JP2000114093A - 誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ - Google Patents
誘電体薄膜およびセラミックコンデンサInfo
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- JP2000114093A JP2000114093A JP10276195A JP27619598A JP2000114093A JP 2000114093 A JP2000114093 A JP 2000114093A JP 10276195 A JP10276195 A JP 10276195A JP 27619598 A JP27619598 A JP 27619598A JP 2000114093 A JP2000114093 A JP 2000114093A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】鉛を含有せず、高誘電率、低損失でかつ静電容
量の温度変化率が小さく、低温で作製でき、かつ高周波
領域においても比誘電率が大きい誘電体薄膜およびセラ
ミックコンデンサを提供する。 【解決手段】金属元素としてＫ、Ｓｒ、ＣａおよびＮｂ
を含むタングステンブロンズ型複合酸化物からなる誘電
体薄膜であって、金属元素酸化物のモル比による組成式
をＫ（Ｓｒ1-x Ｃａx ）2 Ｎｂ5 Ｏ15と表した時、ｘが
０＜ｘ≦０．２５を満足するものである。
量の温度変化率が小さく、低温で作製でき、かつ高周波
領域においても比誘電率が大きい誘電体薄膜およびセラ
ミックコンデンサを提供する。 【解決手段】金属元素としてＫ、Ｓｒ、ＣａおよびＮｂ
を含むタングステンブロンズ型複合酸化物からなる誘電
体薄膜であって、金属元素酸化物のモル比による組成式
をＫ（Ｓｒ1-x Ｃａx ）2 Ｎｂ5 Ｏ15と表した時、ｘが
０＜ｘ≦０．２５を満足するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は誘電体薄膜および誘
電体薄膜を用いたセラミックコンデンサに関するもので
ある。
電体薄膜を用いたセラミックコンデンサに関するもので
ある。
【０００２】
【従来技術】近年、電子機器の小型、薄形化に伴い、電
子部品の小型化、薄膜化が要求されている。特に受動部
品であるコンデンサの小型、薄形化は必須となってい
る。また、コンピュータ等の高速デジタル回路を用いた
電子機器は高周波化の流れにあり、数１０ＭＨｚから数
１００ＭＨｚの動作周波数帯域が重要になってきてい
る。これにともない、コンデンサ等の受動部品も高周波
もしくは高速デジタルパルスに対して優れた特性を示す
ことが必須になってきている。
子部品の小型化、薄膜化が要求されている。特に受動部
品であるコンデンサの小型、薄形化は必須となってい
る。また、コンピュータ等の高速デジタル回路を用いた
電子機器は高周波化の流れにあり、数１０ＭＨｚから数
１００ＭＨｚの動作周波数帯域が重要になってきてい
る。これにともない、コンデンサ等の受動部品も高周波
もしくは高速デジタルパルスに対して優れた特性を示す
ことが必須になってきている。
【０００３】また、近年、鉛化合物の環境への影響の大
きさから、鉛を含有しない高容量コンデンサが望まれて
いる。
きさから、鉛を含有しない高容量コンデンサが望まれて
いる。
【０００４】従来、ペロブスカイト構造を持つＴｉ化合
物であるＢａＴｉＯ3 は、比誘電率が大きく、温度特性
が良好なため、コンデンサ材料として有用であることが
知られている。また、２種以上の金属からなる複合ペロ
ブスカイト酸化物、特にＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3
（以下、ＰＭＮという）は室温で大きな比誘電率を有す
るため、コンデンサ材料として有用であることが知られ
ている。
物であるＢａＴｉＯ3 は、比誘電率が大きく、温度特性
が良好なため、コンデンサ材料として有用であることが
知られている。また、２種以上の金属からなる複合ペロ
ブスカイト酸化物、特にＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3
（以下、ＰＭＮという）は室温で大きな比誘電率を有す
るため、コンデンサ材料として有用であることが知られ
ている。
【０００５】近年、上記ＢａＴｉＯ3 、ＰＭＮ等の高誘
電率材料を薄膜化し、薄膜コンデンサに応用しようとさ
れているが、従来の固相焼結法では膜厚はせいぜい１０
μｍ程度であった。
電率材料を薄膜化し、薄膜コンデンサに応用しようとさ
れているが、従来の固相焼結法では膜厚はせいぜい１０
μｍ程度であった。
【０００６】またＰＭＮにおいては、薄膜においても固
相焼結法による焼結体と同様、低温で安定なパイロクロ
ア相が生成し易く、ほぼペロブスカイト単相からなる膜
を得るのが困難となり、コンデンサ材料として不適当な
場合が多い。特に薄膜化する場合、下部電極との格子の
不整合および化学結合の相違等でパイロクロア相が生成
し易いという問題がある言われており（例えば、特開平
６−５７４３７号公報参照）、パイロクロア相の少ない
ペロブスカイト単相のＰＭＮ薄膜を得るのが困難であっ
た。
相焼結法による焼結体と同様、低温で安定なパイロクロ
ア相が生成し易く、ほぼペロブスカイト単相からなる膜
を得るのが困難となり、コンデンサ材料として不適当な
場合が多い。特に薄膜化する場合、下部電極との格子の
不整合および化学結合の相違等でパイロクロア相が生成
し易いという問題がある言われており（例えば、特開平
６−５７４３７号公報参照）、パイロクロア相の少ない
ペロブスカイト単相のＰＭＮ薄膜を得るのが困難であっ
た。
【０００７】これらのパイロクロア相生成の問題を解決
する手法として、ゾルゲル法で作製されたＰＭＮ薄膜に
おいては、急速昇温焼成（特開平２−１７７５２１号公
報参照）やシーディング法（特開平６−５７４３７号公
報参照）等の種々の手法が提案されており、ペロブスカ
イト単相に近いＰＭＮ薄膜が得られている。
する手法として、ゾルゲル法で作製されたＰＭＮ薄膜に
