KR100746578B1 - 대전방지막형성방법 및 이에 의하여 형성된 화상표시장치 - Google Patents

Abstract

표면에 미소하게 오목하고 볼록한 것을 갖는 기판인 경우라도 균일한 막두께와 고속으로 대전방지막을 형성하는 방법을 제공한다. 금속산화물미립자를 안정하게 분산시킨 용액에, 미립자의 ζ전위의 절대값을 저하시킨 용액과 미립자의 분산안정성을 저하시킨 용액을 첨가해서, 미립자분산액을 조제하고, 미립자분산액에 절연성의 표면을 가지는 기판을 잠기게 하여 미립자응집막을 퇴적시킨 후, 열처리행함으로써 대전방지막을 얻는다.

Description

대전방지막형성방법 및 이에 의하여 형성된 화상표시장치{METHOD OF FORMING ANTISTATIC FLIM AND IMAGE DISPLAY DEVICE FORMED THEREBY}

도 1a, 1b, 1c 및 1d는 본 발명의 제 1실시예의 공정을 개략적으로 도시하는 도

도 2a, 2b, 2c, 2d 및 2e는 본 발명의 제 2실시예의 공정을 개략적으로 도시하는 도

도 3a, 3b 및 3c는 본 발명의 기본원리를 도시하는 설명도

도 4a, 4b 및 4는 본 발명의 기본원리를 도시하는 설명도

도 5a, 5b 및 5c는 본 발명의 기본원리를 도시하는 설명도

도 6a, 6b, 6c, 6d 및 6e는 본 발명의 제 3실시예의 공정을 개략적으로 도시하는 도

도 7a, 7b 및 7c는 본 발명의 제 4실시예의 공정을 개략적으로 도시하는 도

도 8은 본 발명이 적용되는 지지체가 이용되는 평면형화상표시장치의 구조를 개략적으로 도시하는 도

도 9a, 9b 및 9c는 본 발명에 의한 대전방지막이 미세한 오목 볼록을 가지는 기판표면에 형성된 상태를 도시하는 개략도

도 10은 본 발명의 텔레비전장치의 블록도

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1: 미립자용액(A) 2: 희석용액 (B)

3: 조정용액 (C) 4: 미립자용액(A)

5: 기판 8: 미립자응집막

9: 대전방지막 13: 응집용액(E)

15: 용매 21: 실란결합제

22: 선택부 23: 마스크

31: 정면표면플레이트 32: 배면표면플레이트

33: 외주프레임 34: 지지체

61: 입자 63: 응집입자

64: 응집막 71: 박막부

72: 두꺼운 막부

<발명의 배경>

<발명의 분야>

본 발명은, 기판을 미립자분산액에 침지해서, 기판의 표면에 미립자막을 퇴적하고, 대전방지막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은, 표면이 미세한 오목 볼록을 가지는 기판에 대전방지막을 형성하기에 적합한 막퇴적방법 및 이에 의하여 형성된 화상표시장치 및 텔레비전장치에 관한 것이다.

<관련된 배경기술>

기판에 다양한 종류의 기능막을 퇴적하는 방법에 있어서, 진공증착, 스퍼터링, CVD방법 등이 기상으로부터 막을 퇴적하는 방법으로서 널리 공지되어 있다. 스프레이코팅법, 디핑(dipping) 상승방법, 스핀코팅, 전해플레이팅, 무전해 플레이팅, 콜로이드 전착법, 솔겔(sol-gel)방법, 액상퇴적 등이 액상으로부터 막을 퇴적하는 방법으로서 잘 알려져 있다. 이들 막퇴적방법은 각각의 방법의 특징에 따라서 적절하게 이용된다.

기상으로부터 막을 퇴적하는 방법인 진공증착과 스퍼터링에 있어서, 막특징을 정확하게 제어할 수 있지만, 막을 퇴적하는 데 있어서 방향성이 존재한다. 그러므로, 진공증착과 스퍼터링은 평면형상의 기판에 막을 퇴적하기에 적합하지만, 표면이 평활하지 않는 기판의 표면에 막을 퇴적하기 곤란하다. 진공막퇴적장치가 필요하므로 처리량도 낮다. 막의 크기가 커지는 경우, 장치가 매우 비싸게 되는 문제점이 있다.

대기압CVD방법에 있어서, 진공설비는 필요하지 않지만, 일반적으로, 막이 고온에서 퇴적되는 기판을 가열하는 것이 필요하며, 기판이 높은 내열성을 가질 것이 필요하다. 기판의 온도분포는 막의 특성분포에 반영되므로, 균일한 온도분포가 막을 퇴적하는데 필요하며, 온도분포는 특히, 복잡한 형상을 가진 기판을 제어하기 곤란하다.

통상적으로, 막재료가 기체로서 공급되기 때문에, 기상막퇴적방법은 박막의 제조에 적합하다. 그러나, 재료의 밀도가 낮기 때문에, 막퇴적속도는 상대적으로 느리다는 통상적인 문제점이 있다. 한편, 액상막퇴적방법은, 기상막퇴적방법에 비교하는 경우 용질밀도를 크게 증가시킬 수 있으며, 막퇴적속도를 크게할 수 있으며, 처리량이 높다는 유리한 점이 있다. 그러므로, 액상막퇴적방법은 비용저감이 필요한 분야에서 폭넓게 이용된다.

전해플레이팅 및 무전해플레이팅에 있어서, 막퇴적속도가 크고, 저온에서 한번에 기판에 대하여 막을 퇴적할 수 있으며, 또한 막퇴적을 저렴하게 행할 수 있다. 그러나, 전해플레이팅 및 무전해플레이팅에 있어서, 막재료는, 산화 및 환원이 용이하게 생기는 금속재료로 제한된다.

전착법에 있어서, 콜로이드분산의 안료미립자 등은, 전기이동현상에 의한 쿨롱인력으로 인하여 기판에 끌리기 때문에, 기판 그 자체가 도전성일 필요성이 있다.

디핑 상승방법, 스핀코팅 및 스프레이코팅에 있어서, 매우 단순한 장치로 대면적을 가진 기판에 막을 퇴적시킬 수 있으며, 이들 방법은 다양한 분야에서 이용되는 저가의 막퇴적수단이다. 솔-겔 용액, 미립자분산용액 등은 막재료로서 이용할 수 있으며, 기판재료와 막재료의 선택시에 자유도가 크다. 그러나, 기판의 표면에 형성된 용액층을 건조하는 때에 이들 막퇴적방법에 대하여 표면장력이 크기때문에, 미세하고 복잡한 형상을 가지는 기판에 막을 균일하게 퇴적하는 것이 곤란하다. 도 9a에 도시한 바와 같이, 이들 방법에 의하여 미세한 오목 볼록을 가지는 기판(5)의 표면에 막을 퇴적하는 경우, 도 9b에 도시한 바와 같이, 표면장력에 의하여 기판의 표면의 오목부에 막재료를 함유하는 용액이 끌리며, 오목부에서 막(41)이 두껍고 볼록부에서는 막(42)이 매우 얇다는 것을 피할 수 없다. 도 9c의 부분확대도에서 도시한 바와 같이, 이상적으로는, 막은, 오목과 볼록의 양자에서 균일한 두께를 가지는 것이 바람직하다. 그러나, 현재, 도 9c에 도시한 막은 실현될 수 없다.

