JP3456305B2 - Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物 - Google Patents
Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物Info
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- JP3456305B2 JP3456305B2 JP14453795A JP14453795A JP3456305B2 JP 3456305 B2 JP3456305 B2 JP 3456305B2 JP 14453795 A JP14453795 A JP 14453795A JP 14453795 A JP14453795 A JP 14453795A JP 3456305 B2 JP3456305 B2 JP 3456305B2
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- tio
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ
３薄膜形成用組成物に係り、特に、薄膜コンデンサやキ
ャパシタの形成などに有効に用いられるＢａ１−ｘＳｒ
ｘＴｉＯ３誘電体薄膜形成用組成物に関する。
３薄膜形成用組成物に係り、特に、薄膜コンデンサやキ
ャパシタの形成などに有効に用いられるＢａ１−ｘＳｒ
ｘＴｉＯ３誘電体薄膜形成用組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３誘電体薄膜は
高い誘電率を有することから、近年、ＳｉＯ２，ＳｉＮ
ｘに代わる半導体メモリのキャパシタとして、或いはＩ
Ｃ信号処理用の内蔵コンデンサとして注目されている。
高い誘電率を有することから、近年、ＳｉＯ２，ＳｉＮ
ｘに代わる半導体メモリのキャパシタとして、或いはＩ
Ｃ信号処理用の内蔵コンデンサとして注目されている。
【０００３】従来、このような薄膜の形成法として、Ｃ
ＶＤ法、スパッタリング法等が検討されているが、これ
らの方法はいずれも装置が複雑で、また、膜形成速度が
遅いという欠点を有する上に、膜を形成できる面積が小
さく、大面積の膜を得ることができないという問題点が
ある。
ＶＤ法、スパッタリング法等が検討されているが、これ
らの方法はいずれも装置が複雑で、また、膜形成速度が
遅いという欠点を有する上に、膜を形成できる面積が小
さく、大面積の膜を得ることができないという問題点が
ある。
【０００４】これに対し、液状の原料を用いたコーティ
ング法は、比較的単純なプロセスにより大面積の薄膜が
得られるという利点があり、工業的にも有望な方法であ
る。
ング法は、比較的単純なプロセスにより大面積の薄膜が
得られるという利点があり、工業的にも有望な方法であ
る。
【０００５】従来、このコーティング法に用いられる薄
膜形成用の塗布液についても、その合成法が幅広く検討
されており、次のようなものが提案されている。
膜形成用の塗布液についても、その合成法が幅広く検討
されており、次のようなものが提案されている。
【０００６】(i) イソプロポキシＳｒとイソプロポキ
シＴｉを原料とし、１５０℃で乾燥後、６２０℃で仮焼
成し、７００℃で結晶化させるＳｒＴｉＯ３膜の形成方
法（日本セラミックス協会1992年会講演予稿集第４頁） (ii) 酢酸ＢａとノルマルブトキシＴｉを原料とし、７
００〜９００℃で結晶化させるＢａＴｉＯ３膜の形成方
法（日本セラミックス協会学術論文誌98[8]743-48(199
0)） (iii)Ｂａ及びＴｉの金属石鹸を使用し、６００〜１３
００℃で結晶化させるＢａＴｉＯ３膜の形成方法（特開
平１−３０８８０１号公報）
シＴｉを原料とし、１５０℃で乾燥後、６２０℃で仮焼
成し、７００℃で結晶化させるＳｒＴｉＯ３膜の形成方
法（日本セラミックス協会1992年会講演予稿集第４頁） (ii) 酢酸ＢａとノルマルブトキシＴｉを原料とし、７
００〜９００℃で結晶化させるＢａＴｉＯ３膜の形成方
法（日本セラミックス協会学術論文誌98[8]743-48(199
0)） (iii)Ｂａ及びＴｉの金属石鹸を使用し、６００〜１３
００℃で結晶化させるＢａＴｉＯ３膜の形成方法（特開
平１−３０８８０１号公報）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｂａ，
Ｓｒの原料にアルコキシドを用いた場合には、焼成時に
発生するＣＯ２が、既に加水分解状態にあるＢａ，Ｓｒ
と反応して、ＢａＣＯ３，ＳｒＣＯ３を生成し、その
