JP2000315928A - 表面波素子の製造方法及び表面波装置の製造方法 - Google Patents
表面波素子の製造方法及び表面波装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 部分的な周波数調整が可能であり、周波数を
測定しながらの調整または周波数測定と調整が即座に切
り替えて行うことのでき、周波数の調整範囲が広い表面
波共振子の製造方法及び表面波装置の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 水晶からなる圧電基板１０ａ上にＴａか
らなるＩＤＴ１１ａとを有する表面波素子１３に対し
て、イオンガン１６ａからイオンビーム１７を照射する
ことにより、ＩＤＴ１１ａおよび圧電基板１０ａにイオ
ンを物理的に衝突させてＩＤＴ１１ａ及び圧電基板１０
ａをエッチングする。
測定しながらの調整または周波数測定と調整が即座に切
り替えて行うことのでき、周波数の調整範囲が広い表面
波共振子の製造方法及び表面波装置の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 水晶からなる圧電基板１０ａ上にＴａか
らなるＩＤＴ１１ａとを有する表面波素子１３に対し
て、イオンガン１６ａからイオンビーム１７を照射する
ことにより、ＩＤＴ１１ａおよび圧電基板１０ａにイオ
ンを物理的に衝突させてＩＤＴ１１ａ及び圧電基板１０
ａをエッチングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話、ＰＨＳ
等に利用される表面波素子及び表面波装置の製造方法に
関する。
等に利用される表面波素子及び表面波装置の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、特開平８−１２５４８５号のよう
にＳＨ波を用いるために、水晶からなる圧電基板上にＡ
ｕ薄膜やＴａ薄膜、Ｗ薄膜等を用いたＩＤＴを形成した
表面波装置が提案されている。
にＳＨ波を用いるために、水晶からなる圧電基板上にＡ
ｕ薄膜やＴａ薄膜、Ｗ薄膜等を用いたＩＤＴを形成した
表面波装置が提案されている。
【０００３】このような表面波装置の周波数調整の際に
は、水晶からなる圧電基板２０ａ上にＡｌからなるＩＤ
Ｔ２１ａを形成した一般的な表面波装置と同じ方法を用
いていた。
は、水晶からなる圧電基板２０ａ上にＡｌからなるＩＤ
Ｔ２１ａを形成した一般的な表面波装置と同じ方法を用
いていた。
【０００４】図６（ａ）に示すように、ＩＤＴ２１ａを
選択的にエッチングしてＩＤＴ２１ａの膜厚を減少させ
ることにより周波数を上げていた。しかしながら、Ａｌ
からなるＩＤＴの場合、かなり大きく減少させないと周
波数特性に影響を与える程度に周波数を上げることがで
きないため、あまり現実的な手法ではなかった。
選択的にエッチングしてＩＤＴ２１ａの膜厚を減少させ
ることにより周波数を上げていた。しかしながら、Ａｌ
からなるＩＤＴの場合、かなり大きく減少させないと周
波数特性に影響を与える程度に周波数を上げることがで
きないため、あまり現実的な手法ではなかった。
【０００５】したがって、一般的には、図６（ｂ）に示
すように、露出した圧電基板２０ａの上面を選択的にエ
ッチングして圧電基板２０ａの基板厚を部分的に減少さ
せることにより周波数を下げるという手法を用いてい
た。
すように、露出した圧電基板２０ａの上面を選択的にエ
ッチングして圧電基板２０ａの基板厚を部分的に減少さ
せることにより周波数を下げるという手法を用いてい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一般にエッチングの手
法としては、ウエット・エッチングが用いられるが、微
細加工可能な寸法は１μｍまでであり、これよりＩＤＴ
の線幅が小さくなると対応できなくなるという問題があ
った。また、加工精度も余り良くないため、ＩＤＴのみ
をエッチングする場合には圧電基板表面の一部も同時に
エッチングされることがあり、弾性表面波装置の周波数
特性を思うように調整することができなかった。
法としては、ウエット・エッチングが用いられるが、微
細加工可能な寸法は１μｍまでであり、これよりＩＤＴ
の線幅が小さくなると対応できなくなるという問題があ
った。また、加工精度も余り良くないため、ＩＤＴのみ
をエッチングする場合には圧電基板表面の一部も同時に
エッチングされることがあり、弾性表面波装置の周波数
特性を思うように調整することができなかった。
【０００７】さらに、精度の良いエッチング方法として
は、ＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）が挙
げられる。しかしながら、ＲＩＥは、ＲＩＥ装置のチャ
ンバー内でウエハ全体をエッチングする構造であるの
で、ウエハ内で電極膜厚にバラツキがある場合、一部だ
けをエッチングすることが不可能であり、最も良品個数
が多くなるような膜厚になるように設定していた。
は、ＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）が挙
げられる。しかしながら、ＲＩＥは、ＲＩＥ装置のチャ
ンバー内でウエハ全体をエッチングする構造であるの
で、ウエハ内で電極膜厚にバラツキがある場合、一部だ
けをエッチングすることが不可能であり、最も良品個数
が多くなるような膜厚になるように設定していた。
【０００８】また、ウエハを表面波素子のチップに分割
