KR20000077080A - 표면 탄성파 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 압전체보다 높은 밀도를 갖는 금속으로 이루어진 인터디지털 트랜스듀서(interdigital transducer)를 갖는 압전체를 형성하는 단계; 및 상기 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 압전체의 두께를 줄이기 위하여, 상기 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 압전체를 동시에 이온 충돌하는 단계;를 포함하는 표면 탄성파 소자의 제조 방법을 제공한다.
Description
본 발명은, 표면 탄성파 소자 및 표면 탄성파 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은, 표면 탄성파 소자의 제조 방법 및 주파수 조정에 관한 것이다.
인터디지털 트랜스듀서(IDT) 또는 압전 기판의 두께를 줄인 표면 탄성파 장치에 대한 종래의 주파수 조정 또는 트리밍(trimming) 방법은 일본 특개평 2-189011에 개시되어 있다.
종래의 방법에 있어서, 도 6A에 도시된 바와 같이, IDT 21a는 부분적으로 에칭되어 IDT 21a의 두께를 줄이므로, IDT의 주파수가 증가한다. 택일적으로, 도 6B에 도시된 바와 같이, 노출된 압전 기판 20a의 상부 면은 부분적으로 에칭되어 압전 기판 20a의 두께를 부분적으로 줄이므로, 주파수를 감소시킨다.
그러나, IDT 21a가 표면 탄성파 장치에 가장 통상적으로 사용되는 재료인 Al로 이루어지는 경우, IDT 두께의 감소에 의해, 주파수가 매우 작게 증가한다. 따라서, IDT의 두께를 줄임으로써 주파수를 조정하는 것은 실용적이고 상용적으로 유용한 방법이 아니다.
일반적으로, 에칭 가공을 수행하는 방법으로서, 습식(wet) 에칭 방법이 사용되어 왔다. 그러나, 이러한 방법을 통하여 가능한 미세 가공은 단지 1㎛ 정도이기 때문에, 이러한 방법이 보다 작은 선 폭을 갖는 IDT의 가공에 사용될 수 없다는 문제가 있다. 또한, 에칭 방법으로 얻어지는 정확도가 상대적으로 낮기 때문에, IDT만이 에칭되도록 요구되더라도, 에칭 공정 동안, 상기 압전 기판의 표면도 부분적으로 에칭되기 쉽다. 그 결과, 탄성 표면파 장치의 주파수 특성을 바라는 만큼 자유롭게 조정할 수 없다.
또한, 높은 가공 정밀도를 제공할 수 있는 방법은 RIE(Reactive Ion Etch-ing) 방법이다. 그러나, 상기 RIE 방법은, 웨이퍼 전체가 RIE 장치의 챔버 내에서 에칭되는 것을 필요로 한다. 따라서, 웨이퍼 내의 전극 막이 균일한 두께를 갖지 않는 경우, 부분 에칭 가공을 달성할 수 없다. 따라서, 가능한 많은 우수한 제품을 얻기 위하여, 균일한 두께가 요구된다.
또한, 웨이퍼가 복수의 칩 단위의 표면 탄성파 소자로 분리되는 경우, 이러한 칩 단위는 RIE 방법에서 독립적으로 조정된다. 그러나, 이러한 종류의 조정은 매우 효율적이지 못하여 높은 제작비용을 초래한다.
또한, IDT 또는 압전 기판의 선택적 에칭은 IDT 및 압전 기판의 화학적 성질에 의존한다. 그 결과, 상기 IDT 또는 상기 압전 기판을 선택적으로 에칭할 수 있는 적합한 부식액(etchant) 또는 에칭 가스가 존재하지 않는다.
