KR101066033B1 - 화학기상 증착장치 및 기판 처리장치 - Google Patents

화학기상 증착장치 및 기판 처리장치 Download PDF

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Abstract

처리공간을 개폐시키는 리드의 기울기 조절이 용이한 화학기상 증착장치 및 기판 처리장치가 개시된다. 화학기상 증착장치는 기판에 박막을 형성하기 위한 처리공간을 형성하는 챔버;상기 처리공간으로 공정가스를 분사하는 샤워헤드;상기 챔버를 개폐시키는 리드(lid);상기 리드가 회동가능하게 상기 리드의 일측을 상기 챔버에 결합시키는 힌지부;상기 리드의 타측을 가압하여 상기 리드를 상기 챔버에 결속하는 클램핑부;및 상기 클램핑부가 상기 리드의 타측을 가압하는 상태에서 상기 리드의 일측을 승강시켜 상기 리드의 기울기를 조절하는 조절부;를 포함한다

Description

화학기상 증착장치 및 기판 처리장치{Apparatus for Chemical Vapor Deposition and Apparatus for processing substrate}
본 발명은 화학기상 증착장치 및 기판 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판에 박막을 형성하는 화학기상 증착장치 및 기판에 소정의 처리를 가하는 기판 처리장치에 관한 것이다.
엘이디(LED;luminescent diode)는 반도체의 (+), (-) 전극의 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 정공)를 만들어내고, 이들의 재결합(再結合)에 의하여 발광시키는 것으로, 낮은 전력 소비, 발열량의 감소, 색체 구현의 우수성 등의 장점을 가지고 있다. 따라서 엘이디는 최근들어 휴대폰, 엘시디(LCD;liquid crystal display)등의 백라이트 유닛으로 그 사용범위가 점차 확대되고 있다.
이러한 엘이디는 에피(Epi) 공정, 팹(Fab) 공정, 패키지(PKG) 공정을 거쳐 제작된다. 에피 공정은 유기금속 화학기상 증착장치(MOCVD;Metal Organic Chemical Vapor Deposition)를 이용해 사파이어, 실리콘카바이드(SiC) 등의 기판 위에 화합 물 반도체를 성장시켜 에피 웨이퍼(Wafer)를 제조하는 공정이다. 팹 공정은 에피 웨이퍼 상에 (+), (-) 전극을 형성하고 칩 크기 별로 절단 및 가공하는 공정이다. 패키지 공정은 칩에 전극과 와이어(Wire)를 연결, 조립 후 수지로 밀봉하는 공정이다. 이와 같이 에피 공정에서 패키지 공정에 이르는 3단계 공정이 끝나면 하나의 완전한 단일 LED 칩 제품이 완성된다.
한편, 엘이디는 통상적으로 주기율표상의 3족과 5족 원소를 조합해 만든다. 4족이 4개의 전자를 가져 가장 안정적인 가운데 3족은 4족에 비해 전자가 하나 적고 그 자리는 정공(Hole)이 차지하고 있다. 5족은 4족보다 전자를 하나 더 갖고 있다. 3족 원소처럼 정공이 하나 있는 것은 P(Positive)형 반도체, 5족 원소처럼 전자가 하나 많은 것은 N(Negative)형 반도체로 불러 엘이디를 'PN형반도체'의 결합이라고도 부른다. 엘이디를 만드는데 쓰이는 대표적인 화합물로는 갈륨 아세나이드(GaAs), 갈륨 아세나이드 포스파이드(GaAsP), 갈륨 포스파이드(GaP), 갈륨 나이트라이드(GaN) 등이 있다.
상술된 유기금속 화학기상 증착장치는 처리공간을 제공하는 챔버, 공정가스를 처리공간에 골고루 분사하는 샤워헤드, 처리공간에서 기판을 지지하는 서셉터를 포함한다. 일반적으로 챔버는 처리공간의 개폐를 위한 리드를 포함하며, 샤워헤드는 리드와 일체형으로 마련되어 리드와 함께 회동되도록 설치된다.
