JP3116428B2 - 薄膜誘電体およびその製造方法 - Google Patents
薄膜誘電体およびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜誘電体およびその
製造方法に係わり、更に詳しくは有機溶媒に可溶な鉛化
合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物およびチタニ
ウム化合物を特定割合で含む薄膜形成用の溶液を基板上
に塗布後さらに熱処理することにより得られる薄膜誘電
体およびその製造方法に関するものである。
製造方法に係わり、更に詳しくは有機溶媒に可溶な鉛化
合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物およびチタニ
ウム化合物を特定割合で含む薄膜形成用の溶液を基板上
に塗布後さらに熱処理することにより得られる薄膜誘電
体およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より酸化チタン、チタン酸バリウム
はその誘電特性により磁器コンデンサーとして利用され
てきた。この磁器コンデンサーでは、静電容量を大きく
するため一般的に積層型にして用いられている。
はその誘電特性により磁器コンデンサーとして利用され
てきた。この磁器コンデンサーでは、静電容量を大きく
するため一般的に積層型にして用いられている。
【０００３】コンデンサーの製造方法は、固相反応や溶
液反応で得られた粒径が０．５〜５μｍの誘電体粉末に
バインダーと溶剤とを混合してスラリーを作製し、その
スラリーをドクターブレード法等で薄板状に成形し、得
られた薄板を１０〜数十層に積層し、１２００〜１３０
０℃の温度で焼成するという工程から成っている。
液反応で得られた粒径が０．５〜５μｍの誘電体粉末に
バインダーと溶剤とを混合してスラリーを作製し、その
スラリーをドクターブレード法等で薄板状に成形し、得
られた薄板を１０〜数十層に積層し、１２００〜１３０
０℃の温度で焼成するという工程から成っている。
【０００４】また、静電容量を大きくする方法として誘
電体層を薄膜化する方法がある。積層型コンデンサーの
場合、１層の厚みが約２０〜４０μｍで、これを約５０
層程度積層させたものが一般的であるが、１層が１μｍ
程度に薄膜化できてしかも単層でも積層型と同等、もし
くはそれ以上の静電容量が得られるなら、コンデンサー
の小型化が可能となる。
電体層を薄膜化する方法がある。積層型コンデンサーの
場合、１層の厚みが約２０〜４０μｍで、これを約５０
層程度積層させたものが一般的であるが、１層が１μｍ
程度に薄膜化できてしかも単層でも積層型と同等、もし
くはそれ以上の静電容量が得られるなら、コンデンサー
の小型化が可能となる。
【０００５】薄膜化の方法としてはスパッタ法、真空蒸
着法、ＣＶＤ法等の気相法がこれまで試みられている。
〔ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル・ソサエティ
（Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．）Ｖｏｌ．１
１９，Ｎｏ．６ Ｐ７３５−７３９（１９７２）〕
着法、ＣＶＤ法等の気相法がこれまで試みられている。
〔ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル・ソサエティ
（Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．）Ｖｏｌ．１
１９，Ｎｏ．６ Ｐ７３５−７３９（１９７２）〕
【０００６】また、有機金属化合物を塗布した後、熱分
解により薄膜誘電体を製造する方法がある。たとえば、
酢酸鉛とチタンアルコキシドとをメトキシエタノール中
でＰｂ：Ｔｉ＝１：１の比で混合した後、加熱反応さ
せ、これを石英ガラス基板上に塗布後に電気炉中で焼成
を行い、薄膜状チタン酸鉛を得る方法が知られている。
〔ブリティッシュ・セラミック・プロシーディング（Ｂ
ｒｉｔｉｓｈ．Ｃｅｒａｍｉｃ．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎ
ｇ）（３６）１０７−１２１（１９８５）〕
解により薄膜誘電体を製造する方法がある。たとえば、
酢酸鉛とチタンアルコキシドとをメトキシエタノール中
でＰｂ：Ｔｉ＝１：１の比で混合した後、加熱反応さ
せ、これを石英ガラス基板上に塗布後に電気炉中で焼成
を行い、薄膜状チタン酸鉛を得る方法が知られている。
〔ブリティッシュ・セラミック・プロシーディング（Ｂ
ｒｉｔｉｓｈ．Ｃｅｒａｍｉｃ．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎ
ｇ）（３６）１０７−１２１（１９８５）〕
【０００７】チタン化合物と鉛化合物との混合物、また
はチタン化合物と鉛化合物との反応生成物のβ−ジケト
ン溶液をチタン酸鉛形成前駆体溶液として、塗布、加熱
処理を繰返すことによりチタン酸鉛薄膜を製造する例が
特開昭５９─１３９６１７号公報に記載されている。
はチタン化合物と鉛化合物との反応生成物のβ−ジケト
ン溶液をチタン酸鉛形成前駆体溶液として、塗布、加熱
処理を繰返すことによりチタン酸鉛薄膜を製造する例が
特開昭５９─１３９６１７号公報に記載されている。
【０００８】特開昭６０─２００４０３号公報には、Ｐ
ｂＺｒＯ3 ーＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｍｂ1/3 Ｎｂ2/3 ）
Ｏ3 系について薄膜誘電体の製造方法が開示されてい
る。
ｂＺｒＯ3 ーＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｍｂ1/3 Ｎｂ2/3 ）
Ｏ3 系について薄膜誘電体の製造方法が開示されてい
る。
【０００９】また、特開平１─２６０８７０号公報に
は、添加剤としてアルコールアミンを用いた溶液の塗布
熱分解法による変性チタン酸ジルコン酸鉛の薄膜の製造
例が記載されている。
は、添加剤としてアルコールアミンを用いた溶液の塗布
熱分解法による変性チタン酸ジルコン酸鉛の薄膜の製造
例が記載されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、固相法
や液相法により得た誘電体の粉末を用いドクターブレー
ド法で薄膜状誘電体を形成する場合には、誘電体粉末の
粒径が大きいために誘電体の膜厚を２０μｍ以下にする
ことは困難である。
や液相法により得た誘電体の粉末を用いドクターブレー
ド法で薄膜状誘電体を形成する場合には、誘電体粉末の
粒径が大きいために誘電体の膜厚を２０μｍ以下にする
ことは困難である。
【００１１】ところで、コンデンサーの静電容量は Ｃ＝（ε0 εr Ｓ／ｄ）×ｎ （式中、Ｃは静電容量、Ｓは面積、ｄは電極間距離、ε