した場合、個々のチップを調整するために、個々のチッ
プ毎にＲＩＥで調整することは非効率的であり、コスト
も大きくなるという問題があった。
した場合、個々のチップを調整するために、個々のチッ
プ毎にＲＩＥで調整することは非効率的であり、コスト
も大きくなるという問題があった。
【０００９】さらに、ＲＩＥでは、例えば水晶からなる
圧電基板上にＡｌからなるＩＤＴを形成する際に反応ガ
スとしてＣＦ4を用いて周波数調整を行っているが、こ
の場合、水晶とＡｌのＣＦ4に対するエッチング量は水
晶の方が大きいため、図 （ｂ）に示した圧電基板の上
面を選択的にエッチングしたものとほぼ同じ状態となる
ことによって周波数の調整を行っている。しかしなが
ら、このような周波数調整の手法を用いた場合、大きな
周波数変化を得るためには圧電基板のエッチング量を多
くする必要があり、圧電基板のエッチング量が多くなり
すぎた場合には、圧電基板のエッチングによる特性の劣
化が顕著になる。したがって、特性の劣化が無い範囲で
の調整しかできず、その結果周波数調整範囲が狭くなる
という問題を有している。
圧電基板上にＡｌからなるＩＤＴを形成する際に反応ガ
スとしてＣＦ4を用いて周波数調整を行っているが、こ
の場合、水晶とＡｌのＣＦ4に対するエッチング量は水
晶の方が大きいため、図 （ｂ）に示した圧電基板の上
面を選択的にエッチングしたものとほぼ同じ状態となる
ことによって周波数の調整を行っている。しかしなが
ら、このような周波数調整の手法を用いた場合、大きな
周波数変化を得るためには圧電基板のエッチング量を多
くする必要があり、圧電基板のエッチング量が多くなり
すぎた場合には、圧電基板のエッチングによる特性の劣
化が顕著になる。したがって、特性の劣化が無い範囲で
の調整しかできず、その結果周波数調整範囲が狭くなる
という問題を有している。
【００１０】本発明の目的は、部分的な周波数調整が可
能であり、周波数を測定しながらの調整または周波数測
定と調整が即座に切り替えて行うことのでき、周波数の
調整範囲が広い表面波共振子の製造方法及び表面波装置
の製造方法を提供することにある。
能であり、周波数を測定しながらの調整または周波数測
定と調整が即座に切り替えて行うことのでき、周波数の
調整範囲が広い表面波共振子の製造方法及び表面波装置
の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで、請求項１に係る
表面波共振子の製造方法は、圧電体と前記圧電体上に形
成され前記圧電体より密度の大きい金属からなるＩＤＴ
とを有する表面波素子の製造方法において、前記ＩＤＴ
および前記圧電体にイオンを物理的に衝突させて前記Ｉ
ＤＴの膜厚を減少させている。
表面波共振子の製造方法は、圧電体と前記圧電体上に形
成され前記圧電体より密度の大きい金属からなるＩＤＴ
とを有する表面波素子の製造方法において、前記ＩＤＴ
および前記圧電体にイオンを物理的に衝突させて前記Ｉ
ＤＴの膜厚を減少させている。
【００１２】請求項２に係る表面波装置の製造方法は、
圧電体上に圧電体より密度の大きい金属膜を形成する工
程と、前記金属膜を選択的にエッチングして複数のＩＤ
Ｔを形成する工程と、前記ＩＤＴが形成された圧電体を
切断して複数の表面波素子に分割する工程と、前記表面
波素子をパッケージングする工程とを備える表面波装置
の製造方法であって、前記金属膜または前記ＩＤＴにイ
オンを物理的に衝突させ前記金属膜または前記ＩＤＴの
膜厚を減少させて周波数を調整する工程を含むものであ
る。
圧電体上に圧電体より密度の大きい金属膜を形成する工
程と、前記金属膜を選択的にエッチングして複数のＩＤ
Ｔを形成する工程と、前記ＩＤＴが形成された圧電体を
切断して複数の表面波素子に分割する工程と、前記表面
波素子をパッケージングする工程とを備える表面波装置
の製造方法であって、前記金属膜または前記ＩＤＴにイ
オンを物理的に衝突させ前記金属膜または前記ＩＤＴの
膜厚を減少させて周波数を調整する工程を含むものであ
る。
【００１３】また、請求項３に係る表面波装置の製造方
法は、前記複数のＩＤＴを形成する工程と前記複数の表
面波素子に分割する工程間に前記周波数を調整する工程
を備えるものである。
法は、前記複数のＩＤＴを形成する工程と前記複数の表
面波素子に分割する工程間に前記周波数を調整する工程
を備えるものである。
【００１４】さらに、請求項４に係る表面波装置の製造
方法は、前記複数の表面波素子に分割する工程と前記表
面波素子をパッケージングする工程間に、前記周波数を
調整する工程を備えるものである。
方法は、前記複数の表面波素子に分割する工程と前記表
面波素子をパッケージングする工程間に、前記周波数を
調整する工程を備えるものである。
【００１５】そして、請求項５に係る表面波装置の製造
方法は、前記表面波素子をパッケージングする工程後
に、前記周波数を調整する工程を備えるものである。
方法は、前記表面波素子をパッケージングする工程後
に、前記周波数を調整する工程を備えるものである。
【００１６】このとき、圧電体表面にもＩＤＴと同様に
イオンが衝突することによりエッチングされるが、ＩＤ
Ｔは圧電体より密度の大きい金属からなるため、圧電体
表面がエッチングされることにより変動する周波数より
も、ＩＤＴがエッチングされることにより変動する周波
数の方が大きいため、結果として周波数は上がる方向に
調整される。
イオンが衝突することによりエッチングされるが、ＩＤ
Ｔは圧電体より密度の大きい金属からなるため、圧電体
