JP2001126898A - プラズマ処理装置及びプラズマ点灯方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びプラズマ点灯方法Info
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Abstract
あり、しかも安価なプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 片側が吹き出し口1として開放された反
応容器2と一対のプラズマ生成用電極3、4とを具備し
て構成される。反応容器2にプラズマ生成用ガスを導入
すると共にプラズマ生成用電極3、4の間に交流電界を
印加することにより、大気圧近傍の圧力下で反応容器2
内にプラズマを生成する。反応容器2の吹き出し口1か
らジェット状のプラズマを吹き出すプラズマ処理装置に
関する。パルス電圧を発生させるための高電圧パルス発
生装置5と、このパルス電圧を反応容器2に導入された
プラズマ生成用ガスに印加して反応容器2内にプラズマ
を点灯させるための点灯用電極6とを設ける。
Description
存在する有機物等の異物のクリーニング、レジストの剥
離、有機フィルムの密着性の改善、金属酸化物の還元、
製膜、表面改質などのプラズマ処理に利用されるプラズ
マを発生させるためのプラズマ処理装置、及びこれを用
いたプラズマ点灯方法に関するものであり、特に、精密
な接合が要求される電子部品の表面のクリーニングに好
適に応用されるものである。
うことが試みられている。例えば、特開平2−1517
1号公報や特開平3−241739号公報や特開平1−
306569号公報には、反応容器内の放電空間に一対
の電極を配置すると共に電極の間に誘電体を設け、放電
空間をHe(ヘリウム)やAr(アルゴン)などの希ガ
スを主成分とするプラズマ生成用ガスで充満し、反応容
器に被処理物を入れると共に電極の間に交流電界を印加
するようにしたプラズマ処理方法が開示されており、誘
電体が配置された電極の間に交流電界を印加することに
より安定的にグロー放電を発生させ、このグロー放電に
よりプラズマ生成用ガスを励起して反応容器内にプラズ
マを生成し、このプラズマにより被処理物の処理を行う
ようにしたものである。
マ処理を行うために、特開平4−358076号公報、
特開平3−219082号公報、特開平4−21225
3号公報、特開平6−108257号公報、特願平10
−344735号の願書に最初に添付した明細書及び図
面などに開示されているような、大気圧下でグロー放電
によりプラズマ(特にプラズマの活性種)を被処理物に
ジェット状に吹き出してプラズマ処理することが行われ
ている。このようなプラズマ処理装置としては、例え
ば、図8に示すようなものが例示することができる。2
は円筒状の反応容器であって、反応容器2の上端はガス
導入口10として開口されていると共に反応容器2の下
端は吹き出し口1として開口されている。また、反応容
器2の外周に上下一対のプラズマ生成用電極3、4が設
けられている。一方のプラズマ生成用電極3には高周波
を発生する電源11がインピーダンス整合器12を介し
て接続されている。また、他方のプラズマ生成用電極4
は接地されている。インピーダンス整合器12は、反応
容器2内においてプラズマ生成用電極3、4の間に形成
されるプラズマ発生部13と電源11の間のインピーダ
ンス整合を得るためのものであって、可変コンデンサ1
4とインダクタ(図示省略)を内蔵しているものであ
る。
にプラズマ生成用ガスを導入すると共にプラズマ生成用
電極3、4の間に電源11で発生した交流電界を印加す
ることによって、プラズマ生成用電極3、4により形成
されるプラズマ発生部13にプラズマを点灯させて放電
を開始させ、この後、プラズマ発生部13に交流電界を
印加し続けることによってプラズマ発生部13でプラズ
マを連続的に生成し、このプラズマをプラズマ発生部1
3から流下させて反応容器2の吹き出し口1から吹き出
すようにするのである。
処理装置においては、大気圧近傍の圧力条件下での放電
であるため、プラズマを点灯させて放電を開始させるに
は1kV以上もの高電圧をプラズマ生成用電極3に印加
しなければならない。また、プラズマ生成用電極3、4
の間に印加する交流電界の周波数も13.65MHzに
代表されるような高周波であるため、電源11とプラズ
マ発生部13との間のインピーダンス整合が必要であ
る。
ズマ処理装置を始動させるために、高電圧をプラズマ生
成用電極3に印加すると、インピーダンス整合器12内
の可変コンデンサ(通常は空気バリコン)14内でアーク
が発生してしまい、プラズマが点灯せずにプラズマ処理
