JP2000063506A - 芳香族―脂肪族共重合ポリカ―ボネ―ト - Google Patents
芳香族―脂肪族共重合ポリカ―ボネ―トInfo
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Abstract
率と分散特性のバランスが良く、さらに光弾性定数が低
い芳香族−脂肪族共重合ポリカーボネートを提供するこ
と。 【解決手段】特定の構造の芳香族ジヒドロキシ化合物か
ら誘導される構成単位と、トリシクロ(5.2.1.0
2,6 )デカンジメタノ−ルから誘導される構成単位を有
する芳香族−脂肪族共重合ポリカーボネート。
Description
色調、耐熱性を有し、屈折率と分散特性特性のバランス
が良く、さらに低い光弾性定数を有する芳香族−脂肪族
ポリカーボネートおよびその製造方法に関するものであ
る。
ル)プロパン(以下、BPAと記す)等の芳香族ジヒド
ロキシ化合物とホスゲンとを酸結合剤の存在下、界面重
合させて得られるポリカーボネートは、耐衝撃性等の機
械的特性に優れ、しかも耐熱性、透明性にも優れている
ことから、光学材料として各種レンズ、プリズム、光デ
ィスク基板などに利用されている。しかしながら、芳香
族ジヒドロキシ化合物としてBPAだけを用いてなるポ
リカーボネートでは、光弾性定数が大きく、溶融流動性
が比較的悪いために成形品の複屈折が大きくなり、また
屈折率は1.58と高いものの分散の程度を表すアッベ
数が30と低く、屈折率と分散特性とのバランスが悪い
ため、広く光記録材料や光学レンズ等の用途に用いられ
るには十分な性能を有していないという欠点がある。こ
のようなBPA−ポリカーボネートの欠点を解決する目
的で、BPAとトリシクロ(5.2.1.02,6 )デカ
ンジメタノール(以下、TCDDMと記す)の共重合ポ
リカーボネートが提案されている(特開昭64−662
34号)。しかしながら、この共重合ポリカーボネート
の製造方法は、BPAのビスクロロホルメートとTC
DDMあるいはTCDDM及びBPAとを重縮合する、
TCDDMのビスクロロホルメートとBPAあるいは
BPA及びTCDDMとを重縮合する、BPAのビス
クロロホルメートとTCDDMのビスクロロホルメート
との混合物とBPA及び/又はTCDDMとを重縮合す
る方法が述べられているにすぎない。このような、脂肪
族ジヒドロキシ化合物と芳香族ジヒドロキシ化合物の共
重合体の製造において、ジヒドロキシ化合物のビスクロ
ロホルメートを製造し、その後ジヒドロキシ化合物と重
縮合させるという2段階の反応では、製造工程も複雑に
なり、その結果として製造コストも高くなる欠点があっ
た。
な従来技術に伴う問題点を解決しようとするものであ
り、優れた耐衝撃性、色調、耐熱性を有し、屈折率と分
散特性のバランスが良く、さらに光弾性定数が低い芳香
族−脂肪族ポリカーボネートおよびその製造方法を提供
することにある。
衝撃性、色調、耐熱性を有し、屈折率と分散特性のバラ
ンスが良く、さらに光弾性定数が低い芳香族−脂肪族ポ
リカーボネートおよびその製造方法について鋭意研究を
重ねた結果、特定の構造の芳香族−脂肪族ポリカーボネ
ート、並びに原料である炭酸ジエステルの塩素含有量を
低減すれば良いことを見出し、本発明に到達した。すな
わち、本発明は、構成単位として、下記式(1)で表さ
れる単位と下記式(2)で表される単位とを有する芳香
族−脂肪族共重合ポリカーボネートである。
を示す。R1 およびR2はそれぞれ水素原子、炭素数1
〜10のアルキル基またはハロゲンであり、R1とR2
は同じでも異なっていてもよい。また、mおよびnは、
置換基数を表し0〜4の整数である。)
ロキシ化合物と、下記式(5)で表されるトリシクロ
(5.2.1.02,6 )デカンジメタノールと、塩素含
有量20ppm以下の炭酸ジエステルとを加熱溶融下重
縮合させて芳香族−脂肪族共重合ポリカーボネートを製
造する方法である。
を示す。R1 およびR2はそれぞれ水素原子、炭素数1
〜10のアルキル基またはハロゲンであり、R1とR2
は同じでも異なっていても良い。また、mおよびnは置
換基数を表し、0〜4の整数である。)
肪族ポリカーボネートおよびその製造方法を具体的に説
明する。
ネートは、構成単位として上記式(1)で表される単位
(以下、「構成単位(1)」という場合がある)と、上
記式(2)で表される単位(以下、「構成単位(2)」
という場合がある)とを有する。上記構成単位(1)
は、上記式(4)で表される芳香族ジヒドロキシ化合物
と炭酸ジエステルとから誘導されるものであり、上記構
成単位(2)は、上記式(5)で表されるトリシクロ
(5.2.1.02,6 )デカンジメタノールと炭酸ジエ
ステルとから誘導されるものである。
ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)エタン、2,2−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)オクタン、ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)フェニルメタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ
−3−メチルフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−
ヒドロキシ−3−t−ブチルフェニル)プロパン、2,
2−ビス(4−ヒドロキシ−3−ブロモフェニル)プロ
パン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロ
ペンタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シ
クロヘキサン、4,4’−ジヒドロキシジフェニルエー
テル、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)3,
5,5−トリメチルシクロヘキサン、4,4’−ジヒド
ロキシ−3,3’−ジメチルフェニルエーテル、4,
4’−ジヒドロキシフェニルスルフィド、4,4’−ジ
ヒドロキシ−3,3’−ジメチルジフェニルスルフィ
ド、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、
4,4’−ジヒドロキシ−3,3−ジメチルジフェニル
スルホキシド、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスル
ホン、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジメチルジ
フェニルスルホン等が挙げられる。
ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン(以下、BPZと
記す)が好ましい。また、前記式(4)で表される芳香
族ジヒドロキシ化合物は、2種類以上を併用して用いる
事もできる。
ネートは、上記構成単位(1)と上記構成単位(2)と
を有する共重合体であるため、優れた耐衝撃性、色調、
耐熱性、さらにバランスのとれた屈折率及び分散特性を
有し、光弾性定数が低いという特性を示す。共重合の形
式としては、ランダム共重合、ブロック共重合、或いは
交互共重合等の何れであってもよく、またこれらのうち
の2種以上の形式を含むものであっても良い。
上記構成単位(2)のモル比(1)/(2)が、90/
10〜10/90であることが好ましく、さらに好まし
くは80/20〜20/80が好ましい。すなわち、こ
の構成単位のモル比(1)/(2)が10/90より低
いと耐熱性に劣るものとなり、90/10より高いと光
弾性定数、吸水率などが高くなり、さらに屈折率と分散
特性のバランスが悪くなり光学材料としては好ましくな
い。
量は30,000〜200,000であることが好まし
く、さらに好ましくは50,000〜120,000で
ある。
定化剤、加水分解安定化剤、酸化防止剤、顔料、染料、
強化剤や充填剤、紫外線吸収剤、滑剤、離型剤、結晶核
剤、可塑剤、流動性改良材、帯電防止剤などを添加する
ことができる。
各成分をポリカーボネートに混合することができる。例
えば、各成分をターンブルミキサーやヘンシェルミキサ
ー、リボンブレンダー、スーパーミキサーで代表される
高速ミキサーで分散混合後、押し出し機、バンバリーミ
キサー、ロールなどで溶融混練する方法が適宜選択され
る。
ネートは、ポリカーボネート本来の優れた耐衝撃性、耐
熱性等の特性を維持しながら、屈折率と分散特性のバラ
ンスが改善されたものである。よって,各種レンズ、プ
リズム、光ディスク基板といったプラスチック光学成形
品を提供しうる光記録材料等の光学材料として好適に用
いられる。光学成形品としては、例えば射出成形品等が
挙げられる。
ネートの製造方法は、塩基性化合物触媒存在下、上記式
(4)で表される芳香族ジヒドロキシ化合物と、上記式
(5)で表される脂肪族ジヒドロキシ化合物であるトリ
シクロ(5.2.1.02,6)デカンジメタノールと炭
酸ジエステルとを、エステル交換反応により溶融重縮合
させる工程を含む。主発原料である芳香族ジヒドロキシ
化合物の例としては、前述した本発明の芳香族−脂肪族
共重合ポリカーボネートの構成単位を誘導しうる芳香族
ジヒドロキシ化合物として例示した種々の化合物を挙げ
ることができる。
ボネート、ジトリールカーボネート、ビス(クロロフェ
ニル)カーボネート、m−クレジルカーボネート、ジナ
フチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチル
カーボネート、ジブチルカーボネート、ジシクロヘキシ
ルカーボネート等が用いられる。これらの中でも特にジ
フェニルカーボネートが好ましい。着色原因となるジフ
ェニルカーボネート中の塩素含有量は、20ppm 以下で
あることが好ましい。より好ましくは、10ppm 以下、
さらに好ましくは1ppm 以下である。塩素含有量が20
ppm より多いと、ポリカーボネートに着色が見られ光学
材料用として使用するのに好ましくない。炭酸ジエステ
ルは、芳香族ジヒドロキシ化合物とトリシクロ(5.