後、ＴｉＯ２と反応してＣＯ２を放出しながらＢａＴｉ
Ｏ３，ＳｒＴｉＯ３或いはＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３を
形成するため、このＣＯ２放出時の重量変化が大きく、
結果的に膜の収縮率が大きくなってクラックが発生し易
い。また、Ｂａの酢酸塩を原料に用いた場合でも、炭酸
塩を形成し易く、上記と同様な理由によりクラックが発
生し易くなる。一方、カルボン酸の炭素数が大きい金属
石鹸を使用した場合は、熱分解時に炭酸塩は形成されな
いものの、有機成分の蒸発による重量変化が大きく、そ
の結果、やはりクラックが発生し易い。
Ｓｒの原料にアルコキシドを用いた場合には、焼成時に
発生するＣＯ２が、既に加水分解状態にあるＢａ，Ｓｒ
と反応して、ＢａＣＯ３，ＳｒＣＯ３を生成し、その
後、ＴｉＯ２と反応してＣＯ２を放出しながらＢａＴｉ
Ｏ３，ＳｒＴｉＯ３或いはＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３を
形成するため、このＣＯ２放出時の重量変化が大きく、
結果的に膜の収縮率が大きくなってクラックが発生し易
い。また、Ｂａの酢酸塩を原料に用いた場合でも、炭酸
塩を形成し易く、上記と同様な理由によりクラックが発
生し易くなる。一方、カルボン酸の炭素数が大きい金属
石鹸を使用した場合は、熱分解時に炭酸塩は形成されな
いものの、有機成分の蒸発による重量変化が大きく、そ
の結果、やはりクラックが発生し易い。
【０００８】さらにＴｉのアルコキシドにおいても、炭
素鎖が長くなると成膜途中における加水分解性が失わ
れ、焼成時に有機成分の蒸発、分解による重量変化が大
きくなり、その結果、クラックが発生することとなる。
素鎖が長くなると成膜途中における加水分解性が失わ
れ、焼成時に有機成分の蒸発、分解による重量変化が大
きくなり、その結果、クラックが発生することとなる。
【０００９】本発明は上記従来の問題点を解決し、熱分
解時、結晶化時における炭酸塩の生成を防止し、大きな
重量変化を抑えて、クラックフリーのＢａ１−ｘＳｒｘ
ＴｉＯ３誘電体薄膜を形成することのできるＢａ１−ｘ
ＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物を提供することを目的
とする。
解時、結晶化時における炭酸塩の生成を防止し、大きな
重量変化を抑えて、クラックフリーのＢａ１−ｘＳｒｘ
ＴｉＯ３誘電体薄膜を形成することのできるＢａ１−ｘ
ＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物を提供することを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のＢａ１−ｘＳｒ
ｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物は、カルボン酸バリウム、
カルボン酸ストロンチウム及びチタンアルコキシドを、
モル比でＢａ：Ｓｒ：Ｔｉ＝（１−ｘ）：ｘ：１（ただ
し、０＜ｘ＜１）となるように有機溶媒中に混合してな
るＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物であっ
て、前記カルボン酸塩を形成するカルボン酸が下記よ
りなる群から選ばれる１種又は２種以上であり、かつ、
前記アルコキシドが下記よりなる群から選ばれる１種
又は２種以上であることを特徴とする。 Ｒ１ＣＯＯＨ（ただし、Ｒ１は炭素数３〜５の直鎖
状又は分岐状アルキル基） Ｔｉ（ＯＲ２）４（ただし、Ｒ２は炭素数１〜７の
直鎖状又は分岐状アルキル基）
ｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物は、カルボン酸バリウム、
カルボン酸ストロンチウム及びチタンアルコキシドを、
モル比でＢａ：Ｓｒ：Ｔｉ＝（１−ｘ）：ｘ：１（ただ
し、０＜ｘ＜１）となるように有機溶媒中に混合してな
るＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物であっ
て、前記カルボン酸塩を形成するカルボン酸が下記よ
りなる群から選ばれる１種又は２種以上であり、かつ、
前記アルコキシドが下記よりなる群から選ばれる１種
又は２種以上であることを特徴とする。 Ｒ１ＣＯＯＨ（ただし、Ｒ１は炭素数３〜５の直鎖
状又は分岐状アルキル基） Ｔｉ（ＯＲ２）４（ただし、Ｒ２は炭素数１〜７の
直鎖状又は分岐状アルキル基）
【００１１】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明においては、Ｂａ，Ｓｒの原料とし
て、上記のカルボン酸のバリウム塩，ストロンチウム
塩を用いる。上記のカルボン酸の具体例としては、次
のものが挙げられる。
て、上記のカルボン酸のバリウム塩，ストロンチウム
塩を用いる。上記のカルボン酸の具体例としては、次
のものが挙げられる。
【００１３】Ｒ１の炭素数が３のもの：ｎ−酪酸、ｉ−
酪酸 Ｒ１の炭素数が４のもの：ｎ−吉草酸、ｉ−吉草酸 Ｒ１の炭素数が５のもの：２−エチル酪酸、ｎ−ヘキサ
ン酸、２，２−ジメチル酪酸、３，３−ジメチル酪酸、
４−メチルペンタン酸
酪酸 Ｒ１の炭素数が４のもの：ｎ−吉草酸、ｉ−吉草酸 Ｒ１の炭素数が５のもの：２−エチル酪酸、ｎ−ヘキサ
ン酸、２，２−ジメチル酪酸、３，３−ジメチル酪酸、
４−メチルペンタン酸
【００１４】本発明において、これらのカルボン酸のア
ルキル基Ｒ１の炭素数が２以下であると、熱分解時に炭
酸塩を形成し易い。
ルキル基Ｒ１の炭素数が２以下であると、熱分解時に炭
酸塩を形成し易い。
【００１５】なお、Ｂａ原料及びＳｒ原料のカルボン酸
塩のカルボン酸は、一般には同一のものを用いるのが好
ましいが、異なるものであっても良い。
塩のカルボン酸は、一般には同一のものを用いるのが好
ましいが、異なるものであっても良い。
【００１６】一方、Ｔｉ原料のチタンアルコキシドとし
ては、上記のものを用いるが、具体的には次のものが
挙げられる。
ては、上記のものを用いるが、具体的には次のものが
挙げられる。
【００１７】メトキシチタン、エトキシチタン、イソプ
ロポキシチタン、ノルマルブトキシチタン、アミロキシ
チタン、ヘキサノキシチタン、ヘプタノキシチタンこれ
らのうち、特に、アルコキシドのアルキル基Ｒ２の炭素
数が２〜５のもの、例えば、エトキシチタン、イソプロ
ポキシチタン、ブトキシチタン、アミロキシチタン等が
好適に使用される。
ロポキシチタン、ノルマルブトキシチタン、アミロキシ
チタン、ヘキサノキシチタン、ヘプタノキシチタンこれ
らのうち、特に、アルコキシドのアルキル基Ｒ２の炭素
数が２〜５のもの、例えば、エトキシチタン、イソプロ
ポキシチタン、ブトキシチタン、アミロキシチタン等が
好適に使用される。
【００１８】本発明において、これらのＢａ原料、Ｓｒ
原料及びＴｉ原料を混合する有機溶媒としては、酢酸エ
チル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル等の
酢酸エステル類やエタノール、プロパノール、ブタノー
ル、２−メトキシエタノール等のアルコール類を用いる
ことができる。
原料及びＴｉ原料を混合する有機溶媒としては、酢酸エ
チル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル等の
酢酸エステル類やエタノール、プロパノール、ブタノー
ル、２−メトキシエタノール等のアルコール類を用いる
ことができる。
【００１９】Ｂａ原料、Ｓｒ原料及びＴｉ原料は、これ
らの有機溶媒中に所望のＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３組成
となるように、また、Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３濃度が
５〜１５重量％程度となるように混合される。
らの有機溶媒中に所望のＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３組成
となるように、また、Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３濃度が
５〜１５重量％程度となるように混合される。
【００２０】このようにして得られる本発明のＢａ
１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物によりＢａ
１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜を形成するには、スピンコー
ト、ディップコート等の塗布法により、Ｓｉ，Ｐｔ／Ｔ
ｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ，Ｐｔ／Ｔａ／ＳｉＯ２／Ｓｉ，Ｐ
ｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ，Ｒｕ／ＲｕＯ２／ＳｉＯ２／Ｓ
ｉ，ＲｕＯ２／Ｓｉ，ＲｕＯ２／Ｒｕ／ＳｉＯ２／Ｓ
ｉ，Ｉｒ／ＩｒＯ２／Ｓｉ，Ｐｔ／Ｉｒ／ＩｒＯ２／Ｓ
ｉ，Ｐｔ／ＩｒＯ２／Ｓｉ等の基板上に本発明の組成物
を塗布し、乾燥、仮焼成及び本焼成を行う。なお、１回
の塗布では、所望の膜厚が得られない場合には、塗布、
乾燥、仮焼成の工程を複数回繰り返し行った後、本焼成
を行う。ここで、仮焼成は、３００〜５００℃で行わ
れ、本焼成は５００〜８００℃で３０分〜２時間程度行
われる。
１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物によりＢａ
１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜を形成するには、スピンコー
ト、ディップコート等の塗布法により、Ｓｉ，Ｐｔ／Ｔ
ｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ，Ｐｔ／Ｔａ／ＳｉＯ２／Ｓｉ，Ｐ
ｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ，Ｒｕ／ＲｕＯ２／ＳｉＯ２／Ｓ
ｉ，ＲｕＯ２／Ｓｉ，ＲｕＯ２／Ｒｕ／ＳｉＯ２／Ｓ
ｉ，Ｉｒ／ＩｒＯ２／Ｓｉ，Ｐｔ／Ｉｒ／ＩｒＯ２／Ｓ
ｉ，Ｐｔ／ＩｒＯ２／Ｓｉ等の基板上に本発明の組成物
を塗布し、乾燥、仮焼成及び本焼成を行う。なお、１回
の塗布では、所望の膜厚が得られない場合には、塗布、
乾燥、仮焼成の工程を複数回繰り返し行った後、本焼成
を行う。ここで、仮焼成は、３００〜５００℃で行わ
れ、本焼成は５００〜８００℃で３０分〜２時間程度行
われる。
【００２１】
【作用】本発明で用いるカルボン酸はＢａＣＯ３，Ｓｒ
ＣＯ３を生成することがなく、重量変化も少ない。ま
た、本発明で用いるアルコキシドも重量変化が少ない。
このように、ＢａＣＯ３，ＳｒＣＯ３を生成しないカル
ボン酸塩、ないし、重量変化の少ないＢａ，Ｓｒのカル
ボン酸塩とＴｉのアルコキシドを用いることにより、塗
布膜中のＢａ，Ｓｒの炭酸塩の生成を抑え、また急激な
重量減少を抑えることができ、これにより膜自体に加わ
る応力が低減され、Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成
時のクラックが防止される。
ＣＯ３を生成することがなく、重量変化も少ない。ま
た、本発明で用いるアルコキシドも重量変化が少ない。
このように、ＢａＣＯ３，ＳｒＣＯ３を生成しないカル
ボン酸塩、ないし、重量変化の少ないＢａ，Ｓｒのカル
ボン酸塩とＴｉのアルコキシドを用いることにより、塗
布膜中のＢａ，Ｓｒの炭酸塩の生成を抑え、また急激な
重量減少を抑えることができ、これにより膜自体に加わ
る応力が低減され、Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成
時のクラックが防止される。
【００２２】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００２３】実施例１
２−エチル酪酸バリウム５．２９ｇと２−エチル酪酸ス
トロンチウム４．５７ｇを酢酸イソアミル溶媒５０ｇに
溶解させ、その後、イソプロポキシチタン８．１８ｇを
加えた後、全体で１００ｇとなるように更に酢酸イソア
ミルを添加して、６重量％のＢａ０．５Ｓｒ０．５Ｔｉ
Ｏ３薄膜形成用組成物を調製した。
トロンチウム４．５７ｇを酢酸イソアミル溶媒５０ｇに
溶解させ、その後、イソプロポキシチタン８．１８ｇを
加えた後、全体で１００ｇとなるように更に酢酸イソア
ミルを添加して、６重量％のＢａ０．５Ｓｒ０．５Ｔｉ
Ｏ３薄膜形成用組成物を調製した。
【００２４】この溶液をスピンコート法により５００ｒ
ｐｍで５秒、その後、２０００ｒｐｍで２０秒の条件で
Ｓｉ基板上に塗布した。その後、１５０℃で１０分間乾
燥し、次いで４００℃で仮焼成を行った。この工程を３
回繰り返した後、６５０℃で１時間焼成して結晶化を行
った。
ｐｍで５秒、その後、２０００ｒｐｍで２０秒の条件で
Ｓｉ基板上に塗布した。その後、１５０℃で１０分間乾
燥し、次いで４００℃で仮焼成を行った。この工程を３
回繰り返した後、６５０℃で１時間焼成して結晶化を行
った。
【００２５】得られた薄膜表面を光学顕微鏡写真（１０
０倍）で調べたところ、クラックフリーの膜が得られた
ことが確認された。また、Ｘ線回折パターンからは、ペ
ロブスカイト単一相が得られた。
０倍）で調べたところ、クラックフリーの膜が得られた
ことが確認された。また、Ｘ線回折パターンからは、ペ
ロブスカイト単一相が得られた。
【００２６】比較例１
酢酸バリウム３．６８ｇと酢酸ストロンチウム０．５水
和物３．０９ｇを酢酸溶媒８０ｇに溶解し、１５０℃で
脱水を行った後、アセチルアセトン５．７７ｇを添加
し、その後イソプロポキシチタン８．１８ｇを加えた。
その後、全体で１００ｇとなるように酢酸溶媒を加え
て、６重量％のＢａ０．５Ｓｒ０．５ＴｉＯ３薄膜形成
用組成物を調製した。
和物３．０９ｇを酢酸溶媒８０ｇに溶解し、１５０℃で
脱水を行った後、アセチルアセトン５．７７ｇを添加
し、その後イソプロポキシチタン８．１８ｇを加えた。
その後、全体で１００ｇとなるように酢酸溶媒を加え
て、６重量％のＢａ０．５Ｓｒ０．５ＴｉＯ３薄膜形成
用組成物を調製した。
【００２７】この溶液を用いて、実施例１と同様な方法
により成膜を行い、最終熱処理を７５０℃として結晶化
を行った。
により成膜を行い、最終熱処理を７５０℃として結晶化
を行った。
【００２８】得られた薄膜表面を光学顕微鏡写真（１０
０倍）で調べたところ、得られた薄膜には、複数の微細
なクラックが観察された。
０倍）で調べたところ、得られた薄膜には、複数の微細
なクラックが観察された。
【００２９】比較例２
Ｂａを金属換算で５重量％含有するウンデカン酸バリウ
ム（（Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＯ）２Ｂａ）の酢酸イソアミル
溶液３９．５５ｇと、Ｓｒを金属換算で３重量％含有す
るウンデカン酸ストロンチウム（（Ｃ１０Ｈ２１ＣＯ
Ｏ）２Ｓｒ）の酢酸イソアミル溶液４２．０５ｇを混合
し、イソプロポキシチタン８．２７ｇを加えた。更に全
体で１００ｇの溶液となるように酢酸イソアミルを添加
して、６重量％のＢａ０．５Ｓｒ０．３ＴｉＯ３薄膜形
成用組成物を調製した。
ム（（Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＯ）２Ｂａ）の酢酸イソアミル
溶液３９．５５ｇと、Ｓｒを金属換算で３重量％含有す
るウンデカン酸ストロンチウム（（Ｃ１０Ｈ２１ＣＯ
Ｏ）２Ｓｒ）の酢酸イソアミル溶液４２．０５ｇを混合
し、イソプロポキシチタン８．２７ｇを加えた。更に全
体で１００ｇの溶液となるように酢酸イソアミルを添加
して、６重量％のＢａ０．５Ｓｒ０．３ＴｉＯ３薄膜形
成用組成物を調製した。
【００３０】この溶液を用いて、実施例１と同様な方法
により成膜を行い、最終熱処理を７５０℃として結晶化
を行った。その結果、形成された薄膜の表面にはクラッ
クが観察された。
により成膜を行い、最終熱処理を７５０℃として結晶化
を行った。その結果、形成された薄膜の表面にはクラッ
クが観察された。
【００３１】比較例３
Ｂａを金属換算で５重量％含有するマレイン酸バリウム
の２−メトキシエタノール溶液３９．５５ｇと、Ｓｒを
金属換算で３重量％含有するマレイン酸ストロンチウム
の２−メトキシエタノール溶液４２．０５ｇを混合し、
イソプロポキシチタン８．２７ｇを加えた。更に全体で
１００ｇの溶液となるように２−メトキシエタノールを
添加して、６重量％のＢａ０．５Ｓｒ０．５ＴｉＯ３薄
膜形成用組成物を調製した。
の２−メトキシエタノール溶液３９．５５ｇと、Ｓｒを
金属換算で３重量％含有するマレイン酸ストロンチウム
の２−メトキシエタノール溶液４２．０５ｇを混合し、
イソプロポキシチタン８．２７ｇを加えた。更に全体で
１００ｇの溶液となるように２−メトキシエタノールを
添加して、６重量％のＢａ０．５Ｓｒ０．５ＴｉＯ３薄
膜形成用組成物を調製した。
【００３２】この溶液を用いて、実施例１と同様な方法
により成膜を行い、最終熱処理を７５０℃として結晶化
を行った。その結果、形成された薄膜の表面にはクラッ
クが観察された。
により成膜を行い、最終熱処理を７５０℃として結晶化
を行った。その結果、形成された薄膜の表面にはクラッ
クが観察された。
【００３３】比較例４
Ｂａを金属換算で３重量％含有するアジピン酸バリウム
の２−メトキシエタノール溶液４３．９４ｇと、Ｓｒを
金属換算で２重量％含有するアジピン酸ストロンチウム
の２−メトキシエタノール溶液４２．０５ｇを混合し、
イソプロポキシチタン８．２７ｇを加えた。更に全体で
１００ｇの溶液となるように２−メトキシエタノールを
添加して、４重量％のＢａ０．５Ｓｒ０．５ＴｉＯ３薄
膜形成用組成物を調製した。
の２−メトキシエタノール溶液４３．９４ｇと、Ｓｒを
金属換算で２重量％含有するアジピン酸ストロンチウム
の２−メトキシエタノール溶液４２．０５ｇを混合し、
イソプロポキシチタン８．２７ｇを加えた。更に全体で
１００ｇの溶液となるように２−メトキシエタノールを
添加して、４重量％のＢａ０．５Ｓｒ０．５ＴｉＯ３薄
膜形成用組成物を調製した。
【００３４】この溶液を用いて、実施例１と同様な方法
により成膜を行ったが、スピンコート後の膜は粘性が高
いため、厚く形成され、光の干渉も見られなかった。こ
の膜を７５０℃で熱処理したが、収縮率が高いため表面
にはクラックが観察された。
により成膜を行ったが、スピンコート後の膜は粘性が高
いため、厚く形成され、光の干渉も見られなかった。こ
の膜を７５０℃で熱処理したが、収縮率が高いため表面
にはクラックが観察された。
【００３５】実施例２〜６
表１に示すカルボン酸バリウム、カルボン酸ストロンチ
ウム及びチタンアルコキシドを用い、これらを表１に示
す有機溶媒に添加して表１に示す組成及び濃度のＢａ
１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物を調製した。
ウム及びチタンアルコキシドを用い、これらを表１に示
す有機溶媒に添加して表１に示す組成及び濃度のＢａ
１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物を調製した。
【００３６】この溶液を用いて、実施例１と同様な方法
により成膜を行い、最終熱処理を表１に示す温度として
結晶化を行った。その結果、いずれの場合も、クラック
フリーの薄膜が得られた。
により成膜を行い、最終熱処理を表１に示す温度として
結晶化を行った。その結果、いずれの場合も、クラック
フリーの薄膜が得られた。
【００３７】
【表１】
【００３８】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のＢａ１−ｘ
ＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物によれば、膜形成効率
に優れたコーティング法により、クラックのない高品質
のＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜を容易かつ確実に形成
することができる。
ＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物によれば、膜形成効率
に優れたコーティング法により、クラックのない高品質
のＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜を容易かつ確実に形成
することができる。
【００３９】従って、このような本発明のＢａ１−ｘＳ
ｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物は、ＩＣのコンデンサ、
或いはキャパシタ等を形成する塗布液として工業的に極
めて有用である。
ｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物は、ＩＣのコンデンサ、
或いはキャパシタ等を形成する塗布液として工業的に極
めて有用である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−126854（ＪＰ，Ａ)
国際公開94／010084（ＷＯ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C01G 23/00
C04B 35/46
Claims (4)
- 【請求項１】 カルボン酸バリウム、カルボン酸ストロ
ンチウム及びチタンアルコキシドを、モル比でＢａ：Ｓ
ｒ：Ｔｉ＝（１−ｘ）：ｘ：１（ただし、０＜ｘ＜１）
となるように有機溶媒中に混合してなるＢａ１−ｘＳｒ
ｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物であって、 前記カルボン酸塩を形成するカルボン酸が下記よりな
る群から選ばれる１種又は２種以上であり、かつ、前記
アルコキシドが下記よりなる群から選ばれる１種又は
２種以上であることを特徴とするＢａ１−ｘＳｒｘＴｉ
Ｏ３薄膜形成用組成物。 Ｒ１ＣＯＯＨ（ただし、Ｒ１は炭素数３〜５の直鎖
状又は分岐状アルキル基） Ｔｉ（ＯＲ２）４（ただし、Ｒ２は炭素数１〜７の
直鎖状又は分岐状アルキル基） - 【請求項２】 請求項１において、前記カルボン酸塩を
形成するカルボン酸が、ｎ−酪酸、ｉ−酪酸、ｎ−吉草
酸、ｉ−吉草酸、２−エチル酪酸、ｎ−ヘキサン酸、
２，２−ジメチル酪酸、３，３−ジメチル酪酸、及び４
−メチルペンタン酸よりなる群から選ばれる１種又は２
種以上であることを特徴とするＢａ １−ｘ Ｓｒ ｘ ＴｉＯ
３ 薄膜形成用組成物。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、前記アルコキ
シドが、メトキシチタン、エトキシチタン、イソプロポ
キシチタン、ノルマルブトキシチタン、アミロキシチタ
ン、ヘキサノキシチタン、及びヘプタノキシチタンより
なる群から選ばれる１種又は２種以上であることを特徴
とするＢａ １−ｘ Ｓｒ ｘ ＴｉＯ ３ 薄膜形成用組成物。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項におい
て、カルボン酸バリウム、及びカルボン酸ストロンチウ
ムのカルボン酸が、同一のカルボン酸であるであること
を特徴とするＢａ １−ｘ Ｓｒ ｘ ＴｉＯ ３ 薄膜形成用組成
物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14453795A JP3456305B2 (ja) | 1995-06-12 | 1995-06-12 | Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物 |
| KR1019960020472A KR100406665B1 (ko) | 1995-06-09 | 1996-06-08 | Ba1-xSrxTiyO3 박막 형성용 조성물 및 Ba1-xSrxTiyO3 박막의 형성방법 |
| US08/661,115 US5645634A (en) | 1995-06-09 | 1996-06-10 | Composition and method for forming Ba1-X Srx Tiy O3 thin films |
| KR1020030040002A KR100432621B1 (ko) | 1995-06-09 | 2003-06-20 | Ｂａ1-ｘＳｒｘＴｉｙＯ3 박막 형성용 조성물 및 Ｂａ1-ｘＳｒｘＴｉｙＯ3 박막의 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14453795A JP3456305B2 (ja) | 1995-06-12 | 1995-06-12 | Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08337421A JPH08337421A (ja) | 1996-12-24 |
| JP3456305B2 true JP3456305B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=15364622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14453795A Expired - Lifetime JP3456305B2 (ja) | 1995-06-09 | 1995-06-12 | Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3456305B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005054134A1 (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-16 | Jsr Corporation | 誘電体膜形成用組成物の製造方法、誘電体膜形成用組成物、ならびに誘電体膜およびその形成方法 |
| JP4702215B2 (ja) * | 2006-08-02 | 2011-06-15 | 住友金属鉱山株式会社 | 高誘電体薄膜形成用塗布組成物とその製造方法 |
| JP5270860B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2013-08-21 | 株式会社Ａｄｅｋａ | 塗布液組成物および該塗布液組成物を用いる複合金属酸化物膜の製造方法 |
| JP4924543B2 (ja) * | 2008-06-09 | 2012-04-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 誘電体膜形成用塗布液の製造方法 |
| JP2019127424A (ja) * | 2018-01-26 | 2019-08-01 | 三菱マテリアル株式会社 | 誘電体薄膜形成用液状組成物及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-06-12 JP JP14453795A patent/JP3456305B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08337421A (ja) | 1996-12-24 |
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