JPH10172350A

JPH10172350A - 誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ

Info

Publication number: JPH10172350A
Application number: JP33561196A
Authority: JP
Inventors: Yasuyo Kamigaki; 耕世神垣
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1996-12-16
Filing date: 1996-12-16
Publication date: 1998-06-26

Abstract

(57)【要約】【課題】誘電体薄膜の絶縁性を向上し、高周波領域にお
いても比誘電率が１１００以上の高誘電率を示し、かつ
ＤＣバイアスに対する比誘電率の減少も小さい誘電体薄
膜およびこの誘電体薄膜を用いたセラミックコンデンサ
を提供する。【解決手段】金属元素としてＰｂ、Ｍｇ、Ｎｂを含有す
るペロブスカイト型複合酸化物からなる誘電体薄膜であ
って、前記金属元素酸化物のモル比による組成式を、
（Ｐｂ_a-xＡ_x）（Ｍｇ_b/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃、ここで、
Ａは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｒ、ＳｍおよびＢｉのうち少なく
とも一種、と表した時、前記ａ、ｂおよびｘが、１≦ａ
≦１．１０、１≦ｂ≦１．１０を満足し、ＡがＰｒの時
０．０１≦ｘ≦０．０３、ＡがＢａ、Ｓｒの時０．０１
≦ｘ≦０．０５、ＡがＳｍ、Ｂｉの時０．０１≦ｘ≦
０．０８を満足するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は誘電体薄膜およびこ
の誘電体薄膜を用いたセラミックコンデンサに関するも
のである。

【０００２】

【従来技術】近年、電子機器の小型、薄形化に伴い、電
子部品の小型化，薄膜化が要求されている。特に受動部
品であるコンデンサの小型、薄形化は必須となってい
る。また、コンピュータ等の高速デジタル回路を用いた
電子機器は高周波化の流れにあり、数１０ＭＨｚから数
１００ＭＨｚの動作周波数帯域が重要になってきてい
る。これにともない、コンデンサ等の受動部品も高周波
もしくは高速デジタルパルスに対して優れた特性を示す
ことが必須になってきている。

【０００３】コンデンサを小型高容量にするためには一
対の電極に挟持された誘電体を薄くし、薄膜化すること
が最も有効である。また、近年電子機器のモノリシック
化が進んでおり、電子部品を内蔵するためには薄膜化が
最も有効である。

【０００４】一方で、薄膜化によりＤＣバイアス印加下
での特性が問題になってくる。コンデンサは数ボルト以
下のＤＣ電圧が印加された状態で使用されるが、薄膜に
なるとバルクと同じＤＣ電圧の印加に対して電界強度は
誘電体の厚さに逆比例して大きくなる。この為、ＤＣバ
イアス電界に対して比誘電率の減少の小さい材料が必要
である。

【０００５】また、典型的なコンデンサ材料であるＢａ
ＴｉＯ₃（ＢＴ）や、Ｐｂ（Ｍｇ_1/ ₃Ｎｂ_2/3）Ｏ
₃（ＰＭＮ）のようなリラクサ材料は１ＫＨｚ程度の低
周波数においては大きな比誘電率を示し、コンデンサ材
料として優れた材料であるが、周波数分散が大きいた
め、高周波領域における比誘電率の減少が大きく、高周
波領域においては高誘電率材料として使えないと考えら
れてきた（特開平６−７７０８３号公報参照）。

【０００６】この為、従来高周波用薄膜コンデンサ材料
として、比誘電率は小さいが、自発分極がなく、自発分
極に起因するＤＣバイアス依存性や、高周波領域での比
誘電率の減少の小さい常誘電体であるＴａ₂Ｏ₅やＳｒ
ＴｉＯ₃が主に研究されてきた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の薄膜材料は、測定周波数１ＫＨｚの比誘電率において
も数百程度であり、薄膜コンデンサをさらに小型、高容
量化するのは困難であった。また、これらの薄膜材料は
絶縁抵抗がバルクに比べ１桁小さく、より絶縁性の高い
ものが望まれていた。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題に
ついて鋭意検討した結果、ＰＭＮ薄膜のＰｂ元素をＢ
ａ、Ｓｒ、Ｐｒ、ＳｍおよびＢｉのうち少なくとも一種
で所定量置換することにより、誘電体薄膜の絶縁性が向
上し、１００ＭＨｚの様な高周波領域においても比誘電
率が１１００以上の高誘電率を示し、かつＤＣバイアス
に対する比誘電率の減少も小さくなることを見出し、本
発明に至った。

【０００９】即ち、本発明の誘電体薄膜は、金属元素と
してＰｂ、Ｍｇ、Ｎｂを含有するペロブスカイト型複合
酸化物からなる誘電体薄膜であって、前記金属元素酸化
物のモル比による組成式を、（Ｐｂ_a-xＡ_x）（Ｍｇ
_b/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃、ここで、Ａは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｐ
ｒ、ＳｍおよびＢｉのうち少なくとも一種、と表した
時、前記ａ、ｂおよびｘが、１≦ａ≦１．１０、１≦ｂ
≦１．１０を満足し、ＡがＰｒの時０．０１≦ｘ≦０．
０３、ＡがＢａ、Ｓｒの時０．０１≦ｘ≦０．０５、Ａ
がＳｍ、Ｂｉの時０．０１≦ｘ≦０．０８を満足するも
のである。

【００１０】本発明の誘電体薄膜では、測定周波数１０
０ＭＨｚ（室温）において比誘電率が１１００以上の特
性を有する。

【００１１】本発明のセラミックコンデンサは、上記誘
電体薄膜の両面に一対の電極を形成してなるものであ
る。

【００１２】

【作用】本発明の誘電体薄膜では、揮発性の高い２価の
Ｐｂを、揮発性の低い２価元素、または３価元素により
置換するため、Ｐｂ抜けによる電荷を補償しキャリアを
減少させるとともに、粒成長を抑制し、緻密性を向上す
ることにより、実効的な絶縁抵抗を向上する。また、２
価元素または３価元素の置換により、比誘電率のピーク
温度が低温にシフトするため、室温においてより常誘電
的性質が支配的になり、高周波領域における比誘電率の
減少が小さくなり、高周波領域においても優れた誘電特
性を示す。

【００１３】本発明の誘電体薄膜では、膜厚が２μｍ以
下で、３Ｖ／μｍの電界に対し絶縁抵抗が１×１０¹³以
上であり、測定周波数１ｋＨｚ及び１００ＭＨｚ（室
温）における比誘電率が１１００以上であり、また３Ｖ
／μｍの電界に対し、比誘電率の減少率（ＤＣバイアス
特性）が１５％以下となる。

【００１４】そして、このような誘電体薄膜の両面に、
例えば、膜厚０．０５μｍ以上の白金（Ｐｔ）、金（Ａ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）薄膜である一対の電極を対向
してセラミックコンデンサを形成するとともに、該セラ
ミックコンデンサを、アルミナ、サファイア、ＭｇＯ単
結晶、ＳｒＴｉＯ₃単結晶、Ｔｉ被服Ｓｉもしくは、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｆｅ薄板の基板上に形成することによ
り、高周波領域においても高誘電率で優れた薄膜コンデ
ンサを得ることができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の誘電体薄膜では、組成式
（Ｐｂ_a-xＡ_x）（Ｍｇ_b/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃と表した
時、前記ａ、ｂおよびｘが、１≦ａ≦１．１０、１≦ｂ
≦１．１０ＡがＰｒの時、０．０１≦ｘ≦０．０３ＡがＢａ、Ｓｒの時０．０１≦ｘ≦０．０５ＡがＳｍ、Ｂｉの時０．０１≦ｘ≦０．０８を満足す
るものである。

【００１６】ここで、上記組成式においてａを１〜１．
１０としたのは、ａが１よりも小さい場合は低誘電率結
晶であるパイロクロアが生成し、ａが１．１０よりも大
きく場合には過剰のＰｂが粒界等に析出するため、比誘
電率が低下するからである。

【００１７】また、ｂを１〜１．１０としたのは、ｂが
１よりも小さい場合や１．１０よりも大きい場合にはパ
イロクロアが生成し、比誘電率が低下するからである。
ａおよびｂは、高誘電率という観点から１．０３〜１．
０８であることが望ましい。

【００１８】また、ｘを上記のように限定したのは、ｘ
が０．０１よりも小さい場合には、絶縁抵抗が低下し、
ＤＣバイアス特性が劣化するからである。一方、ＡがＰ
ｒの時０．０３よりも大きい場合、ＡがＢａ、Ｓｒの時
０．０５より大きい場合、さらにＡがＳｍ、Ｂｉの時
０．０８よりも大きい場合には、比誘電率が１１００よ
りも小さくなるからである。

【００１９】Ａとしては、２価もしくは３価の金属を用
いることができるが、ＡサイトのＰｂの一部と置換する
という点から、イオン半径が１．０３Å以上のもの、例
えば、上記したＢａ、Ｓｒ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｂｉの他に、
Ｃａ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ等でも本発明と同様の効果が得
られる。

【００２０】また、本発明のセラミックコンデンサは、
上記誘電体薄膜を一対の電極により挟持したものであ
る。尚、誘電体薄膜と電極とを交互に積層した積層セラ
ミックコンデンサであっても良いことは勿論である。

【００２１】コンデンサの電極としては、厚さ０．０５
μｍ以上の配向した白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジ
ウム（Ｐｄ）薄膜等があり、これらのうちでも配向した
白金（Ｐｔ）と金（Ａｕ）薄膜が最適である。Ｐｔ、Ａ
ｕは膜との反応性が小さく、また酸化されにくい為、膜
との界面に低誘電率相が形成されにくい為である。膜厚
を０．０５μｍ以上としたのは０．０５μｍ未満である
と高周波領域における等価直列抵抗が大きくなるためで
ある。配向した白金（Ｐｔ）薄膜とは、配向性または単
結晶的白金（Ｐｔ）薄膜であり、配向性を有するＰｔ薄
膜とは、３つの結晶軸のうち一つの軸が膜表面に近似的
に垂直な方向に揃った膜であり、単結晶的Ｐｔ薄膜とは
３つの結晶軸が全て揃った膜である。このような電極
は、スパッタ蒸着やレーザ蒸着法等物理的蒸着におい
て、電極が形成される基板温度を４５０℃以上とするこ
とにより得られるもので、これらのうちでも、基板温度
を４５０℃以上としたスパッタ蒸着が望ましい。

【００２２】また、金属薄膜を蒸着する基板としては、
アルミナ、サファイア、ＭｇＯ単結晶、ＳｒＴｉＯ₃単
結晶、チタン被覆シリコン、または銅（Ｃｕ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）、ステンレ
ススティール（Ｆｅ）薄膜もしくは薄板が望ましい。特
に、薄膜との反応性が小さく、安価で硬度が大きく、か
つ金属薄膜の結晶性という点からアルミナ、サファイア
が望ましく、高周波領域における低抵抗化の点で銅（Ｃ
ｕ）薄板または銅（Ｃｕ）薄膜が望ましい。

【００２３】本発明の誘電体薄膜作製においては、まず
塗布溶液としてＰｂ、Ｍｇ、Ｎｂ、およびＢａ、Ｓｒ、
Ｐｒ、Ｓｍ、Ｂｉの有機金属化合物が均一に溶解した前
駆体溶液を調製する。

【００２４】まず、Ｍｇ、及びＮｂの有機酸塩、無機
塩、アルコキシドから選択される少なくとも１種のＭｇ
化合物、Ｎｂ化合物をＭｇ：Ｎｂ＝ｂ：２（１≦ｂ≦
１．１）のモル比でＲ₁ＯＨ、Ｒ₂ＯＣ₂Ｈ₄ＯＨ、Ｒ
₃ＣＯＯＨ（Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃：炭素数１以上のアルキ
ル基）で示される溶媒に混合する。混合後、所定の操作
を行い、ＩＲスペクトルにおいて６５６ｃｍ^-1付近に吸
収を有し、他の求核性の有機金属化合物の存在下におい
ても安定なＭｇ−Ｏ−Ｎｂ結合を有するＭｇＮｂ複合ア
ルコキシド分子を合成する。

