JP2000077257A - アキシャルリード型電子部品及びアキシャルリード型電子部品実装回路基板装置 - Google Patents
アキシャルリード型電子部品及びアキシャルリード型電子部品実装回路基板装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
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-
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
(57)【要約】
【課題】チップ状の電子部品素子１の端子１１に有底円
筒状の金属キャップ２を被せ樹脂３でコーティングした
アキシャル型の電子部品では基板に半田付けする際加熱
されることにより樹脂３が膨張して端子１１に被着させ
たメッキ層１２を構成する半田が本体１０と樹脂３との
隙間に沿って流動し、両端子１１間が近接することによ
りキャパシタンス等の電気的特性が変化する。 【解決手段】金属キャップ２の円筒部２２の内周面に半
田からなる余剰金属層２３を設け、樹脂３が膨張した際
に余剰金属層２３の半田が円筒部２２の外側に流動する
ことにより樹脂３の膨張による影響が端子１１のメッキ
層１２に作用しないようにした。
筒状の金属キャップ２を被せ樹脂３でコーティングした
アキシャル型の電子部品では基板に半田付けする際加熱
されることにより樹脂３が膨張して端子１１に被着させ
たメッキ層１２を構成する半田が本体１０と樹脂３との
隙間に沿って流動し、両端子１１間が近接することによ
りキャパシタンス等の電気的特性が変化する。 【解決手段】金属キャップ２の円筒部２２の内周面に半
田からなる余剰金属層２３を設け、樹脂３が膨張した際
に余剰金属層２３の半田が円筒部２２の外側に流動する
ことにより樹脂３の膨張による影響が端子１１のメッキ
層１２に作用しないようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ状セラミッ
ク電子部品素子に金属キャップを嵌合させたアキシャル
リード型電子部品と該アキシャルリード型電子部品を実
装した回路基板装置に関する。
ク電子部品素子に金属キャップを嵌合させたアキシャル
リード型電子部品と該アキシャルリード型電子部品を実
装した回路基板装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５に示すように、従来より、チップ状
セラミック電子部品素子であるチップコンデンサ１の両
端に形成された端子１１にリード線２１が延設された金
属キャップ２を嵌合させ、樹脂３でコーティングした後
外装材である塗装膜４を被着させたアキシャルリード型
電子部品が知られている。該端子１１には半田メッキま
たは錫メッキにより形成されたメッキ層１２が形成され
ており、チップコンデンサ１の断面形状が矩形であるた
め、メッキ層１２と金属キャップ２の内周面とは４カ所
で電気的に接続させることになる。このようにして作成
されたアキシャルリード型電子部品は基板に実装され、
基板に対して半田付けされる。
セラミック電子部品素子であるチップコンデンサ１の両
端に形成された端子１１にリード線２１が延設された金
属キャップ２を嵌合させ、樹脂３でコーティングした後
外装材である塗装膜４を被着させたアキシャルリード型
電子部品が知られている。該端子１１には半田メッキま
たは錫メッキにより形成されたメッキ層１２が形成され
ており、チップコンデンサ１の断面形状が矩形であるた
め、メッキ層１２と金属キャップ２の内周面とは４カ所
で電気的に接続させることになる。このようにして作成
されたアキシャルリード型電子部品は基板に実装され、
基板に対して半田付けされる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記図示したアキシャ
ルリード型電子部品を基板に実装して半田付けする際、
特にリフロー式の半田付け装置を用いると、アキシャル
リード型電子部品も半田の融点以上に加熱される。ま
た、近年半田の鉛レス化が進み、半田の融点と錫の融点
とが近づく場合傾向にある。そして、上記加熱により端
子１１の表面に被着させているメッキ層１２を構成する
半田や錫が軟化する場合がある。一方、樹脂３の熱膨張
率は金属キャップより熱膨張率が多きい。そのため端子
１１と金属キャップ２の円筒部分との間に介在されてい
る樹脂３が加熱され膨張すると、メッキ層１２の半田や
