JPWO2017188325A1 - 組成物、組成物収容体、組成物の製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明の課題は、半導体デバイス製造に用いることができる、過酸化水素を含む組成物であって、保存安定性に優れ、且つ、半導体基板への欠陥影響が少ない組成物を提供することである。また、本発明の他の課題は、上記過酸化水素を含む組成物の製造方法、及び、上記組成物を保管した組成物収容体を提供することである。本発明の組成物は、過酸化水素と、酸と、Ｆｅ成分と、を含み、上記Ｆｅ成分の含有量が、上記酸の含有量に対して質量比で１０−５〜１０２である。

Description

本発明は、過酸化水素を含む組成物及びその製造方法、並びに、組成物収容体に関する。

半導体デバイスの製造工程には、半導体シリコンウエハの洗浄工程、リソグラフィ工程、エッチング工程、イオン注入工程又は剥離工程等の様々な工程が含まれている。そこでは、各工程の終了後、あるいは次の工程に移る前に、処理液を用いて不要な有機物及び無機物を処理する工程が含まれることが一般的である。

この処理液として、過酸化水素を含む処理液が用いられることがある。
過酸化水素は、一般的に、アントラキノン類化合物を原料としていわゆるアントラキノン法により合成されている（例えば、特許文献１参照）。

ところで、半導体デバイスの製造工程に用いられる処理液は、高純度であることが求められている。ここでいう「高純度」とは、不純物として含まれる金属成分又はパーティクル（粒子）の各濃度が低いことを意味する。
処理液中に金属成分の不純物（例えば、金属イオン又は金属粒子）が混入していると、加工処理の際に、対象材料に金属が拡散するマイグレーションと言う現象を引き起こす。マイグレーションは電気信号の伝達を阻害しショート等の不良の原因になる。また、それだけでなく、金属の不純物はその金属自体を核として粗大なパーティクルとなり、処理後に半導体基板上に残渣として残る場合がある。残渣は、リソ性能を悪化させるほか、欠陥を生じる原因となり、微細なレジストパターン又は半導体素子の形成に悪影響を与え得る。

特開２０１４−１０８９０３号公報

本発明者らは、特許文献１に記載されるようなアントラキノン法により製造された過酸化水素水を用いて半導体デバイス製造への適用性について検討していたところ、過酸化水素水の保存安定性を改善する余地があることを知見するに至った。この保存安定性が低い原因として、溶剤由来又は原料由来等で混入したＦｅ成分が、酸性領域において触媒的に反応して過酸化水素をヒドロキシラジカル化してしまい（いわゆるフェントン反応）、この結果、過酸化水素が分解することが考えられた。
一方で、上記のＦｅ成分を酸等の金属吸着剤を用いて金属吸着体（例えば、酸が多座構造である場合にはキレート錯体）とした場合、フェントン反応は抑制されることが知られている。本発明者らは、Ｆｅ成分と金属吸着剤である酸とを用いて過酸化水素水の保存安定性を改良しようとしていたところ、Ｆｅ成分が酸に対して少なすぎる場合には、過酸化水素水が半導体デバイス製造用途に要求される高純度性を満たさなくなる場合があることを知見した。つまり、上記過酸化水素水を用いて半導体基板を洗浄した際、半導体基板上に付着するパーティクル数（「欠陥数」ともいう。）が増加し、半導体デバイス製造工程に適用できない場合があることを知るに至った。特に、この問題は、半導体デバイスの高集積化及び微細化（例えば、３０ｎｍノード以下）に伴ってより顕著になる。さらに近年では、１０ｎｍノード以下の半導体デバイスの製造も検討されているが、この問題はさらに顕著になってきている。

そこで、本発明は、半導体デバイス製造に用いることができる、過酸化水素を含む組成物であって、保存安定性に優れ、且つ、半導体基板への欠陥影響が少ない組成物を提供することを課題とする。
また、本発明は、上記過酸化水素を含む組成物の製造方法、及び、上記組成物を保管した組成物収容体を提供することも課題とする。

本発明者らは、上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、過酸化水素を含有し、且つ、Ｆｅ成分と金属吸着剤である酸とが特定比率に制御された組成物によれば上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、以下の構成により上記目的を達成することができることを見出した。

（１） 過酸化水素と、酸と、Ｆｅ成分と、を含み、
上記Ｆｅ成分の含有量が、上記酸の含有量に対して質量比で１０^−５〜１０^２である、過酸化水素組成物。
（２） 更に、アントラキノン類化合物を含む、（１）に記載の組成物。
（３） 上記アントラキノン類化合物の含有量が、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｂ〜１０００質量ｐｐｂである、（１）又は（２）に記載の組成物。
（４） 上記酸の含有量が、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｂ〜１０００質量ｐｐｂである、（１）〜（３）のいずれかに記載の組成物。
（５） 上記Ｆｅ成分の総含有量が、組成物全質量に対して０．１質量ｐｐｔ〜１質量ｐｐｂである、（１）〜（４）のいずれかに記載の組成物。
（６） 上記Ｆｅ成分中に含まれるＦｅ粒子の含有量が、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｔ〜０．１質量ｐｐｂである、（１）〜（５）のいずれかに記載の組成物。
（７） 更に、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分を少なくとも１種以上含み、
上記金属成分の含有量が、各特定原子ごとにそれぞれ、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｔ〜１０質量ｐｐｂである、（１）〜（６）のいずれかに記載の組成物。
（８） 更に、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分を少なくとも１種以上含み、
上記金属成分の含有量が、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｔ〜１質量ｐｐｂである、（１）〜（６）のいずれかに記載の組成物。
（９） 上記アントラキノン類化合物が、アルキルアントラキノン及びアルキルテトラヒドロアントラキノンからなる群から選ばれる少なくとも１種以上である、（２）〜（８）のいずれかに記載の組成物。
（１０） 上記アルキルアントラキノンが、エチルアントラキノン又はアミルアントラキノンであり、上記アルキルテトラヒドロアントラキノンが、エチルテトラヒドロアントラキノン又はアミルテトラヒドロアントラキノンである、（９）に記載の組成物。
（１１） 上記酸が、リン酸、及び、リン酸誘導体からなる群から選択される１種である、（１）〜（１０）のいずれかに記載の組成物。
（１２） 半導体基板の処理液として用いられる、（１）〜（１１）のいずれかに記載の組成物。
（１３） 保管容器と、上記保管容器内に収容された、（１）〜（１２）のいずれかに記載の組成物と、を有する組成物収容体であり、
上記保管容器の上記組成物と接触する領域が非金属を主成分とする材料により形成されている、組成物収容体。
（１４） 上記非金属を主成分とする材料が、高密度ポリエチレン、テトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、及び、ポリテトラフルオロエチレンからなる群から選ばれるいずれか１種である、（１３）に記載の組成物収容体。
（１５） 上記非金属を主成分とする材料の水との接触角が６０〜１２０°である、（１３）又は（１４）に記載の組成物収容体。
（１６） （１）〜（１２）のいずれかに記載の組成物の製造方法であり、
溶剤、及び、アントラキノン類化合物を含む原料成分から選ばれるいずれか１種以上を精製する原料精製工程と、
上記アントラキノン類化合物を触媒の存在下で還元してアントラヒドロキノン類化合物
を合成し、更に上記アントラヒドロキノン類化合物を酸化して過酸化水素を合成する、過酸化水素合成工程と、
得られた過酸化水素を抽出することにより反応系から取り出す、過酸化水素分離工程と、
反応系から分離された過酸化水素を含む過酸化水素組成物を更に精製する、過酸化水素組成物精製工程と、を有する、組成物の製造方法。

本発明によれば、半導体デバイス製造に用いることができる、過酸化水素を含む組成物であって、保存安定性に優れ、且つ、半導体基板への欠陥影響が抑制された組成物を提供することができる。
また、本発明によれば、上記過酸化水素を含む組成物の製造方法、及び、上記組成物を保管した組成物収容体を提供することができる。
なお、本発明によれば、特に、近年の超微細パターン（例えば、１０ｎｍノード以下）の半導体デバイス形成においても欠陥の発生を抑制でき、保存安定性に優れた処理液を提供すること及びその組成物を収容する収容体を提供することができる。

本発明の組成物の製造方法において使用し得る精製装置の一形態を表す概略図である。 本発明の組成物の製造方法において使用し得る精製装置の他の形態を表す概略図である。

以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。

本明細書における基（原子群）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、本発明の効果を損ねない範囲で、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。このことは、各化合物についても同義である。
また、本明細書において「準備」というときには、特定の材料を合成ないし調合等して備えることのほか、購入等により所定の物を調達することを含む意味である。
また、本明細書において、「ｐｐｍ」は「parts-per-million（１０^−６）」を意味し、「ｐｐｂ」は「parts-per-billion（１０^−９）」を意味し、「ｐｐｔ」は「parts-per-trillion（１０^−１２）」を意味する。
また、本明細書において「半導体基板」とは、半導体デバイス製造に用いられる基板であれば特に限定されず、例えば、シリコン基板（Ｓｉ基板）、シリコン酸化膜基板（ＳｉＯ基板）、窒化シリコン基板（ＳｉＮ基板）等が挙げられる。また、基板は、ウェハのみではなくそこに回路構造が施された基板構造体全体を含むものであってもよい。

〔組成物〕
本発明の組成物は、
過酸化水素と、酸と、Ｆｅ成分と、を含み、
上記Ｆｅ成分の含有量が、上記酸の含有量に対して質量比で１０^−５〜１０^２である。

本発明の組成物は、上記の構成とすることで、保存安定性に優れ、且つ、半導体デバイス製造工程に適用した際に半導体基板への欠陥影響が少ない。つまり、本発明の組成物は、経時保存後においても、過酸化水素の分解率が小さい。また、例えば、本発明の組成物を処理液として半導体デバイス製造工程に適用した場合、処理対象の半導体基板は、パーティクルの付着が少ない（言い換えると、欠陥数が少ない）ため、半導体基板の歩留りの低下を抑制することができる。

これは、詳細には明らかではないが、以下のように推測される。
本発明の組成物は、半導体デバイス製造工程に適用可能なように、濾過又はイオン交換等により、液中に含まれる微量の有機汚染物、金属汚染物、及び、油脂等の不純物を除去精製されたものであることが望ましい。本発明の組成物は、調製の際にこの除去精製を過剰に行うものの、上述の不純物を完全に除去するのではなく、少なくともＦｅ成分を微量な程度残存させておくことを特徴としている。なお、Ｆｅ成分は、溶剤又はアントラキノンを含む原料成分に一定程度存在しており、これらの溶剤又は原料を通じて組成物中に混入すると考えられる。本明細書において、Ｆｅ成分には、Ｆｅ原子がイオン状態のもの、及び、Ｆｅ原子が非イオン状態のものが含まれ、例えば、Ｆｅイオン、及び、Ｆｅの金属粒子（Ｆｅ粒子）の形態が含まれる。つまり、Ｆｅ成分とは、組成物中に含まれる全てのＦｅ原子由来の成分（Ｆｅイオン、Ｆｅ粒子）を意味し、Ｆｅ成分の含有量とは総メタル量（総Ｆｅ原子量）を意味する。
なお、本発明の組成物の調製過程では、Ｆｅ成分を上記所定の数値範囲の下限未満に精製除去した後、Ｆｅ成分を所定の数値範囲となるように添加する形態であってもよい。
また、上述の不純物除去精製は、過酸化水素を合成する過程で使用される溶剤又は原料成分に対して実施してもよく、過酸化水素を合成後に過酸化水素を含有する組成物に対して実施してもよい。

上述した通り、本発明の組成物中、酸は金属吸着剤としても機能すると考えられる。Ｆｅ成分は、特に酸性領域においてフェントン反応により過酸化水素を分解するものの（ｐＨが高いほど分解速度が速くなる）、酸が金属吸着剤としてＦｅ成分を錯体化することによりフェントン反応を抑制することが可能となる。Ｆｅ成分の含有量が、酸の含有量に対して質量比で１０^２を超えるとフェントン反応の抑制が困難となり、組成物の保存安定性が不十分となる。一方、Ｆｅ成分の含有量が酸の含有量に対して質量比で１０^−５未満であると、液中にコロイド粒子が形成され、半導体基板上に付着する欠陥数増加の原因となる。組成物中、Ｆｅ成分の含有量が、上記酸の含有量に対して質量比で１０^−５〜１０^２である場合には、保存安定性に優れ、且つ、半導体デバイス製造工程に適用した際に半導体基板への欠陥影響が少ない。

