JP2000138400A - 積層電子部品およびその製造方法および2次元アレイ状の素子実装構造およびその製造方法 - Google Patents
積層電子部品およびその製造方法および2次元アレイ状の素子実装構造およびその製造方法Info
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Abstract
用いることが可能で、かつ、素子単位で不良素子の交換
および接続不良の修正が可能な、2次元アレイ状の探触
子(素子実装構造)を提供することにあり、また、この
ような素子実装構造の実現のために好適な積層電子部品
を提供すること。 【解決手段】 積層電子部品を、表面電極と内部電極と
裏面電極とを有する積層型のチップ状素子と、このチッ
プ状素子の1つの側面に貼着されるフレキシブル基板と
によって構成し、チップ状素子の積層方向の1つおきの
電極同士を、フレキシブル基板の電極パターンによって
互いに電気的に接続して2つの電極群を形成し、この2
つの電極群と電気的に接続された2つの外部接続用電極
部として、フレキシブル基板の電極パターンの端部を用
いるようにされる。
Description
びその製造方法および2次元アレイ状の素子実装構造お
よびその製造方法に係り、特に例えば、超音波探触装置
の高性能化に好適である、2次元アレイ状に配置される
多数の圧電セラミック振動素子(積層電子部品)をもつ
探触子のための技術に関する。
超音波送受装置が、各種用途に利用されるようになって
きている。なかでも、医療機器においては、X線と比較
し人体に不都合を与えずに体内部を観察できる超音波診
断法が広く普及している。この超音波診断法に用いられ
る超音波診断装置には、多数の圧電セラミック振動素子
をもつ探触子が超音波送受波器として用いられており、
この圧電セラミック振動素子からなる探触子としては、
体内部を断層的に画像形成して診断するために、超小型
の圧電セラミック振動素子を多数配置してなる走査型探
触子が用いられている。
ミック振動素子を1次元に配設した探触子においては、
素子が並ぶ方向で使用する素子数を選択することによっ
て、焦点位置を探触子の近傍から遠くまで任意に設定で
きるが、これと直交する方向では焦点位置が固定となる
ため、焦点深度に相当する範囲以外では、クリアな断層
像を得ることができない。
電セラミック振動素子を、1方向だけではなくこれと直
交する方向にも配列した、2次元アレイ状の探触子構造
が開発され、かような探触子構造は、例えば、199
6,IEEE ULTRASONICS SYMPOS
IUM pp1523−1526に掲載されている。こ
のような2次元探触子構造では、限られた面積内に、い
かに圧電セラミック振動素子を小型化して、高密度に配
列するかが、高性能化のキーポイントである。さらに、
高密度に配列することと同時に、2次元アレイ状に配列
された個々の圧電セラミック振動素子について、素子自
身の不良が無くかつ電気的接続の不良がない、すなわ
ち、探触子を構成する個々の圧電セラミック振動素子の
不良がないことが重要である。
モジュールを単位として、2次元アレイ探触子を構成す
る手法が、1996 IEEE ULTRASONIC
SSYMPOSIUM pp1573−1576に掲載
されている。この公知文献には、0.22mm×0.2
2mmの素子を64×64(4096)個配置してなる
探触子構造を、2列×64個の素子を1モジュールとし
て、組み合わせて構築する手法が開示されている。
た公知文献による従来のモジュール構造は、各々の圧電
セラミック振動素子を駆動するために、フレキシブル配
線基板と共通電極を素子面に接続する構成となってお
り、素子自身が独立した構造ではなくお互いに接着され
た構造となっている。したがって、モジュールを組み上
げた段階で、モジュールを構成している素子のなかに不
良素子及び接続不良があっても、素子単位での交換ある
いは接続不良の修正を容易に行うことが出来ず、モジュ
ール単位の歩留まりが悪いという問題があった。
電セラミック振動素子が単板(単層)の構成であること
が前提であり、探触子の性能向上に必要な積層型の圧電
セラミック振動素子への適用については、考慮されては
いなかった。
動素子は、図15に示すように、素子の対向する2つの
側面に形成した側面電極61によって、表面電極12、
セラミックス11内の内部電極13’、裏面電極15の
各電極が、積層方向の1つおき同士で互いに電気的に接
続されるよう構成されるか、あるいは図16に示すよう
に、スルーホール内に充填した導電材62によって、表
面電極12、内部電極13’、裏面電極15の各電極
が、積層方向の1つおき同士で互いに電気的に接続され
るよう構成されていた。このため、製造プロセスが比較
的に複雑なものとなると共に、素子の小型化にも自ずと
限界を生じ、かつ、素子の2つの電極群を外部と接続す
るために、素子の2面を外部接続用の接続面とせざるを
得ないため、素子交換および接続修正が困難なものとな
っており、前記した探触子への適用には不向きなものと
なっていた。
その目的するところは、圧電セラミック振動素子として
積層型素子を用いることが可能で、かつ、素子単位で不
良素子の交換および接続不良の修正が可能な、2次元ア
レイ状の探触子(素子実装構造)を提供することにあ
り、また、このような素子実装構造の実現のために好適
な圧電セラミック振動素子(積層電子部品)を提供する
ことにある。
ために、本発明においては、例えば、積層電子部品を、
表面電極と内部電極と裏面電極とを有する積層型のチッ
プ状素子と、このチップ状素子の1つの側面に貼着され
るフレキシブル基板とによって構成し、チップ状素子の
積層方向の1つおきの電極同士を、フレキシブル基板の
電極パターンによって互いに電気的に接続して2つの電
極群を形成し、この2つの電極群と電気的に接続された
2つの外部接続用電極部として、例えば、フレキシブル
基板の電極パターンの端部を用いるようにされる。そし
て、上記の積層電子部品を、縦横に複数個配列して一体
化してなる2次元アレイ状のモジュールを形成し、この
モジュールを必要な数だけ組み合わせて、超音波探触装
置用の探触子を構築するようにされる。
して積層型のもの(上記の積層電子部品)を用いると、
小型で高性能の探触子を得ることができる。また、個々
の積層電子部品(圧電セラミック振動素子)に、それぞ
れ独立して2つの外部接続用電極部を設ける構成として
いるので、個々の積層電子部品(圧電セラミック振動素
子)に対して、チップ状素子不良、および、外部との接
続不良の検査が可能となり、不良積層電子部品の交換及
び接続不良の修正が、圧電セラミック振動素子単位(積
層電子部品単位)で容易に行えるようになる。その結
果、モジュール不良はなくなり、高歩留まりでモジュー
ルを製造することが可能となる。さらに、チップ状素子