이에, 유기금속 화학기상 증착장치는 샤워헤드를 통해 공정가스를 처리공간으로 각각 분사한다. 공정가스는 3족 가스, 5족 가스 및 3족 가스(또는 5족 가스)를 처리공간으로 운반하기 위한 운반가스가 포함된다. 처리공간으로 분사되는 3족 가스와 5족 가스는 서로 반응하여 기판 상에 화합물 반도체로 이루어지는 박막을 형성한다.
이때 3족 가스와 5족 가스를 원활하게 반응시키기 위해서는 기판의 온도가 일정온도에 도달해야 한다. 따라서 서셉터의 내부에는 히팅코일과 같은 가열수단이 마련되어 기판을 가열하며 에피 공정을 진행한다. 그리고 박막의 두께를 균일하게 형성하기 위해 기판을 지지하는 서셉터를 회전시키며, 에피 공정을 진행한다.
한편, 기판이 처리공간으로 반입되고 처리공간의 밀폐를 위해 클램프와 같은 결속수단을 이용하여 리드를 챔버에 결속시킬 때, 결속수단에 의해 가해지는 압력이 리드의 어느 한 측으로 작용하여 리드가 어느 한 방향으로 기울수 있다.
이와 같이 리드가 어느 한 방향으로 기울게 되면 처리공간의 기밀이 유지되지 않아 공정효율이 저하되는 문제점이 있다. 그리고 리드와 일체형으로 이루어지는 샤워헤드 또한 기울게 되어 기판과의 거리가 불규칙하게 형성되고 이에 따라 박막의 두께가 불규칙하여 형성되어 엘이디의 품질을 저하시키는 문제점이 발생된다.
본 발명의 목적은 리드의 기울기 조절이 용이한 화학기상 증착장치 및 기판 처리장치를 제공하기 위한 것이다.
화학기상 증착장치는 기판에 박막을 형성하기 위한 처리공간을 형성하는 챔 버;상기 처리공간으로 공정가스를 분사하는 샤워헤드;상기 챔버를 개폐시키는 리드(lid);상기 리드가 회동가능하게 상기 리드의 일측을 상기 챔버에 결합시키는 힌지부;상기 리드의 타측을 가압하여 상기 리드를 상기 챔버에 결속하는 클램핑부;및 상기 클램핑부가 상기 리드의 타측을 가압하는 상태에서 상기 리드의 일측을 승강시켜 상기 리드의 기울기를 조절하는 조절부;를 포함한다
상기 힌지부는 상기 리드로부터 이격되며, 일단부가 상기 챔버에 회동가능하게 결합되고, 타단부가 상기 리드에 회동가능하게 결합되는 회동판;을 포함할 수 있다.
상기 조절부는 상기 회동판에 체결되고 상기 회동판을 관통하어 상기 리드의 일측을 가압하는 조절나사;를 포함할 수 있다.
상기 조절부는 상기 회동판과 상기 리드의 사이에 배치되어 상기 회동판을 탄성지지하는 탄성체;를 포함할 수 있다.
상기 힌지부는 회동실린더;및 상기 회동실린더와 상기 리드를 연결하여 상기 회동실린더의 직선운동을 회전운동으로 변환하는 회동링크;을 포함할 수 있다.
상기 클램핑부는 상기 챔버의 외부에 배치되는 하우징;및 상기 하우징에 회동가능하게 결합되며, 상기 챔버 측으로 회동되어 상기 리드의 타측을 가압하는 클램프;를 포함할 수 있다.
상기 클램핑부는 상기 클램프가 회동가능하게 결합되는 하우징;상기 하우징의 내부에 수용되는 결속실린더;상기 결속실린더와 상기 클램프를 연결하여 상기 결속실린더의 직선운동을 회전운동으로 변환하는 결속링크;및 상기 결속링크를 가 압하는 가압링크;를 포함할 수 있다.
