JP2000012765A - 積層型半導体装置放熱構造 - Google Patents

積層型半導体装置放熱構造

Info

Publication number
JP2000012765A
JP2000012765A JP10170348A JP17034898A JP2000012765A JP 2000012765 A JP2000012765 A JP 2000012765A JP 10170348 A JP10170348 A JP 10170348A JP 17034898 A JP17034898 A JP 17034898A JP 2000012765 A JP2000012765 A JP 2000012765A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
motherboard
semiconductor device
heat dissipation
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10170348A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3147087B2 (ja
Inventor
Yuichi Yoshida
裕一 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP17034898A priority Critical patent/JP3147087B2/ja
Priority to TW088108447A priority patent/TW410454B/zh
Priority to US09/332,997 priority patent/US6265772B1/en
Priority to KR1019990022651A priority patent/KR100299002B1/ko
Publication of JP2000012765A publication Critical patent/JP2000012765A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3147087B2 publication Critical patent/JP3147087B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0204—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate
    • H05K1/0206—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate by printed thermal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32153—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/32175—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic
    • H01L2224/32188—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/0652—Bump or bump-like direct electrical connections from substrate to substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06572—Auxiliary carrier between devices, the carrier having an electrical connection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06589—Thermal management, e.g. cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/1533—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/15331—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/10507—Involving several components
    • H05K2201/10515—Stacked components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10734—Ball grid array [BGA]; Bump grid array
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4641—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards having integrally laminated metal sheets or special power cores

