JP3383534B2 - 薄膜コンデンサ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は薄膜コンデンサに関
するものである。 【０００２】 【従来技術】２種以上の金属からなる複合ペロブスカイ
ト酸化物、特にＰｂ（Ｍｇ_1/3 Ｎｂ_2/3 ）Ｏ₃ （以下、
ＰＭＮという）は室温で大きな比誘電率を有するため、
コンデンサ材料として有用であることが知られている。 【０００３】このようなＰＭＮ焼結体として、従来、Ｐ
ｂＯ粉末とＭｇＣＯ₃ 粉末とＮｂ₂O₅ 粉末とを一括して
混合粉砕し、焼結する固相焼結法が知られている。しか
しながら、このような一括して混合粉砕する固相焼結に
よるＰＭＮ焼結体の作製では、ほぼペロブスカイト単相
からなる焼結体を得るのは困難であり、低温で安定なパ
イロクロア相が生成し易く、また生成したパイロクロア
相は比誘電率が低いため、結果として焼結体の比誘電率
が低くなり、コンデンサ材料として不適当な場合が多
い。 【０００４】このため、固相焼結法では、ＭｇＮｂ酸化
物（ＭｇＮｂ₂ Ｏ₆ ）とＰｂ原料、およびＴｉ原料を反
応させるコランバイト法による合成が行われている。こ
の方法によれば、ほぼペロブスカイト単相の焼結体を得
ることが可能となり、比誘電率を１５０００以上とする
ことができる。しかしながら、従来、これらバルク材料
は比誘電率の周波数分散が大きく、１ＭＨｚ以上の高周
波では比誘電率が小さくなり、コンデンサとして機能し
なくなると考えられていた。 【０００５】近年、電子機器の小型、薄形化に伴い、電
子部品の小型化，薄膜化が要求されている。特に受動部
品であるコンデンサの小型、薄形化は必須となってい
る。また、コンピュータ等の高速デジタル回路を用いた
電子機器は高周波化の流れにあり、数１０ＭＨｚから数
１００ＭＨｚの動作周波数帯域が重要になってきてい
る。これにともない、コンデンサ等の受動部品も高周波
もしくは高速デジタルパルスに対して優れた特性を示す
ことが必須になってきている。 【０００６】近年、ＰＭＮ等の高誘電率材料を薄膜化
し、薄膜コンデンサに応用しようとされているが、従来
の固相焼結法では膜厚はせいぜい１０μｍ程度であっ
た。また薄膜においても固相焼結法による焼結体と同
様、低温で安定なパイロクロア相が生成し易く、ほぼペ
ロブスカイト単相からなる膜を得るのが困難となり、コ
ンデンサ材料として不適当な場合が多い。特に薄膜化す
る場合、下部電極との格子の不整合および化学結合の相
違等でパイロクロア相が生成し易いという問題がある言
われており（例えば、特開平６−５７４３７号公報参
照）、パイロクロア相の少ないペロブスカイト単相のＰ
ＭＮ薄膜を得るのが困難であった。 【０００７】これらのパイロクロア相生成の問題を解決
する手法として、ゾルゲル法で作製されたＰＭＮ薄膜に
おいては、急速昇温焼成（特開平２−１７７５２１号公
報参照）やシーディング法（特開平６−５７４３７号公
報参照）等の種々の手法が提案されており、ペロブスカ
イト単相に近いＰＭＮ薄膜が得られている。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、急速昇
温焼成法，シーディング法によるＰＭＮ薄膜では、ほぼ
ペロブスカイト単相からなる膜が得られているが、未だ
室温における比誘電率が低く、ＰＭＮ系材料本来の特性
が発揮されていないのが現状であった。 【０００９】また、典型的なコンデンサ材料であるＢａ
ＴｉＯ₃ 、Ｐｂ（Ｍｇ_1/3 Ｎｂ_2/3）Ｏ₃ のようなリラ
クサ材料は１ＫＨｚ程度の低周波数においては大きな比
誘電率を示し、コンデンサ材料として優れた材料である