おいては、急速昇温焼成（特開平２−１７７５２１号公
報参照）やシーディング法（特開平６−５７４３７号公
報参照）等の種々の手法が提案されており、ペロブスカ
イト単相に近いＰＭＮ薄膜が得られている。
【０００８】また、近年、タングステンブロンズ構造を
もつ材料を薄膜化し、機能性材料を得ようとする報告が
ある。タングステンブロンズ構造は異方性が大きく緻密
な膜を作製するのが困難であると考えられていたが、ゾ
ルゲル法等の化学的手法を用いて、（１００）配向した
白金が形成されたＭｇＯ基板上に配向膜を作製すること
により、緻密な膜が得られるとの報告がある。また、Ｋ
（Ｓｒ0.75Ｂａ0.25）2 Ｎｂ5 Ｏ15材料を（１００）配
向した白金が形成されたＭｇＯ基板上に薄膜化すること
により、高誘電率膜が得られると報告している（Japane
se Journal ofApplied Physics,Vol.36,pp.5930〜5934,
(1997) . ）。
もつ材料を薄膜化し、機能性材料を得ようとする報告が
ある。タングステンブロンズ構造は異方性が大きく緻密
な膜を作製するのが困難であると考えられていたが、ゾ
ルゲル法等の化学的手法を用いて、（１００）配向した
白金が形成されたＭｇＯ基板上に配向膜を作製すること
により、緻密な膜が得られるとの報告がある。また、Ｋ
（Ｓｒ0.75Ｂａ0.25）2 Ｎｂ5 Ｏ15材料を（１００）配
向した白金が形成されたＭｇＯ基板上に薄膜化すること
により、高誘電率膜が得られると報告している（Japane
se Journal ofApplied Physics,Vol.36,pp.5930〜5934,
(1997) . ）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、典型的
なコンデンサ材料であるＢａＴｉＯ3 は１ＫＨｚ程度の
低周波数においては大きな比誘電率を示し、コンデンサ
材料として優れた材料であるが、周波数分散が大きいた
め、高周波領域における比誘電率の減少が大きく、高周
波領域では高誘電率材料として使えないと考えられてき
た（特開平６−７７０８３号公報参照）。
なコンデンサ材料であるＢａＴｉＯ3 は１ＫＨｚ程度の
低周波数においては大きな比誘電率を示し、コンデンサ
材料として優れた材料であるが、周波数分散が大きいた
め、高周波領域における比誘電率の減少が大きく、高周
波領域では高誘電率材料として使えないと考えられてき
た（特開平６−７７０８３号公報参照）。
【００１０】また、ＢａＴｉＯ3 は粒子サイズによって
物性が大きく異なり、１μｍ程度の粒子サイズにおいて
は高誘電率を示すが、粒子サイズが１μｍより小さくな
ると、比誘電率は粒子サイズとともに単調に減少する。
薄膜においては粒子サイズが１μｍより小さいため、バ
ルク体と同程度の大きな比誘電率を示す薄膜は得られな
いという問題があった。
物性が大きく異なり、１μｍ程度の粒子サイズにおいて
は高誘電率を示すが、粒子サイズが１μｍより小さくな
ると、比誘電率は粒子サイズとともに単調に減少する。
薄膜においては粒子サイズが１μｍより小さいため、バ
ルク体と同程度の大きな比誘電率を示す薄膜は得られな
いという問題があった。
【００１１】さらに、粒子サイズを大きくするために
は、１０００℃を越す高温焼成が必要であり、基板、電
極との反応が起こり低誘電率相が界面に生成するため、
粒子サイズを大きくしても、バルク体のような高誘電率
を示す薄膜コンデンサを得ることができないという問題
があった。
は、１０００℃を越す高温焼成が必要であり、基板、電
極との反応が起こり低誘電率相が界面に生成するため、
粒子サイズを大きくしても、バルク体のような高誘電率
を示す薄膜コンデンサを得ることができないという問題
があった。
【００１２】また、ＰＭＮは薄膜においても大きな比誘
電率を示す優れたコンデンサ材料であるが、鉛が主成分
であり、鉛を多く含有するため、環境への影響が大きい
という問題があった。
電率を示す優れたコンデンサ材料であるが、鉛が主成分
であり、鉛を多く含有するため、環境への影響が大きい
という問題があった。
【００１３】さらに、上記したタングステンブロンズ構
造のＫ（Ｓｒ0.75Ｂａ0.25）2 Ｎｂ5 Ｏ15材料では、測
定周波数１０ｋＨｚ（室温）における比誘電率が２００
０程度と大きいものの、誘電損失が１２％程度と大き
く、また、ＤＣバイアス印加に対する比誘電率の減少が
大きく、これにより、上記材料によりセラミックコンデ
ンサを作製した場合には、実際に使用される際の実効的
な静電容量が小さくなるという問題があった。
造のＫ（Ｓｒ0.75Ｂａ0.25）2 Ｎｂ5 Ｏ15材料では、測
定周波数１０ｋＨｚ（室温）における比誘電率が２００
０程度と大きいものの、誘電損失が１２％程度と大き
く、また、ＤＣバイアス印加に対する比誘電率の減少が
大きく、これにより、上記材料によりセラミックコンデ
ンサを作製した場合には、実際に使用される際の実効的
な静電容量が小さくなるという問題があった。
【００１４】本発明は、鉛を含有せず、高誘電率、低損
失で静電容量の温度変化率が小さく、かつＤＣバイアス
印加に対する比誘電率の減少が小さく、高周波領域にお
いても比誘電率が大きい誘電体薄膜およびセラミックコ
ンデンサを提供することを目的とする。
失で静電容量の温度変化率が小さく、かつＤＣバイアス
印加に対する比誘電率の減少が小さく、高周波領域にお
いても比誘電率が大きい誘電体薄膜およびセラミックコ
ンデンサを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題に
ついて鋭意検討した結果、結晶学的異方性が大きいＫ
（Ｓｒ1-x Ｃａ）2 Ｎｂ5 Ｏ15をｃ軸配向させた膜を作
製することにより、コンデンサ構造において大きな比誘
電率を保ったまま温度特性の良好な薄膜材料を得ること
ができることを見い出し、本発明に至った。
ついて鋭意検討した結果、結晶学的異方性が大きいＫ
（Ｓｒ1-x Ｃａ）2 Ｎｂ5 Ｏ15をｃ軸配向させた膜を作
製することにより、コンデンサ構造において大きな比誘
電率を保ったまま温度特性の良好な薄膜材料を得ること
ができることを見い出し、本発明に至った。