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放熱効果を向上させ、半導体チップを安定し
て動作させることのできる積層型半導体装置放熱構造を
提供する。 【解決手段】 本発明の積層型半導体装置放熱構造は、
半導体チップをモジュール基板上にフリップチップ実装
したモジュールを二段以上積層した積層型半導体装置を
マザーボード上に実装した積層型半導体装置放熱構造に
おいて、モジュール基板及びマザーボードには、これら
を厚み方向に貫通する放熱用ビアが、半導体チップまた
は熱伝導材に接触するように形成されていることを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は積層型半導体装置放
熱構造に関し、特に放熱効果を向上させることのできる
積層型半導体装置放熱構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の積層型半導体装置は、図
９に示すように、半導体チップ１１ａをモジュール基板
１２ａに、そして半導体チップ１１ｂをモジュール基板
１２ｂにフリップチップ実装したモジュールを積層し
て、さらにマザーボード１４に実装していた。この構造
の場合、例えば半導体チップ１１ａとモジュール基板１
２ｂ、半導体チップ１１ｂとマザーボード１４が接触し
ない構造になっていた。半導体チップとモジュール基板
またはマザーボードが全て接触するような構造では、半
導体チップの発熱や周囲環境温度の上昇等により基板が
熱膨張した場合に、半導体チップに無理な力がかかり、
半導体チップが破損する可能性がある。そのため半導体
チップの一方の面のみがモジュール基板に取り付けら
れ、他方の面とモジュール基板またはマザーボードとの
間にはすき間があけられていた。
【０００３】さらに、すき間があいていた方が空気の流
入があり、半導体チップから発生する熱の放熱効果が高
いと考えられていた。また、特に放熱用の構造等は有し
ていなかった。また、図１０に示すように、半導体チッ
プがモジュール基板の上面側（マザーボードと反対側）
に実装されている場合についても同様の理由から、半導
体チップの一方の面のみがモジュール基板に取り付けら
れ、他方の面とモジュール基板との間にはすき間があけ
られていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来は、半導体チップ
の動作により発生した熱の大部分を、二段以上積層され
たモジュールのうち半導体チップが取り付けられている
モジュール単体でのみ拡散していた。このため、放熱効
率が低く、動作中の半導体チップの温度が必要以上に高
くなって半導体チップが誤動作を起こしたり、場合によ
っては破壊してしまう可能性があった。上記の点に鑑
み、本発明は、放熱効果を向上させ、半導体チップを安
定して動作させることのできる積層型半導体装置放熱構
造を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の積層型半導体装
置放熱構造は、小型基板に半導体チップをフリップチッ
プ実装したモジュールを２個以上積層した半導体装置に
おいて、動作中の半導体チップから発生する熱を他の半
導体チップや基板に伝熱、拡散させる構造を有すること
で放熱性を向上させ、動作中の半導体チップが過度の温
度上昇により動作不安定になることや、破壊されること
を防ぐものである。
【０００６】すなわち、本発明に係る積層型半導体装置
放熱構造は、半導体チップをモジュール基板上にフリッ
プチップ実装したモジュールを二段以上積層した積層型
半導体装置をマザーボード上に実装した積層型半導体装
置放熱構造において、モジュール基板及びマザーボード
には、これらを厚み方向に貫通する放熱用ビアが、半導
体チップまたは熱伝導材に接触するように形成されてい
ることを特徴とする。すなわち、モジュールとモジュー
ル及びモジュールとマザーボードを熱伝導材を介して接
触させることで、動作中の半導体チップから発生する熱
を他の半導体チップや基板に伝熱、拡散させることがで
きる。
【０００７】上記放熱構造において、モジュール基板及
びマザーボードの内部には熱拡散層が設けられ、モジュ
ール基板の表面及びマザーボードの表面の半導体チップ
実装エリアには熱拡散パターンが形成されていることが
好ましい。また、モジュール基板及びマザーボードに
は、これらを厚み方向に貫通する放熱用ビアが、モジュ
ール基板とモジュール基板間及びモジュール基板とマザ
ーボード間を機械的に接続する接続部材に接触するよう
に形成されていることが好ましい。
【０００８】さらに、マザーボードの半導体チップ実装
エリア内に、マザーボードを厚み方向に貫通する貫通孔
が設けられ、マザーボード下面に設けられた放熱部材と
マザーボード直上に備えられた熱伝導材とが、貫通孔を
介して接触していることが好ましい。上記放熱構造に、
これらの構造上の工夫を行うことで、さらに放熱効果を
向上させることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面により本発明について
詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態例のみに