表面がエッチングされることにより変動する周波数より
も、ＩＤＴがエッチングされることにより変動する周波
数の方が大きいため、結果として周波数は上がる方向に
調整される。
【００１７】また、イオンを衝突させる方式を用いてい
るためイオンを部分的に衝突させることが可能であり、
部分的な調整、例えば、圧電体からなるウエハに形成さ
れた複数の表面波素子のうちから選択して任意の表面波
素子のみを調整したり、表面波素子を構成するＩＤＴを
選択して調整したりすることが可能となる。
るためイオンを部分的に衝突させることが可能であり、
部分的な調整、例えば、圧電体からなるウエハに形成さ
れた複数の表面波素子のうちから選択して任意の表面波
素子のみを調整したり、表面波素子を構成するＩＤＴを
選択して調整したりすることが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図を
用いて説明する。
用いて説明する。
【００１９】図１は、本発明の表面波装置の製造方法を
示す工程図、図２は各工程における段階の状態を示す図
である。以下、順を追って、各工程の説明をする。
示す工程図、図２は各工程における段階の状態を示す図
である。以下、順を追って、各工程の説明をする。
【００２０】工程１では、水晶からなるウエハ１０を図
２（ａ）に示すように用意する。工程２では図２（ｂ）
に示すように、ウエハ１０の上面に蒸着、スパッタリン
グ等によりＴａを主成分とする金属膜１１を形成する。
工程３では、金属膜１１の不要な部分をエッチングによ
り除去し、図２（ｃ）に示すように複数のＩＤＴ１１ａ
と複数の反射器１１ｂからなるパターンを多数形成す
る。工程４では、図２（ｄ）に示すようにＩＤＴ１１ａ
と反射器１１ｂの組み合わせを１つの表面波素子１３と
してＩＤＴ１１ａや反射器１１ｂの形成されていない部
分でウエハ１０を切断する。工程５では、表面波素子の
ＩＤＴ１１ａ及び反射器１１ｂまたは圧電基板１０ａを
エッチングすることにより、周波数特性を所望の値とな
るように調整する。工程６では、図２（ｅ）に示すよう
に分割された表面波素子１２をパッケージ１３に収納
し、パッケージ１３の電極１４とＩＤＴ１１ａとをボン
ディングワイヤー１５により電気的に接続する。
２（ａ）に示すように用意する。工程２では図２（ｂ）
に示すように、ウエハ１０の上面に蒸着、スパッタリン
グ等によりＴａを主成分とする金属膜１１を形成する。
工程３では、金属膜１１の不要な部分をエッチングによ
り除去し、図２（ｃ）に示すように複数のＩＤＴ１１ａ
と複数の反射器１１ｂからなるパターンを多数形成す
る。工程４では、図２（ｄ）に示すようにＩＤＴ１１ａ
と反射器１１ｂの組み合わせを１つの表面波素子１３と
してＩＤＴ１１ａや反射器１１ｂの形成されていない部
分でウエハ１０を切断する。工程５では、表面波素子の
ＩＤＴ１１ａ及び反射器１１ｂまたは圧電基板１０ａを
エッチングすることにより、周波数特性を所望の値とな
るように調整する。工程６では、図２（ｅ）に示すよう
に分割された表面波素子１２をパッケージ１３に収納
し、パッケージ１３の電極１４とＩＤＴ１１ａとをボン
ディングワイヤー１５により電気的に接続する。
【００２１】図３は本発明の周波数調整工程における具
体的な構成を示す概略図である。図３に示すように、イ
オンスパッタ加工装置１６はイオンガン１６ａ、Ａｒ等
のスパッタする気体を入れる気体入口１６ｂ、グリッド
１６ｃ、表面波素子１３を支持するステージ１６ｄから
構成されている。また、イオンビーム１７が表面波素子
１３の表面に衝突することにより、ＴａからなるＩＤＴ
１１ａ及び水晶からなる圧電基板１０ａの表面がエッチ
ングされる。
体的な構成を示す概略図である。図３に示すように、イ
オンスパッタ加工装置１６はイオンガン１６ａ、Ａｒ等
のスパッタする気体を入れる気体入口１６ｂ、グリッド
１６ｃ、表面波素子１３を支持するステージ１６ｄから
構成されている。また、イオンビーム１７が表面波素子
１３の表面に衝突することにより、ＴａからなるＩＤＴ
１１ａ及び水晶からなる圧電基板１０ａの表面がエッチ
ングされる。
【００２２】この時、Ｔａと水晶のエッチングレートは
ほとんど変わらないため、同じ程度にエッチングされる
が、Ｔａのエッチング量に対して周波数が高周波側へ移
行する度合は水晶のエッチング量に対して周波数が低周
波側へ移行する度合に比べてはるかに大きいため、表面
波素子１３の周波数は高周波側に周波数調整される。
ほとんど変わらないため、同じ程度にエッチングされる
が、Ｔａのエッチング量に対して周波数が高周波側へ移
行する度合は水晶のエッチング量に対して周波数が低周
波側へ移行する度合に比べてはるかに大きいため、表面
波素子１３の周波数は高周波側に周波数調整される。
【００２３】なお、本実施の形態では、図２において反
射器を有する縦結合型弾性表面波フィルタを縦続接続し
た表面波装置を用いて説明したが、これに限るものでは
なく、本実施の形態の手法は、表面波共振子、横結合型
フィルタ、ラダー型フィルタや反射器の無い端面反射型
の表面波装置等どのような表面波装置にも用いることが
できる。
射器を有する縦結合型弾性表面波フィルタを縦続接続し
た表面波装置を用いて説明したが、これに限るものでは
なく、本実施の形態の手法は、表面波共振子、横結合型
フィルタ、ラダー型フィルタや反射器の無い端面反射型
の表面波装置等どのような表面波装置にも用いることが
できる。
【００２４】また、本実施の形態では、ＩＤＴの材料と
してＴａを例にとって説明したが、これに限るものでは