【００１６】即ち、本発明の誘電体薄膜は、金属元素と
してＫ、Ｓｒ、ＣａおよびＮｂを含むタングステンブロ
ンズ型複合酸化物からなる誘電体薄膜であって、前記金
属元素酸化物のモル比による組成式をＫ（Ｓｒ1-x Ｃａ
x ）2 Ｎｂ5 Ｏ15と表した時、前記ｘが０＜ｘ≦０．２
５を満足することを特徴とする。ここで、膜厚が２μｍ
以下であることが望ましい。また、Ｘ線回折における
（００１）面のピーク強度Ｉ(001) と（２１１）面のピ
ーク強度Ｉ(211) のピーク強度比Ｉ(001) ／Ｉ(2 11) が
３０以上であることが望ましい。また、測定周波数１ｋ
Ｈｚ（室温）における比誘電率が８００以上であり、測
定周波数１００ＭＨｚ（室温）における比誘電率が７０
０以上であることが望ましい。
してＫ、Ｓｒ、ＣａおよびＮｂを含むタングステンブロ
ンズ型複合酸化物からなる誘電体薄膜であって、前記金
属元素酸化物のモル比による組成式をＫ（Ｓｒ1-x Ｃａ
x ）2 Ｎｂ5 Ｏ15と表した時、前記ｘが０＜ｘ≦０．２
５を満足することを特徴とする。ここで、膜厚が２μｍ
以下であることが望ましい。また、Ｘ線回折における
（００１）面のピーク強度Ｉ(001) と（２１１）面のピ
ーク強度Ｉ(211) のピーク強度比Ｉ(001) ／Ｉ(2 11) が
３０以上であることが望ましい。また、測定周波数１ｋ
Ｈｚ（室温）における比誘電率が８００以上であり、測
定周波数１００ＭＨｚ（室温）における比誘電率が７０
０以上であることが望ましい。
【００１７】本発明のセラミックコンデンサは、上記誘
電体薄膜の両面に一対の電極を対向して形成してなるも
のである。
電体薄膜の両面に一対の電極を対向して形成してなるも
のである。
【００１８】
【作用】本発明の誘電体薄膜では、結晶学的異方性が大
きいが、c 軸方向に高誘電率を示し、７００℃のような
低温で誘電活性の大きい結晶相が生成するタングステン
ブロンズＫＳｒ2 Ｎｂ5 Ｏ15のＳｒの一部をＣａで置換
し、ｃ軸配向した薄膜で形成することにより、高誘電率
で低損失かつ温度特性に優れた誘電体薄膜が得られ、こ
のような誘電体薄膜を７００℃のような低温で得ること
ができる。
きいが、c 軸方向に高誘電率を示し、７００℃のような
低温で誘電活性の大きい結晶相が生成するタングステン
ブロンズＫＳｒ2 Ｎｂ5 Ｏ15のＳｒの一部をＣａで置換
し、ｃ軸配向した薄膜で形成することにより、高誘電率
で低損失かつ温度特性に優れた誘電体薄膜が得られ、こ
のような誘電体薄膜を７００℃のような低温で得ること
ができる。
【００１９】また、薄膜にすることにより、タングステ
ンブロンズ型複合酸化物の平均結晶粒径が０．１〜０．
２μｍのオーダに小さくなり、より常誘電体的性質が支
配的になるため、静電容量の温度特性およびＤＣバイア
ス特性を良好とすることができる。
ンブロンズ型複合酸化物の平均結晶粒径が０．１〜０．
２μｍのオーダに小さくなり、より常誘電体的性質が支
配的になるため、静電容量の温度特性およびＤＣバイア
ス特性を良好とすることができる。
【００２０】さらに、１００ＭＨｚのような高周波にお
いても、薄膜化により強誘電性の起源であるマクロな自
発分極が小さくなるために自発分極に起因する誘電率の
周波数分散が小さく、高周波においても大きな比誘電率
を示す。
いても、薄膜化により強誘電性の起源であるマクロな自
発分極が小さくなるために自発分極に起因する誘電率の
周波数分散が小さく、高周波においても大きな比誘電率
を示す。
【００２１】本発明のセラミックコンデンサでは、上記
したような優れた特性を有する誘電体薄膜の両面に、例
えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）
薄膜である一対の電極を対向して形成することにより、
高周波においても高容量で優れた薄膜コンデンサを得る
ことができる。
したような優れた特性を有する誘電体薄膜の両面に、例
えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）
薄膜である一対の電極を対向して形成することにより、
高周波においても高容量で優れた薄膜コンデンサを得る
ことができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体薄膜は、金属元素
としてＫ、Ｓｒ、ＣａおよびＮｂを含むタングステンブ
ロンズ型複合酸化物からなる誘電体薄膜であって、前記
金属元素酸化物のモル比による組成式をＫ（Ｓｒ1-x Ｃ
ａx ）2 Ｎｂ5 Ｏ15と表した時、前記ｘが０＜ｘ≦０．
２５を満足するものである。ここで、Ｃａ量を示すｘを
０．２５以下としたのは、ｘが０．２５より大きくなる
と室温での比誘電率が急激に小さくなるとともに、膜が
多孔質になるためである。比誘電率を向上するにはｘの
範囲は０．０５≦ｘ≦０．２０が望ましい。
としてＫ、Ｓｒ、ＣａおよびＮｂを含むタングステンブ
ロンズ型複合酸化物からなる誘電体薄膜であって、前記
金属元素酸化物のモル比による組成式をＫ（Ｓｒ1-x Ｃ
ａx ）2 Ｎｂ5 Ｏ15と表した時、前記ｘが０＜ｘ≦０．
２５を満足するものである。ここで、Ｃａ量を示すｘを
０．２５以下としたのは、ｘが０．２５より大きくなる
と室温での比誘電率が急激に小さくなるとともに、膜が
多孔質になるためである。比誘電率を向上するにはｘの
範囲は０．０５≦ｘ≦０．２０が望ましい。
【００２３】また、本発明の誘電体薄膜は、膜厚が２μ
ｍ以下であることが望ましい。ここで、膜厚が２μｍ以
下の誘電体薄膜としたのは、これより厚くなると工程数
が増加し、また、コンデンサを構成した場合、容量が小
さくなるからである。誘電体薄膜の膜厚は、製造の容易
性、膜質向上の点から１μｍ以下が望ましく、さらに膜
の絶縁性を考慮すると特に０．３〜１μｍが望ましい。
ｍ以下であることが望ましい。ここで、膜厚が２μｍ以
下の誘電体薄膜としたのは、これより厚くなると工程数
が増加し、また、コンデンサを構成した場合、容量が小
さくなるからである。誘電体薄膜の膜厚は、製造の容易
性、膜質向上の点から１μｍ以下が望ましく、さらに膜
の絶縁性を考慮すると特に０．３〜１μｍが望ましい。
【００２４】さらに、本発明の誘電体薄膜では、測定周