0 は真空誘電率（８．８５×１０-12 Ｆ／ｍ）、εr は
比誘電率、ｎは積層数を示す）の関係にあるから、一般
に静電容量を大きくするためには積層数を増してやれば
良いわけであるが、ドクターブレード法では膜厚が厚く
なるので高容量化には自ずと限界がある。さらに、ドク
ターブレード法では誘電体粉末を得るための焼成と、成
形された生シートの焼成とを必要とするため製造コスト
が高くなるという欠点もある。
0 は真空誘電率（８．８５×１０-12 Ｆ／ｍ）、εr は
比誘電率、ｎは積層数を示す）の関係にあるから、一般
に静電容量を大きくするためには積層数を増してやれば
良いわけであるが、ドクターブレード法では膜厚が厚く
なるので高容量化には自ずと限界がある。さらに、ドク
ターブレード法では誘電体粉末を得るための焼成と、成
形された生シートの焼成とを必要とするため製造コスト
が高くなるという欠点もある。
【００１２】また、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法
等の気相法で薄膜状誘電体を形成しようとする場合、装
置が高価なことや目的とする誘電体物質の組成比を制御
することが困難であるため、高い比誘電率の薄膜を得る
ことが難しい等の問題点がある。
等の気相法で薄膜状誘電体を形成しようとする場合、装
置が高価なことや目的とする誘電体物質の組成比を制御
することが困難であるため、高い比誘電率の薄膜を得る
ことが難しい等の問題点がある。
【００１３】前記特開昭５９─１３９６１７号公報や特
開昭６０─２００４０３号公報に開示されてる薄膜誘電
体は、その比誘電率が低いため静電容量の高容量化は期
待できない。また、特開平１─２６０８７０号公報には
変性チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造例が記載されてい
るが、比誘電率や誘電損失等の誘電特性については何ら
の記載もない。
開昭６０─２００４０３号公報に開示されてる薄膜誘電
体は、その比誘電率が低いため静電容量の高容量化は期
待できない。また、特開平１─２６０８７０号公報には
変性チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造例が記載されてい
るが、比誘電率や誘電損失等の誘電特性については何ら
の記載もない。
【００１４】また、上記諸公報に記載されている製造方
法においては、出発物質の組成比は化学量論比通りに調
製されている。しかし、鉛含有化合物は焼成中に鉛の飛
散が起こりやすいので組成比の制御が難しく、そのため
に高い比誘電率のものを得ることは困難である。
法においては、出発物質の組成比は化学量論比通りに調
製されている。しかし、鉛含有化合物は焼成中に鉛の飛
散が起こりやすいので組成比の制御が難しく、そのため
に高い比誘電率のものを得ることは困難である。
【００１５】そこで、本発明の目的は、高い比誘電率を
有する薄膜誘電体およびその製造方法を提供することに
ある。
有する薄膜誘電体およびその製造方法を提供することに
ある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】かかる事情に鑑み、本発
明者らは有機溶媒に可溶な鉛化合物、マグネシウム化合
物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物を原料として
用いた薄膜誘電体の製造方法について鋭意検討を行った
結果、高い比誘電率を有する薄膜誘電体が得られること
を見出し、本発明を完成させるに至ったものである。
明者らは有機溶媒に可溶な鉛化合物、マグネシウム化合
物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物を原料として
用いた薄膜誘電体の製造方法について鋭意検討を行った
結果、高い比誘電率を有する薄膜誘電体が得られること
を見出し、本発明を完成させるに至ったものである。
【００１７】すなわち、本発明は一般式（１−ｘ）Ｐｂ
（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ｘＰｂＴｉＯ3で示される組成
を有し、平均膜厚が０．１５〜５．０μｍ（ここでｘは
０．０５≦ｘ≦０．４）であることを特徴とする薄膜誘
電体、および基板上に薄膜形成用の溶液を塗布して薄膜
を形成し、該薄膜を熱処理することにより薄膜誘電体を
製造する方法において、添加剤と有機溶媒と有機溶媒に
可溶な鉛化合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物お
よびチタニウム化合物との混合物または反応生成物から
成り、かつ、鉛の過剰率が１〜３０モル％の範囲にある
薄膜形成用の溶液を用いることを特徴とする薄膜状誘電
体の製造方法を提供するものである。
（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ｘＰｂＴｉＯ3で示される組成
を有し、平均膜厚が０．１５〜５．０μｍ（ここでｘは
０．０５≦ｘ≦０．４）であることを特徴とする薄膜誘
電体、および基板上に薄膜形成用の溶液を塗布して薄膜
を形成し、該薄膜を熱処理することにより薄膜誘電体を
製造する方法において、添加剤と有機溶媒と有機溶媒に
可溶な鉛化合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物お
よびチタニウム化合物との混合物または反応生成物から
成り、かつ、鉛の過剰率が１〜３０モル％の範囲にある
薄膜形成用の溶液を用いることを特徴とする薄膜状誘電
体の製造方法を提供するものである。
【００１８】以下本発明を更に詳細に説明する。本発明
においては、有機溶媒に可溶な鉛化合物としては、例え
ばジエトキシ鉛、ジイソプロポキシ鉛、鉛アセチルアセ
ナート、蟻酸鉛、酢酸鉛等を用いることができる。
においては、有機溶媒に可溶な鉛化合物としては、例え
ばジエトキシ鉛、ジイソプロポキシ鉛、鉛アセチルアセ
ナート、蟻酸鉛、酢酸鉛等を用いることができる。
【００１９】有機溶媒に可溶なマグネシウム化合物とし
ては、例えばジメトキシマグネシウム、ジエトキシマグ
ネシウム、ジイソプロポキシマグネシウム、マグネシウ
ムアセチルアセトナート、酢酸マグネシウム、硝酸マグ
ネシウム等を用いることができる。
ては、例えばジメトキシマグネシウム、ジエトキシマグ
ネシウム、ジイソプロポキシマグネシウム、マグネシウ
ムアセチルアセトナート、酢酸マグネシウム、硝酸マグ
ネシウム等を用いることができる。
【００２０】有機溶媒に可溶なニオブ化合物としては、
例えばペンタメトキシニオブ、ペンタエトキシニオブ、
ペンタイソプロポキシニオブ、ペンタブトキシニオブ、
塩化ニオブ等を用いることができる。
例えばペンタメトキシニオブ、ペンタエトキシニオブ、
ペンタイソプロポキシニオブ、ペンタブトキシニオブ、