액상퇴적(LPD)에 있어서, 용액중에 용해된 막원료재료 사이의 용액화학반응을 이용함으로써, 산화물박막이, 주로 기판의 표면에서 성장하는 기술이 최근 활발히 개발되고 있으며, 일본국 특개평 H 06-116424호에 이러한 기술을 개시하고 있다. 기술에 있어서, 기판의 형상에 상관없이 비교적 저온에서 표면전체에 막을 퇴적할 수 있다. 이와 같은 기술은 장래 유망한 기술이다. 그러나, 현재, 막퇴적시간이 장시간이며, 이용할 수 있는 기판과 막재료가 제한된다.

한편, 조건에 따라서 용액중에서 미립자가 기판의 표면에 흡착되는 현상이 잘알려져 있으며, 이물질의 흡착을 방지하는 기술에 대하여, 특히 세정기술의 분야에서 폭넓게 연구되고 있다(일본국 특개평 H 03-74845 및 H 09-22885호 참조).

그러나, 이물질의 흡착은, 기판의 표면에 매우 작은 량의 이물질에 의하여 드문 드문 오염되는 상태만으로 되며, 이물질의 흡착은, 기판에 기능막을 형성하기 위한 수단으로서 적극적으로 이용할 수 없다.

도 9c에 도시된 바와 같이, 두껍고 균일한 미립자막이, 단순한 기술에 의하여 고속으로 미세하게 오목하고 볼록을 가지는 절연성 기판표면의 전체영역에 퇴적되는 기술은, 상기 설명한 종래기술에서 개발되고 있지 않다.

전계전자방출을 이용하는 평면형 표시장치(FED)는 상기 설명한 기술이 필요 한 부재의 예로서 열거할 수 있다.

평면형 표시장치(FED)에 있어서, 내부가 진공이기 때문에 내대기압성 지지체(스페이서)를 설치할 필요성이 있다. 스페이서에 있어서, 스페이서는 고전압에서 견디며, 전하는 전자충돌에 의하여 표면에 축적되지 않도록 균일한 대전방지막이 전체 절연성 기판에 형성될 필요성이 있다(일본국 특개평 번호 2000-311605(USP 6,485,345) 및 번호 제 2000-311609(USP 6,600,263) 참조). 또한, 스페이서의 표면에 부차적인 전자의 방출을 억제하기 위하여, 최근, 그 표면이 미세하게 오목 볼록을 가지는 기판에 대전방지막을 형성함으로써 스페이서를 제조하는 것에 대하여 연구되고 있다(일본국 특개평 2003-223858호(US2003-141803A)참조). 그러므로, 상기 설명한 막퇴적방법은 대전방지막을 형성하기 위한 수단에 대한 연구이다.

발명의 문제점은, 종래의 기상막퇴적기술 및 액상막퇴적기술, 특히, 디핑 상승방법, 스핀코팅 및 스프레이코팅에 의해서 실현하는 것이 곤란한, 미세하게 오목 볼록을 가지는 절연성 기판표면에 균일한 대전방지막의 퇴적을 고속으로 저렴하게 실현하는 것이다. 주로 발명의 막퇴적방법은, 대전방지막이, 평면형 표시장치에 이용되는, 미세한 볼록을 가지는 내대기압성 지지체(스페이서)에 형성되는 것이 가능하다.

<발명의 요약>

제 1측면에 있어서, 본 발명은, 절연성 표면을 가지는 기판의 표면에 저항막을 형성하는 방법에 관한 것이며, 저항막은, 절연표면 보다 적은 시트비저항을 가 지는 저항막이다. 이러한 저항막형성방법은,

저항막의 재료로 이루어진 미립자가 분산된 용액에 기판을 침지시켜서 기판의 표면에 대하여 미립자분산액을 젖게하는 공정과,

이들 입자가 용액중에 분산된 때 미립자의 ζ전위의 절대값보다 작게되도록 기판의 표면을 적신(wet) 미립자분산용액중의 미립자의 ζ전위의 절대값을 감소시켜서 기판의 표면에 미립자응집막을 퇴적시키는 공정과,

미립자응집막을 소성해서 저항막을 형성하는 공정으로 이루어진다.

퇴적공정에 있어서, 기판의 표면을 적신 미립자분산액중의 미립자의 ζ전위의 절대값이 0 내지 40mV의 범위내에서 설정되는 것이 바람직하다.

저항막재료로 이루어진 미립자가 분산된 용액은, 저항막재료로 이루어진 미립자가 분산된 수용액(A)으로 물의 극성보다 작은 극성을 가지는 희석용액(B)과 미립자의 분산안정성도를 저감시키는 조정액(C)을 첨가함으로써 얻은 용액인 것이 바람직하다.

퇴적공정은, 미립자가 용액중에 분산된 상태에서, 물 보다 작은 극성과 물 보다 작은 유전상수를 가지는 응집액을 기판의 표면을 적신 용액에 첨가하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

퇴적공정은, 미립자를 물 보다 작은 극성과 물보다 작은 유전상수를 가진 응집액(E)으로 분산시키는 용액내에 기판을 침지하는 첨지공정을 포함하는 것이 바람직하다.

응집용액(E)의 극성은 희석용액(B) 극성 이상인 것이 더욱 바람직하다.

적시는 공정과 퇴적공정의 사이클은 복수회 반복되는 것이 바람직하다.

응집용액(E)보다 큰 극성과 응집용액 보다 높은 유전상수를 가지는 재분산용액 (F)으로 기판을 침지하는 공정을 부가하여 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 다른 측면에 있어서, 본 발명은, 전자방출소자를 가지는 배면플레이트와, 화상표시부재를 가지는 정면플레이트와, 배면플레이트와 정면플레이트 사이에 배치된 내대기압성 지지체로 이루어진 화상표시장치로서,

상기 내대기압성 지지체는, 기판과 기판을 덮는 저항막을 가지며, 저항막은 상기 설명한 방법중 어느 하나에 의해 형성된다.

또 다른 측면에 있어서, 본 발명은 상기 설명한 화상표시장치와, 텔레비전 신호수신회로와, 화상표시장치와 텔레비전신호수신회로를 접속하는 계면부로 이루어진다.

<바람직한 실시에에 대한 상세한 설명>

본 발명의 막퇴적방법은, 막은 용액중에서 형성되기 때문에 표면장력에 의한 영향받지 않으므로, 균일한 두께를 가지는 대전방지막은 미세한 오목 볼록을 가지는 기판표면에 형성될 수 있다. 본 발명의 막퇴적방법은 용액중에 기판을 침지하는 단순한 방법으로 이루어지므로, 복잡하고 비싼 장치가 필요하지 않으며, 본 발명의 막퇴적방법은 기판의 대형화와 대량생산에 용이하게 대처할 수 있다. 또한, 본 발명의 막퇴적방법은, 공정에서 이용되는 용액의 이용효율이 높으며, 대전방지막은 높은 막퇴적속도로 효율적으로 형성될 수 있다.

본 발명에 의하면, 평면형화상표시장치에 있어서, 내대기압성 지지체의 표면 과 같이, 균일한 두께를 가지는 대전방지막이 미세한 오목 볼록을 가지는 부재의 표면에 형성되어, 장치의 신뢰성을 향상시키면서 대량생산시에 비용저감을 달성할 수 있다.

일반적으로, 용액중에 분산된 미립자에 있어서, 표면에 전기2중층이 형성되고, 전기 2중층은 양 또는 음전하를 갖는다. 미립자와 함께 이동하는 외곽을 표면에 형성된 전기 2중층에 있어서, 슬라이드면이라고 칭한다. 전위분포에 있어서, 통상적으로 슬라이드면은 ζ전위라고 칭하고, ζ전위는 외부로부터 측정할 수 있는 것이다. ζ전위는 미립자표면재료의 종류, 용매의 종류, 전해질농도, 수소이온농도(pH), 계면활성제 등에 따라서 크게 변하는 것이 잘 알려져 있다.

도 3a, 3b 및 3c 내지 도 5a, 5b 및 5c는 미립자의 응축과 분산 반응을 개략적으로 도시하는 도이다.

용액중의 미립자가 도 3a에 도시된 바와 같이 분산상태에서 유지되는 경우, 미립자 사이의 거리의 제 5 내지 제 7제곱에 역비례로 감소시키는 분자 사이의 인력(52)과 미립자 사이의 거리의 제 1 내지 제 2제곱에 역비례로 감소시키는 쿨롱의 척력(53)이 미립자(51)에 영향을 미친다. 또한, 인력(52)과 쿨롱의 척력(53)을 함께 첨가함으로써 얻은 합성력(54)을 실선으로 표시한다. 이들 상이한 두개의 힘은서로로부터 도달거리(힘이 도달하는 거리)에 있어서 매우 상이하며; 그러므로, 일정 이상보다 큰 표면 전하가 있는 경우, 현저하게 되는 미립자 사이의 쿨롱의 척력은 미립자가 서로 근접하는 것을 방지한다. 이러한 미립자표면에 전하를 유발하는 쿨롱의 척력은, 일반적으로 ζ전위로서 측정된다.

도 3b는 미립자의 감소된 표면전하 때문에 쿨롱의 척력이 약하기 때문에 분자사이의 인력에 의하여 미립자가 응집되는 상황을 도시한다. 따라서, 미립자의 응집은 미립자표면에 대하여 전하에 의하여 유발되는 쿨롱 척력의 감퇴에 의하여 설명되며, 표면의 전하는 반드시 0으로 될 필요성이 없다.

도 3c는 미립자의 응집이 상기 설명한 방식으로 진행되는 상황을 도시하고, 그 결과로서, 쿨롱의 척력이 재작성된다. 재작성된 쿨롱의 척력은, 분자 사이의 인력(단거리까지 도달함)을 거리의 제 5 내지 제 7제곱에 역비례로 감소시키고, 쿨롱의 힘(장거리까지 도달함)을 거리의 제 1 내지 제 2제곱에 역비례로 감소시키는 것으로부터 생긴다.

즉, 분자사이의 인력은 가장 근접한 입자의 표면에만 도달하므로, 미립자의 응집이 진행되어 미립자의 클러스터(cluster)로 되는 경우라도, 분자사이의 인력은 함께 부가되지 않는다. 대조적으로, 쿨롱의 척력은 장거리까지 도달하므로, 응력체의 배면에 위치한 입자의 남아 있는 전하는 작용을 위하여 함께 첨가된다. 그러므로, 미립자의 응집이 진행하고 응축체의 크기가 증가함에 따라서, 쿨롱의 척력의 전위장벽은 재형성되고, 새로운 미립자가 서로 근접함을 다시 방지되는 현상이 생긴다.

도 4a, 4b 및 4c는 기판의 표면과 용액중에서 미립자의 분산과 응집의 조건을 개략적으로 도시하는 도이다.

도 4a는 미립자의 분산이 안정하게 유지되는 조건을 도시하며, 입자(61)의 표면과 기판의 표면 양자가 표면전하를 충분하게 유지하기 때문에 미립자가 응집되지 않는다.

도 4b는 ζ전위의 절대치의 감소가 작은 경우, 즉, 남아 있는 전하가 큰 경우에 있어서 기판에 막을 형성하는 조건과 미립자의 응집의 조건을 도시한다. 미립자에 남아 있는 전하는 비교적 크기때문에, 쿨롱의 척력은 몇몇의 입자의 클러스터에 의해 현저하게 되므로; 응집입자(63)의 크기는 작으며, 기판위에 형성된 응집막(64)의 두께는 또한 감소한다.

도 4c는 ξ전위의 절대치의 감소가 큰 경우에 있어서 기판에 막을 형성하는 조건과 미립자의 응집조건을 도시한다. 입자표면에 소량의 남아있는 전하 때문에, 쿨롱의 척력은 입자가 크게 응집하지 않는 경우 현저하게 되지 않으므로, 응집입자(65)의 크기는 크고, 기판에 형성된 응집막(66)의 두께는 증가한다.

도 5a, 5b 및 도 5c는, 본 발명의 현저성인, 기판의 표면에 형성된 응집막이 일정한 두께를 가지고 원활한 표면성을 가지는 것에 대하여 도시한다. 여기에서, "원활"이라 용어는 기판표면의 형상을 따르는 것을 의미한다. 구체적으로, 기판이 오목하고 볼록한 표면형상을 가진 경우, "원활"이란 용어는, 오목하고 볼록한 막이 기판의 표면형상을 따라서 형성된다.

도 5a, 5b 및 도 5c는 퇴적공정이 복수회 반복되는 경우에 있어서의 설명도이다.

도 5a에 도시한 바와 같이, 초기 응집반응에 의해 기판표면에 형성된 응집막이 균일한 막두께를 가지는 경우, 박막부(71)와 두꺼운 막부(72)를 포함하고, 도 5b에 도시된 바와 같은 동일한 응집반응의 반복은, 큰 쿨롱의 척력이 두꺼운 막부 (72)에서 입자의 클러스트의 총합이 커짐에 따라서 이미 발생하기 때문에 두꺼운 막부(72)에서 미립자의 새로운 응집을 억제하게 한다. 반면, 총합이 작아짐에 따라서 작은 쿨롱의 척력 때문에 분자 사이의 인력이 현저하기 때문에 응집반응은 박막부(71)에서 진행한다.

이러한 공정을 통하여, 도 5 c에 도시한 바와 같이, 미립자 자체의 인력과 척력의 균형반응에 의하여 원활하게 되는 응집막(75)이 형성된다. 간략하게, 본 발명의 특이한 특징 중 하나는, 미립자의 ξ전위의 제어에 의해 막의 두께를 제어할 수 있는 것이다.

본 발명은 상기 상태와 같은 반응을 주로 이용하는 것이다.

그러나, 미립자의 분산과 응집의 행위는 매우 복잡한 현상이며, 용액에 있어서 고체의 표면 부근에 형성된 전기 2중구조 사이의 상호작용에 의하여 최종적으로 결정된다. 풍부한 비율의 물, 유기용매의 분자구조(극성 및 유전체 상수), 표면활성제의 특징은 전기 2중층의 구조에 영향을 가지는 예로서 열거할 수 있다. 응집속도와 미립자흡착층의 두께는, 상기 설명한 요소의 변화에 의하 변한다. 이들은, 매우 복잡한 현상이며, 현재 그 현상을 이론적으로 완전하게 설명하는 것은 곤란하다.

다양한 첨가물, 용매의 종류, 절차 및 침지기술의 시행착오를 통하여, 발명은, 미립자분산용액에 있어서 기판을 침지하는 단순한 방법에 의해 고속으로 기판의 표면에 균일한 미립자막을 형성할 수 있다.

본 발명의 막퇴적방법은, 대전방지막재료로 이루어진 미립자가 분산된 용액에 기판을 침지해서 기판의 표면에 미립자분산액을 적시는 공정과, 기판의 표면에 적신 미립자분산액의 미립자의 ξ전위의 절대값을 감소시켜서 기판의 표면에 미립자응집막을 퇴적시키는 공정과, 미립자응집막을 소성시켜서 대전방지막을 형성하는 공정으로 이루어진다. 발명에 대하여, 발명의 막퇴적방법의 바람직한 실시예를 참조하면서 구체적으로 설명한다.

본 발명에서 이용되는 바와 같은 각각의 용액은 다음과 같은 특징이 있다.

미립자용액(A)는 물 또는 물의 혼합액 및 유기용매에 입자가 분산된 용액이다. 이러한 입자의 직경은 4nm 내지 20nm의 범위내에 있으며, 직경이 크게 증가하면, 퇴적특성이 감소하는 것이 실험적으로 인식되었다.

그리고, 미립자와 같이, 간단한 물질로 이루어진 입자 뿐만 아니라 실란올기 또는 카본기에 의해 표면이 변형된 입자도 이용된다.

조정액(C)는 미립자의 분산안정도를 조절할 목적으로 선택된다.

본 발명에 있어서, 조정액(C)은, 미립자의 분산안정도를 저감시키며 미립자 주위의 수산화물을 약간 감소시키는데 예민한 응집반응을 야기하는 조정작용을 가지는 재료로 이루어질 것이 필요하다. 몇몇의 표면활성제는 이러한 조정작용을 갖지만, 본 발명은, 테트라메틸 암모니움 히드록사이드 또는 4급 암모니움으로서 염화수산화물(트리메틸-2-하이드록실에틸알모니움 하이드록시 옥사이드 용액)를 이용하지만, 동일한 조정작용을 가지는 다른 물질을 이용할 수 있다.

희석용액(B)은 미립자의 ξ전위의 절대값을 감소시키는데 이용하는 용액이다. 희석용액(B)은, 다음 처리공정에 있어서 기판의 표면의 부근에서 응집반응이 신속하게 생성되도록 미립자분산용액중의 미립자가 분상상태에서 미리 유지된 경계의 부근에의 ξ전위의 절대값을 감소시키기 위하여 이용되는 용액이다. 이러한 희석용액(B)은, 물보다 극성이 작은 단일기재의 유기용매 또는 혼합물을 이용한다. 예를 들면, 주로 알콜을 이용할 수 있다.

응집용액(E)은 미립자분산용액내의 미립자가 수화(hydrated) 안정도를 손실시키고 미립자의 응집이 즉시 생성되게 하기 위하여 이용되는 용액이다. 응집용액(E)은, 물에 대한 용해성에 의해 미립자부근의 수화수(水和水)를 빼앗는 작용과, 작은 극성으로 인하여 물과 치환된 후 미립자의 응집이 생성되는 특징을 갖는다. 물 보다 극성이 작은 유기용매는, 희석용액 뿐만아니라 이러한 응집용액으로서 이용된다. 또한, 응집용액(E)은 희석용액(B)의 극성보다 작은 극성을 가지는 것이 바람직하다. 구체적으로, 응집용액(E)처럼, 단일 기재의 알콜 또는 혼합물은 희석용액(B)으로서 잘 이용될 수 있다.

재분산용액(F)은, 응집용액(E) 보다 큰 극성을 가지는 용액이므로, 이에 의해 미립자의 ξ전위가 다시 일어난다. 재분산용액의 극성값은, 재분산용액내의 침지에 의해 기판표면에 형성된 미립자의 응집막의 두꺼운 부분(즉, 쿨롱의 척력의 총합이 크므로 결합력이 비교적 작은 부분)에서의 미립자만이 우선적으로 재분산되는 방식으로 선택된다. 이러한 용액의 극성이 너무 큰 경우(미립자의 ξ전위가 너무 높다), 미립자막에 형성된 것의 대부분을 손실하므로, 2종류 이상의 용매를 적절하게 혼합함으로써 용매의 극성을 조정할 필요성이 있다. 예를 들면, 카본의 수에 따라서 알콜을 선택함으로써 조정을 행하고 선택한 것을 혼합하는 것이 용이하 다.

알콜은 제 1 내지 제 4실시예에 있어서 용액(B), (E) 및 (F)에서 이용되는 물 수용성 유기용매로서 이용되는 것이 바람직하다. 구체적으로, 메틸알콜, 이소프로필알콜(IPA), n-프로판올 등은 단독으로 이용되거나, 상기 설명한 적어도 두개의알콜이 각각의 실시예에서 이용되는 각각의 용액에서 요구되는 특성에 따라서 이용된다. 디옥산 등의 에테르, 모노에틸아민 등의 아민, 에틸 셀로솔브 등의 글리콜 에테르, 초산 등의 카르복실산 및 칼비톨 아세테이트 등의 에스테르는, 알콜 이외에 적절한 선택에 의하여 수용성유기용매로서 이용할 수 있다.

[제 1실시예]

본 발명의 제 1실시예의 처리공정에 대하여 도 1a 내지 1d에서 개략적으로 도시한다. 도 1a 내지 도 1d에 있어서, (1)은 미립자용액(A), (2)는 희석용액(B), (3)은 조정용액(C), (4)는 미립자용액(A), 희석용액(B) 및 조정용액(C)를 혼합함으로써 얻은 미립자분산용액, (13)은 응집용액(E)이며 (5)는 기판을 표시한다.

금속산화물은 본 발명에서 이용되는 대전방지막재료로서 이용되는 것이 바람직하다. 특히, 대전방지막재료는, 산화주석, 산화아연 및 산화티타늄중 어느 하나를 주성분으로 하는 것이 바람직하다. 미립자는 금속산화물을 0.1 내지 10중량% 함유하는 것이 바람직하다. 안티몬등을 20중량% 미립자에 도프할 수도 있다. 미립자의 직경은 4 내지 20nm의 범위내에 있는 것이 바람직하다.

희석용액(B)은 미립자용액(A)에 있어서 미립자의 ξ전위의 절대값을 감소시 키는데 이용하는 용액이다. 바람직하게는, 희석용액(B)으로서, 입자용액(A)의 용매의 극성보다 작은 극성을 가지며, 낮은 유전상수를 가지는 수용성유기용매를 주성분으로 하는 용액이 바람직하다. 그리고, 예를 들면, 물은, 미립자용액(A)의 용매로서 이용된다.

조정용액(C), 미립자의 분산안정도를 조정하기 위한 용액이며, 4급 암모니움 또는 바람직하게는, 테트라메틸 암모니움 히드록사이드를 이용한다.

실시예에 있어서, 희석용액(B)을 미립자용액(A)(1)에 먼저 부가한다. 이점에 있어서, 용액(B)의 종류 및 첨가량은, 용액(B)의 첨가만에 의해서 응집이 생성되지 않도록 조정된다.

다음, 미립자분산용액(4)은 상기 설명한 미립자분산용액으로 용액(C)를 부가함으로써 조정된다(도 1a 참조).

기판(5)은 미립자분산용액(1)으로 침지되고 용액은 수초 내지 수분동안 오실레이트하여 기판(5)의 표면은 미립자분산용액(4)에 의해 충분히 적시게 된다(도 1b 참조). 본 발명에서 이용되는 기판(5)은 절연성 표면을 가지며, 바람직하게는, 그 표면내에 Si를 함유한다.

본 실시예는, 가능하면 적게 이용되는 입자용액의 양을 감소시키기 위하여 용액(E)을 이용함으로써, 높은 막퇴적속도를 얻기 위한 대전방지막에 대한 제한의 이용비율을 증가시킨다.

본 실시예에서 이용되는 응집용액(E)은 희석용액(B)보다 더욱 미립자의 ξ전위의 절대값을 저감시키는 것이다. 미립자분산용액(4)이 응집용액(E)내로 떨어트리는 경우 미립자응집이 즉시 생기도록 응집용액(E)을 제조한다. 구체적으로는, 용액(B) 이하의 극성을 가지며 용액(B) 이하의 유전체상수를 가지는 수용성유기용매를 주성분으로 하는 용액이, 용액(E)으로서 이용된다.

기판(5)은 미립자분산용액(4)으로부터 당겨지며 기판(5)은 건조없이 용액(E)내에서 급속하게 침지된다(도 1c참조). 동작에 의하여, 대량의 응집용액(E)이 기판(5)의 표면을 적시는 소량의 미립자분산용액(1)으로 치환되어 즉시 미립자의 분산안정도를 제거한다. 그러므로, 기판(5)의 표면에 끌리는 거의 모든 미립자는 기판(5)의 표면으로 흡착되고 응집되어 매우 높은 효율성을 가진 미립자막(8)을 형성한다.

실시예에 있어서, 희석용액(2)은 미립자분사용액(4)에 첨가되고, 1회에 형성되는 미립자응집막(8)의 막두께가 더욱 두꺼워진다.

실시예에 있어서, 용액의 혼합은, 기판의 표면에 부착함으로써 이동하는 매우 작은 소량의 용액으로 제한되기 때문에, 미립자용액(4)과 응집용액(E)(13)의 기능을 유지한다. 그러므로, 미립자분산용액(1)(4)과 응집용액(E)(13)을 새로이 제조할 필요성이 없으며, 동일한 미립자분산용액(1)(4)과 동일한 용액(13)을 이용하여 교대로 침지하는 방식을 반복적으로 행할 수 있다. 미립자막(8)은, 교대로 침지하는 사이클을 반복함으로써 소정의 두께로 퇴적시킨 다음, 대전방지막(9)을 얻는다(도 1d).

실시예에 있어서, 매우 소량의 미립자분산용액은 기판표면에 미립자응집막(8)의 형성을 위하여 효율적으로 이용될 수 있다. 또한, 미립자분산용액과 응집용액(E)으로 기판을 교대로 침지시키는 것은, 미립자가 부착하지 않으면서 기판표면이 노출되는 부분에서 다음 사이클로 우선적으로 미립자흡착을 생성시켜서 막두께의 균일화작용을 얻으며 균일한 막두께를 가지는 대전방지막을 단시간내에 형성할 수 있다.

[제 2실시예]

제 2실시예는, 제 1실시예의 처리를 개선한 것이다. 제 2실시예는, 매우 얇으며 균일한 대전방지막을 형성하는 기술에 관한 것이다.

도 2a, 2b, 2c, 2d 및 2e는 제 2실시예의 공정을 개략적으로 도시하는 도이다. 도 2a 내지 도 2e에 있어서, (14)는 재분산용액(F)을 표시하고, 도 1a 내지 도 1d에서의 동일한 부재는 동일한 번호에 의해 표시된다.

본 실시예에서 이용되는 재분산용액(F)은 미립자의 분산안정성을 증가시키는 것이다. 응집용액(E)의 극성보다 큰 극성을 가지는 수용성유기용매를 주성분으로 하는 용액을 용액(F)으로서 이용하거나, 수용성유기용매의 조성물을 제조하여, 용액(F)이 극성에 있어서 응집용액(E) 보다 크며, 즉, 용액(F)이 유전상수에 있어서 용액(E)보다 높은 조합을 얻는다.

도 2a, 2b, 2c, 2d 및 2e는 미립자분산용액(1) 및 용액(E)의 예에 대하여 도시한다. 도 2a, 2b, 2c, 2d 및 2e에 대하여, 이하에서 구체적으로 설명한다.

제 1실시예와 마찬가지로, 미립자분산용액(4)은 미립자용액(A)(1), 희석용액(B)(2) 및 조정용액(C)(3)에 의해 제조된다(도 2a참조). 기판(5)이 미립자분산용액 (1)(4)으로 침지(도 2b 참조)된 다음, 기판(5)은 용액(E)(13)으로 급속하게 침지된다(도 2c 참조). 미립자응집막(8)이 퇴적된 기판(5)은 끌어올려져서 건조하지 않고 용액(F)에 침지한다(도 2d). 이때, 기판(5)의 표면에 흡착되고 응집되는 미립자응집막(8)의 미세입자의 일부는 다시 용액(F)(14)으로 분산시켜서 미립자응집막(8)의 것보다 두꺼운 막두께를 가지는 미립자응집막(8')이 남겨진 상태로 된다. 미립자막의 재분산력은 침지용액(F)(14)의 혼합조성물 또는 형태를 제조함으로써 조정된다.

얇고 균일한 대전방지막(9)을 얻기 위하여, 미립자를, 기판(5)의 표면과 미립자 사이의 반데왈스의 인력에 의하여 기판(5)의 표면에 흡착시키고, 동일한 극성을 가지고 대전된 (미립자간의) 쿨롱의 척력에 의하여 재분산이 일어나게 하도록 용액(F)(14)이 제조된다. 그러므로, 기판(5)의 표면에 일시적으로 흡착되고 응집되는 미립자에 있어서, 재분산은, 기판(5)의 표면으로부터 멀리 떨어져서 배치된 미립자로부터 발생하며 약한 반데왈스인력을 가지며, 기판(5)의 표면 부근에 배치된 미립자가 기판(5)의 표면에 계속하여 흡착될 가능성이 증가한다. 결과적으로, 기판(5)의 표면과 미립자 사이의 거리의 차이에 따라서, 두께의 균일성이 미립자응집막(8)에 있어서 달성할 수 있다.

용액(F)(14)에 기판(5)을 침지한 후 미립자분산용액(F)(14)과 응집용액(E)에 기판(5)을 침지하는 공정을 소정의 두께를 가지는 미립자응집막을 얻을 때까지 반복한다. 마지막으로, 건조한 후 제 1실시예와 마찬가지의 가열처리를 행함으로써 대전방지막(9)을 얻어 기판(5)에 미립자응집막(8)을 고정시킨다.

[제 3실시예]

도 6a, 6b, 6c, 6d 및 6e는 제 3실시예의 공정에 대하여 개략적으로 도시한다. 도 6a, 6b, 6c, 6d 및 6e에 있어서, (15)는 용매(a)를 표시하고, 도 2a, 2b, 2c, 2d 및 2e와 동일한 부재는 동일한 번호에 의해 표시된다.

상기 설명한 제 1 및 제 2실시예와 마찬가지로, 제 3실시예는, 기판(5)을 다른 용액에 교대로 침지하는 경우, 가드 위상에서 기판(5)을 끄집어 내지 않고 미립자응집막(8)을 형성하는 기술에 관한 것이다.

본 실시예에서 이용되는 용매(a)는 미립자분산용액과 양립할 수 없으며, 미립자분산용액은 상기 설명한 바와 같이 물 수용액이도록 물과 양립하지 않는 유기용매는 용매(a)로서 이용된다. 구체적으로, 물과 양립할 수 없는 알콜, 예를 들면, 부탄올이 이용되는 것이 바람직하다.

제 3실시예에 있어서, 제 1실시예와 마찬가지로, 미립자분산용액(11)은 조정용액(C)(3)을 미립자용액(A)(1)에 혼합시킴으로써 제조된다(도 6a 참조). 이 점에서, 미립자응집이 미립자분산용액(11)에서 발생하지 않도록 미립자용액 또는 조정용액(C)의 혼합비 또는 조성비를 제조한다.

다음, 용매(a)(15)를 미립자분산용액에 완전하게 쏟아서 두개의 용액으로 수직적으로 분리되는 처리를 행한다(도 6b).

기판(5)을 수초 내지 수분 동안 오실레이트하고 처리액에 미립자분산용액(11)의 상(phase)을 침지하며, 기판(5)의 표면을 미립자분산용액(11)에 의해 충분하게 흡착시킨다(도 6c참조).

다음, 기판(5)을 용매(a)의 상으로 끌어올린다(도 6d). 동작에 의해, 다량의 용매(a)(15)가 기판(5)의 표면을 적시는 부착하는 소량의 미립자분산용액(11)으로 치환되어 미립자의 분산안정도를 즉시 제거한다. 그러므로, 현저한 량의 미립자가 기판(5)의 표면에 응집되어 기판(5)의 표면에 미립자응집막(8)을 형성한다.

본 실시예에 있어서, 용액의 혼합은, 기판(5)의 표면에 부착시킴으로써 움직이는 매우 적은 량의 용액으로 제한되고, 미립자분산용액(11)과 용매(a)(15)의 기능이 유지된다. 그러므로, 미립자분산용액(11)과 용매(a)(15)를 새로이 제조할 필요성이 없으며, 동일한 미립자분산용액(11)과 동일한 용매(a)(15)를 이용하는 두개의 액상 사이에 기판(5)이 왕복할 수 있다. 미립자응집막(8)이 왕복사이클을 반복함으로써 소정의 두께로 퇴적되고, 다음 대전방지막(8)은 제 1실시예와 동일한 방식으로 열처리를 행함으로써 얻는다(도 6e).

본 실시예에 의하면, 공기중에 기판(5)을 끌어올리지 않으면서 두개의 액상 사이에 기판(5)이 왕복할 수 있다. 그러므로, 미립자응집막이 기판에 더욱 효율적으로 퇴적할 수 있다.

[제 4실시예]

도 7a, 7b 및 도 7c는 제 6실시예의 공정을 개략적으로 도시한다. 도 7a, 7b 및 도 7c에 있어서, (21)은 실란결합제이며, (22)는 노출부분, (23)은 마스크, (24)는 에칭처리를 나타내며, 도 1a 내지 도 1d의 동일한 부재는 동일한 번호에 의해 표시된다.

발명자들은, 기판(5)의 표면이 실란결합제에 의해 미리 처리되는 경우, 미립자가 기판(5)의 표면에 거의 퇴적되지 않는 것을 발견하였다. 본 실시예는, 미립자 응집막이 기판(5)의 표면의 일부에 퇴적되는 것을 방지하여 기판(5)의 표면의 일부에 소수기치환의 처리를 행하기 위한 특징을 이용함으로써 다른 부분에 대전방지막을 선택적으로 형성한다.

먼저, 기판(5)의 최상부표면분자는 실란결합제(21)의 분위기에 기판(5)을 배치함으로써 메틸기와 같은 소수기로 종료된다. 제 1 내지 제 3실시예에서 설명한 공정에 의해 도 7a에 도시된 바와 같이 처리된 기판(5)에 미립자가 퇴적되는 경우라도, 기판(5)의 표면은, 미립자응집막(8)이 퇴적할 수 없는 상태에 있다.

실란결합제가 기판(5)에 결합되는 때 기판원자에 결합하지 않는 말단기능기인 임의의 실란결합제를 발명에서 이용할 수 있다. 예를 들면, 디메틸디에톡시실란이 이용되는 것이 바람직하다.

기판(5)의 전체 표면이 실란결합제에 의해 처리되는 경우에 있어서, 미립자응집막(8)이 형성되는 부분만(선택부(22))이 노출되고 다른 부분은 마스크(23)에 의해 차폐된다. 이 상태에 있어서, 기판(5)의 표면에 소수기만이 에칭처리를 행함으로써 제거된다(도 7b참조). UV조사, UV오존에칭 및 대기압플라즈마처리와 같은 건식에칭기술이 에칭처리기술로서 이용되는 것이 바람직하다. 그러나, 습식에칭기술을 이용하는 것이 가능하며, 기계적연마를 이용하는 것이 가능하다.

