JP3215030B2 - 誘電体薄膜 - Google Patents
誘電体薄膜Info
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- JP3215030B2 JP3215030B2 JP30562595A JP30562595A JP3215030B2 JP 3215030 B2 JP3215030 B2 JP 3215030B2 JP 30562595 A JP30562595 A JP 30562595A JP 30562595 A JP30562595 A JP 30562595A JP 3215030 B2 JP3215030 B2 JP 3215030B2
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- JP
- Japan
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- thin film
- dielectric constant
- dielectric
- dielectric thin
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体薄膜に関す
るものであり、例えば、１層当りの膜厚が５μｍ以内の
積層セラミックコンデンサ等に用いられるペロブスカイ
ト型複合酸化物からなる誘電体薄膜に関する。
るものであり、例えば、１層当りの膜厚が５μｍ以内の
積層セラミックコンデンサ等に用いられるペロブスカイ
ト型複合酸化物からなる誘電体薄膜に関する。
【０００２】
【従来技術】一般に、コンデンサなどに使用される誘電
体材料には、高い誘電率が要求されることは勿論のこ
と、誘電損失が小さく、温度特性が良好であり、直流電
圧に対する誘電特性の依存性が小さい等の種々の要求を
満足させる必要がある。
体材料には、高い誘電率が要求されることは勿論のこ
と、誘電損失が小さく、温度特性が良好であり、直流電
圧に対する誘電特性の依存性が小さい等の種々の要求を
満足させる必要がある。
【０００３】従来では、誘電体材料として、チタン酸バ
リウム（ＢａＴｉＯ3 ）のようなペロブスカイト型の各
種酸化物が報告されており、また実用化されている。
リウム（ＢａＴｉＯ3 ）のようなペロブスカイト型の各
種酸化物が報告されており、また実用化されている。
【０００４】一方、近年、電子機器の小型化，高性能化
に伴い、コンデンサ等の電子部品の小型化，大容量化の
要求が高まってきている。この様な要求に応えるため
に、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣ）においては、
誘電体層を薄層化することにより静電容量を高めると共
に、小型化を図る必要が生じている。
に伴い、コンデンサ等の電子部品の小型化，大容量化の
要求が高まってきている。この様な要求に応えるため
に、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣ）においては、
誘電体層を薄層化することにより静電容量を高めると共
に、小型化を図る必要が生じている。
【０００５】しかしながら、薄層化された積層セラミッ
クコンデンサにおいては、誘電体層中の結晶粒径が小さ
くなり、サイズ効果により比誘電率が低下することが問
題となっていた。また薄層化に伴い、誘電体１層当りに
かかる電圧が大きくなり、特に直流成分のかかった状態
での比誘電率の低下（ＤＣバイアス特性の低下）が問題
となっていた。
クコンデンサにおいては、誘電体層中の結晶粒径が小さ
くなり、サイズ効果により比誘電率が低下することが問
題となっていた。また薄層化に伴い、誘電体１層当りに
かかる電圧が大きくなり、特に直流成分のかかった状態
での比誘電率の低下（ＤＣバイアス特性の低下）が問題
となっていた。
【０００６】これらの問題点を解決した、（ＰｂＬａ）
（ＺｒＴｉ）Ｏ3 系の誘電体薄膜が、特開平３−２８３
５１５号公報に開示されている。
（ＺｒＴｉ）Ｏ3 系の誘電体薄膜が、特開平３−２８３
５１５号公報に開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＢａＴ
ｉＯ3 系の誘電体材料の薄層化については、サイズ効果
による比誘電率の低下およびＤＣバイアス特性の低下に
ついて解決されていなかった。
ｉＯ3 系の誘電体材料の薄層化については、サイズ効果
による比誘電率の低下およびＤＣバイアス特性の低下に
ついて解決されていなかった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の問
題点に対して検討を重ねた結果、Ｂサイト元素であるＴ
ｉ原子をＺｒ原子で２ｍｏｌ％から３０ｍｏｌ％置換
し、ペロブスカイト結晶の平均結晶粒径を０．０９〜
０．１９μｍに制御した、即ち、ＢａＴｉ1-x Ｚｒx Ｏ
3 と表した時のｘおよびペロブスカイト結晶の平均結晶
粒径ｄ（μｍ）を、図１における線分Ａ Ｂ Ｃ Ｄ
Ｅ Ｆ Ｇ Ｈ Ａで囲まれる範囲内とすることによ
り、粒径の細かい誘電体薄膜においても比誘電率が大き
くなり、かつＤＣバイアスに対する特性も良好となるこ
とを見い出し、本発明に至った。
題点に対して検討を重ねた結果、Ｂサイト元素であるＴ
ｉ原子をＺｒ原子で２ｍｏｌ％から３０ｍｏｌ％置換
し、ペロブスカイト結晶の平均結晶粒径を０．０９〜
０．１９μｍに制御した、即ち、ＢａＴｉ1-x Ｚｒx Ｏ
3 と表した時のｘおよびペロブスカイト結晶の平均結晶
粒径ｄ（μｍ）を、図１における線分Ａ Ｂ Ｃ Ｄ
Ｅ Ｆ Ｇ Ｈ Ａで囲まれる範囲内とすることによ
り、粒径の細かい誘電体薄膜においても比誘電率が大き
くなり、かつＤＣバイアスに対する特性も良好となるこ
とを見い出し、本発明に至った。
【０００９】即ち、本発明の誘電体薄膜は、金属元素と
してＢａ，Ｔｉ，Ｚｒを含有するペロブスカイト型複合
酸化物からなる誘電体薄膜であって、これらの成分をＢ
ａＴｉ1-x Ｚｒx Ｏ3 と表した時のｘおよびペロブスカ
イト結晶の平均結晶粒径ｄ（μｍ）が、図１における線
分Ａ Ｂ Ｃ Ｄ Ｅ Ｆ Ｇ Ｈ Ａで囲まれる範囲
内にあることを特徴とする。ここで、各点（ｘ、ｄ）
は、Ａ（０．０２、０．１９）、Ｂ（０．１５、０．１
５）、Ｃ（０．３０、０．１５）、Ｄ（０．３０、０．
１４）、Ｅ（０．２５、０．１４）、Ｆ（０．１０、
０．１０）、Ｇ（０．０５、０．０９）、Ｈ（０．０
２、０．１１）である。
してＢａ，Ｔｉ，Ｚｒを含有するペロブスカイト型複合
酸化物からなる誘電体薄膜であって、これらの成分をＢ
ａＴｉ1-x Ｚｒx Ｏ3 と表した時のｘおよびペロブスカ
イト結晶の平均結晶粒径ｄ（μｍ）が、図１における線
分Ａ Ｂ Ｃ Ｄ Ｅ Ｆ Ｇ Ｈ Ａで囲まれる範囲
内にあることを特徴とする。ここで、各点（ｘ、ｄ）
は、Ａ（０．０２、０．１９）、Ｂ（０．１５、０．１
５）、Ｃ（０．３０、０．１５）、Ｄ（０．３０、０．
１４）、Ｅ（０．２５、０．１４）、Ｆ（０．１０、
０．１０）、Ｇ（０．０５、０．０９）、Ｈ（０．０
２、０．１１）である。
【００１０】
【作用】ＢａＴｉＯ3 系の誘電体材料においては、１２
０℃、１０℃、−７０℃に相転移点が存在し、その近傍
で比誘電率が高くなっている。つまり室温付近はこの相
転移点の中間に存在し、温度特性は良好であるが比誘電
率はあまり大きくない。
０℃、１０℃、−７０℃に相転移点が存在し、その近傍
で比誘電率が高くなっている。つまり室温付近はこの相
転移点の中間に存在し、温度特性は良好であるが比誘電
率はあまり大きくない。