상기 힌지부 및 상기 조절부는 각각 복수로 마련되어 상기 리드의 일측에서 서로 이격될 수 있다.
상기 리드는 상기 샤워헤드를 지지할 수 있다.
한편, 기판 처리장치는 기판이 처리되는 처리공간을 형성하는 챔버;상기 챔버를 개폐시키는 리드;상기 리드가 회동가능하게 상기 리드의 일측을 상기 챔버에 결합시키는 힌지부;상기 리드의 타측을 가압하여 상기 리드를 상기 챔버에 결속하는 클램핑부;및 상기 클램핑부가 상기 리드의 타측을 가압하는 상태에서 상기 리드의 일측을 승강시켜 상기 리드의 기울기를 조절하는 조절부;를 포함한다.
상기 힌지부는 상기 리드로부터 이격되며, 일단부가 상기 챔버에 회동가능하게 결합되고, 타단부가 상기 리드에 회동가능하게 결합되는 회동판;을 포함할 수 있다.
상기 조절부는 상기 회동판에 체결되고 상기 회동판을 관통하어 상기 리드의 일측을 가압하는 조절나사;를 포함할 수 있다.
상기 조절부는 상기 회동판과 상기 리드의 사이에 배치되어 상기 회동판을 탄성지지하는 탄성체;를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 화학기상 증착장치 및 기판 처리장치는 리드의 기울기의 조절이 용이하여 처리공간을 원활하게 밀폐시킬 수 있으므로 공정효율을 향상시킬 수 있다.
그리고 본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 샤워헤드의 조절이 용이하므로 기판에 형성되는 박막의 두께를 균일하게 형성할 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 나타낸 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 화학기상 증착장치(100)는 기판(10)에 박막을 형성하기 위한 처리공간을 제공하는 챔버(110)를 포함한다. 챔버(110)의 상부에는 처리공간을 개폐시키는 리드(lid)(120), 처리공간으로 공정가스를 분사하는 샤워헤드(130) 및 공정가스를 샤워헤드로 공급하는 공급관(135)이 배치되며, 처리공간의 내부에는 기판(10)을 지지하는 서셉터(140)가 배치된다.
샤워헤드(130)는 리드(120)의 일면, 즉 처리공간을 향한 면에 배치되어 리드(120)와 일체형으로 마련될 수 있다. 이러한 샤워헤드(130)는 리드(120)와 함께 회동되어 처리공간의 밀폐시 처리공간 내부에 위치한다. 샤워헤드(130)의 내부에는 공정가스를 확산시키는 확산실(131)이 형성되며, 확산실(131)에서 확산된 공정가스를 처리공간으로 골고루 분사하기 위한 복수의 분사구(132)가 형성된다.
공급관(135)은 챔버(110) 외부로부터 리드(120)를 관통하여 확산실(131)로 연장된다. 이에 따라 공정가스는 공급관(135)을 따라 샤워헤드(130)로 공급되고, 확산실(131)에서 확산되어 균일한 분포로 복수의 분사구(132)를 통해 처리공간으로 분사된다.
서셉터(140)는 처리공간에서 기판(10)을 지지하여 공정가스가 처리공간으로 분사됨에 따라 기판(10)에 박막이 형성될 수 있도록 한다. 도시되지 않았지만 서셉터(140)의 내부에는 기판(10)을 가열하기 위한 히팅코일과 같은 히팅코일이 설치되는 것이 바람직하다.
리드(120)는 처리공간의 개폐가 가능하도록 챔버(110)의 상부에서 회동가능하게 설치된다. 따라서 리드(120)의 일측에는 리드(120)를 챔버(110)에 구속시키며 리드(120)를 회동시키는 힌지부(150)가 배치된다.
