JP2000079376A - 電子部品の洗浄及び取扱方法並びに洗浄装置 - Google Patents
電子部品の洗浄及び取扱方法並びに洗浄装置Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高度な清浄度を達成できる電子部品の洗浄方
法と洗浄装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 ＡｌＴｉＣウエハ等の被洗浄物に洗浄水
を供給する手段と、前記被洗浄物に接触してその表面を
洗浄するスポンジ状部材と、前記被洗浄物と前記スポン
ジ状部材とを相対移動させる手段と、前記洗浄水を１０
ＭΩ以下の比抵抗値を有するようにするための手段とを
備える電子部品の洗浄装置を用い、被洗浄物に１０ＭΩ
以下の比抵抗値を有する洗浄水を供給しながらスポンジ
状部材で被洗浄物を洗浄する。この場合、洗浄前の被洗
浄物を１０ＭΩ以下の比抵抗値を有する洗浄水中に浸漬
しておくことにより、また、ダミー基板の使用により、
更なる清浄度が達成される。
法と洗浄装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 ＡｌＴｉＣウエハ等の被洗浄物に洗浄水
を供給する手段と、前記被洗浄物に接触してその表面を
洗浄するスポンジ状部材と、前記被洗浄物と前記スポン
ジ状部材とを相対移動させる手段と、前記洗浄水を１０
ＭΩ以下の比抵抗値を有するようにするための手段とを
備える電子部品の洗浄装置を用い、被洗浄物に１０ＭΩ
以下の比抵抗値を有する洗浄水を供給しながらスポンジ
状部材で被洗浄物を洗浄する。この場合、洗浄前の被洗
浄物を１０ＭΩ以下の比抵抗値を有する洗浄水中に浸漬
しておくことにより、また、ダミー基板の使用により、
更なる清浄度が達成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品の洗浄及び取
扱方法と洗浄装置に関するもので、更に詳しくは、例え
ばアルミナチタンカーバイト（ＡｌＴｉＣ）製ウエハ等
のセラミックウエハの洗浄に好適な電子部品の洗浄及び
取扱方法とその方法に用いられる洗浄装置に関する。
扱方法と洗浄装置に関するもので、更に詳しくは、例え
ばアルミナチタンカーバイト（ＡｌＴｉＣ）製ウエハ等
のセラミックウエハの洗浄に好適な電子部品の洗浄及び
取扱方法とその方法に用いられる洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の電子部品の洗浄方法とし
ては、被洗浄物に洗浄水を供給しながらスポンジ状部材
で被洗浄物を洗浄する洗浄方法が知られている。
ては、被洗浄物に洗浄水を供給しながらスポンジ状部材
で被洗浄物を洗浄する洗浄方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の洗浄方法の
場合、洗浄水による洗浄と、スポンジ状部材での被洗浄
物に対する拭き取りの併用により、かなり高度な清浄度
が得られるものであった。しかしながら、スポンジ状部
材で被洗浄物を拭き取る際に被洗浄物が帯電してしま
い、洗浄作業を繰り返しても一定数の塵埃が残ってしま
い、また、スポンジ状部材に付着した塵埃が被洗浄物を
汚染するという不都合を有するものであった。そこで、
本発明は、前記従来の電子部品の洗浄方法よりも、より
高度な清浄度を達成できる電子部品の洗浄及び取扱方法
と洗浄装置を提供することを目的とする。
場合、洗浄水による洗浄と、スポンジ状部材での被洗浄
物に対する拭き取りの併用により、かなり高度な清浄度
が得られるものであった。しかしながら、スポンジ状部
材で被洗浄物を拭き取る際に被洗浄物が帯電してしま
い、洗浄作業を繰り返しても一定数の塵埃が残ってしま
い、また、スポンジ状部材に付着した塵埃が被洗浄物を
汚染するという不都合を有するものであった。そこで、
本発明は、前記従来の電子部品の洗浄方法よりも、より
高度な清浄度を達成できる電子部品の洗浄及び取扱方法
と洗浄装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は前記課題を解
決するべく鋭意検討の結果、１０ＭΩ以下の比抵抗値を
有する洗浄水を用いることにより、また、スポンジ状部
材を洗浄中に被洗浄物から離間させて１０ＭΩ以下の比
抵抗値を有する洗浄水で洗浄することにより、また、洗
浄前に被洗浄物を１０ＭΩ以下の比抵抗値を有する洗浄
水中に浸漬しておくことにより、極めて清浄度の高い電
子部品の洗浄を行えることを知見した。本発明はかかる
知見に基づき成されたもので、本発明の電子部品の洗浄
方法は、請求項１記載の通り、被洗浄物に１０ＭΩ以下
の比抵抗値を有する洗浄水を供給しながらスポンジ状部
材で被洗浄物を洗浄することを特徴とする。また、請求
項２記載の電子部品の洗浄方法は、前記洗浄水は二酸化
炭素ガスを含ませることにより５ＭΩ以下の比抵抗値を
有するようにしたことを特徴とする。また、請求項３記
載の電子部品の洗浄方法は、請求項１または２記載の電
子部品の洗浄方法において、洗浄中に前記スポンジ状部
材を被洗浄物から離間させ、離間させたスポンジ状部材
にも前記洗浄水を供給するようにしたことを特徴とす
る。また、請求項４記載の電子部品の洗浄方法は、請求
項１乃至３の何れかに記載の電子部品の洗浄方法におい
て、前記被洗浄物はセラミックウエハであることを特徴
とする。また、請求項５記載の電子部品の洗浄方法は、
請求項４記載の電子部品の洗浄方法において、前記セラ
ミックウエハはアルミナチタンカーバイト製ウエハであ
ることを特徴とする。また、請求項６記載の電子部品の
洗浄方法は、洗浄前に被洗浄物を１０ＭΩ以下の比抵抗
値を有する洗浄水中に浸漬しておくことを特徴とする。
また、請求項７記載の電子部品の洗浄方法は、請求項１
乃至５の何れかに記載の電子部品の洗浄方法において、
洗浄前に被洗浄物を１０ＭΩ以下の比抵抗値を有する洗
浄水中に浸漬しておくことを特徴とする。また、請求項
８記載の電子部品の洗浄方法は、請求項７記載の電子部
品の洗浄方法において、前記被洗浄物を浸漬しておく洗
浄水を二酸化炭素ガスを含ませることにより５ＭΩ以下
の比抵抗値を有するようにしたことを特徴とする。ま
た、請求項９記載の電子部品の取扱方法は、被洗浄物で
ある基板を基板ラックの基板保持片に載置して用意して
おき、前記基板を洗浄後、別の基板ラックの基板保持片
に載置して収容するに際し、該基板の膜形成面側にダミ
ー基板が位置するようにしたことを特徴とする。また、
請求項１０記載の電子部品の洗浄方法は、請求項１乃至
８の何れかに記載の電子部品の洗浄方法において、被洗
浄物である基板を基板ラックの基板保持片に載置して用
意しておき、前記基板を洗浄後、別の基板ラックの基板
保持片に載置して収容するに際し、該基板の膜形成面側
にダミー基板が位置するようにしたことを特徴とする。
また、請求項１１記載の電子部品の取扱方法は、被洗浄
物である基板を洗浄後、基板ラックの基板保持片に載置
した状態で保存するに際し、前記基板ラックを傾斜さ
せ、基板の膜形成面側が、基板ラックの基板保持片に接
触しないようにしたことを特徴とする。また、請求項１
２記載の電子部品の洗浄方法は、請求項１乃至８或いは
１０の何れかに記載の電子部品の洗浄方法において、被
洗浄物である基板を洗浄後、基板ラックの基板保持片に
載置した状態で保存するに際し、前記基板ラックを傾斜
させ、基板の膜形成面側が、基板ラックの基板保持片に
接触しないようにしたことを特徴とする。また、本発明
の電子部品の洗浄装置は、請求項１３記載の通り、被洗
浄物に洗浄水を供給する手段と、前記被洗浄物に接触し
てその表面を洗浄するスポンジ状部材と、前記被洗浄物
と前記スポンジ状部材とを相対移動させる手段と、前記
洗浄水を１０ＭΩ以下の比抵抗値を有するようにするた
めの手段とを備えることを特徴とする。また、請求項１
４記載の電子部品の洗浄装置は、請求項１３記載の電子
部品の洗浄装置において、洗浄前の被洗浄物を１０ＭΩ
以下の比抵抗値を有する洗浄水中に浸漬するための浸漬
部を備えることを特徴とする。また、請求項１５記載の
電子部品の洗浄装置は、請求項１３または１４記載の電
子部品の洗浄装置において、前記洗浄水を５ＭΩ以下の
比抵抗値を有するようにするための手段は洗浄水への二
酸化炭素ガス供給手段であることを特徴とする。また、
請求項１６記載の電子部品の洗浄装置は、請求項１３乃
至１５の何れかに記載の電子部品の洗浄装置におてい、
洗浄中に離間させた前記スポンジ状部材にも前記洗浄水
を供給する手段を備えることを特徴とする。
決するべく鋭意検討の結果、１０ＭΩ以下の比抵抗値を
有する洗浄水を用いることにより、また、スポンジ状部
材を洗浄中に被洗浄物から離間させて１０ＭΩ以下の比
抵抗値を有する洗浄水で洗浄することにより、また、洗
浄前に被洗浄物を１０ＭΩ以下の比抵抗値を有する洗浄
水中に浸漬しておくことにより、極めて清浄度の高い電
子部品の洗浄を行えることを知見した。本発明はかかる
知見に基づき成されたもので、本発明の電子部品の洗浄
方法は、請求項１記載の通り、被洗浄物に１０ＭΩ以下
の比抵抗値を有する洗浄水を供給しながらスポンジ状部
材で被洗浄物を洗浄することを特徴とする。また、請求
項２記載の電子部品の洗浄方法は、前記洗浄水は二酸化
炭素ガスを含ませることにより５ＭΩ以下の比抵抗値を
有するようにしたことを特徴とする。また、請求項３記
載の電子部品の洗浄方法は、請求項１または２記載の電
子部品の洗浄方法において、洗浄中に前記スポンジ状部
材を被洗浄物から離間させ、離間させたスポンジ状部材
にも前記洗浄水を供給するようにしたことを特徴とす
る。また、請求項４記載の電子部品の洗浄方法は、請求
項１乃至３の何れかに記載の電子部品の洗浄方法におい
て、前記被洗浄物はセラミックウエハであることを特徴
とする。また、請求項５記載の電子部品の洗浄方法は、
請求項４記載の電子部品の洗浄方法において、前記セラ
ミックウエハはアルミナチタンカーバイト製ウエハであ
ることを特徴とする。また、請求項６記載の電子部品の
洗浄方法は、洗浄前に被洗浄物を１０ＭΩ以下の比抵抗
値を有する洗浄水中に浸漬しておくことを特徴とする。
また、請求項７記載の電子部品の洗浄方法は、請求項１
乃至５の何れかに記載の電子部品の洗浄方法において、
洗浄前に被洗浄物を１０ＭΩ以下の比抵抗値を有する洗
浄水中に浸漬しておくことを特徴とする。また、請求項
８記載の電子部品の洗浄方法は、請求項７記載の電子部
品の洗浄方法において、前記被洗浄物を浸漬しておく洗
浄水を二酸化炭素ガスを含ませることにより５ＭΩ以下
の比抵抗値を有するようにしたことを特徴とする。ま
た、請求項９記載の電子部品の取扱方法は、被洗浄物で
ある基板を基板ラックの基板保持片に載置して用意して
おき、前記基板を洗浄後、別の基板ラックの基板保持片
に載置して収容するに際し、該基板の膜形成面側にダミ
ー基板が位置するようにしたことを特徴とする。また、
請求項１０記載の電子部品の洗浄方法は、請求項１乃至
８の何れかに記載の電子部品の洗浄方法において、被洗
浄物である基板を基板ラックの基板保持片に載置して用
意しておき、前記基板を洗浄後、別の基板ラックの基板
保持片に載置して収容するに際し、該基板の膜形成面側
にダミー基板が位置するようにしたことを特徴とする。
また、請求項１１記載の電子部品の取扱方法は、被洗浄
物である基板を洗浄後、基板ラックの基板保持片に載置
した状態で保存するに際し、前記基板ラックを傾斜さ
せ、基板の膜形成面側が、基板ラックの基板保持片に接
触しないようにしたことを特徴とする。また、請求項１
２記載の電子部品の洗浄方法は、請求項１乃至８或いは
１０の何れかに記載の電子部品の洗浄方法において、被
洗浄物である基板を洗浄後、基板ラックの基板保持片に
載置した状態で保存するに際し、前記基板ラックを傾斜
させ、基板の膜形成面側が、基板ラックの基板保持片に
接触しないようにしたことを特徴とする。また、本発明
の電子部品の洗浄装置は、請求項１３記載の通り、被洗
浄物に洗浄水を供給する手段と、前記被洗浄物に接触し
てその表面を洗浄するスポンジ状部材と、前記被洗浄物
と前記スポンジ状部材とを相対移動させる手段と、前記
洗浄水を１０ＭΩ以下の比抵抗値を有するようにするた
めの手段とを備えることを特徴とする。また、請求項１
４記載の電子部品の洗浄装置は、請求項１３記載の電子
部品の洗浄装置において、洗浄前の被洗浄物を１０ＭΩ
以下の比抵抗値を有する洗浄水中に浸漬するための浸漬
部を備えることを特徴とする。また、請求項１５記載の
電子部品の洗浄装置は、請求項１３または１４記載の電
子部品の洗浄装置において、前記洗浄水を５ＭΩ以下の
比抵抗値を有するようにするための手段は洗浄水への二
酸化炭素ガス供給手段であることを特徴とする。また、
請求項１６記載の電子部品の洗浄装置は、請求項１３乃
至１５の何れかに記載の電子部品の洗浄装置におてい、
洗浄中に離間させた前記スポンジ状部材にも前記洗浄水
を供給する手段を備えることを特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明の実施
の形態に付き説明する。図１及び図２は本発明における
電子部品の洗浄装置の一実施の形態を示すもので、図中
１は図略の駆動機構を介して回転駆動される駆動軸２の
上端に固定されたリング状のステージを示し、図２に示
されるように、リング状部材１ａの内周縁に沿って間隔
を置いて配置される支持突起１ｂを備え、この支持突起
１ｂ上にアルミナチタンカーバイト（ＡｌＴｉＣ）製ウ
エハ等の被洗浄物２０を載置することにより、ステージ
１の中央部空間１ｃを利用して、被洗浄物２０の表裏両
面を同時に洗浄できるようになっている。
の形態に付き説明する。図１及び図２は本発明における
電子部品の洗浄装置の一実施の形態を示すもので、図中
１は図略の駆動機構を介して回転駆動される駆動軸２の
上端に固定されたリング状のステージを示し、図２に示
されるように、リング状部材１ａの内周縁に沿って間隔
を置いて配置される支持突起１ｂを備え、この支持突起
１ｂ上にアルミナチタンカーバイト（ＡｌＴｉＣ）製ウ
エハ等の被洗浄物２０を載置することにより、ステージ
１の中央部空間１ｃを利用して、被洗浄物２０の表裏両
面を同時に洗浄できるようになっている。
【０００６】図中３は被洗浄物２０に対して洗浄水３０
を供給するための洗浄水供給ノズルを示すもので、供給
管４を介して超純水収容タンク５に連結されており、こ
の超純水収容タンク５には連結管６を介して連結される
二酸化炭素ガスボンベ７から所望量の二酸化炭素ガスが
供給されて洗浄水供給ノズル３から被洗浄物２０に対し
て供給される洗浄水３０の比抵抗値が１０ＭΩ以下とな
るように調節自在となっている。
を供給するための洗浄水供給ノズルを示すもので、供給
管４を介して超純水収容タンク５に連結されており、こ
の超純水収容タンク５には連結管６を介して連結される
二酸化炭素ガスボンベ７から所望量の二酸化炭素ガスが
供給されて洗浄水供給ノズル３から被洗浄物２０に対し
て供給される洗浄水３０の比抵抗値が１０ＭΩ以下とな
るように調節自在となっている。
【０００７】また、図中８はウレタンスポンジ（カネボ
ウ製 商品名 ベルクリン）等で構成されるスポンジ状
部材を示し、図略の駆動機構を介して回転自在に構成さ
れ、被洗浄物２０の表面に接触させて、このスポンジ状
部材８の表面に形成された突起部８ａで被洗浄物２０上
に存在する塵埃を拭き取るようにしたものである。スポ
ンジ状部材８は支点９を中心にして２本のアーム部材１
０，１０を介して１対に構成され、アーム部材１０，１
０の揺動により、被洗浄物２０の表裏両面を挟んで同時
に洗浄し、また、被洗浄物２０から同時に離間できるよ
うに構成されている。
ウ製 商品名 ベルクリン）等で構成されるスポンジ状
部材を示し、図略の駆動機構を介して回転自在に構成さ
れ、被洗浄物２０の表面に接触させて、このスポンジ状
部材８の表面に形成された突起部８ａで被洗浄物２０上
に存在する塵埃を拭き取るようにしたものである。スポ
ンジ状部材８は支点９を中心にして２本のアーム部材１
０，１０を介して１対に構成され、アーム部材１０，１
０の揺動により、被洗浄物２０の表裏両面を挟んで同時
に洗浄し、また、被洗浄物２０から同時に離間できるよ
うに構成されている。
【０００８】また、各スポンジ状部材８には、被洗浄物
２０からの離間位置において、供給管１４を介して前記
超純水収容タンク５に連結される洗浄水供給ノズル１３
が近接配置され、その離間位置において、比抵抗値が１
０ＭΩ以下とされた洗浄水３０が供給されるようになっ
ている。尚、図中３１は洗浄水の受皿を示し、本実施の
形態では、洗浄水供給ノズル１３から供給される洗浄水
３０を単に受けるように構成したが、洗浄水３０で満た
された受皿３１内にスポンジ状部材８を浸漬できるよう
に構成してもよい。
２０からの離間位置において、供給管１４を介して前記
超純水収容タンク５に連結される洗浄水供給ノズル１３
が近接配置され、その離間位置において、比抵抗値が１
０ＭΩ以下とされた洗浄水３０が供給されるようになっ
ている。尚、図中３１は洗浄水の受皿を示し、本実施の
形態では、洗浄水供給ノズル１３から供給される洗浄水
３０を単に受けるように構成したが、洗浄水３０で満た
された受皿３１内にスポンジ状部材８を浸漬できるよう
に構成してもよい。
【０００９】次に、上記電子部品の洗浄装置を用いた洗
浄方法について説明する。まず、ステージ１の所定位置
に被洗浄物２０を載置し、ステージ１を回転駆動させる
と共に、被洗浄物２０に洗浄水３０を供給する。この洗
浄水３０の供給は、洗浄水３０が被洗浄物２０の表裏両
面に充分に行き渡るように供給するようにし、被洗浄物
２０の洗浄作業が終了するまで継続させるのが好まし
い。
浄方法について説明する。まず、ステージ１の所定位置
に被洗浄物２０を載置し、ステージ１を回転駆動させる
と共に、被洗浄物２０に洗浄水３０を供給する。この洗
浄水３０の供給は、洗浄水３０が被洗浄物２０の表裏両
面に充分に行き渡るように供給するようにし、被洗浄物
２０の洗浄作業が終了するまで継続させるのが好まし
い。
【００１０】次に、回転駆動されるスポンジ状部材８，
８を、洗浄水３０を供給される被洗浄物２０の表裏両面
に接触する位置に近づけ、表面の突起部８ａで被洗浄物
２０の表裏両面を拭き取るようにして、被洗浄物２０上
の塵埃を洗浄する。この時、洗浄水の比抵抗値が１０Ｍ
Ω以下に調整されているので、スポンジ状部材の接触に
よって被洗浄物が帯電することがなく、被洗浄物２０上
に塵埃が残ることがない。
８を、洗浄水３０を供給される被洗浄物２０の表裏両面
に接触する位置に近づけ、表面の突起部８ａで被洗浄物
２０の表裏両面を拭き取るようにして、被洗浄物２０上
の塵埃を洗浄する。この時、洗浄水の比抵抗値が１０Ｍ
Ω以下に調整されているので、スポンジ状部材の接触に
よって被洗浄物が帯電することがなく、被洗浄物２０上
に塵埃が残ることがない。
【００１１】洗浄中、適当な時に、前記スポンジ状部材
８，８を被洗浄物２０から離間させ、この離間位置にお
いて、これらスポンジ状部材８，８に洗浄水供給ノズル
１３，１３から比抵抗値が１０ＭΩ以下に調整された洗
浄水３０を供給し、スポンジ状部材８，８を洗浄する。
このように、スポンジ状部材８，８を比抵抗値が１０Ｍ
Ω以下に調整された洗浄水３０で適宜洗浄するため、被
洗浄物２０に接触してその表面に存在する塵埃を拭き取
るスポンジ状部材８，８を洗浄作業中、清浄な状態に維
持できることになる。このように、比抵抗値が１０ＭΩ
以下に調整された洗浄水３０を用いて被洗浄物を洗浄す
るようにしたので、スポンジ状部材８，８の使用にもか
かわらず、被洗浄物２０が帯電することがなく、何度も
洗浄作業を繰り返す必要なく、被洗浄物を高度な清浄度
に洗浄することが可能である。
８，８を被洗浄物２０から離間させ、この離間位置にお
いて、これらスポンジ状部材８，８に洗浄水供給ノズル
１３，１３から比抵抗値が１０ＭΩ以下に調整された洗
浄水３０を供給し、スポンジ状部材８，８を洗浄する。
このように、スポンジ状部材８，８を比抵抗値が１０Ｍ
Ω以下に調整された洗浄水３０で適宜洗浄するため、被
洗浄物２０に接触してその表面に存在する塵埃を拭き取
るスポンジ状部材８，８を洗浄作業中、清浄な状態に維
持できることになる。このように、比抵抗値が１０ＭΩ
以下に調整された洗浄水３０を用いて被洗浄物を洗浄す
るようにしたので、スポンジ状部材８，８の使用にもか
かわらず、被洗浄物２０が帯電することがなく、何度も
洗浄作業を繰り返す必要なく、被洗浄物を高度な清浄度
に洗浄することが可能である。
【００１２】前記実施の形態では、超純水からなる洗浄
水の比抵抗値を１０ＭΩ以下に調整する手段として、超
純水に二酸化炭素ガスボンベ７から二酸化炭素ガスを供
給するようにしたが、勿論、洗浄水の比抵抗値の調整手
段としては、このような手段に限られるものではなく、
例えば被洗浄物がジルコニア等のようにアルカリの影響
を受けにくいものであれば、アンモニア等を用いたアル
カリイオンの添加でも構わない。また、被洗浄物がアル
ミナ等のような酸の影響を受けにくいものである場合
は、硫黄酸化物や窒素酸化物の添加でも構わない。但
し、ＡｌＴｉＣウエハのようにアルカリに弱く、また、
硫黄酸化物や窒素酸化物の添加により生じる粉体の発
生、処理を嫌う場合には、前記実施の形態での二酸化炭
素ガスの添加が最も好ましい。
水の比抵抗値を１０ＭΩ以下に調整する手段として、超
純水に二酸化炭素ガスボンベ７から二酸化炭素ガスを供
給するようにしたが、勿論、洗浄水の比抵抗値の調整手
段としては、このような手段に限られるものではなく、
例えば被洗浄物がジルコニア等のようにアルカリの影響
を受けにくいものであれば、アンモニア等を用いたアル
カリイオンの添加でも構わない。また、被洗浄物がアル
ミナ等のような酸の影響を受けにくいものである場合
は、硫黄酸化物や窒素酸化物の添加でも構わない。但
し、ＡｌＴｉＣウエハのようにアルカリに弱く、また、
硫黄酸化物や窒素酸化物の添加により生じる粉体の発
生、処理を嫌う場合には、前記実施の形態での二酸化炭
素ガスの添加が最も好ましい。
【００１３】また、図５は本発明における電子部品の洗
浄装置の他実施の形態を示すもので、前記実施の形態と
同一部材には同一符号を付して、その詳細な説明は省略
する。本実施の形態では、装置本体４０の右端に１０Ｍ
Ω以下の比抵抗値を有する洗浄水が供給されるようにし
た浸漬槽４１が設けられ、洗浄前に被洗浄物２０である
基板を浸漬しておけるようにした。尚、この時、浸漬槽
４１中に供給される洗浄水は図略の二酸化炭素ガスボン
ベから二酸化炭素ガスを供給することにより５ＭΩ以下
の比抵抗値を有するようにした。
浄装置の他実施の形態を示すもので、前記実施の形態と
同一部材には同一符号を付して、その詳細な説明は省略
する。本実施の形態では、装置本体４０の右端に１０Ｍ
Ω以下の比抵抗値を有する洗浄水が供給されるようにし
た浸漬槽４１が設けられ、洗浄前に被洗浄物２０である
基板を浸漬しておけるようにした。尚、この時、浸漬槽
４１中に供給される洗浄水は図略の二酸化炭素ガスボン
ベから二酸化炭素ガスを供給することにより５ＭΩ以下
の比抵抗値を有するようにした。
【００１４】図中４２は基板保持片４２ａを複数個、図
示のものでは１０個備える基板ラックを示し、この基板
保持片４２ａ上に基板２０を載置させることにより、複
数枚の基板２０を収納しておけるようになっている。図
中左側の基板ラック４２には洗浄前の基板２０が収納さ
れ、図中右側の基板ラック４２には洗浄済みの基板２０
が収納されている。
示のものでは１０個備える基板ラックを示し、この基板
保持片４２ａ上に基板２０を載置させることにより、複
数枚の基板２０を収納しておけるようになっている。図
中左側の基板ラック４２には洗浄前の基板２０が収納さ
れ、図中右側の基板ラック４２には洗浄済みの基板２０
が収納されている。
【００１５】尚、図中４３は洗浄前の基板２０を浸漬槽
４１中に浸漬されている基板ラック４２から取り出して
ステージ１上へ搬送するための基板取出アームを示し、
４４は洗浄済みの基板２０をステージ１から隣の回転乾
燥機４５へと搬送するための基板搬送アームを示し、４
６は乾燥された基板２０を回転乾燥機４５から基板２０
を取り出して基板ラック４２に収納するための基板収納
アームをそれぞれ示す。
４１中に浸漬されている基板ラック４２から取り出して
ステージ１上へ搬送するための基板取出アームを示し、
４４は洗浄済みの基板２０をステージ１から隣の回転乾
燥機４５へと搬送するための基板搬送アームを示し、４
６は乾燥された基板２０を回転乾燥機４５から基板２０
を取り出して基板ラック４２に収納するための基板収納
アームをそれぞれ示す。
【００１６】次に、上記電子部品の洗浄装置を用いた洗
浄方法について説明する。先ず、基板ラック４２の最下
方にダミー基板２０ｄを収容し、その上方に洗浄用基板
２０を膜形成面を上向きにした状態で収容し、この基板
ラック４２を浸漬槽４１中に浸漬しておき、次の洗浄工
程に備える。次に、基板取出アーム４３により、基板ラ
ック４２の最下方側からダミー基板２０ｄから順に、順
次基板２０を取り出して、ステージ上１へ搬送し、詳細
な説明は繰り返さないが、前記実施の形態と同様にして
１０ＭΩ以下の比抵抗値を有する洗浄水を供給しながら
スポンジ状部材８，８により基板２０を洗浄する。この
ように、スポンジ状部材８，８による洗浄前に１０ＭΩ
以下の比抵抗値を有する洗浄水を含む浸漬槽４１中に基
板２０を浸漬させておくことにより、更に被洗浄物であ
る基板２０に対し静電気に起因する塵埃の付着がなくな
り、更なる高洗浄が達成されるものである。
浄方法について説明する。先ず、基板ラック４２の最下
方にダミー基板２０ｄを収容し、その上方に洗浄用基板
２０を膜形成面を上向きにした状態で収容し、この基板
ラック４２を浸漬槽４１中に浸漬しておき、次の洗浄工
程に備える。次に、基板取出アーム４３により、基板ラ
ック４２の最下方側からダミー基板２０ｄから順に、順
次基板２０を取り出して、ステージ上１へ搬送し、詳細
な説明は繰り返さないが、前記実施の形態と同様にして
１０ＭΩ以下の比抵抗値を有する洗浄水を供給しながら
スポンジ状部材８，８により基板２０を洗浄する。この
ように、スポンジ状部材８，８による洗浄前に１０ＭΩ
以下の比抵抗値を有する洗浄水を含む浸漬槽４１中に基
板２０を浸漬させておくことにより、更に被洗浄物であ
る基板２０に対し静電気に起因する塵埃の付着がなくな
り、更なる高洗浄が達成されるものである。
【００１７】次に、基板搬送アーム４４により、洗浄さ
れた基板２０をステージ１上から回転乾燥機４５へ搬送
し、この回転乾燥機４５によって基板２０を乾燥する。
その後、基板収納アーム４６により、基板乾燥機４５上
の基板２０を基板ラック４２の上方側から順次収納する
ために、最上方の収納位置へと順次搬送する。尚、この
ような洗浄、乾燥、収納工程を繰り返すことにより、図
６に示すように、洗浄前の基板２０を収納した基板ラッ
ク４２の最下方に位置していたダミー基板２０ｄは、図
７に示すように、洗浄、乾燥後の基板２０を収納する基
板ラック４２の最上方位置に収納されることになり、こ
のダミー基板２０ｄにより、順次下方に収納される洗浄
後の基板２０の膜形成面の汚染を防ぐようにした。
れた基板２０をステージ１上から回転乾燥機４５へ搬送
し、この回転乾燥機４５によって基板２０を乾燥する。
その後、基板収納アーム４６により、基板乾燥機４５上
の基板２０を基板ラック４２の上方側から順次収納する
ために、最上方の収納位置へと順次搬送する。尚、この
ような洗浄、乾燥、収納工程を繰り返すことにより、図
６に示すように、洗浄前の基板２０を収納した基板ラッ
ク４２の最下方に位置していたダミー基板２０ｄは、図
７に示すように、洗浄、乾燥後の基板２０を収納する基
板ラック４２の最上方位置に収納されることになり、こ
のダミー基板２０ｄにより、順次下方に収納される洗浄
後の基板２０の膜形成面の汚染を防ぐようにした。
【００１８】また、本実施の形態によれば、前記洗浄、
乾燥後の基板２０を収納する基板ラック４２は図８に示
すように、傾斜状態にして保管ボックス５０内に収容す
るようにした。従って、図示の通り、基板２０の膜形成
面は基板保持片４２ａに触れることなく保管されること
になる。
乾燥後の基板２０を収納する基板ラック４２は図８に示
すように、傾斜状態にして保管ボックス５０内に収容す
るようにした。従って、図示の通り、基板２０の膜形成
面は基板保持片４２ａに触れることなく保管されること
になる。
【００１９】尚、図９は前記保管ボックス５０に収容さ
れた１０枚の基板（ダミー基板を含む）を保管した後
に、工場内においてクリーンルームの外に置いた場合の
汚染度合いを調べた結果を示すもので、ダミー基板のみ
が汚染しており、このダミー基板を用いた場合の汚染防
止効果の大きなことが確認された。尚、基板として、直
径４インチ、厚み２ｍｍのＡｌＴｉＣウエハを用い、Ｔ
ｅｎｃｏｒ社製のＳｕｒｆｓｃａｎ（レーザー式パーテ
ィクルカウンター，分解能０．５μｍ以上）を用いて測
定、評価した。
れた１０枚の基板（ダミー基板を含む）を保管した後
に、工場内においてクリーンルームの外に置いた場合の
汚染度合いを調べた結果を示すもので、ダミー基板のみ
が汚染しており、このダミー基板を用いた場合の汚染防
止効果の大きなことが確認された。尚、基板として、直
径４インチ、厚み２ｍｍのＡｌＴｉＣウエハを用い、Ｔ
ｅｎｃｏｒ社製のＳｕｒｆｓｃａｎ（レーザー式パーテ
ィクルカウンター，分解能０．５μｍ以上）を用いて測
定、評価した。
【００２０】
【実施例】次に、前記実施の形態で述べた電子部品の洗
浄装置を用いた具体的な実施例について説明する。本実
施例でも、被洗浄物として、直径４インチのＡｌＴｉＣ
ウエハを用いた。また、洗浄水は、超純水に二酸化炭素
ガスを供給して、ほぼ飽和させ、比抵抗値を０．３ＭΩ
に調整した。洗浄プロセスは、予めパーティクル数を測
定済みの直径４インチのＡｌＴｉＣウエハを用い、ブラ
シ洗浄を１回３０秒とし、一工程毎にスピン乾燥を行う
ようにした。また、この洗浄工程毎にウエハ上のパーテ
ィクル数を測定した。このような洗浄工程と測定を繰り
返し行った。前記パーティクル数の測定はＴｅｎｃｏｒ
社製のＳｕｒｆｓｃａｎ（レーザー式パーティクルカウ
ンター，分解能０．５μｍ以上）を用いてウエハ上のパ
ーティクル数を測定するものとした。
浄装置を用いた具体的な実施例について説明する。本実
施例でも、被洗浄物として、直径４インチのＡｌＴｉＣ
ウエハを用いた。また、洗浄水は、超純水に二酸化炭素
ガスを供給して、ほぼ飽和させ、比抵抗値を０．３ＭΩ
に調整した。洗浄プロセスは、予めパーティクル数を測
定済みの直径４インチのＡｌＴｉＣウエハを用い、ブラ
シ洗浄を１回３０秒とし、一工程毎にスピン乾燥を行う
ようにした。また、この洗浄工程毎にウエハ上のパーテ
ィクル数を測定した。このような洗浄工程と測定を繰り
返し行った。前記パーティクル数の測定はＴｅｎｃｏｒ
社製のＳｕｒｆｓｃａｎ（レーザー式パーティクルカウ
ンター，分解能０．５μｍ以上）を用いてウエハ上のパ
ーティクル数を測定するものとした。
【００２１】また、比較例として、洗浄水に超純水（比
抵抗値１７ＭΩ）を用いて前記実施例と同様にして直径
４インチのＡｌＴｉＣウエハを洗浄し、測定を繰り返し
た。
抵抗値１７ＭΩ）を用いて前記実施例と同様にして直径
４インチのＡｌＴｉＣウエハを洗浄し、測定を繰り返し
た。
【００２２】次に、前記実施例及び比較例によって洗浄
されたＡｌＴｉＣウエハの表面に残るパーティクルの測
定結果を除去率として図３に示した。
されたＡｌＴｉＣウエハの表面に残るパーティクルの測
定結果を除去率として図３に示した。
【００２３】図３に示すように、実施例の場合、３回の
洗浄サイクルでほぼ１００％の除去率という高度な清浄
度が達成されるのに対し、比較例の場合は、５回以上の
洗浄サイクルを繰り返しても、１００％の除去率を達成
できず、それ以上同じ洗浄サイクルを繰り返しても除去
率の向上は見られず、より高度な清浄化は不可能であっ
た。
洗浄サイクルでほぼ１００％の除去率という高度な清浄
度が達成されるのに対し、比較例の場合は、５回以上の
洗浄サイクルを繰り返しても、１００％の除去率を達成
できず、それ以上同じ洗浄サイクルを繰り返しても除去
率の向上は見られず、より高度な清浄化は不可能であっ
た。
【００２４】次に、洗浄水の比抵抗値の値と、被洗浄物
の清浄化の度合について試験した。被洗浄物としては、
前記と同じ直径４インチのＡｌＴｉＣウエハを用い、洗
浄水は、超純水に二酸化炭素ガスを流量調整して供給
し、比抵抗値を０．１〜１７ＭΩ程度の範囲に調整した
ものを用いた。それ以外は前記実施例と同様の条件で洗
浄工程を一回行い、その後、ウエハ上のパーティクル数
を測定し、パーティクルの測定結果を除去率として図４
に示した。
の清浄化の度合について試験した。被洗浄物としては、
前記と同じ直径４インチのＡｌＴｉＣウエハを用い、洗
浄水は、超純水に二酸化炭素ガスを流量調整して供給
し、比抵抗値を０．１〜１７ＭΩ程度の範囲に調整した
ものを用いた。それ以外は前記実施例と同様の条件で洗
浄工程を一回行い、その後、ウエハ上のパーティクル数
を測定し、パーティクルの測定結果を除去率として図４
に示した。
【００２５】図４に示すように、洗浄水の比抵抗値が１
０ＭΩ以下、特に５ＭΩ以下となると極端にパーティク
ル除去率が大きくなることが確認できた。
０ＭΩ以下、特に５ＭΩ以下となると極端にパーティク
ル除去率が大きくなることが確認できた。
【００２６】
【発明の効果】このように、本発明によれば、被洗浄物
に洗浄水を供給しながらスポンジ状部材で被洗浄物を洗
浄する電子部品の洗浄方法において、洗浄水の比抵抗値
の調整という非常に簡単な手段によって、洗浄水による
洗浄と、スポンジ状部材での被洗浄物に対する拭き取り
の併用による従来の電子部品の洗浄方法では不可能とさ
れていた、高清浄度の洗浄が短時間の洗浄操作で達成で
きるという効果を有する。
に洗浄水を供給しながらスポンジ状部材で被洗浄物を洗
浄する電子部品の洗浄方法において、洗浄水の比抵抗値
の調整という非常に簡単な手段によって、洗浄水による
洗浄と、スポンジ状部材での被洗浄物に対する拭き取り
の併用による従来の電子部品の洗浄方法では不可能とさ
れていた、高清浄度の洗浄が短時間の洗浄操作で達成で
きるという効果を有する。
【図１】本発明電子部品の清浄装置の一実施の形態の説
明線図
明線図
【図２】前記洗浄装置のステージの平面図
【図３】本発明電子部品の洗浄方法による洗浄効果を示
す特性線図
す特性線図
【図４】本発明電子部品の洗浄方法による洗浄水の比抵
抗値と被洗浄物の清浄度の関係を示す特性線図
抗値と被洗浄物の清浄度の関係を示す特性線図
【図５】本発明電子部品の清浄装置の他実施の形態の斜
視図
視図
【図６】洗浄前の基板を収納した基板ラックの正面図
【図７】洗浄後の基板を収納した基板ラックの正面図
【図８】基板ラックを保管した状態を示す説明線図
【図９】ダミー基板の使用による汚染防止効果を説明す
るための特性線図
るための特性線図
１ ステージ １ａ リング状部材 １ｂ 支持突起 １ｃ 中央部空間 ２ 駆動軸 ３ 洗浄水供給ノズル ４ 供給管 ５ 超純水収容タンク ６ 連結管 ７ 二酸化炭素ガスボンベ ８ スポンジ状部材 ８ａ 突起部 ９ 支点 １０ アーム部材 １３ 洗浄水供給ノズル １４ 供給管 ２０ 被洗浄物（基板） ２０ｄダミー基板 ３０ 洗浄水 ３１ 受皿 ４０ 装置本体 ４１ 浸漬槽 ４２ 基板ラック ４２ａ基板保持片 ４３ 基板取出アーム ４４ 基板搬送アーム ４５ 回転乾燥機 ４６ 基板収納アーム ５０ 保管ボックス
Claims (16)
- 【請求項１】 被洗浄物に１０ＭΩ以下の比抵抗値を有
する洗浄水を供給しながらスポンジ状部材で被洗浄物を
洗浄する電子部品の洗浄方法。 - 【請求項２】 前記洗浄水は二酸化炭素ガスを含ませる
ことにより５ＭΩ以下の比抵抗値を有するようにしたこ
とを特徴とする請求項１記載の電子部品の洗浄方法。 - 【請求項３】 洗浄中に前記スポンジ状部材を被洗浄物
から離間させ、離間させたスポンジ状部材にも前記洗浄
水を供給するようにしたことを特徴とする請求項１また
は２記載の電子部品の洗浄方法。 - 【請求項４】 前記被洗浄物はセラミックウエハである
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の電子
部品の洗浄方法。 - 【請求項５】 前記セラミック基板はアルミナチタンカ
ーバイト製ウエハであることを特徴とする請求項４記載
の電子部品の洗浄方法。 - 【請求項６】 洗浄前に被洗浄物を１０ＭΩ以下の比抵
抗値を有する洗浄水中に浸漬しておくことを特徴とする
電子部品の洗浄方法。 - 【請求項７】 洗浄前に被洗浄物を１０ＭΩ以下の比抵
抗値を有する洗浄水中に浸漬しておくことを特徴とする
請求項１乃至５の何れかに記載の電子部品の洗浄方法。 - 【請求項８】 前記被洗浄物を浸漬しておく洗浄水を二
酸化炭素ガスを含ませることにより５ＭΩ以下の比抵抗
値を有するようにしたことを特徴とする請求項６または
７記載の電子部品の洗浄方法。 - 【請求項９】 被洗浄物である基板を基板ラックの基板
保持片に載置して用意しておき、前記基板を洗浄後、別
の基板ラックの基板保持片に載置して収容するに際し、
該基板の膜形成面側にダミー基板が位置するようにした
ことを特徴とする電子部品の取扱方法。 - 【請求項１０】 被洗浄物である基板を基板ラックの基
板保持片に載置して用意しておき、前記基板を洗浄後、
別の基板ラックの基板保持片に載置して収容するに際
し、該基板の膜形成面側にダミー基板が位置するように
したことを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の
電子部品の洗浄方法。 - 【請求項１１】 被洗浄物である基板を洗浄後、基板ラ
ックの基板保持片に載置した状態で保存するに際し、前
記基板ラックを傾斜させ、基板の膜形成面側が、基板ラ
ックの基板保持片に接触しないようにしたことを特徴と
する電子部品の取扱方法。 - 【請求項１２】 被洗浄物である基板を洗浄後、基板ラ
ックの基板保持片に載置した状態で保存するに際し、前
記基板ラックを傾斜させ、基板の膜形成面側が、基板ラ
ックの基板保持片に接触しないようにしたことを特徴と
する請求項１乃至８或いは１０の何れかに記載の電子部
品の洗浄方法。 - 【請求項１３】 被洗浄物に洗浄水を供給する手段と、
前記被洗浄物に接触してその表面を洗浄するスポンジ状
部材と、前記被洗浄物と前記スポンジ状部材とを相対移
動させる手段と、前記洗浄水を１０ＭΩ以下の比抵抗値
を有するようにするための手段とを備えることを特徴と
する電子部品の洗浄装置。 - 【請求項１４】 洗浄前の被洗浄物を１０ＭΩ以下の比
抵抗値を有する洗浄水中に浸漬するための浸漬部を備え
ることを特徴とする請求項１３記載の電子部品の洗浄装
置。 - 【請求項１５】 前記洗浄水を５ＭΩ以下の比抵抗値を
有するようにするための手段は洗浄水への二酸化炭素ガ
ス供給手段であることを特徴とする請求項１３または１
４記載の電子部品の洗浄装置。 - 【請求項１６】 洗浄中に離間させた前記スポンジ状部
材にも前記洗浄水を供給する手段を備えることを特徴と
する請求項１３乃至１５の何れかに記載の電子部品の洗
浄装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34355198A JP4200565B2 (ja) | 1998-06-24 | 1998-11-17 | 電子部品の洗浄方法 |
| US09/337,278 US6837941B2 (en) | 1998-06-24 | 1999-06-22 | Cleaning and handling methods of electronic component and cleaning apparatus thereof |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-193758 | 1998-06-24 | ||
| JP19375898 | 1998-06-24 | ||
| JP34355198A JP4200565B2 (ja) | 1998-06-24 | 1998-11-17 | 電子部品の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000079376A true JP2000079376A (ja) | 2000-03-21 |
| JP4200565B2 JP4200565B2 (ja) | 2008-12-24 |
Family
ID=26508077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34355198A Expired - Lifetime JP4200565B2 (ja) | 1998-06-24 | 1998-11-17 | 電子部品の洗浄方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6837941B2 (ja) |
| JP (1) | JP4200565B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6797647B2 (en) | 2001-06-19 | 2004-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating organic thin film |
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|---|---|---|---|---|
| US6927176B2 (en) * | 2000-06-26 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process |
| US7456113B2 (en) * | 2000-06-26 | 2008-11-25 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process |
| JP4046486B2 (ja) * | 2001-06-13 | 2008-02-13 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 洗浄水及びウエハの洗浄方法 |
| US7216343B2 (en) * | 2002-09-20 | 2007-05-08 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for automatic updating and testing of software |
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