また、本発明の組成物中、上記Ｆｅ成分の総含有量は、組成物全質量に対して０．１質量ｐｐｔ〜１質量ｐｐｂであることが好ましい。組成物中に含まれる上記Ｆｅ成分の総含有量を上記範囲とすることで、本発明の効果が更に一層優れるものとなる。この理由は定かではないが、上記Ｆｅ成分の総含有量が低濃度領域である場合、易溶性の錯イオンを形成していないかぎり、通常はその大部分がＦｅの水和物が縮合した水酸化物コロイドとなって分散していると推測される。Ｆｅ成分の総含有量が０．１質量ｐｐｔ以上であれば、正コロイドとしての作用が弱く、シリコン面より負のゼータ電位がやや高い酸化膜へ吸着しにくくなるので、半導体基板への欠陥影響が現れにくくなる。
また、Ｆｅ成分の総含有量が組成物全質量に対して０．１質量ｐｐｔ以上である場合には、組成物の酸化力が優れることも確認している。この理由は定かではないが、Ｆｅ成分の総含有量が組成物全質量に対して０．１質量ｐｐｔ以上であれば、反応活性種であるヒドロキシラジカルの量が系中に適切な量で存在するためであると考えられる。言い換えると、Ｆｅ成分の総含有量が組成物全質量に対して０．１質量ｐｐｔ未満の場合には、反応活性種であるヒドロキシラジカルの量が系中に少なすぎ、酸化力が小さくなる傾向がある。
一方、上記Ｆｅ成分の総含有量が組成物全質量に対して１質量ｐｐｂ以下であれば、Ｆｅ成分がパーティクルとならず、半導体デバイス製造工程に適用した際に半導体基板への欠陥が増えることがない。

本発明の組成物中、酸の含有量は、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｂ〜１０００質量ｐｐｂであることが好ましい。酸の含有量が組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｂ未満であると、相対的に組成物中におけるＦｅ成分の含有量が多くなりすぎる場合がある。酸の含有量が組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｂ以上であると、Ｆｅ成分の含有量が適切な範囲に調整されるため、保存安定性により優れる、又は、液中でＦｅ成分が核となってパーティクルを形成することがなく、半導体デバイス製造工程に適用した際に半導体基板への欠陥を抑制することができる。
一方、酸の含有量が組成物全質量に対して１０００質量ｐｐｂを超えると、相対的に組成物中におけるＦｅ成分の含有量が少なくなりすぎる場合がある。酸の含有量が組成物全質量に対して１０００質量ｐｐｂ以下であれば、液中にコロイド粒子が形成されにくく、半導体デバイス製造工程に適用した際に半導体基板への欠陥を抑制することができる。

また、過酸化水素は、通常、アントラキノン法により合成される。アントラキノン法により合成されて得られた過酸化水素を含む組成物中には、微量であるが一定程度の原料由来の不純物（例えば、アントラキノン類化合物、又は、アントラキノンを還元してアントラヒドロキノンを合成する工程において用いられ得る触媒由来の、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ及びＡｌからなる群より選ばれる原子を含む金属成分）が残存する場合が多い。これらの不純物は、通常では除去されることが望まれるが、本発明においては完全に除去するのではなく、少なくとも組成物に微量な程度残存させておくことが好ましい。
本発明の組成物中、アントラキノン類化合物の含有量は、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｂ〜１０００質量ｐｐｂであることが好ましい。アントラキノン類化合物の含有量が組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｂ以上であれば、欠陥性能の改良に効果がある。一方、アントラキノン類化合物の含有量が組成物全質量に対して１０００質量ｐｐｂ以下であれば、半導体デバイス製造工程に適用した際に半導体基板への欠陥影響が少ない。

また、本発明の組成物は、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＡｌからなる群より選ばれる原子（以下、「特定原子」ともいう。）を含む金属成分を含有していてもよい。
上記金属成分の含有量は、各特定原子ごとにそれぞれ、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｔ〜１０質量ｐｐｂであることが好ましい。
ここで金属成分には、特定原子がイオン状態のもの、及び、特定原子が非イオン状態のものが含まれ、例えば、特定金属イオン、及び、特定金属粒子（非イオン性金属）の形態が含まれる。つまり、本発明の組成物が例えばＰｔ成分のみを含む場合、Ｐｔ成分には組成物中に含まれる全てのＰｔ原子由来の成分（Ｐｔイオン、Ｐｔ粒子）が含まれ、Ｐｔ成分の含有量とはＰｔの総メタル量（総Ｐｔ原子量）（総メタル量とは上述した通りである。）を意味する。また、「上記金属成分の含有量は、各特定原子ごとにそれぞれ、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｔ〜１０質量ｐｐｂである」とは、本発明の組成物が例えばＰｔ成分及びＮｉ成分の２種を含む場合、各特定原子ごとにそれぞれ(言い換えると、Ｐｔ成分の含有量及びＮｉ成分の含有量のいずれもが)、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｔ〜１０質量ｐｐｂとなる意味である。
Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分の含有量が、各特定原子ごとにそれぞれ、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｂ以上であれば、組成物の酸化力がより優れる。一方、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分の含有量が、各特定原子ごとにそれぞれ、組成物全質量に対して１０００質量ｐｐｂ以下（好ましくは１０質量ｐｐｂ以下）であれば、半導体デバイス製造工程に適用した際に半導体基板への欠陥影響が少ない。
なお、アントラキノン法により合成されて得られた過酸化水素を含む組成物中には、上述した通り、アントラキノンを還元してアントラヒドロキノンを合成する工程において用いられ得る触媒由来のＮｉ原子、Ｐｔ原子、Ｐｄ原子及び／又はＡｌ原子を含む金属成分が多く含まれ得る。また、上記以外の他の原料成分由来の金属成分も混入する場合が多い。これら金属成分の中でも、特にＮｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＡｌからなる群より選ばれる原子を含有する金属成分の含有量を上記範囲とすることで、上記効果が得られることを確認している。

また、本発明の組成物中、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ及びＡｌからなる群より選ばれる原子（以下、「特定原子」ともいう。）を含む金属成分の含有量は、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｔ〜１質量ｐｐｂであることが好ましい。ここで金属成分には、特定原子がイオン状態のもの、及び、特定原子が非イオン状態のものが含まれ、例えば、特定金属イオン、及び、特定金属粒子（非イオン性金属）の形態が含まれる。つまり、本発明の組成物が例えばＰｔ成分のみを含む場合、Ｐｔ成分には組成物中に含まれる全てのＰｔ原子由来の成分（Ｐｔイオン、Ｐｔ粒子）が含まれ、Ｐｔ成分の含有量とはＰｔの総メタル量（総Ｐｔ原子量）（総メタル量とは上述した通りである。）を意味する。Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分の含有量が組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｂ以上であれば、組成物の酸化力がより優れる。一方、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分の含有量が組成物全質量に対して１０００質量ｐｐｂ以下（好ましくは１質量ｐｐｂ以下）であれば、半導体デバイス製造工程に適用した際に半導体基板への欠陥影響が少ない。
なお、アントラキノン法により合成されて得られた過酸化水素を含む組成物中には、上述した通り、アントラキノンを還元してアントラヒドロキノンを合成する工程において用いられ得る触媒由来のＮｉ原子、Ｐｔ原子、Ｐｄ原子及び／又はＡｌ原子を含む金属成分が多く含まれ得る。このＮｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、及びＡｌからなる群より選ばれる原子を含有する金属成分の含有量を上記範囲とすることで、上記効果が得られることを確認している。

以下、本発明の組成物の各成分について更に詳述する。

＜過酸化水素＞
本発明の組成物中、過酸化水素の含有量は０．００１〜７０質量％であることが好ましく、１０〜６０質量％であることがより好ましく、１５〜６０質量％であることが更に好ましい。

＜酸＞
本発明の組成物は、酸を含有する。なお、ここでいう「酸」には過酸化水素は含まれない。
酸としては、液中に存在する金属イオンを吸着（吸着の形態としては、イオン結合又は配位結合が挙げられる。）できれば特に限定されないが、水溶性酸性化合物であることが好ましい。
水溶性酸性化合物としては、水に溶解して酸性を示す解離可能な官能基を有すれば特に制限はなく、有機化合物であっても、無機化合物であってもよい。またここでいう水溶性とは、２５℃において水１００ｇに５ｇ以上溶解することである。

水溶性酸性化合物及びその塩としては、例えば、無機酸（例えば、塩酸、硫酸、リン酸及び硝酸等）等の酸性化合物、カルボン酸誘導体、スルホン酸誘導体、及び、リン酸誘導体等が挙げられる。また、これらの酸性官能基が塩を形成した化合物であってもよい。
なかでも、上記水溶性酸性化合物としては、不純物を効果的にキレート化し除去できる観点から、リン酸誘導体又はリン酸であることが好ましい。
リン酸誘導体としては、例えば、ピロリン酸及びポリリン酸が挙げられる。

また水溶性酸性化合物と塩を形成するカチオンとしては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、四級アルキル化合物（例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化テトラエチルアンモニウム（ＴＥＡＨ）、水酸化テトラプロピルアンモニウム（ＴＰＡＨ）、及び、水酸化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＨ）等）等が挙げられる。上記塩を形成するカチオンは、１種であっても２種以上の組合せであってもよい。

また、水溶性酸性化合物としては、上述のもの以外に、いわゆるキレート剤を用いてもよい。キレート剤としては、特に限定されないが、ポリアミノポリカルボン酸であることが好ましい。
ポリアミノポリカルボン酸は、複数のアミノ基及び複数のカルボン酸基を有する化合物であり、例えば、モノ−又はポリアルキレンポリアミンポリカルボン酸、ポリアミノアルカンポリカルボン酸、ポリアミノアルカノールポリカルボン酸、及び、ヒドロキシアルキルエーテルポリアミンポリカルボン酸が挙げられる。

好適なポリアミノポリカルボン酸キレート剤としては、例えば、ブチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、１，３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、プロピレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、トランス−１，２−ジアミノシクロヘキサン四酢酸、エチレンジアミン二酢酸、エチレンジアミンジプロピオン酸、１，６−ヘキサメチレン−ジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ−二酢酸、ジアミノプロパン四酢酸、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン−四酢酸、ジアミノプロパノール四酢酸、及び、（ヒドロキシエチル）エチレンジアミン三酢酸が挙げられる。なかでも、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、又は、トランス−１，２−ジアミノシクロヘキサン四酢酸が好ましい。

本発明の組成物中、酸は、単独、又は２種以上を組み合わせて配合できる。

酸の含有量は、上述した通り、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｂ〜１０００質量ｐｐｂであることが好ましい。本発明の効果をより一層優れたものとする観点からは、０．０５質量ｐｐｂ〜８００質量ｐｐｂであることがより好ましく、０．０５質量ｐｐｂ〜５００質量ｐｐｂであることが更に好ましい。

＜Ｆｅ成分＞
本発明の組成物は、Ｆｅ成分を含有する。
上述した通り、本発明の組成物中、Ｆｅ成分の含有量は、酸の含有量に対して質量比で１０^−５〜１０^２である。本発明の効果をより一層優れたものとする観点からは、Ｆｅ成分の含有量は、酸の含有量に対して質量比で１０^−３〜１０^−１であることが好ましい。

また、上述した通り、本発明の組成物中、上記Ｆｅ成分の含有量は、組成物全質量に対して０．１質量ｐｐｔ〜１質量ｐｐｂであることが好ましい。本発明の効果をより一層優れたものとする観点からは、０．１質量ｐｐｔ〜８００質量ｐｐｔであることがより好ましく、０．１質量ｐｐｔ〜５００質量ｐｐｔであることが更に好ましい。なお、ここでの含有量はＦｅ原子の総メタル量を意図する。

＜水＞
本発明の組成物は、溶剤として水を含有してもよい。
水の含有量は、特に限定されないが、組成物全質量に対して、１〜９９．９９９質量％であればよい。
水としては、半導体デバイス製造に使用される超純水が好ましい。
水としては、特に、無機陰イオン及び金属イオン等を低減させた水であることが好ましく、なかでもＦｅ、Ｃｏ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｌｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、及び、Ｚｎの金属原子由来のイオン濃度が低減されているものがより好ましく、本発明の組成物の調液に用いる際に、ｐｐｔオーダー若しくはそれ以下（一形態において、金属含有率が０．００１質量ｐｐｔ未満）に調整されているものが更に好ましい。調整の方法としては、ろ過膜若しくはイオン交換膜を用いた精製、又は、蒸留による精製が好ましい。調整の方法としては、例えば、特開２０１１−１１０５１５号公報段落[００７４]から[００８４]に記載の方法、特開２００７―２５４１６８号公報に記載の方法が挙げられる。

なお、本発明の実施形態に使用される水は、上記のようにして得られる水であることが好ましい。本発明の組成物を半導体製造用処理液として用いる場合、本発明の所望の効果が顕著に得られる観点から、上述した水は、本発明の組成物のみでなく収容容器の洗浄、後述するキットの調液にも用いられることがより好ましい。また、上述した水は、本発明の組成物の製造工程、本発明の組成物の成分測定、及び本発明の組成物の評価のための測定等にも用いられることが好ましい。