の1つの側面で、フレキシブル基板の電極パターンによ
って、チップ状素子の2つの電極群形成のための接続
と、外部接続用電極部の形成とを行うようにしているの
で、製造プロセスが容易となり、かつ、積層電子部品
(圧電セラミック振動素子)の極小化も達成できる。
面を用いて説明する。図1は、本発明の第1実施形態に
係る積層電子部品(圧電セラミック振動素子)を示す図
である。同図において、1は積層型のチップ状素子、1
1はセラミックス、12は表面電極、13は第1の内部
電極、14は第2の内部電極、15は裏面電極、16は
絶縁パターン、17は導体パターン、18は保護絶縁膜
である。
層タイプのチップ状素子1は、図1の(a)に示すよう
に、内部電極13、14を挾んで多層にセラミックス1
1を積層し、表裏面に表面電極12と裏面電極15を形
成した構成をとり、かつ、各電極の平面形状は、総べて
セラミックス11の平面形状と等しく形成されたものと
なっている。したがって、チップ状素子1の4つの側面
において、表面電極12、第1の内部電極13、第2の
内部電極14、裏面電極15のそれぞれ端面が、面一で
露呈するようになっている。
おいて、本実施形態では、チップ状素子1の1つの側面
において、図1の(b)に示すように、第1の内部電極
13および第2の内部電極14がそれぞれ一部だけ露出
するように、絶縁パターン16を形成した後、図1の
(c)に示すように、各電極12〜15の積層方向の1
つおき同士を導体パターン17によって電気的に接続す
るようにしてある(ここでは、表面電極12と第2の内
部電極14を接続し、第1の内部電極13と裏面電極1
5を接続してある)。そして、図1の(d)に示すよう
に、各電極を所定の関係に接続したチップ状素子1の側
面を、保護絶縁膜18によって覆って、積層電子部品と
して完成するようにしてある。なお本実施形態では、表
面電極12および裏面電極15が、外部接続用の電極と
して機能するようになっている。
子部品は、チップ状素子1の電極12〜15の積層方向
の1つおき同士が、チップ状素子1の1つの側面でそれ
ぞれ接続されるので、各電極12〜15の平面形状を総
べて同一のものとすることができ、図15や図16に示
した従来構造に比して、内部電極の形成および積層位置
合わせが容易となり(製造プロセスが容易となり)、か
つ、可及的な小型化が達成可能となる。
電子部品を示す図であり、同図において、先の実施形態
と均等なものには同一符号を付し、その説明は必要のあ
る際を除いて割愛する(これは、以下の各実施形態にお
いても同様である)。図2において、19はAgペース
ト、20はフレキシブル基板、21、22はフレキシブ
ル基板上に形成した対をなす電極パターンである。
く、先と同様の構成のチップ状素子1の1つの側面にお
いて、図2の(b)に示すように、各電極12〜15に
おけるフレキシブル基板20との接続部位を除いて、絶
縁パターン16を形成する。そして、図2の(c)に示
すように、フレキシブル基板20の電極パターン21、
22と、これに対応する各電極12〜15の露呈部位と
を、Agペースト19によって電気的に接続して、これ
によって、各電極12〜15の積層方向の1つおき同士
を電気的に接続するようにしてある(ここでは、表面電
極12と第2の内部電極14をフレキシブル基板20の
電極パターン21によって接続し、第1の内部電極13
と裏面電極15をフレキシブル基板20の電極パターン
22によって接続してある)。なお、図2の(c)は、
図2の(b)に対して側面図の関係となっており、図2
の(d)は、フレキシブル基板20のパターン形成面を
示している。
子1とフレキシブル基板20とによって積層電子部品を
構成してあり、表面電極12および裏面電極15が、外
部接続用の電極として機能するようになっている。な
お、チップ状素子1とフレキシブル基板20とを接続す
る上記のAgペースト19は、チップ状素子1側に形成
してもよいし、フレキシブル基板20側に形成してもよ
い。
も、前記第1実施形態と同等の効果を奏する上、チップ
状素子1の電極12〜15の積層方向の1つおき同士の
接続をフレキシブル基板20で行うので、この点でも製
造工程が容易になる。
電子部品を示す図であり、同図において、23はフレキ
シブル基板20に形成した絶縁パターンである。
は、第2実施形態においては、チップ状素子1側に、選
択的接続を可能とするための絶縁パターン16を形成し
ていたものを、本実施形態においては、フレキシブル基
板20のパターン形成面側に、選択的接続を可能とする
ための絶縁パターン23を形成した点にあり、その他は
第2実施形態と同様である。なお、図3の(b)は、図
3の(a)に示したチップ状素子1の面が接続面とした
場合に、図3の(a)に対して若干拡大した側面図の関
係となっており、図3の(c)は、フレキシブル基板2
0のパターン形成面を示している。
も、前記第2実施形態と同等の効果を奏する。
ンの形成方法としては、ペーストをスクリーン印刷する
ことでパターンを形成する厚膜法、あるいは、蒸着、ス
パッタ、エッチング等でパターンを形成する薄膜法のい
ずれの方法でもよい。
ーンと接続されるチップ状素子1の電気的接続部は、チ
ップ状素子1の電極露出部そのものであっても、あるい
は、チップ状素子1の電極上に、厚膜または薄膜で形成
した導体パターン部でもあってもよい。また、チップ状
素子1の電極と接続されるフレキシブル基板20の電気
的接続部は、フレキシブル基板20の電極パターンその
ものであっても、あるいは、フレキシブル基板20の電
極パターン上に、厚膜などで形成した導体パターン部で
もあってもよい。
電子部品を示す図であり、同図において、24はチップ
状素子1の電極露出部上に形成しためっき膜部、25は
接続用のハンダである。
は、図4の(a)に示す如く、先と同様の構成のチップ
状素子1の1つの側面において、図4の(b)に示すよ
うに、各電極12〜15上にめっき膜部24を形成した
点と、チップ状素子1とフレキシブル基板20との電気
的接続に、図4の(c)に示すように、チップ状素子1
側またはフレキシブル基板20に形成したハンダ25を
用いた点にあり、その他は第3実施形態と同様である。
なお、図4の(c)は、図4の(b)に対して若干拡大
した側面図の関係となっており、図4の(d)は、フレ
キシブル基板20のパターン形成面を示している。
も、前記第2実施形態と同等の効果を奏する。
電子部品を示す図であり、同図において、26は異方導
電性フィルムである。
は、図5の(a)に示す如く、チップ状素子1とフレキ
シブル基板20との電気的接続に、異方導電性フィルム
26を用いた点にあり、その他は第4実施形態と同様で
ある。なお、図5の(b)は、フレキシブル基板20の
パターン形成面を示している。
も、前記第2実施形態と同等の効果を奏する。