が、周波数分散が大きいため、高周波領域における比誘
電率の減少が大きく、高周波領域では高誘電率材料とし
て使えないと考えられてきた（特開平６−７７０８３号
公報参照）。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
の解決方法を鋭意検討した結果、バルクにおいて、マク
ロな自発分極を持たないため、ＤＣバイアス依存性が小
さく、かつ大きな比誘電率を持つＰＭＮに反強誘電体で
ある為、ＤＣバイアス依存性が小さいＰｂＺｒＯ₃ を固
溶した材料を薄膜化することにより、ＤＣバイアス印加
下でも大きな比誘電率を示し、かつ高周波領域において
も比誘電率の減少が小さくなることを知見し、本発明に
至った。 【００１１】即ち、本発明の薄膜コンデンサは、基板上
に電極、誘電体薄膜、電極を順次積層してなる高周波用
の薄膜コンデンサにおいて、前記電極が、配向した白金
（Ｐｔ）又は金（Ａｕ）からなるとともに、前記誘電体
薄膜が、金属元素としてＰｂ、Ｍｇ、ＮｂおよびＺｒを
含むペロブスカイト型複合酸化物からなる膜厚２μｍ以
下の誘電体薄膜であって、前記金属元素酸化物のモル比
による組成式を （１−ｘ）Ｐｂ _a （Ｍｇ _b/3 Ｎｂ _2/3 ）Ｏ ₃ ・ｘＰｂ _a ＺｒＯ ₃ と表した時、前記ｘ、ａおよびｂが ０＜ｘ≦０．３０ １．０５≦ａ≦１．１０ １≦ｂ≦１．１５ を満足するとともに、測定周波数１ｋＨｚ（室温）にお
いて比誘電率が１５００以上であり、かつ、測定周波数
１００ＭＨｚ（室温）における比誘電率が１５００以上
であることを特徴とする。 【００１２】 【００１３】 【作用】本発明で用いる誘電体薄膜によれば、マクロな
自発分極を持たないためＤＣバイアス特性に優れ、かつ
高誘電率であるＰＭＮに、反強誘電体であるため特にＤ
Ｃバイアス特性に優れたＰｂＺｒＯ₃を固溶するため、
高誘電率でＤＣバイアス特性に優れた材料になる。 【００１４】またＰｂＺｒＯ₃ を固溶することにより、
比誘電率の最大となる温度が高温側にシフトし、室温以
上での比誘電率が向上する。 【００１５】また、薄膜にすることにより、ペロブスカ
イト型複合酸化物の平均結晶粒子径がサブミクロンのオ
ーダに小さくなり、より常誘電体的性質が支配的になる
ため、静電容量の温度特性及びＤＣバイアス特性を良好
とすることができる。また、１００ＭＨｚの様な高周波
においても、強誘電性の起源であるマクロな自発分極が
ないために自発分極に起因する誘電率の周波数分散が小
さく、高周波においても大きな比誘電率を示す。 【００１６】本発明の薄膜コンデンサでは、上記したよ
うな優れた特性を有する誘電体薄膜の両面に、膜厚０．
０５μｍ以上の白金（Ｐｔ）又は金（Ａｕ）薄膜である
一対の電極を対向して形成することにより、高周波にお
いても高誘電率で優れた薄膜コンデンサを得ることがで
きる。 【００１７】 【発明の実施の形態】本発明で用いる誘電体薄膜は、膜
厚２μｍ以下の誘電体薄膜である。ここで、膜厚２μｍ
以下の誘電体薄膜としたのは、これより厚くなると工程
数が増加し、また、コンデンサを構成した場合、容量が
小さくなるからである。誘電体薄膜の膜厚は、製造の容
易性、膜質劣化の点で１μｍ以下が望ましく、さらに膜
の絶縁性を考慮すると特に０．３μｍ〜１μｍが望まし
い。 【００１８】また、モル比による組成式を、（１−ｘ）
Ｐｂ_a（Ｍｇ_b/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃・ｘＰｂ_aＺｒＯ₃と表した
時、前記ｘ、ａおよびｂが０＜ｘ≦０．３０、１．０５
≦ａ≦１．１０、１≦ｂ≦１．１５を満足するととも
に、測定周波数１ｋＨｚ（室温）において比誘電率が１
５００以上であり、かつ、測定周波数１００ＭＨｚ（室
温）における比誘電率が１５００以上のものである。 【００１９】このように、ＰｂＺｒＯ₃ 量を示すｘを
０．３以下としたのは、ｘが０．３よりも多くなると、
室温での比誘電率が１ｋＨｚにおいて１５００以下とな
るからである。比誘電率を向上するにはｘの範囲は０＜
ｘ≦０．２０が望ましい。 【００２０】また、ａを１．０５〜１．１としたのは、
ａが１よりも小さい場合には、パイロクロア相が生成
し、比誘電率が低下するからであり、１．１よりも大き
い場合にはＰｂＯが粒界に析出し、比誘電率が低下する
からであり、また、ａを１．０５〜１．１とすることに
より、特性の再現性を向上できるからである。 【００２１】さらに、ｂを１〜１．１５としたのは、ｂ
が１よりも小さい場合や１．１５よりも大きい場合に
は、比誘電率が低下するからである。ｂは特性の再現性
が良いという理由から１〜１．１であることが望まし
い。 【００２２】また、本発明の薄膜コンデンサは、上記し
た誘電体薄膜の両面に一対の電極を対向して形成してな
るものである。尚、誘電体薄膜と電極とを交互に積層し
た積層セラミックコンデンサであっても良いことは勿論
である。 【００２３】コンデンサの電極としては、厚さ０．０５
μｍ以上の配向した白金（Ｐｔ）又は金（Ａｕ）薄膜で
ある。Ｐｔ、Ａｕは膜との反応性が小さく、また酸化さ
れにくい為、膜との界面に低誘電率相が形成されにくい
からである。 【００２４】膜厚を０．０５μｍ以上としたのは０．０
５μｍ未満であると高周波領域における等価直列抵抗が
大きくなるためである。配向した白金（Ｐｔ）薄膜と
は、配向性または単結晶的白金（Ｐｔ）薄膜であり、配
向性を有するＰｔ薄膜とは、３つの結晶軸のうち一つの
軸が膜表面に近似的に垂直な方向に揃った膜であり、単
結晶的Ｐｔ薄膜とは３つの結晶軸が全て揃った膜であ
る。このような電極は、スパッタ蒸着やレーザ蒸着法等
物理的蒸着において、電極が形成される基板温度を４５
０℃以上とすることにより得られるもので、これらのう
ちでも、基板温度を４５０℃以上としたスパッタ蒸着が
望ましい。 【００２５】また、金属薄膜を蒸着する基板としては、
アルミナ、サファイア、ＭｇＯ単結晶、ＳｒＴｉＯ₃ 単
結晶、チタン被覆シリコン、または銅（Ｃｕ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）、ステンレ
ススティール（ＳＵＳ）薄膜もしくは薄板が望ましい。
特に、薄膜との反応性が小さく、安価で硬度が大きく、
かつ金属薄膜の結晶性という点からアルミナ、サファイ
アが望ましく、高周波領域における低抵抗化の点で銅
（Ｃｕ）薄板または銅（Ｃｕ）薄膜が望ましい。 【００２６】本発明の薄膜コンデンサは、Ｐｔ又はＡｕ
を基板上にスパッタ法、蒸着法、グラビア印刷等の手法
により成膜して下部電極を形成し、この下部電極膜の表
面に、誘電体膜を後述する方法で成膜して形成し、この
後に誘電体薄膜表面に下部電極と同様にして上部電極を
成膜することにより得られる。また、積層コンデンサは
誘電体膜と電極とを交互に積層することにより得られ
る。 【００２７】本発明で用いる誘電体薄膜は、例えば、以
下のようにして作製される。先ず、塗布溶液としてＰ
ｂ、Ｍｇ、Ｎｂ、およびＺｒの有機金属化合物が均一に
溶解し前駆体溶液を調製する。 【００２８】次に、Ｍｇ、及びＮｂの有機酸塩、無機
塩、アルコキシドから選択される少なくとも１種のＭｇ
化合物、Ｎｂ化合物をＭｇ：Ｎｂ＝ｂ：２（１≦ｂ≦
１．１５）のモル比でＲ₁ ＯＨ、Ｒ₂ ＯＣ₂ Ｈ₄ ＯＨ、
Ｒ₃ ＣＯＯＨ（Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃：炭素数１以上のアル
