JPH08337421A - Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物 - Google Patents
Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物Info
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- JPH08337421A JPH08337421A JP7144537A JP14453795A JPH08337421A JP H08337421 A JPH08337421 A JP H08337421A JP 7144537 A JP7144537 A JP 7144537A JP 14453795 A JP14453795 A JP 14453795A JP H08337421 A JPH08337421 A JP H08337421A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱分解時、結晶化時における炭酸塩の生成を
防止し、大きな重量変化を抑えて、クラックフリーのＢ
ａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 誘電体薄膜を形成する。 【構成】 Ｂａ，Ｓｒ源として、Ｒ1 ＣＯＯＨ（ただ
し、Ｒ1 は炭素数３〜７の直鎖状又は分岐状アルキル
基）のカルボン酸塩を用いる。Ｔｉ源としてＴｉ（ＯＲ
2 ）4 （ただし、Ｒ2 は炭素数１〜７の直鎖状又は分岐
状アルキル基）を用いる。 【効果】 ＢａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 を生成しないカルボ
ン酸塩、ないし、重量変化の少ないＢａ，Ｓｒのカルボ
ン酸塩とＴｉのアルコキシドを用いることにより、塗布
膜中のＢａ，Ｓｒの炭酸塩の生成を抑え、また急激な重
量減少を抑えることができ、これにより膜自体に加わる
応力が低減され、Ｂａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3薄膜形成時の
クラックが防止される。
防止し、大きな重量変化を抑えて、クラックフリーのＢ
ａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 誘電体薄膜を形成する。 【構成】 Ｂａ，Ｓｒ源として、Ｒ1 ＣＯＯＨ（ただ
し、Ｒ1 は炭素数３〜７の直鎖状又は分岐状アルキル
基）のカルボン酸塩を用いる。Ｔｉ源としてＴｉ（ＯＲ
2 ）4 （ただし、Ｒ2 は炭素数１〜７の直鎖状又は分岐
状アルキル基）を用いる。 【効果】 ＢａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 を生成しないカルボ
ン酸塩、ないし、重量変化の少ないＢａ，Ｓｒのカルボ
ン酸塩とＴｉのアルコキシドを用いることにより、塗布
膜中のＢａ，Ｓｒの炭酸塩の生成を抑え、また急激な重
量減少を抑えることができ、これにより膜自体に加わる
応力が低減され、Ｂａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3薄膜形成時の
クラックが防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＢａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3
薄膜形成用組成物に係り、特に、薄膜コンデンサやキャ
パシタの形成などに有効に用いられるＢａ1-x Ｓｒx Ｔ
ｉＯ3 誘電体薄膜形成用組成物に関する。
薄膜形成用組成物に係り、特に、薄膜コンデンサやキャ
パシタの形成などに有効に用いられるＢａ1-x Ｓｒx Ｔ
ｉＯ3 誘電体薄膜形成用組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｂａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 誘電体薄膜は高
い誘電率を有することから、近年、ＳｉＯ2 ，ＳｉＮx
に代わる半導体メモリのキャパシタとして、或いはＩＣ
信号処理用の内蔵コンデンサとして注目されている。
い誘電率を有することから、近年、ＳｉＯ2 ，ＳｉＮx
に代わる半導体メモリのキャパシタとして、或いはＩＣ
信号処理用の内蔵コンデンサとして注目されている。
【０００３】従来、このような薄膜の形成法として、Ｃ
ＶＤ法、スパッタリング法等が検討されているが、これ
らの方法はいずれも装置が複雑で、また、膜形成速度が
