JPH044222A

JPH044222A - 光学機器用素材

Info

Publication number: JPH044222A
Application number: JP10307890A
Authority: JP
Inventors: Kazuyoshi Shigematsu; 重松　一吉; Fusafumi Togawa; 戸川　総史
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 1990-04-20
Filing date: 1990-04-20
Publication date: 1992-01-08

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光学機器用素材に関し、詳しくは、例えば、
光デイスク基板、光学レンズ等の光学材料の素材として
好適に利用することができるポリカーボネート系樹脂の
光学機器用素材に関する。

〔従来の技術〕

ポリカーボネート系樹脂は透明性、耐熱性、機械的強度
に優れており、光学機器用素材として適している。しか
しながら、射出成形等の成形加工時に発生する応力によ
り光学的異方性が生じやすいという欠点を有しており、
超精密成形品に用いるには問題がある。

これらの欠点を解決するために、種々の構造のポリカー
ボネート系樹脂が検討されてきた。例えば、特開昭６０
−１６３００７号公報では、１゜１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−１−フェニル−エタンを用いて重合し
てなるポリカーボネート樹脂などが提案されている。ま
た、・特開昭６１−２５５９２９号公報では、１−フェ
ニル−１゜１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）エタンを用いて重合してなるポリカーボネート樹
脂などが提案されている。しかし、未だ十分に性能を満
たす樹脂は得られていない。

また、ポリカーボネート系樹脂は吸湿による変形は少な
いものの、まだ吸水率が十分に低いとはいえず、より高
性能化が進む超精密成形品に用いる場合には問題がある
。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、前記事情を鑑みてなされたものである。

本発明の目的は、溶融時の光弾性係数が小さく、成形品
の複屈折の発生を低く抑えることができ、光学的異方性
が小さく、しかも吸水率が低くて、信顧性の高いポリカ
ーボネート系樹脂からなる光学機器用素材を提供するこ
とにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者らは、前記の問題点を解決すべく鋭意研究を重
ねた結果、特定の繰り返し単位を有するポリカーボネー
ト系樹脂からなる光学機器用素材が前記目的を十分に満
足することを見出し、その知見に基づいて本発明を完成
するに至った。

すなわち本発明は、次の一般式〔ただし、式（１）中の１及びＲ２は、各々独立に炭素
数１〜６のアルキル基又はフェニル基を示し、Ｒ３は、
炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリー
ル基を示す、また、式（ｎ）中のＲ４及びＲ５は、各々
独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、シクロ
ヘキシル基又はフェニルびＲ７は、水素、炭素数１〜６
のアルキル基又はフは４〜８の整数を示す、）〕で表さ
れる繰り返し単位を有し、その組成比が式（１）で表さ
れる繰り返し単位のモル比（〔Ｉ）　／　（（１）　＋
（ＩＩ）））で０．０５〜１の割合であり、かつ、粘度
平均分子量が１２，０００〜２５．０００であるポリカ
ーボネート系樹脂からなる光学機器用素材を提供するも
のである。

前記−船蔵（１）中のＲ１及びＲ２は、炭素数１〜６の
アルキル基であってもよいが、このアルキル基としては
、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、１−メチルプロピル
基、ｔ　ｅ　ｒ　ｔ　−フ５−ル５、ペンチル基、イソ
ペンチル基、ｌ−メチルブチル基、１−エチルプロピル
基、ヘキシル基、イソヘキシル基、１−メチルペンチル
基、１−エチルブチル基、ネオヘキシル基などを挙げる
ことができる。

また、Ｒ″は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６
〜１２のアリール基を示すが、このアルキル基は上述の
Ｒ１，Ｒ１の具体例と同じものが挙げられ、アリール基
としては、例えばフェニル基、２−メチルフェニル基、
４−シアノフェニル基、４−フェニルフェニル基、ナフ
チル基等を挙げることができる。

このような化学構造を有するポリカーボネート系樹脂は
耐湿性が向上し、かつ、溶融時の光弾性係数が低下して
成形品の複屈折が低減される。

また、式［ＩＩ）中のＲ４又はＲ５は、炭素数１〜６の
アルキル基であってもよいが、このアルキル基としては
、上記Ｒ１又はＲ２の場合と同様である。

また、前記Ｒ４とＲ５は、水素原子、シクロヘキシル基
又はフェニル基であってもよい。

よい、このＲ６又はＲ７は、炭素数１〜６のアルキル基
であってもよいが、このアルキル基としては、上記Ｖ又
はＲＺの場合と同様である。

また、前記Ｒ６とＲ″′は、水素原子又はフェニル基で
あってもよい。

しては、例えば、１．１−シクロペンチリデン基、１．
１−シクロへキシリデン基、１．１−シクロオクチリデ
ン基等を挙げることができる。これらの中でも、特に１
，１−シクロへキシリデン基等が好ましい。

更に、Ｘは、単結合であってもよい。

本発明の光学機器用素材として用いられるポリカーボネ
ート系樹脂は、式（Ｉ）で表される繰り返し単位の組成
比（（１１／　（（Ｉ）＋　ＣＩり））がモル比で０．
０５〜１の割合である０式〔■〕で表される繰り返し単
位の組成比が０．０５未満であると、前述の光学的諸性
質の改善効果が十分に得られない。

また、本発明の光学機器用素材として用いられるポリカ
ーボネート系樹脂は、その粘度平均分子量が１２．００
０〜２５．０００である。この粘度平均分子量が１２，
０００未満では、成形品の強度が低下する。逆に２５，
０００を超えると成形品の複屈折が増大する。

本発明の光学機器用素材として用いられるポリカーボネ
ート系樹脂は、例えば、１種又は２種以上の次の一般式（ただし、Ｒ１，ＲＺ及びＲ３は前記と同じ意味を有す
る。）で表される二価フェノール類と、１種又は２種以
上の次の一般式（ただし、Ｒ４、Ｒ５及びＸは前記と同じ意味を有する
。）で表される二価フェノール類と炭酸エステル形成性
化合物とを反応させることにより、製造することができ
る。

前記−船蔵〔ビ〕で表される２価フェノールの具体例と
しては、例えば、１−フェニル−１゜１−ビス（２−イ
ソプロピル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、１−フェニル−１゜１−ビス（２−メチル−５−
イソプロピル−４ヒドロキシフエニル）メタン、１−フ
ェニル−１゜１−ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１−（２−メチルフェニル）−
１，１−ビス（２−メチル−５−イソプロピル−４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、１−（２−メチルフェニル
）−１，１−ビス（２−イソプロピル−５−メチル−４
−ヒドロキシフェニル）メタン、１−（４−シアノフェ
ニル）−１，１−ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１−（４−フェニルフェニル）
−１，１−ビス（２−メチル−５−イソプロピル−４−
ヒドロキシフェニル）メタン、１−フェニル−１゜１−
ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロ
キシフェニル）メタン、１．１−ビス（２−ブチル−５
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−
ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ
−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタ
ン、１．１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）イソブタン、１゜ｌ−ビス
（２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）へブタンなどを挙げることができる。

また、前記−船蔵〔■′〕で表される２価フェノールの
具体例としては、例えば、２．２−ビス（３−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１．１−ビス（３
−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン
、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、３．３−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）へブタン、ビス（３−メチ
ル−４−ビトロキシフェニル）メタン、２．２−ビス（
３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１−フ
ェニル−１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタ
ン、２−　（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−
２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−フェニルエタン
、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ジフェ
ニルメタン、４．４′−ジヒドロキシビフェニル、１．
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、
１．１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、１．１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、１．１−ビス（３−シクロへキシ
ル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンなどを挙
げることができる。

一方、炭酸エステル形成性化合物としては、例えばホス
ゲンや、ジフェニルカーボネート、ジル−トリルカーボ
ネート、フェニル−ｐ−トリルカーボネート、ジ−ｐ−
クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネート
などのビスアリールカーボネートが挙げられる。

上記ポリカーボネート系樹脂の製造法としては、ビスフ
ェノールＡからポリカーボネートを製造する際に用いら
れている公知の方法、例えば二価フェノールとホスゲン
との直接反応、あるいは二価フェノールとビスアリール
カーボネートとのエステル交換反応などの方法を採用す
ることができる。

前者の二価フェノールとホスゲンとの直接反応において
は、通常酸結合剤及び溶媒の存在下において、前記−船
蔵〔Ｉ′〕及び〔■′〕で表される二価フェノールとホ
スゲンとを反応させる。酸結合剤としては、例えばピリ
ジンや、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアル
カリ金属の水酸化物などが用いられ、また溶媒としては
、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン、キシレンなど
が用いられる。更に、縮重合反応を促進するために、ト
リエチルアミンのような第三級アミン又は第四級アンモ
ニウム塩などの触媒を、また、重合度を調整するために
、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールやフェニルフェノー
ルなどの分子量調節剤を添加して反応を行うことが望ま
しい、また、所望に応じ亜硫酸ナトリウム、ハイドロサ
ルファイドなどの酸化防止剤を少量添加してもよい。

