的顶盖开启方法。所述半导体处理设备，包括反应腔，所述反应腔设置有主体部与顶盖，所述主体部上设置有导轨，所述顶盖上设置有用于开启顶盖的装置，所述装置包括：操作部，设置在顶盖的外表面一侧；轮，设置在顶盖的内表面一侧，位于所述导轨的上方；联动部，连接所述操作部与所述轮，并可在操作部的作用下带动所述轮向上或向下移动；所述轮可相对所述联动部转动。

Description

半导体处理设备、系统与半导体处理设备的顶盖开启方法

技术领域

本发明涉及用于加工半导体器件的半导体处理装置及系统，如等离子体刻蚀装置、等离子体沉积装置等，尤其涉及该装置、系统中的顶盖开启装置与方法。

背景技术

在半导体制造领域，对于给定的真空处理装置，业内人员总是希望它的工艺结果是符合预期的。以等离子体刻蚀装置为例，对它赋以相同的刻蚀参数用来加工不同批次的相同基片时，人们期望各个批次的基片被刻蚀的深度、均匀度等都是大致相同的，至少是差异不大的。通常而言，在设备维修或重新调制后的初期，大体能满足上述要求。然而，长期持续运行很长一段时间，通常两三个月后，同一设备以相同参数生产出来的前后批次产品之间的差异就常常超出允许范围，从而出现不合理的、大量的残次品。这是业内需持续改善的一个问题。

业内通常认为导致上述问题产生的原因主要大致有以下两个。一个是工艺过程中不断产生并累积的颗粒、杂质等污染物。针对此点，给出的解决方案是经常以如清洁气体、等离子体等原位清洁设备内部以去除累积的污染物。另一个原因是工艺（如刻蚀气体、高温活性气体等）对设备主要部件的损伤以及主要部件的自然老化。针对该点，提出的改进方案通常包括更换受损伤部件、优化主要部件的防蚀性能，比如在气体喷淋头、内壁上涂覆抗蚀刻层等。

上述的各种解决手段经实践验证都是确实有效的。它们虽不能完全杜绝该问题的出现，但却可大大延长设备正常运作的时间。

本发明的发明人发现了上述问题产生的另一原因，并据此对现有的半导体加工设备及方法进行了改进。

发明内容

发明人注意到，现有的半导体真空处理装置，每开启一次反应腔室的顶盖，其发生上述问题的可能性就越大；对于运行时间相等的类似设备，累计开启顶盖次数多的，发生上述问题的概率也越大。于是，发明人将反应腔室的顶盖，特别是顶盖的开启，与上述问题联系了起来。

虽然肉眼难以发觉，但借助细部放大工具，发明人还是发现了差异：顶盖开启次数多的真空处理装置（这里以电容耦合式等离子体刻蚀装置为例）内的一些重要元件，如喷淋头、聚焦环等，的位置已发生了细微偏移。发明人推测，这些重要元件的失位是导致上述问题的原因之一。并且，将这些元件恢复正常位置后，大量的测试也表明，设备在这方面的能力基本恢复到正常水平，即，发生上述问题的概率已与不经常开启顶盖的设备处于大体相当的水平。

基于上述发现及相关实验，发明人提出了本发明。

根据本发明的一个方面，提供一种半导体处理设备，包括内部设置有处理空间的反应腔，所述反应腔包括可被开启与关闭的顶盖及位于顶盖下方的侧壁与底壁，在顶盖关闭时，所述反应腔的处理空间可被抽真空，在顶盖开启时，所述处理空间被顶盖暴露；所述半导体处理设备还设置有用于开启顶盖的顶盖开启装置，所述顶盖开启装置包括：