装置の始動不良が発生することがあった。また、この問
題を解決する手法の一つとしては、インピーダンス整合
器12で使用する可変コンデンサ14を、いわゆる、真
空バリコンのような高耐圧バリコンにすれば良いが、装
置コストが高くなると言った問題があった。
あり、プラズマの点灯が確実に行えて始動が良好であ
り、しかも安価なプラズマ処理装置を提供することを目
的とするものである。
えて始動が良好なプラズマ点灯方法を提供することを目
的とするものである。
プラズマ処理装置は、片側が吹き出し口1として開放さ
れた反応容器2と一対のプラズマ生成用電極3、4とを
具備して構成され、反応容器2にプラズマ生成用ガスを
導入すると共にプラズマ生成用電極3、4の間に交流電
界を印加することにより、大気圧近傍の圧力下で反応容
器2内にプラズマを生成し、反応容器2の吹き出し口1
からジェット状のプラズマを吹き出すプラズマ処理装置
において、パルス電圧を発生させるための高電圧パルス
発生装置5と、このパルス電圧を反応容器2に導入され
たプラズマ生成用ガスに印加して反応容器2内にプラズ
マを点灯させるための点灯用電極6とを設けて成ること
を特徴とするものである。
装置は、請求項1の構成に加えて、点灯用電極6を吹き
出し口1の下流側に設けて成ることを特徴とするもので
ある。
装置は、請求項1又は2の構成に加えて、プラズマを点
灯させる時のみに、点灯用電極6を吹き出し口1の下流
側に位置させるための移動手段7を備えて成ることを特
徴とするものである。
装置は、請求項1の構成に加えて、点灯用電極6を放電
部分の上流側に設けて成ることを特徴とするものであ
る。
装置は、請求項1又は2の構成に加えて、点灯用電極6
を反応容器2の外面に接触させて設けて成ることを特徴
とするものである。
装置は、請求項1乃至5のいずれかの構成に加えて、パ
ルス電圧が、プラズマ生成時に一対のプラズマ生成用電
極3、4の間に印加する電圧の3倍以上であることを特
徴とするものである。
方法は、請求項1乃至6のいずれかに記載のプラズマ処
理装置において、高電圧パルス発生装置5で発生させた
パルス電圧を反応容器2に導入されたプラズマ生成用ガ
スに印加して反応容器2内にプラズマを点灯させること
を特徴とするものである。
する。
ズマ処理装置Aは、一対のプラズマ生成用電極3、4を
反応容器2の外周に接触させて設けると共にプラズマ生
成用電極3、4を上下に対向させて配置することによっ
て形成されており、反応容器2内においてプラズマ生成
用電極3、4の間の空間にプラズマ発生部13が形成さ
れている。
料)で円筒状に形成されるものであって、その上端面は
ガス導入口10として開口されていると共に反応管2の
下端面は吹き出し口1として開口されている。反応容器
2を形成する絶縁材料として、石英、アルミナ、イット
リア部分安定化ジルコニウムなどのガラス質材料やセラ
ミック材料などを例示することができる。
銅、アルミニウム、真鍮、耐食性の高いステンレス鋼
(SUS304など)などの導電性の金属材料で形成す
ることができる。また、プラズマ生成用電極3、4は円
環状(リング状)に形成されており、その内周面を反応
容器2の外周面に接触させて反応容器2を囲うようにそ
れぞれ挿着されている。一対のプラズマ生成用電極3、
4のうち、上側に配置される一方のプラズマ生成用電極
3は、高周波を発生する電源11とインピーダンス整合
器12を介して接続されており、このプラズマ生成用電
極3が高電圧が印加される高圧電極として形成されてい
る。また下側に配設される他方のプラズマ生成用電極4
は接地されて低電圧となる接地電極として形成されてい
る。プラズマ生成用電極3、4の間隔はプラズマを安定
に生成するために3〜20mmに設定するのが好まし
い。
段として高電圧パルス発生装置5と点灯用電極6を反応
容器2の外部に設けている。高電圧パルス発生装置5は
高電圧のパルス電圧を発生させるためのものであって、
例えば、図2に示すような回路を内蔵するものである。
この回路はブロッキングオシレータ又は一石インバータ
と称されるものであって、次のような動作によりパルス
電圧を発生させるものである。
って、トランジスタQに起動回路(図示省略)を介して
ごくわずかな電流が流れ、この電流によりトランジスタ
Qのベース巻線Nbには相互インダクタンスによって誘
起電圧が生じる。この誘起電圧はベースを順方向にバイ
アスする極性となっている。従って、この誘起電圧によ
ってベース電流が流れてコレクタ電流が以前よりも増加
される。このようにコレクタ電流が増加すればベース巻
線Nbの誘導電圧もさらに増加し、コレクタ電流は増加
の一途をたどる。しかし、トランジスタQの飽和抵抗や
巻線抵抗によりコレクタ電流が増加できなくなると、今