또한, RIE 방법에 의하여, Al로 이루어진 IDT가 수정으로 이루어진 압전 기판에 형성되는 경우, CF4가 반응 가스로서 사용되어 주파수를 조정한다. 이 때에, 수정 및 Al에 CF4를 사용한 에칭 가공은, Al에서 보다 수정에서 더 많이 에칭되는 결과를 초래한다. 그 결과, 주파수는, 도 6B에 도시된 압전 기판의 상부 면이 선택적으로 에칭되는 것과 실질적으로 동일한 조건을 얻음으로써 조정되어야 할 것이다. 그러나, 이러한 방법이 주파수를 조정하는데 사용되는 경우, 큰 주파수 변화를 얻기 위하여, 많은 양의 압전 기판을 에칭할 필요가 있다. 그러나, 상기 압전 기판이 너무 많이 에칭되는 경우, 상기 압전 기판의 특성은 상기 에칭 가공에 의해 열화될 것이다. 그 결과, 조정은 특성 열화가 없는 범위에서만 수행될 수 있다. 따라서, 주파수 조정 범위가 매우 좁다는 문제가 발생한다.
위에서 설명한 문제점들을 극복하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예는, 표면 탄성파 장치의 주파수가 넓은 범위에 걸쳐 조정될 수 있는 표면 탄상파 장치의 제조 방법을 제공한다. 또한, 바람직한 실시예는, 상기 표면 탄성파 장치가 각각의 개별 장치에 대하여 조정될 수 있고, 주파수를 측정하면서 조정하거나, 또는 반대로 상기 주파수 측정을 주파수 조정과 바꾸어 행할 수 있는 방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 제 1실시예에 따른 제조 공정을 설명하는 블록도이다.
도 2A 내지 도 2E는 본 발명의 제 1실시예에 따른 제조 공정에 관련되는 단계를 설명하는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제 1실시예에서, IDT(interdigital transducer)의 에칭 상태를 도시하는 부분 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 2실시예에 따른 제조 공정을 설명하는 블록도이다.
도 5는 본 발명의 제 3실시예에 따른 제조 공정을 설명하는 블록도이다.
도 6A는 종래의 에칭 방법에서, IDT의 에칭 상태를 도시하는 부분 확대 단면도로서, IDT가 부분적으로 에칭되는 것을 도시한다.
도 6B는 종래의 에칭 방법에서, IDT의 에칭 상태를 도시하는 부분 확대 단면도로서, 압전 기판이 부분적으로 에칭되는 것을 도시한다.
〈도면의 주요 부호에 대한 설명〉
10 ... 웨이퍼(wafer) 10a,20a ... 압전 기판
11 ... 금속 막 11a,21a ... IDT
11b ... 반사기 12 ... 표면 탄성파 소자
13 ... 패키지 14 ... 패키지의 전극
15 ... 본딩 와이어 16 ... 이온 스퍼터 가공 장치
16a ... 이온 건(gun) 16b ... 기체 입구
16c ... 드리드 16d ... 스테이지(stage)
17 ... 이온 빔
본 발명의 바람직한 실시예는, 인터디지털 트랜스듀서를 갖는 압전 기판을 형성하는 단계로서, 상기 인터디지털 트랜스듀서는 상기 압전 기판보다 높은 밀도를 갖고; 및 상기 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 압전체를 동시에 이온 충돌하는 단계(ion bombarding);를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에서, 표면 탄성파 장치의 제조 방법은, 압전체에 상기 압전체보다 높은 밀도를 갖는 금속 막을 형성하는 단계; 상기 압전체 위에 복수의 인터디지털 트랜스듀서를 형성하는 단계; 상기 압전체를 복수의 표면 탄성파 소자로 절단하는 단계로서, 상기 각 표면 탄성파 소자는 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서를 갖고; 상기 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 압전체를 동시에 에칭하는 단계; 및 적어도 하나의 상기 표면 탄성파 소자를 패키징하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 다른 바람직한 실시에서, 표면 탄성파 장치의 제조 방법은, 웨이퍼를 형성하는 단계; 상기 웨이퍼 위에 복수의 인터디지털 트랜스듀서를 형성하는 단계; 복수의 표면 탄성파 소자를 형성하는 단계로서, 상기 각 표면 탄성파 소자는 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서를 갖고; 적어도 하나의 상기 표면 탄성파 소자를 패키징하는 단계; 및 상기 패키징된 표면 탄성파 소자의 주파수를 조정하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 압전체의 표면이 IDT가 충돌되는 것과 동일한 방법으로 이온에 의하여 유사하게 충돌되기 때문에, 압전체의 표면도 바람직하게 에칭된다. 그러나, IDT가 상기 압전체보다 큰 밀도를 갖는 금속으로 이루어지기 때문에, 상기 압전체의 에칭으로 인한 주파수 변동은, IDT의 에칭으로 인한 주파수 변동만큼 크지 않다. 따라서, 순수 주파수 변동은 바람직하게 높게 된다.
또한, 상기 웨이퍼 위에 상기 이온의 부분적 충돌을 이룰 수 있어 부분 조정만이 수행될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼에 형성된 복수의 표면 탄성파 소자 중 임의의 것을 선택할 수 있음으로, 단지 선택된 소자만의 조정될 수 있거나, 또는 선 표면 탄성파 소자의 소정의 IDT를 단지 선택하여 동일하게 조정할 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 방법에 의하면, 상기 표면 탄성파 장치는, 압전체 보다 높은 밀도를 갖는 금속을 형성함으로써 제조되고, 이온이 상기 표면 탄성파 소자를 물리적으로 충돌시켜 IDT 막의 두께를 줄이며, 상기 IDT가 주파수에서 매우 중요한 효과를 갖기 때문에, RIE 방법에서와 같이 상기 압전 재료의 많은 량을 긁어내지 않아도, 주파수를 조정할 수 있다.
또한, 이온이 상기 표면 탄성파 장치를 물리적으로 충돌하여 IDT의 두께 또는 금속 막이 크게 줄기 때문에, 국소적으로 높은 에너지를 집중할 수 있고, 따라서, 개별 소자에서 주파수 조정을 이룰 수 있게 하거나, 또는, 짧아진 시간 주기에 주파수의 부분 조정을 이룰 수 있게 한다.
본 발명의 다른 특징, 구성 요소 및 이점을, 첨부된 도면 및 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 이하 상세하게 설명하고자 한다.
본 발명은, 단지 설명의 방법으로 주어진 첨부된 도면을 참조하여 이하의 바람직한 실시예의 상세한 설명으로부터 보다 완전히 이해될 수 있고, 따라서, 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
본 발명의 바람직한 실시예의 고유한 특징 중 하나는, 압전 기판 위에 상기 압전 기판 보다 높은 밀도를 갖는 IDT를 형성하는 단계, 및 상기 IDT 및 상기 압전 기판을 동시에 이온 충돌하여 에칭하는 단계를 포함한다. 이온 충돌을 통한 에칭은 주로 물리적 공정이다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시예의 방법은 기판 및 IDT의 많은 다른 결합에 적용될 수 있다. 또한, 상기 IDT가 상기 압전 기판 보다 큰 밀도를 갖기 때문에, 상기 IDT의 에칭은 주로 표면 탄성파 장치의 주파수 조정을 초래함으로, 상기 표면 탄성파 장치의 주파수는 조정되거나 트리밍될 수 있다. 대부분의 경우에, 주파수는 조정되어 증가된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 표면 탄성파 장치의 제조 공정을 설명하는 블록도이다. 도 2A-2E는 도 1의 공정에 관련된 다양한 단계를 도시하는 사시도이다. 이하 설명에서, 상기 제조 공정에 관련된 단계를, 제작 순서에 따라 바람직하고 연속적으로 설명하고자 한다.
제 1단계에서, 바람직하게는 수정으로 이루어진 웨이퍼 10이 도 2A에 도시된 바와 같이 형성된다. 다음, 도 2B에 도시된 바와 같이, 바람직하게는 그 주성분으로 Ta를 갖는 금속 막 11이, 기상 증착(vapor deposition) 또는 스퍼터링 가공 또는 다른 적당한 공정에 의하여, 웨이퍼 10의 상부 면에 형성된다. 다음, 금속 막 11의 일부가 에칭에 의하여 제거되어, 전극 패턴을 에칭하므로, 도 2C에 도시된 바와 같이 복수의 IDT 11a 및 복수의 반사기 11b를 형성한다. 다음 단계에서, 도 2D에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 10은, IDT 11a 및 반사기 11b가 위치하지 않는 부분에서 절단되고, 그 다음, IDT 11a 및 반사기 11b의 결합은 하나의 표면 탄성파 소자를 형성한다. 다음 표면 탄성파 소자의 IDT 11a 및 반사기 11b, 또는 압전 기판 10a는, 소정의 특성이 얻어질 때까지 표면 탄성파 소자의 주파수 특성을 조정하기 위하여 에칭된다. 다음, 도 2E에 도시된 바와 같이, 표면 탄성파 소자 12가 패키지 13에 삽입되어, 패키지 13의 전극 14를 본딩 와이어 15를 통하여 IDT 11a에 전기적으로 접속한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예의 표면 탄성파 소자의 주파수를 조정하는 공정을 설명하는 개략도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 이온 스퍼터링 장치 16은 이온 건(gun) 16a, Ar과 같은 가스를 유입하여 스퍼터링 효과를 생성하는 가스 입구 16b, 그리드(grid) 16c, 표면 탄성파 소자 13을 지지하는 스테이지 16d를 갖는다. 또한, 이온 빔 17이 표면 탄성파 소자 13의 표면에 충돌함으로, 바람직하게는 Ta로 이루어진 IDT 11a의 표면 및 바람직하게는 수정으로 이루어진 압전 기판 10a의 표면을 에칭할 수 있다.
이러한 경우, Ta의 에칭율 또는 수정의 에칭율에 변동이 없기 때문에, Ta 및 수정은 동일한 양으로 에칭된다. 그러나, 주파수를 높은 주파수대로 이동시키기 위한 Ta의 소정의 에칭량은, 주파수를 낮은 주파수대로 이동시키기 위한 수정의 소정의 에칭량보다 훨씬 적다. 따라서, 이러한 에칭 공정에 의하여, 표면 탄성파 소자 13의 주파수는 조정되어 높게 된다.
본 발명의 방법은, 반사기를 갖는 종 결합(longitudinally coupled)탄성 표면파 필터에 적용되는 것에 제한되지 않는다. 요컨대, 본 발명은 표면 탄성파 공진기, 횡 결합 필터, 사다리형 필터, 및 반사기를 갖지 않은 단면 반사형 표면 탄성파 장치와 같은 다른 종류의 표면 탄성파 장치에 적용될 수도 있다.
또한, 본 바람직한 실시예가 Ta로 이루어진 IDT를 참조하여 설명하였지만, 본 발명은 Ta로 이루어진 IDT에 제한되지 않는다. 요컨대, 상기 IDT는, W,Au,Ag, Pt,Mo,Ni,Fe,Cu,Co,Cr,Zn,Mn 또는 합금, 또는 압전 기판 보다 큰 밀도를 갖는 다른 적당한 재료로 이루어질 있다.
또한, 바람직한 본 실시예에서, 수정이 압전 기판용 재료로서 사용되었지만, 본 발명은 수정으로 이루어진 압전 기판에 제한되지 않는다. 상기 압전 기판은, 탄탈산 리듐, 니오브산(niobate) 리듐, 산화 아연, 사붕산(tetraborate) 리듐, 랑가사이트(langasite) 또는 다른 적당한 재료로 이루어질 수도 있다.
또한, 바람직한 본 실시예에서, Ar이 이온 충돌용 에칭 가스 또는 가스로서 사용되었지만, 본 발명은 이온 충돌용 Ar 가스의 사용에 제한되지 않는다. 이온 충돌에 사용되는 가스는, CF4,C2F6과 같은 불화 탄소(carbon fluoride) 가스, 또는 CCl4, CF3Cl과 같은 염화 가스, 또는 N2가스 또는 N2와의 혼합 가스, 또는 다른 유사한 가스일 수도 있다. 또한, 다른 가스를 사용할 수 있다. 예를 들면, Ar 가스를 먼저 사용한 다음 N2가스를 사용할 수 있다. 택일적으로, 상기 에칭 공정은 N2가스를 사용한 플라즈마 가공에 의해 수행될 수 있다.
또한, 바람직한 본 실시예에서, 상기 에칭 공정 동안, 이온 건이 사용되지만, 본 발명은 이온 건의 사용에 제한되지 않는다. 통상의 스퍼터링 장치가 역 스퍼터링 가공을 수행하는데 사용될 수도 있음으로, 동일한 효과를 얻는다.
도 4는 본 발명의 바람직한 제 2실시예에 따른 표면 탄성파 장치의 제조 공정을 설명하는 블록도이다.
바람직한 제 2실시예는, 주파수 조정의 공정이 IDT의 형성 다음 및 패키징 공정 다음에 수행하는 바람직하게 다-단계 공정이라는 점에서, 상기 바림직한 제 1실시예와 다르다. IDT의 형성 다음의 주파수 조정 공정은, 웨이퍼 형성 동안, 도 3에 도시된 장치를 사용하여, 각 소자를 독립적으로 조정함으로써 수행된다. 한편, 주파수 조정은 종래의 에칭 가공을 사용하여 근사적으로 수행될 수 있다.
패키징 공정 다음으로 주파수를 조정하는데 있어서, 표면 탄성파 소자가 패키지로 삽입되고, 와이어 본딩 또는 페이스-다운(face-down) 본딩을 통하여 전기적으로 접속됨으로, 상기 패키지 내에의 표면 탄성파 장치가 소정의 주파수로부터 벗어남을 보정한다. 이 때에, 상기 공정은 IDT 형성 다음에 수행된 주파수 조정 공정과는 다른 공정이고, 종래의 방법을 사용할 수 없기 때문에, 도 3의 장치가 바람직하게 사용되어 상기 탄성 표면파 장치를 개별적으로 조정한다.
도 5는 본 발명의 바람직한 제 3실시에 따른 표면 탄성파 장치의 제조 공정을 설명하는 블록도이다. 바람직한 제 3실시예는, 막 두께 조정 공정이 금속 막의 형성 다음에 수행된다는 점에서, 바람직한 제 1실시예와는 다르다.
금속 막이 형성된 다음의 두께 조정의 공정은 종래의 에칭 방법을 사용하여 수행할 수 있다. 택일적으로, 근사적 조정은 종래의 에칭 방법을 사용하여 먼저 수행될 수 있고, 그 다음, 도 3의 장치의 사용에 의하여 개별적으로 조정될 수 있다. 본 방법에서, 상기 금속 막의 두께가 금속 막의 상태에서 균일하게 형성되기 때문에, IDT의 두께 변화에 기인한 주파수 분산을 억제할 수 있다. 따라서, 상기 압전 소자의 주파수 미세 조정은, 상기 금속 막의 막 두께를 조정한 다음 수행될 수 있다.
본 발명은 실시예를 참조하여 상세히 도시하고 설명하였지만, 당해 기술 분야의 전분가는 상술한 형태 및 세부 항목 및 다른 변경이 본 발명의 정신에 벗어나지 않는 범위에서 실시될 수 있음을 이해할 것이다.
이상과 같이, 본 발명에 따르면, 압전체 위에 형성된 상기 압전체 보다 밀도가 큰 금속을 이용한 표면 탄성파 장치에 이온을 물리적으로 충돌시켜 IDT의 막 두께를 감소시키므로, IDT의 주파수에 대한 영향이 크기 때문에, RIE와 같이 압전체를 일부 삭제하지 않고도, 주파수를 조정할 수 있다.
또한, 이온을 물리적으로 충돌시켜 IDT 또는 금속 막의 막 두께를 감소시키므로, 국소적으로 높은 에너지를 집중할 수 있고, 단시간에 소자 단위 또는 부분적인 주파수 조정이 가능하게 된다.
Claims (20)
- 인터디지털 트랜스듀서(interdigital transducer; IDT)를 갖는 압전체를 형성하는 단계로서, 상기 인터디지털 트랜스듀서는 상기 압전체보다 높은 밀도를 갖고; 및상기 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 압전체를 동시에 이온 충돌하는 단계 (ion bombarding);를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 이온 충돌하는 단계는 상기 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 압전체의 두께를 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 복수의 인터디지털 트랜스듀서 및 복수의 반사기는, 상기 이온 충돌하는 단계 동안 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자의 제조 방법.
- 제 3항에 있어서, 복수의 표면 탄성파 소자를 형성하기 위하여, 상기 복수의 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 반사기가 위치하지 않는 부분에서 상기 압전체를 절단하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 압전체를 이온 충돌하는 단계는, Ar 가스, 불화 탄소(carbon fluoride) 가스, 염화 가스 및 N2가스 중 적어도 하나를 상기 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 압전체에 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자의 제조 방법.
- 압전체를 형성하는 단계;상기 압전체에 상기 압전체보다 높은 밀도를 갖는 금속 막을 형성하는 단계;상기 압전체 위에 복수의 인터디지털 트랜스듀서를 형성하는 단계;상기 압전체를 복수의 표면 탄성파 소자로 절단하는 단계로서, 상기 각 표면 탄성파 소자는 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서를 갖고;상기 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 압전체를 동시에 에칭하는 단계; 및적어도 하나의 상기 표면 탄성파 소자를 패키징하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치의 제조 방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 압전체의 두께를 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치의 제조 방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 에칭하는 단계는, 상기 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 압전체를 이온 충돌하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치의 제조 방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 패키징 단계 다음에, 상기 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 절단된 압전체를 이온 충돌하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치의 제조 방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 금속 막의 두께를 조정하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치의 제조 방법.
- 제 10항에 있어서, 상기 두께를 조정하는 단계는, 습식 부식액(wet etchant)을 사용하여 상기 금속 막을 에칭함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치의 제조 방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 에칭 단계는, Ar 가스, 불화 탄소 가스, 염화 가스 및 N2가스 중 적어도 하나를 상기 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 압전체에 인가하여, 상기 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 압전체를 이온 충돌하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치의 제조 방법.
- 웨이퍼(wafer)를 형성하는 단계;상기 웨이퍼 위에 복수의 인터디지털 트랜스듀서를 형성하는 단계;복수의 표면 탄성파 소자를 형성하는 단계로서, 상기 각 표면 탄성파 소자는 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서를 갖고;적어도 하나의 상기 표면 탄성파 소자를 패키징하는 단계; 및상기 패키징된 표면 탄성파 소자의 주파수를 조정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치의 제조 방법.
- 제 13항에 있어서, 상기 주파수를 조정하는 단계는, 상기 표면 탄성파 소자를 이온 충돌하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치의 제조 방법.
- 제 13항에 있어서, 상기 패키징 단계에 앞서, 적어도 하나의 상기 표면 탄성파 소자의 주파수를 조정하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치의 제조 방법.
- 제 13항에 있어서, 상기 주파수를 조정하는 단계는, Ar 가스, 불화 탄소 가스, 염화 가스 및 N2가스 중 적어도 하나를 상기 표면 탄성파 소자에 인가하여 이온 충돌하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치의 제조 방법.
- 제 13항에 있어서, 상기 주파수를 조정하는 단계는 상기 인터디지털 트랜스듀서 및 상기 웨이퍼를 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치의 제조 방법.
- 제 13항에 있어서, 상기 웨이퍼 위에 금속 막을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치의 제조 방법.
- 제 18항에 있어서, 상기 금속 막을 습식 에칭하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치의 제조 방법.
- 제 13항에 있어서, 상기 복수의 표면 탄성파 소자를 형성하기 위하여, 상기 복수의 인터지디털 트랜스듀서가 위치하지 않는 부분에서 상기 웨이퍼를 절단하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치의 제조 방법.
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