20との電気的接続は、上述した手段以外にも、場合に
よっては、ワイヤボンディング、金属拡散接続等の接続
方法も採用可能である。
電子部品を示す図であり、同図において、27はフレキ
シブル基板20を貫通して形成された電極パッドであ
る。
は、図6の(c)、(d)に示すように、フレキシブル
基板20のパターン形成面と反対側の面で露出し、か
つ、フレキシブル基板20の電極パターン21、22と
それぞれ接続された電極パッド27、27を、外部接続
用の電極とした点にあり、その他は第4実施形態と同様
である。
も、前記第2実施形態と同等の効果を奏し、さらに、本
実施形態においては、外部接続用の対となった電極を積
層電子部品の1つの側面に集約できるので、積層電子部
品の外部接続も容易になるという効果がある。
方法、および、これを用いた2次元アレイ状の素子実装
構造の製造方法の1例についてを、図7を用いて説明す
る。図7は、図4に示した前記第4実施形態に相当する
積層電子部品の製造方法と、この積層電子部品を用いた
2次元アレイ状の素子実装構造の製造方法を示してい
る。
チップ状素子母材30から、図7の(b)に示すよう
に、1チップ相当幅でバー状のサブ母材31を切り出
す。次に、図7の(c)に示すように、切り出したサブ
母材31の所定の長尺側面において露出した各電極12
〜15の端面上に、めっき膜部24を形成する。
る電極パターン21、22を多数形成してなるフレキシ
ブル基板母材32には、選択的接続を可能とするための
絶縁パターン23を形成した後、絶縁パターン23から
露呈した電極パターン21、22の各部位に、接続用の
ハンダ25を形成しておく。
のサブ母材31とフレキシブル基板母材32の接続面同
士を、位置合わせして密着し、加熱処理することによっ
て、サブ母材31とフレキシブル基板母材32の各接続
箇所同士を電気的に接続する。然る後、サブ母材31と
フレキシブル基板母材32との間の微小隙間(10〜数
10μmの隙間)に絶縁性の接着剤(例えば、低粘度の
ウレタン樹脂系接着剤)を充填し、サブ母材31とフレ
キシブル基板母材32とを強固に機械的に接続する。
材31とフレキシブル基板母材32とを一体化した母材
から、ダイサーによって、個々の積層電子部品33を切
り出すことによって、積層電子部品33が完成される。
積層電子部品33を検査して、図7の(g)に示すよう
に、良品のみからなる積層電子部品33を、縦横に所定
個数組み合わせて樹脂34で一体化することによって、
2次元アレイ状探触子のためのモジュール35が作製さ
れ、このモジュール35を多数個組み合わせることによ
って、2次元アレイ状探触子が完成される。
て作製した2次元アレイ状探触子は、個々の積層電子部
品が小型化できるので、全体として小型化が可能とな
る。しかし、各積層電子部品の外部接続には相当の工夫
を必要とし、以下に述べるような、チップ状素子の側面
に貼着されたフレキシブル基板の延長部に、1対の外部
接続用の電極を設けた構成の積層電子部品(もしくは単
層タイプの電子部品)の方が、外部接続が容易・確実
で、有利である。
電子部品を示す図であり、本実施形態は、図2に示した
前記第2実施形態の発展例である。
は、チップ状素子1の1つの側面に接続されたフレキシ
ブル基板20に延長部20aを設けて、チップ状素子1
の各電極12〜15の積層方向の1つおき同士を電気的
に接続するフレキシブル基板20の電極パターン21、
22の端部を、外部接続用の電極部21a、22aとし
たことにあり、その他は第2実施形態と同様である。
部品は、チップ状素子1の電極12〜15の積層方向の
1つおき同士が、チップ状素子1の1つの側面でそれぞ
れ接続されるので、各電極12〜15の平面形状を総べ
て同一のものとすることができ、図15や図16に示し
た従来構造に比して、内部電極の形成および積層位置合
わせが容易となり(製造プロセスが容易となり)、か
つ、可及的な小型化が達成可能となる。しかも、チップ
状素子1の電極12〜15の積層方向の1つおき同士の
接続をフレキシブル基板20で行うので、この点でも製
造工程が容易になる。さらに、フレキシブル基板20に
延長部20aを設けて、この延長部20a上の電極パタ
ーン21、22の端部を、外部接続用の電極部21a、
22aとして同一方向に導出しているので、積層電子部
品の外部接続が容易・確実になり、多数個の積層電子部
品を組み合わせてモジュールとした場合に、その接続性
能の良さが遺憾なく発揮される。しかも、積層電子部品
の接続不良も、個々に対して個別に容易に対処可能とな
り、交換もしくは補修を容易・確実に行うことができ
る。
電子部品を示す図であり、本実施形態は、図3に示した
前記第3実施形態の発展例である。本実施形態が第3実
施形態と相違するのは、フレキシブル基板20に延長部
20aを設けて、延長部20a上の電極パターン21、
22の部位を、外部接続用の電極部21a、22aとし
た点にあり、その他は第3実施形態と同様である。
も、前記第7実施形態と同等の効果を奏する。
層電子部品を示す図であり、本実施形態は、図4に示し
た前記第4実施形態の発展例である。本実施形態が第4
実施形態と相違するのは、フレキシブル基板20に延長
部20aを設けて、延長部20a上のフレキシブル基板
20電極パターン21、22の部位を、外部接続用の電
極部21a、22aとした点にあり、その他は第4実施
形態と同様である。
も、前記第7実施形態と同等の効果を奏する。
積層電子部品を示す図であり、本実施形態は、図5に示
した前記第5実施形態の発展例である。本実施形態が第
5実施形態と相違するのは、フレキシブル基板20に延
長部20aを設けて、延長部20a上の電極パターン2
1、22の部位を、外部接続用の電極部21a、22a
とした点にあり、その他は第4実施形態と同様である。
も、前記第7実施形態と同等の効果を奏する。
セラミックスを多層に積層した積層電子部品の例を示し
た。次に、セラミックスを単層とした単板タイプの圧電
セラミック振動素子への適用例について述べる。
電子部品(圧電セラミック振動素子)を示す図である。
同図において、41は単層(単板)型のチップ状素子で
あり、単板のセラミックス11には、表面電極12と裏
面電極15とが形成されている。チップ状素子41の1
つの側面において、表面電極12と裏面電極15には選
択的に、絶縁パターン16とめっき膜部24が形成され
ており、めっき膜部24をフレキシブル基板20の対応
する電極パターン21、22と、ハンダ25によって電
気的に接続してある。そして、フレキシブル基板20に
延長部20aを設けて、延長部20a上の電極パターン
21、22部位を、外部接続用の電極部21a、22a
として機能させるようにしてある。
は、単層(単板)型の圧電セラミック振動素子であるの
で、積層型の圧電セラミック振動素子と較べて性能は劣
