JP3512601B2 - 誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ - Google Patents
誘電体薄膜およびセラミックコンデンサInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は誘電体薄膜および誘
電体薄膜を用いたセラミックコンデンサに関するもので
ある。
電体薄膜を用いたセラミックコンデンサに関するもので
ある。
【０００２】
【従来技術】２種以上の金属からなる複合ペロブスカイ
ト酸化物、特にＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 （以下、
ＰＭＮという）は室温で大きな比誘電率を有するため、
コンデンサ材料として有用であることが知られている。
ト酸化物、特にＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 （以下、
ＰＭＮという）は室温で大きな比誘電率を有するため、
コンデンサ材料として有用であることが知られている。
【０００３】このようなＰＭＮ焼結体として、従来、Ｐ
ｂＯ粉末とＭｇＣＯ3 粉末とＮｂ2Ｏ5 粉末とを一括し
て混合粉砕し、焼結する固相焼結法が知られている。し
かしながら、このような一括して混合粉砕する固相焼結
によるＰＭＮ焼結体の作製では、ほぼペロブスカイト単
相からなる焼結体を得るのは困難であり、低温で安定な
パイロクロア相が生成し易く、また生成したパイロクロ
ア相は比誘電率が低いため、結果として焼結体の比誘電
率が低くなり、コンデンサ材料として不適当な場合が多
い。
ｂＯ粉末とＭｇＣＯ3 粉末とＮｂ2Ｏ5 粉末とを一括し
て混合粉砕し、焼結する固相焼結法が知られている。し
かしながら、このような一括して混合粉砕する固相焼結
によるＰＭＮ焼結体の作製では、ほぼペロブスカイト単
相からなる焼結体を得るのは困難であり、低温で安定な
パイロクロア相が生成し易く、また生成したパイロクロ
ア相は比誘電率が低いため、結果として焼結体の比誘電
率が低くなり、コンデンサ材料として不適当な場合が多
い。
【０００４】このため、固相焼結法では、ＭｇＮｂ酸化
物（ＭｇＮｂ2 Ｏ6 ）とＰｂ原料、およびＴｉ原料を反
応させるコランバイト法による合成が行われている。こ
の方法によれば、ほぼペロブスカイト単相の焼結体を得
ることが可能となり、比誘電率を１５０００以上とする
ことができる。しかしながら、従来、これらバルク材料
は比誘電率の周波数分散が大きく、１ＭＨｚ以上の高周
波では比誘電率が小さくなり、コンデンサとして機能し
なくなると考えられていた。
物（ＭｇＮｂ2 Ｏ6 ）とＰｂ原料、およびＴｉ原料を反
応させるコランバイト法による合成が行われている。こ
の方法によれば、ほぼペロブスカイト単相の焼結体を得
ることが可能となり、比誘電率を１５０００以上とする
ことができる。しかしながら、従来、これらバルク材料
は比誘電率の周波数分散が大きく、１ＭＨｚ以上の高周
波では比誘電率が小さくなり、コンデンサとして機能し
なくなると考えられていた。
【０００５】一方、電子機器の小型、薄形化に伴い、電
子部品の小型化，薄膜化が要求されている。特に受動部
品であるコンデンサの小型、薄形化は必須となってい
る。また、コンピュータ等の高速デジタル回路を用いた
電子機器は高周波化の流れにあり、数１０ＭＨｚから数
１００ＭＨｚの動作周波数帯域が重要になってきてい
る。これにともない、コンデンサ等の受動部品も高周波
もしくは高速デジタルパルスに対して優れた特性を示す
ことが必須になってきている。
子部品の小型化，薄膜化が要求されている。特に受動部
品であるコンデンサの小型、薄形化は必須となってい
る。また、コンピュータ等の高速デジタル回路を用いた
電子機器は高周波化の流れにあり、数１０ＭＨｚから数
１００ＭＨｚの動作周波数帯域が重要になってきてい
る。これにともない、コンデンサ等の受動部品も高周波
もしくは高速デジタルパルスに対して優れた特性を示す
ことが必須になってきている。
【０００６】近年、ＰＭＮ等の高誘電率材料を薄膜化
し、薄膜コンデンサに応用しようとされているが、従来
の固相焼結法では膜厚はせいぜい１０μｍ程度であっ
た。また薄膜においても固相焼結法による焼結体と同
様、低温で安定なパイロクロア相が生成し易く、ほぼペ
ロブスカイト単相からなる膜を得るのが困難となり、コ
ンデンサ材料として不適当な場合が多い。特に薄膜化す
る場合、下部電極との格子の不整合および化学結合の相
違等でパイロクロア相が生成し易いという問題がある言
われており（例えば、特開平６−５７４３７号公報参
照）、パイロクロア相の少ないペロブスカイト単相のＰ
ＭＮ薄膜を得るのが困難であった。
し、薄膜コンデンサに応用しようとされているが、従来
の固相焼結法では膜厚はせいぜい１０μｍ程度であっ
た。また薄膜においても固相焼結法による焼結体と同
様、低温で安定なパイロクロア相が生成し易く、ほぼペ
ロブスカイト単相からなる膜を得るのが困難となり、コ
ンデンサ材料として不適当な場合が多い。特に薄膜化す
る場合、下部電極との格子の不整合および化学結合の相
違等でパイロクロア相が生成し易いという問題がある言
われており（例えば、特開平６−５７４３７号公報参
照）、パイロクロア相の少ないペロブスカイト単相のＰ
ＭＮ薄膜を得るのが困難であった。
【０００７】これらのパイロクロア相生成の問題を解決
する手法として、ゾルゲル法で作製されたＰＭＮ薄膜に
おいては、急速昇温焼成法（特開平２−１７７５２１号
公報参照）やシーディング法（特開平６−５７４３７号
公報参照）等の種々の手法が提案されており、ペロブス
カイト単相に近いＰＭＮ薄膜が得られている。
する手法として、ゾルゲル法で作製されたＰＭＮ薄膜に
おいては、急速昇温焼成法（特開平２−１７７５２１号
公報参照）やシーディング法（特開平６−５７４３７号
公報参照）等の種々の手法が提案されており、ペロブス
カイト単相に近いＰＭＮ薄膜が得られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、急速昇
温焼成法，シーディング法によるＰＭＮ薄膜では、ほぼ
ペロブスカイト単相からなる膜が得られているが、未だ
室温における比誘電率が低く、ＰＭＮ系材料本来の特性
が発揮されていないのが現状であった。
温焼成法，シーディング法によるＰＭＮ薄膜では、ほぼ
ペロブスカイト単相からなる膜が得られているが、未だ
室温における比誘電率が低く、ＰＭＮ系材料本来の特性
が発揮されていないのが現状であった。
【０００９】また、典型的なコンデンサ材料であるＢａ
ＴｉＯ3 、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3）Ｏ3 のようなリラ
クサ材料は１ＫＨｚ程度の低周波数においては大きな比
誘電率を示し、コンデンサ材料として優れた材料である
が、周波数分散が大きいため、高周波領域における比誘
電率の減少が大きく、高周波領域では高誘電率材料とし
て使えないと考えられてきた（特開平６−７７０８３号
公報参照）。
ＴｉＯ3 、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3）Ｏ3 のようなリラ
クサ材料は１ＫＨｚ程度の低周波数においては大きな比
誘電率を示し、コンデンサ材料として優れた材料である
が、周波数分散が大きいため、高周波領域における比誘
電率の減少が大きく、高周波領域では高誘電率材料とし
て使えないと考えられてきた（特開平６−７７０８３号
公報参照）。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題の
解決方法を鋭意検討した結果、バルクにおいて、マクロ
な自発分極を持たないため、ＤＣバイアス依存性が小さ
く、かつ大きな比誘電率を持つＰＭＮに、ＰＭＮと同様
にマクロな自発分極を持たない為、ＤＣバイアス依存性
の小さいＰｂ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 （以後ＰＮＮ）
を固溶した材料、またはこれに反強誘電体である為、Ｄ
Ｃバイアス依存性が小さいＰｂＺｒＯ3と固溶した材料
を薄膜化することにより、ＤＣバイアス印加下でも大き
な比誘電率を示し、かつ高周波領域においても比誘電率
の減少が小さくなることを知見し、本発明に至った。
解決方法を鋭意検討した結果、バルクにおいて、マクロ
な自発分極を持たないため、ＤＣバイアス依存性が小さ
く、かつ大きな比誘電率を持つＰＭＮに、ＰＭＮと同様
にマクロな自発分極を持たない為、ＤＣバイアス依存性
の小さいＰｂ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 （以後ＰＮＮ）
を固溶した材料、またはこれに反強誘電体である為、Ｄ
Ｃバイアス依存性が小さいＰｂＺｒＯ3と固溶した材料
を薄膜化することにより、ＤＣバイアス印加下でも大き
な比誘電率を示し、かつ高周波領域においても比誘電率
の減少が小さくなることを知見し、本発明に至った。
【００１１】即ち、本発明の誘電体薄膜は、金属元素と
してＰｂ、Ｍｇ、ＮｂおよびＮｉを含むペロブスカイト
型複合酸化物からなる膜厚２μｍ以下のゾルゲル法で作
製された誘電体薄膜であって、前記金属元素酸化物のモ
ル比による組成式を（１−ｘ−ｙ）Ｐｂａ（Ｍｇｂ／３
Ｎｂ２／３）Ｏ３・ｘＰｂａＺｒＯ３・ｙＰｂａ（Ｎｉ
ｂ／３Ｎｂ２／３）Ｏ３と表した時、前記ｘ、ｙ、ａお
よびｂが、０≦ｘ≦０．３０、０＜ｙ≦０．２０、１≦
ａ≦１．１０、１≦ｂ≦１．１５を満足するとともに、
測定周波数１ｋＨｚ（室温）における比誘電率が１００
０以上であり、かつ、測定周波数１００ＭＨｚ（室温）
における比誘電率が１０００以上であることを特徴とす
る。
してＰｂ、Ｍｇ、ＮｂおよびＮｉを含むペロブスカイト
型複合酸化物からなる膜厚２μｍ以下のゾルゲル法で作
製された誘電体薄膜であって、前記金属元素酸化物のモ
ル比による組成式を（１−ｘ−ｙ）Ｐｂａ（Ｍｇｂ／３
Ｎｂ２／３）Ｏ３・ｘＰｂａＺｒＯ３・ｙＰｂａ（Ｎｉ
ｂ／３Ｎｂ２／３）Ｏ３と表した時、前記ｘ、ｙ、ａお
よびｂが、０≦ｘ≦０．３０、０＜ｙ≦０．２０、１≦
ａ≦１．１０、１≦ｂ≦１．１５を満足するとともに、
測定周波数１ｋＨｚ（室温）における比誘電率が１００
０以上であり、かつ、測定周波数１００ＭＨｚ（室温）
における比誘電率が１０００以上であることを特徴とす
る。
【００１２】また、本発明のセラミックコンデンサは、
上記誘電体薄膜の両面に一対の電極を対向して形成して
なるものである。
上記誘電体薄膜の両面に一対の電極を対向して形成して
なるものである。
【００１３】
【作用】本発明の誘電体薄膜によれば、マクロな自発分
極を持たないためＤＣバイアス特性に優れ、かつ高誘電
率であるＰＭＮに、マクロな自発分極を持たない為、Ｄ
Ｃバイアス依存性の小さいＰｂ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ
3 を固溶するため、またはこれに反強誘電体であるため
特にＤＣバイアス特性に優れたＰｂＺｒＯ3 を固溶する
ため、高誘電率でＤＣバイアス特性に優れた材料にな
る。
極を持たないためＤＣバイアス特性に優れ、かつ高誘電
率であるＰＭＮに、マクロな自発分極を持たない為、Ｄ
Ｃバイアス依存性の小さいＰｂ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ
3 を固溶するため、またはこれに反強誘電体であるため
特にＤＣバイアス特性に優れたＰｂＺｒＯ3 を固溶する
ため、高誘電率でＤＣバイアス特性に優れた材料にな
る。
【００１４】また室温より高温側に比誘電率のピークを
持つＰｂＺｒＯ3 と、室温及びＰＭＮより低温側に比誘
電率のピークを持つＰＮＮを固溶することにより、比誘
電率の最大となる温度を室温付近に制御できる為、室温
での比誘電率が向上する。
持つＰｂＺｒＯ3 と、室温及びＰＭＮより低温側に比誘
電率のピークを持つＰＮＮを固溶することにより、比誘
電率の最大となる温度を室温付近に制御できる為、室温
での比誘電率が向上する。
【００１５】さらに、薄膜にすることにより、ペロブス
カイト型複合酸化物の平均結晶粒子径がサブミクロンの
オーダに小さくなり、より常誘電体的性質が支配的にな
るため、静電容量の温度特性及びＤＣバイアス特性を良
好とすることができる。また、１００ＭＨｚの様な高周
波においても、強誘電性の起源であるマクロな自発分極
がないために自発分極に起因する誘電率の周波数分散が
小さく、高周波においても大きな比誘電率を示す。
カイト型複合酸化物の平均結晶粒子径がサブミクロンの
オーダに小さくなり、より常誘電体的性質が支配的にな
るため、静電容量の温度特性及びＤＣバイアス特性を良
好とすることができる。また、１００ＭＨｚの様な高周
波においても、強誘電性の起源であるマクロな自発分極
がないために自発分極に起因する誘電率の周波数分散が
小さく、高周波においても大きな比誘電率を示す。
【００１６】本発明のセラミックコンデンサでは、上記
したような優れた特性を有する誘電体薄膜の両面に、例
えば、膜厚０．０５μｍ以上の白金（Ｐｔ）、金（Ａ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）薄膜である一対の電極を対向
して形成することにより、高周波においても高誘電率で
優れたセラミックコンデンサを得ることができる。
したような優れた特性を有する誘電体薄膜の両面に、例
えば、膜厚０．０５μｍ以上の白金（Ｐｔ）、金（Ａ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）薄膜である一対の電極を対向
して形成することにより、高周波においても高誘電率で
優れたセラミックコンデンサを得ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体薄膜は、膜厚２μ
ｍ以下の誘電体薄膜であり、ゾルゲル法により作製され
るものである。ここで、膜厚２μｍ以下の誘電体薄膜と
したのは、これより厚くなると工程数が増加し、また、
コンデンサを構成した場合、容量が小さくなるからであ
る。誘電体薄膜の膜厚は、製造の容易性、膜質劣化の点
で１μｍ以下が望ましく、さらに膜の絶縁性を考慮する
と特に０．３〜１μｍが望ましい。
ｍ以下の誘電体薄膜であり、ゾルゲル法により作製され
るものである。ここで、膜厚２μｍ以下の誘電体薄膜と
したのは、これより厚くなると工程数が増加し、また、
コンデンサを構成した場合、容量が小さくなるからであ
る。誘電体薄膜の膜厚は、製造の容易性、膜質劣化の点
で１μｍ以下が望ましく、さらに膜の絶縁性を考慮する
と特に０．３〜１μｍが望ましい。
【００１８】また、モル比による組成式を、（１−ｘ―
ｙ）Ｐｂa （Ｍｇb/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ・ｘＰｂa ＺｒＯ
3 ・ｙＰｂa （Ｎｉb/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 と表した時、前
記ｘ、ｙ、ａおよびｂが、０≦ｘ≦０．３０、０＜ｙ≦
０．２、１≦ａ≦１．１０、１≦ｂ≦１．１５を満足す
るものである。
ｙ）Ｐｂa （Ｍｇb/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ・ｘＰｂa ＺｒＯ
3 ・ｙＰｂa （Ｎｉb/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 と表した時、前
記ｘ、ｙ、ａおよびｂが、０≦ｘ≦０．３０、０＜ｙ≦
０．２、１≦ａ≦１．１０、１≦ｂ≦１．１５を満足す
るものである。
【００１９】このようにＰｂＺｒＯ3 量を示すモル比ｘ
を０．３以下としたのは、ｘが０．３よりも多くなると
室温での比誘電率が１ｋＨｚにおいて１０００よりも小
さくなるからである。比誘電率を向上するにはｘは０＜
ｘ≦０．２０、特には０．１≦ｘ≦０．２０が望まし
い。
を０．３以下としたのは、ｘが０．３よりも多くなると
室温での比誘電率が１ｋＨｚにおいて１０００よりも小
さくなるからである。比誘電率を向上するにはｘは０＜
ｘ≦０．２０、特には０．１≦ｘ≦０．２０が望まし
い。
【００２０】また、ＰＮＮ量を示すモル比ｙを０．２以
下としたのは、ｙが０．２よりも大きくなると、生成す
る結晶構造は、低誘電率構造であるパイロクロア相とな
るからである。比誘電率を向上する為にはｙの範囲は
０．０５≦ｙ≦０．１が特に望ましい。従ってｘ、ｙは
０．１≦ｘ≦０．２０、０．０５≦ｙ≦０．１を満足す
ることが望ましい。
下としたのは、ｙが０．２よりも大きくなると、生成す
る結晶構造は、低誘電率構造であるパイロクロア相とな
るからである。比誘電率を向上する為にはｙの範囲は
０．０５≦ｙ≦０．１が特に望ましい。従ってｘ、ｙは
０．１≦ｘ≦０．２０、０．０５≦ｙ≦０．１を満足す
ることが望ましい。
【００２１】また、ａを１〜１．１としたのは、ａが１
よりも小さい場合には、パイロクロア相が生成し、比誘
電率が低下するからであり、１．１よりも大きい場合に
はＰｂＯが粒界に析出し、比誘電率が低下するからであ
る。ａは特性の再現性が良いという理由から１．０５〜
１．１であることが望ましい。
よりも小さい場合には、パイロクロア相が生成し、比誘
電率が低下するからであり、１．１よりも大きい場合に
はＰｂＯが粒界に析出し、比誘電率が低下するからであ
る。ａは特性の再現性が良いという理由から１．０５〜
１．１であることが望ましい。
【００２２】さらに、ｂを１〜１．１５としたのは、ｂ
が１よりも小さい場合や１．１５よりも大きい場合に
は、比誘電率が低下するからである。ｂは特性の再現性
が良いという理由から１〜１．１であることが望まし
い。
が１よりも小さい場合や１．１５よりも大きい場合に
は、比誘電率が低下するからである。ｂは特性の再現性
が良いという理由から１〜１．１であることが望まし
い。
【００２３】また、本発明のセラミックコンデンサは、
上記した誘電体薄膜の両面に一対の電極を対向して形成
してなるものであるが、誘電体薄膜と電極とを交互に積
層した積層セラミックコンデンサも含むことは勿論であ
る。
上記した誘電体薄膜の両面に一対の電極を対向して形成
してなるものであるが、誘電体薄膜と電極とを交互に積
層した積層セラミックコンデンサも含むことは勿論であ
る。
【００２４】コンデンサの電極としては、厚さ０．０５
μｍ以上の配向した白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジ
ウム（Ｐｄ）薄膜等があり、これらのうちでも配向した
白金（Ｐｔ）と金（Ａｕ）薄膜が最適である。Ｐｔ、Ａ
ｕは膜との反応性が小さく、また酸化されにくい為、膜
との界面に低誘電率相が形成されにくいからである。
μｍ以上の配向した白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジ
ウム（Ｐｄ）薄膜等があり、これらのうちでも配向した
白金（Ｐｔ）と金（Ａｕ）薄膜が最適である。Ｐｔ、Ａ
ｕは膜との反応性が小さく、また酸化されにくい為、膜
との界面に低誘電率相が形成されにくいからである。
【００２５】膜厚を０．０５μｍ以上としたのは０．０
５μｍ未満であると高周波領域における等価直列抵抗が
大きくなるためである。配向した白金（Ｐｔ）薄膜と
は、配向性または単結晶的白金（Ｐｔ）薄膜であり、配
向性を有するＰｔ薄膜とは、３つの結晶軸のうち一つの
軸が膜表面に近似的に垂直な方向に揃った膜であり、単
結晶的Ｐｔ薄膜とは３つの結晶軸が全て揃った膜であ
る。このような電極は、スパッタ蒸着やレーザ蒸着法等
物理的蒸着において、電極が形成される基板温度を４５
０℃以上とすることにより得られるもので、これらのう
ちでも、基板温度を４５０℃以上としたスパッタ蒸着が
望ましい。
５μｍ未満であると高周波領域における等価直列抵抗が
大きくなるためである。配向した白金（Ｐｔ）薄膜と
は、配向性または単結晶的白金（Ｐｔ）薄膜であり、配
向性を有するＰｔ薄膜とは、３つの結晶軸のうち一つの
軸が膜表面に近似的に垂直な方向に揃った膜であり、単
結晶的Ｐｔ薄膜とは３つの結晶軸が全て揃った膜であ
る。このような電極は、スパッタ蒸着やレーザ蒸着法等
物理的蒸着において、電極が形成される基板温度を４５
０℃以上とすることにより得られるもので、これらのう
ちでも、基板温度を４５０℃以上としたスパッタ蒸着が
望ましい。
【００２６】また、金属薄膜を蒸着する基板としては、
アルミナ、サファイア、ＭｇＯ単結晶、ＳｒＴｉＯ3 単
結晶、チタン被覆シリコン、または銅（Ｃｕ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）、ステンレ
ススティール（ＳＵＳ）薄膜もしくは薄板が望ましい。
特に薄膜との反応性が小さく、安価で硬度が大きく、か
つ金属薄膜の結晶性という点からアルミナ、サファイア
が望ましく、高周波領域における低抵抗化の点で銅（Ｃ
ｕ）薄板または銅（Ｃｕ）薄膜が望ましい。
アルミナ、サファイア、ＭｇＯ単結晶、ＳｒＴｉＯ3 単
結晶、チタン被覆シリコン、または銅（Ｃｕ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）、ステンレ
ススティール（ＳＵＳ）薄膜もしくは薄板が望ましい。
特に薄膜との反応性が小さく、安価で硬度が大きく、か
つ金属薄膜の結晶性という点からアルミナ、サファイア
が望ましく、高周波領域における低抵抗化の点で銅（Ｃ
ｕ）薄板または銅（Ｃｕ）薄膜が望ましい。
【００２７】本発明のセラミックコンデンサは、例え
ば、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ等を基板上にスパッタ法、蒸着
法、グラビア印刷等の手法により成膜して下部電極を形
成し、この下部電極膜の表面に、上記誘電体膜をゾルゲ
ル法で成膜して形成し、この後に誘電体薄膜表面に下部
電極と同様にして上部電極を成膜することにより得られ
る。
ば、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ等を基板上にスパッタ法、蒸着
法、グラビア印刷等の手法により成膜して下部電極を形
成し、この下部電極膜の表面に、上記誘電体膜をゾルゲ
ル法で成膜して形成し、この後に誘電体薄膜表面に下部
電極と同様にして上部電極を成膜することにより得られ
る。
【００２８】また、積層セラミックコンデンサは誘電体
膜と電極とを交互に積層することにより得られる。
膜と電極とを交互に積層することにより得られる。
【００２９】本発明の誘電体薄膜は、例えば、以下のよ
うにして作製される。
うにして作製される。
【００３０】先ず、Ｍｇ、及びＮｂの有機酸塩、無機
塩、アルコキシドから選択される少なくとも１種のＭｇ
化合物、Ｎｂ化合物をＭｇ：Ｎｂ＝ｂ：２（１≦ｂ≦
１．１５）のモル比でＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、
Ｒ3 ＣＯＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3：炭素数１以上のアル
キル基）で示される溶媒に混合する。混合後、高い比誘
電率を得るために、所定の操作を行い、ＩＲスペクトル
において６５６ｃｍ-1付近に吸収を有し、他の求核性の
有機金属化合物の存在下においても安定なＭｇ−Ｏ−Ｎ
ｂ結合を有するＭｇＮｂ複合アルコキシド分子を合成す
る。
塩、アルコキシドから選択される少なくとも１種のＭｇ
化合物、Ｎｂ化合物をＭｇ：Ｎｂ＝ｂ：２（１≦ｂ≦
１．１５）のモル比でＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、
Ｒ3 ＣＯＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3：炭素数１以上のアル
キル基）で示される溶媒に混合する。混合後、高い比誘
電率を得るために、所定の操作を行い、ＩＲスペクトル
において６５６ｃｍ-1付近に吸収を有し、他の求核性の
有機金属化合物の存在下においても安定なＭｇ−Ｏ−Ｎ
ｂ結合を有するＭｇＮｂ複合アルコキシド分子を合成す
る。
【００３１】ＩＲスペクトルにおいて６５６ｃｍ-1付近
に吸収を有するＭｇＮｂ複合アルコキシド分子を得るに
は、以下のような方法がある。
に吸収を有するＭｇＮｂ複合アルコキシド分子を得るに
は、以下のような方法がある。
【００３２】第１の方法として、ＭｇおよびＮｂのアル
コキシド原料を溶媒に混合し、溶媒の沸点まで溶液の温
度を上昇させ、還流操作を行う方法。
コキシド原料を溶媒に混合し、溶媒の沸点まで溶液の温
度を上昇させ、還流操作を行う方法。
【００３３】第２の方法として、上記のようにＭｇおよ
びＮｂのアルコキシド原料を溶媒に混合し、溶媒の沸点
まで溶液の温度を上昇させ、還流操作による複合化を行
った後、無水酢酸、エタノールアミン、アセチルアセト
ン等に代表される安定化剤を添加する方法。
びＮｂのアルコキシド原料を溶媒に混合し、溶媒の沸点
まで溶液の温度を上昇させ、還流操作による複合化を行
った後、無水酢酸、エタノールアミン、アセチルアセト
ン等に代表される安定化剤を添加する方法。
【００３４】第３の方法として、Ｍｇのカルボン酸塩と
Ｎｂのアルコキシドとの還流操作により、分子内での脱
エステル反応を促進する方法。
Ｎｂのアルコキシドとの還流操作により、分子内での脱
エステル反応を促進する方法。
【００３５】第４の方法として、Ｍｇの水酸化物とＮｂ
のアルコキシド、あるいはＭｇのアルコキシドとＮｂの
水酸化物の還流操作により、分子内での脱アルコール反
応を促進する方法。
のアルコキシド、あるいはＭｇのアルコキシドとＮｂの
水酸化物の還流操作により、分子内での脱アルコール反
応を促進する方法。
【００３６】第５の方法しとて、鉛前駆体の求核性を小
さくする為、鉛前駆体に前述の無水酢酸，エタノールア
ミン、アセチルアセトン等の安定化剤を添加する方法。
さくする為、鉛前駆体に前述の無水酢酸，エタノールア
ミン、アセチルアセトン等の安定化剤を添加する方法。
【００３７】以上のいずれかの手法を用いることによ
り、他の求核性有機金属化合物の存在下においても安定
なＭｇ−Ｏ−Ｎｂ結合を有するＭｇＮｂ複合アルコキシ
ド分子を合成できる。これらのうちでも、第１または第
２の方法が最も望ましい。
り、他の求核性有機金属化合物の存在下においても安定
なＭｇ−Ｏ−Ｎｂ結合を有するＭｇＮｂ複合アルコキシ
ド分子を合成できる。これらのうちでも、第１または第
２の方法が最も望ましい。
【００３８】また、合成した上記ＭｇＮｂ複合アルコキ
シド溶液に水と溶媒の混合溶液を適下し、部分加水分解
を行い、前述のＭｇＮｂ複合アルコキシドが重縮合した
ＭｇＮｂゾルを形成させる。部分加水分解とは、分子内
のアルコキシル基の一部を水酸基と置換し、置換された
分子内での脱水、あるいは脱アルコール反応により、重
縮合させる方法である。
シド溶液に水と溶媒の混合溶液を適下し、部分加水分解
を行い、前述のＭｇＮｂ複合アルコキシドが重縮合した
ＭｇＮｂゾルを形成させる。部分加水分解とは、分子内
のアルコキシル基の一部を水酸基と置換し、置換された
分子内での脱水、あるいは脱アルコール反応により、重
縮合させる方法である。
【００３９】次に、Ｎｉ、及びＮｂの有機酸塩、無機
塩、アルコキシドから選択される少なくとも１種のＮｉ
化合物、Ｎｂ化合物をＮｉ：Ｎｂ＝ｂ：２（１≦ｂ≦
１．１５）のモル比でＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、
Ｒ3 ＣＯＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3：炭素数１以上のアル
キル基）で示される溶媒に混合し、Ｎｉ−Ｎｂ溶液を作
製する。
塩、アルコキシドから選択される少なくとも１種のＮｉ
化合物、Ｎｂ化合物をＮｉ：Ｎｂ＝ｂ：２（１≦ｂ≦
１．１５）のモル比でＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、
Ｒ3 ＣＯＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3：炭素数１以上のアル
キル基）で示される溶媒に混合し、Ｎｉ−Ｎｂ溶液を作
製する。
【００４０】Ｚｒの有機酸塩、アルコキシド等から選択
される１種のＺｒ化合物をＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 Ｏ
Ｈ、Ｒ3 ＣＯＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 ：炭素数１以上の
アルキル基）で示される溶媒に混合し、Ｚｒ溶液を作製
する。
される１種のＺｒ化合物をＲ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 Ｏ
Ｈ、Ｒ3 ＣＯＯＨ（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 ：炭素数１以上の
アルキル基）で示される溶媒に混合し、Ｚｒ溶液を作製
する。
【００４１】作製したＭｇ−Ｎｂ溶液とＺｒ溶液とＮｉ
−Ｎｂ溶液を（Ｍｇ＋Ｎｂ）：Ｚｒ：（Ｎｉ＋Ｎｂ）＝
（１―ｘ―ｙ）：ｘ：ｙのモル比で混合した後、１２４
℃で還流した後、室温に冷却し、アセチルアセトン等の
キレート剤をＭｇ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｎｉ溶液の金属量の
０．５倍量以上加え、混合する。
−Ｎｂ溶液を（Ｍｇ＋Ｎｂ）：Ｚｒ：（Ｎｉ＋Ｎｂ）＝
（１―ｘ―ｙ）：ｘ：ｙのモル比で混合した後、１２４
℃で還流した後、室温に冷却し、アセチルアセトン等の
キレート剤をＭｇ−Ｎｂ−Ｚｒ−Ｎｉ溶液の金属量の
０．５倍量以上加え、混合する。
【００４２】次に、鉛（Ｐｂ）の有機酸塩、無機塩、ア
ルコキシドから選択される少なくとも１種の鉛化合物を
Ｒ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、Ｒ3 ＣＯＯＨ（Ｒ1 、
Ｒ2、Ｒ3 ：炭素数１以上のアルキル基）で示される溶
媒に混合し、Ｐｂ前駆体溶液を作製する。この時、鉛化
合物が結晶水を含む場合には、作製したＰｂ前駆体溶液
中に水が存在しないように脱水処理する。
ルコキシドから選択される少なくとも１種の鉛化合物を
Ｒ1 ＯＨ、Ｒ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨ、Ｒ3 ＣＯＯＨ（Ｒ1 、
Ｒ2、Ｒ3 ：炭素数１以上のアルキル基）で示される溶
媒に混合し、Ｐｂ前駆体溶液を作製する。この時、鉛化
合物が結晶水を含む場合には、作製したＰｂ前駆体溶液
中に水が存在しないように脱水処理する。
【００４３】作製したＰｂ前駆体溶液もしくは酢酸鉛・
３水和物のような鉛（Ｐｂ）の有機酸塩とＭｇ―Ｎｂ―
Ｎｉ−Ｚｒ溶液、あるいはＭｇ―Ｎｉ−Ｎｂ―Ｚｒゾル
をＰｂ：（Ｍｇ＋Ｎｂ＋Ｎｉ＋Ｚｒ）＝ａ：〔（ｂ＋
２）／３〕（１−ｘ）＋ｘ（１≦ａ≦１．１０、１≦ｂ
≦１．１５）のモル比で混合し、ＰＭＮ―ＰＺ−ＰＮＮ
前駆体溶液とする。
３水和物のような鉛（Ｐｂ）の有機酸塩とＭｇ―Ｎｂ―
Ｎｉ−Ｚｒ溶液、あるいはＭｇ―Ｎｉ−Ｎｂ―Ｚｒゾル
をＰｂ：（Ｍｇ＋Ｎｂ＋Ｎｉ＋Ｚｒ）＝ａ：〔（ｂ＋
２）／３〕（１−ｘ）＋ｘ（１≦ａ≦１．１０、１≦ｂ
≦１．１５）のモル比で混合し、ＰＭＮ―ＰＺ−ＰＮＮ
前駆体溶液とする。
【００４４】作製した塗布溶液を基板上にスピンコート
法，ディップコート法，スプレー法等の手法により、成
膜する。
法，ディップコート法，スプレー法等の手法により、成
膜する。
【００４５】成膜後、３００℃〜４００℃の温度で１分
間熱処理を行い、膜中に残留した有機物を燃焼させ、ゲ
ル膜とする。１回の膜厚は０．１μｍ以下が望ましい。
間熱処理を行い、膜中に残留した有機物を燃焼させ、ゲ
ル膜とする。１回の膜厚は０．１μｍ以下が望ましい。
【００４６】成膜−熱処理を所定の膜厚になるまで繰り
返した後、７５０℃〜８５０℃で焼成を行い、本発明の
結晶質の誘電体薄膜が作製される。得られた誘電体薄膜
の膜厚は２μｍ以下であるが、これより厚くなると工程
数が増加し、また、コンデンサを構成した場合、容量が
小さくなるからである。
返した後、７５０℃〜８５０℃で焼成を行い、本発明の
結晶質の誘電体薄膜が作製される。得られた誘電体薄膜
の膜厚は２μｍ以下であるが、これより厚くなると工程
数が増加し、また、コンデンサを構成した場合、容量が
小さくなるからである。
【００４７】
【実施例】ＭｇエトキシドとＮｂエトキシドを１．０
５：２のモル比で秤量し、２−メトキシエタノール中で
還流操作（１２４℃で１７時間）を行い、１Ｍ（ｍｏｌ
／ｌ）濃度のＭｇＮｂ複合アルコキシド溶液を合成し
た。ＩＲスペクトルにおいて、６５６ｃｍ-1付近にＭｇ
−Ｏ−Ｎｂ結合による吸収が見られた。
５：２のモル比で秤量し、２−メトキシエタノール中で
還流操作（１２４℃で１７時間）を行い、１Ｍ（ｍｏｌ
／ｌ）濃度のＭｇＮｂ複合アルコキシド溶液を合成し
た。ＩＲスペクトルにおいて、６５６ｃｍ-1付近にＭｇ
−Ｏ−Ｎｂ結合による吸収が見られた。
【００４８】次にＺｒプロポキシドを２−メトキシエタ
ノールに室温で溶解し、１Ｍ濃度のＺｒ溶液を作製し
た。
ノールに室温で溶解し、１Ｍ濃度のＺｒ溶液を作製し
た。
【００４９】次にＮｉエトキシドとＮｂエトキシドを
１．０５：２のモル比で秤量し、これを２−メトキシエ
タノールに室温で混合し、１Ｍ濃度のＮｉＮｂ混合溶液
を作製した。
１．０５：２のモル比で秤量し、これを２−メトキシエ
タノールに室温で混合し、１Ｍ濃度のＮｉＮｂ混合溶液
を作製した。
【００５０】１Ｍ濃度のＮｉＮｂ溶液と、Ｚｒ溶液を、
ＭｇＮｂ複合アルコキシド溶液に、（Ｍｇ＋Ｎｂ）：Ｚ
ｒ：（Ｎｉ＋Ｎｂ）＝１−ｘ―ｙ：ｘ：ｙの比率で混合
し、その後、１２４℃で３０分還流操作を行い、室温に
冷却後、アセチルアセトンをＭｇ−Ｎｉ−Ｎｂ―Ｚｒ溶
液の全金属量の１倍量添加後、室温で１０分間撹拌し、
安定化させた。
ＭｇＮｂ複合アルコキシド溶液に、（Ｍｇ＋Ｎｂ）：Ｚ
ｒ：（Ｎｉ＋Ｎｂ）＝１−ｘ―ｙ：ｘ：ｙの比率で混合
し、その後、１２４℃で３０分還流操作を行い、室温に
冷却後、アセチルアセトンをＭｇ−Ｎｉ−Ｎｂ―Ｚｒ溶
液の全金属量の１倍量添加後、室温で１０分間撹拌し、
安定化させた。
【００５１】酢酸鉛・３水和物と２−メトキシエタノー
ルをＭｇ−Ｎｂ−Ｎｉ−Ｚｒ溶液にＰｂ：（Ｍｇ＋Ｎｂ
＋Ｎｉ＋Ｚｒ）＝１．０５：（３．０５／３）（１−
ｘ）＋ｘとなるように混合し、１時間室温で撹拌するこ
とにより、１Ｍ濃度のＰｂ1.05（Ｍｇ1.05/3Ｎｂ2/3 ）
(1-x-y) Ｚｒx （Ｎｉ1.05/3Ｎｂ2/3 ）y Ｏ3 前駆体溶
液を合成した。
ルをＭｇ−Ｎｂ−Ｎｉ−Ｚｒ溶液にＰｂ：（Ｍｇ＋Ｎｂ
＋Ｎｉ＋Ｚｒ）＝１．０５：（３．０５／３）（１−
ｘ）＋ｘとなるように混合し、１時間室温で撹拌するこ
とにより、１Ｍ濃度のＰｂ1.05（Ｍｇ1.05/3Ｎｂ2/3 ）
(1-x-y) Ｚｒx （Ｎｉ1.05/3Ｎｂ2/3 ）y Ｏ3 前駆体溶
液を合成した。
【００５２】電極となるＰｔ（１１１）が６５０℃でス
パッタ蒸着されたサファイア単結晶基板上の上記Ｐｔ電
極の表面に、前記塗布溶液をスピンコーターで塗布し、
乾燥させた後、３８０℃で熱処理を１分間行い、ゲル膜
を作製した。塗布溶液の塗布−熱処理の操作を１１回繰
り返した後、８２０℃で０．５分間（大気中）の急速昇
温焼成を行い、膜厚０．８２５μｍのＰｂ1.05（Ｍｇ
1.05/3Ｎｂ2/3 ）(1-x-y ) Ｚｒx （Ｎｉ1.05/3Ｎ
ｂ2/3 ）y Ｏ3 薄膜を得た。得られた薄膜のＸ線回折結
果より、ペロブスカイト生成率を計算すると約９４％で
あった。
パッタ蒸着されたサファイア単結晶基板上の上記Ｐｔ電
極の表面に、前記塗布溶液をスピンコーターで塗布し、
乾燥させた後、３８０℃で熱処理を１分間行い、ゲル膜
を作製した。塗布溶液の塗布−熱処理の操作を１１回繰
り返した後、８２０℃で０．５分間（大気中）の急速昇
温焼成を行い、膜厚０．８２５μｍのＰｂ1.05（Ｍｇ
1.05/3Ｎｂ2/3 ）(1-x-y ) Ｚｒx （Ｎｉ1.05/3Ｎ
ｂ2/3 ）y Ｏ3 薄膜を得た。得られた薄膜のＸ線回折結
果より、ペロブスカイト生成率を計算すると約９４％で
あった。
【００５３】作製した０．８２５μｍ膜厚の薄膜表面に
直径０．２ｍｍの金電極をスパッタ蒸着により形成し、
セラミックコンデンサを作製した後、５００℃で１０分
間熱処理した。ＬＣＲメータ（ヒュウレットパッカード
社製４２８４Ａ）を用いて、２５℃、１ｋＨｚ（ＡＣ１
００ｍＶ）の条件で比誘電率を求めた。
直径０．２ｍｍの金電極をスパッタ蒸着により形成し、
セラミックコンデンサを作製した後、５００℃で１０分
間熱処理した。ＬＣＲメータ（ヒュウレットパッカード
社製４２８４Ａ）を用いて、２５℃、１ｋＨｚ（ＡＣ１
００ｍＶ）の条件で比誘電率を求めた。
【００５４】さらに、ＤＣバイアス特性として直流電界
２Ｖ／μｍ及び４Ｖ／μｍの電圧を印加したときの比誘
電率を評価し、表１に記載した。
２Ｖ／μｍ及び４Ｖ／μｍの電圧を印加したときの比誘
電率を評価し、表１に記載した。
【００５５】次に、作製した０．８２５μｍ膜厚の膜の
表面に直径０．０５ｍｍの金電極をスパッタ蒸着により
形成し、セラミックコンデンサを作製した後、５００℃
で１０分間熱処理した。このセラミックコンデンサにつ
いて、インピーダンスアナライザ（ヒュウレットパッカ
ード社製ＨＰ４２９１Ａ，フィクスチャーＨＰ１６０９
２Ａ）およびマイクロプローブを用いて１ＭＨｚ〜１．
８ＧＨｚにおける特性評価をおこなった。インピーダン
スー周波数特性の測定により、１００ＭＨｚにおける等
価直列容量を評価し、比誘電率を求めた。これらの結果
を表１の試料Ｎo.１〜１７に記載する。
表面に直径０．０５ｍｍの金電極をスパッタ蒸着により
形成し、セラミックコンデンサを作製した後、５００℃
で１０分間熱処理した。このセラミックコンデンサにつ
いて、インピーダンスアナライザ（ヒュウレットパッカ
ード社製ＨＰ４２９１Ａ，フィクスチャーＨＰ１６０９
２Ａ）およびマイクロプローブを用いて１ＭＨｚ〜１．
８ＧＨｚにおける特性評価をおこなった。インピーダン
スー周波数特性の測定により、１００ＭＨｚにおける等
価直列容量を評価し、比誘電率を求めた。これらの結果
を表１の試料Ｎo.１〜１７に記載する。
【００５６】
【表１】
【００５７】この表１から判るように、本発明の誘電体
薄膜は、１００ＭＨｚにおいて１０００以上の高誘電率
を有するのに対して、比較例ではいずれも１００ＭＨｚ
における比誘電率が１０００よりも低いことが判る。
薄膜は、１００ＭＨｚにおいて１０００以上の高誘電率
を有するのに対して、比較例ではいずれも１００ＭＨｚ
における比誘電率が１０００よりも低いことが判る。
【００５８】また、ＭｇエトキシドとＮｂエトキシドの
比をｂ（０．９〜１．２）：２とし、ＭｇＮｂ複合アル
コキシド溶液を合成し、酢酸鉛・３水和物と２−メトキ
シエタノールをＭｇ−Ｎｉ−Ｎｂ−Ｚｒ溶液にＰｂ：
（Ｍｇ＋Ｎｉ＋Ｎｂ＋Ｚｒ）＝ａ（０．９〜１．２）：
〔〔ｂ（０．９〜１．２）＋２〕／３〕（１−ｘ）＋ｘ
となるように混合する以外は、上記例と同様に誘電体薄
膜を作製し、また、上記例と同様にして特性を測定し
た。その結果も表１の試料Ｎo.１８〜２６に記載した。
比をｂ（０．９〜１．２）：２とし、ＭｇＮｂ複合アル
コキシド溶液を合成し、酢酸鉛・３水和物と２−メトキ
シエタノールをＭｇ−Ｎｉ−Ｎｂ−Ｚｒ溶液にＰｂ：
（Ｍｇ＋Ｎｉ＋Ｎｂ＋Ｚｒ）＝ａ（０．９〜１．２）：
〔〔ｂ（０．９〜１．２）＋２〕／３〕（１−ｘ）＋ｘ
となるように混合する以外は、上記例と同様に誘電体薄
膜を作製し、また、上記例と同様にして特性を測定し
た。その結果も表１の試料Ｎo.１８〜２６に記載した。
【００５９】この表１から、本発明の誘電体薄膜は、１
００ＭＨｚにおいて１０００以上の高誘電率を有し、ま
た、４Ｖ／μｍの電界印加下においても１０００以上の
比誘電率であるの対して、比較例ではいずれも１ｋＨｚ
における比誘電率が１０００よりも低いことが判る。
００ＭＨｚにおいて１０００以上の高誘電率を有し、ま
た、４Ｖ／μｍの電界印加下においても１０００以上の
比誘電率であるの対して、比較例ではいずれも１ｋＨｚ
における比誘電率が１０００よりも低いことが判る。
【００６０】尚、−２５℃の静電容量の変化率（％）
は、−２５℃の静電容量をＣ-25 とし、２５℃の静電容
量をＣ25とした時、（Ｃ-25 −Ｃ25）×１００／Ｃ25で
求め、８５℃の静電容量の変化率（％）は、８５℃の静
電容量をＣ85とし、２５℃の静電容量をＣ25とした時、
（Ｃ85−Ｃ25）×１００／Ｃ25で求めた。
は、−２５℃の静電容量をＣ-25 とし、２５℃の静電容
量をＣ25とした時、（Ｃ-25 −Ｃ25）×１００／Ｃ25で
求め、８５℃の静電容量の変化率（％）は、８５℃の静
電容量をＣ85とし、２５℃の静電容量をＣ25とした時、
（Ｃ85−Ｃ25）×１００／Ｃ25で求めた。
【００６１】さらに、本発明者は、試料Ｎo.６からなる
組成であって、塗布溶液の塗布−熱処理の操作の繰り返
し回数を変化させ、厚みを１μｍ、２μｍとする以外は
上記と同様にして誘電体薄膜を作製し、上記と同様に特
性を測定し、厚みが１μｍの場合を試料Ｎo.２７、厚み
が２μｍの場合を試料Ｎo.２８として記載した。
組成であって、塗布溶液の塗布−熱処理の操作の繰り返
し回数を変化させ、厚みを１μｍ、２μｍとする以外は
上記と同様にして誘電体薄膜を作製し、上記と同様に特
性を測定し、厚みが１μｍの場合を試料Ｎo.２７、厚み
が２μｍの場合を試料Ｎo.２８として記載した。
【００６２】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の誘電体薄
膜は、ＤＣバイアス特性、温度特性が優れているうえ
に、１００ＭＨｚの様な高周波においても比誘電率が大
きい為、素子の小型化を図ることができるとともに、Ｉ
Ｃまわりのデカップリングコンデンサ等の高周波で用い
られるコンデンサとして広く適用できる。
膜は、ＤＣバイアス特性、温度特性が優れているうえ
に、１００ＭＨｚの様な高周波においても比誘電率が大
きい為、素子の小型化を図ることができるとともに、Ｉ
Ｃまわりのデカップリングコンデンサ等の高周波で用い
られるコンデンサとして広く適用できる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01G 4/00 - 4/12
C04B 35/48
H01B 3/12
Claims (2)
- 【請求項１】金属元素としてＰｂ、Ｍｇ、ＮｂおよびＮ
ｉを含むペロブスカイト型複合酸化物からなる膜厚２μ
ｍ以下のゾルゲル法で作製された誘電体薄膜であって、
前記金属元素酸化物のモル比による組成式を（１−ｘ−
ｙ）Ｐｂａ（Ｍｇｂ／３Ｎｂ２／３）Ｏ３・ｘＰｂａＺ
ｒＯ３・ｙＰｂａ（Ｎｉｂ／３Ｎｂ２／３）Ｏ３と表し
た時、前記ｘ、ｙ、ａおよびｂが ０≦ｘ≦０．３０ ０＜ｙ≦０．２０ １≦ａ≦１．１０ １≦ｂ≦１．１５ を満足するとともに、測定周波数１ｋＨｚ（室温）にお
ける比誘電率が１０００以上であり、かつ、測定周波数
１００ＭＨｚ（室温）における比誘電率が１０００以上
であることを特徴とする誘電体薄膜。 - 【請求項２】請求項１記載の誘電体薄膜の両面に一対の
電極を対向して形成してなることを特徴とするセラミッ
クコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20603497A JP3512601B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20603497A JP3512601B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154360A JPH1154360A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3512601B2 true JP3512601B2 (ja) | 2004-03-31 |
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ID=16516810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20603497A Expired - Fee Related JP3512601B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3512601B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100591931B1 (ko) | 2005-03-07 | 2006-06-20 | 고경현 | 전계 가변형 Ｐｂ계 파이로클로어 유전체 박막과 제조 방법 |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP20603497A patent/JP3512601B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1154360A (ja) | 1999-02-26 |
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