錫は軟化しているため周囲に押し出される。このように
押し出された半田や錫がコンデンサ部１０と樹脂３との
間を伝って他方の端子側に向かって延びたときキャパシ
タンス等のアキシャル型電子部品としての電気特性が変
化するという不具合が生じる場合がある。そのため、こ
のようなアキシャルリード型電子部品を実装した回路基
板装置は半田付け工程で特性や性能が変化する。
ルリード型電子部品を基板に実装して半田付けする際、
特にリフロー式の半田付け装置を用いると、アキシャル
リード型電子部品も半田の融点以上に加熱される。ま
た、近年半田の鉛レス化が進み、半田の融点と錫の融点
とが近づく場合傾向にある。そして、上記加熱により端
子１１の表面に被着させているメッキ層１２を構成する
半田や錫が軟化する場合がある。一方、樹脂３の熱膨張
率は金属キャップより熱膨張率が多きい。そのため端子
１１と金属キャップ２の円筒部分との間に介在されてい
る樹脂３が加熱され膨張すると、メッキ層１２の半田や
錫は軟化しているため周囲に押し出される。このように
押し出された半田や錫がコンデンサ部１０と樹脂３との
間を伝って他方の端子側に向かって延びたときキャパシ
タンス等のアキシャル型電子部品としての電気特性が変
化するという不具合が生じる場合がある。そのため、こ
のようなアキシャルリード型電子部品を実装した回路基
板装置は半田付け工程で特性や性能が変化する。
【０００４】そこで本発明は、上記の問題点に鑑み、半
田の融点以上に加熱しても両端子に被着した半田や錫が
互いに近づく方向に流動しないアキシャルリード型電子
部品及び該アキシャルリード型電子部品を実装し半田付
け工程で特性や性能が変化しない回路基板装置を提供す
ることを課題とする。
田の融点以上に加熱しても両端子に被着した半田や錫が
互いに近づく方向に流動しないアキシャルリード型電子
部品及び該アキシャルリード型電子部品を実装し半田付
け工程で特性や性能が変化しない回路基板装置を提供す
ることを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、両端に半田メッキまたは錫メッキされた端
子を備えたチップ状セラミック電子部品素子と、該端子
の各々に嵌合される有底筒状の金属キャップと、端子と
金属キャップの内周面との隙間に充填された金属キャッ
プより熱膨張率の大きな樹脂と、少なくともチップ状セ
ラミック電子部品素子を被覆する外装材とで構成された
アキシャルリード型電子部品において、上記金属キャッ
プの筒部内周面に、半田の融点以上に加熱された際に樹
脂の膨張によって金属キャップの外周面側に流動して上
記端子にメッキされた半田または錫の流動を防止する余
剰金属層を設けたことを特徴とする。
に本発明は、両端に半田メッキまたは錫メッキされた端
子を備えたチップ状セラミック電子部品素子と、該端子
の各々に嵌合される有底筒状の金属キャップと、端子と
金属キャップの内周面との隙間に充填された金属キャッ
プより熱膨張率の大きな樹脂と、少なくともチップ状セ
ラミック電子部品素子を被覆する外装材とで構成された
アキシャルリード型電子部品において、上記金属キャッ
プの筒部内周面に、半田の融点以上に加熱された際に樹
脂の膨張によって金属キャップの外周面側に流動して上
記端子にメッキされた半田または錫の流動を防止する余
剰金属層を設けたことを特徴とする。
【０００６】上記余剰金属層を設けることにより、樹脂
が膨張しても半田や錫といった余剰金属層を構成する金
属が金属キャップの外周面側に流動することにより端子
の表面にメッキされた半田や錫を押し出そうとする力が
弱められ、端子表面にメッキされた半田や錫が流動する
ことを防止する。
が膨張しても半田や錫といった余剰金属層を構成する金
属が金属キャップの外周面側に流動することにより端子
の表面にメッキされた半田や錫を押し出そうとする力が
弱められ、端子表面にメッキされた半田や錫が流動する
ことを防止する。
【０００７】
【発明の実施の形態】図を参照して本発明の実施の形態
を説明するが、上記図５に示したものと同一のものにつ
いては図５と同じ符号を用いる。図１を参照して、金属
キャップ２は有底円筒状に形成されており、底部分から
リード線２１が延設されている。チップ状セラミック電
子部品素子であるチップコンデンサ１の両端に形成した
端子１１を金属キャップ２の円筒部２２に嵌合させる。
該端子１１の表面にはチップコンデンサ１のまま基板に
実装する際基板に対して半田付けされやすいように半田
や錫をメッキして形成したメッキ層１２が被着されてい
る。図２に示すように、金属キャップ２の円筒部２２の
内周面には余剰金属層２３が設けられている。該余剰金
属層２３は円筒部２２の内周面に半田または錫を均一に
被着させることにより形成する。該余剰金属層２３を形
成する半田または錫はメッキ層１２を形成する金属（半
田または錫）と同じ材質のものでもよいが、メッキ層１
２を形成する金属より融点が低いものが望ましい。ま
た、余剰金属層２３の厚みはメッキ層１２の厚みとほぼ
同じかそれより厚く形成することが望ましい。
を説明するが、上記図５に示したものと同一のものにつ
いては図５と同じ符号を用いる。図１を参照して、金属
キャップ２は有底円筒状に形成されており、底部分から
リード線２１が延設されている。チップ状セラミック電
子部品素子であるチップコンデンサ１の両端に形成した
端子１１を金属キャップ２の円筒部２２に嵌合させる。
該端子１１の表面にはチップコンデンサ１のまま基板に
実装する際基板に対して半田付けされやすいように半田
や錫をメッキして形成したメッキ層１２が被着されてい
る。図２に示すように、金属キャップ２の円筒部２２の
内周面には余剰金属層２３が設けられている。該余剰金
属層２３は円筒部２２の内周面に半田または錫を均一に
被着させることにより形成する。該余剰金属層２３を形
成する半田または錫はメッキ層１２を形成する金属（半
田または錫）と同じ材質のものでもよいが、メッキ層１
２を形成する金属より融点が低いものが望ましい。ま
た、余剰金属層２３の厚みはメッキ層１２の厚みとほぼ
同じかそれより厚く形成することが望ましい。
【０００８】図３を参照して、上記構成により作成され
たアキシャルリード型電子部品であるコンデンサＣのリ
ード線２１を折り曲げ、基板Ｂに貫設した取付孔Ｈに挿
入し、更に先端を適宜の位置で切断した後抜け止めのた
め折り曲げる。以上の実装工程は自動実装機により行わ
れる。その後リード線２１をパターンＰに半田付けする
ためフロー半田付装置やリフロー半田付装置に搬送され
る。該半田付け工程ではコンデンサＣが加熱される。図
４を参照して、該コンデンサＣは外部から加熱されるの
で金属キャップ２の円筒部２２に続いて余剰金属層２３
が加熱され、余剰金属層２３の半田や錫が軟化する。続
いて金属キャップ２より熱膨張係数が大きい樹脂３が加
熱され膨張する。その際、メッキ層１２の温度は余剰金
属層２３の温度より低温であり、メッキ層１２の半田ま
たは錫は余剰金属層２３の半田または錫より硬い状態に
なっている。従って樹脂３の膨張により余剰金属層２３
の半田または錫が膨張した樹脂３により押し出され円筒
部２２の外周面に回り込む。樹脂３の膨張を余剰金属層
２３の半田または錫の一部が円筒部２２の外周面に回り
込むことにより吸収すると、樹脂３はそれ以上膨張しな
いため円筒部２２の内周面や端子１１の表面のメッキ層
１２に応力を作用させることはない。従って、その後メ
ッキ層１２まで熱が伝わり加熱されメッキ層１２の半田
や錫が軟化しても樹脂３はそれ以上膨張しないのでコン
デンサ部１０と樹脂３との間にメッキ層１２を形成する
半田や錫が流動することはない。尚、半田付け工程が終
了してコンデンサＣが冷えると樹脂３が収縮し、一部の
半田や錫が流動して薄くなった余剰金属層２３と樹脂３
との間に隙間５が形成される。
たアキシャルリード型電子部品であるコンデンサＣのリ
ード線２１を折り曲げ、基板Ｂに貫設した取付孔Ｈに挿
入し、更に先端を適宜の位置で切断した後抜け止めのた
め折り曲げる。以上の実装工程は自動実装機により行わ
れる。その後リード線２１をパターンＰに半田付けする
ためフロー半田付装置やリフロー半田付装置に搬送され
る。該半田付け工程ではコンデンサＣが加熱される。図
４を参照して、該コンデンサＣは外部から加熱されるの
で金属キャップ２の円筒部２２に続いて余剰金属層２３
が加熱され、余剰金属層２３の半田や錫が軟化する。続
いて金属キャップ２より熱膨張係数が大きい樹脂３が加
熱され膨張する。その際、メッキ層１２の温度は余剰金
属層２３の温度より低温であり、メッキ層１２の半田ま
たは錫は余剰金属層２３の半田または錫より硬い状態に
なっている。従って樹脂３の膨張により余剰金属層２３
の半田または錫が膨張した樹脂３により押し出され円筒
部２２の外周面に回り込む。樹脂３の膨張を余剰金属層
２３の半田または錫の一部が円筒部２２の外周面に回り
込むことにより吸収すると、樹脂３はそれ以上膨張しな
いため円筒部２２の内周面や端子１１の表面のメッキ層
１２に応力を作用させることはない。従って、その後メ
ッキ層１２まで熱が伝わり加熱されメッキ層１２の半田
や錫が軟化しても樹脂３はそれ以上膨張しないのでコン
デンサ部１０と樹脂３との間にメッキ層１２を形成する
半田や錫が流動することはない。尚、半田付け工程が終
了してコンデンサＣが冷えると樹脂３が収縮し、一部の
半田や錫が流動して薄くなった余剰金属層２３と樹脂３
との間に隙間５が形成される。
【０００９】ところで、上記実施の形態ではチップ状セ
ラミック電子部品素子としてチップコンデンサを用いた
が、サーミスタ、バリスタ、ビーズインダクタ等のその
他のチップ状セラミック電子部品素子についても適用す
ることができる。
ラミック電子部品素子としてチップコンデンサを用いた
が、サーミスタ、バリスタ、ビーズインダクタ等のその
他のチップ状セラミック電子部品素子についても適用す
ることができる。
【００１０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によるアキシャルリード型電子部品では金属キャップの
筒部内周面に余剰金属層を設けているので、アキシャル
リード型電子部品に内蔵されているチップ状セラミック
電子部品素子の両端子にメッキされている半田や錫が流
動せず、従って両端子が近接することがないのでキャパ
シタンス等の電気的特性が変化しない。また、該アキシ
ャルリード型電子部品を実装した回路基板装置の特性や
性能が半田付け工程により変化することはない。
によるアキシャルリード型電子部品では金属キャップの
筒部内周面に余剰金属層を設けているので、アキシャル
リード型電子部品に内蔵されているチップ状セラミック
電子部品素子の両端子にメッキされている半田や錫が流
動せず、従って両端子が近接することがないのでキャパ
シタンス等の電気的特性が変化しない。また、該アキシ
ャルリード型電子部品を実装した回路基板装置の特性や
性能が半田付け工程により変化することはない。
【図１】チップコンデンサと金属キャップとの嵌合状態
を示す図
を示す図
【図２】チップコンデンサと金属キャップとの嵌合部分
の加熱前の状態を示す断面図
の加熱前の状態を示す断面図
【図３】本発明によるコンデンサの実装状態を示す図
【図４】チップコンデンサと金属キャップとの嵌合部分
の加熱後の状態を示す断面図
の加熱後の状態を示す断面図
【図５】チップコンデンサと金属キャップとの嵌合部分
の従来の状態を示す断面図
の従来の状態を示す断面図
１ チップコンデンサ（チップ状セラミック電子部品素
子） ２ 金属キャップ ３ 樹脂 １１ 電極 １２ メッキ層 ２１ リード線 ２２ 円筒部 ２３ 余剰金属層 Ｃ コンデンサ（アキシャルリード型電子部品）
子） ２ 金属キャップ ３ 樹脂 １１ 電極 １２ メッキ層 ２１ リード線 ２２ 円筒部 ２３ 余剰金属層 Ｃ コンデンサ（アキシャルリード型電子部品）
Claims (2)
- 【請求項１】 両端に半田メッキまたは錫メッキされ
た端子を備えたチップ状セラミック電子部品素子と、該
端子の各々に嵌合される有底筒状の金属キャップと、端
子と金属キャップの内周面との隙間に充填された金属キ
ャップより熱膨張率の大きな樹脂と、少なくともチップ
状セラミック電子部品素子を被覆する外装材とで構成さ
れたアキシャルリード型電子部品において、上記金属キ
ャップの筒部内周面に、半田の融点以上に加熱された際
に樹脂の膨張によって金属キャップの外周面側に流動し
て上記端子にメッキされた半田または錫の流動を防止す
る余剰金属層を設けたことを特徴とするアキシャルリー
ド型電子部品。 - 【請求項２】 請求項１記載のアキシャルリード型電
子部品が実装され半田付けされたことを特徴とするアキ
シャルリード型電子部品実装回路基板装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24400498A JP3836263B2 (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | アキシャルリード型電子部品及びアキシャルリード型電子部品実装回路基板装置 |
| TW088113670A TW442804B (en) | 1998-08-28 | 1999-08-10 | Axial lead electronic part and circuit board mounting it |
| KR1019990035346A KR100657112B1 (ko) | 1998-08-28 | 1999-08-25 | 축 리드형 전자 부품 및 축 리드형 전자 부품 실장 회로 기판장치 |
| CNB991184106A CN1158681C (zh) | 1998-08-28 | 1999-08-28 | 轴向引出型电子元件及其安装的电路其板装置 |
| HK00105719A HK1026507A1 (en) | 1998-08-28 | 2000-09-11 | Axially-lead type electronic parts and circuit substrate device for mounting the same. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24400498A JP3836263B2 (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | アキシャルリード型電子部品及びアキシャルリード型電子部品実装回路基板装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077257A true JP2000077257A (ja) | 2000-03-14 |
| JP3836263B2 JP3836263B2 (ja) | 2006-10-25 |
Family
ID=17112291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24400498A Expired - Fee Related JP3836263B2 (ja) | 1998-08-28 | 1998-08-28 | アキシャルリード型電子部品及びアキシャルリード型電子部品実装回路基板装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3836263B2 (ja) |
| KR (1) | KR100657112B1 (ja) |
| CN (1) | CN1158681C (ja) |
| HK (1) | HK1026507A1 (ja) |
| TW (1) | TW442804B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009011096A1 (ja) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Panasonic Corporation | 電子部品とそのリード線、およびそれらの製造方法 |
| JP2009044120A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-26 | Panasonic Corp | 電子部品及びリード線、それらの製造方法 |
| US8331101B2 (en) | 2009-02-24 | 2012-12-11 | Shinko Electronic Industries Co., Ltd. | Chip component mounted wiring board |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6535105B2 (en) * | 2000-03-30 | 2003-03-18 | Avx Corporation | Electronic device and process of making electronic device |
| KR100822987B1 (ko) * | 2001-09-11 | 2008-04-16 | 주식회사 포스코 | 코크스 이송용 밸트 컨베이어 상의 슬러지 케이크 공급장치 |
| JP4453915B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2010-04-21 | 富士通株式会社 | クロスバー装置、制御方法及びプログラム |
| CN111922474B (zh) * | 2020-07-08 | 2022-01-11 | 安徽工程大学 | 一种金属与陶瓷焊接装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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