JP2000235062A5 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Claims (9)

1. 以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
   （ａ）ソケット内に設けられたフレキシブル配線フィルムの第１の主面上に設けられた複数の電極パッドのそれぞれに、半導体装置の第２の主面に設けられた複数の半田バンプのそれぞれを押し付ける工程；
   （ｂ）前記複数の半田バンプが、前記複数の電極パッドに押し付けられた状態で、前記半導体装置に対して、バーンインテストを実行する工程；
   （ｃ）前記バーンインテスト終了後、前記複数の半田バンプを前記複数の電極パッドから離脱させる工程、
   ここで、前記ソケットは、以下の構成を含む：
   （ｉ）ソケット基板；
   （ｉｉ）前記ソケット基板の第１の主面上に設けられたゴム状弾性シート；
   （ｉｉｉ）前記ゴム状弾性シートの第１の主面上に設けられた前記フレキシブル配線フィルム；
   （ｉｖ）前記フレキシブル配線フィルムの前記第１の主面上に設けられた前記複数の電極パッド；
   （ｖ）前記複数の電極パッドの間の位置の前記フレキシブル配線フィルムに設けられた複数のスリット。
2. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記バーンインテストは摂氏１００度以上の温度下で行われる。
3. 請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記複数の電極パッドの各パッド部の各々には、複数の突起が設けられており、前記複数の突起で前記複数の半田バンプと接触する。
4. 請求項３記載の半導体装置の製造方法において、前記複数の半田バンプは鉛フリー半田で作られている。
5. 請求項４記載の半導体装置の製造方法において、前記鉛フリー半田はＳｎ−Ａｇ合金ベースの材料から作られている。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置は素子形成面に前記半田バンプを形成した半導体チップである。
7. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置は面実装型である。
8. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置はＣＳＰ型である。
9. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置はＢＧＡ型である。