度はベース巻線Nbの誘導電圧も減少し始める。ベース
巻線Nbで誘起電圧が減少するとコレクタ電流も減少
し、以前とは逆方向の作用でトランジスタQは一気にオ
フする。この一気の電流のオフのために巻線N1には大
きな起電力が発生し、巻線N1の分布容量Csが充電さ
れる。
sの充電によって生じる振動電圧が発生し、負の半周期
が終わり正の半周期が始まると、ベース巻線Nbは順方
向にバイアスされ、再びコレクタに電流が流れ始めてト
ランジスタQが導通する最初の状態に戻る。この動作を
繰り返すことによって出力側の巻線N2に交流が出力さ
れる。巻線N2に出力された交流の電力は、ダイオード
Dによって整流され、この整流された電流によってコン
デンサCは図2に示す極性に充電され、コンデンサCの
端子電圧が上昇していくことになる。コンデンサCの充
電が十分に行われ、この充電電圧がブレークダウン素子
BDのブレークダウン電圧にまで達すると、ブレークダ
ウン素子BDがオンし、図2に矢印で示すような放電ル
ープが形成される。この時、このコンデンサCに蓄えら
れたエネルギーが電流となって放出されてトランスの一
次側L1を流れる。そしてトランスの一次側L1に電流
が流れることによりトランスの二次側L2にも電流が流
れ、トランスの二次側L2に接続された出力端子20に
高電圧が発生する。このようにして高電圧パルス発生装
置にてパルス電圧を発生させることができる。
形成されるものであって、プラズマ生成用電極3、4と
同様に金属材料で形成することができる。この点灯用電
極6は高電圧パルス発生装置5の出力端子20に接続さ
れており、上記のようにして生成されたパルス電圧が点
灯用電極6に供給されるようになっている。そして、点
灯用電極6はその先端が反応容器2の吹き出し口1の下
流側(下側)に位置するように配設されている。
では、プラズマ生成用ガスとして不活性ガス(希ガス)
あるいは不活性ガスと反応ガスの混合気体を用いる。不
活性ガスとしては、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリ
プトンなどを使用することができるが、放電の安定性や
経済性を考慮すると、アルゴンやヘリウムを用いるのが
好ましい。また反応ガスの種類は処理の内容によって任
意に選択することができる。例えば、被処理物の表面に
存在する有機物のクリーニング、レジストの剥離、有機
フィルムのエッチングなどを行う場合は、酸素、空気、
CO2、N2Oなどの酸化性ガスを用いるのが好ましい。
また反応ガスとしてCF4などのフッ素系ガスも適宜用
いることができ、シリコンなどのエッチングを行う場合
にはこのフッ素系ガスを用いるのが効果的である。また
金属酸化物の還元を行う場合は、水素、アンモニアなど
の還元性ガスを用いることができる。反応ガスの添加量
は不活性ガスの全量に対して10重量%以下、好ましく
は0.1〜5重量%の範囲である。反応ガスの添加量が
0.1重量%未満であれば、処理効果が低くなる恐れが
あり、反応ガスの添加量が10重量%を超えると、放電
が不安定になる恐れがある。
処理を行うにあたっては、次のようにして行う。まず、
ガス導入口10から反応容器2の内部にプラズマ生成用
ガスを上から下に向かって流して導入すると共にインピ
ーダンス整合器12を介してプラズマ生成用電極3に電
源11から高周波を印加してプラズマ生成用電極3、4
により反応容器2内に形成されるプラズマ発生部13に
高周波の交流電界を印加する。この時、プラズマ生成用
電極3、4の間に印加する電圧はプラズマ点灯後にプラ
ズマ発生部13でプラズマを連続的に生成するのに必要
な電圧であって、0.5〜1kVである。
を発生させ、このパルス電圧を点灯用電極6からプラズ
マ発生部13を介して接地されたプラズマ生成用電極4
に放電させる。この時のパルス電圧の大きさは上記のプ
ラズマ生成用電極3、4の間(プラズマ発生部13)に
印加する電圧、すなわち、プラズマを連続的に生成する
のに必要な電圧の3倍以上にするのが好ましい。パルス
電圧がプラズマを連続的に生成するのに必要な電圧の3
倍未満であれば、プラズマを短時間(1秒以下)で確実
に点火させることが難しく、プラズマ処理装置の始動が
不良になる恐れがある。パルス電圧は大きいほど好まし
いので、特に上限は設定されないが、通常はプラズマを
連続的に生成するのに必要な電圧の40倍以下である。
圧のパルス電圧を印加すると、プラズマ発生部13の空
間中に予備電離プラズマが発生する。この後、予備電離
プラズマがプラズマ生成用電極3、4の間に印加された
電圧(本来であれば、反応容器2内を絶縁破壊させるこ
とのできない低い電圧)によって増幅され、反応容器2
内のプラズマ発生部13にプラズマが生成される。この