顶盖抬升装置，其可将顶盖自关闭状态抬升一高度至可滑动状态；

顶盖平移装置，其可将处于可滑动状态的顶盖自侧壁上方向外侧平移而使顶盖处于开启状态以将反应腔的处理空间暴露。

可选的，所述顶盖平移装置包括导轨和可沿导轨移动的轮，它们中的一个设置在顶盖上，另一个设置在侧壁上。

可选的，还设置有弹性密封环，在顶盖处于关闭状态时，所述弹性密封环夹持于所述顶盖与侧壁之间，在顶盖抬升的过程中，所述弹性密封环逐渐与顶盖与侧壁中的一个脱离。

可选的，所述弹性密封环固定在所述顶盖或所述侧壁上。

根据本发明的另一个方面，提供一种半导体处理设备，包括反应腔，所述反应腔设置有主体部与顶盖，所述主体部上设置有导轨，所述顶盖上设置有用于开启顶盖的装置，所述装置包括：

操作部，设置在顶盖的外表面一侧；

轮，设置在顶盖的内表面一侧，位于所述导轨的上方；

联动部，连接所述操作部与所述轮，并可在操作部的作用下带动所述轮向上或向下移动；

所述轮可相对所述联动部转动。

可选的，所述导轨共有两条且相互平行；所述用于开启顶盖的装置共有多个，且它们的排布与所述导轨相对应。

可选的，所述反应腔的主体部包括底壁与侧壁；所述导轨设置在反应腔的所述侧壁的上表面，所述用于开启顶盖的装置设置在顶盖的边缘。

可选的，所述用于开启顶盖的装置设置有固定组件与可动组件；

所述固定组件包括内设开口的环形板与位于环形板下方的空心收容部，所述环形板的所述开口的内表面设置有内螺纹；

所述操作部、联动部与轮均是所述可动组件的组成部分，所述操作部保持在所述环形板的上方，所述联动部与所述操作部的衔接处的表面设置有可与所述内螺纹配合的外螺纹，所述轮在上升的过程中可进入所述空心收容部。

可选的，所述操作部与所述联动部整体呈杆状。

可选的，所述固定组件固定安装在所述顶盖的外表面。

可选的，还包括用于抬升顶盖的装置。

可选的，所述用于抬升顶盖的装置包括弹性机构，在顶盖处于关闭状态时，所述弹性机构被顶盖压迫处于压缩状态。

可选的，所述顶盖的内表面或所述主体部的上表面设置有弹性密封环。

根据本发明的再一个方面，提供一种如前所述的半导体处理设备的顶盖开启方法，包括：

抬升顶盖，以使顶盖与主体部相分离；

通过操作部使轮向下移动，直至轮与导轨相接触；

借助轮与导轨使顶盖平移，使主体部为顶盖所暴露。

根据本发明的还一个方面，提供一种如前所述的半导体处理设备的顶盖开启方法，包括：

通过操作部使轮向下移动，直至轮与导轨相接触；

继续通过操作部使轮有进一步向下移动的趋势，从而使得顶盖相对主体部向上抬升，并在抬升至一高度后停止；

借助轮与导轨使顶盖平移，使主体部为顶盖所暴露。

根据本发明的另一个方面，提供一种半导体处理系统，包括：

如前所述的半导体处理设备，用于对半导体基片进行加工；

与所述半导体处理设备相连的室，用于将半导体基片移入至所述半导体处理设备，也用于将半导体基片自所述半导体处理设备移出至所述室。

可选的，主体部上设置的所述导轨延伸至所述室所在的区域。

附图说明

图1与图2是真空处理装置顶盖开启与关闭状态的示意图；

图3是气弹簧的结构示意图；

图4至图6是本发明半导体处理设备一个具体实施例的结构示意图，其中，图4是顶盖的俯视图与侧视图，图5是顶盖开启装置各个视角的视图，图6是顶盖处于关闭状态时半导体处理设备的反应腔的视图；

图7是图6的变更例；

图8是本发明半导体处理系统一个具体实施例的示意图；

图9是本发明半导体处理系统另一具体实施例的示意图。

具体实施方式

以下结合具体实施例及附图，对本发明真空处理设备、真空处理设备的顶盖开启方法与半导体处理系统进行说明。需强调的是，这里仅是示例型的阐述，不排除有其它利用本发明的实施方式。