なく、ＩＤＴの材料としてはＷ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｍ
ｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｍｎ等の使
用する圧電体よりも密度の大きい金属または合金を用い
ることが考えられる。
してＴａを例にとって説明したが、これに限るものでは
なく、ＩＤＴの材料としてはＷ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｍ
ｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｍｎ等の使
用する圧電体よりも密度の大きい金属または合金を用い
ることが考えられる。
【００２５】さらに、本実施の形態では、圧電基板の材
料として水晶を例にとって説明したが、これに限るもの
ではなく、圧電基板の材料としてタンタル酸リチウム，
ニオブ酸リチウム，酸化亜鉛，四硼酸リチウム，ランガ
サイト等を用いることができる。
料として水晶を例にとって説明したが、これに限るもの
ではなく、圧電基板の材料としてタンタル酸リチウム，
ニオブ酸リチウム，酸化亜鉛，四硼酸リチウム，ランガ
サイト等を用いることができる。
【００２６】そして、本実施の形態では、エッチングの
際の気体としてＡｒを例にとって説明したが、これに限
るものではなく、ＣＦ4，Ｃ２Ｆ6等のフッ化炭素ガス，
ＣＣｌ4，ＣＦ3Ｃｌ等の塩素系ガスまたはＮ2ガス，Ｎ2
ガスとの混合ガスを用いても良い。さらにエッチングの
気体として同一ガスを用いるのではなく、Ａｒガス使用
後Ｎ2ガスでエッチングもしくはＮ2ガスのプラズマ処理
を行っても良い。
際の気体としてＡｒを例にとって説明したが、これに限
るものではなく、ＣＦ4，Ｃ２Ｆ6等のフッ化炭素ガス，
ＣＣｌ4，ＣＦ3Ｃｌ等の塩素系ガスまたはＮ2ガス，Ｎ2
ガスとの混合ガスを用いても良い。さらにエッチングの
気体として同一ガスを用いるのではなく、Ａｒガス使用
後Ｎ2ガスでエッチングもしくはＮ2ガスのプラズマ処理
を行っても良い。
【００２７】また、本実施の形態では、イオンガンを用
いてエッチングしたが、これに限るものではなく、通常
のスパッタ装置で逆スパッタを行っても同じ効果が得ら
れる。
いてエッチングしたが、これに限るものではなく、通常
のスパッタ装置で逆スパッタを行っても同じ効果が得ら
れる。
【００２８】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。図４は、本発明の表面波装置の製造方法を示
す工程図である。
説明する。図４は、本発明の表面波装置の製造方法を示
す工程図である。
【００２９】第２の実施の形態が、図１を用いて説明し
た第１の実施の形態と異なるのは、ＩＤＴの形成後及び
パッケージング後に周波数調整工程がある点である。Ｉ
ＤＴの形成後の周波数調整工程は、ウエハの段階で図３
に示した装置を用いて個別の素子を調整しているが、こ
の段階での周波数調整は、従来のエッチング手法を用い
て粗調整としても良い。
た第１の実施の形態と異なるのは、ＩＤＴの形成後及び
パッケージング後に周波数調整工程がある点である。Ｉ
ＤＴの形成後の周波数調整工程は、ウエハの段階で図３
に示した装置を用いて個別の素子を調整しているが、こ
の段階での周波数調整は、従来のエッチング手法を用い
て粗調整としても良い。
【００３０】パッケージング後の周波数調整工程は、パ
ッケージに収納し、ワイヤボンディングやフェイスダウ
ンボンディングで電気的に接続することにより、パッケ
ージも含めた表面波装置の周波数が所望の値からわずか
にずれることがあるため、これを修正するための周波数
調整工程である。この場合、ＩＤＴの形成後の周波数調
整工程と異なり従来の手法を用いることはできないた
め、図３に示した装置を用いて個別の弾性表面波装置を
調整している。
ッケージに収納し、ワイヤボンディングやフェイスダウ
ンボンディングで電気的に接続することにより、パッケ
ージも含めた表面波装置の周波数が所望の値からわずか
にずれることがあるため、これを修正するための周波数
調整工程である。この場合、ＩＤＴの形成後の周波数調
整工程と異なり従来の手法を用いることはできないた
め、図３に示した装置を用いて個別の弾性表面波装置を
調整している。
【００３１】次に、本発明の第３の実施の形態について
説明する。図５は、本発明の表面波装置の製造方法を示
す工程図である。第３の実施の形態が、図１を用いて説
明した第１の実施の形態と異なるのは、金属膜形成後に
膜厚調整工程がある点である。
説明する。図５は、本発明の表面波装置の製造方法を示
す工程図である。第３の実施の形態が、図１を用いて説
明した第１の実施の形態と異なるのは、金属膜形成後に
膜厚調整工程がある点である。
【００３２】金属膜形成後の膜厚調整工程は、従来のエ
ッチング手法を用いているが、従来のエッチング手法で
粗調整をした後、図３に示した装置を用いて個別の部分
の膜厚を調整しても良い。このように金属膜の状態で膜
厚を均一化することにより、ＩＤＴの膜厚による周波数
のバラツキを抑えることができる。したがって、この後
工程における周波数調整を微調程度にすることができる
ッチング手法を用いているが、従来のエッチング手法で
粗調整をした後、図３に示した装置を用いて個別の部分
の膜厚を調整しても良い。このように金属膜の状態で膜
厚を均一化することにより、ＩＤＴの膜厚による周波数
のバラツキを抑えることができる。したがって、この後
工程における周波数調整を微調程度にすることができる
【００３３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、圧電体
上に形成され前記圧電体より密度の大きい金属を用いた
弾性表面波装置にイオンを物理的に衝突させて前記ＩＤ
Ｔの膜厚を減少させているので、ＩＤＴの周波数に対す
る影響が大きいため、ＲＩＥのように圧電体をそれほど
削除することなく周波数を調整することが可能である。
上に形成され前記圧電体より密度の大きい金属を用いた
弾性表面波装置にイオンを物理的に衝突させて前記ＩＤ
Ｔの膜厚を減少させているので、ＩＤＴの周波数に対す
る影響が大きいため、ＲＩＥのように圧電体をそれほど
削除することなく周波数を調整することが可能である。
【００３４】また、イオンを物理的に衝突させてＩＤＴ
または金属膜の膜厚を減少させているので、局所的に高
いエネルギーを集中することができ、短時間で素子単位
あるいは部分的な周波数調整が可能となる。
または金属膜の膜厚を減少させているので、局所的に高
いエネルギーを集中することができ、短時間で素子単位
あるいは部分的な周波数調整が可能となる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る工程図であ
る。
る。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る各工程状態を
説明するための斜視図である。
説明するための斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るＩＤＴ部分の
エッチング状態を示す部分拡大断面図である。
エッチング状態を示す部分拡大断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る工程図であ
る。
る。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る工程図であ
る。
る。
【図６】従来のエッチング手法によるＩＤＴ部分のエッ
チング状態を示す部分拡大断面図であり、（ａ）はＩＤ
Ｔを選択的にエッチングした場合の断面図であり、
（ｂ）は圧電基板を選択的にエッチングした場合の断面
図である。
チング状態を示す部分拡大断面図であり、（ａ）はＩＤ
Ｔを選択的にエッチングした場合の断面図であり、
（ｂ）は圧電基板を選択的にエッチングした場合の断面
図である。
１０ ウエハ １０ａ、２０ａ 圧電基板 １１ 金属膜 １１ａ、２１ａ ＩＤＴ １１ｂ 反射器 １２ 表面波素子 １３ パッケージ １４ パッケージの電極 １５ ボンディングワイヤ １６ イオンスパッタ加工装置 １６ａ イオンガン １６ｂ 気体入口 １６ｃ グリッド １６ｄ ステージ １７ イオンビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 門田 道雄 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J097 AA13 AA28 AA31 DD01 FF03 HA02 HA07 HA09 HB02 HB03 KK09
Claims (5)
- 【請求項１】 圧電体と前記圧電体上に形成され前記圧
電体より密度の大きい金属からなるＩＤＴとを有する表
面波素子の製造方法において、 前記ＩＤＴおよび前記圧電体にイオンを物理的に衝突さ
せて前記ＩＤＴの膜厚及び前記圧電体を減少させること
を特徴とする表面波素子の製造方法。 - 【請求項２】 圧電体上に圧電体より密度の大きい金属
膜を形成する工程と、前記金属膜を選択的にエッチング
して複数のＩＤＴを形成する工程と、前記ＩＤＴが形成
された圧電体を切断して複数の表面波素子に分割する工
程と、前記表面波素子をパッケージングする工程とを備
える表面波装置の製造方法であって、 前記金属膜または前記ＩＤＴにイオンを物理的に衝突さ
せ前記金属膜または前記ＩＤＴの膜厚を減少させて周波
数を調整する工程を含むことを特徴とする表面波装置の
製造方法。 - 【請求項３】 前記複数のＩＤＴを形成する工程と前記
複数の表面波素子に分割する工程間に、前記周波数を調
整する工程を備えることを特徴とする請求項２記載の表
面波装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記複数の表面波素子に分割する工程と
前記表面波素子をパッケージングする工程間に、前記周
波数を調整する工程を備えることを特徴とする請求項
１、請求項２または請求項３記載の表面波装置の製造方
法。 - 【請求項５】 前記表面波素子をパッケージングする工
程後に、前記周波数を調整する工程を備えることを特徴
とする請求項１、請求項２、請求項３または請求項４記
載の表面波装置の製造方法。
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| SG200002052A SG97148A1 (en) | 1999-04-28 | 2000-04-11 | Method of manufacturing a surface acoustic wave element |
| KR1020000021875A KR100352392B1 (ko) | 1999-04-28 | 2000-04-25 | 표면 탄성파 소자의 제조 방법 |
| EP00401155A EP1049252A3 (en) | 1999-04-28 | 2000-04-27 | Method of manufacturing a surface acoutic wave element |
| CNB001081829A CN1158758C (zh) | 1999-04-28 | 2000-04-28 | 声表面波元件的制造方法 |
| US10/054,921 US6810566B2 (en) | 1999-04-28 | 2002-01-25 | Method of manufacturing a surface acoustic wave element |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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| SG (1) | SG97148A1 (ja) |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004030047A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-08 | Iljin Diamond Co., Ltd. | Method of producing lithium tantalate substrate for surface acoustic wave element |
| WO2004030046A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-08 | Iljin Diamond Co., Ltd. | Method of producing lithium tantalate substrate for surface acoustic wave element |
| JP2007074754A (ja) * | 2002-04-15 | 2007-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよびそれを用いた移動体通信機器並びにセンサー |
| US7474033B2 (en) | 2004-06-09 | 2009-01-06 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043880A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子の周波数調整方法 |
| US6773557B2 (en) * | 2001-01-31 | 2004-08-10 | Showa Shinku Co., Ltd. | System for frequency adjustment of piezoelectric resonators by dual-track ion etching |
| DE10206480B4 (de) | 2001-02-16 | 2005-02-10 | Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung e.V. | Akustisches Oberflächenwellenbauelement |
| US6997921B2 (en) * | 2001-09-07 | 2006-02-14 | Medtronic Minimed, Inc. | Infusion device and driving mechanism for same |
| DE10162580A1 (de) * | 2001-12-19 | 2003-07-17 | Infineon Technologies Ag | Piezoelektrischer Schwingkreis, Verfahren zu dessen Herstellung und Filteranordnung |
| JP3966280B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2007-08-29 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置 |
| US8132314B2 (en) * | 2008-10-29 | 2012-03-13 | Honeywell International Inc. | Method and system for packaging and mounting surface acoustic wave sensor elements to a flex plate |
| JP4863097B2 (ja) * | 2009-08-11 | 2012-01-25 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波素子の製造方法 |
| CN102412802A (zh) * | 2011-11-24 | 2012-04-11 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 基片级声表面波器件的频率修正方法 |
| CN103701424A (zh) * | 2013-12-24 | 2014-04-02 | 珠海东精大电子科技有限公司 | 49s石英晶体谐振器的制备方法 |
| CN106154186B (zh) * | 2016-06-20 | 2020-01-17 | 瑞声声学科技(常州)有限公司 | 声表面波磁传感器及其制备方法 |
| DE102019130514B4 (de) * | 2019-11-12 | 2021-09-23 | RF360 Europe GmbH | Trimmverfahren für einen SAW-Wafer, getrimmte Wafer und getrimmte SAW-Vorrichtungen |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4403165A (en) | 1982-05-07 | 1983-09-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Transducer isolation in surface acoustic wave processor |
| US4450374A (en) * | 1982-05-27 | 1984-05-22 | Motorola Inc. | Oxygen-plasma passivated and low scatter acoustic wave devices |
| JPS5958907A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-04 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPS6120410A (ja) * | 1984-07-07 | 1986-01-29 | Nec Kansai Ltd | 弾性表面波装置の製造方法 |
| US4756794A (en) * | 1987-08-31 | 1988-07-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Atomic layer etching |
| JPH01231412A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波ディバイスの周波数特性調整方法 |
| JPH01238213A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波ディバイス用周波数特性調整装置 |
| JPH02189011A (ja) | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| JP3140767B2 (ja) * | 1990-10-23 | 2001-03-05 | キンセキ株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JPH04199906A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 | Kokusai Electric Co Ltd | 弾性表面波共振子 |
| JP2589634B2 (ja) | 1992-10-05 | 1997-03-12 | 松下電器産業株式会社 | 電子音響集積回路とその製造方法 |
| EP0534354A1 (en) * | 1991-09-25 | 1993-03-31 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof |
| JP3109060B2 (ja) * | 1991-09-26 | 2000-11-13 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子 |
| US5356870A (en) * | 1992-03-26 | 1994-10-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for processing superconducting thin films |
| JPH05299960A (ja) | 1992-04-21 | 1993-11-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JP3132898B2 (ja) | 1992-06-16 | 2001-02-05 | 富士通株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JP3252865B2 (ja) | 1992-09-11 | 2002-02-04 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子および表面弾性波素子の製造方法 |
| JP3205976B2 (ja) * | 1992-09-14 | 2001-09-04 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子 |
| JPH06120759A (ja) | 1992-10-05 | 1994-04-28 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JP3291046B2 (ja) | 1992-12-18 | 2002-06-10 | ティーディーケイ株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JPH06268463A (ja) | 1993-03-10 | 1994-09-22 | Canon Inc | 表面弾性波素子及びその製造法 |
| JPH0774573A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-17 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子の周波数調整方法 |
| EP0648015B1 (en) * | 1993-10-08 | 2000-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter |
| JP3379049B2 (ja) | 1993-10-27 | 2003-02-17 | 富士通株式会社 | 表面弾性波素子とその製造方法 |
| JPH07264000A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波フィルタ素子及びそれをパッケージングして成る弾性表面波フィルタ |
| JP3438360B2 (ja) * | 1994-11-14 | 2003-08-18 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波素子の電極形成方法 |
| US5815900A (en) * | 1995-03-06 | 1998-10-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a surface acoustic wave module |
| KR19990028493A (ko) * | 1995-06-30 | 1999-04-15 | 니시무로 타이죠 | 전자부품 및 그 제조방법 |
| WO1997011526A1 (fr) * | 1995-09-21 | 1997-03-27 | Tdk Corporation | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface et son procede de fabrication |
| US5651856A (en) * | 1996-01-22 | 1997-07-29 | Micron Technology, Inc. | Selective etch process |
| JPH09270654A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Kinseki Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JPH11163655A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-06-18 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JP3266109B2 (ja) * | 1998-08-05 | 2002-03-18 | 株式会社村田製作所 | 電子デバイスの作製方法 |
| JP3293564B2 (ja) * | 1998-08-20 | 2002-06-17 | 株式会社村田製作所 | 電子デバイスの作製方法 |
| US6426583B1 (en) * | 1999-06-14 | 2002-07-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave element, method for producing the same and surface acoustic wave device using the same |
-
1999
- 1999-04-28 JP JP12250799A patent/JP3712035B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| JP2007074754A (ja) * | 2002-04-15 | 2007-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよびそれを用いた移動体通信機器並びにセンサー |
| JP4552931B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2010-09-29 | パナソニック株式会社 | 弾性波デバイスおよびそれを用いた移動体通信機器並びにセンサー |
| WO2004030047A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-08 | Iljin Diamond Co., Ltd. | Method of producing lithium tantalate substrate for surface acoustic wave element |
| WO2004030046A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-08 | Iljin Diamond Co., Ltd. | Method of producing lithium tantalate substrate for surface acoustic wave element |
| US7474033B2 (en) | 2004-06-09 | 2009-01-06 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
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