塩化ニオブ等を用いることができる。
【００２１】有機溶媒に可溶なチタニウム化合物として
は、例えばテトラメトキシチタニウム、テトラエトキシ
チタニウム、テトライソプロポキシチタニウム、テトラ
ブトキシチタニウム、四塩化チタン等を用いることがで
きる。
は、例えばテトラメトキシチタニウム、テトラエトキシ
チタニウム、テトライソプロポキシチタニウム、テトラ
ブトキシチタニウム、四塩化チタン等を用いることがで
きる。
【００２２】有機溶媒としては前記鉛化合物、マグネシ
ウム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物を溶
解するものならばどのような溶媒を用いてもよいが、好
ましくはメタノール、エタノール、プロパノール、ブタ
ノール、ペンタノール、メトキシエタノール、エトキシ
エタノール等のアルコール類、ベンゼン、トルエン、キ
シレン等の芳香族炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘ
プタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、ジオキサン、
テトラヒドロフラン等のエーテル類、アセトン、メチル
エチルケトン、ジエチルケトン等のケトン類、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、蟻酸エチル等のカルボン酸エステル
類、アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、ジベンゾ
イルアセトン等のβ−ジケトン類、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド等のアミド類等が挙げられ、
これら溶媒を単独、あるいは２種以上を併用することも
できる。
ウム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物を溶
解するものならばどのような溶媒を用いてもよいが、好
ましくはメタノール、エタノール、プロパノール、ブタ
ノール、ペンタノール、メトキシエタノール、エトキシ
エタノール等のアルコール類、ベンゼン、トルエン、キ
シレン等の芳香族炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘ
プタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、ジオキサン、
テトラヒドロフラン等のエーテル類、アセトン、メチル
エチルケトン、ジエチルケトン等のケトン類、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、蟻酸エチル等のカルボン酸エステル
類、アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、ジベンゾ
イルアセトン等のβ−ジケトン類、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド等のアミド類等が挙げられ、
これら溶媒を単独、あるいは２種以上を併用することも
できる。
【００２３】本発明においては、先ず薄膜形成用の溶液
が調製される。調製方法としては鉛化合物、マグネシウ
ム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物を有機
溶媒中に溶解して室温で混合するか、或は有機溶媒中で
加熱下で反応せしめる方法が用いられる。これに、さら
に添加剤を加えて薄膜形成用の溶液が得られる。
が調製される。調製方法としては鉛化合物、マグネシウ
ム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物を有機
溶媒中に溶解して室温で混合するか、或は有機溶媒中で
加熱下で反応せしめる方法が用いられる。これに、さら
に添加剤を加えて薄膜形成用の溶液が得られる。
【００２４】より均一な薄膜を得るためには、該溶液の
重合を行ったものを用いることが望ましい。この場合
は、１〜５重量％の水を含む有機溶媒を用いることが必
要である。
重合を行ったものを用いることが望ましい。この場合
は、１〜５重量％の水を含む有機溶媒を用いることが必
要である。
【００２５】得られた薄膜形成用の溶液中の鉛の過剰率
は１〜３０モル％の範囲にあることが望ましい。ここ
で、鉛の過剰率はＰｂ／（Ｍｇ＋Ｎｂ＋Ｔｉ）のモル比
を意味する。鉛の過剰率が１モル％未満では、得られた
薄膜の組成が化学量論組成にはならずに比誘電率の低い
薄膜しか得られない。また、鉛の過剰率が３０モル％を
超える場合は、得られた薄膜に酸化鉛が残留してしまう
ため比誘電率の高いものを得ることができない。
は１〜３０モル％の範囲にあることが望ましい。ここ
で、鉛の過剰率はＰｂ／（Ｍｇ＋Ｎｂ＋Ｔｉ）のモル比
を意味する。鉛の過剰率が１モル％未満では、得られた
薄膜の組成が化学量論組成にはならずに比誘電率の低い
薄膜しか得られない。また、鉛の過剰率が３０モル％を
超える場合は、得られた薄膜に酸化鉛が残留してしまう
ため比誘電率の高いものを得ることができない。
【００２６】本発明により得られた薄膜誘電体は、一般
式（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/ 3 ）Ｏ3 −ｘＰｂＴ
ｉＯ3 で示される組成を有し、ここでｘは０．０５≦ｘ
≦０．４の範囲にあることが望ましい。ｘが０．０５よ
り小さい場合は絶縁抵抗が高いものを得ることができ
ず、またｘが０．４より大きい場合は比誘電率の高いも
のが得られない。
式（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/ 3 ）Ｏ3 −ｘＰｂＴ
ｉＯ3 で示される組成を有し、ここでｘは０．０５≦ｘ
≦０．４の範囲にあることが望ましい。ｘが０．０５よ
り小さい場合は絶縁抵抗が高いものを得ることができ
ず、またｘが０．４より大きい場合は比誘電率の高いも
のが得られない。
【００２７】本発明で用いられる誘電体形成用の溶液中
の金属化合物の濃度は、金属化合物の種類によっても異
なるが、希釈し過ぎて濃度が低い場合は、所定の膜厚を
得るのに塗布を多数回繰り返さなければならず経済的で
ないし、逆に濃度が濃すぎると塗布の作業性が低下する
ので、一般には酸化物に換算して２〜８０重量％、好ま
しくは５〜５０重量％が適用される。したがって、誘電
体形成用の溶液の濃度は薄膜状誘電体の目的とする膜厚
により上記の範囲で決定すればよい。
の金属化合物の濃度は、金属化合物の種類によっても異
なるが、希釈し過ぎて濃度が低い場合は、所定の膜厚を
得るのに塗布を多数回繰り返さなければならず経済的で
ないし、逆に濃度が濃すぎると塗布の作業性が低下する
ので、一般には酸化物に換算して２〜８０重量％、好ま
