JP2008028237A - 半導体処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】試料載置台を備えた下部処理室203、電界および磁界を供給する処理室内プラズマ生成手段を備えた上部処理室202を備え、下部処理室203上に上部処理室202を載置して形成された真空処理室の前記試料載置台上試料にプラズマ処理を施す半導体処理装置において、前記下部処理室203の外壁に垂直方向に平行に取り付けた一対のサイドパネル213と、該一対のサイドパネル213の内側の対向する面のそれぞれに前記サイドパネルと平行に取り付け、それぞれの側面に前記サイドパネルと平行に溝を形成した一対のスライドガイド204,205と、前記一対のスライドガイドのそれぞれの側面に形成した前記溝のそれぞれと係合する突条と、該突条と前記溝の係合する部分にベアリング玉を循環して供給する通路を備えた昇降ベース207とを備えた。
【選択図】図1
Description
101〜104 処理室
105 カセット設置台
106,107 ロードロック室
108 大気ロボット
109 大気搬送装置
110 搬送室(バッファ室)
201 昇降装置
202 上部処理室
203 下部処理室
204 支柱
205 架台
206 スライドテーブル
207 昇降ベース
208,209 軸受
210 駆動軸
211 モータ
212 取り付けベース
213 サイドパネル
214 ベアリング球
215 ベアリング球の通路
Claims (4)
- 試料を載置する試料載置台を備えた下部処理室、および処理室内に電界および磁界を供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段を備えた上部処理室を備え、前記下部処理室上に上部処理室を載置して真空処理室を形成し、形成された真空処理室の前記試料載置台に載置した試料にプラズマ処理を施す半導体処理装置において、
前記下部処理室の外壁に垂直方向に平行に取り付けた一対のサイドパネルと、該一対のサイドパネルの内側の対向する面のそれぞれに前記サイドパネルと平行に取り付け、それぞれの側面に前記サイドパネルと平行に溝を形成した一対のスライドガイドと、
前記一対のスライドガイドのそれぞれの側面に形成した前記溝のそれぞれと係合する突条と、該突条と前記溝の係合する部分にベアリング玉を循環して供給する通路を備えた昇降ベースとを備えたことを特徴とする半導体処理装置。 - 請求項1記載の半導体処理装置において、
前記スライドガイドに形成する溝はV状溝であることを特徴とする半導体処理装置。 - 請求項1記載の半導体処理装置において、
前記サイドパネルと平行に取り付けたスライドガイドの前記真空処理室側および反真空処理室側の面のそれぞれに、サイドパネルと平行に、前記昇降ベースに形成した突条と係合するV状溝を形成したことを特徴とする半導体処理装置。 - 試料を載置する試料載置台を備えた下部処理室、および処理室内に電界および磁界を供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段を備えた上部処理室を備え、前記下部処理室上に上部処理室を載置して真空処理室を形成し、形成された真空処理室の前記試料載置台に載置した試料にプラズマ処理を施す半導体処理装置において、
前記下部処理室の外壁に垂直方向に平行に取り付けた一対のサイドパネルと、該一対のサイドパネルの内側の対向する面のそれぞれに前記サイドパネルと平行に取り付け、それぞれの側面に前記サイドパネルと平行に溝を形成した一対のスライドガイドと、
前記一対のスライドガイドのそれぞれの側面に形成した前記溝のそれぞれと係合する突条と、該突条と前記溝の係合する部分にベアリング玉を循環して供給する通路を備えた昇降ベースとを備え、前記昇降ベースに前記上部処理室を取り付けて、前記駆動軸を駆動して前記上部処理室を下部処理室に対して開閉駆動することを特徴とする半導体処理装置。
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Citations (5)
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JPH02271522A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Fujitsu Ltd | 気相エピタキシャル成長装置 |
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-
2006
- 2006-07-24 JP JP2006200753A patent/JP4914139B2/ja active Active
Patent Citations (5)
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