波数１ｋＨｚ（室温）における比誘電率が８００以上で
あり、測定周波数１００ＭＨｚ（室温）における比誘電
率が７００以上であることが望ましい。これは、高周波
用途のセラミックコンデンサにも対応できるからであ
る。
波数１ｋＨｚ（室温）における比誘電率が８００以上で
あり、測定周波数１００ＭＨｚ（室温）における比誘電
率が７００以上であることが望ましい。これは、高周波
用途のセラミックコンデンサにも対応できるからであ
る。
【００２５】また、本発明の誘電体薄膜は、基板表面に
垂直な方向に散乱ベクトルを維持して測定した回折プロ
ファイルにおいて、（００１）回折ピークと（２１１）
回折ピークの強度比Ｉ(001) ／Ｉ(211) を（００１）優
先配向度と定義した時、（００１）優先配向度が３０以
上である。つまり、Ｃｕ−Ｋα線を用いたｘ線回折測定
において、（００１）面のピーク強度Ｉ(001) と（２１
１）面のピーク強度Ｉ(211) のピーク強度比Ｉ(001) ／
Ｉ(211) が３０以上であることが望ましい。
垂直な方向に散乱ベクトルを維持して測定した回折プロ
ファイルにおいて、（００１）回折ピークと（２１１）
回折ピークの強度比Ｉ(001) ／Ｉ(211) を（００１）優
先配向度と定義した時、（００１）優先配向度が３０以
上である。つまり、Ｃｕ−Ｋα線を用いたｘ線回折測定
において、（００１）面のピーク強度Ｉ(001) と（２１
１）面のピーク強度Ｉ(211) のピーク強度比Ｉ(001) ／
Ｉ(211) が３０以上であることが望ましい。
【００２６】この様に、（００１）優先配向した粒子の
割合を示す優先配向度を３０以上としたのは、タングス
テンブロンズは異方性が大きくｃ軸から外れた比誘電率
が１桁〜２桁ｃ軸方向の比誘電率より小さいため、優先
配向度が３０未満となり配向していない粒子の割合が増
えると、全体の比誘電率が急激に小さくなるためであ
る。比誘電率を向上するという点から、ピーク強度比Ｉ
(001) ／Ｉ(211) は１００以上であることが望ましい。
割合を示す優先配向度を３０以上としたのは、タングス
テンブロンズは異方性が大きくｃ軸から外れた比誘電率
が１桁〜２桁ｃ軸方向の比誘電率より小さいため、優先
配向度が３０未満となり配向していない粒子の割合が増
えると、全体の比誘電率が急激に小さくなるためであ
る。比誘電率を向上するという点から、ピーク強度比Ｉ
(001) ／Ｉ(211) は１００以上であることが望ましい。
【００２７】また、本発明のセラミックコンデンサは、
上記した誘電体薄膜の両面に一対の電極を対向して形成
してなるものである。尚、本発明のコンデンサは、誘電
体薄膜と電極とを交互に積層した積層セラミックコンデ
ンサを含む概念である。
上記した誘電体薄膜の両面に一対の電極を対向して形成
してなるものである。尚、本発明のコンデンサは、誘電
体薄膜と電極とを交互に積層した積層セラミックコンデ
ンサを含む概念である。
【００２８】コンデンサの電極としては、（１００）お
よび（１１１）配向した白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パ
ラジウム（Ｐｄ）薄膜等があり、これらのうちでも（１
１１）配向した白金（Ｐｔ）と金（Ａｕ）薄膜が最適で
ある。Ｐｔ、Ａｕは膜との反応性が小さく、また酸化さ
れにくいため、膜との界面に低誘電率相が形成されにく
いからである。
よび（１１１）配向した白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パ
ラジウム（Ｐｄ）薄膜等があり、これらのうちでも（１
１１）配向した白金（Ｐｔ）と金（Ａｕ）薄膜が最適で
ある。Ｐｔ、Ａｕは膜との反応性が小さく、また酸化さ
れにくいため、膜との界面に低誘電率相が形成されにく
いからである。
【００２９】（１１１）優先配向としたのは、（１１
１）優先配向したＰｔもしくはＡｕ薄膜は、下地基板が
ガラスであっても実現でき、基板の結晶性を選ばないと
いう点で優れている。また、（１１１）配向Ｐｔもしく
はＡｕ上に、本発明の誘電体薄膜がｃ軸配向しやすいた
めであり、このようにｃ軸配向することによって誘電体
薄膜の誘電特性が最大限に発揮される。
１）優先配向したＰｔもしくはＡｕ薄膜は、下地基板が
ガラスであっても実現でき、基板の結晶性を選ばないと
いう点で優れている。また、（１１１）配向Ｐｔもしく
はＡｕ上に、本発明の誘電体薄膜がｃ軸配向しやすいた
めであり、このようにｃ軸配向することによって誘電体
薄膜の誘電特性が最大限に発揮される。
【００３０】（１１１）優先配向した白金（Ｐｔ）薄膜
とは、配向性または単結晶的白金（Ｐｔ）薄膜であり、
配向性を有するＰｔ薄膜とは、結晶軸のうち一つの軸が
膜表面に近似的に垂直な方向に揃った膜であり、単結晶
的Ｐｔ薄膜とは３つの結晶軸が全て揃った膜である。こ
のような電極は、スパッタ蒸着やレーザ蒸着法等物理的
蒸着において、電極が形成される基板温度を４５０℃以
上とすることにより得られるもので、これらのうちで
も、基板温度を４５０℃以上としたスパッタ蒸着が望ま
しい。
とは、配向性または単結晶的白金（Ｐｔ）薄膜であり、
配向性を有するＰｔ薄膜とは、結晶軸のうち一つの軸が
膜表面に近似的に垂直な方向に揃った膜であり、単結晶
的Ｐｔ薄膜とは３つの結晶軸が全て揃った膜である。こ
のような電極は、スパッタ蒸着やレーザ蒸着法等物理的
蒸着において、電極が形成される基板温度を４５０℃以
上とすることにより得られるもので、これらのうちで
も、基板温度を４５０℃以上としたスパッタ蒸着が望ま
しい。
【００３１】また、金属薄膜を蒸着する基板としては、
アルミナ磁器、またはサファイア、ＭｇＯ単結晶、Ｓｒ
ＴｉＯ3 単結晶、チタン被覆シリコン等の単結晶、ある
いは銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、
スズ（Ｓｎ）、ステンレススティール（ＳＵＳ）等の薄
板やこれらの金属薄膜を有する基板が望ましい。特に、
薄膜との反応性が小さく、安価で硬度が大きく、かつ金
属薄膜の結晶性という点からアルミナ、サファイアが望
ましい。
アルミナ磁器、またはサファイア、ＭｇＯ単結晶、Ｓｒ
ＴｉＯ3 単結晶、チタン被覆シリコン等の単結晶、ある
いは銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、
スズ（Ｓｎ）、ステンレススティール（ＳＵＳ）等の薄
板やこれらの金属薄膜を有する基板が望ましい。特に、
薄膜との反応性が小さく、安価で硬度が大きく、かつ金
属薄膜の結晶性という点からアルミナ、サファイアが望
ましい。
【００３２】本発明のセラミックコンデンサは、例え
ば、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ等を基板上にスパッタ法、蒸着
法、グラビア印刷等の手法により成膜して下部電極を形
成し、この下部電極膜の表面に、上記誘電体薄膜を上記
方法で成膜して形成し、この後に誘電体薄膜表面に下部
電極と同様にして上部電極を成膜することにより得られ
る。また、積層セラミックコンデンサは誘電体薄膜と電
極とを交互に積層することにより得られる。
ば、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ等を基板上にスパッタ法、蒸着
法、グラビア印刷等の手法により成膜して下部電極を形
成し、この下部電極膜の表面に、上記誘電体薄膜を上記
方法で成膜して形成し、この後に誘電体薄膜表面に下部
電極と同様にして上部電極を成膜することにより得られ
る。また、積層セラミックコンデンサは誘電体薄膜と電
極とを交互に積層することにより得られる。
【００３３】本発明の誘電体薄膜は、例えば、以下のよ
うなゾルゲル法で作製される。先ず、塗布溶液として
Ｋ、Ｓｒ、Ｃａ、およびＮｂの有機金属化合物が均一に
溶解した前駆体溶液を調製する。
うなゾルゲル法で作製される。先ず、塗布溶液として
Ｋ、Ｓｒ、Ｃａ、およびＮｂの有機金属化合物が均一に
溶解した前駆体溶液を調製する。
【００３４】Ｓｒの有機酸塩、無機塩、アルコキシドか
ら選択される少なくとも１種のＳｒ化合物を酢酸（ＣＨ
3 ＣＯＯＨ）もしくはＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、
Ｒ3ＣＯＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 ：炭素数１以上のアル
キル基）で示される溶媒に混合する。混合後、所定の操
作を行い、他の求核性の有機金属化合物の存在下におい
ても安定なＳｒ溶液を合成する。
ら選択される少なくとも１種のＳｒ化合物を酢酸（ＣＨ
3 ＣＯＯＨ）もしくはＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、
Ｒ3ＣＯＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 ：炭素数１以上のアル
キル基）で示される溶媒に混合する。混合後、所定の操
作を行い、他の求核性の有機金属化合物の存在下におい
ても安定なＳｒ溶液を合成する。
【００３５】Ｃａの有機酸塩、無機塩、アルコキシドか
ら選択される少なくとも１種のＣａ化合物を酢酸（ＣＨ
3 ＣＯＯＨ）もしくはＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、
Ｒ3ＣＯＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 ：炭素数１以上のアル
キル基）で示される溶媒に混合する。混合後、所定の操
作を行い、他の求核性の有機金属化合物の存在下におい
ても安定なＣａ溶液を合成する。
ら選択される少なくとも１種のＣａ化合物を酢酸（ＣＨ
3 ＣＯＯＨ）もしくはＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、
Ｒ3ＣＯＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 ：炭素数１以上のアル
キル基）で示される溶媒に混合する。混合後、所定の操
作を行い、他の求核性の有機金属化合物の存在下におい
ても安定なＣａ溶液を合成する。
【００３６】次に、Ｋの有機酸塩、無機塩、アルコキシ
ドから選択される少なくとも１種のＫ化合物を酢酸（Ｃ
Ｈ3 ＣＯＯＨ）もしくはＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 Ｏ
Ｈ、Ｒ3 ＣＯＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 ：炭素数１以上の
アルキル基）で示される溶媒に混合し、Ｋ溶液を合成す
る。
ドから選択される少なくとも１種のＫ化合物を酢酸（Ｃ
Ｈ3 ＣＯＯＨ）もしくはＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 Ｏ
Ｈ、Ｒ3 ＣＯＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 ：炭素数１以上の
アルキル基）で示される溶媒に混合し、Ｋ溶液を合成す
る。
【００３７】次に、Ｎｂの有機酸塩、アルコキシド等か
ら選択される１種のＮｂ化合物を酢酸（ＣＨ3 ＣＯＯ
Ｈ）もしくはＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、Ｒ3 ＣＯ
ＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 ：炭素数１以上のアルキル基）
で示される溶媒に混合し、Ｎｂ溶液を作製する。
ら選択される１種のＮｂ化合物を酢酸（ＣＨ3 ＣＯＯ
Ｈ）もしくはＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、Ｒ3 ＣＯ
ＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 ：炭素数１以上のアルキル基）
で示される溶媒に混合し、Ｎｂ溶液を作製する。
【００３８】作製したＳｒ溶液、Ｃａ溶液及びＫ溶液を
Ｋ：Ｓｒ：Ｃａ＝１：２−２ｘ：２ｘのモル比で混合
し、アセチルアセトン等のキレート剤をＫ−Ｓｒ−Ｃａ
溶液の金属量の０．５倍量以上２．５倍量以下加え、混