キル基）で示される溶媒に混合する。混合後、所定の操
作を行い、ＩＲスペクトルにおいて６５６ｃｍ^-1付近に
吸収を有し、他の求核性の有機金属化合物の存在下にお
いても安定なＭｇ−Ｏ−Ｎｂ結合を有するＭｇＮｂ複合
アルコキシド分子を合成する。 【００２９】ＩＲスペクトルにおいて６５６ｃｍ^-1付近
に吸収を有するＭｇＮｂ複合アルコキシド分子を得るに
は、以下のような方法がある。 【００３０】第１の方法として、ＭｇおよびＮｂのアル
コキシド原料を溶媒に混合し、溶媒の沸点まで溶液の温
度を上昇させ、例えば酸等の触媒の共存下で還流操作を
行うことにより、分子内での脱エーテル反応を促進する
方法。 【００３１】第２の方法として、上記のようにＭｇおよ
びＮｂのアルコキシド原料を溶媒に混合し、溶媒の沸点
まで溶液の温度を上昇させ、還流操作による複合化を行
った後、無水酢酸、エタノールアミン、アセチルアセト
ン等に代表される安定化剤を添加する方法。 【００３２】第３の方法として、Ｍｇのカルボン酸塩と
Ｎｂのアルコキシドとの還流操作により、分子内での脱
エステル反応を促進する方法。 【００３３】第４の方法として、Ｍｇの水酸化物とＮｂ
のアルコキシド、あるいはＭｇのアルコキシドとＮｂの
水酸化物の還流操作により、分子内での脱アルコール反
応を促進する方法。 【００３４】第５の方法しとて、鉛前駆体の求核性を小
さくする為、前述の無水酢酸，エタノールアミン、アセ
チルアセトン等の安定化剤を添加する方法。 【００３５】以上のいずれかの手法を用いる事により、
他の求核性有機金属化合物の存在下においても安定なＭ
ｇ−Ｏ−Ｎｂ結合を有するＭｇＮｂ複合アルコキシド分
子を合成できる。これらのうちでも、第２の還流操作後
に安定化剤を添加する方法が最も望ましい。 【００３６】また、合成した上記ＭｇＮｂ複合アルコキ
シド溶液に水と溶媒の混合溶液を適下し、部分加水分解
を行い、前述のＭｇＮｂ複合アルコキシドが重縮合した
ＭｇＮｂゾルを形成させる。部分加水分解とは、分子内
のアルコキシル基の一部を水酸基と置換し、置換された
分子内での脱水、あるいは脱アルコール反応により、重
縮合させる方法である。 【００３７】次に、鉛（Ｐｂ）の有機酸塩、無機塩、ア
ルコキシドから選択される少なくとも１種の鉛化合物を
Ｒ₁ ＯＨ、Ｒ₂ ＯＣ₂ Ｈ₄ ＯＨ、Ｒ₃ ＣＯＯＨ（Ｒ₁ 、
Ｒ₂、Ｒ₃ ：炭素数１以上のアルキル基）で示される溶
媒に混合する。この時、鉛化合物が結晶水を含む場合に
は、作製したＰｂ前駆体溶液中に水が存在しないように
脱水処理する。 【００３８】作製したＰｂ前駆体溶液とＭｇＮｂ複合ア
ルコキシド溶液、あるいはＭｇＮｂゾルをＰｂ：（Ｍｇ
＋Ｎｂ）＝ａ：（ｂ＋２）／３（１．０５≦ａ≦１．１
０）のモル比で混合し、ＰＭＮ前駆体溶液とする。 【００３９】Ｚｒの有機酸塩、アルコキシド等から選択
される１種のＺｒ化合物と前述したＰｂ前駆体溶液とを
Ｐｂ：Ｚｒ＝ａ：１（１．０５≦ａ≦１．１０）のモル
比で混合した後、還流操作を行いＰＺ前駆体溶液を合成
する。 【００４０】前述のＰＭＮ前駆体溶液とＰＺ前駆体溶液
をモル比でＰＭＮ：ＰＺ＝（１−ｘ）：ｘとなる様に混
合し、（１−ｘ）ＰＭＮ−ｘＰＺ前駆体溶液とする。 【００４１】または、Ｚｒの有機酸塩、アルコキシド等
から選択される１種のＺｒ化合物をＲ₁ ＯＨ、Ｒ₂ ＯＣ
₂ Ｈ₄ ＯＨ、Ｒ₃ ＣＯＯＨ（Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ ：炭素数
１以上のアルキル基）で示される溶媒に混合し、Ｚｒ溶
液を作製する。作製したＺｒ溶液をＭｇＮｂ複合アルコ
キシド溶液、あるいはＭｇＮｂゾルと混合した後、アセ
チルアセトン等のキレート剤をＭｇ−Ｎｂ溶液の金属量
の０．５倍量以上加え、混合する。 【００４２】作製したＰｂ前駆体溶液もしくは酢酸Ｐｂ
・３水和物のような鉛（Ｐｂ）の有機酸塩と混合し、
（１−ｘ）ＰＭＮ−ｘＰＺ前駆体溶液とする。 【００４３】作製した塗布溶液を基板上にスピンコート
法，ディップコート法，スプレー法等の手法により、成
膜する。 【００４４】成膜後、３００℃〜４００℃の温度で１分
間熱処理を行い、膜中に残留した有機物を燃焼させ、ゲ
ル膜とする。１回の膜厚は０．１μｍ以下が望ましい。 【００４５】成膜−熱処理を所定の膜厚になるまで繰り
返した後、７５０℃〜８５０℃で焼成を行い、本発明の
結晶質の誘電体薄膜が作製される。得られた誘電体薄膜
の膜厚は２μｍ以下であるが、これより厚くなると工程
数が増加し、また、コンデンサを構成した場合、容量が
小さくなるからである。 【００４６】 【実施例】 実施例１ ＭｇエトキシドとＮｂエトキシドを１．０５：２のモル
比で秤量し、２−メトキシエタノ−ル中で還流操作（１
２４℃で１７時間）を行い、１Ｍ（ｍｏｌ／ｌ）濃度の
ＭｇＮｂ複合アルコキシド溶液を合成した。ＩＲスペク
トルにおいて、６５６ｃｍ^-1付近にＭｇ−Ｏ−Ｎｂ結合
による吸収が見られた。次にＺｒプロポキシドを２−メ
トキシエタノ−ルに室温で溶解し、１Ｍ濃度のＺｒ溶液
を作製した。１Ｍ濃度のＺｒ溶液を、ＭｇＮｂ複合アル
コキシド溶液に、（Ｍｇ＋Ｎｂ）：Ｚｒ＝１−ｘ：ｘの
比率で混合し、その後、アセチルアセトンをＭｇーＮｂ
溶液の全金属量の１倍量添加後、室温で１０分間撹拌
し、安定化させた。酢酸鉛・３水和物と２−メトキシエ
タノールをＭｇ−Ｎｂ−Ｚｒ溶液にＰｂ：（Ｍｇ＋Ｎｂ
＋Ｚｒ）＝１．０５：〔３．０５／３（１−ｘ）＋ｘ〕
となるように混合し、１時間室温で撹拌する事により、
１Ｍ濃度のＰｂ_1.05（Ｍｇ_1.05/3Ｎｂ_2/3 ）_{1- X} Ｚｒ_x
Ｏ₃ （ｘ＝０、０．１、０．２、０．３、０．４）前駆
体溶液を合成した。 【００４７】電極となるＰｔ（１１１）が６５０℃でス
パッタ蒸着されたサファイア単結晶基板上の上記Ｐｔ電
極の表面に、前記塗布溶液をスピンコーターで塗布し、
乾燥させた後、３００℃で熱処理を１分間行い、ゲル膜
を作製した。塗布溶液の塗布−熱処理の操作を１０回繰
り返した後、８２０℃で０．５分間（大気中）の急速昇
温焼成を行い、膜厚０．８０μｍのＰｂ_1.05（Ｍｇ
_1.05/3Ｎｂ_2/3 ）_1-X Ｚｒ_x Ｏ₃ 薄膜を得た。得られた
薄膜のＸ線回折結果より、ペロブスカイト生成率を計算
すると約９８％であった。 【００４８】作製した０．８０μｍ膜厚の薄膜表面に直
径０．２ｍｍの金電極をスパッタ蒸着により形成し、薄
膜コンデンサを作製した後、５００℃で１０分間熱処理
した。ＬＣＲメータ（ヒュウレットパッカード社製４２
８４Ａ）を用いて、２５℃、１ｋＨｚ（ＡＣ１００ｍ
Ｖ）の条件で比誘電率、誘電損失を求めた。 【００４９】さらに、ＤＣバイアス特性を、室温におい
て電圧を印加しない場合の比誘電率Ｋ₀ 、直流電界３Ｖ
／μｍの電圧を印加したときの比誘電率Ｋ₁ とした時
に、（Ｋ₀ −Ｋ₁ ）／Ｋ₀ ×１００で求め、表１に記載
した。 【００５０】次に、作製した０．８０μｍ膜厚の膜の表
面に直径０．０５ｍｍの金電極をスパッタ蒸着により形
成し、薄膜コンデンサを作製した後、５００℃で１０分
間熱処理した。この薄膜コンデンサについて、インピー
ダンスアナライザ（ヒュウレットパッカード社製ＨＰ４
２９１Ａ，フィクスチャーＨＰ１６０９２Ａ）およびマ
イクロプローブを用いて１ＭＨｚ〜１．８ＧＨｚにおけ
る特性評価をおこなった。インピーダンスー周波数特性
の測定により、１００ＭＨｚにおける等価直列容量を評