힌지부(150)는 리드(120)로부터 이격되어 리드(120)의 일측 상부에 배치되는 회동판(151)을 포함한다. 회동판(151)은 일단부가 챔버(110)의 측벽으로부터 형성되는 제1 지지턱(111)으로부터 회동가능하게 제1 지지턱(111)에 핀 결합되며, 타단부가 리드(120)의 상부면에 형성되는 제2 지지턱(121)으로부터 회동가능하게 제2 지지턱(121)에 핀 결합된다.
그리고 힌지부(150)는 리드(120)의 일측 하부에 배치되어 로더를 직선 운동시키는 회동실린더(152)를 포함한다. 회동실린더(152)는 리드(120)를 챔버(110)로부터 회동시킬 수 있는 동력을 제공한다. 회동실린더(152)와 리드(120)의 사이에는 회동링크(153)가 배치된다. 회동링크(153)는 일단부가 회동실린더(152)의 로더에 핀 결합되며, 타단부가 리드(120)의 측면에 핀 결합된다. 회동링크(153)는 회동실린더(152)의 직선운동을 회전운동으로 변환시켜 리드(120)가 회동되도록 한다.
이러한 힌지부(150)는 한쌍으로 마련되는 것이 바람직하다.
한편, 리드(120)는 처리공간의 밀폐시 챔버(110)에 결속되어 처리공간의 기밀을 유지시키는 것이 바람직하다. 따라서 리드(120)의 타측에는 리드(120)를 챔버(110)에 결속시키는 클램핑부(160)가 배치된다.
클램핑부(160)는 챔버(110)의 외부에 배치되는 하우징(161)을 포함한다. 하우징(161)의 상부에는 클램프(162)가 배치된다. 클램프(162)는 처리공간의 밀폐시 리드(120)의 상부면에 접촉되도록 배치되며, 하우징(161)으로부터 회동가능하게 하우징(161)에 핀 결합된다.
하우징(161)의 내부에는 로더를 하우징의 상부로 직선운동시키는 결속실린더(163)가 배치된다. 결속실린더(163)는 클램프(162)를 회동시켜 클램프(162)가 리드(120)를 가압할 수 있는 동력을 제공한다. 클램프(162)와 결속실린더(163)의 사이에는 제1 결속링크(164)와 제2 결속링크(165)가 배치된다. 제1 결속링크(164)와 제2 결속링크(165)는 서로 회동가능하도록 핀 결합되고, 클램프(162)와 결속실린더(163)의 로더에 회동가능하도록 각각 핀 결합되어 결속실린더(163)의 직선운동을 회전운동으로 변환시켜 클램프(162)가 하우징(161)으로부터 회동되도록 한다.
그리고 제1 결속링크(164)와 제2 결속링크(165)를 연결하는 연결핀에는 가압링크(166)가 연결된다. 가압링크(166)는 결속실린더(163)의 직선운동을 회전운동으로 변환하는 제1 결속링크(164)와 제2 결속링크(165)의 연결핀을 가압함으로써, 제1 결속링크(164)를 가압하여 클램프(162)가 리드(120)를 가압할 수 있도록 한다.
이러한 클램핑부(160)는 한쌍으로 마련되며, 한쌍의 힌지부(150)에 각각 대향되위치에 배치된다.
이와 같이 리드(120)는 일측이 힌지부(150)에 의해 챔버(110)에 구속되며, 챔버(110)로부터 회동가능하여 처리공간의 개폐가 가능하도록 한다. 그리고 리드(120)는 타측이 클램핑부(160)에 의해 결속되어 처리공간의 밀폐시 챔버(110)에 결속된다.
한편, 화학기상 증착장치(100)는 리드(120)의 기울기를 조절하는 조절부(170)를 포함한다. 조절부(170)는 회동판(151)과 리드(120)의 사이에 배치되는 조절나사(171)를 포함한다. 조절나사(171)는 회동판(151)에 체결되어 회동판(151)을 관통하고, 리드(120)를 가압한다. 그리고 조절부(170)는 회동판(151)과 리드(120)의 사이에 배치되는 탄성체(172)를 포함한다. 탄성체(172)는 조절나사(171)의 외주면을 감싸는 코일 형태로 마련되어 리드(120)로부터 회동판(151)을 탄성지지한다.
이러한 조절부(170)는 한쌍으로 마련되어 한쌍의 힌지부(150)에 포함되는 각 회동링크(151)를 관통하여 가압할 수 있도록 마련된다.
이하, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 리드 기울기 조절 동작에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 3은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 처리공간 개폐 동작을 나타낸 작동도이다.
도 3을 참조하면, 리드(120)가 회동되어 처리공간이 개방된 상태에서 기판(10)은 챔버(110)의 외부로부터 반입되어 서셉터(140)에 안착된다. 힌지부(150) 는 리드(120)를 회동시켜 리드(120)를 챔버(110)의 상부에 안착시킨다.
즉, 회동실린더(152)는 로더를 하강시키고, 회동링크(153)는 회동실린더(152)의 직선운동을 회전운동으로 변환한다. 리드(120)는 회동링크(153)에 의해 회동되어 챔버(110)의 상부에 안착된다. 리드(120)가 챔버(110)의 상부에 안착됨에 따라 샤워헤드(130)는 리드(120)와 함께 회동되어 처리공간에 위치한다.
이후, 리드(120)가 챔버(110)의 상부에 안착되면 처리공간의 밀페를 위해 클램핑부(160)는 리드(120)의 타측을 가압하여 리드(120)를 챔버(110)에 결속한다.
즉, 결속실린더(163)는 로더를 상승시키고, 결속실린더(163)가 상승됨에 따라 제1 결속링크(164) 및 제2 결속링크(165)는 결속실린더(163) 로더의 직선운동을 회전운동으로 변환하여 클램프(162)에 전달한다. 클램프(162)는 제1 결속링크(164) 및 제2 결속링크(165)에 의해 회동되어 리드(120)의 상부면에 접촉된다. 이때 가압링크(166)는 제1 결속링크(164)와 제2 결속링크(165)의 연결핀을 가압 지지하여 클램프(162)가 리드(120)를 가압할 수 있도록 한다.
도 4a 내지 5b는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 리드 기울기 조절 동작을 나타낸 작동도이다. 도 4a 내지 도 5b를 참조하면, 리드(120)는 클램핑부(160)에 의한 리드(120)의 타측에 가해지는 압력에 따라 기울어질 수 있다.
다시 말해 클램핑부(160)에 의한 리드(120)의 타측에 가해지는 압력이 힌지부(150)에 의한 리드(120)의 일측의 지지력보다 약할 경우, 리드(120)는 타측방향으로 상향되어 기울어질 수 있다. 이때 조절나사(171)를 풀어 리드(120)의 기울기를 조절한다. 조절나사(171)를 풀면 리드(120)의 일측을 가압하는 조절나사(171)가 상승하고, 리드(120)의 일측은 클램핑부(160)에 의한 리드(120)의 타측에 가해지는 압력에 의해 상승된다.
이와 반대로 클램핑부(160)에 의한 리드(120)의 타측에 가해지는 압력이 힌지부(150)에 의한 리드(120)의 일측의 지지력보다 강할 경우, 리드(120)는 타측방향으로 하향되어 기울어질 수 있다. 이때 조절나사(171)를 조여 리드(120)의 기울기를 조절한다. 조절나사(171)를 조이면, 조절나사(171)는 리드(120)의 일측을 가압하며, 리드(120)의 일측은 하강된다.
이와 같이 리드(120)는 조절나사(171)의 회전수를 조절함으로써 기울기가 조절된다. 이에 따라 리드(120)와 일체형으로 마련되는 샤워헤드(130)의 기울기도 함께 조절된다.