图1与图2分别是真空处理装置在顶盖开启与关闭状态的示意图。如图1与图2所示，所述真空处理装置包括由底壁27、侧壁21，22，23等以及顶盖3围成的反应腔室10。在顶盖3完全关闭后，所述反应腔室10可被抽真空，以满足基片进行半导体加工的苛刻环境要求。其中的一个侧壁，如23，上通常设置有通道（未图示），以作为基片进出反应腔室10的进出口。当一片或一批基片加工完毕后，经由所述通道运出；而后，新的待加工基片经由所述通道进入所述反应腔室10以进行加工。基片进出过程中，侧壁上的该通道的打开并不会改变反应腔室10内的气体环境，因而基本不会对基片的连续加工造成不良影响。

顶盖3以可转动的方式安装在侧壁21上，以使得所述反应腔室10在需要时（比如，需进行内部元件的维修替换或深度清洁时）可通过翻转所述顶盖3而暴露；人手或工具等可自该因顶盖3而出现的上方开口进入，内部元件也可经由该开口而被移出。顶盖3转动所围绕的转轴32设置在顶盖3与侧壁21的连接处。

为避免设备体积的过度膨大，顶盖3的打开和关闭通常都由人工（而非自动装置）完成。顶盖3的外表面上通常设置有把手8，操作人员用手抓握把手8通过拉/压顶盖3即可完成反应腔室10的打开与关闭。另外，所述真空处理装置还设置有气弹簧（gas spring）5，所述气弹簧5的一端52安装在顶盖3上，另一端54安装在侧壁22上，至少用于在所述顶盖3完全打开或完全关闭时使所述顶盖3保持在该状态。

图3是气弹簧5的结构示意图。如图3所示，所述气弹簧5包括压力缸52、活塞56以及活塞杆54等。其中，活塞56设置在压力缸52内，并将压力缸52分为两部分；填充物（通常为惰性气体或油气混合物；未图示）填充在该两部分内，使缸体内的压力高于大气压的几倍或者几十倍。并且，活塞56上设有通道560，以将该两部分相连通，使它们的内部压强总是保持相等。沿压力缸52长度方向延伸的活塞杆54的一端接触并占据活塞56表面的一部分，另一端延伸出压力缸52以与外物相连。

为后文描述的方便，以下将气弹簧5的两端分别称为压力缸端52（靠近压力缸52的一端）、活塞杆端54（靠近活塞杆54的一端）。由于活塞杆54霸占活塞56的一部分表面，使得该部分表面不能为填充物接触而被给予作用力，因而活塞56的相对的两个受力表面与填充物之间的接触面积总是不等，进而活塞56两侧的受力总是不相等。具体而言，与活塞杆54相连的活塞56一侧所受到的填充物推力总是小于另外一侧。因而，在外力作用下，活塞56在压力缸52内持续有向活塞杆端54滑动的趋势。

请继续参照图3所示，并结合图1与图2，气弹簧5的压力缸端52安装在顶盖3上，活塞杆端54安装在侧壁22上，从而，气弹簧5本身总是提供指向侧壁22的作用力。在顶盖3完全关闭时，如图2所示，侧壁21、22、23的上表面与顶盖3之间所成的角为零度，此时该气弹簧5提供的力为顺时针方向（以转轴32为圆心），从而可迫使顶盖3关闭严密，并保持该关闭状态。顶盖3完全打开时，如图1所示，顶盖3与侧壁21、22、23的上表面之间所成的角为钝角，此时该气弹簧5提供的力为逆时针方向，从而可迫使顶盖3保持在该完全打开状态。

以顶盖3的关闭过程为例来进行动态的受力分析。（1）、从顶盖3的完全打开位置（如图1所示）到顶盖3与反应腔室10上表面呈直角，在这个过程中，顶盖3的重力与气弹簧5提供的都是反对关闭的力，只是这两个力都在逐渐减小；相应的，在此阶段，操作人员需克服该两个力的作用。（2）、从上述的直角位置到顶盖3完全关闭，在这个过程中，顶盖3的重力以及气弹簧5都成为实现关闭的动力，并且这两个力都在逐渐增强；相应的，在该阶段，操作人员基本不需提供动力即可实现该关闭过程，不仅如此，操作人员还需注意在必要时给予阻力，以防止闭合速度过快。

顶盖3打开过程中的受力分析与前述过程类似，只是时间顺序上相反而已。这里不再赘述。

图1至图3所示的装置，结合针对上述装置所制定的合理的操作规范以及严格依照该规范的人工作业，通常已被业界大多数人认为可完全适应顶盖打开与关闭的技术需要，并几乎不会伴随明显的缺陷。然而，如前面已描述过的，发明人发现，尽管严格按规程操作，上述装置在经多次开关顶盖后，仍可观察到其内部元件位置发生轻度偏移，从而影响工艺结果的现象。

基于上述认识，发明人提出一种具有新型顶盖开启装置的半导体处理设备，以改善上述问题。所述半导体处理设备包括内部设置有处理空间的反应腔，所述反应腔包括可被开启与关闭的顶盖及位于顶盖下方的侧壁与底壁（侧壁与底壁可被统称为主体部，它们既可以是一体成型的一件式结构，也可以是组装在一起的两件式结构）。在顶盖关闭时，所述反应腔的处理空间可被抽真空（即，此时该处理空间为密封状态）；在顶盖开启时，所述处理空间被顶盖暴露（此时手或工具可自顶盖处进入该处理空间，以对反应腔的内部部件进行必要的维修、保养及清洁等）。所述半导体处理设备还设置有用于开启顶盖的顶盖开启装置，所述顶盖开启装置包括：

顶盖抬升装置，其可将顶盖自关闭状态抬升一高度至可滑动状态；

顶盖平移装置，其可将处于可滑动状态的顶盖自侧壁上方向外侧平移而使顶盖处于开启状态以将反应腔的处理空间暴露。

这里的半导体处理设备可以是沉积设备、刻蚀设备、灰化装置或清洁设备等。虽然这些设备是利用不同的原理对半导体基片进行相同或不同的处理，但它们在顶盖开启与关闭结构设计方面并无实质的差别，至少在这方面是可替换或相互借鉴的。

这里的顶盖抬升装置、顶盖平移装置可以是可实现升降功能、平移功能的任何机械结构或机电结构，比如，一个可提供转动运动的电机与一个或一组可将电机的转动转化为直线升降运动的机械构件就可组成一个简单的顶盖抬升装置；一个可提供转动运动的电机与一个或一组可将电机的转动转化为水平直线运动的机械构件就可组成一个简单的顶盖平移装置。还可进一步设置另外的构件（可将该构件作为顶盖抬升装置或顶盖平移装置的一个组成部分），以在顶盖抬升或平移的过程中限定其运动的轨迹。可实现该功能的构件可以是滑轮与轨道的组合等。另外，顶盖抬升装置与顶盖平移装置也可不是电动，而是手动操作的，也就是说，盖顶抬升装置与顶盖平移装置可不包含动力源（如，电机）。一个典型的手动操作的顶盖平移装置可包括导轨和可沿导轨移动的轮，它们中的一个设置在顶盖上，另一个设置在侧壁上。只要沿导轨延伸的方向用力推顶盖，即可实现顶盖的平移运动。

所述半导体处理设备还可设置有弹性密封环，在顶盖处于关闭状态时，所述弹性密封环夹持于所述顶盖与侧壁之间（一种较优的方式是，顶盖、弹性密封环、侧壁自上而下依次排布，即，弹性密封环夹持在顶盖的下表面〈顶盖的下表面即顶盖的内表面〉与侧壁的上表面之间），以保证两者之间配合的气密性；在顶盖抬升的过程中，所述弹性密封环逐渐与顶盖与侧壁中的一个脱离。所述弹性密封环可安装（或固定）在反应腔的侧壁或顶盖上。比如，侧壁的上表面或顶盖的下表面可开设有环形的槽，弹性密封环可安装在所述槽内。

该顶盖开启装置同时也可被看作是顶盖关闭装置，即，它还可提供关闭顶盖的功能。实现关闭顶盖功能的方式与实现顶盖开启的方式类似，只是过程相反而已——通常可先将顶盖平移至反应腔侧壁的正上方，而后下降顶盖使其与侧壁紧密配合即可。

图4至图6是本发明半导体处理设备一个具体实施例的结构示意图。其中，图4是顶盖的俯视图与侧视图，图5是顶盖开启装置各个视角的视图，图6是顶盖处于关闭状态时半导体处理设备的反应腔的视图。

如图4（其中的图（a）为俯视图，图（b）为侧视图）所示，顶盖430大致可划分为两个区域——中央区域与边缘区域，中央区域所占据的区域大体与反应腔内部的处理空间对应，或者说，中央区域大体位于处理空间的正上方。中央区域的外表面设置有大量的外设432，比如，用于将各反应气体导入处理空间的气体管路、用于将电力馈入反应腔内各部件的电气管路等。边缘区域设置有用于开启顶盖的装置434，所述装置434可均匀分布在顶盖430的四角。所述装置434可自上而下安装在顶盖430上，并各有一部分自顶盖430的外表面（即上表面）、内表面（即下表面）露出。顶盖430的侧面还可设置有方便握持的把手436，需要平移顶盖430时，可借助该把手436实施。

如图5所示，所述用于开启顶盖的装置434设置有固定组件与可动组件。固定组件与可动组件的各部件均可由金属或金属合金制成。其中，所述固定组件包括内设开口（用于容纳可动组件中的操作部4341）的环形板4342与位于环形板4342下方的空心收容部4344，所述环形板4342的所述开口的内表面设置有内螺纹（未图示）。所述固定组件可整体固定安装在所述顶盖430的外表面。可通过螺栓与螺母来将固定组件安装在顶盖430上，比如，可在空心收容部的上表面与顶盖上各开设四个安装孔431，螺栓的螺杆端依次穿过空心收容部4344、顶盖430后被螺母锁定即可实现两者的固定安装。

所述可动组件包括操作部4341、轮4345与联动部4343。所述操作部4341设置在顶盖430的外表面一侧，并持续保持在所述环形板4342的上方，以便总可被人手触摸到而被操作。轮4345设置在顶盖430的内表面一侧，总是位于导轨880（请参图8）的正上方，以使轮4345可沿导轨滑动（或者说平移）或使轮4345在竖直方向下降一定距离后可与导轨良好配合从而可沿导轨滑动。轮4345可通过铰接的方式安装于（或者说连接于）联动部4343，以使所述轮4345可相对所述联动部4343转动。

联动部4343用于连接所述操作部4341与所述轮4345而将它们连接成一个整体，并可在操作部4341的作用下带动所述轮4345向上或向下移动。所述联动部4343与所述操作部4341的衔接处的表面设置有可与环形板4342的内螺纹配合的外螺纹（未图示）。该外螺纹与内螺纹的存在，使得通过旋动操作部4341即可实现可动组件整体的抬升或下降。在一个较佳的实施例中，所述操作部4341与所述联动部4343整体上可呈杆状。

空心收容部4344内部空心区域的面积大于轮4345与联动部4343的横向面积，以使轮4345在上升的过程中可进入所述空心收容部4344。

该用于开启顶盖的装置434的设置使得其可实现三个不同的运动：轮相对于顶盖与反应腔的升降运动、顶盖相对于反应腔其它部分（如图6所示的主体部）的升降运动，以及顶盖相对于反应腔其它部分的平移运动。以下会在描述顶盖开启/关闭过程中具体介绍这三种运动。

如图6所示，所述反应腔包括主体部420与顶盖430，其中，主体部420可由多个壁，比如底壁421与多个侧壁423，拼接而成。用于与轮4345相配合的导轨880（请参图8）通常可设置在主体部420的上表面（或者说侧壁423的上表面）上并被主体部420所支撑。导轨880的数目优选为相互平行的两条。

顶盖处于密闭状态时，顶盖430与主体部420紧密配合，使得它们所共同围成的处理空间气密且可被抽真空。此时，适于对反应腔内的半导体基片进行处理（如，刻蚀、沉积等）。当需开启顶盖时，可先向下旋动操作部4341，以使轮4345向下移动直至其与导轨880相接触。假如，轮原本就已与导轨接触，可略去该步骤。而后，继续向下旋动操作部4341使轮4345有进一步向下移动的趋势，由于导轨880及支撑导轨880的反应腔的主体部420对轮4345的阻挡作用，会使得顶盖430相对主体部420向上抬升。在顶盖430抬升至某一高度后，可停止向下旋动操作部4341。最后，可沿导轨延伸的方向推动顶盖430，以使顶盖430向外平移，从而使主体部420（特别是反应腔内的处理空间）为顶盖430所暴露。

反应腔的外侧还可进一步设置有锁扣装置450。所述锁扣装置450可包括可相互锁扣的两部分，其中一部分安装在顶盖430上，另一部分安装在反应腔的主体部420上。在顶盖完全关闭后，可将该两部分锁扣在一起，以避免因误操作而导致顶盖开启的可能性。而当需开启顶盖时，需先一步解锁该锁扣装置450。

当需要将处于开启状态的顶盖重新关闭时，进行与上面相反的操作即可。即，先将顶盖430平移至反应腔主体部420正上方，而后反向旋转操作部4341，以使顶盖430下沉，直至顶盖430与反应腔主体部420达到紧密配合为止。之后，还可进一步反向旋转操作部4341，以使轮4345向上抬升从而与导轨880相脱离。

所述半导体处理设备的反应腔还可设置有弹性密封环（未图示），在顶盖处于关闭状态时，所述弹性密封环夹持于所述顶盖430与侧壁423之间（一种较优的方式是，顶盖、弹性密封环、侧壁自上而下依次排布，即，弹性密封环夹持在顶盖的下表面〈顶盖的下表面即顶盖的内表面〉与侧壁的上表面之间），以保证两者之间配合的气密性。在顶盖抬升的过程中，所述弹性密封环逐渐与顶盖430与侧壁423中的一个相脱离。所述弹性密封环可安装（或固定）在反应腔的侧壁423或顶盖430上。比如，侧壁423的上表面或顶盖430的下表面可开设有环形的槽（未图示），弹性密封环可安装在所述槽内。说明一点，在顶盖抬升的过程中，该处于受压状态的弹性密封环可向顶盖提供向上的力，从而有利于该抬升操作。

除了弹性密封环外，还可设置其它的可提供抬升力的装置，如图7（图7是图6的变更例）中所示的弹性机构710。该弹性机构可以是弹簧。该弹性机构710可被设置在所述轮4345的正下方，当顶盖430处于关闭状态时，所述弹性机构710处于压缩状态。当然，在其它实施例中，弹性机构也可设计为被抵压在顶盖的其它部分的正下方，其同样可提供类似的抬升力。需要开启顶盖时，可先将反应腔内的残余气体排出，而后将外界空气放入从而使反应腔内的气压与外界相同。而后，解锁所述锁扣装置450。解锁后，弹性密封环及弹性机构710所提供的抬升力就会将顶盖430抬升至预定高度。而后，只需下旋操作部4341使轮4345向下移动直至与导轨880（参图8）接触。最后，可沿导轨延伸的方向推动顶盖430，以使顶盖430向外平移，从而使主体部420（特别是反应腔内的处理空间）为顶盖430所暴露。

图8（其中的图（a）与图（b）分别示出了顶盖关闭状态与顶盖开始状态）是本发明半导体处理系统一个具体实施例的示意图。所述半导体处理系统包括两个半导体处理设备810和连接在该两个半导体处理设备810之间的室830，该两个半导体处理设备810与所述室830呈直线排布。在其它实施例中，半导体处理设备的数目可以是一个或更多个。

每一半导体处理设备810用于对半导体基片实施一道加工工艺（如，刻蚀、沉积或清洁），每一半导体处理设备810可包括如前面所述的反应腔，特别是可包括如前面所述的顶盖开启装置。与半导体处理设备相连的所述室830用于将半导体基片移入至所述半导体处理设备810，也用于将半导体基片自所述半导体处理设备810移出至所述室830。在本实施例中，所述室可以是常用的load-lock chamber（加载互锁真空室）。

用于与轮相配合的导轨880贯穿所述室830和所述两个半导体处理设备810。当需开启某一半导体处理设备时，将它的顶盖平移至所述室830的上方即可。

图9是本发明半导体处理系统另一具体实施例的示意图。所述半导体处理系统为一个更为复杂的加工系统，包括基片加载室910、与基片加载室910相连的传送室930和与传送室930相连的三个半导体处理设备950。传送室930用于将半导体基片自基片加载室910传送至各个半导体处理设备950，也用于将加工好的半导体基片自半导体处理设备950传送回基片加载室910。每一半导体处理设备950包括两个相同的反应腔，该两个反应腔共用一个顶盖（或者说，该两个反应腔的顶盖连接成一个整体）。因而，该两个反应腔顶盖的开启与关闭是同步进行的。

每一半导体处理设备950的顶盖具有如前所述的顶盖开启装置，每一半导体处理设备950的导轨都会自其反应腔主体部的上表面（或者说反应腔侧壁的上表面）延伸至传送室的上表面。当需要开启顶盖时，将其顶盖平移至传送室上方即可。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (13)

1.一种半导体处理设备，包括反应腔，所述反应腔设置有主体部与顶盖，所述主体部上设置有导轨，所述顶盖上设置有用于开启顶盖的装置，所述装置包括：

操作部，设置在顶盖的外表面一侧；

轮，设置在顶盖的内表面一侧，位于所述导轨的上方；

联动部，连接所述操作部与所述轮，并可在操作部的作用下带动所述轮向上或向下移动；

所述轮可相对所述联动部转动。

2.如权利要求1所述的半导体处理设备，其中，所述导轨共有两条且相互平行；所述用于开启顶盖的装置共有多个，且它们的排布与所述导轨相对应。

3.如权利要求2所述的半导体处理设备，其中，所述反应腔的主体部包括底壁与侧壁；所述导轨设置在反应腔的所述侧壁的上表面，所述用于开启顶盖的装置设置在顶盖的边缘。

4.如权利要求1所述的半导体处理设备，其中，所述用于开启顶盖的装置设置有固定组件与可动组件；

所述固定组件包括内设开口的环形板与位于环形板下方的空心收容部，所述环形板的所述开口的内表面设置有内螺纹；

所述操作部、联动部与轮均是所述可动组件的组成部分，所述操作部保持在所述环形板的上方，所述联动部与所述操作部的衔接处的表面设置有可与所述内螺纹配合的外螺纹，所述轮在上升的过程中可进入所述空心收容部。

5.如权利要求4所述的半导体处理设备，其中，所述操作部与所述联动部整体呈杆状。

6.如权利要求4所述的半导体处理设备，其中，所述固定组件固定安装在所述顶盖的外表面。

7.如权利要求1所述的半导体处理设备，其中，还包括用于抬升顶盖的装置。

8.如权利要求7所述的半导体处理设备，其中，所述用于抬升顶盖的装置包括弹性机构，在顶盖处于关闭状态时，所述弹性机构被顶盖压迫处于压缩状态。

9.如权利要求1所述的半导体处理设备，其中，所述顶盖的内表面或所述主体部的上表面设置有弹性密封环。

10.一种如权利要求1所述的半导体处理设备的顶盖开启方法，包括：

抬升顶盖，以使顶盖与主体部相分离；

通过操作部使轮向下移动，直至轮与导轨相接触；

借助轮与导轨使顶盖平移，使主体部为顶盖所暴露。

11.一种如权利要求6所述的半导体处理设备的顶盖开启方法，包括：

通过操作部使轮向下移动，直至轮与导轨相接触；

继续通过操作部使轮有进一步向下移动的趋势，从而使得顶盖相对主体部向上抬升，并在抬升至一高度后停止；

借助轮与导轨使顶盖平移，使主体部为顶盖所暴露。

12.一种半导体处理系统，包括：

如权利要求1至9任一项所述的半导体处理设备，用于对半导体基片进行加工；

与所述半导体处理设备相连的室，用于将半导体基片移入至所述半导体处理设备，也用于将半导体基片自所述半导体处理设备移出至所述室。

13.如权利要求12所述的半导体处理系统，其中，主体部上设置的所述导轨延伸至所述室所在的区域。