しくは５〜５０重量％が適用される。したがって、誘電
体形成用の溶液の濃度は薄膜状誘電体の目的とする膜厚
により上記の範囲で決定すればよい。
【００２８】本発明においては、膜厚を均一化するため
に添加剤を加えて誘電体形成用の溶液を調製する。添加
剤としてはカルボン酸（Ｃ6 〜Ｃ20）、グリコール、ア
ミン等を添加することができる。例えばカプロン酸、カ
プリル酸、カプリン酸、ラウリル酸、パルミチン酸、ス
テアリン酸等の１価カルボン酸、アジピン酸、ピメリン
酸、フタル酸セバシン酸等の２価カルボン酸、エチレン
グリコール、プロピレングリコールジエチレングリコー
ル等のグリコール類、モノエタノールアミン、ジエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン等のアミン類等を用
いることができる。
に添加剤を加えて誘電体形成用の溶液を調製する。添加
剤としてはカルボン酸（Ｃ6 〜Ｃ20）、グリコール、ア
ミン等を添加することができる。例えばカプロン酸、カ
プリル酸、カプリン酸、ラウリル酸、パルミチン酸、ス
テアリン酸等の１価カルボン酸、アジピン酸、ピメリン
酸、フタル酸セバシン酸等の２価カルボン酸、エチレン
グリコール、プロピレングリコールジエチレングリコー
ル等のグリコール類、モノエタノールアミン、ジエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン等のアミン類等を用
いることができる。
【００２９】膜厚を均一化するための添加剤の添加量は
鉛１モルに対して０．１〜３．０モルの範囲、好ましく
は０．１〜２．０モルの範囲である。０．１モル未満で
は膜厚を均一化する効果は小さく、３．０モルを超える
と有機物が増すために焼成後に緻密で平滑な薄膜を得る
ことが困難となる。
鉛１モルに対して０．１〜３．０モルの範囲、好ましく
は０．１〜２．０モルの範囲である。０．１モル未満で
は膜厚を均一化する効果は小さく、３．０モルを超える
と有機物が増すために焼成後に緻密で平滑な薄膜を得る
ことが困難となる。
【００３０】比誘電率の温度に対する変化を小さくする
ためにＢ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｄ、Ｓｂ
等の化合物や還元防止剤としてのＭｎ、Ａｌ等の化合物
を添加することもできる。
ためにＢ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｄ、Ｓｂ
等の化合物や還元防止剤としてのＭｎ、Ａｌ等の化合物
を添加することもできる。
【００３１】また、塗布膜の厚さを均一にするために、
例えばポリオールやエチルセルロース等の高分子物質、
メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセチルアセト
ン、グリセリンのような高沸点化合物、ノニオン系また
はアニオン系の界面活性剤等を添加することができる。
例えばポリオールやエチルセルロース等の高分子物質、
メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセチルアセト
ン、グリセリンのような高沸点化合物、ノニオン系また
はアニオン系の界面活性剤等を添加することができる。
【００３２】このようにして調製された誘電体形成用の
溶液は、次いで基板上に塗布される。基板は平滑性があ
り、４００℃以上の温度に耐えるものならばどのような
ものでも用いることができるが、例えばガラス基板、セ
ラミック基板、半導体基板、金属薄膜または導電性酸化
物で被覆されたそれ等の基板等が挙げられる。
溶液は、次いで基板上に塗布される。基板は平滑性があ
り、４００℃以上の温度に耐えるものならばどのような
ものでも用いることができるが、例えばガラス基板、セ
ラミック基板、半導体基板、金属薄膜または導電性酸化
物で被覆されたそれ等の基板等が挙げられる。
【００３３】具体的には石英ガラス基板、アルミナ、ジ
ルコニア、マイカ等の基板、シリコン基板、金、白金、
パラジウム、銀、銅、クロム、チタニウム、アルミニウ
ム、タンタル、金−クロム、パラジウム−銀、白金−タ
ンタル、白金−チタニウム、スズまたはアンチモンをド
ープした酸化インジウム等の薄膜で被覆された石英ガラ
ス、アルミナ、ジルコニア、マイカ、シリコン等の基
板、金、白金、パラジウム、銀、銅、ニッケル、ニッケ
ル−クロム等の金属基板が挙げられる。
ルコニア、マイカ等の基板、シリコン基板、金、白金、
パラジウム、銀、銅、クロム、チタニウム、アルミニウ
ム、タンタル、金−クロム、パラジウム−銀、白金−タ
ンタル、白金−チタニウム、スズまたはアンチモンをド
ープした酸化インジウム等の薄膜で被覆された石英ガラ
ス、アルミナ、ジルコニア、マイカ、シリコン等の基
板、金、白金、パラジウム、銀、銅、ニッケル、ニッケ
ル−クロム等の金属基板が挙げられる。
【００３４】用いられる基板の表面はできるだけ平滑で
あることが好ましく、Ｒａ＜０．１μｍであることが好
ましい。（ここで、ＲａはＪＩＳＢ０６０１に定められ
ている中心線平均粗さを示す。）
あることが好ましく、Ｒａ＜０．１μｍであることが好
ましい。（ここで、ＲａはＪＩＳＢ０６０１に定められ
ている中心線平均粗さを示す。）
【００３５】基板への塗布方法としては浸漬法、スプレ
ー法、スピンナー法、刷毛塗り法等の公知の塗布方法を
用いることができる。
ー法、スピンナー法、刷毛塗り法等の公知の塗布方法を
用いることができる。
【００３６】基板へ塗布して得た薄膜の加熱処理温度
は、溶媒中の金属化合物の濃度、溶媒の種類、基板の種
類等により異なるが、誘電体の結晶化温度以上の温度に
する必要があり、通常は４００〜１２００℃、好ましく
は５００〜１０００℃である。４００℃未満では有機物
が分解せず、１２００℃を越える場合は著しい粒成長と
ともに粒界に空孔が生成し、絶縁性の良い薄膜が得られ
ない。
は、溶媒中の金属化合物の濃度、溶媒の種類、基板の種
類等により異なるが、誘電体の結晶化温度以上の温度に
する必要があり、通常は４００〜１２００℃、好ましく
は５００〜１０００℃である。４００℃未満では有機物
が分解せず、１２００℃を越える場合は著しい粒成長と
ともに粒界に空孔が生成し、絶縁性の良い薄膜が得られ
ない。
【００３７】焼成雰囲気は空気中、不活性ガス中、誘電
体が還元され易い場合は酸素雰囲気中でも焼成すること
が出来る。
体が還元され易い場合は酸素雰囲気中でも焼成すること
が出来る。
【００３８】本発明の薄膜状誘電体の厚さは０．１５〜
５．０μｍである。０．１５μｍ未満では耐電圧が低
く、絶縁破壊が起こりやすく、また５．０μｍを越える
場合には１層当たりの静電容量が小さくなるため、高い
静電容量のものが得られないので好ましくない。
５．０μｍである。０．１５μｍ未満では耐電圧が低
く、絶縁破壊が起こりやすく、また５．０μｍを越える