るも、フレキシブル基板20に延長部20aを設けて、
この延長部20a上のフレキシブル基板20の電極パタ
ーン21、22の端部を、外部接続用の電極部21a、
22aとして同一方向に導出しているので、積層電子部
品の外部接続が容易・確実なものとなり、多数個の積層
電子部品を組み合わせてモジュールとした場合に、その
接続性能の良さが遺憾なく発揮される。しかも、積層電
子部品の接続不良も、個々に対して個別に容易に対処可
能となり、交換もしくは補修を容易・確実に行うことが
できる。
電子部品(圧電セラミック振動素子)を示す図であり、
本実施形態が第11実施態と異なるのは、第11実施態
では単層(単板)型のチップ状素子41側に絶縁パター
ン16を設けていたのに対し、フレキシブル基板20側
に絶縁パターン23を形成した点にあり、その他は第1
1実施形態と同様である。
も、第11実施形態と同等の効果を奏する。
おいて示した積層電子部品(圧電セラミック振動素子)
は、セラミックスの積層数が3層の場合を例にとった
が、本発明の積層電子部品におけるセラミックスの積層
数は任意である。
いて示した、チップ状素子とフレキシブル基板とによっ
て積層電子部品または電子部品を構成する場合において
は、チップ状素子とフレキシブル基板との電気的接続に
は、先にも述べたように、ハンダ、熱可塑性ペースト、
異方導電性シート等の任意の手段が採用可能であるが、
チップ状素子とフレキシブル基板との間の微小隙間に
は、絶縁性の接着剤(例えば、低粘度のウレタン樹脂系
接着剤)を充填しておくことが、機械的強度を確保する
上で好ましい。
0に延長部20aに外部接続用の電極部21a、22a
を設けた構成の積層電子部品の製造方法、および、これ
を用いた2次元アレイ状の素子実装構造の製造方法の1
例についてを、図14を用いて説明する。
状のチップ状素子母材30の上下に、平板状の音響整合
層45および平板状の音響減衰層46を固着して一体化
してなるチップ状素子複合母材47を用意する。次に、
図14の(b)に示すように、チップ状素子複合母材4
7から1チップ相当幅でバー状のサブ複合母材48を切
り出す。
出したバー状のサブ複合母材48の所定の長尺側面にお
いて露出した各電極12〜15の端面上に、まず、Ni
めっきを施し、このNiめっき表面にAuめっきを施す
ことによって、めっき膜部24を形成する。
なる電極パターン21、22を多数形成してなるフレキ
シブル基板母材49には、選択的接続を可能とするため
の絶縁パターンを形成した後、絶縁パターンから露呈し
た電極パターン21、22の各部位に、接続用のハンダ
25を形成しておくと共に、フレキシブル基板母材49
の延長部49aに、対となる電極パターン21、22と
それぞれ連なった外部接続用の電極部21a、22aを
形成しておく。そして、バー状のサブ複合母材48とフ
レキシブル基板母材49の接続面同士を、位置合わせし
て密着し、加熱処理することによって、サブ複合母材4
8とフレキシブル基板母材49の各接続箇所同士を電気
的に接続する。然る後、サブ複合母材48とフレキシブ
ル基板母材49との間の微小隙間(10〜数10μmの
隙間)に絶縁性の接着剤(例えば、低粘度のウレタン樹
脂系接着剤)を充填し、サブ複合母材48とフレキシブ
ル基板母材49とを強固に機械的に接続する。
すように、サブ複合母材48とフレキシブル基板母材4
9とを一体化した母材から、ダイサーによって、個々の
積層電子部品50を切り出すことによって、音響整合層
45および音響減衰層46付きの積層電子部品(セラミ
ック振動素子)50が完成される。
積層電子部品50を検査して、図14の(f)に示すよ
うに、良品のみからなる積層電子部品50を、縦横に所
定個数組み合わせて樹脂51で一体化することによっ
て、2次元アレイ状探触子のためのモジュール52が作
製される。続いて、これらモジュール52の各積層電子
部品50の検査を行う。上述したように、個々の積層電
子部品50の1つの側面で電極を接続した構造とするこ
と、および、接続部にハンダ、熱可塑性ペースト、異方
導電性シート等を使用することによって、通常のLSI
など半導体素子と同様に、素子単位で不良素子の交換及
び接続不良の修正が容易に行える。
多数個組み合わせることによって、2次元アレイ状探触
子が完成される。なお本例では、15mm×15mmに
64×64個の積層電子部品50が並んだ2次元アレイ
状探触子を、64個の素子からなるモジュール52を6
4枚並べて作製した。
ラミック素子(積層電子部品)の場合について述べた
が、図12、図13に示したような、単層の圧電セラミ
ック素子(単層の電子部品)についても、同様の方法で
2次元アレイ状探触子が作製できること言うまでもな
い。
についても、特に図14の製造工程に限定されるもので
なく、例えば、積層圧電セラミック素子(積層電子部
品)をマトリックス状に整列させてから、積層圧電セラ
ミック素子に音響整合層およびび音響減衰層を固着する
ようにしてももよい。
ミック振動素子として積層型素子を用いることが可能
で、かつ、素子単位で不良素子の交換および接続不良の
修正が可能な、2次元アレイ状の探触子(素子実装構
造)を実現でき、また、このような素子実装構造の実現
のために好適な圧電セラミック振動素子(積層電子部
品)を提供することができる。
電セラミック振動素子)を示す説明図である。
電セラミック振動素子)を示す説明図である。
電セラミック振動素子)を示す説明図である。
電セラミック振動素子)を示す説明図である。
電セラミック振動素子)を示す説明図である。
電セラミック振動素子)を示す説明図である。
法、および、これを用いた2次元アレイ状の素子実装構
造の製造方法の1例を示す説明図である。
電セラミック振動素子)を示す説明図である。
電セラミック振動素子)を示す説明図である。
(圧電セラミック振動素子)を示す説明図である。
(圧電セラミック振動素子)を示す説明図である。
電子部品(圧電セラミック振動素子)を示す説明図であ
る。
電子部品(圧電セラミック振動素子)を示す説明図であ
る。
方法、および、これを用いた2次元アレイ状の素子実装
構造の製造方法の他の1例を示す説明図である。
子)の1例を示す説明図である。
子)の他の1例を示す説明図である。
Claims (16)
- 【請求項1】 表面電極と内部電極と裏面電極とを有
し、これらの電極の積層方向の1つおき同士が互いに電
気的に接続されて2つの電極群を構成し、この2つの電
極群と電気的に接続された2つの外部接続用電極部が設
けられる積層電子部品であって、 上記積層電子部品の1つの側面において、上記2つの電
極群の電気的接続がなされた構造をとることを特徴とす
る積層電子部品。 - 【請求項2】 請求項1記載において、 前記積層電子部品は、チップ状素子と、このチップ状素
子の1つの側面に貼着されたフレキシブル基板とによっ