限定されるものではない。図１は、第１の実施の形態の
積層型半導体装置放熱構造を示す断面図である。半導体
チップ１ａは、フリップチップ接続でモジュール基板２
ａに実装されている。また、半導体チップ１ｂも同様に
フリップチップ接続でモジュール基板２ｂに実装されて
いる。さらに、モジュール基板２ａとモジュール基板２
ｂ、そしてモジュール基板２ｂとマザーボード４がはん
だボール３（接続部材）を用いて接続されている。この
際、半導体チップはそれぞれが実装されたモジュール基
板に対してマザーボード４側（図１ではモジュール基板
の下側）になるように実装されている。ここで示すモジ
ュール基板２ａ、２ｂ及びマザーボード４は、例えばプ
リント基板やアルミナ、ガラスセラミック、窒化アルミ
等のセラミック基板から作られる。
【００１０】また、モジュール基板２ａとモジュール基
板２ｂ及びマザーボード４には、熱が基板内を通り抜け
て基板の反対面に伝わりやすいように複数の放熱用ビア
５が形成されている。この放熱用ビア５は基板を貫通す
る貫通孔により形成されており、例えばその内壁のみを
銅、金、銀等の熱伝導に優れた金属によってメッキする
か、あるいはその内部を銅、金、銀等の熱伝導に優れた
金属または熱伝導に優れた金属やセラミックを含有する
樹脂等の材料で充填して構成されている。放熱用ビア５
は、例えば直径０．３〜０．５ｍｍのビアとして、１ｍ
ｍピッチで基板の半導体チップ実装エリアに形成され
る。
【００１１】さらに半導体チップ１ａ、１ｂとモジュー
ル基板２ｂ、マザーボード４との間には熱伝導性に優れ
た熱伝導材６が挟持されている。この熱伝導材６は、例
えば銀等の熱伝導に優れた金属やアルミナ、窒化ボロン
等のセラミック材料を含有させて熱伝導率を高めたシリ
コーン、低弾性樹脂、ゴム状材料等の柔軟性を有する素
材で構成することができる。熱伝導材６は、熱伝導を向
上させるためだけではなく、半導体チップ１ａ、１ｂ、
モジュール基板２ａ、２ｂ、マザーボード４の温度が上
昇した場合に、熱膨張率の差により発生する応力を緩和
する働きも有する。
【００１２】ここで、半導体チップと基板との間には熱
伝導材６を挟んでいるが、基板材料、半導体チップ等の
積層型半導体装置を構成する部材の膨張係数の差が小さ
いなど応力緩和の必要性がない場合には、熱伝導材６と
して銀等の熱伝導に優れた金属やアルミナ、窒化ボロン
等のセラミック材料を含有した硬化型の樹脂や金属材
料、カーボン材料等の材料を用いても良い。また、熱伝
導材を間に挟まずに直接半導体チップと基板を接触させ
る構造でも差し支えない。ただし、この場合の放熱効果
は熱伝導材６を介した場合よりも低下することがある。
さらにマザーボード４には熱を拡散し、放熱するための
放熱板７（放熱部材）が取り付けられている。この放熱
板７は、例えば銅、アルミニウム等の熱伝導性に優れた
材料から成る。
【００１３】図１においては、半導体モジュールを二段
積層した積層型半導体装置を例としたが、本発明の積層
型半導体装置放熱構造は二段積層の積層型半導体装置に
限定されず、三段、四段、あるいはそれ以上の半導体モ
ジュールが積層された場合についても適用でき、二段以
上積層された積層型半導体装置を対象としたものであ
る。
【００１４】次に、第１の実施の形態の積層型半導体装
置放熱構造の動作例について説明する。図１において、
半導体チップ１ａが動作するとき、それにより発生する
熱はモジュール基板２ａに拡がり放熱されるとともに熱
伝導材６を介して一段下のモジュール基板２ｂに伝わ
る。その熱は、さらにモジュール基板２ｂに形成された
放熱用ビア５を通じて半導体チップ１ｂに伝わる。次に
半導体チップ１ｂから熱伝導材６を通してマザーボード
４に伝わり、さらにマザーボード４に形成された放熱用
ビア５を通してマザーボード４に取り付けられた放熱板
７に伝わって放熱される。
【００１５】半導体チップ１ａの代わりに半導体チップ
１ｂが動作して発熱した場合については、半導体チップ
１ｂの熱はモジュール基板２ｂと熱伝導材６を介してマ
ザーボード４に伝わる。モジュール基板２ｂに伝わった
熱は、さらにモジュール基板２ｂに形成された放熱用ビ
ア５を通してモジュール基板２ｂの反対面に伝わり熱伝
導材６を介して半導体チップ１ａへと伝わる。そして半
導体チップ１ａからモジュール基板２ａに拡がり放熱さ
れる。一方、マザーボード４へ伝わった熱は、マザーボ
ード４内を拡がるとともにマザーボード４に形成された
放熱用ビア５を通して放熱板７に拡がって放熱される。
【００１６】また、図１に示した第１の実施の形態は、
二段積層の積層型半導体装置放熱構造であるが、これに
限らず、三段、四段等の二段以上の半導体モジュールを
積層した積層型半導体装置についても同様であり、例え
ば三段積層型の半導体装置の中央に実装された半導体チ
ップが発熱した場合にも他の段のモジュールやマザーボ
ードに熱を拡散して放熱される。
【００１７】さらに、図１ではマザーボード４にひとつ
の積層型半導体装置が実装されている構造を示している
が、マザーボード４上には複数個の積層型半導体装置が
実装されていても差し支えないし、マザーボードの両面
に積層型半導体装置が実装されていてもかまわない。ま