遅いという欠点を有する上に、膜を形成できる面積が小
さく、大面積の膜を得ることができないという問題点が
ある。
ＶＤ法、スパッタリング法等が検討されているが、これ
らの方法はいずれも装置が複雑で、また、膜形成速度が
遅いという欠点を有する上に、膜を形成できる面積が小
さく、大面積の膜を得ることができないという問題点が
ある。
【０００４】これに対し、液状の原料を用いたコーティ
ング法は、比較的単純なプロセスにより大面積の薄膜が
得られるという利点があり、工業的にも有望な方法であ
る。
ング法は、比較的単純なプロセスにより大面積の薄膜が
得られるという利点があり、工業的にも有望な方法であ
る。
【０００５】従来、このコーティング法に用いられる薄
膜形成用の塗布液についても、その合成法が幅広く検討
されており、次のようなものが提案されている。
膜形成用の塗布液についても、その合成法が幅広く検討
されており、次のようなものが提案されている。
【０００６】(i) イソプロポキシＳｒとイソプロポキ
シＴｉを原料とし、１５０℃で乾燥後、６２０℃で仮焼
成し、７００℃で結晶化させるＳｒＴｉＯ3 膜の形成方
法（日本セラミックス協会1992年会講演予稿集第４頁） (ii) 酢酸ＢａとノルマルブトキシＴｉを原料とし、７
００〜９００℃で結晶化させるＢａＴｉＯ3 膜の形成方
法（日本セラミックス協会学術論文誌98[8]743-48(199
0)） (iii) Ｂａ及びＴｉの金属石鹸を使用し、６００〜１３
００℃で結晶化させるＢａＴｉＯ3 膜の形成方法（特開
平１−３０８８０１号公報）
シＴｉを原料とし、１５０℃で乾燥後、６２０℃で仮焼
成し、７００℃で結晶化させるＳｒＴｉＯ3 膜の形成方
法（日本セラミックス協会1992年会講演予稿集第４頁） (ii) 酢酸ＢａとノルマルブトキシＴｉを原料とし、７
００〜９００℃で結晶化させるＢａＴｉＯ3 膜の形成方
法（日本セラミックス協会学術論文誌98[8]743-48(199
0)） (iii) Ｂａ及びＴｉの金属石鹸を使用し、６００〜１３
００℃で結晶化させるＢａＴｉＯ3 膜の形成方法（特開
平１−３０８８０１号公報）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｂａ，
Ｓｒの原料にアルコキシドを用いた場合には、焼成時に
発生するＣＯ2 が、既に加水分解状態にあるＢａ，Ｓｒ
と反応して、ＢａＣＯ3，ＳｒＣＯ3 を生成し、その
後、ＴｉＯ2 と反応してＣＯ2 を放出しながらＢａＴｉ
Ｏ3 ，ＳｒＴｉＯ3 或いはＢａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 を形
成するため、このＣＯ2 放出時の重量変化が大きく、結
果的に膜の収縮率が大きくなってクラックが発生し易
い。また、Ｂａの酢酸塩を原料に用いた場合でも、炭酸
塩を形成し易く、上記と同様な理由によりクラックが発
生し易くなる。一方、カルボン酸の炭素数が大きい金属
石鹸を使用した場合は、熱分解時に炭酸塩は形成されな
いものの、有機成分の蒸発による重量変化が大きく、そ
の結果、やはりクラックが発生し易い。
Ｓｒの原料にアルコキシドを用いた場合には、焼成時に
発生するＣＯ2 が、既に加水分解状態にあるＢａ，Ｓｒ
と反応して、ＢａＣＯ3，ＳｒＣＯ3 を生成し、その
後、ＴｉＯ2 と反応してＣＯ2 を放出しながらＢａＴｉ
Ｏ3 ，ＳｒＴｉＯ3 或いはＢａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 を形
成するため、このＣＯ2 放出時の重量変化が大きく、結
果的に膜の収縮率が大きくなってクラックが発生し易
い。また、Ｂａの酢酸塩を原料に用いた場合でも、炭酸
塩を形成し易く、上記と同様な理由によりクラックが発
生し易くなる。一方、カルボン酸の炭素数が大きい金属
石鹸を使用した場合は、熱分解時に炭酸塩は形成されな
いものの、有機成分の蒸発による重量変化が大きく、そ
の結果、やはりクラックが発生し易い。
【０００８】さらにＴｉのアルコキシドにおいても、炭
素鎖が長くなると成膜途中における加水分解性が失わ
れ、焼成時に有機成分の蒸発、分解による重量変化が大
きくなり、その結果、クラックが発生することとなる。
素鎖が長くなると成膜途中における加水分解性が失わ
れ、焼成時に有機成分の蒸発、分解による重量変化が大
きくなり、その結果、クラックが発生することとなる。
【０００９】本発明は上記従来の問題点を解決し、熱分
解時、結晶化時における炭酸塩の生成を防止し、大きな
重量変化を抑えて、クラックフリーのＢａ1-x Ｓｒx Ｔ
ｉＯ3 誘電体薄膜を形成することのできるＢａ1-x Ｓｒ
x ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物を提供することを目的とす
る。
解時、結晶化時における炭酸塩の生成を防止し、大きな
重量変化を抑えて、クラックフリーのＢａ1-x Ｓｒx Ｔ
ｉＯ3 誘電体薄膜を形成することのできるＢａ1-x Ｓｒ
x ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のＢａ1-x Ｓｒx
ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物は、カルボン酸バリウム、カ
ルボン酸ストロンチウム及びチタンアルコキシドを、モ
ル比でＢａ：Ｓｒ：Ｔｉ＝（１−ｘ）：ｘ：１（ただ
し、０＜ｘ＜１）となるように有機溶媒中に混合してな
るＢａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物であって、
前記カルボン酸塩を形成するカルボン酸が下記よりな
る群から選ばれる１種又は２種以上であり、かつ、前記
アルコキシドが下記よりなる群から選ばれる１種又は
２種以上であることを特徴とする。
ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物は、カルボン酸バリウム、カ
ルボン酸ストロンチウム及びチタンアルコキシドを、モ
ル比でＢａ：Ｓｒ：Ｔｉ＝（１−ｘ）：ｘ：１（ただ
し、０＜ｘ＜１）となるように有機溶媒中に混合してな
るＢａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物であって、
前記カルボン酸塩を形成するカルボン酸が下記よりな
る群から選ばれる１種又は２種以上であり、かつ、前記
アルコキシドが下記よりなる群から選ばれる１種又は
２種以上であることを特徴とする。
【００１１】 Ｒ1 ＣＯＯＨ（ただし、Ｒ1 は炭素数
３〜７の直鎖状又は分岐状アルキル基） Ｔｉ（ＯＲ2 ）4 （ただし、Ｒ2 は炭素数１〜７の
直鎖状又は分岐状アルキル基） 以下に本発明を詳細に説明する。
３〜７の直鎖状又は分岐状アルキル基） Ｔｉ（ＯＲ2 ）4 （ただし、Ｒ2 は炭素数１〜７の
直鎖状又は分岐状アルキル基） 以下に本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明においては、Ｂａ，Ｓｒの原料とし
て、上記のカルボン酸のバリウム塩，ストロンチウム
塩を用いる。上記のカルボン酸の具体例としては、次
のものが挙げられる。
て、上記のカルボン酸のバリウム塩，ストロンチウム
塩を用いる。上記のカルボン酸の具体例としては、次
のものが挙げられる。
【００１３】Ｒ1 の炭素数が３のもの：ｎ−酪酸、ｉ−
酪酸 Ｒ1 の炭素数が４のもの：ｎ−吉草酸、ｉ−吉草酸 Ｒ1 の炭素数が５のもの：２−エチル酪酸、ｎ−ヘキサ
ン酸、２，２−ジメチル酪酸、３，３−ジメチル酪酸、
４−メチルペンタン酸 Ｒ1 の炭素数が６のもの：ｎ−ヘプタン酸、２−メチル
ヘキサン酸 Ｒ1 の炭素数が７のもの：オクチル酸 本発明において、これらのカルボン酸のアルキル基Ｒ1
の炭素数が２以下であると、熱分解時に炭酸塩を形成し
易く、逆にＲ1 の炭素数が８以上であると、有機成分の
蒸発による重量変化が大きく、いずれの場合もクラック
フリーの薄膜を形成し得ない。Ｒ1 の炭素数は、特に、
５〜７であることが好ましい。
酪酸 Ｒ1 の炭素数が４のもの：ｎ−吉草酸、ｉ−吉草酸 Ｒ1 の炭素数が５のもの：２−エチル酪酸、ｎ−ヘキサ
ン酸、２，２−ジメチル酪酸、３，３−ジメチル酪酸、
４−メチルペンタン酸 Ｒ1 の炭素数が６のもの：ｎ−ヘプタン酸、２−メチル
ヘキサン酸 Ｒ1 の炭素数が７のもの：オクチル酸 本発明において、これらのカルボン酸のアルキル基Ｒ1
の炭素数が２以下であると、熱分解時に炭酸塩を形成し
易く、逆にＲ1 の炭素数が８以上であると、有機成分の
蒸発による重量変化が大きく、いずれの場合もクラック
フリーの薄膜を形成し得ない。Ｒ1 の炭素数は、特に、
５〜７であることが好ましい。
【００１４】なお、Ｂａ原料及びＳｒ原料のカルボン酸
塩のカルボン酸は、一般には同一のものを用いるのが好
ましいが、異なるものであっても良い。
塩のカルボン酸は、一般には同一のものを用いるのが好
ましいが、異なるものであっても良い。
【００１５】一方、Ｔｉ原料のチタンアルコキシドとし
ては、上記のものを用いるが、具体的には次のものが
挙げられる。
ては、上記のものを用いるが、具体的には次のものが
挙げられる。
【００１６】メトキシチタン、エトキシチタン、イソプ
ロポキシチタン、ノルマルブトキシチタン、アミロキシ
チタン、ヘキサノキシチタン、ヘプタノキシチタンこれ
らのうち、特に、アルコキシドのアルキル基Ｒ2 の炭素
数が２〜５のもの、例えば、エトキシチタン、イソプロ
ポキシチタン、ブトキシチタン、アミロキシチタン等が
好適に使用される。
ロポキシチタン、ノルマルブトキシチタン、アミロキシ
チタン、ヘキサノキシチタン、ヘプタノキシチタンこれ
らのうち、特に、アルコキシドのアルキル基Ｒ2 の炭素
数が２〜５のもの、例えば、エトキシチタン、イソプロ
ポキシチタン、ブトキシチタン、アミロキシチタン等が
好適に使用される。
【００１７】本発明において、これらのＢａ原料、Ｓｒ
原料及びＴｉ原料を混合する有機溶媒としては、酢酸エ
チル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル等の
酢酸エステル類やエタノール、プロパノール、ブタノー
ル、２−メトキシエタノール等のアルコール類を用いる
ことができる。
原料及びＴｉ原料を混合する有機溶媒としては、酢酸エ
チル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル等の
酢酸エステル類やエタノール、プロパノール、ブタノー
ル、２−メトキシエタノール等のアルコール類を用いる
ことができる。
【００１８】Ｂａ原料、Ｓｒ原料及びＴｉ原料は、これ
らの有機溶媒中に所望のＢａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 組成と
なるように、また、Ｂａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 濃度が５〜
１５重量％程度となるように混合される。
らの有機溶媒中に所望のＢａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 組成と
なるように、また、Ｂａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 濃度が５〜
１５重量％程度となるように混合される。
【００１９】このようにして得られる本発明のＢａ1-x
Ｓｒx ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物によりＢａ1-x Ｓｒx
ＴｉＯ3 薄膜を形成するには、スピンコート、ディップ
コート等の塗布法により、Ｓｉ，Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2
／Ｓｉ，Ｐｔ／Ｔａ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／ＳｉＯ2
／Ｓｉ，Ｒｕ／ＲｕＯ2 ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，ＲｕＯ2／
Ｓｉ，ＲｕＯ2 ／Ｒｕ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｉｒ／ＩｒＯ
2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／Ｉｒ／ＩｒＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／ＩｒＯ
2 ／Ｓｉ等の基板上に本発明の組成物を塗布し、乾燥、
仮焼成及び本焼成を行う。なお、１回の塗布では、所望
の膜厚が得られない場合には、塗布、乾燥、仮焼成の工
程を複数回繰り返し行った後、本焼成を行う。ここで、
仮焼成は、３００〜５００℃で行われ、本焼成は５００
〜８００℃で３０分〜２時間程度行われる。
Ｓｒx ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物によりＢａ1-x Ｓｒx
ＴｉＯ3 薄膜を形成するには、スピンコート、ディップ
コート等の塗布法により、Ｓｉ，Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2
／Ｓｉ，Ｐｔ／Ｔａ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／ＳｉＯ2
／Ｓｉ，Ｒｕ／ＲｕＯ2 ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，ＲｕＯ2／
Ｓｉ，ＲｕＯ2 ／Ｒｕ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｉｒ／ＩｒＯ
2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／Ｉｒ／ＩｒＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／ＩｒＯ
2 ／Ｓｉ等の基板上に本発明の組成物を塗布し、乾燥、
仮焼成及び本焼成を行う。なお、１回の塗布では、所望
の膜厚が得られない場合には、塗布、乾燥、仮焼成の工
程を複数回繰り返し行った後、本焼成を行う。ここで、
仮焼成は、３００〜５００℃で行われ、本焼成は５００
〜８００℃で３０分〜２時間程度行われる。
【００２０】
【作用】本発明で用いるカルボン酸はＢａＣＯ3 ，Ｓｒ
ＣＯ3 を生成することがなく、重量変化も少ない。ま
た、本発明で用いるアルコキシドも重量変化が少ない。
このように、ＢａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 を生成しないカル
ボン酸塩、ないし、重量変化の少ないＢａ，Ｓｒのカル
ボン酸塩とＴｉのアルコキシドを用いることにより、塗
布膜中のＢａ，Ｓｒの炭酸塩の生成を抑え、また急激な
重量減少を抑えることができ、これにより膜自体に加わ
る応力が低減され、Ｂａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3薄膜形成時
のクラックが防止される。
ＣＯ3 を生成することがなく、重量変化も少ない。ま
た、本発明で用いるアルコキシドも重量変化が少ない。
このように、ＢａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 を生成しないカル
ボン酸塩、ないし、重量変化の少ないＢａ，Ｓｒのカル
ボン酸塩とＴｉのアルコキシドを用いることにより、塗
布膜中のＢａ，Ｓｒの炭酸塩の生成を抑え、また急激な
重量減少を抑えることができ、これにより膜自体に加わ
る応力が低減され、Ｂａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3薄膜形成時
のクラックが防止される。
【００２１】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００２２】実施例１ ２−エチル酪酸バリウム５．２９ｇと２−エチル酪酸ス
トロンチウム４．５７ｇを酢酸イソアミル溶媒５０ｇに
溶解させ、その後、イソプロポキシチタン８．１８ｇを
加えた後、全体で１００ｇとなるように更に酢酸イソア
ミルを添加して、６重量％のＢａ0.5 Ｓｒ0.5 ＴｉＯ3
薄膜形成用組成物を調製した。
トロンチウム４．５７ｇを酢酸イソアミル溶媒５０ｇに
溶解させ、その後、イソプロポキシチタン８．１８ｇを
加えた後、全体で１００ｇとなるように更に酢酸イソア
ミルを添加して、６重量％のＢａ0.5 Ｓｒ0.5 ＴｉＯ3
薄膜形成用組成物を調製した。
【００２３】この溶液をスピンコート法により５００ｒ
ｐｍで５秒、その後、２０００ｒｐｍで２０秒の条件で
Ｓｉ基板上に塗布した。その後、１５０℃で１０分間乾
燥し、次いで４００℃で仮焼成を行った。この工程を３
回繰り返した後、６５０℃で１時間焼成して結晶化を行
った。
ｐｍで５秒、その後、２０００ｒｐｍで２０秒の条件で
Ｓｉ基板上に塗布した。その後、１５０℃で１０分間乾
燥し、次いで４００℃で仮焼成を行った。この工程を３
回繰り返した後、６５０℃で１時間焼成して結晶化を行
った。
【００２４】得られた薄膜表面を光学顕微鏡写真（１０
０倍）で調べたところ、クラックフリーの膜が得られた
ことが確認された。また、Ｘ線回折パターンからは、ペ
ロブスカイト単一相が得られた。
０倍）で調べたところ、クラックフリーの膜が得られた
ことが確認された。また、Ｘ線回折パターンからは、ペ
ロブスカイト単一相が得られた。
【００２５】比較例１ 酢酸バリウム３．６８ｇと酢酸ストロンチウム０．５水
和物３．０９ｇを酢酸溶媒８０ｇに溶解し、１５０℃で
脱水を行った後、アセチルアセトン５．７７ｇを添加
し、その後イソプロポキシチタン８．１８ｇを加えた。
その後、全体で１００ｇとなるように酢酸溶媒を加え
て、６重量％のＢａ0.5 Ｓｒ0.5 ＴｉＯ3 薄膜形成用組
成物を調製した。
和物３．０９ｇを酢酸溶媒８０ｇに溶解し、１５０℃で
脱水を行った後、アセチルアセトン５．７７ｇを添加
し、その後イソプロポキシチタン８．１８ｇを加えた。
その後、全体で１００ｇとなるように酢酸溶媒を加え
て、６重量％のＢａ0.5 Ｓｒ0.5 ＴｉＯ3 薄膜形成用組
成物を調製した。
【００２６】この溶液を用いて、実施例１と同様な方法
により成膜を行い、最終熱処理を７５０℃として結晶化
を行った。
により成膜を行い、最終熱処理を７５０℃として結晶化
を行った。
【００２７】得られた薄膜表面を光学顕微鏡写真（１０
０倍）で調べたところ、得られた薄膜には、複数の微細
なクラックが観察された。
０倍）で調べたところ、得られた薄膜には、複数の微細
なクラックが観察された。
【００２８】実施例２ Ｂａを金属換算で１０重量％含有するオクチル酸バリウ
ムの酢酸イソアミル溶液２６．４２ｇと、Ｓｒを金属換
算で５重量％含有するオクチル酸ストロンチウムの酢酸
イソアミル溶液１４．４５ｇを混合し、イソプロポキシ
チタン７．８９ｇを加えた。更に全体で１００ｇの溶液
となるように酢酸イソアミルを添加して、６重量％のＢ
ａ0.7 Ｓｒ0.3 ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物を調製した。
ムの酢酸イソアミル溶液２６．４２ｇと、Ｓｒを金属換
算で５重量％含有するオクチル酸ストロンチウムの酢酸
イソアミル溶液１４．４５ｇを混合し、イソプロポキシ
チタン７．８９ｇを加えた。更に全体で１００ｇの溶液
となるように酢酸イソアミルを添加して、６重量％のＢ
ａ0.7 Ｓｒ0.3 ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物を調製した。
【００２９】この溶液を用いて、実施例１と同様な方法
により成膜を行い、最終熱処理を７５０℃として結晶化
を行った。その表面を光学顕微鏡で観察した結果、クラ
ックフリーの薄膜が得られたことが確認された。
により成膜を行い、最終熱処理を７５０℃として結晶化
を行った。その表面を光学顕微鏡で観察した結果、クラ
ックフリーの薄膜が得られたことが確認された。
【００３０】比較例２ Ｂａを金属換算で５重量％含有するウンデカン酸バリウ
ム（（Ｃ10Ｈ21ＣＯＯ）2 Ｂａ）の酢酸イソアミル溶液
３９．５５ｇと、Ｓｒを金属換算で３重量％含有するウ
ンデカン酸ストロンチウム（（Ｃ10Ｈ21ＣＯＯ）2 Ｓ
ｒ）の酢酸イソアミル溶液４２．０５ｇを混合し、イソ
プロポキシチタン８．２７ｇを加えた。更に全体で１０
０ｇの溶液となるように酢酸イソアミルを添加して、６
重量％のＢａ0.5 Ｓｒ0.3 ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物を
調製した。
ム（（Ｃ10Ｈ21ＣＯＯ）2 Ｂａ）の酢酸イソアミル溶液
３９．５５ｇと、Ｓｒを金属換算で３重量％含有するウ
ンデカン酸ストロンチウム（（Ｃ10Ｈ21ＣＯＯ）2 Ｓ
ｒ）の酢酸イソアミル溶液４２．０５ｇを混合し、イソ
プロポキシチタン８．２７ｇを加えた。更に全体で１０
０ｇの溶液となるように酢酸イソアミルを添加して、６
重量％のＢａ0.5 Ｓｒ0.3 ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物を
調製した。
【００３１】この溶液を用いて、実施例１と同様な方法
により成膜を行い、最終熱処理を７５０℃として結晶化
を行った。その結果、形成された薄膜の表面にはクラッ
クが観察された。
により成膜を行い、最終熱処理を７５０℃として結晶化
を行った。その結果、形成された薄膜の表面にはクラッ
クが観察された。
【００３２】比較例３ Ｂａを金属換算で５重量％含有するマレイン酸バリウム
の２−メトキシエタノール溶液３９．５５ｇと、Ｓｒを
金属換算で３重量％含有するマレイン酸ストロンチウム
の２−メトキシエタノール溶液４２．０５ｇを混合し、
イソプロポキシチタン８．２７ｇを加えた。更に全体で
１００ｇの溶液となるように２−メトキシエタノールを
添加して、６重量％のＢａ0.5 Ｓｒ0.5 ＴｉＯ3 薄膜形
成用組成物を調製した。
の２−メトキシエタノール溶液３９．５５ｇと、Ｓｒを
金属換算で３重量％含有するマレイン酸ストロンチウム
の２−メトキシエタノール溶液４２．０５ｇを混合し、
イソプロポキシチタン８．２７ｇを加えた。更に全体で
１００ｇの溶液となるように２−メトキシエタノールを
添加して、６重量％のＢａ0.5 Ｓｒ0.5 ＴｉＯ3 薄膜形
成用組成物を調製した。
【００３３】この溶液を用いて、実施例１と同様な方法
により成膜を行い、最終熱処理を７５０℃として結晶化
を行った。その結果、形成された薄膜の表面にはクラッ
クが観察された。
により成膜を行い、最終熱処理を７５０℃として結晶化
を行った。その結果、形成された薄膜の表面にはクラッ
クが観察された。
【００３４】比較例４ Ｂａを金属換算で３重量％含有するアジピン酸バリウム
の２−メトキシエタノール溶液４３．９４ｇと、Ｓｒを
金属換算で２重量％含有するアジピン酸ストロンチウム
の２−メトキシエタノール溶液４２．０５ｇを混合し、
イソプロポキシチタン８．２７ｇを加えた。更に全体で
１００ｇの溶液となるように２−メトキシエタノールを
添加して、４重量％のＢａ0.5 Ｓｒ0.5 ＴｉＯ3 薄膜形
成用組成物を調製した。
の２−メトキシエタノール溶液４３．９４ｇと、Ｓｒを
金属換算で２重量％含有するアジピン酸ストロンチウム
の２−メトキシエタノール溶液４２．０５ｇを混合し、
イソプロポキシチタン８．２７ｇを加えた。更に全体で
１００ｇの溶液となるように２−メトキシエタノールを
添加して、４重量％のＢａ0.5 Ｓｒ0.5 ＴｉＯ3 薄膜形
成用組成物を調製した。
【００３５】この溶液を用いて、実施例１と同様な方法
により成膜を行ったが、スピンコート後の膜は粘性が高
いため、厚く形成され、光の干渉も見られなかった。こ
の膜を７５０℃で熱処理したが、収縮率が高いため表面
にはクラックが観察された。
により成膜を行ったが、スピンコート後の膜は粘性が高
いため、厚く形成され、光の干渉も見られなかった。こ
の膜を７５０℃で熱処理したが、収縮率が高いため表面
にはクラックが観察された。
【００３６】実施例３〜７ 表１に示すカルボン酸バリウム、カルボン酸ストロンチ
ウム及びチタンアルコキシドを用い、これらを表１に示
す有機溶媒に添加して表１に示す組成及び濃度のＢａ
1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物を調製した。
ウム及びチタンアルコキシドを用い、これらを表１に示
す有機溶媒に添加して表１に示す組成及び濃度のＢａ
1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物を調製した。
【００３７】この溶液を用いて、実施例１と同様な方法
により成膜を行い、最終熱処理を表１に示す温度として
結晶化を行った。その結果、いずれの場合も、クラック
フリーの薄膜が得られた。
により成膜を行い、最終熱処理を表１に示す温度として
結晶化を行った。その結果、いずれの場合も、クラック
フリーの薄膜が得られた。
【００３８】
【表１】
【００３９】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のＢａ1-x Ｓ
ｒx ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物によれば、膜形成効率に
優れたコーティング法により、クラックのない高品質の
Ｂａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 薄膜を容易かつ確実に形成する
ことができる。
ｒx ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物によれば、膜形成効率に
優れたコーティング法により、クラックのない高品質の
Ｂａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 薄膜を容易かつ確実に形成する
ことができる。
【００４０】従って、このような本発明のＢａ1-x Ｓｒ
x ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物は、ＩＣのコンデンサ、或
いはキャパシタ等を形成する塗布液として工業的に極め
て有用である。
x ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物は、ＩＣのコンデンサ、或
いはキャパシタ等を形成する塗布液として工業的に極め
て有用である。
Claims (1)
- 【請求項１】 カルボン酸バリウム、カルボン酸ストロ
ンチウム及びチタンアルコキシドを、モル比でＢａ：Ｓ
ｒ：Ｔｉ＝（１−ｘ）：ｘ：１（ただし、０＜ｘ＜１）
となるように有機溶媒中に混合してなるＢａ1-x Ｓｒx
ＴｉＯ3 薄膜形成用組成物であって、 前記カルボン酸塩を形成するカルボン酸が下記よりな
る群から選ばれる１種又は２種以上であり、かつ、前記
アルコキシドが下記よりなる群から選ばれる１種又は
２種以上であることを特徴とするＢａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ
3 薄膜形成用組成物。 Ｒ1 ＣＯＯＨ（ただし、Ｒ1 は炭素数３〜７の直鎖
状又は分岐状アルキル基） Ｔｉ（ＯＲ2 ）4 （ただし、Ｒ2 は炭素数１〜７の
直鎖状又は分岐状アルキル基）
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14453795A JP3456305B2 (ja) | 1995-06-12 | 1995-06-12 | Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物 |
| KR1019960020472A KR100406665B1 (ko) | 1995-06-09 | 1996-06-08 | Ba1-xSrxTiyO3 박막 형성용 조성물 및 Ba1-xSrxTiyO3 박막의 형성방법 |
| US08/661,115 US5645634A (en) | 1995-06-09 | 1996-06-10 | Composition and method for forming Ba1-X Srx Tiy O3 thin films |
| KR1020030040002A KR100432621B1 (ko) | 1995-06-09 | 2003-06-20 | Ｂａ1-ｘＳｒｘＴｉｙＯ3 박막 형성용 조성물 및 Ｂａ1-ｘＳｒｘＴｉｙＯ3 박막의 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14453795A JP3456305B2 (ja) | 1995-06-12 | 1995-06-12 | Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08337421A true JPH08337421A (ja) | 1996-12-24 |
| JP3456305B2 JP3456305B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=15364622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14453795A Expired - Lifetime JP3456305B2 (ja) | 1995-06-09 | 1995-06-12 | Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３薄膜形成用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3456305B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005054134A1 (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-16 | Jsr Corporation | 誘電体膜形成用組成物の製造方法、誘電体膜形成用組成物、ならびに誘電体膜およびその形成方法 |
| JP2008041725A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 高誘電体薄膜形成用塗布組成物とその製造方法 |
| JP2008260791A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Adeka Corp | 塗布液組成物および該塗布液組成物を用いる複合金属酸化物膜の製造方法 |
| JP2009295530A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 誘電体膜形成用塗布液の製造方法 |
| JP2019127424A (ja) * | 2018-01-26 | 2019-08-01 | 三菱マテリアル株式会社 | 誘電体薄膜形成用液状組成物及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-06-12 JP JP14453795A patent/JP3456305B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005054134A1 (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-16 | Jsr Corporation | 誘電体膜形成用組成物の製造方法、誘電体膜形成用組成物、ならびに誘電体膜およびその形成方法 |
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| JP4702215B2 (ja) * | 2006-08-02 | 2011-06-15 | 住友金属鉱山株式会社 | 高誘電体薄膜形成用塗布組成物とその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3456305B2 (ja) | 2003-10-14 |
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