て構成され、 上記フレキシブル基板の電極パターンによって、上記チ
ップ状素子の積層方向の1つおき同士の電極をそれぞれ
接続して、前記した2つの電極群を構成するようにした
ことを特徴とする積層電子部品。 - 【請求項3】 請求項2記載において、 前記チップ状素子と前記フレキシブル基板との間の微小
隙間に、絶縁性の接着剤を充填したことを特徴とする積
層電子部品。 - 【請求項4】 請求項2記載において、 前記チップ状素子の1つの側面もしくはこの側面の延長
上に、前記2つの外部接続用電極部を形成したことを特
徴とする積層電子部品。 - 【請求項5】 請求項4記載において、 前記2つの外部接続用電極部は、前記フレキシブル基板
の1対の前記電極パターンの端部によって形成されるこ
とを特徴とする積層電子部品。 - 【請求項6】 請求項2記載において、 前記チップ状素子の前記各電極と前記フレキシブル基板
の前記電極パターンとの接続は、厚膜導電ペーストまた
はハンダまたは異方導電性シートによって行われること
を特徴とする積層電子部品。 - 【請求項7】 請求項2記載において、 前記チップ状素子の積層方向において隣接する電極同士
の導通を遮断するための絶縁パターンを、前記チップ状
素子または前記フレキシブル基板に形成したことを特徴
とする積層電子部品。 - 【請求項8】 表面電極と内部電極と裏面電極とを有す
るチップ状素子と、このチップ状素子の1つの側面に貼
着されるフレキシブル基板とによって構成され、上記チ
ップ状素子の積層方向の1つおきの電極同士が、上記フ
レキシブル基板の電極パターンによって互いに電気的に
接続されて2つの電極群を構成し、この2つの電極群と
電気的に接続された2つの外部接続用電極部が、上記フ
レキシブル基板の電極パターンもしくは該電極パターン
と接続された導電部によって形成された積層電子部品の
製造方法であって、 上記チップ状素子の母材から、1チップ相当幅でバー状
のサブ母材を切り出す工程と、 上記バー状のサブ母材の長尺側面に、対となる電極パタ
ーンを多数形成してなるフレキシブル基板母材を接続・
固着して、上記バー状のサブ母材の積層方向の1つおき
の電極同士を、上記フレキシブル基板母材の各電極パタ
ーンで電気的に接続する工程と、 上記バー状のサブ母材と上記フレキシブル基板母材とが
一体化された部材から、個々の積層電子部品を切り出す
工程とを、具備したことを特徴とする積層電子部品の製
造方法。 - 【請求項9】 請求項8記載において、前記チップ状素
子の母材の上下に、他の部材を貼着した状態で前記の製
造工程を行うことを特徴とする積層電子部品の製造方
法。 - 【請求項10】 請求項8記載において、 前記バー状のサブ母材と前記フレキシブル基板母材とが
一体化された部材の状態において、前記バー状のサブ母
材と前記フレキシブル基板母材との間の微小隙間に、絶
縁性の接着剤を充填することを特徴とする積層電子部品
の製造方法。 - 【請求項11】 請求項8記載において、 前記バー状のサブ母材の長尺側面側において露呈した前
記各電極に、接続補助用のメッキを施すことを特徴とす
る積層電子部品の製造方法。 - 【請求項12】 請求項8記載において、 前記フレキシブル基板に、前記バー状のサブ母材の積層
方向において隣接する電極同士の導通を遮断するため
の、絶縁パターンを形成することを特徴とする積層電子
部品の製造方法。 - 【請求項13】 少なくとも表面電極と裏面電極とを有
するチップ状素子と、このチップ状素子の1つの側面に
貼着されるフレキシブル基板とによって構成され、上記
チップ状素子の表面電極および裏面電極が、上記フレキ
シブル基板の対応する電極パターンと電気的に接続さ
れ、上記表面電極、裏面電極と電気的に接続された2つ
の外部接続用電極部が、上記フレキシブル基板の電極パ
ターンもしくは該電極パターンと接続された導電部によ
って形成された電子部品を、縦横に複数個配列して2次
元アレイ状に一体化したモジュールとしたことを特徴と
する2次元アレイ状の素子実装構造。 - 【請求項14】 請求項13記載において、 前記チップ状素子の前記各電極と前記フレキシブル基板
の前記電極パターンとの接続は、厚膜導電ペーストまた
はハンダまたは異方導電性シートによって行われること
を特徴とする2次元アレイ状の素子実装構造。 - 【請求項15】 請求項13記載において、 前記チップ状素子は、表面電極および裏面電極のみを設
けた単層構造の素子、または、表面電極と内部電極と裏
面電極とを設けた積層構造の素子であることを特徴とす
る2次元アレイ状の素子実装構造。 - 【請求項16】 請求項1乃至7の何れか1つに記載の
積層電子部品、または、請求項8乃至12の何れか1つ
に記載の製造方法で作成された積層電子部品の良品のみ
を、縦横に複数個配列して一体化し、2次元アレイ状の
モジュールを得ることを特徴とする2次元アレイ状の素
子実装構造の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30872698A JP3876082B2 (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 2次元アレイ型モジュールの製造方法 |
DE1999638431 DE69938431T2 (de) | 1998-10-29 | 1999-10-22 | Herstellungsverfahren für ein mehrschichtiges piezoelektrisches bauteil sowie für eine zweidimensional angeordnete bauelement-packungsstruktur |
CNB998147567A CN1192442C (zh) | 1998-10-29 | 1999-10-22 | 层叠式电子零件及其制造方法以及二维阵列状元件实装结构及其制造方法 |
PCT/JP1999/005848 WO2000026971A1 (fr) | 1998-10-29 | 1999-10-22 | Composant electronique multicouche et son procede de fabrication; structure de conditionnement bi-dimensionnelle a jeux d'elements et son procede de fabrication |
EP19990949374 EP1132978B1 (en) | 1998-10-29 | 1999-10-22 | Manufacturing method for a multilayer piezoelectric device and a two-dimensionnally arrayed element packaging structure |