た、マザーボードの両面に積層型半導体装置を実装する
場合や、その他の部品を実装する場合等には、放熱板７
は無くても差し支えない。
【００１８】図２は、第２の実施の形態の積層型半導体
装置放熱構造を示す断面図である。図２においては、モ
ジュール基板２ａ、２ｂ及びマザーボード４の内部に銅
等の熱伝導に優れた材料から成る熱拡散層８が形成され
ており、半導体チップからの熱を基板全体に広げて拡散
し、放熱効果を高めるものである。さらに熱伝導材６と
基板との熱移動の際に基板表面で熱を拡散し放熱用ビア
５に無駄なく熱を伝えるために、モジュール基板２ａ、
２ｂの表面に銅等の金属のような熱伝導に優れた材料を
用いて熱拡散パターン９が形成されている。その他の構
造については第１の実施形態例と同様である。この熱拡
散層８と熱拡散パターン９によって熱の拡散性が向上
し、放熱効果が高くなる。また、熱拡散層８は基板内部
に一層ではなく、二層以上形成されていても差し支えな
い。
【００１９】図３は、第３の実施の形態の積層型半導体
装置放熱構造を示す断面図である。第３の実施形態例
は、第２の実施形態例のモジュール基板２ａ、２ｂ、マ
ザーボード４のはんだボール３を用いた接続部に放熱用
ビア５を設けている。この放熱用ビア５は電気的導通を
とるために接続しているはんだボール３以外の部分に形
成する。つまり、電気的に接続を取る部分以外に放熱用
はんだボール３を取り付け、放熱用ビア５を用いて各基
板間および放熱板７に熱を伝えることで、放熱効果をさ
らに向上させるものである。
【００２０】図４は、第４の実施の形態の積層型半導体
装置放熱構造を示す断面図である。第４の実施形態例で
は、マザーボード４の半導体チップ実装エリア中央にマ
ザーボード４を貫通する穴をあけ、その部分で放熱板７
がマザーボード４を貫通するようにすることにより、熱
伝導材６を介して半導体チップ１ｂから熱が直接放熱板
７に伝わる構造となっている。これにより優れた放熱効
果を得ることができる。以上、第１から第４の実施形態
例では半導体チップ１ａ、１ｂがモジュール基板２ａ、
２ｂに対してマザーボード４側（図１でモジュール基板
の下側）になるように実装されている積層型半導体装置
放熱構造について説明した。
【００２１】次に、他の実施形態例として、半導体チッ
プ１ａ、１ｂがモジュール基板２ａ、２ｂに対してマザ
ーボード４と反対側（図５でモジュール基板の上側）に
なるように実装されている積層型半導体装置放熱構造に
ついて説明する。図５は、第５の実施の形態の積層型半
導体装置放熱構造を示す断面図である。半導体チップ１
ａは、フリップチップ接続でモジュール基板２ａに実装
されている。また、半導体チップ１ｂも同様にフリップ
チップ接続でモジュール基板２ｂに実装されている。さ
らに、モジュール基板２ａとモジュール基板２ｂ、そし
てモジュール基板２ｂとマザーボード４がはんだボール
３を用いて接続されている。この際、半導体チップ１
ａ、１ｂがモジュール基板２ａ、２ｂに対してマザーボ
ード４と反対側（図５ではモジュール基板の上側）にな
るように実装されている。第５の実施例では、マザーボ
ード４に対する半導体チップ１ａ、１ｂの実装方向が第
１の実施例と異なる他にモジュール基板２ｂとマザーボ
ード４との間に半導体チップがないため、モジュール基
板２ｂからの熱をマザーボード４に伝える熱伝導部材１
０が設けられている。その他の構造については第１の実
施例と同等の構造を有する。
【００２２】例えば半導体チップ１ａが動作することに
より発熱すると、その熱がモジュール基板２ａ、半導体
チップ１ｂ等を通じてモジュール基板２ｂに伝わる。次
にモジュール基板２ｂからの熱は熱伝導材６を介して熱
伝導部材１０に伝わり、さらに熱伝導材６を介してマザ
ーボード４に伝わる。そして、マザーボード４に拡が
り、放熱用ビア５を通して裏面にある放熱板７に伝わり
放熱される。ここで、熱伝導部材１０は、銅、アルミニ
ウム等の熱伝導に優れた材料から成る。
【００２３】図６は、第６の実施の形態の積層型半導体
装置放熱構造を示す断面図である。第６の実施形態例
は、基本的に第２の実施形態例に準じており、異なる点
としては、半導体チップの実装方向が異なる構造を示し
ている。第６の実施形態例では、モジュール基板２ｂか
らマザーボード４に熱を伝えるために、熱伝導部材１０
が取り付けられている。つまり、第２の実施形態例では
半導体チップ１ｂを介して熱をマザーボード４側に逃が
していたが、半導体チップの実装の向きが異なるために
熱伝導部材１０を用いて逃がす構造となっている。
【００２４】図７は、第７の実施の形態の積層型半導体
装置放熱構造を示す断面図である。第７の実施形態例も
第３の実施形態例に準じているが、半導体チップ１ａ、
１ｂの向きがマザーボード４と反対側（図７では上向
き）になるようにモジュールが実装されているため、モ
ジュール基板２ｂとマザーボード４の間にすき間ができ
て熱がマザーボード４側に拡散しづらい構造になってい
る。そのため、モジュール基板２ｂとマザーボード４の
間に熱伝導部材１０を挟み込んだ構造とすることで、熱
をマザーボード４側にも拡げて放熱効果を高めている。
その他基本構造は第３の実施形態例と同様である。
【００２５】図８は、第８の実施の形態の積層型半導体
装置放熱構造を示す断面図である。この場合も半導体チ
ップがマザーボードと反対側になるようにモジュールが
実装されている。第８の実施形態例の場合、第４の実施
形態例と同様にマザーボード４のモジュール実装部が開
口され、放熱板７がマザーボード４のモジュール実装側
に出る構造になっている。モジュール基板２ｂの半導体
チップが実装されていない面には、銅等の熱伝導に優れ
た材料からなる熱拡散パターン９が形成されており、放
熱板７が熱伝導材６を介して取り付けられている。半導
体チップの動作により発生した熱は積層されたモジュー
ル基板、半導体チップを通してモジュール及びマザーボ
ード４全体に拡がり放熱される。その他基本構造は第４
の実施形態例と同様である。なお、本発明の技術範囲は
上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣
旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが
可能である。
【００２６】このように、上記実施形態の積層型半導体
装置放熱構造においては、半導体チップが動作すること
により発生した熱をモジュール基板、他の半導体チッ
プ、マザーボード、放熱板等に拡散して放熱することに
より動作中の半導体チップの熱が必要以上に高くなるこ
とを防ぐことができる。また、半導体チップとモジュー
ル基板、マザーボードの間に挟む熱伝導材６を低弾性樹
脂、シリコーン、ゴム状材料等を基材とした柔軟性を有
する高熱伝導材料を用いることで、モジュールを積層し
た場合の半導体チップと他のモジュール基板、マザーボ
ードとの熱膨張差による応力を緩和しながら、熱を伝え
て放熱することができる。
【００２７】ここで半導体チップと基板との間には熱伝
導材６を挟んでいるが、基板材料、半導体チップ等の積
層型半導体装置を構成する部材の膨張係数がほぼ同等の
場合など応力を緩和する必要がない場合には、熱伝導材
を間に挟まずに直接半導体チップと基板を接触させても
放熱効果が得られる。ただし、この場合の放熱効果は熱
伝導材を介した場合よりも低下することもある。また、
放熱効果を低下させたくない場合には、熱伝導材６とし
て銀等の熱伝導に優れた金属やアルミナ、窒化ボロン等
のセラミック材料を含有した硬化型の樹脂や金属材料、
カーボン材料等の材料を用いても良い。
【００２８】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもので
はない。積層型半導体装置を四段積層したサンプルを用
いて、従来の放熱構造と本発明の放熱構造でどの程度半
導体チップに温度差が見られるか測定を行った。ここで
は、図９の放熱構造を有する基板（比較例１）、図９の
放熱構造の半導体チップと基板とを接触させた放熱構造
を有する基板（比較例２）、図１の放熱構造を有する基
板（実施例１）の３つを用いて比較した。その結果、比
較例１より比較例２の方が、半導体チップの温度上昇が
５℃程度低かった。また、比較例２より実施例１の方
が、さらに１５℃程度半導体チップの温度上昇が抑えら
れた。
【００２９】
【発明の効果】以上詳細に説明した通り、本発明の積層
型半導体装置放熱構造は、積層されたモジュール基板、
半導体チップ、マザーボード、放熱板等のより広い範囲
に熱を拡げて放熱できるため、動作中の半導体チップの
熱が必要以上に高くなって半導体チップが誤動作した
り、破壊されることを防ぐことができる。また、モジュ
ールとモジュールとの間、モジュールとマザーボードと
の間に熱伝導に優れる材料を挟むことで、半導体チップ
からの熱を効率よく積層型半導体装置全体に拡げて放熱
を行うことができる。さらにこの熱伝導に優れる材料を
低弾性、柔軟性に富む材料とすることで、半導体チップ
と基板との間の熱膨張差による応力を緩和し、応力によ
る半導体チップやモジュール基板の破壊を防ぐことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１の実施の形態の積層型半導体装置放熱構
造を示す断面図である。
【図２】 第２の実施の形態の積層型半導体装置放熱構
造を示す断面図である。
【図３】 第３の実施の形態の積層型半導体装置放熱構
造を示す断面図である。
【図４】 第４の実施の形態の積層型半導体装置放熱構
造を示す断面図である。
【図５】 第５の実施の形態の積層型半導体装置放熱構
造を示す断面図である。
【図６】 第６の実施の形態の積層型半導体装置放熱構
造を示す断面図である。
【図７】 第７の実施の形態の積層型半導体装置放熱構
造を示す断面図である。
【図８】 第８の実施の形態の積層型半導体装置放熱構
造を示す断面図である。
【図９】 従来の積層型半導体装置放熱構造の一例を示
す断面図である。
【図１０】 従来の積層型半導体装置放熱構造の他の例
を示す断面図である。
【符号の説明】
１ａ 半導体チップ １ｂ 半導体チップ ２ａ モジュール基板 ２ｂ モジュール基板 ３ はんだボール ４ マザーボード ５ 放熱用ビア ６ 熱伝導材 ７ 放熱板 ８ 熱拡散層 ９ 熱拡散パターン １０ 熱伝導部材
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年７月１６日（１９９８．７．１
６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の積層型半導体装
置放熱構造は、小型基板に半導体チップをフリップチッ
プ実装したモジュールを２個以上積層した半導体装置に
おいて、動作中の半導体チップから発生する熱を他の半
導体チップや基板に伝熱、拡散させる構造を有すること
で放熱性を向上させ、動作中の半導体チップが過度の温
度上昇により動作不安定になることや、破壊されること
を防ぐものである。すなわち、本発明に係る積層型半導
体装置放熱構造は、半導体チップをモジュール基板上に
フリップチップ実装したモジュールを二段以上積層した
積層型半導体装置をマザーボード上に実装した積層型半
導体装置放熱構造において、モジュール基板及びマザー
ボードには、これらを厚み方向に貫通する放熱用ビア
が、半導体チップに接触するように形成されていること
を特徴とする。このような構造とすることで、動作中の
半導体チップから発生する熱を他の半導体チップや基板
に伝熱、拡散させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】また、本発明に係る積層型半導体装置放熱
構造は、半導体チップをモジュール基板上にフリップチ
ップ実装したモジュールを二段以上積層した積層型半導
体装置をマザーボード上に実装した積層型半導体装置放
熱構造において、前記モジュールとモジュールとの間、
及び前記モジュールと前記マザーボードとの間に熱伝導
材が挟持されており、モジュール基板及びマザーボード
には、これらを厚み方向に貫通する放熱用ビアが、半導
体チップまたは熱伝導材に接触するように形成されてい
ることを特徴とする。すなわち、モジュールとモジュー
ル及びモジュールとマザーボードを熱伝導材を介して接
触させることで、動作中の半導体チップから発生する熱
を他の半導体チップや基板に伝熱、拡散させることがで
きる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップをモジュール基板上にフリ
    ップチップ実装したモジュールを二段以上積層した積層
    型半導体装置をマザーボード上に実装した積層型半導体
    装置放熱構造において、 前記モジュール基板及び前記マザーボードには、これら
    を厚み方向に貫通する放熱用ビアが、前記半導体チップ
    または前記熱伝導材に接触するように形成されているこ
    とを特徴とする積層型半導体装置放熱構造。
  2. 【請求項２】 前記モジュール基板及び前記マザーボー
    ドの内部には熱拡散層が設けられ、前記モジュール基板
    の表面及び前記マザーボードの表面の半導体チップ実装
    エリアには熱拡散パターンが形成されていることを特徴
    とする請求項１記載の積層型半導体装置放熱構造。
  3. 【請求項３】 前記モジュール基板及び前記マザーボー
    ドには、これらを厚み方向に貫通する放熱用ビアが、前
    記モジュール基板とモジュール基板間及びモジュール基
    板と前記マザーボード間を機械的に接続する接続部材に
    接触するように形成されていることを特徴とする請求項
    １または２に記載の積層型半導体装置放熱構造。
  4. 【請求項４】 前記マザーボードの半導体チップ実装エ
    リア内に前記マザーボードを厚み方向に貫通する貫通孔
    が設けられ、前記マザーボード下面に設けられた放熱部
    材と前記マザーボード直上に備えられた熱伝導材とが、
    前記貫通孔を介して接触していることを特徴とする請求
    項１ないし３のいずれか一項に記載の積層型半導体装置
    放熱構造。
JP17034898A 1998-06-17 1998-06-17 積層型半導体装置放熱構造 Expired - Fee Related JP3147087B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17034898A JP3147087B2 (ja) 1998-06-17 1998-06-17 積層型半導体装置放熱構造
TW088108447A TW410454B (en) 1998-06-17 1999-05-24 Laminated semiconductor device
US09/332,997 US6265772B1 (en) 1998-06-17 1999-06-15 Stacked semiconductor device
KR1019990022651A KR100299002B1 (ko) 1998-06-17 1999-06-17 적층 반도체 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17034898A JP3147087B2 (ja) 1998-06-17 1998-06-17 積層型半導体装置放熱構造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000012765A true JP2000012765A (ja) 2000-01-14
JP3147087B2 JP3147087B2 (ja) 2001-03-19

Family

ID=15903272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17034898A Expired - Fee Related JP3147087B2 (ja) 1998-06-17 1998-06-17 積層型半導体装置放熱構造

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6265772B1 (ja)
JP (1) JP3147087B2 (ja)
KR (1) KR100299002B1 (ja)
TW (1) TW410454B (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001223289A (ja) * 2000-02-08 2001-08-17 Sony Corp リードフレームと、その製造方法と、半導体集積回路装置と、その製造方法
WO2004047168A1 (ja) * 2002-11-21 2004-06-03 Hitachi, Ltd. 電子装置
JP2004172425A (ja) * 2002-11-21 2004-06-17 Hitachi Ltd 電子装置
JP2004200522A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体チップおよびその作製方法
JP2008182184A (ja) * 2006-12-26 2008-08-07 Jtekt Corp 多層回路基板およびモータ駆動回路基板
JP2009164152A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Nikon Corp 積層型半導体装置
WO2014097725A1 (ja) * 2012-12-18 2014-06-26 株式会社村田製作所 積層型電子装置およびその製造方法
JP2014183126A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Fujitsu Ltd 高周波モジュール

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6191477B1 (en) * 1999-02-17 2001-02-20 Conexant Systems, Inc. Leadless chip carrier design and structure
JP3619395B2 (ja) * 1999-07-30 2005-02-09 京セラ株式会社 半導体素子内蔵配線基板およびその製造方法
US6122171A (en) * 1999-07-30 2000-09-19 Micron Technology, Inc. Heat sink chip package and method of making
US6867493B2 (en) * 2000-11-15 2005-03-15 Skyworks Solutions, Inc. Structure and method for fabrication of a leadless multi-die carrier
US6710433B2 (en) 2000-11-15 2004-03-23 Skyworks Solutions, Inc. Leadless chip carrier with embedded inductor
US6611055B1 (en) 2000-11-15 2003-08-26 Skyworks Solutions, Inc. Leadless flip chip carrier design and structure
US6582979B2 (en) 2000-11-15 2003-06-24 Skyworks Solutions, Inc. Structure and method for fabrication of a leadless chip carrier with embedded antenna
US6960824B1 (en) 2000-11-15 2005-11-01 Skyworks Solutions, Inc. Structure and method for fabrication of a leadless chip carrier
US6462950B1 (en) * 2000-11-29 2002-10-08 Nokia Mobile Phones Ltd. Stacked power amplifier module
US6861757B2 (en) * 2001-09-03 2005-03-01 Nec Corporation Interconnecting substrate for carrying semiconductor device, method of producing thereof and package of semiconductor device
US6657296B2 (en) * 2001-09-25 2003-12-02 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Semicondctor package
US6580611B1 (en) * 2001-12-21 2003-06-17 Intel Corporation Dual-sided heat removal system
KR100462785B1 (ko) * 2002-11-12 2004-12-23 삼성에스디아이 주식회사 하이브리드 ｉｃ
JP4101643B2 (ja) * 2002-12-26 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7436050B2 (en) 2003-01-22 2008-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a flexible printed circuit
SE0300160D0 (sv) * 2003-01-23 2003-01-23 Siemens Elema Ab Apparatus for and Method of Mintoring a Gas Supply
JP2004247373A (ja) 2003-02-12 2004-09-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP4381698B2 (ja) * 2003-03-10 2009-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
JP4526771B2 (ja) 2003-03-14 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7180165B2 (en) * 2003-09-05 2007-02-20 Sanmina, Sci Corporation Stackable electronic assembly
KR100585227B1 (ko) * 2004-03-12 2006-06-01 삼성전자주식회사 열 방출 특성이 개선된 반도체 적층 패키지 및 이를이용한 메모리 모듈
US20050258533A1 (en) * 2004-05-21 2005-11-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device mounting structure
JP4343044B2 (ja) * 2004-06-30 2009-10-14 新光電気工業株式会社 インターポーザ及びその製造方法並びに半導体装置
JP4014591B2 (ja) * 2004-10-05 2007-11-28 シャープ株式会社 半導体装置および電子機器
JP5116268B2 (ja) * 2005-08-31 2013-01-09 キヤノン株式会社 積層型半導体装置およびその製造方法
US7838977B2 (en) * 2005-09-07 2010-11-23 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. Packages for electronic devices implemented with laminated board with a top and a bottom patterned metal layers
US7829989B2 (en) * 2005-09-07 2010-11-09 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. Vertical packaged IC device modules with interconnected 3D laminates directly contacts wafer backside
KR100757907B1 (ko) * 2006-07-06 2007-09-11 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
KR100815321B1 (ko) 2006-11-17 2008-03-19 삼성전기주식회사 방열특성이 향상된 인쇄회로기판
JP2008192725A (ja) * 2007-02-02 2008-08-21 Spansion Llc 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の製造装置
KR20110085481A (ko) * 2010-01-20 2011-07-27 삼성전자주식회사 적층 반도체 패키지
DE102011083223B4 (de) * 2011-09-22 2019-08-22 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul mit integrierter Dickschichtleiterplatte
US20130093073A1 (en) * 2011-10-17 2013-04-18 Mediatek Inc. High thermal performance 3d package on package structure
US8867231B2 (en) * 2012-01-13 2014-10-21 Tyco Electronics Corporation Electronic module packages and assemblies for electrical systems
DE102012216148A1 (de) * 2012-09-12 2014-04-03 Robert Bosch Gmbh Schaltungsanordnung mit Schaltungsträgern
US10096534B2 (en) * 2012-11-09 2018-10-09 Nvidia Corporation Thermal performance of logic chip in a package-on-package structure
US20140133105A1 (en) * 2012-11-09 2014-05-15 Nvidia Corporation Method of embedding cpu/gpu/logic chip into a substrate of a package-on-package structure
US20140327126A1 (en) * 2013-05-01 2014-11-06 Microsoft Corporation Cooling integrated circuit packages from below
KR102105902B1 (ko) * 2013-05-20 2020-05-04 삼성전자주식회사 방열 부재를 갖는 적층 반도체 패키지
KR102065648B1 (ko) * 2013-08-14 2020-01-13 삼성전자주식회사 반도체 패키지
KR102126977B1 (ko) 2013-08-21 2020-06-25 삼성전자주식회사 반도체 패키지
FR3011978A1 (fr) * 2013-10-15 2015-04-17 St Microelectronics Grenoble 2 Systeme electronique comprenant des dispositifs electroniques empiles comprenant des puces de circuits integres
US20150116944A1 (en) * 2013-10-29 2015-04-30 Delphi Technologies, Inc. Electrical assembly with a solder sphere attached heat spreader
US9795038B2 (en) * 2014-09-25 2017-10-17 Intel Corporation Electronic package design that facilitates shipping the electronic package
KR102341755B1 (ko) 2014-11-10 2021-12-23 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
US9842829B2 (en) * 2016-04-29 2017-12-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chip package structure and method for forming the same
KR20210126228A (ko) * 2020-04-10 2021-10-20 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US20230197554A1 (en) * 2021-12-21 2023-06-22 Qualcomm Incorporated Thermal bridge interposer structure
CN115334743B (zh) * 2022-10-10 2023-03-24 深圳市中电华星电子技术有限公司 Pcb散热结构和电源设备

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07101533B2 (ja) 1986-07-04 1995-11-01 ソニー株式会社 テ−プレコ−ダ
JP2861322B2 (ja) 1990-08-06 1999-02-24 松下電器産業株式会社 フィルムキャリァ実装構造体
JPH0529533A (ja) 1991-07-23 1993-02-05 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH0685427A (ja) 1992-09-03 1994-03-25 Ibiden Co Ltd 半導体パッケージ搭載基板
US5495397A (en) * 1993-04-27 1996-02-27 International Business Machines Corporation Three dimensional package and architecture for high performance computer
US5693981A (en) * 1993-12-14 1997-12-02 Lsi Logic Corporation Electronic system with heat dissipating apparatus and method of dissipating heat in an electronic system
US5745333A (en) * 1994-11-21 1998-04-28 International Business Machines Corporation Laminar stackable circuit board structure with capacitor
JPH08167691A (ja) 1994-12-13 1996-06-25 Toshiba Corp 半導体装置
JPH08167630A (ja) * 1994-12-15 1996-06-25 Hitachi Ltd チップ接続構造
JPH08204072A (ja) 1995-01-24 1996-08-09 Mitsutoyo Corp 電子部品の冷却装置
JP3348562B2 (ja) 1995-04-05 2002-11-20 ソニー株式会社 半導体パッケージの実装構造
JP2699929B2 (ja) 1995-05-31 1998-01-19 日本電気株式会社 半導体装置
FR2736206B1 (fr) * 1995-06-30 1997-08-08 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un substrat d'interconnexion permettant de connecter une puce sur un substrat de reception
JPH09199629A (ja) 1996-01-18 1997-07-31 Toshiba Corp 半導体装置
US5973396A (en) * 1996-02-16 1999-10-26 Micron Technology, Inc. Surface mount IC using silicon vias in an area array format or same size as die array
US5847929A (en) * 1996-06-28 1998-12-08 International Business Machines Corporation Attaching heat sinks directly to flip chips and ceramic chip carriers
US5825628A (en) * 1996-10-03 1998-10-20 International Business Machines Corporation Electronic package with enhanced pad design
SE511425C2 (sv) * 1996-12-19 1999-09-27 Ericsson Telefon Ab L M Packningsanordning för integrerade kretsar
US6072690A (en) * 1998-01-15 2000-06-06 International Business Machines Corporation High k dielectric capacitor with low k sheathed signal vias

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001223289A (ja) * 2000-02-08 2001-08-17 Sony Corp リードフレームと、その製造方法と、半導体集積回路装置と、その製造方法
US7554039B2 (en) 2002-11-21 2009-06-30 Hitachi, Ltd. Electronic device
WO2004047168A1 (ja) * 2002-11-21 2004-06-03 Hitachi, Ltd. 電子装置
JP2004172425A (ja) * 2002-11-21 2004-06-17 Hitachi Ltd 電子装置
CN100378968C (zh) * 2002-11-21 2008-04-02 株式会社日立制作所 电子装置
JP2004200522A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体チップおよびその作製方法
JP4554152B2 (ja) * 2002-12-19 2010-09-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体チップの作製方法
JP2008182184A (ja) * 2006-12-26 2008-08-07 Jtekt Corp 多層回路基板およびモータ駆動回路基板
JP2009164152A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Nikon Corp 積層型半導体装置
WO2014097725A1 (ja) * 2012-12-18 2014-06-26 株式会社村田製作所 積層型電子装置およびその製造方法
JP5884922B2 (ja) * 2012-12-18 2016-03-15 株式会社村田製作所 積層型電子装置およびその製造方法
JPWO2014097725A1 (ja) * 2012-12-18 2017-01-12 株式会社村田製作所 積層型電子装置およびその製造方法
US9907180B2 (en) 2012-12-18 2018-02-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer electronic device and manufacturing method therefor
JP2014183126A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Fujitsu Ltd 高周波モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US6265772B1 (en) 2001-07-24
KR20000006234A (ko) 2000-01-25
JP3147087B2 (ja) 2001-03-19
TW410454B (en) 2000-11-01
KR100299002B1 (ko) 2001-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3147087B2 (ja) 積層型半導体装置放熱構造
US6219243B1 (en) Heat spreader structures for enhanced heat removal from both sides of chip-on-flex packaged units
JP4346972B2 (ja) 電子パッケージおよび熱放散方法
US5513070A (en) Dissipation of heat through keyboard using a heat pipe
US6830960B2 (en) Stress-relieving heatsink structure and method of attachment to an electronic package
US7872869B2 (en) Electronic chip module
US5761044A (en) Semiconductor module for microprocessor
US7561436B2 (en) Circuit assembly with surface-mount IC package and heat sink
JP2006210892A (ja) 半導体装置
JP2006073651A (ja) 半導体装置
JPH08222671A (ja) 回路モジュールの冷却装置
JP2008060172A (ja) 半導体装置
JP2002118384A (ja) 電子機器
JP2856193B2 (ja) マルチチップモジュールの実装構造体
JP2004214548A (ja) 部品内蔵基板型モジュール、それを搭載した基板、部品内蔵基板型モジュールの製造方法、および部品内蔵基板型モジュールを搭載した基板の製造方法
US6700195B1 (en) Electronic assembly for removing heat from a flip chip
TWI376783B (en) Electronic assembly and backlight module
CN107708286A (zh) 印刷电路板组件
US8269339B2 (en) Underfill film having thermally conductive sheet
JP2000332171A (ja) 発熱素子の放熱構造およびその放熱構造を有するモジュール
JP5115200B2 (ja) 電子素子、それを有するパッケージ及び電子装置
WO2020195834A1 (ja) 電子装置
JP3378174B2 (ja) 高発熱素子の放熱構造
JPH11163232A (ja) 電子部品の放熱装置
JPH07321471A (ja) 多層基板

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20000530

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20001205

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080112

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090112

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100112

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112

Year of fee payment: 12

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees