JPH07183288A - 半導体ウェーハ処理剤 - Google Patents
半導体ウェーハ処理剤Info
- Publication number
- JPH07183288A JPH07183288A JP32854593A JP32854593A JPH07183288A JP H07183288 A JPH07183288 A JP H07183288A JP 32854593 A JP32854593 A JP 32854593A JP 32854593 A JP32854593 A JP 32854593A JP H07183288 A JPH07183288 A JP H07183288A
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- JP
- Japan
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- surfactant
- alcohol
- semiconductor wafer
- etchant
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコン表面の濡れ性を維持しつつ、発泡性
を抑えて表面処理後ウェーハ表面に付着して残存するパ
ーティクルの数を低下させる半導体ウェーハ処理剤を提
供することを目的とする 【構成】 酸性または塩基性溶液からなるエッチャン
ト、界面活性剤およびアルコールを含んでなることを特
徴とする半導体ウェーハ処理剤。
を抑えて表面処理後ウェーハ表面に付着して残存するパ
ーティクルの数を低下させる半導体ウェーハ処理剤を提
供することを目的とする 【構成】 酸性または塩基性溶液からなるエッチャン
ト、界面活性剤およびアルコールを含んでなることを特
徴とする半導体ウェーハ処理剤。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造プロセスにお
ける半導体ウェーハ処理剤に関し、特に、シリコン酸化
膜の剥離工程に使用される処理剤に関する。
ける半導体ウェーハ処理剤に関し、特に、シリコン酸化
膜の剥離工程に使用される処理剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造プロセスにおいては、
熱酸化あるいは気相成長法により形成されたシリコン酸
化膜を溶解するために、たとえば、フッ化水素（Ｈ
Ｆ）、フッ化アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ）、水からなるフ
ッ酸緩衝液のようなウェーハ処理剤が用いられている。
このウェーハ処理剤は、いわゆるウェットエッチング処
理、ウェーハの洗浄処理等のウェーハ表面の処理に使用
される。
熱酸化あるいは気相成長法により形成されたシリコン酸
化膜を溶解するために、たとえば、フッ化水素（Ｈ
Ｆ）、フッ化アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ）、水からなるフ
ッ酸緩衝液のようなウェーハ処理剤が用いられている。
このウェーハ処理剤は、いわゆるウェットエッチング処
理、ウェーハの洗浄処理等のウェーハ表面の処理に使用
される。
【０００３】しかしながら、たとえば、半導体ウェーハ
処理剤をエッチング処理に使用する場合には、シリコン
酸化膜の溶解はウェーハ面内で均一に行われることが必
要であるが、半導体デバイスの高集積化が進み高アスペ
クト比加工された段差の激しい表面に対して液が均一に
回り込まないことがあるので、シリコン酸化膜が完全に
溶解されず部分的に残る場合がある。また、シリコン酸
化膜が剥離された後のシリコン表面は強い疎水性（接触
角約８５°）となるので、この状態で処理液槽内を純水
に置換するときに非常にパーティクルが付着しやすかっ
た。そこで、処理液に界面活性剤を添加しシリコン表面
の濡れ性を上げることにより、パーティクルの付着を防
止していた。
処理剤をエッチング処理に使用する場合には、シリコン
酸化膜の溶解はウェーハ面内で均一に行われることが必
要であるが、半導体デバイスの高集積化が進み高アスペ
クト比加工された段差の激しい表面に対して液が均一に
回り込まないことがあるので、シリコン酸化膜が完全に
溶解されず部分的に残る場合がある。また、シリコン酸
化膜が剥離された後のシリコン表面は強い疎水性（接触
角約８５°）となるので、この状態で処理液槽内を純水
に置換するときに非常にパーティクルが付着しやすかっ
た。そこで、処理液に界面活性剤を添加しシリコン表面