後、プラズマ生成用電極3、4の間に印加された交流電
界により大気圧近傍の圧力下でプラズマ発生部13にグ
ロー状の放電が発生し、グロー状の放電でプラズマ生成
用ガスをプラズマ化してプラズマ活性種を含むプラズマ
が連続的に生成される。そしてこのようにして生成され
たプラズマを吹き出し口1から下方にジェット状(連続
的)に流出させて吹き出し口1の下側に配置された被処
理物の表面にプラズマを吹き付けるようにする。このよ
うにして被処理物のプラズマ処理を行うことができる。
尚、プラズマを連続的に安定して生成するために、プラ
ズマ発生部13に印加される交流電界の周波数は1kH
z〜200MHzに、プラズマ発生部13に印加される
印加電力は20〜3500W/cm3にそれぞれ設定す
るのが好ましい。印加電力の密度(W/cm3)は、
(印加電力/プラズマ発生部13の体積)で定義され
る。
させるための高電圧パルス発生装置5と、このパルス電
圧を反応容器2に導入されたプラズマ生成用ガスに印加
して反応容器2内にプラズマを点灯させるための点灯用
電極6とを備えるので、高電圧パルス発生装置5で発生
させたパルス電圧を点灯用電極6から放電して反応容器
2に導入されたプラズマ生成用ガスに印加することによ
って、プラズマ生成用電極3、4の間に高電圧をかけな
くても反応容器2内にプラズマを点灯させることがで
き、インピーダンス整合器12の可変コンデンサ14に
アークが発生するのを防止してプラズマの点灯が確実に
行えて始動が良好になるものであり、しかも、インピー
ダンス整合器12の可変コンデンサ14を真空バリコン
のような高耐圧バリコンにする必要が無く、プラズマ処
理装置を安価することができるものである。
側に設けるので、点灯用電極6とプラズマ生成用電極4
との間に生成される予備電離プラズマを反応容器2内の
プラズマ発生部13に生成することができ、プラズマ生
成用電極3、4に印加するプラズマ生成用の電圧を低く
してもプラズマの点灯及び生成が可能となるものであ
る。
マ処理装置は図1のものに、さらに点灯用電極6の移動
手段7を設けたものである。移動手段7はエアシリンダ
25と電極支持具26とで形成されている。エアシリン
ダ25は反応容器2を覆うカバー28に突設された固定
片27に固定されており、コンプレッサー29と接続さ
れている。また、電極支持具26には連結片30と電極
把持部31が形成されており、連結片30がエアシリン
ダ25のロッド32と連結されていると共に電極把持部
31に点灯用電極6の後端部を把持させることによっ
て、電極支持具26に点灯用電極6が取り付けられてい
る。その他の構成は図1と同様に形成されている。
理を行うにあたっては、まず、コンプレッサー29の動
作でエアシリンダ25のロッド32を突出させて電極支
持具26及び点灯用電極6を反応容器2に近づくように
移動させることによって、点灯用電極6の先端を吹き出
し口1の下流側に位置させる。次に、上記と同様にし
て、高電圧パルス発生装置5で発生させたパルス電圧を
点灯用電極6から放電して反応容器2に導入されたプラ
ズマ生成用ガスに印加することによって、反応容器2内
のプラズマ発生部13にプラズマを点灯させる。次に、
コンプレッサー29の動作でエアシリンダ25のロッド
32を引っ込めて電極支持具26及び点灯用電極6を反
応容器2から遠ざけるように移動させることによって、
点灯用電極6の先端を吹き出し口1の下流側に位置させ
ないようにする。そして、この後、上記と同様にして、
プラズマを吹き出し口1から下方にジェット状(連続
的)に流出させて吹き出し口1の下側に配置された被処
理物の表面にプラズマを吹き付けるようにする。
が吹き出し口1の下流側に位置する状態と吹き出し口1
の下流側に位置しない状態との間で移動するように、点
灯用電極6を移動させるための移動手段7を設けたの
で、点灯用電極6の先端を始動時(プラズマ点灯時)の
みに吹き出し口1の下流側に位置させ、プラズマを点灯
させた後、点灯用電極6の先端を吹き出し口1の下流側
に位置させないようにすることができ、始動を確実に行
うために点灯用電極6を設けたにもかかわらず、点灯用
電極6がプラズマ処理の妨げとならないようにすること
ができるものである。
マ処理装置は反応容器2の下部を下側ほど小径となるよ
うに絞り込んだ集束部35として形成したものである。
このような集束部35を設けることによって、プラズマ
発生部13の体積を小さくすることなく吹き出し口1か
ら吹き出されるジェット状のプラズマの流速を加速する
ことができ、短寿命のラジカルなどの反応性ガス活性粒
子が消滅する前に、被処理物にプラズマを到達させるこ
とができて被処理物のプラズマ処理を効率よく行うこと