US09/830,127 US6798059B1 (en) | 1998-10-29 | 1999-10-22 | Multilayer electronic part, its manufacturing method, two-dimensionally arrayed element packaging structure, and its manufacturing method |
AU62291/99A AU6229199A (en) | 1998-10-29 | 1999-10-22 | Multilayer electronic part, its manufacturing method, two-dimensionally arrayed element packaging structure, and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30872698A JP3876082B2 (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 2次元アレイ型モジュールの製造方法 |
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---|---|---|---|
JP30872698A Expired - Fee Related JP3876082B2 (ja) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | 2次元アレイ型モジュールの製造方法 |
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---|---|
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EP (1) | EP1132978B1 (ja) |
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DE (1) | DE69938431T2 (ja) |
WO (1) | WO2000026971A1 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001309493A (ja) * | 2000-04-19 | 2001-11-02 | Toshiba Corp | 2次元アレイ超音波プローブ及びその製造方法 |
US6640634B2 (en) | 2000-03-31 | 2003-11-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ultrasonic probe, method of manufacturing the same and ultrasonic diagnosis apparatus |
JP2005175018A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 積層圧電体及び圧電型振動素子 |
JP2006253349A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Shizuki Electric Co Inc | コンデンサ及びその製造方法 |
JP2006303319A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Tdk Corp | 積層型圧電素子 |
JP2007165394A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Tdk Corp | 積層型圧電素子 |
JP2007201901A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Toshiba Corp | 超音波トランスデューサ |
US7316059B2 (en) | 2002-07-19 | 2008-01-08 | Aloka Co., Ltd. | Method of manufacturing an ultrasonic probe |
JP2008078664A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層型チップキャパシタ |
JP2008522393A (ja) * | 2004-11-30 | 2008-06-26 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 多層圧電アクチュエータないし多層圧電センサの接触接続 |
JP2009072370A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Toshiba Corp | 超音波トランスデューサユニット、超音波トランスデューサおよび超音波プローブ |
WO2012042766A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | 株式会社アドバンテスト | 変換器および測定装置 |
CN104923469A (zh) * | 2015-05-16 | 2015-09-23 | 哈尔滨工业大学 | 基于压电陶瓷剪切片不同摆放方向的二维振动装置 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003009555A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Canon Inc | 積層電気−機械エネルギー変換素子および振動波駆動装置 |
US6963157B2 (en) | 2002-01-21 | 2005-11-08 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Lead zirconate titanate fiber, smart board using lead zirconate titanate fiber, actuator utilizing smart board, and sensor utilizing smart board |
JP3920223B2 (ja) * | 2003-01-07 | 2007-05-30 | 日本碍子株式会社 | 反応性チップと、このチップを用いた標的物質の結合検出方法 |
TWI264969B (en) * | 2003-11-28 | 2006-10-21 | Murata Manufacturing Co | Multilayer ceramic electronic component and its manufacturing method |