한편, 상술한 바와 같이 힌지부(150) 및 조절부(170)는 각각 한쌍으로 마련되어 서로 이격되어 있다. 따라서 한쌍의 조절나사(171)의 회전수를 각각 조절함으로써 힌지부(150) 및 조절부(170)의 이격방향으로 기울어진 리드(120)의 기울기를 조절할 수 있다.
이에 따라 화학기상 증착장치(100)는 처리공간을 원활하게 밀폐시킬 수 있어 공정효율을 향상시킬 수 있으며, 기판(10)에 형성되는 박막의 두께를 균일하게 형성할 수 있다.
한편, 상술한 바와 같은 힌지부(150), 클램핑부(160) 및 조절부(170)는 화학기상 증착장치(100) 이 외에, 기판(10)에 소정의 처리를 가하는 장치, 예를 들어 스핀-코팅 장치, 이온주입 장치, 플라즈마 처리 장치 등에서 처리공간을 개폐시키 고, 리드(120)의 기울기를 조절하는 데 사용될 수 있다.
도 1은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 처리공간 개폐 동작을 나타낸 작동도이다.
도 4a 내지 5b는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 리드 기울기 조절 동작을 나타낸 작동도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>
100 : 화학기상 증착장치 110 : 챔버
120 : 리드 150 : 힌지부
160 : 클램핑부 170 : 조절부

Claims (13)

  1. 일면이 개방되며, 내부에 기판이 지지되는 챔버;
    상기 챔버의 내부로 공정가스를 분사하는 샤워헤드;
    상기 챔버의 개방면에 배치되는 리드(lid);
    상기 리드로부터 이격되어 일단부가 상기 챔버에 회동가능하게 결합되고 타단부가 상기 리드에 회동가능하게 결합되는 회동판에 의해 상기 리드의 일측이 상기 챔버에 결합되도록 하며, 상기 리드의 타측을 상기 챔버에 대해 회동시키는 힌지부;
    상기 리드의 타측을 상기 챔버로 가압하여 상기 리드를 상기 챔버에 결속하는 클램핑부;및
    상기 클램핑부가 상기 리드의 타측을 가압하는 상태에서, 상기 회동판을 관통하여 상기 리드의 일측을 가압하는 조절나사에 의해 상기 리드의 일측이 승강되도록 하여 상기 리드의 기울기를 조절하는 조절부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서, 상기 조절부는
    상기 회동판과 상기 리드의 사이에 배치되어 상기 회동판을 탄성지지하는 탄성체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 힌지부는
    회동실린더;및
    상기 회동실린더와 상기 리드를 연결하여 상기 회동실린더의 직선운동을 회전운동으로 변환하는 회동링크;을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 클램핑부는
    상기 챔버의 외부에 배치되는 하우징;및
    상기 하우징에 회동가능하게 결합되며, 상기 챔버 측으로 회동되어 상기 리드의 타측을 가압하는 클램프;를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 클램핑부는
    상기 하우징의 내부에 수용되는 결속실린더;
    상기 결속실린더와 상기 클램프를 연결하여 상기 결속실린더의 직선운동을 회전운동으로 변환하는 결속링크;및
    상기 결속링크를 가압하는 가압링크;를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 힌지부 및 상기 조절부는
    각각 복수로 마련되어 상기 리드의 일측에서 서로 이격되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  9. 제1 항에 있어서, 상기 리드는
    상기 샤워헤드를 지지하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  10. 일면이 개방되며, 내부에 기판이 지지되는 챔버;
    상기 챔버의 내부로 공정가스를 분사하는 샤워헤드;
    상기 챔버의 개방면에 배치되는 리드(lid);
    상기 리드로부터 이격되어 일단부가 상기 챔버에 회동가능하게 결합되고 타단부가 상기 리드에 회동가능하게 결합되는 회동판에 의해 상기 리드의 일측이 상기 챔버에 결합되도록 하며, 상기 리드의 타측을 상기 챔버에 대해 회동시키는 힌지부;
    상기 리드의 타측을 가압하여 상기 리드를 상기 챔버에 결속하는 클램핑부;및
    상기 클램핑부가 상기 리드의 타측을 가압하는 상태에서, 상기 회동판을 관통하여 상기 리드의 일측을 가압하는 조절나사에 의해 상기 리드의 일측이 승강되도록 하여 상기 리드의 기울기를 조절하는 조절부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제10 항에 있어서, 상기 조절부는
    상기 회동판과 상기 리드의 사이에 배치되어 상기 회동판을 탄성지지하는 탄성체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102903604B (zh) * 2011-07-29 2015-03-18 无锡华瑛微电子技术有限公司 掀开式半导体处理装置