＜アントラキノン類化合物＞
本発明の組成物は、アントラキノン類化合物を含有していてもよい。
アントラキノン類化合物としては、例えば、アントラキノン法による過酸化水素の合成過程で用いられるものが挙げられる。具体的には、アルキルアントラキノン及びアルキルテトラヒドロアントラキノンからなる群から選ばれる少なくとも１種以上であることが好ましい。
アルキルアントラキノン及びアルキルテトラヒドロアントラキノンに含まれるアルキル基は、例えば、炭素数１〜８であることが好ましく、炭素数１〜５であることがより好ましい。アルキルアントラキノンとしては、なかでも、エチルアントラキノン又はアミルアントラキノンが好ましい。また、アルキルテトラヒドロアントラキノンとしては、なかでも、エチルテトラヒドロアントラキノン又はアミルテトラヒドロアントラキノンが好ましい。

本発明の組成物中、アントラキノン類化合物は、単独、又は２種以上を組み合わせて配合できる。

本発明の組成物がアントラキノン類化合物を含有する場合、その含有量は、上述した通り、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｂ〜１０００質量ｐｐｂであることが好ましい。本発明の効果をより一層優れたものとする観点からは、０．０５質量ｐｐｂ〜８００質量ｐｐｂであることがより好ましく、０．０５質量ｐｐｂ〜５００質量ｐｐｂであることが更に好ましい。

＜Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分＞
本発明の組成物は、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分を少なくとも１種以上含んでいてもよい。
本発明の組成物がＮｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分を含有する場合、上記金属成分の含有量は、上述した通り、各特定原子ごとにそれぞれ、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｔ〜１０質量ｐｐｂであることが好ましい。本発明の効果をより一層優れたものとする観点からは、０．０１質量ｐｐｔ〜１質量ｐｐｂがより好ましく、０．０１質量ｐｐｔ〜８００質量ｐｐｔであることが更に好ましく、０．０１質量ｐｐｔ〜５００質量ｐｐｔであることが特に好ましい。

＜Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分＞
本発明の組成物は、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分を少なくとも１種以上含んでいてもよい。
本発明の組成物がＮｉ、Ｐｔ、Ｐｄ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分を含有する場合、その含有量は、上述した通り、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｔ〜１質量ｐｐｂであることが好ましい。本発明の効果をより一層優れたものとする観点からは、０．０１質量ｐｐｔ〜８００質量ｐｐｔであることがより好ましく、０．０１質量ｐｐｔ〜５００質量ｐｐｔであることが更に好ましい。

本発明の組成物は、上述した成分のほか、本発明の効果を奏する範囲で、その他の添加剤を含有していてもよい。その他の添加剤としては、例えば、界面活性剤、消泡剤、ｐＨ調整剤、及びフッ化物等が挙げられる。

〔組成物の製造方法〕
本発明の組成物の製造方法は、
溶剤、及び、アントラキノン類化合物を含む原料成分から選ばれるいずれか１種以上を精製する原料精製工程（以下「第１工程」ともいう。）と、
上記アントラキノン類化合物を触媒の存在下で還元してアントラヒドロキノン類化合物を合成し、更に上記アントラヒドロキノン類化合物を酸化して過酸化水素を合成する、過酸化水素合成工程（以下「第２工程」ともいう。）と、
得られた過酸化水素を抽出することにより反応系から取り出す、過酸化水素分離工程（以下「第３工程」ともいう。）と、
反応系から分離された過酸化水素を含む過酸化水素組成物を更に精製する、過酸化水素組成物精製工程（以下「第４工程」ともいう。）と、を有する。
以下、第１工程〜第４工程について詳述する。

（第１工程：原料精製工程）
本発明の組成物の製造方法は、いわゆるアントラキノン法により、原料としてアントラキノン類化合物を用いて過酸化水素を合成する方法である。
本第１工程では、溶剤、及び、アントラキノン類化合物を含む原料成分から選ばれるいずれか１種以上を事前に蒸留、イオン交換、及びろ過等によって精製する。精製の程度としては、例えば、原料の純度９９％以上となるまで精製することが好ましく、純度９９．９％以上となるまで精製することがより好ましい。このような高純度の原料を使用することが、本発明による顕著な効果を得るために重要である。

第１工程でいう溶剤とは、第２工程で実施される過酸化水素の合成反応の際に使用される溶剤のほか、第３工程で過酸化水素の抽出溶剤として用いられる水、又は、上記組成物精製工程の終了までに任意で用いられる溶剤を含む。
また、第１工程でいうアントラキノン類化合物を含む原料成分とは、上述したアルキルアントラキノン及びアルキルテトラヒドロアントラキノン等のアントラキノン類化合物の他、アントラキノン類化合物の還元触媒を含む。

精製方法としては、特に限定されないが、イオン交換樹脂若しくはＲＯ膜（Reverse Osmosis Membrane）等に通す方法、蒸留、及び、後述するフィルタリング等の方法が挙げられる。具体的には、例えば、逆浸透膜等に通液して１次精製を行った後、カチオン交換樹脂、アニオン交換樹脂、又は混床型イオン交換樹脂からなる精製装置に通液して２次精製を実施する方法等が挙げられる。
なお、精製処理は、上述した公知の精製方法を複数組み合わせて、実施してもよい。
また、精製処理は、複数回実施してもよい。

（第２工程：過酸化水素合成工程）
本第２工程は、アントラキノン類化合物を原料とした公知の過酸化水素の合成方法を適用することができる。例えば、特開２０１４−１０８９０３号公報に記載の方法が挙げられる。

（第３工程：過酸化水素分離工程）
本第３工程は、上述した第２工程で得られた過酸化水素を抽出して取り出す工程であり、公知の過酸化水素の抽出方法を適用することができる。例えば、特開２０１４−１０８９０３号公報に記載の方法が挙げられる。
なお、抽出を行う際には、水を用いて過酸化水素を抽出することが好ましい。
第３工程における「水」は、第１工程である原料精製工程を経て、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｌｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、及び、Ｚｎの金属原子由来のイオン濃度が低減されているものが好ましく、イオン交換水、又は、半導体デバイス製造に使用される超純水がより好ましい。

（第４工程：過酸化水素組成物精製工程）
第４工程は、第３工程で得られた過酸化水素組成物（過酸化水素水）を精製する工程である。
精製方法としては、特に限定されないが、イオン交換樹脂に通す方法、及び、減圧蒸留等の方法が挙げられる。
イオン交換樹脂に通す方法としては、例えば、酸性カチオン交換樹脂を用いる方法のほか、アニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂との混合床を用いる方法が挙げられる。
また、過酸化水素水に対して後述するようなフィルタリングを実施してもよい。
なお、精製処理は、上述した公知の精製方法を複数組み合わせて、実施してもよい。
また、精製処理は、複数回実施してもよい。

＜フィルタリング＞
フィルタとしては、従来からろ過用途等に用いられているものであれば特に限定されることなく用いることができる。例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）及びテトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）等のフッ素樹脂、ナイロン等のポリアミド系樹脂、並びに、ポリエチレン及びポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂（高密度、超高分子量を含む）等によるフィルタが挙げられる。これら材料のなかでもポリエチレン、ポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）、ＰＴＦＥ及びＰＴＡ等のフッ素樹脂、並びに、ナイロン等のポリアミド系樹脂からなる群より選ばれる材料が好ましく、なかでも、ポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）及びナイロンのフィルタがより好ましい。これらの材料により形成されたフィルタを使用することで、半導体基板の欠陥（残渣欠陥やパーティクル欠陥）の原因となり易い極性の高い異物を効果的に除去できるほか、本願発明の特定金属成分の量を効率的に減らすことができる。

フィルタの孔径は、一形態において、０．００１〜１．０μｍ程度が適しており、０．０２〜０．５μｍ程度が好ましく、０．０１〜０．１μｍ程度がより好ましい。この範囲とすることにより、ろ過詰まりを抑えつつ、被処理物（フィルタリングの対象となる液であり、例えば、第１工程で用いられる溶剤若しくは原料成分、及び、第３工程を経て得られる過酸化水素水）に含まれる不純物又は凝集物等、微細な異物を確実に除去することが可能となる。

フィルタを使用する際、異なるフィルタを組み合わせてもよい。
異なるフィルタを組み合わせて使用する場合には、例えば、第１のフィルタ及び第２のフィルタを用いた方法が挙げられる。その際、第１のフィルタでのフィルタリングは、１回のみでもよいし、２回以上行ってもよい。また、上述した範囲内で異なる孔径の第１のフィルタを組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照できる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール株式会社、アドバンテック東洋株式会社、日本インテグリス株式会社（旧日本マイクロリス株式会社）又は株式会社キッツマイクロフィルタ等が提供する各種フィルタの中から選択できる。

第２のフィルタは、上述した第１のフィルタと同様の材料等で形成されたフィルタを使用できる。第２のフィルタの孔径は、一形態において、０．０１〜１．０μｍ程度が適しており、好ましくは０．１〜０．５μｍ程度である。この範囲とすることにより、被処理物に成分粒子（例えば、後述するＦｅ粒子）が含有されている場合には、この成分粒子を残存させたまま、被処理物に混入している異物を除去できる。

また、使用されるフィルタは、被処理物をろ過する前に処理されることが好ましい。この処理に使用される液体は、特に限定されないが、金属含有率が０．００１質量ｐｐｔ未満であることが好ましく、上述した水の他、他の有機溶剤を精製して、金属含有量が上記の範囲にしたもの、若しくは本発明の組成物そのもの、本発明の組成物を希釈したもの、若しくは本発明の組成物に添加している化合物を含む液体であると、本発明における所望の効果が顕著に得られる。

以下、被処理物の精製に好適に用い得る、フィルタを備えた精製装置について説明する。

・精製装置
図１は精製装置の一形態を表す概略図である。精製装置１００は、タンク１０１を備え、タンク１０１は被処理物を供給するための供給口１０２を備える。精製装置１００は、ろ過装置１０５を備え、タンク１０１とろ過装置１０５とは、供給管路１０９で連結され、タンク１０１とろ過装置１０５との間を流体（被処理物）を移送できるようになっている。供給管路１０９には、弁１０３、及び、ポンプ１０４が配置されている。図１において、精製装置１００は、タンク１０１と、ろ過装置１０５とを備えるが被処理物のフィルタリングに用い得る精製装置としては、これに制限されない。

精製装置１００において、供給口１０２から供給された流体は、弁１０３、及び、ポンプ１０４を経てろ過装置１０５に流入する。ろ過装置１０５から排出された流体は、循環管路１１０を経て、タンク１０１に収容される。
精製装置１００は、循環管路１１０に被処理物を排出する排出部１１１を備える。排出部１１１は、弁１０７と、容器１０８を備え、循環管路に設けられた弁１０６と、上記弁１０７の切り替えによって、被処理物を容器１０８に収容できるようになっている。また、弁１０７には切り替え可能な管路１１３が接続されており、この管路１１３を経て循環洗浄後の被処理物を精製装置１００外へと排出することができる。循環洗浄後の被処理物には、パーティクル、及び、金属不純物等が含有されている場合があり、被処理物を装置外へ排出する管路１１３を備える精製装置１００によれば、容器１０８の充填部分等を汚染することがなく、半導体基板の欠陥の原因となり易い異物を効果的に除去できる。

更に、精製装置１００は、循環管路１１０に、被処理物モニタリング部１１２を備える。図１において、精製装置１００は、循環管路１１０に被処理物モニタリング部１１２を備えるが、被処理物のフィルタリングに用い得る精製装置としては、これに制限されない。被処理物モニタリング部１１２は、供給管路１０９に備えられていてもよいし、供給管路１０９と循環管路１１０に備えられていてもよい。なお、精製装置１００において、被処理物モニタリング部１１２は、循環管路１１０中に直接備えられているが、被処理物のフィルタリングに用い得る精製装置としては、これに制限されない。被処理物モニタリング部は、管路中に備えられた図示しない流体の一時収容タンク（タンク１０１とは異なる。）に備えられていてもよい。

図２は、被処理物のフィルタリングに用い得る精製装置の他の形態を表す概略図である。精製装置２００は、タンク１０１と、ろ過装置１０５とを備え、更に、タンク１０１と管路２０２、管路２０４、及び、管路２０３で接続され、上記各管路を通じてタンク１０１との間で流体を移送できるように配置された蒸留塔２０１を備える。また、一方で、被処理物のフィルタリングに用い得る精製装置としては、ろ過装置１０５、及び／又は、蒸留塔２０１を必ずしも備えていなくてもよいし、一方で、更に、管路２０３で蒸留塔２０１と接続された反応容器等を備えていてもよい。なお、被処理物が過酸化水素水の場合には、蒸留塔２０１、及び、管路２０３で蒸留塔２０１と接続された反応容器等を備えていなくてもよい。

精製装置２００において、管路２０３を経て蒸留塔２０１に供給された流体は、蒸留塔２０１で蒸留される。蒸留された流体は管路２０２を経て、タンク１０１に収容される。供給管路１０９には、弁１０３、及び、弁２０６が備えられ、管路２０４に備えられた弁２０５との切り替えによって、タンク１０１から排出された流体を、ろ過装置１０５に流入できるようになっている。
また、精製装置２００においては、タンク１０１から排出された流体を再び蒸留塔２０１に流入することもできる。その場合、上記の弁１０３、弁２０６、及び、弁２０５の切り替えによって、管路２０４から、弁２０７、及び、管路２０３を経て流体が蒸留塔２０１に流入する。

精製装置の接液部（接液部の定義については後述する。）の材料としては特に制限されないが、被処理物の異物をより低減できる点で、非金属材料、及び、電解研磨された金属材料からなる群から選択される少なくとも１種から形成されることが好ましい。なお、本明細書において、「接液部」とは、流体が接する可能性がある部位（例えば、タンク内面、及び、管路内面等）で、かつ、その表面から厚み１００ｎｍの領域を意図する。

上記非金属材料としては、特に限定されないが、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、及びポリエチレン−ポリプロピレン樹脂等のポリオレフィン樹脂、並びにパーフルオロ樹脂等のフッ素含有樹脂材料であることが好ましく、金属原子の溶出が少ない観点からフッ素含有樹脂であることが好ましい。

フッ素含有樹脂としては、パーフルオロ樹脂等が挙げられ、四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、四フッ化エチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合樹脂（ＦＥＰ）、四フッ化エチレン−エチレン共重合体樹脂（ＥＴＦＥ）、三フッ化塩化エチレン−エチレン共重合樹脂（ＥＣＴＦＥ）、フッ化ビニリデン樹脂（ＰＶＤＦ）、三フッ化塩化エチレン共重合樹脂（ＰＣＴＦＥ）、及びフッ化ビニル樹脂（ＰＶＦ）等が挙げられる。
なかでも、フッ素含有樹脂としては、四フッ化エチレン樹脂、四フッ化エチレン・
パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、又は四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合樹脂が好ましい。

上記金属材料としては、特に制限されず、公知の材料を用いることができる。
金属材料としては、例えば、クロム及びニッケルの含有量の合計が金属材料全質量に対して２５質量％超である金属材料が挙げられ、なかでも、３０質量％以上が好ましい。金属材料におけるクロム及びニッケルの含有量の合計の上限値としては特に制限されないが、一般に９０質量％以下が好ましい。
金属材料としては例えば、ステンレス鋼、及びニッケル−クロム合金等が挙げられる。

ステンレス鋼としては、特に制限されず、公知のステンレス鋼を用いることができる。なかでも、ニッケルを８質量％以上含有する合金が好ましく、ニッケルを８質量％以上含有するオーステナイト系ステンレス鋼がより好ましい。オーステナイト系ステンレス鋼としては、例えばＳＵＳ（Steel Use Stainless）３０４（Ｎｉ含有量８質量％、Ｃｒ含有量１８質量％）、ＳＵＳ３０４Ｌ（Ｎｉ含有量９質量％、Ｃｒ含有量１８質量％）、ＳＵＳ３１６（Ｎｉ含有量１０質量％、Ｃｒ含有量１６質量％）、及びＳＵＳ３１６Ｌ（Ｎｉ含有量１２質量％、Ｃｒ含有量１６質量％）等が挙げられる。

ニッケル−クロム合金としては、特に制限されず、公知のニッケル−クロム合金を用いることができる。なかでも、ニッケル含有量が４０〜７５質量％、クロム含有量が１〜３０質量％のニッケル−クロム合金が好ましい。
ニッケル−クロム合金としては、例えば、ハステロイ（商品名、以下同じ。）、モネル（商品名、以下同じ）、及びインコネル（商品名、以下同じ）等が挙げられる。より具体的には、ハステロイＣ−２７６（Ｎｉ含有量６３質量％、Ｃｒ含有量１６質量％）、ハステロイ−Ｃ（Ｎｉ含有量６０質量％、Ｃｒ含有量１７質量％）、ハステロイＣ−２２（Ｎｉ含有量６１質量％、Ｃｒ含有量２２質量％）等が挙げられる。
また、ニッケル−クロム合金は、必要に応じて、上記した合金の他に、更に、ホウ素、ケイ素、タングステン、モリブデン、銅、及びコバルト等を含有していてもよい。

金属材料を電解研磨する方法としては特に制限されず、公知の方法を用いることができる。例えば、特開２０１５−２２７５０１号公報の００１１〜００１４段落、及び、特開２００８−２６４９２９号公報の００３６〜００４２段落等に記載された方法を用いることができる。

金属材料は、電解研磨されることにより表面の不動態層におけるクロムの含有量が、母相のクロムの含有量よりも多くなっているものと推測される。そのため、接液部が電解研磨された金属材料から形成された蒸留塔からは、被処理物中に金属原子を含有する金属不純物が流出しにくいため、不純物含有量が低減された蒸留済みの被処理物を得ることができるものと推測される。
なお、金属材料はバフ研磨されていてもよい。バフ研磨の方法は特に制限されず、公知の方法を用いることができる。バフ研磨の仕上げに用いられる研磨砥粒のサイズは特に制限されないが、金属材料の表面の凹凸がより小さくなりやすい点で、＃４００以下が好ましい。なお、バフ研磨は、電解研磨の前に行われることが好ましい。

被処理物の異物をより低減できる点で、接液部は電解研磨されたステンレス鋼から形成されることが好ましい。特に、精製装置がタンクを備える場合、タンクの接液部が電解研磨されたステンレス鋼から形成されることがより好ましい。接液部におけるＦｅの含有量に対するＣｒの含有量の含有質量比（以下、「Ｃｒ／Ｆｅ」ともいう。）としては特に制限されないが、一般に、０．５〜４が好ましく、なかでも、被処理物中に金属不純物、及び／又は、有機不純物がより溶出しにくい点で、０．５を超え、３．５未満がより好ましく、０．７以上、３．０以下がより好ましい。Ｃｒ／Ｆｅが０．５を超えると、タンク内からの金属溶出を抑えることができ、Ｃｒ／Ｆｅが３．５未満だとパーティクルの原因となる接液部のはがれ等が起きにくい。
上記金属材料中のＣｒ／Ｆｅを調整する方法としては特に制限されず、金属材料中のＣｒ原子の含有量を調整する方法、及び、電解研磨により、研磨表面の不動態層におけるクロムの含有量が、母相のクロムの含有量よりも多くする方法等が挙げられる。

金属材料は皮膜技術を適用されていても良い。
皮膜技術には、金属被覆（各種メッキ）、無機被覆（各種化成処理、ガラス、コンクリート、及びセラミックス等）、及び有機被覆（さび止め油、塗料、ゴム、及びプラスチックス等）の３種に大別されている。
好ましい皮膜技術としては、錆止め油、錆止め剤、腐食抑制剤、キレート化合物、可剥性プラスチック、又はライニング剤による表面処理が挙げられる。
なかでも、各種のクロム酸塩、亜硝酸塩、ケイ酸塩、燐酸塩、オレイン酸、ダイマー酸、ナフテン酸等のカルボン酸、カルボン酸金属石鹸、スルホン酸塩、アミン塩、エステル（高級脂肪酸のグリセリンエステル、及び燐酸エステル等）等の腐食抑制剤、エチレンジアンテトラ酢酸、グルコン酸、ニトリロトリ酢酸、ヒドロキシエチルエチオレンジアミン三作酸、ジエチレントリアミン五作酸等のキレート化合物、又は、フッ素樹脂ライニングが好ましく、燐酸塩処理又はフッ素樹脂ライニングが特に好ましい。

上記精製装置は、ろ過装置１０５を備えることにより、被処理物の異物をより低減できる。ろ過装置１０５が含有するろ過部材としては特に制限されないが、除粒子径が２０ｎｍ以下のフィルタ、及び、金属イオン吸着フィルタからなる群から選択される少なくとも１種が好ましく、除粒子径が２０ｎｍ以下のフィルタであり、且つ、金属イオン吸着フィルタであることがより好ましい。

・・除粒子径が２０ｎｍ以下のフィルタ
除粒子径が２０ｎｍ以下のフィルタは、被処理物から、直径２０ｎｍ以上の粒子を効率的に除去する機能を有する。
なお、フィルタの除粒子径としては、１〜１５ｎｍが好ましく、１〜１２ｎｍがより好ましい。除粒子径が１５ｎｍ以下だと、より微細な粒子を除去でき、除粒子径が１ｎｍ以上だと、ろ過効率が向上する。
ここで、除粒子径とは、フィルタが除去可能な粒子の最小サイズを意味する。例えば、フィルタの除粒子径が２０ｎｍである場合には、直径２０ｎｍ以上の粒子を除去可能である。
フィルタの材質としては、例えば、６−ナイロン、及び６、６−ナイロン等のナイロン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、並びに、フッ素樹脂等が挙げられる。ポリイミド、及び／又は、ポリアミドイミドは、カルボキシ基、塩型カルボキシ基及び−ＮＨ−結合からなる群より選択される少なくとも１つを有するものであってもよい。耐溶剤性については、フッ素樹脂、ポリイミド及び／又はポリアミドイミドが優れる。また、金属イオンを吸着する観点からは、６−ナイロン、及び６、６−ナイロン等のナイロンが特に好ましい。

ろ過装置１０５は、上記フィルタを複数含有してもよい。ろ過装置１０５がフィルタを複数含有する場合、更に、他方のフィルタとしては、特に制限されないが、除粒子径が５０ｎｍ以上のフィルタ（例えば、孔径が５０ｎｍ以上の微粒子除去用の精密ろ過膜）が好ましい。被処理物中に、コロイド化した不純物、特に鉄又はアルミニウムのような金属原子を含有するコロイド化した不純物以外にも微粒子が存在する場合には、除粒子径が２０ｎｍ以下であるフィルタ（例えば、孔径が２０ｎｍ以下の精密ろ過膜）を用いてろ過する前に、除粒子径が５０ｎｍ以上のフィルタ（例えば、孔径が５０ｎｍ以上の微粒子除去用の精密ろ過膜）を用いて被精製物のろ過を実施することで、除粒子径が２０ｎｍ以下であるフィルタ（例えば、孔径が２０ｎｍ以下の精密ろ過膜）のろ過効率が向上し、粒子の除去性能がより向上する。

・・金属イオン吸着フィルタ
上記ろ過装置１０５は、金属イオン吸着フィルタを含有することが好ましい。
金属イオン吸着フィルタとしては特に制限されず、公知の金属イオン吸着フィルタが挙げられる。
なかでも、金属イオン吸着フィルタとしては、イオン交換可能なフィルタが好ましい。ここで、吸着対象となる金属イオンは、特に制限されないが、例えば、Ｆｅイオン、Ｎｉイオン、Ｐｔイオン、Ｐｄイオン、Ｃｒイオン、Ｔｉイオン及びＡｌイオンからなる群から選択される１種以上の金属のイオンが好ましく、Ｆｅイオン、Ｎｉイオン、Ｐｔイオン、Ｐｄイオン、Ｃｒイオン、Ｔｉイオン及びＡｌイオンの全ての金属のイオンであることがより好ましい。
金属イオン吸着フィルタは、金属イオンの吸着性能が向上するという観点から、表面に酸基を含有することが好ましい。酸基としては、スルホ基、及び、カルボキシ基等が挙げられる。
金属イオン吸着フィルタを構成する基材（材質）としては、セルロース、ケイソウ土、ナイロン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、及び、フッ素樹脂等が挙げられる。金属イオンを吸着する効率の観点からは、ナイロンが特に好ましい。

また、金属イオン吸着フィルタは、ポリイミド及び／又はポリアミドイミドを含有する材質で構成されていてもよい。上記金属イオン吸着フィルタとしては、例えば、特開２０１６―１５５１２１号公報（ＪＰ２０１６−１５５１２１）に記載されているポリイミド及び／又はポリアミドイミド多孔質膜が挙げられる。
上記ポリイミド及び／又はポリアミドイミド多孔質膜は、カルボキシ基、塩型カルボキシ基、及び、−ＮＨ−結合からなる群より選択される少なくとも１つを含有するものであってもよい。金属イオン吸着フィルタが、フッ素樹脂、ポリイミド、及び／又は、ポリアミドイミドからなると、より優れた耐溶剤性を有する。

・・有機不純物吸着フィルタ
ろ過装置１０５は、有機不純物吸着フィルタを更に含有してもよい。
有機不純物吸着フィルタとしては特に制限されず、公知の有機不純物吸着フィルタが挙げられる。
なかでも、有機不純物吸着フィルタとしては、有機不純物の吸着性能が向上する点で、有機不純物と相互作用可能な有機物骨格を表面に有すること（言い換えれば、有機不純物と相互作用可能な有機物骨格によって表面が修飾されていること）が好ましい。有機不純物と相互作用可能な有機物骨格としては、例えば、有機不純物と反応して有機不純物を有機不純物吸着フィルタに捕捉できるような化学構造が挙げられる。より具体的には、有機不純物としてｎ−長鎖アルキルアルコール（有機溶剤として１−長鎖アルキルアルコールを用いた場合の構造異性体）を含む場合には、有機物骨格としては、アルキル基が挙げられる。また、有機不純物としてジブチルヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）を含む場合には、有機物骨格としてはフェニル基が挙げられる。
有機不純物吸着フィルタを構成する基材（材質）としては、活性炭を担持したセルロース、ケイソウ土、ナイロン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、及び、フッ素樹脂等が挙げられる。
また、有機不純物吸着フィルタには、特開２００２−２７３１２３号公報及び特開２０１３−１５０９７９号公報に記載の活性炭を不織布に固着したフィルタも使用できる。

有機不純物吸着フィルタとしては、上記で示した化学吸着（有機不純物と相互作用可能な有機物骨格を表面に有する有機不純物吸着フィルタを用いた吸着）以外に、物理的な吸着方法も適用できる。
例えば、有機不純物としてＢＨＴを含む場合、ＢＨＴの構造は１０オングストローム（＝１ｎｍ）よりも大きい。そのため、孔径が１ｎｍの有機不純物吸着フィルタを用いることで、ＢＨＴはフィルタの孔を通過できない。つまり、ＢＨＴは、フィルタによって物理的に捕捉されるので、被精製物中から除去される。このように、有機不純物の除去は、化学的な相互作用だけでなく物理的な除去方法を適用することでも可能である。ただし、この場合には、３ｎｍ以上の孔径のフィルタが「粒子除去フィルタ」として用いられ、３ｎｍ未満の孔径のフィルタが「有機不純物吸着フィルタ」として用いられる。

繰り返しになるがフィルタを使用する際、異なるフィルタを組み合わせてもよい。異なるフィルタを組み合わせる方式としては、例えば、上述したような第１のフィルタ及び第２のフィルタの組み合わせる方法が挙げられる。その際、第１のフィルタでのフィルタリングは、１回のみでもよいし、２回以上行ってもよい。異なるフィルタを組み合わせて２回以上フィルタリングを行う場合には、各フィルタは、互いに同じ種類のものであってもよいし、互いに種類の異なるものであってもよいが、互いに種類の異なるものであることが好ましい。典型的には、第１のフィルタと第２フィルタとは、孔径及び構成素材のうちの少なくとも一方が異なっていることが好ましい。
１回目のフィルタリングの孔径より２回目以降の孔径が同じ、又は、小さい方が好ましい。また、上述した範囲内で異なる孔径の第１のフィルタを組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照できる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール株式会社、アドバンテック東洋株式会社、日本インテグリス株式会社（旧日本マイクロリス株式会社）又は株式会社キッツマイクロフィルタ等が提供する各種フィルタの中から選択できる。また、ポリアミド製の「Ｐ−ナイロンフィルター（孔径０．０２μｍ、臨界表面張力７７ｍＮ／ｍ）」；（日本ポール株式会社製）、高密度ポリエチレン製の「ＰＥ・クリーンフィルタ（孔径０．０２μｍ）」；（日本ポール株式会社製）、及び高密度ポリエチレン製の「ＰＥ・クリーンフィルタ（孔径０．０１μｍ）」；（日本ポール株式会社製）も使用することができる。

被処理物の異物をより低減できる点で、精製装置は、洗浄液により予め洗浄されていることが好ましい。その方法は洗浄液をタンク１０１の供給口１０２から供給する。洗浄液の供給量としては特に制限されないが、タンク１０１の接液部を十分に洗浄できる程度の量が好ましく、供給する洗浄液の容量としては、タンク１０１の容量に対して３０体積％以上が好ましい。洗浄液を供給口１０２から供給する際、弁１０３は閉じていても開いていてもいいが、タンク１０１をより洗浄しやすい点で、洗浄液を供給口１０２から供給する際には、弁１０３を閉じることが好ましい。

タンク１０１に供給された洗浄液は、直ちに精製装置内を移送してもよいし、タンク１０１内を洗浄してから、精製装置内を（例えば、供給管路１０９を通じて）移送してもよい。洗浄液を用いてタンク１０１内を洗浄する方法としては特に制限されないが、例えば、タンク１０１が備える、図示しない撹拌翼を回転させて洗浄する方法が挙げられる。洗浄液を用いてタンクを洗浄する時間としては特に制限されず、タンク１０１の接液部の材料、及び、コンタミネーションの可能性等に応じて適宜選択すればよい。一般に、０．１秒〜４８時間程度が好ましい。なお、タンク１０１のみを洗浄する場合、例えば、タンク底部に設けられた図示しない排出口から、洗浄後の洗浄液を排出してもよい。

洗浄液を用いて精製装置１００の供給管路１０９等を洗浄する方法としては、特に制限されないが、弁１０３、及び、弁１０６を開き、弁１０７を閉じたうえで、ポンプ１０４を稼動し、洗浄液を供給管路１０９、及び、循環管路１１０を通じて精製装置内で循環させる方法（以下、「循環洗浄」ともいう。）が好ましい。上記のようにすることで、洗浄液を移送しながら、タンク１０１、ろ過装置１０５、及び、供給管路１０９等の接液部に付着した異物等を洗浄液により効率的に分散させ、及び／又は、より効率的に溶解させることができる。

特に、精製装置がろ過装置を備える場合、洗浄方法としては、循環洗浄がより好ましい。循環洗浄の例を図１を用いて説明する。まず、タンク１０１から弁１０３を経て精製装置内へ供給された洗浄液は、供給管路１０９を通って（ろ過装置１０５、循環管路１１０、及び、弁１０６を経て）再びタンク１０１へ戻る（循環する）。このとき、洗浄液は、ろ過装置１０５でろ過され、洗浄液に溶解、及び、分散する粒子等が除去され、より洗浄効果を高めることができる。

洗浄方法の他の形態としては、例えば、弁１０３、及び、弁１０７を開き、弁１０６を閉じたうえで、ポンプ１０４を稼動し、タンク１０１の供給口１０２から精製装置内に供給した洗浄液を、弁１０３、及び、ポンプ１０４を通じて、ろ過装置１０５に流入させ、その後、洗浄液を循環させずに弁１０７を経て精製装置外へと排出する方法（本明細書において、以下この方法を「バッチ洗浄」ともいう。）を用いてもよい。この場合、洗浄液は、上記のように、一定量を断続的に精製装置内に供給してもよいし、連続的に精製装置内に供給してもよい。

・第４工程でのフィルタリング
第４工程にてフィルタリングを実施する場合には、上述の方法のほか、下記の方法により過酸化水素組成物のフィルタリングを実施することも好ましい。なお、第１工程においても、下記方法によるフィルタリングを実施してもよい。

フィルタとしては、従来からろ過用途等に用いられているものであれば特に限定されることなく用いることができる。例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）及びテトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）等のフッ素樹脂、ナイロン等のポリアミド系樹脂、並びに、ポリエチレン及びポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂（高密度、超高分子量を含む）等によるフィルタが挙げられる。これら材料のなかでもポリエチレン、ポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）、ＰＴＦＥ及びＰＴＡ等のフッ素樹脂、並びに、ナイロン等のポリアミド系樹脂からなる群より選ばれる材料が好ましく、なかでも、ＰＴＦＥ及びＰＴＡ等のフッ素樹脂のフィルタがより好ましい。これらの材料により形成されたフィルタを使用することで、半導体基板の欠陥（残渣欠陥やパーティクル欠陥）の原因となり易い極性の高い異物を効果的に除去できるほか、本願発明の特定金属成分の量を効率的に減らすことができる。

フィルタの臨界表面張力としては、７０ｍＮ／ｍ以上が好ましく、９５ｍＮ／ｍ以下がより好ましく、７５ｍＮ／ｍ以上８５ｍＮ／ｍ以下が更に好ましい。尚、臨界表面張力の値は、製造メーカーの公称値である。臨界表面張力が上記範囲のフィルタを使用することで、半導体基板の欠陥（残渣欠陥及びパーティクル欠陥）の原因となり易い極性の高い異物を効果的に除去できるほか、本願発明の特定金属成分の量を効率的に減らすことができる。

フィルタの孔径は、一形態において、２〜２０ｎｍ程度であることが好ましく、２〜１５ｎｍであることがより好ましい。この範囲とすることにより、ろ過詰まりを抑えつつ、過酸化水素組成物中に含まれる不純物又は凝集物等、微細な異物を確実に除去することが可能となるほか、本願発明の特定金属成分の量を効率的に減らすことができる。

フィルタを使用する際、異なるフィルタを組み合わせてもよい。その際、第１のフィルタでのフィルタリングは、１回のみでもよいし、２回以上行ってもよい。異なるフィルタを組み合わせて２回以上フィルタリングを行う場合は１回目のフィルタリングの孔径より２回目以降の孔径が同じ、又は、小さい方が好ましい。また、上述した範囲内で異なる孔径の第１のフィルタを組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照できる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール株式会社、アドバンテック東洋株式会社、日本インテグリス株式会社（旧日本マイクロリス株式会社）又は株式会社キッツマイクロフィルタ等が提供する各種フィルタの中から選択できる。また、ポリアミド製の「Ｐ−ナイロンフィルター（孔径０．０２μｍ、臨界表面張力７７ｍＮ／ｍ）」；（日本ポール株式会社製）、高密度ポリエチレン製の「ＰＥ・クリーンフィルタ（孔径０．０２μｍ）」；（日本ポール株式会社製）、及び高密度ポリエチレン製の「ＰＥ・クリーンフィルタ（孔径０．０１μｍ）」；（日本ポール株式会社製）も使用することができる。
第２のフィルタは、上述した第１のフィルタと同様の材料等で形成されたフィルタを使用できる。第２のフィルタの孔径は、１〜１０ｎｍ程度であることが好ましい。

また、本発明においては、フィルタリングの工程は室温（２５℃）以下で行うことが好ましい。より好ましくは２３℃以下であり、２０℃以下が更に好ましい。また、０℃以上であることが好ましく、５℃以上であることがより好ましく、１０℃以上であることが更に好ましい。

フィルタリングの工程では、粒子性の異物及び不純物が除去できるが、上記の温度であると、過酸化水素組成物中に溶解している上記粒子性の異物及び／又は不純物の量が少なくなるため、フィルタリングにより効率的に除去されるようになる。

特に、過酸化水素組成物がＮｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分を本願所望の量を超えて含む場合、上記の温度で濾過することが好ましい。メカニズムは定かではないが、過酸化水素組成物中に、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分が含まれる場合、金属成分のその多くは粒子性のコロイド状態で存在していることが考えられる。上記の温度でフィルタリングすると、コロイド状に浮遊している金属成分が一部凝集するため、この凝集しているものが、フィルタリングにより効率的に除去され、本願所望の量に調整しやすくなることが考えられる。

また、使用されるフィルタは、過酸化水素組成物を濾過する前に処理することが好ましい。この処理に使用される液体は、特に限定されないが、金属含有率が０．００１質量ｐｐｔ（parts per trillion）未満であることが好ましく、例えば、上述した水のほか、他の有機溶剤を精製して金属含有量を上記の範囲にしたもの、本発明の組成物そのもの（事前に調液したもの）若しくはこれを希釈したもの、又は、本発明の組成物を更に精製し、金属成分、不純物若しくは粗大粒子等をより低減させた液体が挙げられる。上述のような金属含有率が低減された液体でフィルタを前処理することで、本発明の所望の効果が顕著に得られる。

第４工程での過酸化水素組成物の精製工程は、上記の各精製方法を組み合わせて実施することが好ましい。

上記第１工程から第４工程を経ることで、半導体デバイス製造に用いることが可能な程度に高純度化された本発明の組成物を得ることができる。
なお、本発明の組成物については、上述した通りである。また、本発明の組成物が含む酸は、アントラキノン法による過酸化水素の合成過程で副生成したフタル酸類等の酸であってもよく、また、上記第４工程において、又は、上記第４工程後に別途添加したものであってもよい。組成物の純度及び本発明の効果をより一層優れたものとする観点からは、第４工程において組成物に酸成分（好ましくはリン酸又はリン酸誘導体）を添加することが好ましく、この酸成分を添加した後に更に精製工程を行うことがより好ましい。

＜定量方法＞
また、水若しくは溶剤、原料成分、又は、本発明の組成物等に含まれる酸成分、又は、アントラキノン類化合物の各種定量は、イオンクロマトグラフィー法で分析することができる。

また、水若しくは溶剤、原料成分、又は、本発明の組成物等に含まれるＦｅ成分又は金属成分の各種定量は、ＩＣＰ−ＭＳ法（誘導結合プラズマ質量分析法、測定装置としては、例えば、横河アナリティカルシステムズ製、Ａｇｉｌｅｎｔ ７５００ｃｓ型を使用できる。）等で分析することができる。ＩＣＰ−ＭＳ法では、金属原子の総質量、すなわち、金属イオン（イオン性金属）と金属粒子（非イオン性金属）の合計質量（「総メタル量」ともいう。）として定量される。

また、最近開発されたＳＮＰ−ＩＣＰ−ＭＳ（Single Nano Particle-Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry）測定によれば、溶液中に存在する金属原子の量を、金属イオン（イオン性金属）と金属粒子（非イオン性金属）に分けて測定することが可能となった。ここで、金属粒子（非イオン性金属）とは、溶液中で溶解せず固体として存在している成分である。

これまで、半導体製造用処理液等に含まれる金属原子の量は、ＩＣＰ−ＭＳ法等により分析されるのが通常であり、ＩＣＰ−ＭＳ法等の従来法によっては、金属原子に由来するイオン性金属と金属粒子（非イオン性金属）の識別ができないため、金属原子の総質量、すなわち、イオン性メタルと粒子性メタル（非イオン性メタル）の合計質量（以下、「総メタル量」等ともいう。）として定量される。

半導体製造用処理液に不純物として含有される金属原子は、微細なパターン、及び、微細な半導体素子において欠陥を発生する要因の一つとなっている。このため、半導体製造用処理液中に含有される金属原子の量は少ないほどよいと考えられていた。しかしながら、本発明者は、処理液中に含有される金属原子の量と欠陥の発生率とが必ずしも相関せず、欠陥の発生率にばらつきがあることを見出していた。

本発明者は、ＳＮＰ−ＩＣＰ−ＭＳ法を用いた測定により識別して定量することが可能となった半導体製造用処理液中に含有される金属原子由来のイオン性金属と金属粒子（非イオン性金属）の各々が欠陥に及ぼす影響について鋭意研究した。その結果、欠陥発生には金属粒子（非イオン性金属）量の影響が極めて大きく、金属粒子（非イオン性金属）量と欠陥発生との間には相関関係があることを見出したものである。ＳＮＰ−ＩＣＰ−ＭＳ法の装置としては例えば、アジレントテクノロジー社製、Ａｇｉｌｅｎｔ ８８００ トリプル四重極ＩＣＰ−ＭＳ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ、半導体分析用、オプション＃２００）を用いて、実施例に記載した方法により測定することができる。上記の他に、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製 ＮｅｘＩＯＮ３５０Ｓのほか、アジレントテクノロジー社製、Ａｇｉｌｅｎｔ ８９００も挙げられる。

本発明の組成物において、ＳＮＰ−ＩＣＰ−ＭＳ法で測定したときのＦｅ粒子（非イオン金属）の含有量は、欠陥性能の改良、及び経時安定性の確保の観点から、組成物全質量に対して、０．０１質量ｐｐｔ〜０．１質量ｐｐｂであることが好ましい。

また、本発明の組成物において、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分を含有し、上記金属成分が金属粒子（非イオン金属）を含有する場合には、欠陥性能の改良、及び経時安定性の確保の観点から、本発明の組成物における上記金属粒子の含有量は、各特定原子ごとにそれぞれ、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｔ〜１００質量ｐｐｔであることが好ましく、０．０１質量ｐｐｔ〜５０質量ｐｐｔであることがより好ましく、０．０１質量ｐｐｔ〜１０質量ｐｐｔであることが更に好ましい。つまり、本発明の組成物が例えばＰｔ粒子のみを含む場合、Ｐｔ粒子が上述した数値範囲となる。一方、本発明の組成物が例えばＰｔ粒子及びＮｉ粒子を含む場合、Ｐｔ粒子及びＮｉ粒子のそれぞれが上述した数値範囲となる。なお、上記金属粒子の含有量は、上述したＳＮＰ−ＩＣＰ−ＭＳ法で測定される値である。

本発明の組成物の調製、収容容器の開封及び／又は洗浄、組成物の充填等を含めた取り扱い、処理分析、及び測定は全てクリーンルームで行うことが好ましい。クリーンルームは、１４６４４−１クリーンルーム基準を満たすことが好ましい。ＩＳＯ（国際標準化機構）クラス１、ＩＳＯクラス２、ＩＳＯクラス３、ＩＳＯクラス４のいずれかを満たすことが好ましく、ＩＳＯクラス１、ＩＳＯクラス２を満たすことがより好ましく、ＩＳＯクラス１であることが更に好ましい。

＜有機不純物＞
なお、有機不純物の含有量の測定には、ガスクロマトグラフ質量分析装置（製品名「ＧＣＭＳ−２０２０」、島津製作所社製）を用いる場合もある。また、特に制限されないが、有機不純物が高分子量化合物の場合には、Ｐｙ−ＱＴＯＦ／ＭＳ（パイロライザー四重極飛行時間型質量分析）、Ｐｙ−ＩＴ／ＭＳ（パイロライザーイオントラップ型質量分析）、Ｐｙ−Ｓｅｃｔｏｒ／ＭＳ（パイロライザー磁場型質量分析）、Ｐｙ−ＦＴＩＣＲ／ＭＳ（パイロライザーフーリエ変換イオンサイクロトロン型質量分析）、Ｐｙ−Ｑ／ＭＳ（パイロライザー四重極型質量分析）、及び、Ｐｙ−ＩＴ−ＴＯＦ／ＭＳ（パイロライザーイオントラップ飛行時間型質量分析）等の手法で分解物から構造の同定、及び濃度の定量をしてもよい。例えば、Ｐｙ−ＱＴＯＦ／ＭＳは島津製作所社製等の装置を用いることができる。

＜不純物及び粗大粒子＞
また、本発明の組成物は、粗大粒子を実質的に含まないことが好ましい。
なお、本発明の組成物に含まれる粗大粒子とは、原料に不純物として含まれる塵、埃、有機固形物若しくは無機固形物等の粒子、組成物の調製中に汚染物として持ち込まれる塵、埃、有機固形物若しくは無機固形物等の粒子であり、最終的に本発明の組成物中で溶解せずに粒子として存在するものが該当する。本発明の組成物中に存在する粗大粒子の量は、レーザを光源とした光散乱式液中粒子測定方式における市販の測定装置を利用して液相で測定することができる。

＜キット及び濃縮液＞
本発明の組成物は、他の原料を別途添加するキットとしてもよい。この場合、使用の際に別途添加する他の原料として、水及び有機溶剤のような溶媒の他、用途に応じて他の化合物を混合して使用することができる。本発明の効果が顕著に得られる観点から、この際に使用され得る溶媒は、溶媒に含まれるＦｅ成分又は金属成分の各含有率が、上述した本発明の組成物における特定の値の範囲と同じ範囲であると、キット及び濃縮液であっても本発明所望の効果が顕著に得られる。

＜用途＞
本発明の組成物は、半導体デバイス製造に好ましく用いられる。本発明の組成物は、半導体デバイスを製造するためのいずれの工程にも用いることができ、具体的には、リソグラフィ工程、エッチング工程、イオン注入工程又は剥離工程等を含む半導体デバイスの製造工程において、各工程の終了後、あるいは次の工程に移る前に、有機物又は無機物を処理するための処理液として使用され、具体的には洗浄液、除去液又は剥離液等として好適に用いられる。

本発明の組成物を半導体デバイス製造に用いる場合、特に限定されないが、例えば、シリコン基板上の無機金属イオンを除去する目的で塩酸と混合し、ＳＣ―２（Standard Clean 2）と呼ばれる薬液処理によりシリコン基板上から金属イオンの除去をするのに好適に用いられる。また、シリコン基板上のパーティクルを除去する目的でアンモニアと混合し、ＳＣ―１（Standard Clean 1）と呼ばれる薬液処理によりシリコン基板上からシリコンパーティクルの除去をするのに好適に用いられる。更には、基板上のレジストを除去する目的で硫酸と混合し、ＳＰＭ（Sulfuric. Acid Hydrogen Peroxide Mixture）と呼ばれる薬液処理により半導体基板上からレジストの除去をするのに好適に用いられる。なお、ここでいうレジストの除去には、レジスト膜、エッチング残渣物、反射防止膜、及び、アッシング残渣物の除去も含まれる。エッチング残渣物とは、レジストをエッチング処理した際に発生する残渣物を意味し、アッシング残渣物とは、レジストをアッシング処理した際に発生する残渣物を意味する。

また、本発明の組成物は、半導体製造用以外の他の用途でも好適に用いることができる。例えば、ポリイミド、センサー用レジスト又はレンズ用レジスト等の洗浄液、剥離液又は除去液としても使用することができる。
また、上記の他の洗浄用途でも使用することができ、容器、配管又は基板(例えば、ウエハー又はガラス等)等の洗浄に好適に用いることができる。また、有機過酸化物若しくは無機過酸化物の原料；有機化合物の原料；エポキシ化合物の原料；紙、パルプ、及び木材等の漂白；繊維の原料；繊維の漂白；製錬工程における金属の酸化剤；食品及び医薬等の原料；製造設備若しくは容器の洗浄剤又は殺菌剤等；の各種用途にも使用できる。

〔組成物収容体〕
本発明の組成物収容体は、保管容器と、上記保管容器内に収容された上述の本発明の組成物と、を有し、上記保管容器の上記組成物と接触する領域が非金属を主成分とする材料により形成されている。なお、ここで主成分とは、所定の成分が接触する領域の８０質量％以上を構成していることを意図する。
保管容器としては、本発明の組成物と接触する領域が非金属を主成分とする材料により形成されていれば、その形態は特に限定されず、任意の容器に充填して保管、運搬、そして使用することができる。容器としては、半導体用途向けに、容器内のクリーン度が高く、不純物の溶出が少ないものが好ましい。使用可能な容器としては、アイセロ化学（株）製の「クリーンボトル」シリーズ、コダマ樹脂工業（株）製の「ピュアボトル」等が挙げられるが、これらに限定されない。この容器の本発明の組成物と接触する領域、例えば、その収容部の内壁又は本発明の組成物の流路は、非金属を主成分とする材料により形成されており、容器との過剰な親和性に伴う容器からの溶出物汚染を防ぐ観点から、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、テトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）及びポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）からなる群から選ばれる材料から形成されていることが好ましい。なかでも、水との接触角が６０〜１２０°である、非金属を主成分とする材料で形成されていることがより好ましく、フッ素系樹脂（パーフルオロ樹脂）であることが更に好ましい。特に、上述のような本発明の組成物と接触する領域がフッ素系樹脂である保管容器を用いることで、本発明の組成物と接触する領域が、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、又は、ポリエチレン−ポリプロピレン樹脂である保管容器を用いる場合と比べて、エチレン又はプロピレンのオリゴマーの溶出という不具合の発生を抑制できるため、好ましい。
本発明の組成物と接触する領域がフッ素系樹脂である容器の具体例としては、例えば、Ｅｎｔｅｇｒｉｓ社製 ＦｌｕｏｒｏＰｕｒｅＰＦＡ複合ドラム等が挙げられる。また、特表平３−５０２６７７号公報の第４頁等、国際公開第２００４／０１６５２６号パンフレットの第３頁等、国際公開第９９／４６３０９号パンフレットの第９及び１６頁等、等に記載の容器も用いることができる。これらの容器は、充填前に容器内部を洗浄することが好ましい。この洗浄に使用される液体は、特に限定されないが、金属含有率が０．００１質量ｐｐｔ（parts per trillion）未満であることが好ましい。
また、用途に応じて、例えば、上述した水のほか、他の有機溶剤を精製して金属含有量を上記の範囲にしたもの、本発明の組成物そのもの若しくはこれを希釈したもの、又は、本発明の組成物を更に精製し、金属成分、不純物若しくは粗大粒子等をより低減させた液体を洗浄に用いることにより、本発明の所望の効果が顕著に得られる。

また、容器を洗浄する前に各種容器のふたを酸や有機溶媒で洗浄する等してふたに付着している異物の除去をすることで、ふたからの異物混入を防げるために好ましい。
また、本発明の組成物は、製造後にガロン瓶又はコート瓶等の容器にボトリングし、輸送、保管されてもよい。ガロン瓶はガラス材料を使用したものであってもそれ以外であってもよい。

本発明の組成物の保管時に、保管における組成物中の成分の変化を防ぐ目的で、容器内を純度９９．９９９９５体積％以上の不活性ガス（チッソ又はアルゴン等）で置換しておいてもよい。特に、含水率が少ないガスが好ましい。また、輸送又は保管に際しては、温度は特に限定されないが、変質を防ぐため、−２０℃から２０℃の範囲に温度制御してもよい。

以下に実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

＜原料等の精製＞
以下に示す各実施例で使用される各原料、各触媒は、純度９９％以上の高純度グレードを用い、さらに事前に蒸留、イオン交換、及び、ろ過等によって精製したものである。

実施例で使用した超純水は、特開２００７―２５４１６８号公報に記載されている方法により精製を行い、後述する通常のＩＣＰ−ＭＳ法による測定により、Ｎａ、Ｃａ及びＦｅの各々の原子の含有率が１０質量ｐｐｔ未満とした。

実施例及び比較例の組成物（以下、「過酸化水素組成物」とも称する）の調製、充填、保管及び分析測定は、全てＩＳＯクラス２以下を満たすレベルのクリーンルームで行った。また、使用する容器については、本発明の組成物で事前に洗浄した後に用いた。測定精度向上のため、金属成分の含有量の測定及び水の含有量の測定において、通常の測定で検出限界以下のものの測定については、体積換算で１００分の１に濃縮して測定を行い、濃縮前の組成物の濃度に換算して含有量の算出を行なった。

＜＜実施例１＞＞
〔過酸化水素組成物の調製〕
下記に示す第１工程〜第４工程を実施することにより、過酸化水素組成物を調製した。（第１工程：原料精製工程）
第１工程では、原料となる２−エチルアントラキノンをカラムに充填したカチオン交換樹脂に通し、原料中に含まれる金属イオン濃度が１質量ｐｐｍになるまで繰り返した。その後、２−エチルアントラキノンを単離した。

（第２工程：過酸化水素合成工程）
２−エチルアントラキノンをベンゼンに溶解して得られた溶液に、Ｐｔ触媒を添加して懸濁液を得た。次いで、得られた懸濁液に水素を接触させることにより、２−エチルアントラキノンをＰｔ触媒下で水素化して２−エチルアントラヒドロキノンを生成した。更に、得られた組成物をろ過することにより触媒を除去した。
その後、得られた組成物に空気中の酸素を接触させて２−エチルアントラヒドロキノンを酸化することにより、２−エチルアントラキノン及び過酸化水素を生成した。

（第３工程：過酸化水素分離工程）
上記第２工程で生成した過酸化水素を水で抽出して単離し、過酸化水素水溶液（過酸化水素組成物）を得た。

（第４工程：過酸化水素組成物精製工程）
上記第３工程を実施した後、過酸化水素水溶液をカチオン交換樹脂で精製した。これにより、過酸化水素水溶液に含まれるアルミニウム、カルシウム、マグネシウム、ナトリウム等の原子を含む金属成分を除去した。カチオン交換樹脂には、スルホン酸基（−ＳＯ_３Ｈ）をイオン交換基とする強酸性カチオン交換樹脂を用いた。ここまでの工程で過酸化水素水溶液中に含まれる金属イオン濃度は１質量ｐｐｂ程度であった。その後、平均孔径０．００１〜０．０１μｍ以下のＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）フィルタを用い、得られた過酸化水素水溶液を濾過し、更なる金属原子濃度の低減を行った。次いで、この過酸化水素水溶液にリン酸を添加した。その後、過酸化水素水溶液をアニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂との混合床に接触させた。これにより、過酸化水素水溶液中の金属イオン濃度はｐｐｔオーダーであることを確認した。

〔評価〕
次いで、得られた過酸化水素水溶液（過酸化水素組成物）に対し、下記に示す各種評価を実施した。

（組成物中のＦｅ成分の測定）
ＩＣＰ−ＭＳ分析（ＳＮＰ−ＩＣＰ−ＭＳ分析ではない、通常のＩＣＰ−ＭＳ分析を意味する）においては、分析ソフトウエアを後述するＩＣＰ−ＭＳ分析装置としての分析ソフトウエアに代えた以外は、後述するＳＮＰ−ＩＣＰ−ＭＳ分析と同様の手法により、各原子の濃度を測定した。
なお、Ｆｅ成分において、Ｆｅ粒子の量は、後述するＳＮＰ−ＩＣＰ−ＭＳ分析により測定され、Ｆｅイオンの量は、ＩＣＰ−ＭＳ分析で測定されるＦｅ成分の量（総メタル量）から、ＳＮＰ−ＩＣＰ−ＭＳ分析により測定されるＦｅ粒子の量を差し引くことで算出することができる。

（ＳＮＰ−ＩＣＰ−ＭＳ（Single Nano Particle-Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry）測定）
≪Ｆｅ粒子の含有率の測定≫
Ｆｅ粒子の含有率については、Ｐｅｒｋｉｎｅｌｍｅｒ社製「Ｎｅｘｉｏｎ３５０Ｓ」を用いて測定を行った。
１）標準物質の準備
標準物質は清浄なガラス容器内へ超純水を計量投入し、メディアン径５０ｎｍの測定対象金属粒子を１００００個／ｍｌの濃度となるように添加した後、超音波洗浄機で３０分間処理した分散液を輸送効率測定用の標準物質として用いた。
２）測定条件
ＰＦＡ製同軸型ネブライザ（なお、「ＰＦＡ」とは、テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルキルビニルエーテルの共重合体である。）、石英製サイクロン型スプレーチャンバ、石英製内径１ｍｍトーチインジェクタを用い、測定対象液を約０．２ｍＬ／ｍｉｎで吸引した。酸素添加量は０．１Ｌ／ｍｉｎ、プラズマ出力１６００Ｗ、アンモニアガスによるセルパージを行った。時間分解能は５０ｕｓにて解析を行った。
３） Ｆｅ粒子の含有率は、メーカー付属の下記解析ソフトを用いて計測した。
・Ｆｅ粒子の含有率：ナノ粒子分析“ＳＮＰ−ＩＣＰ−ＭＳ”専用Ｓｙｎｇｉｓｔｉｘ ナノアプリケーションモジュール
４） Ｆｅ原子の含有率は、メーカー付属の下記解析ソフトを用いて計測した（ＩＣＰ−ＭＳ分析）。
Ｆｅ原子の含有率：Ｓｙｎｇｉｓｔｉｘ ｆｏｒ ＩＣＰ−ＭＳ ソフトウエア

（組成物中のその他の特定原子（Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＡｌ）由来の金属成分の測定）
測定には、Ａｇｉｌｅｎｔ ８８００ トリプル四重極ＩＣＰ−ＭＳ(半導体分析用、オプション＃２００）を用いた。上記測定装置によれば、各測定試料中におけるイオン性金属と非イオン性金属とを分類し、それぞれの含有量を測定することができる。なお、イオン性金属の含有量と非イオン性金属の含有量の総和が、総メタル量に相当する。

・測定条件
サンプル導入系は石英のトーチと同軸型ＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン）ネブライザ（自吸用）、及び、白金インターフェースコーンを使用した。クールプラズマ条件の測定パラメータは以下のとおりである。
・ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）出力（Ｗ）：６００
・キャリアガス流量（Ｌ／ｍｉｎ）：０．７
・メークアップガス流量（Ｌ／ｍｉｎ）：１
・サンプリング深さ（ｍｍ）：１８

（組成物中の酸、アントラキノン類化合物の測定）
組成物中の酸又はアントラキノン類化合物は、下記の方法により測定した。
固定相にイオン交換樹脂、移動相（溶離液）に電解質の水溶液を使った液体クロマトグラフィー（イオン交換クロマトグラフィー質量分析法）で測定を行った。イオンクロマトグラフィー質量分析法（ＩＣ−ＭＳ）は、ＩＣの検出器として質量分析計を接続した手法である。質量分析計では質量／電荷数（ｍ／ｚ）に応じて分離されるので、イオン化法にはエレクトロスプレーイオン化法（ＥＳＩ）を、質量分析計にはタンデム質量分析計を用いた。さらに、分離された分子イオンをコリジョンセルで開裂させ、生成したプロダクトイオン(分子イオンの構造を反映)検出した。

(過酸化水素組成物の保存安定性評価)
調製直後の過酸化水素組成物をヨウ化カリウムとチオ硫酸ナトリウムを用いた公知の方法で滴定し、調製直後の過酸化水素組成物の過酸化水素量を測定した。また、過酸化水素組成物を２５℃で１週間静置して保存した後、上記と同様の方法により、過酸化水素組成物中の過酸化水素量（残存量）を求めた。
次いで、下記式により分解率を算出し、保存安定性を評価した。
（分解率）＝〔（調製直後の過酸化水素組成物の過酸化水素量）−（経時保存後の過酸化水素組成物の過酸化水素の残存量）〕／（調製直後の過酸化水素組成物の過酸化水素量）×１００
評価基準は下記の通りである。下記基準において、評価が「Ｄ」以上であれば、保存安定性の実用上の要求を満たしており、「Ｃ」以上が好ましい。

「Ａ」：過酸化水素の分解率が５％未満
「Ｂ」：過酸化水素の分解率が５％以上、１０％未満
「Ｃ」：過酸化水素の分解率が１０％以上、２０％未満
「Ｄ」：過酸化水素の分解率が２０％以上、３０％未満
「Ｅ」：過酸化水素の分解率が３０％以上

(過酸化水素組成物の酸化力評価)
過酸化水素組成物の酸化電位(酸化力)は電気化学的方法によって求めた。水素電極を参照電極とし、その時のＯＣＰ（Ｏｐｅｎ Ｃｉｒｋｉｔ Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）を求めた。
評価基準は下記の通りである。
「Ａ」：酸化力が１．８ｍＶ以上
「Ｂ」：酸化力１．６ｍＶ以上１．８ｍＶ未満
「Ｃ」：酸化力１．６ｍＶ未満

(過酸化水素組成物の欠陥性能（半導体基板に付着した欠陥数の測定）)
ウェハ上表面検査装置（ＳＰ−５；ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ製）により、直径３００ｍｍのシリコン酸化膜基板表面に存在する直径３２ｎｍ以上のパーティクル（以下、これを「欠陥」という。）数を計測した。次いで、このシリコン酸化膜基板をスピン吐出装置にセットし、回転させながら、同シリコン酸化膜基板の表面へ、得られた過酸化水素組成物を１．５Ｌ／ｍｉｎの流速で吐出した。その後、リンス処理を行い、乾燥した。得られた試料について、再び上記装置（ＳＰ−５）を用いてシリコン酸化膜基板表面に存在する欠陥数の計測を行い、初期値との差分を欠陥数とした。得られた欠陥数を下記基準に基づき評価した結果を表１に示す。下記基準において、評価が「Ｃ」以上であれば、半導体デバイス製造用処理液として要求される欠陥の抑制能を達成している。
「Ａ」：欠陥数が０以上５０以下
「Ｂ」：欠陥数が５０超１００以下
「Ｃ」：欠陥数が１００超５００個以下
「Ｄ」：欠陥数が５００超１０００個以下
「Ｅ」：欠陥数が１０００個超

＜＜実施例２〜２３、比較例１、比較例２＞＞
下記表１に示す組成の過酸化水素組成物が得られるように、上記実施例１の過酸化水素組成物の調製方法及び使用材料を変更して、実施例２〜２３、比較例１及び比較例２の過酸化水素組成物を調製し、同様の評価を行った。結果を表１に示す。

なお、表１において、例えば１０＾（−１）は、「１０の−１乗」（０．１）を意図する。また、例えば、１０＾１は、「１０の１乗」（１０）を意図する。
また、表１において「酸」には、第４工程で添加したリン酸のほか、アントラキノンの分解生成物として生成したフタル酸誘導体が含まれる。
また、第１表中の（Ｄ）及び（Ｅ）欄の各種金属成分については、総メタル量を意味する。
また、表２は、表１の金属成分の組成を表し、具体的には、金属イオン（イオン金属）と金属粒子（非イオン金属）とを分けて示したものである。なお、表２において、金属粒子（非イオン金属）は、「ＳＮＰ−ＩＣＰ−ＭＳ」により測定した各種金属粒子である。

表１の結果から、実施例の過酸化水素組成物によれば、保存安定性に優れ、且つ、半導体デバイス製造工程に適用した際に半導体基板への欠陥影響が少ないことが確認された。

また、実施例１、実施例９、１０、１１及び比較例２の対比から、上記Ｆｅ成分の含有量は、組成物全質量に対して０．１質量ｐｐｔ〜１質量ｐｐｂ（好ましくは０．１質量ｐｐｔ〜８００質量ｐｐｔ、より好ましくは０．１質量ｐｐｔ〜５００質量ｐｐｔ）であると、保存安定性に優れ、且つ、半導体デバイス製造工程に適用した際に半導体基板への欠陥影響が少ない効果を優れたレベルで両立できるとともに、更に、酸化力にも優れることが確認された。

また、実施例１、実施例６、７、８及び比較例１の対比から、酸の含有量は、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｂ〜１０００質量ｐｐｂ（好ましくは０．０５質量ｐｐｂ〜８００質量ｐｐｂ、より好ましくは０．０５質量ｐｐｂ〜５００質量ｐｐｂ）であると、保存安定性に優れ、且つ、半導体デバイス製造工程に適用した際に半導体基板への欠陥影響が少ない効果を優れたレベルで両立できることが確認された。

また、実施例１、実施例２〜５の対比から、アントラキノン類化合物を含有する場合、アントラキノン類化合物の含有量は、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｂ〜１０００質量ｐｐｂ（好ましくは０．０５質量ｐｐｂ〜８００質量ｐｐｂ、より好ましくは０．０５質量ｐｐｂ〜５００質量ｐｐｂ）であると、更に、半導体デバイス製造工程に適用した際に半導体基板への欠陥影響が少ないことが確認された。

また、実施例１、実施例１２、実施例１３の対比から、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分を含有する場合、上記金属成分の含有量が、各特定原子ごとにそれぞれ、組成物全量に対して０．０１質量ｐｐｔ〜１質量ｐｐｂ（好ましくは０．０１質量ｐｐｔ〜８００質量ｐｐｔ、より好ましくは０．０１質量ｐｐｔ〜５００質量ｐｐｔ）であると、更に、半導体デバイス製造工程に適用した際に半導体基板への欠陥影響が少ないことが確認された。

また、実施例の結果から、Ｆｅ成分の含有量が、酸の含有量に対して質量比で１０^−３〜１０^−１である場合、保存安定性に優れ、半導体デバイス製造工程に適用した際に半導体基板への欠陥影響が少なく、更に酸化力にも優れることが確認された。

また、実施例の結果から、Ｎｉ原子、Ｐｔ原子、Ｐｄ原子、Ｃｒ原子、Ｔｉ原子及びＡｌ原子からなる群より選ばれる特定金属原子を含む金属成分が金属粒子を含有する場合、金属粒子の含有量が、それぞれ独立して、組成物全量に対して０．０１質量ｐｐｔ〜５００質量ｐｐｔ（好ましくは０．０１質量ｐｐｔ〜１００質量ｐｐｔ、より好ましくは０．０１質量ｐｐｔ〜５０質量ｐｐｔ）であると、更に、半導体デバイス製造工程に適用した際に半導体基板への欠陥影響が少ないことが確認された。

一方、比較例の過酸化水素組成物では、保存安定性と、半導体基板への欠陥影響とを、両立できない結果となった。

＜＜実施例Ａ１〜Ａ３＞＞
過酸化水素組成物と接触する領域を下記表３の成分とする保管容器中に実施例１の過酸化水素組成物を入れて２５℃で１ヶ月間保管した後に、ＳＮＰ−ＩＣＰ−ＭＳの測定及び欠陥性能の評価を行った。ＳＮＰ−ＩＣＰ−ＭＳ及び欠陥性能の評価測定方法は、実施例１と同様である。結果を表３に示す。なお、下記表３の実施例Ａ１〜Ａ３欄において示す各金属成分の濃度は保管後における濃度を意味する。また、表３において「ＳＮＰ−ＩＣＰ−ＭＳ」における測定対象は、Ｆｅ粒子である。
なお、容器との接触角は、接触角計ＤＭ−９０１（協和界面化学社製）により測定した。

なお、表中、ＰＦＡは、テトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体を表し、ＰＴＦＥは、ポリテトラフルオロエチレンを表す。

表３の結果から、過酸化水素組成物を、過酸化水素組成物と接触する領域が非金属を主成分とする材料で形成された保管容器に保存することで、長期保管後も欠陥性能に優れることが確認された。

＜＜実施例Ｂ１〜Ｂ７＞＞
過酸化水素水（実施例Ｂ１〜Ｂ７は、実施例１の過酸化水素組成物を使用した。実施例Ｂ５、Ｂ６及びＢ７では、実施例１の過酸化水素組成物において、過酸化水素の濃度のみ表４に記載する過酸化水素濃度（質量％）に変更したものを使用した。）と硫酸水（硫酸濃度（質量％）：表４に記載）とを表４に示す混合比率（質量比）で混合し、下記表４に示す条件にてレジスト剥離試験を行った。以下に、試験対象のレジストを示す。

（レジスト剥離試験）
試験ウエハ：シリコンウエハ上に、１０μｍのＰＭＥＲ Ｐ−ＣＡ１０００ＰＭ（ＴＯＫ製ポジ型レジスト）を製膜し、このレジスト層に対する剥離能力を下記条件にて評価した。
・薬液量：２００ｍｌ．
・ウエハサイズ：3ｃｍ×3ｃｍ
・処理方法：ウエハを薬液に浸漬
・処理時間 １ｍｉｎ．

なお、表４において、実施例Ｂ１〜Ｂ４については、硫酸水を事前に９０℃まで加熱したのちに過酸化水素組成物と混合した。また、実施例Ｂ５〜Ｂ７については、硫酸水を事前に６５℃まで加熱したのちに過酸化水素組成物と混合した。いずれの実施例についても、過酸化水素組成物と硫酸水とを混合した後、さらに「処理温度」となるまで加熱を行った後、レジストの剥離試験に用いた。

レジスト剥離性については、下記の評価基準に基づいて判定した。
「Ａ」：目視で１００％のレジスト除去性を示した。
「Ｂ」：目視で９０％以上〜１００％未満のレジスト除去性を示した。
「Ｃ」：目視で９０％未満のレジスト除去性を示した。

上記表４の結果から、本発明の過酸化水素組成物はＳＰＭ処理に好ましく適用できることが確認された。

＜＜実施例Ｃ１〜Ｃ５、比較例３＞＞
過酸化水素水（実施例Ｃ１〜Ｃ３は、実施例１の過酸化水素組成物を使用した。実施例Ｃ４〜Ｃ５では、実施例１の過酸化水素組成物において、過酸化水素の濃度のみ表５に記載する過酸化水素濃度（質量％）に変更したものを使用した。）とアンモニア水（アンモニア濃度（質量％）：表５に記載）とを表５に示す混合比率（質量比）で混合し、下記条件でＳｉ基板上のパーティクル除去試験を行った。本実施例で使用したアンモニア水は全金属濃度が１０質量ｐｐｔ以下であることを確認した高純度アンモニア水である。なお、比較例３で用いた過酸化水素組成物は、表１中の比較例２の過酸化水素組成物である。

なお、いずれの実施例についても、過酸化水素組成物とアンモニア水とを混合した後、「処理温度」となるまで加熱を行った後、パーティクル除去処理に用いた。

・パーティクル除去試験
ＴＥＯＳ（テトラエチルオルトシリケート）基板上に各薬液を塗布し、その後ＵＶｉｓｏｎ５（アプライドマテリアルズ社製）のブライトフィールドの測定モードで処理前後の欠陥数をカウントした。このカウントの内、欠陥分類評価ＥＤＡＸ（元素分析）を行い、Ｓｉを含有する欠陥数を総パーティクルとした。尚、測定前のＴＥＯＳ基板上の総パーティクル数は２００個であった。

パーティクル除去性については、下記の評価基準に基づいて判定した。
「Ａ」：総パーティクル数が５０個以下
「Ｂ」：総パーティクル数が５０個超〜１００個以下
「Ｃ」：総パーティクル数が１００個超〜２００個以下
「Ｄ」：総パーティクル数が２００個超

上記表５の結果から、本発明の過酸化水素組成物を用いてＳＣ−１処理を実施すると、パーティクル除去性に優れることが確認された。

＜＜実施例Ｄ１〜Ｄ６、比較例４＞＞
過酸化水素水（実施例Ｄ１〜Ｄ６は、実施例１の過酸化水素組成物を使用した。実施例Ｄ５〜Ｄ６では、実施例１の過酸化水素組成物において、過酸化水素の濃度のみ表６に記載する過酸化水素濃度（質量％）に変更したものを使用した。）と塩酸水（塩酸濃度（質量％）：表６に記載）とを表６に示す混合比率（質量比）で混合し、下記条件でＳｉ基板上の金属除去試験を行った。
本実施例で使用した塩酸水は全金属濃度が１０質量ｐｐｔ以下であることを確認した高純度塩酸水である。なお、比較例４で用いた過酸化水素組成物は、表１中の比較例２の過酸化水素組成物である。

なお、いずれの実施例についても、過酸化水素組成物とアンモニア水とを混合した後、「処理温度」となるまで加熱を行った後、金属イオン除去処理液として用いた。

・金属イオン除去試験
ＴＥＯＳ基板上に各薬液を塗布し、その後ＵＶｉｓｏｎ５（アプライドマテリアルズ社製）のブライトフィールドの測定モードで処理前後の欠陥数をカウントした。このカウントの内、欠陥分類評価ＥＤＡＸ（元素分析）を行い、Ｓｉを除く金属原子を含有する欠陥数を総金属イオン成分数とした。尚、測定前のＴＥＯＳ基板上の金属イオン成分数は５０個であった。

金属イオン除去性については、下記の評価基準に基づいて判定した。
「Ａ」：金属イオン成分が２０個以下
「Ｂ」：金属イオン成分が２０個超〜３０個以下
「Ｃ」：金属イオン成分が３０個超〜５０個以下
「Ｄ」：金属イオン成分が５０個超

上記表６の結果から、本発明の過酸化水素組成物を用いてＳＣ−２処理を実施すると、金属イオン除去性に優れることが確認された。

＜＜実施例Ｅ１〜Ｅ４＞＞
基準液（表７中の「処理前」に相当する精製前液である。）に対して下記表７に示すろ過試験を行い、ろ過後の各種金属（Ｆｅ成分、Ｐｔ成分）の総メタル濃度、及びＳＮＰ−ＩＣＰ―ＭＳで測定したＦｅ粒子量を確認した。なお、基準液は、下記表７に示す「処理前」の組成の過酸化水素組成物が得られるように上記実施例１の過酸化水素組成物の調製方法を変更して調製したものである。また、各実施例において、記載される各組成は表７中に記載されるフィルタリング工程を経て精製された組成を意味する。つまり、例えば実施例Ｅ１では、処理前の過酸化水素組成物を表７に記載したナイロン（孔径５ｎｍ）でフィルタリングしたことを意味し、この結果（Ｂ）アントラキノン類化合物の含有量が０．１質量ｐｐｂ、（Ｃ）酸濃度が０．１質量ｐｐｂ、（Ｄ）Ｆｅ成分濃度が３１質量ｐｐｔ、（Ｅ）Ｐｔ成分濃度が８質量ｐｐｔに精製されたことを意味する。結果を表７に示す。

上記表７の結果から、ＰＴＦＥ及びＰＴＡ等のフッ素系樹脂により形成されたフィルタを用いることで、金属成分の量を効率的に減らすことができることが確認された。

１００、２００ 製造装置
１０１ タンク
１０２ 供給口
１０３、１０６、１０７ 弁
１０４ ポンプ
１０５ ろ過装置
１０８ 容器
１０９ 供給管路
１１０ 循環管路
１１１ 排出部
１１２ 洗浄液モニタリング部
１１３ 管路
２０１ 蒸留塔
２０２、２０３、２０４ 管路
２０５、２０６、２０７ 弁

Claims (16)

1. 過酸化水素と、酸と、Ｆｅ成分と、を含み、
   前記Ｆｅ成分の含有量が、前記酸の含有量に対して質量比で１０^−５〜１０^２である、組成物。
2. 更に、アントラキノン類化合物を含む、請求項１に記載の組成物。
3. 前記アントラキノン類化合物の含有量が、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｂ〜１０００質量ｐｐｂである、請求項１又は請求項２に記載の組成物。
4. 前記酸の含有量が、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｂ〜１０００質量ｐｐｂである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
5. 前記Ｆｅ成分の総含有量が、組成物全質量に対して０．１質量ｐｐｔ〜１質量ｐｐｂである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物。
6. 前記Ｆｅ成分中に含まれるＦｅ粒子の含有量が、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｔ〜０．１質量ｐｐｂである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の組成物。
7. 更に、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分を少なくとも１種以上含み、
   前記金属成分の含有量が、各特定原子ごとにそれぞれ、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｔ〜１０質量ｐｐｂである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物。
8. 更に、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ及びＡｌからなる群より選ばれる特定原子を含む金属成分を少なくとも１種以上含み、
   前記金属成分の含有量が、組成物全質量に対して０．０１質量ｐｐｔ〜１質量ｐｐｂである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物。
9. 前記アントラキノン類化合物が、アルキルアントラキノン及びアルキルテトラヒドロアントラキノンからなる群から選ばれる少なくとも１種以上である、請求項２〜８のいずれか１項に記載の組成物。
10. 前記アルキルアントラキノンが、エチルアントラキノン又はアミルアントラキノンであり、前記アルキルテトラヒドロアントラキノンが、エチルテトラヒドロアントラキノン又はアミルテトラヒドロアントラキノンである、請求項９に記載の組成物。
11. 前記酸が、リン酸、及び、リン酸誘導体からなる群から選択される１種である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の組成物。
12. 半導体基板の処理液として用いられる、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の組成物。
13. 保管容器と、前記保管容器内に収容された、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の組成物と、を有する組成物収容体であり、
    前記保管容器の前記組成物と接触する領域が非金属を主成分とする材料により形成されている、組成物収容体。
14. 前記非金属を主成分とする材料が、高密度ポリエチレン、テトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、及び、ポリテトラフルオロエチレンからなる群から選ばれるいずれか１種である、請求項１３に記載の組成物収容体。
15. 前記非金属を主成分とする材料の水との接触角が６０〜１２０°である、請求項１３又は請求項１４に記載の組成物収容体。
16. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載の組成物の製造方法であり、
    溶剤、及び、アントラキノン類化合物を含む原料成分から選ばれるいずれか１種以上を精製する原料精製工程と、
    前記アントラキノン類化合物を触媒の存在下で還元してアントラヒドロキノン類化合物を合成し、更に前記アントラヒドロキノン類化合物を酸化して過酸化水素を合成する、過酸化水素合成工程と、
    得られた過酸化水素を抽出することにより反応系から取り出す、過酸化水素分離工程と、
    反応系から分離された過酸化水素を含む過酸化水素組成物を更に精製する、過酸化水素組成物精製工程と、を有する、組成物の製造方法。