ができるものである。また、このプラズマ処理装置では
金属製の棒を点灯用電極6として用いずに、プラズマ生
成用電極3、4の間において反応容器2の外周に電線等
の導体を巻き付けて設け、この導体を点灯用電極6とし
て用いたものである。その他の構成は図1と同様であ
る。
ズマ生成用電極3、4の間において反応容器2の外周面
に接触させて設けたので、点灯用電極6を吹き出し口1
の下流側に常に位置させないようにすることができ、始
動を確実に行うために点灯用電極6を設けたにもかかわ
らず、点灯用電極6がプラズマ処理の妨げとならないよ
うにすることができるものであり、しかも、図2に示す
ような点灯用電極6の移動手段7が必要でなく、構造を
簡素化することができるものである。尚、この実施の形
態の場合、図1、3のものに比べてパルス電圧の大きさ
を約1.5倍にすると、プラズマの点灯が確実に行うこ
とができる。
マ処理装置は反応容器2を角形筒状に形成したものであ
り、その上面にはガス導入口10が全面にわたって形成
されていると共に反応容器2の下面にはスリット状の吹
き出し口(図示省略)が反応容器2の長手方向に長く形
成されている。また、プラズマ生成用電極3、4は反応
容器2の外形形状に合わせて、平面視で略ロ字状の角形
環状に形成されている。その他の構成は図1と同様に形
成されている。そしてこのプラズマ処理装置では上記と
同様にしてプラズマ点灯やプラズマ処理を行うことがで
きるが、吹き出し口1が長く形成されているので、プラ
ズマを帯状(カーテン状)に吹き出すことができ、被処
理物の広い面積を一度のプラズマ処理することができる
ものである。尚、この実施の形態においても図3に示す
移動手段7を備えるのが好ましい。
を示す。この実施の形態では図1のプラズマ処理装置に
おいて、反応容器2の上部に反応容器2よりも厚い箱状
のガス導入部65が一体に形成されている。ガス導入部
65の上面にはガス供給口30を設けたガス管部61が
突設されていると共にガス導入部65の下部は下側ほど
厚みが小さくなる絞り部62として形成されており、ガ
ス導入部65の下端である絞り部62の下端が反応容器
2のガス導入口10の開口縁部に接合されている。ま
た、点灯用電極6は吹き出し口1の下流側に設けられて
おらず、点灯用電極6はガス導入部65(絞り部62の
部分)内に差し込まれてガス導入口10の上流側(上
側)に配置されている。すなわち、点灯用電極6は、プ
ラズマ生成用電極3、4の間に交流電界を印加すること
によりグロー状の放電が発生する放電部分(プラズマ発
生部13)の上流側に設けるものである。その他の構成
は図1のものと同様である。尚、図6(a)(c)にお
いては、図6(b)におけるプラズマ生成用電極3、4
と電源11の図示を省略している。そして、この実施の
形態では、ガス導入部65を介してプラズマ生成用ガス
を反応容器2に供給するのである。すなわち、ガス供給
口30からガス導入部65内にプラズマ生成用ガスを導
入し、プラズマ生成用ガスをガス導入口10まで下流さ
せ、この後、ガス導入口10から反応容器2内にプラズ
マ生成用ガスを導入するのである。
ラズマ点灯やプラズマ処理を行うことができるが、プラ
ズマ発生部13の上流側に点灯用電極6を設けるので、
点灯用電極6を吹き出し口1の下流側に常に位置させな
いようにすることができ、始動を確実に行うために点灯
用電極6を設けたにもかかわらず、点灯用電極6がプラ
ズマ処理の妨げとならないようにすることができるもの
であり、しかも、図2に示すような点灯用電極6の移動
手段7が必要でなく、構造を簡素化することができるも
のである。
す。図7(a)のものはプラズマ生成用電極3、4を、
反応容器2の外周面に接触して設けられた外側電極40
と反応容器2の内側に配置された内側電極41とで構成
したものである。また、図7(b)のものはプラズマ生
成用電極3、4が反応容器2を挟んで対向するように、
反応容器2の外周面にプラズマ生成用電極3、4を設け
たものである。そして、図7(a)(b)のものに上記
と同様の高電圧パルス発生装置5と点灯用電極6及び移
動手段7を設けることができる。このように本発明は反
応容器2の形状、プラズマ生成用電極3、4の形状や配
置等を任意に形成することができる。
る。
を用いた。このプラズマ処理装置の反応容器2は外径が
5mm、内径が3mmで石英で形成されている。反応容
器2の外面にはプラズマ生成用電極3、4を吹き出し口
1に対して上下に配置しており、一方のプラズマ生成用
電極3が電源11と接続されて高電圧が印加される高圧
電極として、他方のプラズマ生成用電極4が接地される
接地電極として形成されている。高周波を発生する電源
11としては13.56MHzの周波数の電圧を発振す
るものを用いた。
トル/分、アルゴンを1.5リットル/分、酸素を0.
02リットル/分で導入し、100Wの電力にてプラズ
マを生成しようとした場合、図8に示すような従来例で
は、プラズマ生成用電極3、4の間に5kV以上もの電
圧を印加しなければならず、インピーダンス整合器12
の内部の可変コンデンサ14の内部で毎回アークが発生
し、始動させることができない。そこで、高電圧パルス
発生器5に接続した点灯用電極6を、反応容器2の吹き
出し口1の下流側に設置し、約15kVの高圧パルス電
圧を印加すると、プラズマ生成用電極3、4の間に印加
する電圧が1kV以下でもプラズマを生成することが可
能となった。
を用いた。このプラズマ処理装置の反応容器2は、先端
(下部)が集束部35としてテーパー状に絞られたもの
であって、外径が16mm、内径が13mmで石英で形
成されている。反応容器2の外面にはプラズマ生成用電
極3、4を吹き出し口1に対して上下に配置しており、
一方のプラズマ生成用電極3が電源11と接続されて高
電圧が印加される高圧電極として、他方のプラズマ生成
用電極4が接地される接地電極として形成されている。
高周波を発生する電源11としては13.56MHzの
周波数の電圧を発振するものを用いた。
/分、アルゴンを3リットル/分、酸素を0.06リッ
トル/分で導入し、300Wの電力にてプラズマを生成
しようとした場合、図8に示すような従来例では、プラ
ズマ生成用電極3、4の間に2kV以上もの電圧を印加
しなければならず、時としてインピーダンス整合器12
の内部の可変コンデンサ14の内部でアークが発生し、
始動不良が発生していた。そこで、高電圧パルス発生器
5に接続した点灯用電極6を反応容器2の外周に巻き付
け、この点灯用電極6に約10kVの高圧パルス電圧を
印加すると、プラズマ生成用電極3、4の間に印加する
電圧が1kV以下でもプラズマを生成することが可能と
なった。
を用いた。このプラズマ処理装置の反応容器2は内側寸
法が55mm×1mmで石英で形成されている。反応容
器2の外面にはプラズマ生成用電極3、4を吹き出し口
1に対して上下に配置しており、一方のプラズマ生成用
電極3が電源11と接続されて高電圧が印加される高圧
電極として、他方のプラズマ生成用電極4が接地される
接地電極として形成されている。高周波を発生する電源
11としては13.56MHzの周波数の電圧を発振す
るものを用いた。
/分、アルゴンを10リットル/分、酸素を0.4リッ
トル/分で導入し、760Wの電力にてプラズマを生成
しようとした場合、図8に示すような従来例では、プラ
ズマ生成用電極3、4の間に5kV以上もの電圧を印加
しなければならず、インピーダンス整合器12の内部の
可変コンデンサ14の内部で毎回アークが発生し、始動
させることができない。そこで、高電圧パルス発生器5
に接続した点灯用電極6を、反応容器2の吹き出し口1
の下流側に設置し、約18kVの高圧パルス電圧を印加
すると、プラズマ生成用電極3、4の間に印加する電圧
が1kV以下でもプラズマを生成することが可能となっ
た。
は、片側が吹き出し口として開放された反応容器と一対
のプラズマ生成用電極とを具備して構成され、反応容器
にプラズマ生成用ガスを導入すると共にプラズマ生成用
電極の間に交流電界を印加することにより、大気圧近傍
の圧力下で反応容器内にプラズマを生成し、反応容器の
吹き出し口からジェット状のプラズマを吹き出すプラズ
マ処理装置において、パルス電圧を発生させるための高
電圧パルス発生装置と、このパルス電圧を反応容器に導
入されたプラズマ生成用ガスに印加して反応容器内にプ
ラズマを点灯させるための点灯用電極とを反応容器の外
部に設けるので、高電圧パルス発生装置で発生させたパ
ルス電圧を点灯用電極から放電して反応容器に導入され
たプラズマ生成用ガスに印加することによって、プラズ
マ生成用電極の間に高電圧をかけなくても反応容器内に
プラズマを点灯させることができ、プラズマの点灯が確
実に行えて始動が良好になるものであり、しかも、イン
ピーダンス整合器の可変コンデンサを真空バリコンのよ
うな高耐圧バリコンにする必要が無く、プラズマ処理装
置を安価することができるものである。
極を吹き出し口の下流側に設けるので、点灯用電極とプ
ラズマ生成用電極との間に生成される予備電離プラズマ
を反応容器内に生成することができ、プラズマ生成用電
極に印加するプラズマ生成用の電圧を低くしてもプラズ
マの点灯及び生成が可能となるものである。
を点灯させる時のみに、点灯用電極を吹き出し口の下流
側に位置させるための移動手段を備えるので、点灯用電
極の先端を始動時のみに吹き出し口の下流側に位置さ
せ、プラズマを点灯させた後、点灯用電極の先端を吹き
出し口の下流側に位置させないようにすることができ、
始動を確実に行うために点灯用電極を設けたにもかかわ
らず、点灯用電極がプラズマ処理の妨げとならないよう
にすることができるものである。
極を放電部分の上流側に設けるので、点灯用電極が吹き
出し口の下流側に常に位置しないようにすることがで
き、点灯用電極を移動させる手段が必要でなく、構造を
簡素化することができるものである。
極を反応容器の外面に接触させて設けるので、点灯用電
極が吹き出し口の下流側に常に位置しないようにするこ
とができ、点灯用電極を移動させる手段が必要でなく、
構造を簡素化することができるものである。
圧が、プラズマ生成時に一対のプラズマ生成用電極の間
に印加する電圧の3倍以上であるので、プラズマを短時
間で確実に点火させることができ、始動を速くて良好に
することができるものである。
6のいずれかに記載のプラズマ処理装置において、高電
圧パルス発生装置で発生させたパルス電圧を反応容器に
導入されたプラズマ生成用ガスに印加して反応容器内に
プラズマを点灯させるので、プラズマ生成用電極の間に
高電圧をかけなくても反応容器内にプラズマを点灯させ
ることができ、プラズマの点灯が確実に行えて始動が良
好になるものである。
る。
図である。
る。
る。
る。
正面の概略図、(b)は側面の概略図、(c)は底面の
概略図である。
示す断面図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 片側が吹き出し口として開放された反応
容器と一対のプラズマ生成用電極とを具備して構成さ
れ、反応容器にプラズマ生成用ガスを導入すると共にプ
ラズマ生成用電極の間に交流電界を印加することによ
り、大気圧近傍の圧力下で反応容器内にプラズマを生成
し、反応容器の吹き出し口からジェット状のプラズマを
吹き出すプラズマ処理装置において、パルス電圧を発生
させるための高電圧パルス発生装置と、このパルス電圧
を反応容器に導入されたプラズマ生成用ガスに印加して
反応容器内にプラズマを点灯させるための点灯用電極と
を設けて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項2】 点灯用電極を吹き出し口の下流側に設け
て成ることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理
装置。 - 【請求項3】 プラズマを点灯させる時のみに、点灯用
電極を吹き出し口の下流側に位置させるための移動手段
を備えて成ることを特徴とする請求項1又は2に記載の
プラズマ処理装置。 - 【請求項4】 点灯用電極を放電部分の上流側に設けて
成ることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装
置。 - 【請求項5】 点灯用電極を反応容器の外面に接触させ
て設けて成ることを特徴とする請求項1又は2に記載の
プラズマ処理装置。 - 【請求項6】 パルス電圧が、プラズマ生成時に一対の
プラズマ生成用電極の間に印加する電圧の3倍以上であ
ることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の
プラズマ処理装置。 - 【請求項7】 請求項1乃至6のいずれかに記載のプラ
ズマ処理装置において、高電圧パルス発生装置で発生さ
せたパルス電圧を反応容器に導入されたプラズマ生成用
ガスに印加して反応容器内にプラズマを点灯させること
を特徴とするプラズマ点灯方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30311599A JP4221847B2 (ja) | 1999-10-25 | 1999-10-25 | プラズマ処理装置及びプラズマ点灯方法 |
TW089122199A TW465261B (en) | 1999-10-25 | 2000-10-21 | Plasma treatment apparatus and plasma generation method using the apparatus |
KR10-2000-0062579A KR100422163B1 (ko) | 1999-10-25 | 2000-10-24 | 플라즈마 처리장치 및 이 장치를 이용한 플라즈마 생성방법 |
EP00123059A EP1096837A3 (en) | 1999-10-25 | 2000-10-24 | Plasma treatment apparatus and plasma generation method using the apparatus |