2.1.0 2,6 )デカンジメタノールの合計1モルに対
して0.97〜1.2モルの量で用いられることが好ま
しく、特に好ましくは0.99〜1.10モルの量であ
る。
性化合物が用いられる。このような塩基性化合物として
は、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、含
窒素化合物等があげられる。
およびアルカリ土類金属等の有機酸塩類、無機塩類、酸
化物、水酸化物、水素化物あるいはアルコキシド、4級
アンモニウムヒドロキシドおよびそれらの塩、アミン類
等が好ましく用いられ、これらの化合物は単独もしくは
組み合わせて用いることができる。
具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸
化セシウム、水酸化リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸リチ
ウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸セシウム、
酢酸リチウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸
カリウム、ステアリン酸セシウム、ステアリン酸リチウ
ム、水素化ホウ素ナトリウム、フェニル化ホウ素ナトリ
ウム、安息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香
酸セシウム、安息香酸リチウム、リン酸水素2ナトリウ
ム、リン酸水素2カリウム、リン酸水素2リチウム、フ
ェニルリン酸2ナトリウム、ビスフェノールAの2ナト
リウム塩、2カリウム塩、2セシウム塩、2リチウム
塩、フェノールのナトリウム塩、カリウム塩、セシウム
塩、リチウム塩等が用いられる。
具体的には、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、
水酸化ストロンチウム、水酸化バリウム、炭酸水素マグ
ネシウム、炭酸水素カルシウム、炭酸水素ストロンチウ
ム、炭酸水素バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸カルシ
ウム、酢酸ストロンチウム、酢酸バリウム、ステアリン
酸マグネシウム、ステアリン酸カルシウム、安息香酸カ
ルシウム、フェニルリン酸マグネシウム等が用いられ
る。
は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロ
キシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド
等のアルキル、アリール、アリルアリール基などを有す
るアンモニウムヒドロキシド類、トリエチルアミン、ジ
メチルベンジルアミン、トリフェニルアミン等の3級ア
ミン類、ジエチルアミン、ジブチルアミン等の2級アミ
ン類、プロピルアミン、ブチルアミン等の1級アミン
類、2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾー
ル等のイミダゾール類、あるいは、アンモニア、テトラ
メチルアンモニウムボロハイドライド、テトラブチルア
ンモニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルア
ンモニウムテトラフェニルボレート等の塩基性塩等が用
いられる。
物とトリシクロ(5.2.1.02, 6 )デカンジメタノ
ールとの合計1モルに対して、10-9〜10-3モルの量
で、好ましくは10-7〜10-5モルの量で用いられる。
の溶融重縮合法により行うことができる。すなわち、前
記の原料、および触媒を用いて、加熱下に常圧または減
圧下にエステル交換反応により副生物を除去しながら溶
融重縮合を行うものである。反応は、一般には二段以上
の多段工程で実施される。
60℃、好ましくは180〜240℃の温度で0〜5時
間、好ましくは0.5〜3時間反応させる。次いで、反
応系の減圧度を上げながら反応温度を高めて芳香族ジヒ
ドロキシ化合物と脂肪族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエ
ステルとの反応を行い、最終的には1mmHg以下の減
圧下、200〜300℃の温度で重縮合反応を行う。こ
のような反応は、連続式で行っても良くまたバッチ式で
行っても良い。上記の反応を行うに際して用いられる反
応装置は、槽型であっても押出機型であってもパドル
翼、格子翼、メガネ翼等、表面更新性の優れた撹拌翼を
備えた横型装置であってもよい。
ーボネートには、熱安定性、および加水分解安定性を保
持するために、触媒を除去もしくは失活させることが好
ましく、公知の酸性物質の添加によるアルカリ金属ある
いはアルカリ土類金属等のエステル交換触媒の失活を行
う方法が好適に実施される。これらの物質としては、具
体的には、p−トルエンスルホン酸のごとき芳香族スル
ホン酸、p−トルエンスルホン酸ブチル、p−トルエン
スルホン酸ヘキシル等の芳香族スルホン酸エステル類、
ステアリン酸クロライド、酪酸クロライド、塩化ベンゾ
イル、p−トルエンスルホン酸クロライドのごとき有機
ハロゲン化物、ジメチル硫酸のごときアルキル硫酸、塩
化ベンジルのごとき有機ハロゲン化物等、ホウ酸、リン
酸等の無機酸等が好適に用いられる。
0.1〜1mmHgの圧力、200〜300℃の温度で
脱気除去する工程を設けても良く、このためには、パド
ル翼、格子翼、メガネ翼等、表面更新性の優れた撹拌翼
を備えた横型装置、あるいは薄膜蒸発器が好適に用いら
れる。
ボネートの優れた耐衝撃性、耐熱性、等の特性を維持し
ながら、屈折率と分散特性のバランス、色相、および光
弾性定数などが改善されたものなので、各種レンズ、プ
リズム、光ディスク基板などのプラスチック光学材料用
として好適に利用できる。
るが、本発明は、以下の実施例に何らの制限を受けるも
のではない。
1.98g(0.12モル)、塩素含有量が1ppm 未満
のジフェニルカーボネート43.3g(0.202モ
ル)、炭酸水素ナトリウム6.0×10-7モルを撹拌機
および留出装置つきの300cc四つ口フラスコに入
れ、窒素雰囲気下180℃に加熱し、30分間撹拌し
た。その後、減圧度を150mmHgに調整すると同時
に、60℃/hrの速度で200℃まで昇温を行いエス
テル交換反応を行った。さらに、フェノールを留去しな
がら240℃まで昇温し、10分間その温度で保持した
後、1時間かけて減圧度を1mmHg以下とした。合計
6時間撹拌下で反応を行い、反応終了後、反応器内に窒
素を吹き込み常圧に戻し、生成ポリカーボネートを取り
出した。このポリカーボネートの物性を表1に示す。
9.63g(0.1モル)を用いた他は、実施例1と全
く同様の操作を行い、BPZ−TCDDM共重合ポリカ
ーボネートを得た。得られたポリカーボネートの物性を
表1に示す。
20モル)、および塩素含有量30ppm のジフェニルカ
ーボネート43.3g(0.202モル)を用いた他
は、実施例1と同様な操作を行った。得られたポリカー
ボネートの物性を表1に示す。
TCDDM19.63g(0.10モル)、および塩素
含有量30ppm のジフェニルカーボネート43.3g
(0.202モル)を用いた他は、実施例1と同様な操
作を行った。得られたポリカーボネートの物性を表1に
示す。
3.3g(0.202モル)を用いた他は、比較例2と
同様な操作を行った。得られたポリカーボネートの物性
を表1に示す。
測定したものである。 (1) 分子量:GPC(Shodex GPC sy
stem 11)を用い、ポリスチレン換算分子量(重
量平均分子量:Mw)として測定した。展開溶媒にはク
ロロホルムを用いた。 (2) Tg:示差走査熱量分析計にて測定した。 (3) 屈折率:JIS K 7105に従いアッベ屈
折計にて測定した。 (4) アッベ数:アッベ屈折計にて測定し、計算して
求めた。 (5) 落球衝撃値:50mmφ×3.0mmの試験片に鋼
球を7cmの距離より落下させ、試験片が破壊する鋼球重
量で表示した。 (6) 塩素含有量:炭酸ジエステル10gを100m
lのジオキサンに溶解した後、5%水酸化カリウムのメ
タノール溶液100mlで室温分解し、この溶液を電位
差滴定装置を用いて測定した。 (7) YI(イエロ−インデックス)値:ポリマ−を
直径45mm、厚さ3mmのディスクに射出成形し、色
差計(東京電色TC−1800MK)により測定した。
Claims (5)
- 【請求項1】構成単位として、下記式(1)で表される
単位と下記式(2)で表される単位とを有する芳香族−
脂肪族共重合ポリカーボネート。 【化1】 (上記式(1)においてXは、 【化2】 であり、ここに、R3 は炭素数3〜10のアルキレン基
を示す。R1 およびR2はそれぞれ水素原子、炭素数1
〜10のアルキル基またはハロゲンであり、R1とR2
は同じでも異なっていても良い。また、mおよびnは置
換基数を表し、0〜4の整数である。) 【化3】 - 【請求項2】式(1)で表される単位が、下記式(3)
で表される単位である請求項1記載の芳香族−脂肪族共
重合ポリカーボネート。 【化4】 - 【請求項3】下記式(4)で表される芳香族ジヒドロキ
シ化合物と下記式(5)で表されるトリシクロ(5.
2.1.02,6 )デカンジメタノールと炭酸ジエステル
とを加熱溶融下重縮合させて芳香族−脂肪族共重合ポリ
カーボネートを製造する方法であって、炭酸ジエステル
として、塩素含有量が20ppm以下のものを用いる芳
香族−脂肪族共重合ポリカーボネートの製造方法。 【化5】 (上記式(4)において、Xは 【化6】 であり、ここに、R3 は炭素数3〜10のアルキレン基
を示す。R1 およびR2は、それぞれ水素原子、炭素数
1〜10のアルキル基またはハロゲンであり、R 1 とR
2 は同じでも異なっていても良い。また、mおよびnは
置換基数を表し、0〜4の整数である。) 【化7】 - 【請求項4】芳香族ジヒドロキシ化合物が、1,1−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサンである請
求項3記載の芳香族−脂肪族共重合ポリカーボネートの
製造方法。 - 【請求項5】炭酸ジエステルが、ジフェニルカーボネー
トである請求項3記載の芳香族−脂肪族共重合ポリカー
ボネートの製造方法。
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JP10-165203 | 1998-06-12 | ||
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