合する。
Ｋ：Ｓｒ：Ｃａ＝１：２−２ｘ：２ｘのモル比で混合
し、アセチルアセトン等のキレート剤をＫ−Ｓｒ−Ｃａ
溶液の金属量の０．５倍量以上２．５倍量以下加え、混
合する。
【００３９】作製したＫ−Ｓｒ−Ｃａ溶液とＮｂ溶液を
Ｋ−Ｓｒ−Ｃａ：Ｎｂ＝３：５のモル比で混合し、Ｋ−
Ｓｒ−Ｃａ−Ｎｂ前駆体溶液（塗布溶液）とする。作製
した塗布溶液を基板上にスピンコート法、ディップコー
ト法、スプレー法等の手法により成膜する。
Ｋ−Ｓｒ−Ｃａ：Ｎｂ＝３：５のモル比で混合し、Ｋ−
Ｓｒ−Ｃａ−Ｎｂ前駆体溶液（塗布溶液）とする。作製
した塗布溶液を基板上にスピンコート法、ディップコー
ト法、スプレー法等の手法により成膜する。
【００４０】成膜後、３００〜６００℃の温度で０．５
〜５分間有機物分解除去熱処理を行い、膜中に残留した
有機物を燃焼させゲル膜とする。次に７００〜１０００
℃で１〜３０分間結晶化熱処理を行う。１回の膜厚は
０．２μｍ以下が望ましい。
〜５分間有機物分解除去熱処理を行い、膜中に残留した
有機物を燃焼させゲル膜とする。次に７００〜１０００
℃で１〜３０分間結晶化熱処理を行う。１回の膜厚は
０．２μｍ以下が望ましい。
【００４１】成膜−熱処理を所定の膜厚になるまで繰り
返す。最後に、７００℃〜１０００℃で焼成を行っても
良い。得られた誘電体薄膜の膜厚は２μｍ以下である
が、これより厚くなると工程数が増加し、また、コンデ
ンサを構成した場合、容量が小さくなるからである。
返す。最後に、７００℃〜１０００℃で焼成を行っても
良い。得られた誘電体薄膜の膜厚は２μｍ以下である
が、これより厚くなると工程数が増加し、また、コンデ
ンサを構成した場合、容量が小さくなるからである。
【００４２】また、Ｘ線回折における（００１）面のピ
ーク強度Ｉ(001) と（２１１）面のピーク強度Ｉ(211)
のピーク強度比Ｉ(001) ／Ｉ(211) を３０以上とするた
めには、７００〜１０００℃で１分〜３０分間結晶化熱
処理を行う回数により制御することができる。つまり、
成膜工程、有機物分解除去熱処理工程、結晶化熱処理を
６回繰り返して形成された誘電体薄膜は、成膜工程、有
機物分解除去熱処理工程を２回繰り返した後、結晶化熱
処理工程を行う作業を３回繰り返して形成された誘電体
薄膜よりもピーク強度比Ｉ(001) ／Ｉ(211) が大きくな
るのである。
ーク強度Ｉ(001) と（２１１）面のピーク強度Ｉ(211)
のピーク強度比Ｉ(001) ／Ｉ(211) を３０以上とするた
めには、７００〜１０００℃で１分〜３０分間結晶化熱
処理を行う回数により制御することができる。つまり、
成膜工程、有機物分解除去熱処理工程、結晶化熱処理を
６回繰り返して形成された誘電体薄膜は、成膜工程、有
機物分解除去熱処理工程を２回繰り返した後、結晶化熱
処理工程を行う作業を３回繰り返して形成された誘電体
薄膜よりもピーク強度比Ｉ(001) ／Ｉ(211) が大きくな
るのである。
【００４３】尚、本発明の誘電体薄膜では、Ｃｕ−Ｋα
線を用いたＸ線回折測定において、（００１）面のピー
クは２θ＝２２．８度付近、（２１１）面のピークは２
θ＝２８度付近に生じる。
線を用いたＸ線回折測定において、（００１）面のピー
クは２θ＝２２．８度付近、（２１１）面のピークは２
θ＝２８度付近に生じる。
【００４４】
【実施例】実施例１ 酢酸Ｓｒ０．５水和物を秤量し、酢酸中で還流操作（１
１８℃で１時間）を行い、０．５Ｍ（ｍｏｌ／ｌ）濃度
のＳｒ溶液を合成した。
１８℃で１時間）を行い、０．５Ｍ（ｍｏｌ／ｌ）濃度
のＳｒ溶液を合成した。
【００４５】次にＫエトキシドを酢酸に室温で混合、溶
解し、０．５Ｍ濃度のＫ溶液を作製し、Ｃａエトキシド
を酢酸に室温で混合、溶解し、０．５Ｍ濃度のＣａ溶液
を作製し、Ｎｂエトキシドを酢酸に室温で混合、溶解
し、０．５Ｍ濃度のＮｂ溶液を作製した。
解し、０．５Ｍ濃度のＫ溶液を作製し、Ｃａエトキシド
を酢酸に室温で混合、溶解し、０．５Ｍ濃度のＣａ溶液
を作製し、Ｎｂエトキシドを酢酸に室温で混合、溶解
し、０．５Ｍ濃度のＮｂ溶液を作製した。
【００４６】Ｋ溶液と、Ｓｒ、Ｃａ溶液を、Ｋ：Ｓｒ：
Ｃａ＝１：１．６：０．４のモル比率で混合し、その
後、アセチルアセトンをＫ−Ｓｒ−Ｃａ溶液の全金属量
の１倍量添加後、室温で１０分間撹拌し、安定化させ
た。
Ｃａ＝１：１．６：０．４のモル比率で混合し、その
後、アセチルアセトンをＫ−Ｓｒ−Ｃａ溶液の全金属量
の１倍量添加後、室温で１０分間撹拌し、安定化させ
た。
【００４７】Ｋ−Ｓｒ−Ｃａ溶液とＮｂ溶液をＫ−Ｓｒ
−Ｃａ：Ｎｂ＝３：５となるように混合し、１０分間室
温で撹拌することにより、０．５Ｍ濃度のＫ（Ｓｒ0.80
Ｃａ0.20）2 Ｎｂ5 Ｏ15前駆体溶液（塗布溶液）を合成
した。
−Ｃａ：Ｎｂ＝３：５となるように混合し、１０分間室
温で撹拌することにより、０．５Ｍ濃度のＫ（Ｓｒ0.80
Ｃａ0.20）2 Ｎｂ5 Ｏ15前駆体溶液（塗布溶液）を合成
した。
【００４８】サファイア単結晶基板上に６５０℃でスパ
ッタ蒸着された（１１１）面がでたＰｔ薄膜電極の表面
に、前記塗布溶液をスピンコータで塗布し、乾燥させた
後、３３０℃で有機物分解除去熱処理を１分間行い、続
いて７００℃で４分間結晶化熱処理をおこなった。塗布
溶液の塗布、有機物分解除去熱処理、結晶化熱処理を１
２回繰り返し、膜厚０．９２μｍのＫ（Ｓｒ0.80Ｃａ
0.20）2 Ｎｂ5 Ｏ15薄膜を得た。
ッタ蒸着された（１１１）面がでたＰｔ薄膜電極の表面
に、前記塗布溶液をスピンコータで塗布し、乾燥させた
後、３３０℃で有機物分解除去熱処理を１分間行い、続
いて７００℃で４分間結晶化熱処理をおこなった。塗布
溶液の塗布、有機物分解除去熱処理、結晶化熱処理を１
２回繰り返し、膜厚０．９２μｍのＫ（Ｓｒ0.80Ｃａ
0.20）2 Ｎｂ5 Ｏ15薄膜を得た。
【００４９】サファイア基板の逆格子を基準にして散乱
ベクトルが基板表面に常に垂直になるように、Ｃｕ−Ｋ
α線を用いたＸ線回折測定を行うことにより、得られた
薄膜が基板表面に対して垂直にｃ軸配向しているタング
ステンブロンズ構造をもつ薄膜であることを確認した。
ベクトルが基板表面に常に垂直になるように、Ｃｕ−Ｋ