場合には１層当たりの静電容量が小さくなるため、高い
静電容量のものが得られないので好ましくない。
【００３９】
【発明の効果】本発明の薄膜状誘電体は、誘電体粉末を
スラリー化して用いるドクターブレード法に比較して製
造コストが廉価であるとともに、高い比誘電率のものが
得られるために静電容量を大きくすることが可能とな
り、その工業的価値は頗る大なるものがある。
スラリー化して用いるドクターブレード法に比較して製
造コストが廉価であるとともに、高い比誘電率のものが
得られるために静電容量を大きくすることが可能とな
り、その工業的価値は頗る大なるものがある。
【００４０】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の範囲は実施例により、何ら限定される
ものではない。
するが、本発明の範囲は実施例により、何ら限定される
ものではない。
【００４１】実施例１ ジイソプロポキシ鉛（３４．１５ｇ）、ジエトキシマグ
ネシウム（３．６２ｇ）、ペンタエトキシニオブ（２
０．１２ｇ）およびテトライソプロポキシチタニウム
（１．４２ｇ）を混合し、これをイソプロパノール−ト
ルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１４９．３０
ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステアリン酸
（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対して０．２５モル）
を添加して、酸化物換算で１５重量％の誘電体形成用の
溶液を調製した。得られた溶液の鉛の過剰率は５モル％
であった。この溶液をＰｔ（０．５μｍ）／Ｔｉ（０．
０５μｍ）の薄膜で被覆されたアルミナ基板上に２５０
０ｒｐｍでスピンナー（ミカサ株式会社製１Ｈ−２Ｄ）
により塗布後、４５０℃で３０分間酸素中で焼成し、こ
の塗布と焼成の操作を５回繰り返し、最後に８００℃で
１時間空気中で焼成して膜厚が１．０μｍの緻密で透明
な薄膜誘電体を得た。ここで得られた薄膜誘電体の組成
は、一般式が（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ 2/3 ）Ｏ3
−ｘＰｂＴｉＯ3 で示され、本実施例ではｘが０．０５
となった。この薄膜上にＡｕ電極をスパッター（アルパ
ック株式会社製ＳＢＨ−１１０４ＲＥ）により形成した
後、１ＫＨｚ、２５℃での静電容量と誘電損失を横河ヒ
ューレットパッカード社製ＬＣＲメーター４２６２Ａに
より測定した。比誘電率εr はＣ＝（ε0 εr Ｓ／ｄ）
×ｎから計算により求めた。（面積Ｓ＝１ｍｍ2 とし
た。）また、横河ヒューレットパッカード社製超絶縁抵
抗計ＹＨＰ４３２９Ａを用いて直流１０Ｖ印加時の絶縁
抵抗を測定した。結果を表１に示す。
ネシウム（３．６２ｇ）、ペンタエトキシニオブ（２
０．１２ｇ）およびテトライソプロポキシチタニウム
（１．４２ｇ）を混合し、これをイソプロパノール−ト
ルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１４９．３０
ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステアリン酸
（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対して０．２５モル）
を添加して、酸化物換算で１５重量％の誘電体形成用の
溶液を調製した。得られた溶液の鉛の過剰率は５モル％
であった。この溶液をＰｔ（０．５μｍ）／Ｔｉ（０．
０５μｍ）の薄膜で被覆されたアルミナ基板上に２５０
０ｒｐｍでスピンナー（ミカサ株式会社製１Ｈ−２Ｄ）
により塗布後、４５０℃で３０分間酸素中で焼成し、こ
の塗布と焼成の操作を５回繰り返し、最後に８００℃で
１時間空気中で焼成して膜厚が１．０μｍの緻密で透明
な薄膜誘電体を得た。ここで得られた薄膜誘電体の組成
は、一般式が（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ 2/3 ）Ｏ3
−ｘＰｂＴｉＯ3 で示され、本実施例ではｘが０．０５
となった。この薄膜上にＡｕ電極をスパッター（アルパ
ック株式会社製ＳＢＨ−１１０４ＲＥ）により形成した
後、１ＫＨｚ、２５℃での静電容量と誘電損失を横河ヒ
ューレットパッカード社製ＬＣＲメーター４２６２Ａに
より測定した。比誘電率εr はＣ＝（ε0 εr Ｓ／ｄ）
×ｎから計算により求めた。（面積Ｓ＝１ｍｍ2 とし
た。）また、横河ヒューレットパッカード社製超絶縁抵
抗計ＹＨＰ４３２９Ａを用いて直流１０Ｖ印加時の絶縁
抵抗を測定した。結果を表１に示す。
【００４２】実施例２ 実施例１において、ジイソプロポキシ鉛（３４．１５
ｇ）、ジエトキシマグネシウム（３．２３ｇ）、ペンタ
エトキシニオブ（１８．０２ｇ）およびテトライソプロ
ポキシチタニウム（４．２６ｇ）を混合し、これをイソ
プロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合溶
媒（１４７．４８ｇ）中に溶解し、これに添加剤として
イソステアリン酸（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対し
て０．２５モル）を添加した以外は実施例１と同様にし
て電気的特性を求めた。ここで得られた薄膜誘電体の組
成はｘが０．１５となった。結果を表１に示す。
ｇ）、ジエトキシマグネシウム（３．２３ｇ）、ペンタ
エトキシニオブ（１８．０２ｇ）およびテトライソプロ
ポキシチタニウム（４．２６ｇ）を混合し、これをイソ
プロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合溶
媒（１４７．４８ｇ）中に溶解し、これに添加剤として
イソステアリン酸（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対し
て０．２５モル）を添加した以外は実施例１と同様にし
て電気的特性を求めた。ここで得られた薄膜誘電体の組
成はｘが０．１５となった。結果を表１に示す。
【００４３】実施例３ 実施例１において、ジイソプロポキシ鉛（３４．１５
ｇ）、ジエトキシマグネシウム（２．６６ｇ）、ペンタ
エトキシニオブ（１４．８５ｇ）およびテトライソプロ
ポキシチタニウム（８．５２ｇ）を混合し、これをイソ
プロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合溶
媒（１４４．７６ｇ）中に溶解し、これに添加剤として
イソステアリン酸（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対し
て０．２５モル）を添加した以外は実施例１と同様にし
て電気的特性を求めた。ここで得られた薄膜誘電体の組