価し、比誘電率を求めた。これらの結果を表１の試料Ｎ
o.１〜４に記載する。 【００５１】 【表１】 【００５２】この表１から判るように、本発明の誘電体
薄膜は、１００ＭＨｚにおいて１５００以上の高誘電率
を有するのに対して、比較例ではいずれも１００ＭＨｚ
における比誘電率が１５００よりも低いことが判る。 【００５３】また、ＭｇエトキシドとＮｂエトキシドの
比をｂ（０．９〜１．２）：２とし、ＭｇＮｂ複合アル
コキシド溶液を合成し、酢酸鉛・３水和物と２−メトキ
シエタノールをＭｇーＮｂ溶液にＰｂ：（Ｍｇ＋Ｎｂ）
＝ａ（０．９〜１．２）：〔ｂ（０．９〜１．２）＋
２〕（１−ｘ）／３となるように混合する以外は、上記
実施例１と同様に誘電体薄膜を作製し、また、上記実施
例１と同様にして特性を測定した。その結果も表１の試
料Ｎo.５〜１１に記載した。尚、試料Ｎｏ．６は参考試
料である。 【００５４】この表１から、本発明の誘電体薄膜は、１
００ＭＨｚにおいて１５００以上の高誘電率を有し、ま
た、３Ｖ／μｍの電界に対する比誘電率の変化は、３０
％未満の低下であるの対して、比較例ではいずれも１０
０ＭＨｚにおける比誘電率が１５００よりも低いことが
判る。 【００５５】尚、試料Ｎo.１〜４について、ＬＣＲメー
タ（ヒュウレットパッカード社製４２８４Ａ）を用い
て、２５℃、１ｋＨｚ（ＡＣ８００ｍＶ）の条件で比誘
電率、誘電損失、ＤＣバイアス特性を示した。また、Ｌ
ＣＲメーターによって行い、測定周波数ｆ＝１ｋＨｚ、
印加電圧Ｖrms ＝（ＡＣ０．１ＶおよびＡＣ０．８Ｖ）
とした。−２５℃と８５℃の静電容量の変化率を測定
し、これらの結果を表２に示す。 【００５６】尚、−２５℃の静電容量の変化率（％）
は、−２５℃の静電容量をＣ_-25 とし、２５℃の静電容
量をＣ₂₅とした時、（Ｃ_-25 −Ｃ₂₅）×１００／Ｃ₂₅で
求め、８５℃の静電容量の変化率（％）は、８５℃の静
電容量をＣ₈₅とし、２５℃の静電容量をＣ₂₅とした時、
（Ｃ₈₅−Ｃ₂₅）×１００／Ｃ₂₅で求めた。 【００５７】 【表２】【００５８】この表２から、印加電圧Ｖrms がＡＣ８０
０ｍＶの場合の比誘電率は、印加電圧Ｖrms がＡＣ１０
０ｍＶの場合よりも向上していることが判る。 【００５９】 【発明の効果】以上詳述したように、本発明で用いる誘
電体薄膜は、ＤＣバイアス特性、温度特性が優れている
うえに、１００ＭＨｚの様な高周波においても比誘電率
が大きい為、素子の小型化を図ることができるととも
に、ＩＣまわりのデカップリングコンデンサ等の高周波
で用いられる薄膜コンデンサとして広く適用できる。

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】基板上に電極、誘電体薄膜、電極を順次積
   層してなる高周波用の薄膜コンデンサにおいて、前記電
   極が、配向した白金（Ｐｔ）又は金（Ａｕ）からなると
   ともに、前記誘電体薄膜が、金属元素としてＰｂ、Ｍ
   ｇ、ＮｂおよびＺｒを含むペロブスカイト型複合酸化物
   からなる膜厚２μｍ以下の誘電体薄膜であって、前記金
   属元素酸化物のモル比による組成式を （１−ｘ）Ｐｂ_a（Ｍｇ_b/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃・ｘＰｂ_aＺｒＯ₃ と表した時、前記ｘ、ａおよびｂが ０＜ｘ≦０．３０１．０５ ≦ａ≦１．１０ １≦ｂ≦１．１５ を満足するとともに、測定周波数１ｋＨｚ（室温）にお
   いて比誘電率が１５００以上であり、かつ、測定周波数
   １００ＭＨｚ（室温）における比誘電率が１５００以上
   であることを特徴とする薄膜コンデンサ。