α線を用いたＸ線回折測定を行うことにより、得られた
薄膜が基板表面に対して垂直にｃ軸配向しているタング
ステンブロンズ構造をもつ薄膜であることを確認した。
【００５０】（００２）ピークにおいて結晶のみを回転
させてロッキングカーブをとると半値幅で約５度のモザ
イク度であった。また（２１１）ピークにおいて結晶の
みを回転させてロッキングカーブをとり、優先配向に起
因するピークが存在しないことを確認した。配向した粒
子に起因した（００１）回折ピークと無配向粒子に起因
した（２１１）回折ピークの強度比Ｉ(001) ／Ｉ(211)
を求め、（００１）優先配向度と定義した。
させてロッキングカーブをとると半値幅で約５度のモザ
イク度であった。また（２１１）ピークにおいて結晶の
みを回転させてロッキングカーブをとり、優先配向に起
因するピークが存在しないことを確認した。配向した粒
子に起因した（００１）回折ピークと無配向粒子に起因
した（２１１）回折ピークの強度比Ｉ(001) ／Ｉ(211)
を求め、（００１）優先配向度と定義した。
【００５１】作製した０．９２μｍの膜厚の薄膜表面に
直径０．２ｍｍの金電極をスパッタ蒸着により形成し、
薄膜コンデンサを作製した後、５００℃で１０分間熱処
理した。ＬＣＲメータ（ヒュウレットパッカード社製４
２８４Ａ）を用いて、２５℃、１ｋＨｚ（ＡＣ１００ｍ
Ｖ）の条件で比誘電率、誘電損失を求めた。
直径０．２ｍｍの金電極をスパッタ蒸着により形成し、
薄膜コンデンサを作製した後、５００℃で１０分間熱処
理した。ＬＣＲメータ（ヒュウレットパッカード社製４
２８４Ａ）を用いて、２５℃、１ｋＨｚ（ＡＣ１００ｍ
Ｖ）の条件で比誘電率、誘電損失を求めた。
【００５２】さらに、ＤＣバイアス特性を、室温におい
て電圧を印加しない場合の比誘電率Ｋ0 、直流電界３Ｖ
／μｍの電圧を印加したときの比誘電率をＫ1 とした時
に、（Ｋ0 −Ｋ1 ）／Ｋ0 ×１００で求めた比誘電率の
減少率として、表１に記載した。
て電圧を印加しない場合の比誘電率Ｋ0 、直流電界３Ｖ
／μｍの電圧を印加したときの比誘電率をＫ1 とした時
に、（Ｋ0 −Ｋ1 ）／Ｋ0 ×１００で求めた比誘電率の
減少率として、表１に記載した。
【００５３】次に、作製した０．９２μｍ膜厚の膜の表
面に直径０．０５ｍｍの金電極をスパッタ蒸着により形
成し、薄膜コンデンサを作製した後、５００℃で１０分
間熱処理した。この薄膜コンデンサについて、インピー
ダンスアナライザ（ヒュウレットパッカード社製ＨＰ４
２９１Ａ，フィクスチャーＨＰ１６０９２Ａ）およびマ
イクロプローブを用いて１ＭＨｚ〜１．８ＧＨｚにおけ
る特性評価をおこなった。
面に直径０．０５ｍｍの金電極をスパッタ蒸着により形
成し、薄膜コンデンサを作製した後、５００℃で１０分
間熱処理した。この薄膜コンデンサについて、インピー
ダンスアナライザ（ヒュウレットパッカード社製ＨＰ４
２９１Ａ，フィクスチャーＨＰ１６０９２Ａ）およびマ
イクロプローブを用いて１ＭＨｚ〜１．８ＧＨｚにおけ
る特性評価をおこなった。
【００５４】インピーダンスー周波数特性の測定によ
り、１００ＭＨｚにおける等価直列容量を評価し、比誘
電率を求めた。またＳｒのＣａによる置換量を変化さ
せ、同じようにして特性を評価した。これらの結果を表
１に記載する。
り、１００ＭＨｚにおける等価直列容量を評価し、比誘
電率を求めた。またＳｒのＣａによる置換量を変化さ
せ、同じようにして特性を評価した。これらの結果を表
１に記載する。
【００５５】尚、−２５℃の静電容量の変化率（％）
は、−２５℃の静電容量をＣ-25 とし、２５℃の静電容
量をＣ25とした時、（Ｃ-25 −Ｃ25）×１００／Ｃ25で
求め、８５℃の静電容量の変化率（％）は、８５℃の静
電容量をＣ85とし、２５℃の静電容量をＣ25とした時、
（Ｃ85−Ｃ25）×１００／Ｃ25で求めた。
は、−２５℃の静電容量をＣ-25 とし、２５℃の静電容
量をＣ25とした時、（Ｃ-25 −Ｃ25）×１００／Ｃ25で
求め、８５℃の静電容量の変化率（％）は、８５℃の静
電容量をＣ85とし、２５℃の静電容量をＣ25とした時、
（Ｃ85−Ｃ25）×１００／Ｃ25で求めた。
【００５６】
【表１】
【００５７】この表１から判るように、本発明の誘電体
薄膜は、１００ＭＨｚにおいて９５０以上の高誘電率を
有し、３Ｖ／μｍの電界印加下においても比誘電率の減
少率が２６％未満で、静電容量の温度変化率も±１７％
未満で、かつ誘電損失が２．３％未満であるのに対し
て、比較例の試料Ｎo.５では１ｋＨｚにおける比誘電率
が３２０と低く、また試料Ｎo.６では、１ｋＨｚにおけ
る比誘電率は２０００と大きいものの、誘電損失が１２
％と大きいことが判る。
薄膜は、１００ＭＨｚにおいて９５０以上の高誘電率を
有し、３Ｖ／μｍの電界印加下においても比誘電率の減
少率が２６％未満で、静電容量の温度変化率も±１７％
未満で、かつ誘電損失が２．３％未満であるのに対し
て、比較例の試料Ｎo.５では１ｋＨｚにおける比誘電率
が３２０と低く、また試料Ｎo.６では、１ｋＨｚにおけ
る比誘電率は２０００と大きいものの、誘電損失が１２
％と大きいことが判る。
【００５８】試料Ｎo.３のＸ線回折パターンを図１の
（ａ）として、試料Ｎo.５のＸ線回折パターンを図１の
（ｂ）として記載した。
（ａ）として、試料Ｎo.５のＸ線回折パターンを図１の
（ｂ）として記載した。
【００５９】実施例２ また、溶液作製方法、特性評価方法は上記方法と同じで
あるが、溶液塗布後の熱処理条件を変えることにより、
（００１）優先配向度の異なる試料を次の様に作製し、
その優先配向度を表２に記載した。
あるが、溶液塗布後の熱処理条件を変えることにより、
（００１）優先配向度の異なる試料を次の様に作製し、
その優先配向度を表２に記載した。
【００６０】即ち、溶液塗布、有機物分解除去熱処理を
２回繰り返した後に結晶化熱処理を行う工程を６回繰り
返し、Ｋ（Ｓｒ1-x Ｃａx ）2 Ｎｂ5 Ｏ15膜を得た（試
料Ｎo.８）。また溶液塗布、有機物分解除去熱処理を４
回繰り返した後結晶化熱処理を行う工程を３回繰り返
し、Ｋ（Ｓｒ1-x Ｃａx ）2 Ｎｂ5 Ｏ15膜を得た（試料
Ｎo.９）。さらに溶液塗布、有機物分解除去熱処理を６
回繰り返した後に結晶化熱処理を行う工程を２回繰り返
し、Ｋ（Ｓｒ1-x Ｃａx ）2 Ｎｂ5 Ｏ15膜を得た（試料
Ｎo.１０）。尚、試料Ｎo.７は表１の試料Ｎo.３と同一
試料である。
２回繰り返した後に結晶化熱処理を行う工程を６回繰り
返し、Ｋ（Ｓｒ1-x Ｃａx ）2 Ｎｂ5 Ｏ15膜を得た（試
料Ｎo.８）。また溶液塗布、有機物分解除去熱処理を４
回繰り返した後結晶化熱処理を行う工程を３回繰り返
し、Ｋ（Ｓｒ1-x Ｃａx ）2 Ｎｂ5 Ｏ15膜を得た（試料
Ｎo.９）。さらに溶液塗布、有機物分解除去熱処理を６
回繰り返した後に結晶化熱処理を行う工程を２回繰り返
し、Ｋ（Ｓｒ1-x Ｃａx ）2 Ｎｂ5 Ｏ15膜を得た（試料
Ｎo.１０）。尚、試料Ｎo.７は表１の試料Ｎo.３と同一
試料である。
【００６１】
【表２】
【００６２】この表２から判るように、本発明の誘電体
薄膜は、結晶化熱処理の回数が多くなる程ピーク強度比
Ｉ(001) ／Ｉ(211) が大きくなり、比誘電率が大きくな
ることが判る。
薄膜は、結晶化熱処理の回数が多くなる程ピーク強度比
Ｉ(001) ／Ｉ(211) が大きくなり、比誘電率が大きくな
ることが判る。
【００６３】
【発明の効果】本発明の誘電体薄膜は、鉛を含有しない
ため環境影響が小さく、また誘電損失が小さい上に、１
００ＭＨｚのような高周波においても比誘電率が大きい
ため、素子の小型化を図ることができるとともに、ＩＣ
まわりのデカップリングコンデンサ等の高周波で用いら
れるコンデンサとして広く適用できる。
ため環境影響が小さく、また誘電損失が小さい上に、１
００ＭＨｚのような高周波においても比誘電率が大きい
ため、素子の小型化を図ることができるとともに、ＩＣ
まわりのデカップリングコンデンサ等の高周波で用いら
れるコンデンサとして広く適用できる。
【図１】試料Ｎo.３と試料Ｎo.５のＸ線回折パターンを
示す図である。
示す図である。
Claims (4)
- 【請求項１】金属元素としてＫ、Ｓｒ、ＣａおよびＮｂ
を含むタングステンブロンズ型複合酸化物からなる誘電
体薄膜であって、前記金属元素酸化物のモル比による組
成式を Ｋ（Ｓｒ1-x Ｃａx ）2 Ｎｂ5 Ｏ15 と表した時、前記ｘが ０＜ｘ≦０．２５ を満足することを特徴とする誘電体薄膜。 - 【請求項２】膜厚が２μｍ以下であることを特徴とする
請求項１記載の誘電体薄膜。 - 【請求項３】Ｘ線回折における（００１）面のピーク強
度Ｉ(001) と（２１１）面のピーク強度Ｉ(211) のピー
ク強度比Ｉ(001) ／Ｉ(211) が３０以上であることを特
徴とする請求項１または２記載の誘電体薄膜。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の誘電体
薄膜の両面に一対の電極を対向して形成してなることを
特徴とするセラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27619598A JP3457892B2 (ja) | 1998-09-29 | 1998-09-29 | 誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27619598A JP3457892B2 (ja) | 1998-09-29 | 1998-09-29 | 誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114093A true JP2000114093A (ja) | 2000-04-21 |
| JP3457892B2 JP3457892B2 (ja) | 2003-10-20 |
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ID=17566029
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27619598A Expired - Fee Related JP3457892B2 (ja) | 1998-09-29 | 1998-09-29 | 誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ |
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|---|---|
| JP (1) | JP3457892B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7727921B2 (en) * | 2007-02-22 | 2010-06-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor |
| JP2012169635A (ja) * | 2005-04-18 | 2012-09-06 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| WO2012157740A1 (ja) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 高誘電性ナノシート積層体及び高誘電体素子とその製造方法 |
| JP2018135254A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物及び電子部品 |
| WO2021084252A1 (en) * | 2019-10-31 | 2021-05-06 | University Of Leeds | Ceramic |
| CN113698082A (zh) * | 2021-09-10 | 2021-11-26 | 成都光明光电股份有限公司 | 微晶玻璃成型体的制造方法 |
-
1998
- 1998-09-29 JP JP27619598A patent/JP3457892B2/ja not_active Expired - Fee Related
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