成はｘが０．３０となった。結果を表１に示す。
ｇ）、ジエトキシマグネシウム（２．６６ｇ）、ペンタ
エトキシニオブ（１４．８５ｇ）およびテトライソプロ
ポキシチタニウム（８．５２ｇ）を混合し、これをイソ
プロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合溶
媒（１４４．７６ｇ）中に溶解し、これに添加剤として
イソステアリン酸（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対し
て０．２５モル）を添加した以外は実施例１と同様にし
て電気的特性を求めた。ここで得られた薄膜誘電体の組
成はｘが０．３０となった。結果を表１に示す。
【００４４】実施例４ 実施例１において、ジイソプロポキシ鉛（３４．１５
ｇ）、ジエトキシマグネシウム（２．２９ｇ）、ペンタ
エトキシニオブ（１２．７２ｇ）およびテトライソプロ
ポキシチタニウム（１１．３６ｇ）を混合し、これをイ
ソプロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合
溶媒（１４２．９６ｇ）中に溶解し、これに添加剤とし
てイソステアリン酸（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対
して０．２５モル）を添加した以外は実施例１と同様に
して電気的特性を求めた。ここで得られた薄膜誘電体の
組成はｘが０．４０となった。結果を表１に示す。
ｇ）、ジエトキシマグネシウム（２．２９ｇ）、ペンタ
エトキシニオブ（１２．７２ｇ）およびテトライソプロ
ポキシチタニウム（１１．３６ｇ）を混合し、これをイ
ソプロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合
溶媒（１４２．９６ｇ）中に溶解し、これに添加剤とし
てイソステアリン酸（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対
して０．２５モル）を添加した以外は実施例１と同様に
して電気的特性を求めた。ここで得られた薄膜誘電体の
組成はｘが０．４０となった。結果を表１に示す。
【００４５】比較例１ 実施例１において、ジイソプロポキシ鉛（３４．１５
ｇ）、ジエトキシマグネシウム（３．７７ｇ）、ペンタ
エトキシニオブ（２１．３０ｇ）およびテトライソプロ
ポキシチタニウム（０ｇ）を混合し、これをイソプロパ
ノール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１
５０．１２ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソス
テアリン酸（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対して０．
２５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気
的特性を求めた。ここで得られた薄膜誘電体の組成はｘ
が０となった。結果を表１に示す。
ｇ）、ジエトキシマグネシウム（３．７７ｇ）、ペンタ
エトキシニオブ（２１．３０ｇ）およびテトライソプロ
ポキシチタニウム（０ｇ）を混合し、これをイソプロパ
ノール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１
５０．１２ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソス
テアリン酸（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対して０．
２５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気
的特性を求めた。ここで得られた薄膜誘電体の組成はｘ
が０となった。結果を表１に示す。
【００４６】比較例２ 実施例１において、ジイソプロポキシ鉛（３４．１５
ｇ）、ジエトキシマグネシウム（１．９１ｇ）、ペンタ
エトキシニオブ（１０．５９ｇ）およびテトライソプロ
ポキシチタニウム（１４．２０ｇ）を混合し、これをイ
ソプロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合
溶媒（１４１．１６ｇ）中に溶解し、これに添加剤とし
てイソステアリン酸（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対
して０．２５モル）を添加した以外は実施例１と同様に
して電気的特性を求めた。ここで得られた薄膜誘電体の
組成はｘが０．５０となった。結果を表１に示す。
ｇ）、ジエトキシマグネシウム（１．９１ｇ）、ペンタ
エトキシニオブ（１０．５９ｇ）およびテトライソプロ
ポキシチタニウム（１４．２０ｇ）を混合し、これをイ
ソプロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合
溶媒（１４１．１６ｇ）中に溶解し、これに添加剤とし
てイソステアリン酸（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対
して０．２５モル）を添加した以外は実施例１と同様に
して電気的特性を求めた。ここで得られた薄膜誘電体の
組成はｘが０．５０となった。結果を表１に示す。
【００４７】
【表１】
【００４８】実施例５ 酢酸鉛３水塩（３９．８ｇ）をメトキシエタノール（１
３７．１ｇ）中に７０℃加熱下で溶解後１２０℃で２時
間脱水を行いその後９０℃に冷却し、ジエトキシマグネ
シウム（３．２３ｇ）とペンタブトキシニオブ（２５．
９７ｇ）とテトライソプロポキシチタニウム（４．２６
ｇ）とを加え、さらに添加剤としてジエタノールアミン
（１０．５ｇ）（鉛１．０モルに対して１．０モル）添
加して、酸化物換算で１５重量％の誘電体形成用の溶液
を調製した。得られた溶液の鉛の過剰率は５モル％であ
った。この溶液をＡｕ（０．５μｍ）／Ｔｉ（０．０６
μｍ）の薄膜で被覆されたアルミナ基板上に３０００ｒ
ｐｍでスピンナ−により塗布後、４５０℃で３０分間酸
素中で焼成し、最後に８５０℃で３０分間空気中で焼成
して膜厚が０．１５μｍの緻密で透明な薄膜誘電体を得
た。ここで得られた薄膜誘電体の組成は、一般式が（１
−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −ｘＰｂＴｉＯ3
で示され、本実施例ではｘが０．１５であった。この薄
膜上にＡｕ電極をスパッターにより形成した後、薄膜誘
電体の電気特性を実施例１と同様の方法で測定した。結
果を表２に示す。
３７．１ｇ）中に７０℃加熱下で溶解後１２０℃で２時
間脱水を行いその後９０℃に冷却し、ジエトキシマグネ
シウム（３．２３ｇ）とペンタブトキシニオブ（２５．