反応は通常０〜１５０℃、好ましくは５〜４０℃の範囲
の温度で行われる０反応時間は反応温度によって左右さ
れるが、通常０．５分〜１０時間、好ましくは１分〜２
時間である。また、反応中は、反応系のｐＨを１０以上
に保持することが望ましい。

一方後者のエステル交換法においては、前記−船蔵〔Ｉ
′〕及び〔ｎ′〕で表される二価フェノールとビスアリ
ールカーボネートとを混合し、減圧下で高温において反
応させる。反応は通常１５０〜３５０°Ｃ１好ましくは
２００〜３００°Ｃの範囲の温度において行われ、また
減圧度は最終で好ましくは１ａｎＨｊ以下にして、エス
テル交換反応により性成したビスアリールカーボネート
から由来するフェノール類を系外へ留去させる。反応時
間は反応温度や減圧度などによって左右されるが、通常
１〜４時間程度である。反応は窒素やアルゴンなどの不
活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、また、所望に
応じ、前記分子量調節剤や酸化防止剤などを添加して、
反応を行ってもよい。

以上のようにして前記ポリカーボネート系樹脂を好適に
合成することができる。

反応終了後の後処理は、常法にしたがって行うことがで
きる。例えば、上記で得た反応混合物から、水相を分離
除去し、目的とするポリマーを含有する有機相を得て、
これを、例えば、アルカリ、酸、水の順で適宜洗浄し、
塩類や触媒等の不純物を除去し、しかる後、例えば、メ
タノール等の貧溶媒を用いて、ポリマーを再沈澱等によ
り、分離・回収すればよい。

このようにして、所望のポリカーボネート系樹脂を、所
望の純度の各種の単独重合体あるいは共重合体、さらに
はこれらの混合物として取得することができる。

以上のようにして、本発明の光学機器用素材に使用する
前記ポリカーボネート系樹脂を簡単な工程で効率よく製
造することができる。

本発明の光学機器用素材は、以上のようにして得たポリ
カーボネート系樹脂をはじめとする各種の方法によって
製造した前記ポリカーボネート系樹脂からなり、所望の
形状に成形して使用される。

成形方法としては、目的に応じて各種のものが適用され
るが、例えば光デイスク基板の場合には、通常、溶融射
出成形法が好適に使用することができる。

その際の成形温度（樹脂の溶融温度）は、通常、２４０
〜３４０℃、好ましくは、２８０〜３２０°Ｃ程度の範
囲とするのが適当である。この成形温度が低すぎると、
樹脂又は樹脂組成物の溶融が不十分となり、流動性が低
下し、その結果、成形品に光学的歪みが生じることがあ
り、また、樹脂（又は樹脂組成物）の金型等への充填が
不完全となり、転写性に問題が住じることもある。一方
、温度があまり高すぎると樹脂の分解により着色したり
、シルバーの発生の問題が生じることがある。

金型温度としては、通常、６０〜１４０°Ｃ程度、好ま
しくは８０〜１２０℃程度の範囲とするのが適当である
。

この温度があまり低すぎると、成形品の残留応力によっ
て複屈折が生じやすくなる。一方、あまり高すぎると、
成形品が変形することがある。

なお、本発明の光学機器用素材は、前記各種のポリカー
ボネート系樹脂を、通常、一種単独を用いれば十分であ
るが、必要に応じて、２種以上のものをポリマーブレン
ドして併用することもできる。

また、本発明の光学機器用素材の製造、成形加工に際し
て、前記ポリカーボネート系樹脂には、必要に応じて本
発明の目的に支障のない範囲で、例えば、紫外線吸収剤
、酸化防止剤、熱安定化剤、耐候性向上剤、帯電防止剤
、防曇剤、離型剤、可塑剤等の各種の添加剤や他のポリ
マー成分を使用目的等に合わせて適宜含有させることも
できる。

本発明の光学機器用素材は、溶融時の光弾性係数が小さ
く、成形品の複屈折の発生を低く抑えることができ、光
学的異方性が小さく、しかも吸水率が低くて信転性が高
く、例えば、光デイスク基板、光学レンズ等の光学材料
の素材として好適に利用することができる。

〔実施例〕

以下に、本発明を実施例及び比較例によって、更に具体
的に説明するが、本発明はこれらによって制限されるも
のではない。

なお、以下の実施例及び比較例における、それぞれの樹
脂及びその成形品試料の物性の評価は、次のようにして
行った。

（評価方法）粘度平均分子量（Ｍｖ）：塩化メチレンを溶媒とする０、５ｇ／ｄ１の濃度の溶液
の２０℃で測定した還元粘度の値からビスフェノールＡ
を原料とするポリカーボネート換算して求めた。

ガラス転移温度（Ｔ、）：ＤＳＣにより常法に従って測定した。

溶融時の光弾性定数（Ｃ，）：それぞれの樹脂を東洋精機社製のキャビログラフで溶融
紡糸して巻き取り、その際、糸にががる応力を横軸にと
り、その糸の複屈折を縦軸にとったときの直線の傾きを
もって溶融時の光弾性定数（Ｃ１）とした。

このＣ１の値が小さい程、成形品に残る複屈折は小さく
なり、光学的特性に優れることを示す。

複屈折：それぞれの樹脂を住人重機社製のミニマント成形機によ
り、厚さ１．５　ｗｎ、４０Ｘ４０ｍ＋角の平板に成形
し、この成形体試料について、ペレック型コンペンセイ
ターの付いた偏光顕微鏡により測定した。

吸水率：複屈折の測定に用いた成形品（平板）を、２３℃の純水
中に２４時間浸漬した後の重量の増加分を吸水率とした
。

主としてこれらの評価結果をもって、樹脂の物性及びそ
の光学機器用素材としての成形品試料の光学的特性の指
標とした。

実施例１１−フェニル−１，１−ビス（２−イソプロピル−５−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン１７０ｇを２
規定水酸化ナトリウム１，８００ｄに溶解し、塩化メチ
レン４５０１１ｄｌ、分子量調節剤としてｐ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェノール３．０ｇ、触媒としてトリエチルア
ミン０．５　Ｉｌｌを加え、激しく攪拌しながらホスゲ
ンガスを５００ｄ／分の割合で２０分間吹き込んだ。吹
き込み終了後、攪拌下６０分間反応させた。次いで、塩
化メチレン１゜５１で希釈し、水、０．０１規定塩酸、
水の順に洗浄し、塩化メチレン相をメタノールに注入し
、下記繰り返し単位からなるポリマーを得た。

このポリカーボネート系樹脂について、１００℃で減圧
下乾燥した後、以下の測定を行った。

得られたポリカーボネート系樹脂の粘度平均分子量は、
１９，８００であった。また、ガラス転移温度は１９６
℃であった。

更に、このポリカーボネート系樹脂の光学的特性の評価
のため、溶融時の光弾性係数Ｃ１を測定した。結果を第
１表に示す。

実施例２実施例１においてｌ−フェニル−１，１−ビス（２−イ
ソプロピル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メ
タンに代えて１−フェニル−１゜１−ビス（２−メチル
−５−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）メタン
を用いた以外は実施例１と同様の操作をして下記の繰り
返し単位からなるポリカーボネート系樹脂を得た。

操作をして、下記の繰り返し単位からなるポリカーボネ
ート系樹脂を得た。

このポリカーボネート系樹脂について、実施例１と同様
の測定をした。結果を第１表に示す。

二のポリカーボネート系樹脂について、実施例１と同様
の測定をした。結果を第１表に示す。また、吸水率を測
定した。結果を第２表に示す。

実施例３実）［１において１−フェニル−１，１−ビス（２−イ
ソプロピル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メ
タンに代えて１−フェニル−１゜１−ビス（２，５−ジ
メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタンを用いた以外
は実施例１と同様の実施例４実施例１においてｌ−フェニル−１，１−ビス（２−イ
ソプロピル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メ
タン１７０ｇに代えて、１−フェニル−１，１−ビス（
２−メチル−５−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン９７ｇ（０，２５モル）と２，２−ビス（３
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン６４ｇ（
０，２５モル）を用いた以外は実施例１と同様の操作を
して、下記の繰り返し単位からなり、下記の割合を有す
るポリカーボネート系樹脂を得た。

ｇ（０，２５モル）を用いた以外は実施例１と同様の操
作をして、下記の繰り返し単位からなり、これらを下記
の割合で有するポリカーボネート系樹脂を得た。

Ｈ３このポリカーボネート系樹脂について、実施例１と同様
の測定をした。結果を第１表に示す。また、吸水率の測
定をした。結果を第２表に示す。

実施例５実施例１において１−フェニル−１，１−ビス（２−イ
ソプロピル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メ
タン１７０ｇに代えて、１−フェニル−１，１−ビス（
２−イソプロピル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン９７ｇ（０，２５モル）と１．１−ビス（３
−フェニル４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン１
０５このポリカーボネート系樹脂について、実施例１と
同様の測定をした。結果を第１表に示す。

実施例６実ｍ例１において、１−フェニル−１，１−ビス（２−
イソプロピル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
メタン１７０ｇに代えて、１（２−メチルフェニル）−
１，１−ビス（２−イソプロピル−５−メチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン１７０ｇを用いたほかは実施
例１と同様の操作をして、下記の繰り返し単位からなる
ポリカーボネート系樹脂を得た。

ｇ（０，２５モル）とを用いたほかは実施例１と同様の
操作をして、下記の繰り返し単位からなり、これらを下
記の割合で有するポリカーボネート系樹脂を得た。

実施例７実施例１において、１−フェニル−１，１−ビス（２−
イソプロピル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
メタン１７０ｇに代えて、１−（４−フェニルフェニル
）−１，１−ビス（２イソプロピル−５−メチル−４−
ヒドロキシフェニル）メタン１１６ｇ（０，２５モル）
と、２，２ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン５
７Ｈｓこのポリカーボネート系樹脂について、実施例１と同様
の測定をした。結果を第１表に示す。

実施例８実施例１において、１−フェニル−１，１−ビス（２−
イソプロピル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
メタン１７０ｇに代えて、工（４−シアノフェニル）−
１，１−ビス（２−イソプロピル−５−メチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）メタン１０３ｇ（０，２５モル）と
、２．２ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン５７
ｇ（０，２５モル）とを用いたほかは実施例１と同様の
操作をして、下記の繰り返し単位からなり、これらを下
記−の割合で有するポリカーボネート系樹脂を得た。

ＣＩ（：１ＨＩこのポリカーボネート系樹脂について、実施例１と同様
の測定をした。結果を第１表に示す。

比較例１ビスフェノールＡを用いて下記の繰り返し単位からなる
ポリカーボネート系樹脂を得た。

Ｃｆｌ。

このポリカーボネート系樹脂について、実施例１と同様
の測定をした。結果を第１表に示す、また、吸水率を測
定した。結果を第２表に示す。

比較例２実施例１において１−フェニル−１，１−ビス（２−イ
ソプロピル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メ
タンに代えて２．２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパンを用いた以外は実施例１と同様の
操作をして、下記の繰り返し単位からなるポリカーボネ
ート系樹脂を得た。

し単位からなるポリカーボネート系樹脂を得た。

（以下余白）ｌｈこのポリカーボネート系樹脂について、実施例１と同様
の測定をした。結果を第１表に示す。

比較例３実ｍ例１において１−フェニル−１，１−ビス（２−イ
ソプロピル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メ
タンに代えて１．１−ビス（４ヒドロキシフエニル）シ
クロヘキサンを用いた以外は実施例１と同様の操作をし
て、下記の繰り返第２表実施例９実施例２及び実施例４で得られたポリエーテル系樹脂を
住人重機製のミニマット成形機により厚さ１．５ｍ、４
０ｍ＋Ｘ４０ｍの平板に成形し、その中央部の複屈折を
測定した。結果を第３表に示す。

比較例４比較例１及び比較例３で得られたポリエーテル系樹脂に
ついて実施例９と同様にして複屈折を測定した。結果を
第３表に示す。

（以下余白）〔発明の効果〕本発明によると、溶融時の光弾性係数が小さく、成形品
の複屈折の発生を低く抑えることができ、光学的異方性
が小さく、しかも吸水率が低く、信鯨性が高いポリカー
ボネート系樹脂からなる光学機器用素材を捷供すること
ができる。

Claims

【特許請求の範囲】１、次の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕及び ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕〔ただし、式〔 I 〕中のＲ＾１及びＲ＾２は、各々独
立に炭素数１〜６のアルキル基又はフェニル基を示し、
Ｒ＾３は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１
２のアリール基を示す。また、式〔II〕中のＲ＾４及び
Ｒ＾５は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜６のアル
キル基、シクロヘキシル基又はフェニル基を表し、Ｘは
、単結合、▲数式、化学式、表等があります▼（ただし
、Ｒ＾６及びＲ＾７は、水素、炭素数１〜６のアルキル
基又はフェニル基を示す。）又は▲数式、化学式、表等
があります▼（ただし、ｎは４〜８の整数を示す。）〕で表される繰り返し単位を有し、その組成比が式〔 I
〕で表される繰り返し単位のモル比｛〔 I 〕／（〔 I
〕＋〔II〕）｝で０．０５〜１の割合であり、かつ、
粘度平均分子量が１２，０００〜２５，０００であるポ
リカーボネート系樹脂からなる光学機器用素材。