US10283389B2 (en) * 2011-07-29 2019-05-07 Wuxi Huaying Microelectronics Technology Co., Ltd Adjustable semiconductor processing device and control method thereof
US8826857B2 (en) * 2011-11-21 2014-09-09 Lam Research Corporation Plasma processing assemblies including hinge assemblies
TWI470110B (zh) 2012-09-07 2015-01-21 Manz Taiwan Ltd 用於化學沉積設備的夾固裝置
CN103871815A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 旺宏电子股份有限公司 半导体处理装置及处理半导体晶圆的方法
NL2010471C2 (en) * 2013-03-18 2014-09-24 Levitech B V Substrate processing apparatus.
CN103745902A (zh) * 2013-12-16 2014-04-23 深圳市华星光电技术有限公司 Pecvd处理装置及在基板上进行pecvd处理的方法
KR101511330B1 (ko) * 2013-12-31 2015-04-14 피셈주식회사 완충구조가 구비된 반도체 프로세스 챔버
KR102145205B1 (ko) * 2014-04-25 2020-08-19 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조방법 및 증착 장치의 유지보수방법
US10533251B2 (en) 2015-12-31 2020-01-14 Lam Research Corporation Actuator to dynamically adjust showerhead tilt in a semiconductor processing apparatus
KR102091781B1 (ko) * 2016-12-20 2020-03-20 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치
CN112410760B (zh) * 2020-10-26 2022-10-21 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备
DE102022129723A1 (de) * 2022-11-10 2024-05-16 Aixtron Se CVD-Reaktor mit herausnehmbarem Prozesskammergehäuse

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200289736Y1 (ko) * 2002-06-21 2002-09-16 동부전자 주식회사 반도체 제조 장비의 쿨다운 챔버 구조
US6776848B2 (en) * 2002-01-17 2004-08-17 Applied Materials, Inc. Motorized chamber lid

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3524426A (en) * 1968-02-29 1970-08-18 Libbey Owens Ford Glass Co Apparatus for coating by thermal evaporation
US4923584A (en) * 1988-10-31 1990-05-08 Eaton Corporation Sealing apparatus for a vacuum processing system
US6263542B1 (en) * 1999-06-22 2001-07-24 Lam Research Corporation Tolerance resistant and vacuum compliant door hinge with open-assist feature
JP3527450B2 (ja) * 1999-12-22 2004-05-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP4432728B2 (ja) * 2004-10-29 2010-03-17 株式会社島津製作所 真空処理装置
JP4889326B2 (ja) * 2006-03-13 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 処理装置および蓋体の開閉機構
CN100527354C (zh) * 2006-12-06 2009-08-12 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 开盖装置
CN101373703B (zh) * 2007-08-24 2011-07-27 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 开盖机构及半导体加工设备及其开盖控制方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6776848B2 (en) * 2002-01-17 2004-08-17 Applied Materials, Inc. Motorized chamber lid
KR200289736Y1 (ko) * 2002-06-21 2002-09-16 동부전자 주식회사 반도체 제조 장비의 쿨다운 챔버 구조

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