９７ｇ）とテトライソプロポキシチタニウム（４．２６
ｇ）とを加え、さらに添加剤としてジエタノールアミン
（１０．５ｇ）（鉛１．０モルに対して１．０モル）添
加して、酸化物換算で１５重量％の誘電体形成用の溶液
を調製した。得られた溶液の鉛の過剰率は５モル％であ
った。この溶液をＡｕ（０．５μｍ）／Ｔｉ（０．０６
μｍ）の薄膜で被覆されたアルミナ基板上に３０００ｒ
ｐｍでスピンナ−により塗布後、４５０℃で３０分間酸
素中で焼成し、最後に８５０℃で３０分間空気中で焼成
して膜厚が０．１５μｍの緻密で透明な薄膜誘電体を得
た。ここで得られた薄膜誘電体の組成は、一般式が（１
−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −ｘＰｂＴｉＯ3
で示され、本実施例ではｘが０．１５であった。この薄
膜上にＡｕ電極をスパッターにより形成した後、薄膜誘
電体の電気特性を実施例１と同様の方法で測定した。結
果を表２に示す。
【００４９】実施例６ 実施例５において得られた溶液を、アルミナ基板上に１
５００ｒｐｍでスピンナーにより塗布後、４５０℃で３
０分間酸素中で焼成し、この塗布と焼成の操作を２０回
繰り返し、最後に８５０℃で３０分間空気中で焼成して
膜厚が５．０μｍの緻密で透明な薄膜誘電体を得た以外
は実施例１と同様にして電気的特性を求めた。結果を表
２に示す。
５００ｒｐｍでスピンナーにより塗布後、４５０℃で３
０分間酸素中で焼成し、この塗布と焼成の操作を２０回
繰り返し、最後に８５０℃で３０分間空気中で焼成して
膜厚が５．０μｍの緻密で透明な薄膜誘電体を得た以外
は実施例１と同様にして電気的特性を求めた。結果を表
２に示す。
【００５０】比較例３ 実施例５において得られた溶液を、アルミナ基板上に６
０００ｒｐｍでスピンナーにより塗布後、４５０℃で３
０分間酸素中で焼成し、最後に８５０℃で３０分間大気
中で焼成して膜厚が０．０８μｍの緻密で透明な薄膜誘
電体を得た以外は実施例１と同様にして電気的特性を求
めた。結果を表２に示す。
０００ｒｐｍでスピンナーにより塗布後、４５０℃で３
０分間酸素中で焼成し、最後に８５０℃で３０分間大気
中で焼成して膜厚が０．０８μｍの緻密で透明な薄膜誘
電体を得た以外は実施例１と同様にして電気的特性を求
めた。結果を表２に示す。
【００５１】比較例４ 実施例５において得られた溶液を、アルミナ基板上に１
０００ｒｐｍでスピンナーにより塗布後、４５０℃で３
０分間酸素中で焼成し、この塗布と焼成の操作を５０回
繰り返し、最後に８５０℃で３０分間空気中で焼成して
膜厚が２０．０μｍの緻密で透明な薄膜誘電体を得た以
外は実施例１と同様にして電気的特性を求めた。結果を
表２に示す。
０００ｒｐｍでスピンナーにより塗布後、４５０℃で３
０分間酸素中で焼成し、この塗布と焼成の操作を５０回
繰り返し、最後に８５０℃で３０分間空気中で焼成して
膜厚が２０．０μｍの緻密で透明な薄膜誘電体を得た以
外は実施例１と同様にして電気的特性を求めた。結果を
表２に示す。
【００５２】
【表２】
【００５３】実施例７ ジエトキシ鉛（３０．０２ｇ）、ジメトキシマグネシウ
ム（２．４４ｇ）、ペンタエトキシニオブ（１８．０２
ｇ）およびテトライソプロポキシチタニウム（４．２６
ｇ）を混合し、これをイソプロパノール−トルエンの重
量比が１：１である混合溶媒（１５５．５６ｇ）中に溶
解し、これに添加剤としてイソステアリン酸（４．３０
ｇ）（鉛１．０モルに対して０．１５モル）を添加し
て、酸化物換算で１５重量％の誘電体形成用の溶液を調
製した。得られた溶液の鉛の過剰率は１モル％であっ
た。この溶液をＰｔ（０．５μｍ）／Ｔａ（０．０５μ
ｍ）の薄膜で被覆されたアルミナ基板上に２５００ｒｐ
ｍでスピンナーにより塗布後、４５０℃で３０分間酸素
中で焼成し、この塗布と焼成の操作を５回繰り返し、最
後に８００℃で１時間空気中で焼成して膜厚が１．０μ
ｍの緻密で透明な薄膜誘電体を得た。ここで得られた薄
膜誘電体の組成は、一般式が（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ1/3
Ｎｂ 2/3 ）Ｏ3 −ｘＰｂＴｉＯ3 で示され、本実施例で
はｘが０．１５であった。この薄膜上にＡｕ電極をスパ
ッターにより形成した後、薄膜誘電体の電気特性を実施
例１と同様の方法で測定した。結果を表３に示す。
ム（２．４４ｇ）、ペンタエトキシニオブ（１８．０２
ｇ）およびテトライソプロポキシチタニウム（４．２６
ｇ）を混合し、これをイソプロパノール−トルエンの重
量比が１：１である混合溶媒（１５５．５６ｇ）中に溶
解し、これに添加剤としてイソステアリン酸（４．３０
ｇ）（鉛１．０モルに対して０．１５モル）を添加し
て、酸化物換算で１５重量％の誘電体形成用の溶液を調
製した。得られた溶液の鉛の過剰率は１モル％であっ
た。この溶液をＰｔ（０．５μｍ）／Ｔａ（０．０５μ
ｍ）の薄膜で被覆されたアルミナ基板上に２５００ｒｐ
ｍでスピンナーにより塗布後、４５０℃で３０分間酸素
中で焼成し、この塗布と焼成の操作を５回繰り返し、最
後に８００℃で１時間空気中で焼成して膜厚が１．０μ
ｍの緻密で透明な薄膜誘電体を得た。ここで得られた薄
膜誘電体の組成は、一般式が（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ1/3
Ｎｂ 2/3 ）Ｏ3 −ｘＰｂＴｉＯ3 で示され、本実施例で
はｘが０．１５であった。この薄膜上にＡｕ電極をスパ
ッターにより形成した後、薄膜誘電体の電気特性を実施
例１と同様の方法で測定した。結果を表３に示す。
【００５４】実施例８ 実施例７において、ジエトキシ鉛（３１．２１ｇ）、ジ
メトキシマグネシウム（２．４４ｇ）、ペンタエトキシ
ニオブ（１８．０２ｇ）およびテトライソプロポキシチ
タニウム（４．２６ｇ）を混合し、これをイソプロパノ
ール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１５
４．２６ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステ
アリン酸（４．４７ｇ）（鉛１．０モルに対して０．１
５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気的
特性を求めた。ここで得られた溶液の鉛の過剰率は５モ
ル％であった。結果を表３に示す。
メトキシマグネシウム（２．４４ｇ）、ペンタエトキシ
ニオブ（１８．０２ｇ）およびテトライソプロポキシチ
タニウム（４．２６ｇ）を混合し、これをイソプロパノ
ール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１５
４．２６ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステ
アリン酸（４．４７ｇ）（鉛１．０モルに対して０．１