【００２５】ＩＲスペクトルにおいて６５６ｃｍ^-1付近
に吸収を有するＭｇＮｂ複合アルコキシド分子を得るに
は、以下のような方法がある。

【００２６】第１の方法として、ＭｇおよびＮｂのアル
コキシド原料を溶媒に混合し、溶媒の沸点まで溶液の温
度を上昇させ、例えば酸等の触媒の共存下で還流操作を
行うことにより、分子内での脱エーテル反応を促進する
方法。

【００２７】第２の方法として、上記のようにＭｇおよ
びＮｂのアルコキシド原料を溶媒に混合し、溶媒の沸点
まで溶液の温度を上昇させ、還流操作による複合化を行
った後、無水酢酸，エタノールアミン、アセチリアセト
ン等に代表される安定化剤を添加する方法。

【００２８】第３の方法として、Ｍｇのカルボン酸塩と
Ｎｂのアルコキシドとの還流操作により、分子内での脱
エステル反応を促進する方法。

【００２９】第４の方法として、Ｍｇの水酸化物とＮｂ
のアルコキシド、あるいはＭｇのアルコキシドとＮｂの
水酸化物の還流操作により、分子内での脱アルコール反
応を促進する方法。

【００３０】第５の方法しとて、鉛前駆体の求核性を小
さくする為、前述の無水酢酸，エタノールアミン、アセ
チリアセトン等の安定化剤を添加する方法。

【００３１】以上のいずれかの手法を用いる事により、
他の求核性有機金属化合物の存在下においても安定なＭ
ｇ−Ｏ−Ｎｂ結合を有するＭｇＮｂ複合アルコキシド分
子を合成できる。これらのうちでも、第２の還流操作後
に安定化剤を添加する方法が最も望ましい。

【００３２】また、合成した上記ＭｇＮｂ複合アルコキ
シド溶液に水と溶媒の混合溶液を適下し、部分加水分解
を行い、前述のＭｇＮｂ複合アルコキシドが重縮合した
ＭｇＮｂゾルを形成させる。部分加水分解とは、分子内
のアルコキシル基の一部を水酸基と置換し、置換された
分子内での脱水、あるいは脱アルコール反応により、重
縮合させる方法である。

【００３３】次に、鉛（Ｐｂ）の有機酸塩、無機塩、ア
ルコキシドから選択される少なくとも１種の鉛化合物を
Ｒ₁ＯＨ、Ｒ₂ＯＣ₂Ｈ₄ＯＨ、Ｒ₃ＣＯＯＨ（Ｒ₁、
Ｒ₂、Ｒ₃：炭素数１以上のアルキル基）で示される溶
媒に混合する。この時、鉛化合物が結晶水を含む場合に
は、作製したＰｂ前駆体溶液中に水が存在しないように
脱水処理する。

【００３４】Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｂｉアルコキシ
ド等のＰｒ、Ｓｍ、Ｂｉ化合物をＲ₁ＯＨ、Ｒ₂ＯＣ₂
Ｈ₄ＯＨ、Ｒ₃ＣＯＯＨ（Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃：炭素数１
以上のアルキル基）で示される溶媒に混合し、各溶液を
作製する。

【００３５】作製した各溶液をＭｇＮｂ複合アルコキシ
ド溶液、あるいはＭｇＮｂゾルと混合する。作製したＰ
ｂ前駆体溶液もしくは酢酸Ｐｂ・３水和物のような鉛
（Ｐｂ）の有機酸塩を混合し、（Ｐｂ_a-xＡ_x）（Ｍｇ
_b/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃前駆体溶液とする。

【００３６】作製した塗布溶液を基板上にスピンコート
法，ディップコート法，スプレー法等の手法により、成
膜する。

【００３７】成膜後、３００℃〜４００℃の温度で１分
間熱処理を行い、膜中に残留した有機物を燃焼させ、ゲ
ル膜とする。１回の膜厚は０．１μｍ以下が望ましい。

【００３８】成膜−熱処理を所定の膜厚になるまで繰り
返した後、７５０℃〜８５０℃で焼成を行い、本発明の
結晶質の誘電体薄膜が作製される。得られた誘電体薄膜
の膜厚は２μｍ以下であるが、これより厚くなると工程
数が増加し、また、コンデンサを構成した場合、容量が
小さくなるからである。誘電体薄膜の膜厚は、製造の容
易性、膜質劣化の点で２μｍ以下、特に１μｍ以下が望
ましく、さらに膜の絶縁性を考慮すると特に０．３μｍ
〜１μｍが望ましい。

【００３９】本発明の薄膜コンデンサは、例えば、Ｐ
ｔ，Ａｕ，Ｐｄ等を基板上にスパッタ法，蒸着法，グラ
ビア印刷等の手法により成膜して下部電極を形成し、こ
の下部電極膜の表面に、上記誘電体膜を上記方法で成膜
して形成し、この後に誘電体薄膜表面に下部電極と同様
にして上部電極を成膜することにより得られる。また、
積層コンデンサは誘電体膜と電極とを交互に積層するこ
とにより得られる。

【００４０】

【実施例】

実施例１ＭｇエトキシドとＮｂエトキシドを１．０５：２のモル
比で秤量し、２−メトキシエタノール中で還流操作（１
２４℃で１７時間）を行い、１Ｍ（ｍｏｌ／ｌ）濃度の
ＭｇＮｂ複合アルコキシド溶液を合成した。

【００４１】次にＢａ金属、Ｓｒ金属、およびＰｒ、Ｓ
ｍ、Ｂｉプロポキシドを２−メトキシエタノールに室温
で溶解し、１Ｍ濃度のＢａ、Ｓｒ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｂｉ溶
液を作製した。１Ｍ濃度のＢａ、Ｓｒ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｂ
ｉ溶液と、１Ｍ濃度のＭｇＮｂ複合アルコキシド溶液を
混合し、その後、アセチルアセトンをＭｇーＮｂ溶液の
全金属量の１倍量添加後、室温で１０分間撹拌し、安定
化させた。酢酸鉛・３水和物と２−メトキシエタノール
を、Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｂｉ含有のＭｇ−Ｎｂ溶
液にＰｂ：Ａ（Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｂｉ）：（Ｍ
ｇ＋Ｎｂ）＝１．０５−ｘ：ｘ：３．０５／３となるよ
うに混合し、１時間室温で撹拌する事により、１Ｍ濃度
のＰｂ_1.05-xＡ_x（Ｍｇ_1.05/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃前駆体溶
液を合成した。

【００４２】電極となるＰｔ（１１１）が６５０℃でス
パッタ蒸着されたサファイア単結晶基板上の上記Ｐｔ電
極の表面に、前記塗布溶液をスピンコーターで塗布し、
乾燥させた後、３００℃で熱処理を１分間行い、ゲル膜
を作製した。塗布溶液の塗布−熱処理の操作を７回繰り
返した後、８２０℃で０．５分間（大気中）の急速昇温
焼成を行い、膜厚０．５５μｍのＰｂ_1.05-xＡ_x（Ｍｇ
_1.05/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃薄膜を得た。得られた薄膜のＸ線
回折結果より、ペロブスカイト生成率を計算するとＢ
ａ、Ｓｒ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｂｉの量によらず約９８％であ
った。

【００４３】作製した薄膜表面に直径０．２ｍｍの金電
極をスパッタ蒸着により形成し、薄膜コンデンサを作製
した後、５００℃で１０分間熱処理した。ＬＣＲメータ
（ヒュウレットパッカード社製４２８４Ａ）を用いて、
２５℃、１ｋＨｚ（ＡＣ１００ｍＶ）の条件で比誘電
率、誘電損失を求めた。

【００４４】また、インピーダンスアナライザ（ヒュウ
レットパッカード社製ＨＰ４２９１Ａ，フィクスチャー
ＨＰ１６０９２Ａ）を用いて１ＭＨｚ〜１．８ＧＨｚに
おける特性評価をおこなった。インピーダンスー周波数
特性の測定により、１００ＭＨｚにおける等価直列容量
を評価し、比誘電率を求めた。

【００４５】さらに、誘電体薄膜の絶縁抵抗を微小電流
計（ＨＰ４１４０Ｂ）を用いて１．６５Ｖ印加時の漏れ
電流を測定することにより求めた。また、ＤＣバイアス
特性を、２５℃において電圧を印加しない場合の比誘電
率Ｋ₀、直流電界３Ｖ／μｍの電圧を印加したときの比
誘電率Ｋ₁とした時に、（Ｋ₀−Ｋ₁）／Ｋ₀×１００
で求め、表１に記載した。

【００４６】

【表１】

【００４７】この表１から判るように、本発明の誘電体
薄膜は、３Ｖ／μｍの電界に対し１×１０¹³以上の絶縁
抵抗を示し、１００ＭＨｚにおいて１１００以上の高誘
電率を有し、また、３Ｖ／μｍの電界に対する比誘電率
の変化は、１５％未満の低下であるの対して、比較例で
はいずれも１００ＭＨｚにおける比誘電率が１０００よ
りも低いことが判る。

【００４８】実施例２ＭｇエトキシドとＮｂエトキシドの比をｂ（０．９〜
１．２）：２とし、ＭｇＮｂ複合アルコキシド溶液を合
成し、酢酸鉛・３水和物と２−メトキシエタノールをＭ
ｇ−Ｎｂ溶液にＰｂ：Ａ（Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｂ
ｉ）：（Ｍｇ＋Ｎｂ）＝ａ（０．９〜１．２）−０．０
３：０．０３：〔ｂ（０．９〜１．２）＋２〕／３とな
るように混合する以外は、上記実施例１と同様に誘電体
薄膜を作製し、また、上記実施例１と同様にして特性を
測定した。その結果を表２に記載する。

【００４９】

【表２】

【００５０】この表２から、本発明の誘電体薄膜は、３
Ｖ／μｍの電界に対し１×１０¹³以上の絶縁抵抗を示
し、１００ＭＨｚにおいて１１００以上の高誘電率を有
し、また、３Ｖ／μｍの電界に対する比誘電率の変化
は、１５％未満の低下であるの対して、比較例ではいず
れも１００ＭＨｚにおける比誘電率が１１００よりも低
いことが判る。

【００５１】

【発明の効果】以上詳述した様に、本発明によれば、３
Ｖ／μｍの電界に対し絶縁抵抗が１×１０¹³以上であ
り、測定周波数１ｋＨｚ及び１００ＭＨｚにおける比誘
電率が１１００以上であり、また３Ｖ／μｍの電界に対
し、比誘電率の減少率が１５％以下であるペロブスカイ
ト型複合酸化物結晶からなる誘電体薄膜が得られ、この
ような薄膜の両面に一対の電極を対向形成してコンデン
サを作製することにより、絶縁性が高く、高周波領域に
おいても高誘電率なセラミックコンデンサを得ることが
できる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属元素としてＰｂ、ＭｇおよびＮｂを含
有するペロブスカイト型複合酸化物からなる誘電体薄膜
であって、前記金属元素酸化物のモル比による組成式
を、（Ｐｂ_a-xＡ_x）（Ｍｇ_b/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃ ここで、Ａは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｒ、ＳｍおよびＢｉのう
ち少なくとも一種と表した時、前記ａ、ｂおよびｘが、１≦ａ≦１．１０１≦ｂ≦１．１０ＡがＰｒの時、０．０１≦ｘ≦０．０３ＡがＢａ、Ｓｒの時０．０１≦ｘ≦０．０５ＡがＳｍ、Ｂｉの時０．０１≦ｘ≦０．０８を満足することを特徴とする誘電体薄膜。
【請求項２】測定周波数１００ＭＨｚ（室温）において
比誘電率が１１００以上であることを特徴とする請求項
１記載の誘電体薄膜。
【請求項３】請求項１記載の誘電体薄膜の両面に一対の
電極を形成してなることを特徴とするセラミックコンデ
ンサ。