の濡れ性を上げることにより、パーティクルの付着を防
止していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体ウェーハ処理剤によれば、界面活性剤を添加した
ことにより処理剤が泡立つ傾向があった。そして、この
泡立ちとパーティクル付着の相関を研究した結果、本発
明者は界面活性剤の添加による泡立ちに起因して次のよ
うな問題が生じていることを新たに発見した。 １．エッチング面に泡が付着しエッチングむらが生じた
り、エッチング面の微細な隙間に泡が入り込んでエッチ
ング不良を起こす。 ２．処理剤から引き上げたシリコン表面に泡が付着して
シミあるいはパーティクルができる。特に、線幅の１／
１０以上の径のパーティクルになると、幅の狭い配線間
においてショートを引き起こす可能性が高い。
半導体ウェーハ処理剤によれば、界面活性剤を添加した
ことにより処理剤が泡立つ傾向があった。そして、この
泡立ちとパーティクル付着の相関を研究した結果、本発
明者は界面活性剤の添加による泡立ちに起因して次のよ
うな問題が生じていることを新たに発見した。 １．エッチング面に泡が付着しエッチングむらが生じた
り、エッチング面の微細な隙間に泡が入り込んでエッチ
ング不良を起こす。 ２．処理剤から引き上げたシリコン表面に泡が付着して
シミあるいはパーティクルができる。特に、線幅の１／
１０以上の径のパーティクルになると、幅の狭い配線間
においてショートを引き起こす可能性が高い。
【０００５】つまり、本発明者はこのような問題が特に
微細化の進んだ半導体デバイスにおいて致命的な欠陥を
生じさせ、引いては歩留りの低下につながる原因の一つ
となっていることをも同時に発見したのである。
微細化の進んだ半導体デバイスにおいて致命的な欠陥を
生じさせ、引いては歩留りの低下につながる原因の一つ
となっていることをも同時に発見したのである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、発明者により
新たに見い出された課題に鑑みてなされたものであり、
シリコン表面の濡れ性を維持しつつ、発泡性を抑えて表
面処理後ウェーハ表面に付着して残存するパーティクル
の数を低下させる半導体ウェーハ処理剤を提供すること
を目的とするものである。
新たに見い出された課題に鑑みてなされたものであり、
シリコン表面の濡れ性を維持しつつ、発泡性を抑えて表
面処理後ウェーハ表面に付着して残存するパーティクル
の数を低下させる半導体ウェーハ処理剤を提供すること
を目的とするものである。
【０００７】すなわち、本発明の半導体ウェーハ処理剤
は、酸性または塩基性溶液からなるエッチャントと、界
面活性剤と、アルコールとを含んでなるものである。
は、酸性または塩基性溶液からなるエッチャントと、界
面活性剤と、アルコールとを含んでなるものである。
【０００８】アルコールの添加は、界面活性剤による濡
れ性を維持しつつその発泡性を抑える効果を生じる。し
かも、エッチャント、界面活性剤からなる系にアルコー
ルを添加することにより、臨界ミセル濃度以下の界面活
性剤の添加量であっても最大の濡れ性（最小の表面張
力）が維持されることが判明した。これは、同一レベル
の濡れ性を得ながら界面活性剤の添加量（使用量）を減
少させることができることを意味する。ここで、半導体
表面処理においては炭素含有物質が残存しない方が望ま
しいので、アルコールの添加により半導体ウェーハ処理
剤中の界面活性剤（主に炭化水素からなる）の量を減少
させることができるということはさらに有利な点となり
得る。
れ性を維持しつつその発泡性を抑える効果を生じる。し
かも、エッチャント、界面活性剤からなる系にアルコー
ルを添加することにより、臨界ミセル濃度以下の界面活
性剤の添加量であっても最大の濡れ性（最小の表面張
力）が維持されることが判明した。これは、同一レベル
の濡れ性を得ながら界面活性剤の添加量（使用量）を減
少させることができることを意味する。ここで、半導体
表面処理においては炭素含有物質が残存しない方が望ま
しいので、アルコールの添加により半導体ウェーハ処理
剤中の界面活性剤（主に炭化水素からなる）の量を減少
させることができるということはさらに有利な点となり
得る。
【０００９】エッチャント（エッチング液）は、加工材
料の種類に応じて、ＨＦ、ＨＮＯ3、ＣＨ3 ＣＯＯＨ、
Ｈ3 ＰＯ4 、ＮＨ4 Ｆ等の単独成分もしくは混合系から
なる酸性エッチャント、あるいは、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、
ＮＨ4 ＯＨ、コリン［（ＣＨ3 ）3 ＮＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ
Ｈ］ＯＨ等の単独もしくは混合系からなる塩基性エッチ
ャントが使用される。
料の種類に応じて、ＨＦ、ＨＮＯ3、ＣＨ3 ＣＯＯＨ、
Ｈ3 ＰＯ4 、ＮＨ4 Ｆ等の単独成分もしくは混合系から
なる酸性エッチャント、あるいは、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、
ＮＨ4 ＯＨ、コリン［（ＣＨ3 ）3 ＮＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ
Ｈ］ＯＨ等の単独もしくは混合系からなる塩基性エッチ
ャントが使用される。
【００１０】界面活性剤は、陰イオン性、陽イオン性、
両性および非イオン性その他の界面活性剤が使用でき
る。界面活性剤はエッチャントとの相容性があるものが
好ましい。たとえば、上記のフッ酸緩衝液に適合する界
面活性剤は、フッ酸緩衝液と混合したときに分離現象を
示さないことが好ましい。界面活性剤には炭化水素系と
炭化フッ素系があるが、炭化フッ素系はフッ酸緩衝液と
混合したときには分離現象を示すので、フッ酸緩衝液の
ときには炭化水素系界面活性剤が好適である。
両性および非イオン性その他の界面活性剤が使用でき
る。界面活性剤はエッチャントとの相容性があるものが
好ましい。たとえば、上記のフッ酸緩衝液に適合する界
面活性剤は、フッ酸緩衝液と混合したときに分離現象を
示さないことが好ましい。界面活性剤には炭化水素系と
炭化フッ素系があるが、炭化フッ素系はフッ酸緩衝液と
混合したときには分離現象を示すので、フッ酸緩衝液の
ときには炭化水素系界面活性剤が好適である。
【００１１】添加するアルコール類は、後述するよう
に、界面活性剤と親和性を有するものであるならば全て
使用できるが、炭素数１から８の低級アルコール類、好
ましくは、炭素数２〜４の直鎖状または分枝状のアルコ
ール類が好ましい。たとえば、エチルアルコール、ｎ−
プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブ
チルアルコール、イソブチルアルコール等である。比較
的長鎖の高級アルコールを使用する場合、溶解性、廃液
処理の点で問題が生じるからである。
に、界面活性剤と親和性を有するものであるならば全て
使用できるが、炭素数１から８の低級アルコール類、好
ましくは、炭素数２〜４の直鎖状または分枝状のアルコ
ール類が好ましい。たとえば、エチルアルコール、ｎ−
プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブ
チルアルコール、イソブチルアルコール等である。比較
的長鎖の高級アルコールを使用する場合、溶解性、廃液
処理の点で問題が生じるからである。
【００１２】アルコールの添加量は、その種類および配
合される界面活性剤の量にもよるが、泡立ちの抑制と濡
れ性とを同時に得る観点から、約３％から約１０％が好
ましい。約３％以下のときには、泡立ちの抑制が完全で
ない。約１０％以上のときには、界面活性剤の濡れ性が
阻害される傾向がある。
合される界面活性剤の量にもよるが、泡立ちの抑制と濡
れ性とを同時に得る観点から、約３％から約１０％が好
ましい。約３％以下のときには、泡立ちの抑制が完全で
ない。約１０％以上のときには、界面活性剤の濡れ性が
阻害される傾向がある。
【００１３】アルコールを添加することにより、臨界ミ
セル濃度以下の界面活性剤の添加量であっても最大の濡
れ性（最小の表面張力）が維持されることが判明した。
これは、同一レベルの濡れ性を得ながら界面活性剤の添
加量（使用量）を減少させることができることを意味す
る。したがって、アルコールの添加により、泡立ちを抑
制しながらウェーハ表面における良好な濡れ性が維持さ
れ、また、ウェーハ表面において残存する可能性のある
炭素含有物質（界面活性剤）の使用量を減らすことがで
きる。
セル濃度以下の界面活性剤の添加量であっても最大の濡
れ性（最小の表面張力）が維持されることが判明した。
これは、同一レベルの濡れ性を得ながら界面活性剤の添
加量（使用量）を減少させることができることを意味す
る。したがって、アルコールの添加により、泡立ちを抑
制しながらウェーハ表面における良好な濡れ性が維持さ
れ、また、ウェーハ表面において残存する可能性のある
炭素含有物質（界面活性剤）の使用量を減らすことがで
きる。
【００１４】溶媒としては、水もしくは有機溶媒または
これらの混合物が使用され得る。
これらの混合物が使用され得る。
【００１５】界面活性剤を含むウェーハ処理溶液にアル
コールを添加することにより、発泡性が低下することは
定性的に以下のように考えられる。
コールを添加することにより、発泡性が低下することは
定性的に以下のように考えられる。
【００１６】一般に、界面活性剤は親水基と疎水基とを
有する長鎖の分子構造を有する。たとえば、脂肪族アミ
ンの一種であるオクチルアミンはＣＨ3 （ＣＨ2 ）7 Ｎ
Ｈ2という構造であり、水に溶解するとＣＨ3 （Ｃ
Ｈ2 ）7 ＮＨ3 + という陽イオンとなる。このとき親水
性基は−ＮＨ3 + 、疎水性基は−ＣＨ3 （ＣＨ2 ）7 で
ある。このような疎水性基は水に排斥されて水から追い
出される傾向にあり、したがって、界面活性剤は表面
（界面）の方に移行し安定化しようとすることから、界
面活性剤が表面（界面）に配向吸着することにより、表
面自由エネルギーが減少し表面張力が低下する。ここ
で、表面張力は、表面の吸着分子が飽和した段階の界面
活性剤濃度、つまり、臨界ミセル濃度（ＣＭＣ）におい
て最小となり、このときシリコン表面と液体との間の濡
れが最大になる。表面張力の低下にともなって界面活性
剤は泡を形成し易くなる。しかしながら、この系にアル
コールを添加すると、アルコールの水溶液表面への吸着
速度が比較的大きいので引き伸ばされた表面における界
面活性剤分子が欠乏する傾向になり泡が不安定性とな
り、その結果発泡性が抑制されるものと考えられる。
有する長鎖の分子構造を有する。たとえば、脂肪族アミ
ンの一種であるオクチルアミンはＣＨ3 （ＣＨ2 ）7 Ｎ
Ｈ2という構造であり、水に溶解するとＣＨ3 （Ｃ
Ｈ2 ）7 ＮＨ3 + という陽イオンとなる。このとき親水
性基は−ＮＨ3 + 、疎水性基は−ＣＨ3 （ＣＨ2 ）7 で
ある。このような疎水性基は水に排斥されて水から追い
出される傾向にあり、したがって、界面活性剤は表面
（界面）の方に移行し安定化しようとすることから、界
面活性剤が表面（界面）に配向吸着することにより、表
面自由エネルギーが減少し表面張力が低下する。ここ
で、表面張力は、表面の吸着分子が飽和した段階の界面
活性剤濃度、つまり、臨界ミセル濃度（ＣＭＣ）におい
て最小となり、このときシリコン表面と液体との間の濡
れが最大になる。表面張力の低下にともなって界面活性
剤は泡を形成し易くなる。しかしながら、この系にアル
コールを添加すると、アルコールの水溶液表面への吸着
速度が比較的大きいので引き伸ばされた表面における界
面活性剤分子が欠乏する傾向になり泡が不安定性とな
り、その結果発泡性が抑制されるものと考えられる。
【００１７】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。 ＜実施例１＞６重量％のフッ化水素酸、３０重量％のフ
ッ化アンモニウムおよび超純水を混合し、フッ酸緩衝液
を調製した。このフッ酸緩衝液に、界面活性剤として、
０．０００２重量％のオクチルアミン、０．０１重量％
の２−アルキル−Ｎ−カルボキシルエチル−Ｎ−ヒドロ
キシエチルイミダゾリニウムベタインおよび０．０１重
量％のアルキルヒドロキシルエチル４級アンモニウムを
添加し、さらに、６重量％のエチルアルコールを添加し
た。充分撹拌混合した後、ポアサイズ０．０５μｍのフ
ィルターを用いて混合液をろ過して半導体ウェーハ処理
液を調製した。
説明する。 ＜実施例１＞６重量％のフッ化水素酸、３０重量％のフ
ッ化アンモニウムおよび超純水を混合し、フッ酸緩衝液
を調製した。このフッ酸緩衝液に、界面活性剤として、
０．０００２重量％のオクチルアミン、０．０１重量％
の２−アルキル−Ｎ−カルボキシルエチル−Ｎ−ヒドロ
キシエチルイミダゾリニウムベタインおよび０．０１重
量％のアルキルヒドロキシルエチル４級アンモニウムを
添加し、さらに、６重量％のエチルアルコールを添加し
た。充分撹拌混合した後、ポアサイズ０．０５μｍのフ
ィルターを用いて混合液をろ過して半導体ウェーハ処理
液を調製した。
【００１８】この処理液によるウェーハ処理では、良好
な濡れ性を示すと同時に発泡性が抑えられていた。 ＜実施例２＞実施例１と同じ組成のフッ酸緩衝液に、さ
らに界面活性剤として、０．０００１重量％のドデシル
アミン、０．０２重量％のジアルキルスルホコハク酸ア
ンモニウムを添加し、これに４重量％のイソプロピルア
ルコールを添加した。充分撹拌した後、ポアサイズ０．
０５μｍのフィルターを用いて混合液をろ過して半導体
ウェーハ処理液を調製した。
な濡れ性を示すと同時に発泡性が抑えられていた。 ＜実施例２＞実施例１と同じ組成のフッ酸緩衝液に、さ
らに界面活性剤として、０．０００１重量％のドデシル
アミン、０．０２重量％のジアルキルスルホコハク酸ア
ンモニウムを添加し、これに４重量％のイソプロピルア
ルコールを添加した。充分撹拌した後、ポアサイズ０．
０５μｍのフィルターを用いて混合液をろ過して半導体
ウェーハ処理液を調製した。
【００１９】この処理液によるウェーハ処理では、良好
な濡れ性を示すと同時に発泡性が抑えられていた。 ＜比較例１＞アルコールを含まない半導体ウェーハ処理
液を以下のように調製した。６重量％のフッ化水素酸、
３０重量％のフッ化アンモニウムおよび超純水を混合
し、フッ酸緩衝液を調製した。このフッ酸緩衝液に、界
面活性剤として、０．０００２重量％のオクチルアミ
ン、０．０１重量％の２−アルキル−Ｎ−カルボキシル
エチル−Ｎ−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイ
ンおよび０．０１重量％のアルキルヒドロキシルエチル
４級アンモニウムを添加した。充分撹拌混合した後、ポ
アサイズ０．０５μｍのフィルターを用いて混合液をろ
過して半導体ウェーハ処理液（ベース液）を得た。 ＜比較試験１＞比較例１で調製したベース液と、実施例
１で調製した半導体ウェーハ処理液を用いて、アルコー
ル添加の有無による発泡性を比較した。
な濡れ性を示すと同時に発泡性が抑えられていた。 ＜比較例１＞アルコールを含まない半導体ウェーハ処理
液を以下のように調製した。６重量％のフッ化水素酸、
３０重量％のフッ化アンモニウムおよび超純水を混合
し、フッ酸緩衝液を調製した。このフッ酸緩衝液に、界
面活性剤として、０．０００２重量％のオクチルアミ
ン、０．０１重量％の２−アルキル−Ｎ−カルボキシル
エチル−Ｎ−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイ
ンおよび０．０１重量％のアルキルヒドロキシルエチル
４級アンモニウムを添加した。充分撹拌混合した後、ポ
アサイズ０．０５μｍのフィルターを用いて混合液をろ
過して半導体ウェーハ処理液（ベース液）を得た。 ＜比較試験１＞比較例１で調製したベース液と、実施例
１で調製した半導体ウェーハ処理液を用いて、アルコー
ル添加の有無による発泡性を比較した。
【００２０】ＰＦＡ製１００ｍｌ容器に実施例１で調製
した半導体ウェーハ処理液またはベース液を８０ｍｌず
つ入れ、これらの容器を密封して５秒間強く振盪して静
置した後、泡が消えるまでの時間を計測した。その結
果、エチルアルコール添加の処理液（実施例１）では約
５秒後に泡が消えたのに対して、エチルアルコールを添
加しない処理液（比較例１）では泡が消失するまでに約
６５秒間かかった。 ＜比較試験２＞比較例１で調製したベース液に種々の量
のエチルアルコールまたはイソプロピルアルコールを添
加した場合の接触角を測定した。
した半導体ウェーハ処理液またはベース液を８０ｍｌず
つ入れ、これらの容器を密封して５秒間強く振盪して静
置した後、泡が消えるまでの時間を計測した。その結
果、エチルアルコール添加の処理液（実施例１）では約
５秒後に泡が消えたのに対して、エチルアルコールを添
加しない処理液（比較例１）では泡が消失するまでに約
６５秒間かかった。 ＜比較試験２＞比較例１で調製したベース液に種々の量
のエチルアルコールまたはイソプロピルアルコールを添
加した場合の接触角を測定した。
【００２１】シリコンウェーハを１０％フッ酸水溶液に
３分間浸した後取り出した表面は強い疎水性を示した。
このウェーハ表面に前記処理液を各５μｌ載せて接触角
を測定した結果が図１である。これによれば、アルコー
ルの添加量の増加に応じて接触角が低下しており、濡れ
性が向上していることがわかった。なお、同一の添加量
を比べた場合、エチルアルコールよりもイソプロパノー
ルの方が接触角の低下（濡れ性の増加）が大きい。 ＜比較試験３＞ウェーハを処理したときに付着するパー
ティクル数を比較した。６インチシリコンウェーハを酸
化し１００ｎｍの酸化膜を成長させ、実施例１で調製し
た半導体ウェーハ処理液または比較例１で調製したベー
ス液に３分間浸した後、超純水で１０分間すすぎをし
て、その後乾燥した。処理前後のウェーハ上のパーティ
クルを、０．２μｍ以上の粒径のパーティクルが計測で
きるレーザ散乱式パーティクルモニターで計測した。そ
の結果、表１に示すように、エチルアルコールを添加し
た処理液（実施例１）の方が処理の前後でパーティクル
の増加が少なく抑えられていることが判明した。
３分間浸した後取り出した表面は強い疎水性を示した。
このウェーハ表面に前記処理液を各５μｌ載せて接触角
を測定した結果が図１である。これによれば、アルコー
ルの添加量の増加に応じて接触角が低下しており、濡れ
性が向上していることがわかった。なお、同一の添加量
を比べた場合、エチルアルコールよりもイソプロパノー
ルの方が接触角の低下（濡れ性の増加）が大きい。 ＜比較試験３＞ウェーハを処理したときに付着するパー
ティクル数を比較した。６インチシリコンウェーハを酸
化し１００ｎｍの酸化膜を成長させ、実施例１で調製し
た半導体ウェーハ処理液または比較例１で調製したベー
ス液に３分間浸した後、超純水で１０分間すすぎをし
て、その後乾燥した。処理前後のウェーハ上のパーティ
クルを、０．２μｍ以上の粒径のパーティクルが計測で
きるレーザ散乱式パーティクルモニターで計測した。そ
の結果、表１に示すように、エチルアルコールを添加し
た処理液（実施例１）の方が処理の前後でパーティクル
の増加が少なく抑えられていることが判明した。
【００２２】
【表１】
【図１】半導体ウェーハ処理液に添加されるアルコール
量とその接触角との関係を示すグラフである。
量とその接触角との関係を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項１】酸性または塩基性溶液からなるエッチャン
ト、界面活性剤およびアルコールを含んでなることを特
徴とする、半導体ウェーハ処理剤。 - 【請求項２】前記アルコールが、エチルアルコール、イ
ソプロピルアルコール、ｎ−プロピルアルコールまたは
これらの混合物である、請求項１記載の半導体ウェーハ
処理剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32854593A JPH07183288A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 半導体ウェーハ処理剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32854593A JPH07183288A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 半導体ウェーハ処理剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183288A true JPH07183288A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18211482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32854593A Pending JPH07183288A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 半導体ウェーハ処理剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07183288A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0871209A1 (en) * | 1995-11-15 | 1998-10-14 | Daikin Industries, Limited | Wafer-cleaning solution and process for the production thereof |
| US6517738B1 (en) * | 1999-06-29 | 2003-02-11 | Micron Technology, Inc. | Acid blend for removing etch residue |
| US6562726B1 (en) | 1999-06-29 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Acid blend for removing etch residue |
| JP2005210109A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| JP2005210104A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
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