５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気的
特性を求めた。ここで得られた溶液の鉛の過剰率は５モ
ル％であった。結果を表３に示す。
【００５５】実施例９ 実施例７において、ジエトキシ鉛（３８．６４ｇ）、ジ
メトキシマグネシウム（２．４４ｇ）、ペンタエトキシ
ニオブ（１８．０２ｇ）およびテトライソプロポキシチ
タニウム（４．２６ｇ）を混合し、これをイソプロパノ
ール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１４
５．７０ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステ
アリン酸（５．５４ｇ）（鉛１．０モルに対して０．１
５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気的
特性を求めた。ここで得られた溶液の鉛の過剰率は３０
モル％であった。結果を表３に示す。
メトキシマグネシウム（２．４４ｇ）、ペンタエトキシ
ニオブ（１８．０２ｇ）およびテトライソプロポキシチ
タニウム（４．２６ｇ）を混合し、これをイソプロパノ
ール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１４
５．７０ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステ
アリン酸（５．５４ｇ）（鉛１．０モルに対して０．１
５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気的
特性を求めた。ここで得られた溶液の鉛の過剰率は３０
モル％であった。結果を表３に示す。
【００５６】比較例５ 実施例７において、ジエトキシ鉛（２９．７２ｇ）、ジ
メトキシマグネシウム（２．４４ｇ）、ペンタエトキシ
ニオブ（１８．０２ｇ）およびテトライソプロポキシチ
タニウム（４．２６ｇ）を混合し、これをイソプロパノ
ール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１５
５．９０ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステ
アリン酸（４．２６ｇ）（鉛１．０モルに対して０．１
５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気的
特性を求めた。ここで得られた溶液の鉛の過剰率は０モ
ル％であった。結果を表３に示す。
メトキシマグネシウム（２．４４ｇ）、ペンタエトキシ
ニオブ（１８．０２ｇ）およびテトライソプロポキシチ
タニウム（４．２６ｇ）を混合し、これをイソプロパノ
ール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１５
５．９０ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステ
アリン酸（４．２６ｇ）（鉛１．０モルに対して０．１
５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気的
特性を求めた。ここで得られた溶液の鉛の過剰率は０モ
ル％であった。結果を表３に示す。
【００５７】比較例６ 実施例７において、ジエトキシ鉛（４０．１２ｇ）、ジ
メトキシマグネシウム（２．４４ｇ）、ペンタエトキシ
ニオブ（１８．０２ｇ）およびテトライソプロポキシチ
タニウム（４．２６ｇ）を混合し、これをイソプロパノ
ール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１４
４．００ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステ
アリン酸（５．７５ｇ）（鉛１．０モルに対して０．１
５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気的
特性を求めた。ここで得られた溶液の鉛の過剰率は３５
モル％であった。結果を表３に示す。
メトキシマグネシウム（２．４４ｇ）、ペンタエトキシ
ニオブ（１８．０２ｇ）およびテトライソプロポキシチ
タニウム（４．２６ｇ）を混合し、これをイソプロパノ
ール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１４
４．００ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステ
アリン酸（５．７５ｇ）（鉛１．０モルに対して０．１
５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気的
特性を求めた。ここで得られた溶液の鉛の過剰率は３５
モル％であった。結果を表３に示す。
【００５８】
【表３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01B 3/00 - 3/14 C04B 35/00 - 35/22 C04B 35/42 - 35/51
Claims (2)
- 【請求項１】一般式 （１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ｘＰｂＴｉＯ3 で示される組成を有し、平均膜厚が０．１５〜５．０μ
ｍ（ここでｘは０．０５≦ｘ≦０．４）であることを特
徴とする薄膜誘電体。 - 【請求項２】基板上に薄膜形成用の溶液を塗布して薄膜
を形成し、該薄膜を熱処理することにより薄膜誘電体を
製造する方法において、添加剤と有機溶媒と有機溶媒に
可溶な鉛化合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物お
よびチタニウム化合物との混合物または反応生成物から
成り、かつ、鉛の過剰率が１〜３０モル％の範囲にある
薄膜形成用の溶液を用いることを特徴とする請求項１記
載の薄膜誘電体の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03178215A JP3116428B2 (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 薄膜誘電体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03178215A JP3116428B2 (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 薄膜誘電体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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