제 1 내지 제 3실시예와 같은 미립자응집막을 퇴적하는 공정을, 에칭처리가 행해지는 기판(5)에 행하는 때, 미립자응집막은, 에칭처리를 행하고 미립자응집막이 다른 영역에서 형성되지 않는 선택부(22)에만 형성되어, 대전방지막(9)을 선택적으로 형성할 수 있다(도 7c참조).

알콜은, 제 1 내지 제 4실시예에 있어서 용액(B),(E) 및 (F)에서 이용되는 수용성유기용매로서 이용되는 것이 바람직하다. 구체적으로, 메틸알콜, 이소프로필 알콜(IPA), n-프로판올 등은, 각각의 실시에에서 이용되는 각각의 용액에 대하여 요구되는 특징에 따라서 단독으로 이용되거나 상기 설명한 적어도 두개의 알콜을 이용한다. 디옥산과 같은 에테르, 모노에틸아민과 같은 아민, 메틸 셀로솔브와 같은 카르복실산 및 칼비톨 아세테이트와 같은 에테르를, 알콜 이외에 적절하게 선택함으로써 수용성유기용매로서 이용할 수 있다.

[제 5실시예]

본 발명의 막퇴적방법은 평면형 화상표시장치에 있어서 내대기압성 지지체(스페이서)의 표면에 대전막의 형성에 적용하는 것이 바람직하다. 도 8은, 화상표시장치의 구성을 개략적으로 도시한다. 도 8에 있어서, (31)은 정면표면플레이트이며, (32)는 배면표면플레이트이며, (33)은 외주프레임이며, (34)는 지지체를 표시한다.

정면표면플레이트(31)는, 금속백 등이 배치되는 유리플레이트이며, 1 내지 10kv의 범위내의 고전압을 정면표면플레이트(31)에 인가한다. 배면표면플레이트(32)는, 다수의 전자방출소자의 표면도전성타입이 배치된 유리기판이다. 정면표면플레이트(31)와 배면표면프레이트(32)는 외주플레임(33)을 통하여 결합되고, 내부는 진공으로 유지된다. 그러므로, 정면표면플레이트(31)와 배면표면플레이트(32)에 인가되는 대기압을 지지하기 위하여 내대기압성 지지체(34)가 요구된다. 고전압을 견디고 전자충돌에 의하여 표면에 전하를 축적하지 않도록, 미세하게 오목하고 볼록한 것이 표면에 형성된 유리기판은 지지체(34)로서 이용되고 대전방지막은 표면전체에 대하여 형성된다.

발명의 대전방지막을 퇴적하는 방법에 있어서, 미세한 오목부와 볼록부에 있어서 약 5㎛ 내지 약 20㎛의 범위내의 깊이와 약 20㎛ 내지 약 40㎛ 범위의 폭인 경우라도, 대전방지막은 균일한 막두께로 형성될 수 있다. 본 발명의 막퇴적방법이 적용되는 화상표시장치는 일본국 특개평 번호 제 2003-223858(US 2003-0141803A)와 유사하므로, 그 설명은 생략한다.

(실시예 1)

조건이 변하면서 대전방지막은 제 1실시예의 공정에 의해 형성된다. 테이블 1은 그 결과를 도시한다. 테이블 1에 있어서, IPS는 이소프로필알콜을 표시하고, TMAH는 테트라메틸 암모니움 히드록사이드 수용액, ATO는 안티몬 도프된(10중량%) 산화주석미립자를 표시하고, PD 200은 높은 변형점유리를 표시한다. 테이블 1에 있어서 기판형상의 수치는 오목부 사이의 간격을 표시한다.

본 실시예에 있어서, 100질량 %알콜은 응집용액(E)로서 이용되는 조건 1-1에 대하여, 막이 기판표면위에 형성되지 않는 것을 알 수 없었다. 다른 조건 1-2 내지 1-4에 대하여, 대전방지막의 두께를 응집용액(E)의 알콜내의 카본수에 따라서 제어할 수 있는 것을 발견하였다. 특히, n-프로필알콜은 조건 1-4에 도시한 바와 같이 용액(E)으로서 이용되는 경우, 1㎛의 두께를 가지는 대전방지막은, 5사이클에서 7분30초라는 단시간에서 형성될 수 있다.

(실시예)
조건이 변하면서 제 2실시예의 공정에 의해 대전방지막이 형성된다. 테이블 2는 그 결과를 도시한다. 본 실시예에 있어서, 카본의 수가 작고 극성이 큰 에탈올이 용액(F)의 주성분으로서 이용되는 경우, 한번 형성된 미립자응집막이 거의 제거되며, 미립자응집막은 연속막의 형태로 남아있다. 그러므로, 균일하고 얇은 대전방지막이 조건 2-2 내지 2-4에 도시된 바와 같이 용액의 조성비와 종류을 조정함으로써 얻을 수 있다.

(실시예3)
평면형화상표시장치의 내대기압성 지지체를 높은 변형점유리(PD 200)에 의해 형성한다. 길이 600mm, 높이 2mm이며 두께가 1.8mm이며, 주기 35㎛에서 깊이 10㎛의 오목부와 볼록부가 표면에 형성된 기판에, 실시예2의 조건 2-3에 의해 3사이클로 교대로 침지를 행함으로써 대전방지막을 형성한다. 그 결과, 약 1 × 10¹⁰Ω/cm²의 시트저항과 200nm의 두께를 가진 대전방지막을, 오목하고 볼록한 전체표면위에 균일하게 형성할 수 있다.

발명의 화상표시장치는 텔레비전세트에 적용할 수 있다. 이하, 발명의 화상표시장치에 적용되는 텔레비전세트에 대하여 설명한다.

도 10은 발명에 의한 텔레비전장치의 블록도이다. 튜너 및 디코더를 포함하는 수신회로(C 20)는, 네트워크를 통하여 위성방송의 텔레비전신호, 접지웨이브 등 또는 데이터방송을 수신하고, 수신회로(C 20)는 인터페이스부(C 30)에 디코드된 화상데이터를 출력한다. 인터페이스부(C 30)는 화상표시장치(C 10)의 표시포맷으로 화상데이터를 변환하여 화상데이터를 화상표시장치(C 10)에 출력한다. 화상표시장치(C 10)는 표시패널(C 11), 구동회로(C 12) 및 제어회로(C 13)을 포함한다. 도 8에 도시된 화상표시장치는, 화상표시장치(C 10)에 적용할 수 있다. 입력화상데이터에의 표시패널(C 11)에 적합한 보정처리 등의 화상처리를 행하면서, 보정회로(C 13)는 구동회로(C 12)에 화상데이터와 다양한 제어신호를 출력한다. 보정처리는, 내대기압성 지지체의 부근과 내대기압성 지지체(스페이서)로부터 떨어진 화소 사이의 밝기의 변동을 억제하는 처리를 포함하며, 구동제어회로(C 13)는 밝기를 보정하는 회로를 가지는 것이 바람직하다. 구동회로(C 12)는 입력된 화상데이터에 의거하여 표시패널(C 11)에 구동신호를 출력하도록 동작하여 텔레비전묘화를 표시한다.

수신회로와 인터페이스부는, 셋탑박스(STB)의 형태로 화상표시장치와는 상이하게 인크로우져에 수용되거나, 수신회로와 계면부는 동일한 인크로우져에 수용될 수 있다.

발명의 막퇴적방법이 표면장력에 의하여 영향을 받지 않으므로, 균일한 두께를 가지는 대전방지막은 미세한 오목 볼록을 가지는 기판표면위에 형성될 수 있다. 발명의 막퇴적방법은 용액중에 기판을 침지하는 단순한 방법을 포함하므로, 복잡하고 비싼 장치가 필요하지 않고, 발명의 막퇴적방법은 기판의 대형화와 대량생산에 용이하게 대처할 수 있다. 또한, 발명의 막퇴적방법에 있어서, 처리에 이용되는 용액은 이용비율이 높으며, 대전방지막은 높은 막퇴적 속도로 효율적으로 형성될 수 있다.

발명에 의하면, 평면형화상표시장치에 있어서, 대기압성의 지지체의 표면과 같이, 균일한 막두께를 가지는 대전방지막은 미세한 오목 볼록을 가지는 부재의 표면에 형성될 수 있어, 장치의 신뢰성을 개선하면서 비용저감을 달성할 수 있다.

Claims (23)

1. 절연성표면을 가지는 기판의 표면에, 절연성표면의 시트 비저항 보다 작은 시트 비저항을 가지는 저항막의 형성방법으로서,

   저항막의 재료로 이루어진 미립자가 분산된 용액에 기판을 침지하여 기판의 표면에 미립자분산용액을 적시는 공정과,

   입자가 용액중에 분산하는 때, 미립자의 ξ전위의 절대값 보다 적어지도록 기판의 표면을 적시는 미립자분산용액중의 미립자의 ξ전위의 절대값을 감소시켜서, 기판의 표면에 미립자응집막을 퇴적하는 공정과,

   미립자응집막을 소성해서 저항막을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 퇴적공정에 있어서, 기판의 표면을 적시는 미립자분산용액중의 미립자의 ξ전위의 절대값을 0 내지 40mV의 범위내로 설정하는 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
3. 제 1항에 있어서,

   저항막재료로 이루어진 미립자가 분산된 용액은, 저항막재료로 이루어진 미립자가 분산된 수용액에, 물 보다 작은 극성과 물 보다 낮은 유전체상수를 가지는 희석용액과 미립자의 분산안정성을 저감시키는 조정용액을 첨가함으로써 얻은 용액인 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
4. 제 3항에 있어서,

   상기 퇴적공정은, 미립자가 용액중에 분산되며, 물 보다 작은 극성을 가지며 물 보다 낮은 유전체상수를 가진 응집용액을, 기판의 표면을 적시는 미립자분산 용액에 첨가하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
5. 제 4항에 있어서,

   상기 응집용액의 극성은 희석용액의 극성 이하인 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
6. 제 3항에 있어서,

   상기 퇴적공정은, 미립자가 분산된 용액에 침지한 기판을, 물 보다 극성이 작고 물 보다 낮은 유전체상수를 가진 응집용액에 침지하는 침지공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
7. 제 6항에 있어서,

   상기 응집용액의 극성은 희석용액의 극성 이하인 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
8. 제 6항에 있어서,

   상기 적시는 공정과 퇴적공정의 사이클은 복수회 반복되는 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
9. 제 4항에 있어서,

   상기 희석용액 또는 응집용액은 알콜인 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
10. 제 3항에 있어서,

    상기 조정용액은 4급 암모니움의 수용액인 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
11. 제 3항에 있어서,

    상기 조정용액은 테트라메틸 암모니움 히드록사이드의 수용액인 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
12. 제 9항에 있어서,

    상기 희석용액 또는 응집용액은 에탈올, IPA, 메틸알콜 또는 n-프로판올인 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
13. 제 8항에 있어서,

    퇴적공정 후, 응집용액의 극성보다 큰 극성을 가지는 재분산용액에 기판을 침지하는 공정을 부가하여 포함하는 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
14. 제 1항에 있어서,

    두개의 액상이 수직으로 분리된 처리용액은, 미립자분산용액과는 전체로서 상용하지 않으며 분리경계를 형성하는 유기용매를, 저항막재료로 이루어진 미립자가 분산된 수용액과 미립자의 분산안정성을 저감하는 조정용액을 혼합함으로써 얻은 미립자분산용액이 저장된 용기로 주입함으로써 제조되며, 미립자분산용액상과 유기용매상 사이의 기판을 왕복하기 위한 처리용액에 기판을 침지함으로써 기판의 표면에 미립응집막이 퇴적하는 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
15. 제 1항에 있어서,

    소수기치환에 의한 처리를, 기판의 표면의 일부에 실시하여 그 일부에 미립자응집막의 퇴적형성을 방지하여, 소수기치환에 의한 처리를 실시하지 않는 일부에만 저항막이 선택적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
16. 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

    제 15항에 있어서,

    상기 기판에 실시하는 소수기치환에 의한 처리는 실란결합제에 의해 실시되 는 처리인 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
17. 청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

    제 1항에 있어서,

    상기 저항막재료는, 산화주석, 산화아연, 산화티타늄, 산화실리콘중 하나를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
18. 청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

    제 2항에 있어서,

    상기 미립자의 직경은, 저항막재료로 이루어진 미립자가 분산된 용액중에 4 내지 20nm의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
19. 청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

    제 1항에 있어서,

    상기 기판은 그 표면에 Si를 함유하는 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
20. 제 1항에 있어서,

    상기 기판의 표면은 10 내지 100㎛의 오목 볼록을 가지는 것을 특징으로 하는 저항막의 형성방법.
21. 화상표시장치로서,

    전자방출소자를 가지는 배면플레이트와,

    화상표시부재를 가지는 정면플레이트와,

    배면플레이트와 정면플레이트 사이에 배치된 내대기압성 지지체로 이루어진 화상표시장치로서,

    상기 내기압성 지지체는 기판과 기판이 덮혀진 저항막을 가지며, 저항막은, 제 1항에 기재된 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
22. 텔레비전장치로서,

    제 21항에 기재된 화상표시장치와;

    텔레비전신호수신회로와;

    화상표시장치와 텔레비전신호수신회로를 접속하는 인터페이스부로 이루어진 것을 특징으로 하는 텔레비전장치.
23. 제 22항에 있어서,

    화상표시장치는 내대기압성 지지체에 의하여 밝기의 변동을 억제하는 회로부를 가지며, 상기 회로부는, 계면부로부터의 화상신호를 보정하는 것을 특징으로 하는 텔레비전장치.

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