【００１１】本発明の積層セラミックコンデンサでは、
ＢａＴｉＯ3 のＴｉ原子をＺｒ原子にて置換することに
より、３点の相転移点は室温付近にシフトし、室温で３
種類の強誘電体相が存在することにより、高い比誘電率
を実現している。また薄膜中の平均結晶粒径を細かくす
ることにより、強誘電体的性質に常誘電体的性質が現れ
るために、比誘電率は多少低下するが直流電圧がかかっ
た状態の比誘電率の低下が抑制され、ＤＣバイアス特性
は良好となる。
ＢａＴｉＯ3 のＴｉ原子をＺｒ原子にて置換することに
より、３点の相転移点は室温付近にシフトし、室温で３
種類の強誘電体相が存在することにより、高い比誘電率
を実現している。また薄膜中の平均結晶粒径を細かくす
ることにより、強誘電体的性質に常誘電体的性質が現れ
るために、比誘電率は多少低下するが直流電圧がかかっ
た状態の比誘電率の低下が抑制され、ＤＣバイアス特性
は良好となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明においては、ＢａＴｉ1-x
Ｚｒx Ｏ3 と表した時のｘが０．０２〜０．３０であ
り、平均結晶粒径ｄが０．０９〜０．１９μｍを満足す
るものである。
Ｚｒx Ｏ3 と表した時のｘが０．０２〜０．３０であ
り、平均結晶粒径ｄが０．０９〜０．１９μｍを満足す
るものである。
【００１３】ｘの値を０．０２〜０．３０としたのは、
ｘが０．０２よりも小さい場合にはＢａＴｉＯ3 のサイ
ズ効果により比誘電率が小さくなり、ｘが０．３０より
も大きい場合には比誘電率が最大となる温度が室温以下
となり、室温近傍の比誘電率が小さくなるからである。
ＢａＴｉ1-x Ｚｒx Ｏ3 と表した時のｘは０．０５〜
０．１０であることが、室温で比誘電率が大きくなる点
から望ましい。
ｘが０．０２よりも小さい場合にはＢａＴｉＯ3 のサイ
ズ効果により比誘電率が小さくなり、ｘが０．３０より
も大きい場合には比誘電率が最大となる温度が室温以下
となり、室温近傍の比誘電率が小さくなるからである。
ＢａＴｉ1-x Ｚｒx Ｏ3 と表した時のｘは０．０５〜
０．１０であることが、室温で比誘電率が大きくなる点
から望ましい。
【００１４】また、平均結晶粒径ｄを０．０９〜０．１
９μｍとしたのは、平均結晶粒径ｄが０．０９μｍより
も小さい場合には比誘電率が小さくなるからであり、ｄ
が０．１９μｍよりも大きい場合には、誘電損失が大き
く、ＤＣバイアスに対する誘電率の変化率が大きくなる
からである。
９μｍとしたのは、平均結晶粒径ｄが０．０９μｍより
も小さい場合には比誘電率が小さくなるからであり、ｄ
が０．１９μｍよりも大きい場合には、誘電損失が大き
く、ＤＣバイアスに対する誘電率の変化率が大きくなる
からである。
【００１５】そして、ＢａＴｉ1-x Ｚｒx Ｏ3 と表した
時のｘの範囲および平均結晶粒径ｄは、図１における点
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈで囲む線分の範囲内に
ある必要がある。
時のｘの範囲および平均結晶粒径ｄは、図１における点
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈで囲む線分の範囲内に
ある必要がある。
【００１６】即ち、（ｘの値、平均結晶粒径ｄ）で表さ
れる点Ａ（０．０２、０．１９），Ｂ（０．１５、０．
１５），Ｃ（０．３０、０．１５），Ｄ（０．３０、
０．１４），Ｅ（０．２５、０．１４）、Ｆ（０．１
０、０．１０）、Ｇ（０．０５、０．０９）、Ｈ（０．
０２、０．１１）で囲む線分の範囲内である必要があ
る。この範囲内としたのは、上記した理由、および図１
において線分ＤＥＦＧＨよりも下方にある部分では、比
誘電率が小さくなるからである。特に、比誘電率の向上
およびＤＣバイアス特性の向上という理由から、Ｉ
（０．０５、０．１５），Ｂ（０．１５、０．１５），
Ｊ（０．１５、０．１２），Ｇ（０．０５、０．０７）
で囲まれる範囲内が望ましい。
れる点Ａ（０．０２、０．１９），Ｂ（０．１５、０．
１５），Ｃ（０．３０、０．１５），Ｄ（０．３０、
０．１４），Ｅ（０．２５、０．１４）、Ｆ（０．１
０、０．１０）、Ｇ（０．０５、０．０９）、Ｈ（０．
０２、０．１１）で囲む線分の範囲内である必要があ
る。この範囲内としたのは、上記した理由、および図１
において線分ＤＥＦＧＨよりも下方にある部分では、比
誘電率が小さくなるからである。特に、比誘電率の向上
およびＤＣバイアス特性の向上という理由から、Ｉ
（０．０５、０．１５），Ｂ（０．１５、０．１５），
Ｊ（０．１５、０．１２），Ｇ（０．０５、０．０７）
で囲まれる範囲内が望ましい。
【００１７】本発明の誘電体薄膜は、先ず、金属元素と
してＢａ，Ｔｉ，Ｚｒを含有するペロブスカイト型複合
酸化物であって、これらの成分をＢａＴｉ1-x Ｚｒx Ｏ
3 と表した時のｘが０．０２〜０．３０である原料溶液
を作製し、この溶液を基板上に塗布した後、乾燥し、熱
処理を繰り返して所望厚さの膜を形成し、焼成すること
により得られる。
してＢａ，Ｔｉ，Ｚｒを含有するペロブスカイト型複合
酸化物であって、これらの成分をＢａＴｉ1-x Ｚｒx Ｏ
3 と表した時のｘが０．０２〜０．３０である原料溶液
を作製し、この溶液を基板上に塗布した後、乾燥し、熱
処理を繰り返して所望厚さの膜を形成し、焼成すること
により得られる。
【００１８】即ち、本発明で用いられるペロブスカイト
型酸化物はＢａＴｉ1-x Ｚｒx Ｏ3で表され、図１に示
すようにｘの範囲が０．０２〜０．３０であり、結晶粒
径の範囲が０．０９〜０．１９μｍの値を満足する誘電
体薄膜は、各成分の組成の制御、膜厚、微粒領域（０．
０５〜１μｍ）での結晶粒径の制御が比較的容易な、以
下のような方法で形成することが望ましい。
型酸化物はＢａＴｉ1-x Ｚｒx Ｏ3で表され、図１に示
すようにｘの範囲が０．０２〜０．３０であり、結晶粒
径の範囲が０．０９〜０．１９μｍの値を満足する誘電
体薄膜は、各成分の組成の制御、膜厚、微粒領域（０．
０５〜１μｍ）での結晶粒径の制御が比較的容易な、以
下のような方法で形成することが望ましい。
【００１９】先ず、Ｂａ，Ｔｉ，Ｚｒの各金属イオンを
含有する有機酸塩，無機塩，あるいは金属アルコキシド
のような有機金属化合物を出発原料とし、ＢａＴｉ1-x
Ｚｒx Ｏ3 におけるｘの範囲が０．０２〜０．３０を満
足する組成となるように混合し、原料溶液を調製する。
含有する有機酸塩，無機塩，あるいは金属アルコキシド
のような有機金属化合物を出発原料とし、ＢａＴｉ1-x
Ｚｒx Ｏ3 におけるｘの範囲が０．０２〜０．３０を満
足する組成となるように混合し、原料溶液を調製する。
【００２０】次に、この原料溶液を基板上に塗布する。
溶液の塗布はスピンコーティング，ディップコーティン
グなどの種々の方法により行うことができる。次に、こ
うして基板上に塗布された塗膜から有機成分を除去する
ために大気中で２００〜６００℃で１〜２分間熱処理を
行い、この後、結晶化するために大気中で７００〜９０
０℃で３０秒〜１０分間結晶化用熱処理を行う。これら
の塗布〜結晶化用熱処理の一連のプロセスを繰り返すこ
とにより所望の膜厚の誘電体薄膜を得、最後に０．０９
〜０．１９μｍの平均結晶粒径を得るために酸素含有雰
囲気中で９００〜１１４０℃で１０分間〜３時間焼成を
行い、厚みが５μｍ以下の本発明の誘電体薄膜を得る。
本発明では、誘電体薄膜の厚みは、０．３〜２μｍが特
性上や製造上の観点から望ましい。
溶液の塗布はスピンコーティング，ディップコーティン
グなどの種々の方法により行うことができる。次に、こ
うして基板上に塗布された塗膜から有機成分を除去する
ために大気中で２００〜６００℃で１〜２分間熱処理を
行い、この後、結晶化するために大気中で７００〜９０
０℃で３０秒〜１０分間結晶化用熱処理を行う。これら
の塗布〜結晶化用熱処理の一連のプロセスを繰り返すこ
とにより所望の膜厚の誘電体薄膜を得、最後に０．０９
〜０．１９μｍの平均結晶粒径を得るために酸素含有雰
囲気中で９００〜１１４０℃で１０分間〜３時間焼成を
行い、厚みが５μｍ以下の本発明の誘電体薄膜を得る。
本発明では、誘電体薄膜の厚みは、０．３〜２μｍが特
性上や製造上の観点から望ましい。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を具体的な例で説明する。出発
原料であるテトラ−イソ−プロポキシチタン、テトラ−
ｎ−プロポキシジルコニウムを、溶媒である２−メトキ
シエタノールに溶かし、それぞれ０．４Ｍ（ｍｏｌ／
ｌ）濃度のチタン溶液とジルコニウム溶液を作製した。
また金属バリウムを溶媒である２−メトキシエタノール
に溶解させ、バリウム溶液を作製した。これらの３種の
溶液を、ＢａＴｉ1-x Ｚｒx Ｏ3 と表した時のｘが表１
の値となるように混合し、１時間還流を行うことによ
り、金属元素としてＢａ，Ｔｉ，Ｚｒを含有するペロブ
スカイト型複合酸化物であって、これらの成分をＢａＴ
ｉ1-x Ｚｒx Ｏ3 と表した時のｘが表１の値となるよう
な原料溶液を調製した。
原料であるテトラ−イソ−プロポキシチタン、テトラ−
ｎ−プロポキシジルコニウムを、溶媒である２−メトキ
シエタノールに溶かし、それぞれ０．４Ｍ（ｍｏｌ／
ｌ）濃度のチタン溶液とジルコニウム溶液を作製した。
また金属バリウムを溶媒である２−メトキシエタノール
に溶解させ、バリウム溶液を作製した。これらの３種の
溶液を、ＢａＴｉ1-x Ｚｒx Ｏ3 と表した時のｘが表１
の値となるように混合し、１時間還流を行うことによ
り、金属元素としてＢａ，Ｔｉ，Ｚｒを含有するペロブ
スカイト型複合酸化物であって、これらの成分をＢａＴ
ｉ1-x Ｚｒx Ｏ3 と表した時のｘが表１の値となるよう
な原料溶液を調製した。
【００２２】ついで、これら各原料溶液を白金（Ｐｔ）
基板上にそれぞれスピンコートし、得られた塗膜に対し
て大気中３００℃で１分間熱処理を行い、この後、大気
中７５０℃で５分間結晶化用熱処理を行った。このよう
なスピンコートによる溶液の塗布から結晶化用熱処理ま
での一連のプロセスを２０回繰り返し行い、膜厚が０．
６μｍの薄膜を形成し、酸素雰囲気中９００〜１１００
℃で１時間焼成を行い、表１の平均結晶粒径ｄの誘電体
薄膜を得た。
基板上にそれぞれスピンコートし、得られた塗膜に対し
て大気中３００℃で１分間熱処理を行い、この後、大気
中７５０℃で５分間結晶化用熱処理を行った。このよう
なスピンコートによる溶液の塗布から結晶化用熱処理ま
での一連のプロセスを２０回繰り返し行い、膜厚が０．
６μｍの薄膜を形成し、酸素雰囲気中９００〜１１００
℃で１時間焼成を行い、表１の平均結晶粒径ｄの誘電体
薄膜を得た。
【００２３】得られた誘電体薄膜をＸ線回折測定（ＸＲ
Ｄ）により分析を行ったところ、いずれもペロブスカイ
ト型酸化物のピークが確認された。また誘電体薄膜を走
査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察し、平均結晶粒径を
測定した。さらに、誘電特性の評価は、誘電体薄膜上に
Ａｕを蒸着して上部電極とし、下部電極であるＰｔ層と
平板コンデンサを形成することにより行った。測定はＬ
ＣＲメーターによって行い、測定周波数ｆ＝１ｋＨｚ、
印加電圧Ｖrms ＝１００ｍＶとした。室温での比誘電率
（Ｋ）、誘電損失（ＤＦ）および−２５℃と８５℃の比
誘電率の変化率を測定し、これらの結果を表１に示す。
尚、−２５℃の比誘電率の変化率（％）は、−２５℃の
比誘電率をＫ-25 とし、２５℃の比誘電率をＫ25とした
時、（Ｋ-25 −Ｋ25）×１００／Ｋ25で求め、８５℃の
比誘電率の変化率（％）は、８５℃の比誘電率をＫ85と
し、２５℃の比誘電率をＫ25とした時、（Ｋ85−Ｋ25）
×１００／Ｋ25で求めた。またＤＣバイアスを、電圧を
印加しない場合の比誘電率Ｋ0 、５ＭＶ／ｍの電圧を印
加したときの比誘電率Ｋ1 とした時に、（Ｋ0 −Ｋ1 ）
／Ｋ0 ×１００で求め、表１に記載した。
Ｄ）により分析を行ったところ、いずれもペロブスカイ
ト型酸化物のピークが確認された。また誘電体薄膜を走
査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察し、平均結晶粒径を
測定した。さらに、誘電特性の評価は、誘電体薄膜上に
Ａｕを蒸着して上部電極とし、下部電極であるＰｔ層と
平板コンデンサを形成することにより行った。測定はＬ
ＣＲメーターによって行い、測定周波数ｆ＝１ｋＨｚ、
印加電圧Ｖrms ＝１００ｍＶとした。室温での比誘電率
（Ｋ）、誘電損失（ＤＦ）および−２５℃と８５℃の比
誘電率の変化率を測定し、これらの結果を表１に示す。
尚、−２５℃の比誘電率の変化率（％）は、−２５℃の
比誘電率をＫ-25 とし、２５℃の比誘電率をＫ25とした
時、（Ｋ-25 −Ｋ25）×１００／Ｋ25で求め、８５℃の
比誘電率の変化率（％）は、８５℃の比誘電率をＫ85と
し、２５℃の比誘電率をＫ25とした時、（Ｋ85−Ｋ25）
×１００／Ｋ25で求めた。またＤＣバイアスを、電圧を
印加しない場合の比誘電率Ｋ0 、５ＭＶ／ｍの電圧を印
加したときの比誘電率Ｋ1 とした時に、（Ｋ0 −Ｋ1 ）
／Ｋ0 ×１００で求め、表１に記載した。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１から判るように、図１の点Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈを結んだ線分で囲まれる本発明
の誘電体薄膜は、１０００以上の高誘電率を有し、また
誘電損失も１．６４から３．５％と小さいことが判る。
また０．０９μｍ未満の粒径の試料（Ｎo,５，２１，２
７）では、比誘電率は１０００以下となってしまう。
Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈを結んだ線分で囲まれる本発明
の誘電体薄膜は、１０００以上の高誘電率を有し、また
誘電損失も１．６４から３．５％と小さいことが判る。
また０．０９μｍ未満の粒径の試料（Ｎo,５，２１，２
７）では、比誘電率は１０００以下となってしまう。
【００２６】また、本発明では、ＤＣバイアスに対する
比誘電率の変化は、５ＭＶ／ｍ印加時においても３０％
未満の低下であり、比誘電率Ｋが１０００以上であり、
誘電損失ＤＦが３．５％以下であるの対して、比較例で
はいずれも比誘電率が１０００よりも低く、誘電損失が
３．５％よりも大きい場合があることが判る。
比誘電率の変化は、５ＭＶ／ｍ印加時においても３０％
未満の低下であり、比誘電率Ｋが１０００以上であり、
誘電損失ＤＦが３．５％以下であるの対して、比較例で
はいずれも比誘電率が１０００よりも低く、誘電損失が
３．５％よりも大きい場合があることが判る。
【００２７】さらに、粉体を原料として作製した粒径が
１０μｍ以上の従来のＢａＴｉＯ3系材料では、高誘電
率を有するもののＤＣバイアスに対する容量の変化が５
ＭＶ／ｍ印加時に７０％の低下であり、本願発明では優
れた誘電特性を有することが判る。
１０μｍ以上の従来のＢａＴｉＯ3系材料では、高誘電
率を有するもののＤＣバイアスに対する容量の変化が５
ＭＶ／ｍ印加時に７０％の低下であり、本願発明では優
れた誘電特性を有することが判る。
【００２８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の誘電体薄
膜は、ＤＣバイアス特性、温度特性が優れているうえ
に、１０００以上の高誘電率を示し、かつ誘電損失が小
さいので積層セラミックコンデンサー等の電子部品に広
く適用できる。
膜は、ＤＣバイアス特性、温度特性が優れているうえ
に、１０００以上の高誘電率を示し、かつ誘電損失が小
さいので積層セラミックコンデンサー等の電子部品に広
く適用できる。
【図１】横軸に本発明の誘電体薄膜の組成式における
ｘ、縦軸に本発明の誘電体薄膜の平均結晶粒径ｄ（μ
ｍ）を記載した図である。
ｘ、縦軸に本発明の誘電体薄膜の平均結晶粒径ｄ（μ
ｍ）を記載した図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−318404（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/42 - 35/49
Claims (1)
- 【請求項１】金属元素としてＢａ，Ｔｉ，Ｚｒを含有す
るペロブスカイト型複合酸化物からなる誘電体薄膜であ
って、これらの成分をＢａＴｉ1-x Ｚｒx Ｏ3と表した
時のｘおよびペロブスカイト結晶の平均結晶粒径ｄ（μ
ｍ）が、図１における線分Ａ Ｂ Ｃ Ｄ Ｅ Ｆ Ｇ
Ｈ Ａで囲まれる範囲内にあることを特徴とする誘電
体薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30562595A JP3215030B2 (ja) | 1995-05-23 | 1995-11-24 | 誘電体薄膜 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12394395 | 1995-05-23 | ||
| JP7-123943 | 1995-05-23 | ||
| JP30562595A JP3215030B2 (ja) | 1995-05-23 | 1995-11-24 | 誘電体薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0940462A JPH0940462A (ja) | 1997-02-10 |
| JP3215030B2 true JP3215030B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=26460732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30562595A Expired - Fee Related JP3215030B2 (ja) | 1995-05-23 | 1995-11-24 | 誘電体薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3215030B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6781065B2 (ja) * | 2017-02-20 | 2020-11-04 | 京セラ株式会社 | コンデンサ |
-
1995
- 1995-11-24 JP JP30562595A patent/JP3215030B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0940462A (ja) | 1997-02-10 |
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