DE102006025362A1 (de) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Siemens Ag | Vollaktiver Piezoaktor und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP4253334B2 (ja) * | 2006-07-12 | 2009-04-08 | 株式会社東芝 | 2次元アレイ型超音波プローブ |
US7855490B2 (en) * | 2007-11-14 | 2010-12-21 | Interplex Nas, Inc. | Planar spring assembly with attached solder strip and method for making same |
DE102007058875A1 (de) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Siemens Ag | Piezoelektrisches Bauteil mit photostrukturierter Einzelkontaktierung der Innenelektroden, Verfahren zum Herstellen des Bauteils und Verwendung des Bauteils |
DE102007058874A1 (de) * | 2007-12-06 | 2010-05-20 | Siemens Ag | Piezoelektrisches Bauteil mit direkt strukturierter Außenkontaktierung, Verfahren zum Herstellen des Bauteils und Verwendung des Bauteils |
US8258677B2 (en) | 2008-07-31 | 2012-09-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Piezoelectric component with directly structured external contacting, method for manufacturing the component and use of said component |
CN101383394B (zh) * | 2008-09-26 | 2010-06-02 | 瑞声声学科技(常州)有限公司 | 新的压电陶瓷传感器及其制作方法 |
PL2678889T3 (pl) * | 2011-02-24 | 2016-06-30 | Ceram Gmbh | Moduł zasilania z submodułami i modułem sterowania i bezpieczeństwa do wysokodynamicznego wytwarzania siły |
DE102012000063B4 (de) | 2012-01-03 | 2018-04-05 | Festo Ag & Co. Kg | Piezoelektrische Baugruppe und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JP5746082B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2015-07-08 | 富士フイルム株式会社 | 超音波探触子および信号線の接続方法 |
KR101336246B1 (ko) | 2012-04-23 | 2013-12-03 | 삼성전자주식회사 | 초음파 트랜스듀서, 초음파 프로브, 및 초음파 진단장치 |
US10707404B2 (en) * | 2016-07-07 | 2020-07-07 | Tdk Corporation | Piezoelectric element |
KR20190001276A (ko) * | 2017-06-27 | 2019-01-04 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 및 그 제조 방법 |
JP6876645B2 (ja) * | 2018-03-15 | 2021-05-26 | 株式会社日立製作所 | 超音波プローブ及びその製造方法 |
CN112954556A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-06-11 | 南京槅扇贸易有限公司 | 一种薄型压电扬声器安装设备 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62211974A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-17 | Hitachi Metals Ltd | 積層型圧電素子およびその製造方法 |
JP2738706B2 (ja) * | 1988-07-15 | 1998-04-08 | 株式会社日立製作所 | 積層型圧電素子の製法 |
JPH0653567A (ja) * | 1992-07-27 | 1994-02-25 | Fujitsu Ltd | 積層型圧電アクチュエータ |
JPH06132578A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-05-13 | Nikon Corp | 積層型アクチュエーター |
JPH06224483A (ja) * | 1993-01-25 | 1994-08-12 | Brother Ind Ltd | 積層型圧電素子 |
JPH06283776A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Brother Ind Ltd | 積層型圧電素子 |
US5457863A (en) * | 1993-03-22 | 1995-10-17 | General Electric Company | Method of making a two dimensional ultrasonic transducer array |
US5381385A (en) * | 1993-08-04 | 1995-01-10 | Hewlett-Packard Company | Electrical interconnect for multilayer transducer elements of a two-dimensional transducer array |
JPH0758373A (ja) * | 1993-08-18 | 1995-03-03 | Brother Ind Ltd | 積層型圧電素子 |