US09/694,324 US6465964B1 (en) | 1999-10-25 | 2000-10-24 | Plasma treatment apparatus and plasma generation method using the apparatus |
CNB001300369A CN1170460C (zh) | 1999-10-25 | 2000-10-25 | 等离子体处理装置和使用该装置的等离子体产生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP30311599A JP4221847B2 (ja) | 1999-10-25 | 1999-10-25 | プラズマ処理装置及びプラズマ点灯方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001126898A true JP2001126898A (ja) | 2001-05-11 |
JP4221847B2 JP4221847B2 (ja) | 2009-02-12 |
Family
ID=17917074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30311599A Expired - Fee Related JP4221847B2 (ja) | 1999-10-25 | 1999-10-25 | プラズマ処理装置及びプラズマ点灯方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6465964B1 (ja) |
EP (1) | EP1096837A3 (ja) |
JP (1) | JP4221847B2 (ja) |
KR (1) | KR100422163B1 (ja) |
CN (1) | CN1170460C (ja) |
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-
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- 2000-10-21 TW TW089122199A patent/TW465261B/zh active
- 2000-10-24 US US09/694,324 patent/US6465964B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-24 KR KR10-2000-0062579A patent/KR100422163B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-10-24 EP EP00123059A patent/EP1096837A3/en not_active Withdrawn
- 2000-10-25 CN CNB001300369A patent/CN1170460C/zh not_active Expired - Fee Related
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JP7144780B2 (ja) | 2017-09-15 | 2022-09-30 | 学校法人日本大学 | 大気圧プラズマ生成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100422163B1 (ko) | 2004-03-10 |
US6465964B1 (en) | 2002-10-15 |
EP1096837A3 (en) | 2004-02-04 |
TW465261B (en) | 2001-11-21 |
EP1096837A2 (en) | 2001-05-02 |
KR20010060200A (ko) | 2001-07-06 |
JP4221847B2 (ja) | 2009-02-12 |
CN1294480A (zh) | 2001-05-09 |
CN1170460C (zh) | 2004-10-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050803 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081028 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081110 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111128 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |