JPH04206724A - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄方法Info
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- JPH04206724A JPH04206724A JP33725990A JP33725990A JPH04206724A JP H04206724 A JPH04206724 A JP H04206724A JP 33725990 A JP33725990 A JP 33725990A JP 33725990 A JP33725990 A JP 33725990A JP H04206724 A JPH04206724 A JP H04206724A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、化合物半導体ウェハの洗浄工程における超純
水による洗浄法に係り、超純水中に適量の電解質を溶解
することにより好適な洗浄液をつくり、これを用いて実
施するウェハの洗浄方法に関する。
水による洗浄法に係り、超純水中に適量の電解質を溶解
することにより好適な洗浄液をつくり、これを用いて実
施するウェハの洗浄方法に関する。
［従来の技術］
半導体ウェハは、メカノケミカル研摩終了後、エタノー
ル、メタノール、アセトンなどの有機溶剤、界面活性剤
、弱いエツチング性溶液などで洗浄されている。
ル、メタノール、アセトンなどの有機溶剤、界面活性剤
、弱いエツチング性溶液などで洗浄されている。
これら洗浄工程の最後、または次の洗浄へ移る前段階に
は、必ず超純水による洗浄が行なわれる。
は、必ず超純水による洗浄が行なわれる。
また、ウエハノ加工工程以外でも、ウェハ表面に素子を
形成するプロセスなどでは、湿式エツチング後に、エツ
チング液を除去するために超純水による洗浄が行なわれ
る。
形成するプロセスなどでは、湿式エツチング後に、エツ
チング液を除去するために超純水による洗浄が行なわれ
る。
これに用いる超純水は、逆浸透膜、イオン交換樹脂、フ
ィルターなどにより、電解質成分、異物、バクテリアが
除去されて、その比抵抗は、１７〜１８ＭΩ・―となっ
ている。
ィルターなどにより、電解質成分、異物、バクテリアが
除去されて、その比抵抗は、１７〜１８ＭΩ・―となっ
ている。
［発明が解決しようとする課題］
超純水中の電解質成分は、イオン交換樹脂を多段階に通
過させることにより、不純分が極限値まで除去されてい
る。したがって、超純水中の電気抵抗は、超純水中のＨ
＋とＯＨ−のわずかな電離によって決まる。この時の超
純水の理論抵抗値は、１８．３ＭΩであり、また、実際
の洗浄法にも、７〜１８ＭΩの超純水が使用されている
。
過させることにより、不純分が極限値まで除去されてい
る。したがって、超純水中の電気抵抗は、超純水中のＨ
＋とＯＨ−のわずかな電離によって決まる。この時の超
純水の理論抵抗値は、１８．３ＭΩであり、また、実際
の洗浄法にも、７〜１８ＭΩの超純水が使用されている
。
通常の洗浄操作は、２〜１０ ／ｍｉｎの流速で、ア
ップフロー式洗浄槽中で行なわれる。この際に、洗浄さ
れる半導体ウェハは、１７〜１８ＭΩの高抵抗の超純水
と衝突し、摩擦によって帯電し、洗浄中および後に異物
を静電気的に吸着する。すなわち、従来法では、半導体
ウェハ表面への異物の付着は避けられない。ウェハ表面
に付着した異物は、その後ウェハ表面に形成されるデイ
バイスの特性、歩留りを著しく低下させる。
ップフロー式洗浄槽中で行なわれる。この際に、洗浄さ
れる半導体ウェハは、１７〜１８ＭΩの高抵抗の超純水
と衝突し、摩擦によって帯電し、洗浄中および後に異物
を静電気的に吸着する。すなわち、従来法では、半導体
ウェハ表面への異物の付着は避けられない。ウェハ表面
に付着した異物は、その後ウェハ表面に形成されるデイ
バイスの特性、歩留りを著しく低下させる。
こような超純水による洗浄中のウェハの帯電を防ぐため
に、超純水中の比抵抗を下げる試みがなされているが、
比抵抗が低くなると、エツチング作用によりウェハ表面
あれが生じるため、最適な比抵抗値を発見することが課
題であった。
に、超純水中の比抵抗を下げる試みがなされているが、
比抵抗が低くなると、エツチング作用によりウェハ表面
あれが生じるため、最適な比抵抗値を発見することが課
題であった。
本発明の目的は、前記のような従来技術の欠点を解消し
、半導体ウェハ表面あれをなくすと共に、異物のは付着
を防ぐことができる洗浄方法を提供することにある。
、半導体ウェハ表面あれをなくすと共に、異物のは付着
を防ぐことができる洗浄方法を提供することにある。
し課題を解決するための手段］
上記課題を解決するための本発明のウェハの洗浄方法の
構成は、半導体ウェハを洗浄する最終工程で、超純水を
用いて洗浄する方法において、前記超純水中に電界質を
添加して、その比抵抗値を０．１〜３．０ＭΩ・口に調
整した溶液を用いるようにしたことである。
構成は、半導体ウェハを洗浄する最終工程で、超純水を
用いて洗浄する方法において、前記超純水中に電界質を
添加して、その比抵抗値を０．１〜３．０ＭΩ・口に調
整した溶液を用いるようにしたことである。
［作用］
ウェハなどの洗浄に用いる超純水の比抵抗の値によって
、被洗浄ウェハの性能は左右される。
、被洗浄ウェハの性能は左右される。
超純水中へ高純度溶剤を添加して、比抵抗値を０．１〜
３．０ＭΩ・のとしたことにより、ウェハ表面の帯電お
よび異物の付着を防止することができるような洗浄方法
を確立することができる。
３．０ＭΩ・のとしたことにより、ウェハ表面の帯電お
よび異物の付着を防止することができるような洗浄方法
を確立することができる。
［実施例］
本発明による半導体ウェハの洗浄方法および効果につい
て説明する。
て説明する。
まず、アンドープＧａＡｓウェハ（径ニア５ｎｍ）は、
メカノケミカル研摩工程を終了した後、メタノール、ア
セトンなどの有機溶媒中で超音波洗浄される。
メカノケミカル研摩工程を終了した後、メタノール、ア
セトンなどの有機溶媒中で超音波洗浄される。
つぎに、ＧａＡｓ専用洗浄液で洗浄し、最後に超純水で
洗浄する。この超純水は、予め専用装置を用いて逆浸透
膜、イオン交換樹脂、活性炭、フィルタで処理されたも
のを用いる。
洗浄する。この超純水は、予め専用装置を用いて逆浸透
膜、イオン交換樹脂、活性炭、フィルタで処理されたも
のを用いる。
上記超純水に槽中に充たし、ＧａＡｓウニ／％を挿入す
る直前に、高純度二酸化炭素（ＣＯ２）をバブリングし
て超純水の比抵抗を低下させるようにしてＧａＡｓウェ
ハの最終洗浄を行なう。
る直前に、高純度二酸化炭素（ＣＯ２）をバブリングし
て超純水の比抵抗を低下させるようにしてＧａＡｓウェ
ハの最終洗浄を行なう。
超純水の比抵抗値とウェハ表面状態との関係を検べるた
めに、以下のような実験を行なった。
めに、以下のような実験を行なった。
すなわち、超純水の比抵抗値を０．００５〜１８、０Ｍ
Ω・国まで変化させることによって、上記の二酸化炭素
量をコントロールして、各比抵抗値に対して洗浄後のウ
ェハ表面の異物数および表面状態を観察した。表に、こ
れらの実験結果をまとめた。
Ω・国まで変化させることによって、上記の二酸化炭素
量をコントロールして、各比抵抗値に対して洗浄後のウ
ェハ表面の異物数および表面状態を観察した。表に、こ
れらの実験結果をまとめた。
表は、超純水の比抵抗とウェハ表面状態、異物数の関係
を示す。
を示す。
なお、洗浄後のウェハは、イソプロピル蒸気乾燥機を用
いて乾燥した。また、ウェハ表面の観察には、鏡面検査
装置を用いた。
いて乾燥した。また、ウェハ表面の観察には、鏡面検査
装置を用いた。
表によれば、比抵抗１８ＭΩ・口の場合、異物数は粒径
０．１μｍのもの６０個、０．１〜０゜５μｍのもの１
０個、０．５μｍ以上もの３個であったが、比抵抗の低
下につれて、異物数は減少する傾向を示した。
０．１μｍのもの６０個、０．１〜０゜５μｍのもの１
０個、０．５μｍ以上もの３個であったが、比抵抗の低
下につれて、異物数は減少する傾向を示した。
すなわち、比抵抗３．０ＭΩ・Ｃ以下では、粒径０．１
μｍの異物が５個だけであり、（１）超純水の比抵抗を
下げることにより異物の付着を防止できる。
μｍの異物が５個だけであり、（１）超純水の比抵抗を
下げることにより異物の付着を防止できる。
（２）シかし、粒径０．０５μｍ以下にすると、ウェハ
表面にあれが発生して、好ましくないことが確認された
。
表面にあれが発生して、好ましくないことが確認された
。
超純水は、比抵抗０．１〜３．０μｍの時、洗浄用に最
適の状態であることがわかった。
適の状態であることがわかった。
超純水の比抵抗を下げる方法として、二酸化炭素のほか
に、ホウ素化合物としてＢ Ｏ、Ｂ（ＣＨ） 、ヒ
素化合物としてＡＨ，ガリ３３
ｓ ３ ラム化合物としてＧａ（ＣＨ３）３を添加する方法でも
よい。
に、ホウ素化合物としてＢ Ｏ、Ｂ（ＣＨ） 、ヒ
素化合物としてＡＨ，ガリ３３
ｓ ３ ラム化合物としてＧａ（ＣＨ３）３を添加する方法でも
よい。
なお、本実施例では、被洗浄半導体は、■−ｖ族化合物
ＧａＡｓであるが、同じ（ＩｎＰでもよい。また、ｎ−
ｖｔ族化合物半導体Ｃｄ Ｔｅなども対象となる。
ＧａＡｓであるが、同じ（ＩｎＰでもよい。また、ｎ−
ｖｔ族化合物半導体Ｃｄ Ｔｅなども対象となる。
Ｃ発明の効果コ
本発明により、つぎのような効果が得られる。
（１）表面に異物の付着がほとんどない高い品質のウェ
ハを得ることができる。
ハを得ることができる。
（２）ウェハ品質の向上によって、高品質なデイバイス
を製造することができる。
を製造することができる。
（３）シたがって、ウェハおよびデイバイスの製造歩留
りが大幅に向上し、生産性の向上に有効となる。
りが大幅に向上し、生産性の向上に有効となる。
Claims (1)
- １、半導体ウェハを洗浄する最終工程で、超純水を用い
て洗浄する方法において、前記超純水中に電界質を添加
して、その比抵抗値を０．１〜３．０ＭΩ・ｃｍに調整
した溶液を用いることを特徴とする半導体ウェハの洗浄
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33725990A JPH04206724A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33725990A JPH04206724A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206724A true JPH04206724A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18306941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33725990A Pending JPH04206724A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206724A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0713162A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-17 | Taiyo Sanso Co Ltd | 液晶表示素子の配向処理方法 |
| US6098638A (en) * | 1995-12-27 | 2000-08-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus for manufacturing the same |
| US6837941B2 (en) * | 1998-06-24 | 2005-01-04 | Neomax Co., Ltd. | Cleaning and handling methods of electronic component and cleaning apparatus thereof |
| WO2014178289A1 (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | オルガノ株式会社 | 銅露出基板の洗浄方法および洗浄システム |
| JP2020158616A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 表面処理組成物、その製造方法、表面処理方法および半導体基板の製造方法 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33725990A patent/JPH04206724A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0713162A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-17 | Taiyo Sanso Co Ltd | 液晶表示素子の配向処理方法 |
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| KR20150142036A (ko) | 2013-04-30 | 2015-12-21 | 오르가노 코포레이션 | 구리 노출 기판의 세정 방법 및 세정 시스템 |
| CN105340067A (zh) * | 2013-04-30 | 2016-02-17 | 奥加诺株式会社 | 铜露出基板的清洗方法和清洗系统 |
| JPWO2014178289A1 (ja) * | 2013-04-30 | 2017-02-23 | オルガノ株式会社 | 銅露出基板の洗浄方法および洗浄システム |
| TWI583631B (zh) * | 2013-04-30 | 2017-05-21 | 奧璐佳瑙股份有限公司 | 銅露出基板之清洗方法及清洗系統 |
| US10434546B2 (en) | 2013-04-30 | 2019-10-08 | Organo Corporation | Method and system for cleaning copper-exposed substrate |
| US11491517B2 (en) | 2013-04-30 | 2022-11-08 | Organo Corporation | Method and system for cleaning copper-exposed substrate |
| JP2020158616A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 表面処理組成物、その製造方法、表面処理方法および半導体基板の製造方法 |
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