JP2748830B2 (ja) * | 1993-09-30 | 1998-05-13 | 日本電気株式会社 | 積層型電歪効果素子 |
JPH08172227A (ja) * | 1994-12-19 | 1996-07-02 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 積層型圧電アクチュエータ及びその製造方法 |
US5629578A (en) * | 1995-03-20 | 1997-05-13 | Martin Marietta Corp. | Integrated composite acoustic transducer array |
JPH0923030A (ja) * | 1995-07-05 | 1997-01-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 積層型圧電素子の製造方法 |
-
1998
- 1998-10-29 JP JP30872698A patent/JP3876082B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-10-22 EP EP19990949374 patent/EP1132978B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-22 CN CNB998147567A patent/CN1192442C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-22 WO PCT/JP1999/005848 patent/WO2000026971A1/ja active IP Right Grant
- 1999-10-22 AU AU62291/99A patent/AU6229199A/en not_active Abandoned
- 1999-10-22 US US09/830,127 patent/US6798059B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-22 DE DE1999638431 patent/DE69938431T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6640634B2 (en) | 2000-03-31 | 2003-11-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ultrasonic probe, method of manufacturing the same and ultrasonic diagnosis apparatus |
JP2001309493A (ja) * | 2000-04-19 | 2001-11-02 | Toshiba Corp | 2次元アレイ超音波プローブ及びその製造方法 |
JP4519259B2 (ja) * | 2000-04-19 | 2010-08-04 | 株式会社東芝 | 2次元アレイ超音波プローブ及びその製造方法 |
US7316059B2 (en) | 2002-07-19 | 2008-01-08 | Aloka Co., Ltd. | Method of manufacturing an ultrasonic probe |
JP2005175018A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 積層圧電体及び圧電型振動素子 |
JP4617078B2 (ja) * | 2003-12-08 | 2011-01-19 | 北陸電気工業株式会社 | 積層圧電体及び圧電型振動素子 |
JP2008522393A (ja) * | 2004-11-30 | 2008-06-26 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 多層圧電アクチュエータないし多層圧電センサの接触接続 |
JP4940146B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2012-05-30 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 圧電積層体、および圧電積層体を接触接続する方法 |
JP2006253349A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Shizuki Electric Co Inc | コンデンサ及びその製造方法 |
JP2006303319A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Tdk Corp | 積層型圧電素子 |
JP2007165394A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Tdk Corp | 積層型圧電素子 |
JP2007201901A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Toshiba Corp | 超音波トランスデューサ |
JP4703416B2 (ja) * | 2006-01-27 | 2011-06-15 | 株式会社東芝 | 超音波トランスデューサ |
JP2008078664A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層型チップキャパシタ |
JP2009072370A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Toshiba Corp | 超音波トランスデューサユニット、超音波トランスデューサおよび超音波プローブ |
WO2012042766A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | 株式会社アドバンテスト | 変換器および測定装置 |
US8711657B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-04-29 | Advantest Corporation | Converter and measuring apparatus |
CN104923469A (zh) * | 2015-05-16 | 2015-09-23 | 哈尔滨工业大学 | 基于压电陶瓷剪切片不同摆放方向的二维振动装置 |
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